專(zhuān)利名稱：：場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)，更具體的說(shuō)，涉及具有包含有機(jī)半導(dǎo)體層的溝道區(qū)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，且再具體的說(shuō)，涉及具有包含有機(jī)半導(dǎo)體層的溝道區(qū)的薄膜晶體管(TFT)。
背景技術(shù)：
：在相關(guān)領(lǐng)域，在作為一種類(lèi)型的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)的薄膜晶體管(TFT)中，使用無(wú)機(jī)半導(dǎo)體材料如Si、GaAs、和InGaAs作為構(gòu)成溝道區(qū)的半導(dǎo)體層。為了使用這種無(wú)機(jī)半導(dǎo)體材料制造TFT，需要在400℃或更高溫度下的高溫處理。因此，非常難以使用無(wú)機(jī)半導(dǎo)體材料在柔軟的、抗裂的、且輕的基底(襯底)如塑料襯底上形成TFT。另一方面，可在低于塑料的耐熱溫度下制造其中溝道區(qū)包含有機(jī)半導(dǎo)體層的TFT(下文中稱作“有機(jī)TFT”)。此外，可使用可涂覆(coatable)材料制造這種TFT，并因此期望將這種TFT用作適合于大面積應(yīng)用的廉價(jià)半導(dǎo)體元件。在現(xiàn)有的有機(jī)TFT中，源/漏電極由金屬材料形成，如金(Au)、鉑(Pt)、或鈀(Pd)，以便與有機(jī)半導(dǎo)體層形成良好的歐姆接觸?？蛇x擇的，源/漏電極含有聚(3，4-亞乙二氧基噻吩)/聚苯乙烯磺酸[PEDOT/PSS]、用摻雜劑摻雜的聚苯胺、或碳納米管。
發(fā)明內(nèi)容作為能夠與p-型有機(jī)半導(dǎo)體層具有良好歐姆接觸的金屬材料的金、鉑、和鈀很昂貴，且通過(guò)這種金屬材料的氣相沉積形成源/漏電極和配線不適于制造低成本的有機(jī)TFT。另一方面，能夠與有機(jī)半導(dǎo)體材料形成滿意的歐姆接觸的現(xiàn)有的有機(jī)導(dǎo)電材料，具有高于這些金屬材料的電阻率。因此，這種有機(jī)導(dǎo)電材料不能令人滿意的作為構(gòu)成源/漏電極和配線的材料。在例如日本未審專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)No.2003-229579或2004-103905中公開(kāi)了具有這樣結(jié)構(gòu)的有機(jī)TFT，該結(jié)構(gòu)中由金屬材料形成的源/漏電極和構(gòu)成溝道區(qū)的有機(jī)半導(dǎo)體層彼此不直接接觸。在日本未審專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)No.2003-229579公開(kāi)的技術(shù)中，每個(gè)源/漏電極包括由金屬形成的部分和與構(gòu)成溝道區(qū)的有機(jī)導(dǎo)電化合物層接觸的含有金屬化合物的部分。該金屬化合物的實(shí)例包括含有元素周期表的6-11族的金屬原子的化合物。其中，優(yōu)選含有銥、銠、釕、鉑、金、銀、釤、鋨、鈀、鎳、鈷、或銪、或其金屬鹽?？蛇x擇的，該金屬化合物可選自這些金屬的金屬絡(luò)合物。(參考日本未審專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)No.2003-229579，段。)在日本未審專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)No.2004-103905公開(kāi)的技術(shù)中，在源/漏電極和構(gòu)成溝道區(qū)的有機(jī)半導(dǎo)體層之間安置緩沖層，該緩沖層含有金屬氧化物(如ITO、IZO、氧化錫、或氧化鋅)、氮化物、氧化物、金屬、合金、或有機(jī)化合物。(參考日本未審專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)No.2004-103905，段。)但是，對(duì)于如上所述的日本未審專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)中公開(kāi)的金屬化合物和緩沖層，導(dǎo)電類(lèi)型(n-型或p-型)、電阻等的選擇范圍并非足夠?qū)?。即，相?duì)于構(gòu)成有機(jī)TFT的源/漏電極的材料，設(shè)計(jì)自由度受到限制。期望提供包括源/漏電極的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，該源/漏電極可與構(gòu)成溝道區(qū)的有機(jī)半導(dǎo)體層形成良好的歐姆接觸，不需要包含貴金屬如金、鉑、或鈀，且其中相對(duì)于使用的材料，導(dǎo)電類(lèi)型、電阻等的選擇范圍是充分自由的(即，設(shè)計(jì)自由度充分大)。根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的場(chǎng)效應(yīng)晶體管包括柵電極、柵極絕緣層、源/漏電極、和構(gòu)成溝道區(qū)的有機(jī)半導(dǎo)體層。每個(gè)源/漏電極包括(a)由金屬形成的導(dǎo)電部分和(b)至少部分覆蓋導(dǎo)電部分且用摻雜劑摻雜的有機(jī)導(dǎo)電材料層。溝道區(qū)包含位于源/漏電極之間的有機(jī)半導(dǎo)體層。溝道區(qū)和每一導(dǎo)電部分通過(guò)有機(jī)導(dǎo)電材料層電連接。根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的場(chǎng)效應(yīng)晶體管為頂部柵極/底部接觸型薄膜晶體管，且包括(A)置于基底上的源/漏電極，(B)置于位于源/漏電極之間的基底上和在源/漏電極上的有機(jī)半導(dǎo)體層，(C)置于有機(jī)半導(dǎo)體層上的柵極絕緣層，和(D)置于柵極絕緣層上的柵電極。每一源/漏電極包括(a)由金屬形成的導(dǎo)電部分和(b)用摻雜劑摻雜的有機(jī)導(dǎo)電材料層，該有機(jī)導(dǎo)電材料層至少部分覆蓋導(dǎo)電部分的底面、與構(gòu)成另一源/漏電極的導(dǎo)電部分的側(cè)面面對(duì)的導(dǎo)電部分的側(cè)面、和導(dǎo)電部分的頂面中的至少任意一個(gè)。在根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的場(chǎng)效應(yīng)晶體管中，有機(jī)導(dǎo)電材料層可以下面七種方式的任意一種方式形成(1)在導(dǎo)電部分的底面上，(2)在與構(gòu)成另一源/漏電極的導(dǎo)電部分的側(cè)面面對(duì)的導(dǎo)電部分的側(cè)面上(稱作面對(duì)(facing)側(cè)面)，(3)在導(dǎo)電部分的頂面上，(4)在導(dǎo)電部分的底面和面對(duì)側(cè)面上，(5)在導(dǎo)電部分的底面和頂面上，(6)在導(dǎo)電部分的頂面和面對(duì)側(cè)面上，(7)在導(dǎo)電部分的頂面、面對(duì)側(cè)面和底面上。有機(jī)導(dǎo)電材料層可在每個(gè)頂面、面對(duì)側(cè)面、或底面上完全或部分形成?？蛇x擇的，有機(jī)導(dǎo)電材料層可在每個(gè)頂面、面對(duì)側(cè)面、或底面上像島一樣形成。根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施方式的場(chǎng)效應(yīng)晶體管為頂部柵極/頂部接觸型薄膜晶體管，且包括(A)置于基底上的有機(jī)半導(dǎo)體層，(B)置于有機(jī)半導(dǎo)體層上的源/漏電極，(C)置于位于源/漏電極之間的有機(jī)半導(dǎo)體層上和在源/漏電極上的柵極絕緣層，和(D)置于柵極絕緣層上的柵電極。每一源/漏電極包括(a)由金屬形成的導(dǎo)電部分和(b)用摻雜劑摻雜的有機(jī)導(dǎo)電材料層，該有機(jī)導(dǎo)電材料層至少部分覆蓋導(dǎo)電部分的底面和與構(gòu)成另一源/漏電極的導(dǎo)電部分的側(cè)面面對(duì)的導(dǎo)電部分的側(cè)面中的至少一個(gè)。在根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施方式的場(chǎng)效應(yīng)晶體管中，有機(jī)導(dǎo)電材料層可以下面五種方式的任意一種方式形成(1)在導(dǎo)電部分的底面上，(2)在導(dǎo)電部分的面對(duì)側(cè)面上，(3)在導(dǎo)電部分的底面和面對(duì)側(cè)面上，(4)在導(dǎo)電部分的頂面和面對(duì)側(cè)面上，(5)在導(dǎo)電部分的頂面、面對(duì)側(cè)面和底面上。有機(jī)導(dǎo)電材料層可在每個(gè)頂面、面對(duì)側(cè)面、或底面上完全或部分形成。可選擇的，有機(jī)導(dǎo)電材料層可在每個(gè)頂面、面對(duì)側(cè)面、或底面上像島一樣形成。根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施方式的場(chǎng)效應(yīng)晶體管為底部柵極/底部接觸型薄膜晶體管，且包括(A)置于基底上的柵電極，(B)置于柵電極和基底上的柵極絕緣層，(C)置于柵極絕緣層上的源/漏電極，和(D)置于位于源/漏電極之間的柵極絕緣層上和在源/漏電極上的有機(jī)半導(dǎo)體層。每一源/漏電極包括(a)由金屬形成的導(dǎo)電部分和(b)用摻雜劑摻雜的有機(jī)導(dǎo)電材料層，該有機(jī)導(dǎo)電材料層至少部分覆蓋導(dǎo)電部分的底面、與構(gòu)成另一源/漏電極的導(dǎo)電部分的側(cè)面面對(duì)的導(dǎo)電部分的側(cè)面、和導(dǎo)電部分的頂面中的至少任意一個(gè)。在根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施方式的場(chǎng)效應(yīng)晶體管中，有機(jī)導(dǎo)電材料層可以下面七種方式的任意一種方式形成(1)在導(dǎo)電部分的底面上，(2)在導(dǎo)電部分的面對(duì)側(cè)面上，(3)在導(dǎo)電部分的頂面上，(4)在導(dǎo)電部分的底面和面對(duì)側(cè)面上，(5)在導(dǎo)電部分的底面和頂面上，(6)在導(dǎo)電部分的頂面和面對(duì)側(cè)面上，(7)在導(dǎo)電部分的頂面、面對(duì)側(cè)面和底面上。有機(jī)導(dǎo)電材料層可在每個(gè)頂面、面對(duì)側(cè)面、或底面上完全或部分形成?？蛇x擇的，有機(jī)導(dǎo)電材料層可在每個(gè)頂面、面對(duì)側(cè)面、或底面上像島一樣形成。根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施方式的場(chǎng)效應(yīng)晶體管為底部柵極/頂部接觸型薄膜晶體管，且包括(A)置于基底上的柵電極，(B)置于柵電極和基底上的柵極絕緣層，(C)置于柵極絕緣層上的有機(jī)半導(dǎo)體層，和(D)置于有機(jī)半導(dǎo)體層上的源/漏電極。每一源/漏電極包括(a)由金屬形成的導(dǎo)電部分和(b)用摻雜劑摻雜的有機(jī)導(dǎo)電材料層，該有機(jī)導(dǎo)電材料層至少部分覆蓋導(dǎo)電部分的底面和與構(gòu)成另一源/漏電極的導(dǎo)電部分的側(cè)面面對(duì)的導(dǎo)電部分的側(cè)面中的至少一個(gè)。在根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施方式的場(chǎng)效應(yīng)晶體管中，有機(jī)導(dǎo)電材料層可以下面五種方式的任意一種方式形成(1)在導(dǎo)電部分的底面上，(2)在導(dǎo)電部分的面對(duì)側(cè)面上，(3)在導(dǎo)電部分的底面和面對(duì)側(cè)面上，(4)在導(dǎo)電部分的頂面和面對(duì)側(cè)面上，(5)在導(dǎo)電部分的頂面、面對(duì)側(cè)面和底面上。有機(jī)導(dǎo)電材料層可在每個(gè)頂面、面對(duì)側(cè)面、或底面上完全或部分形成?？蛇x擇的，有機(jī)導(dǎo)電材料層可在每個(gè)頂面、面對(duì)側(cè)面、或底面上像島一樣形成。在根據(jù)本發(fā)明第二至第五實(shí)施方式中每一個(gè)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管中，優(yōu)選的，溝道區(qū)包含位于源/漏電極之間的有機(jī)半導(dǎo)體層，且溝道區(qū)和導(dǎo)電部分通過(guò)有機(jī)導(dǎo)電材料層電連接。在包括如上所述的優(yōu)選結(jié)構(gòu)的根據(jù)本發(fā)明第一至第五實(shí)施方式中每一個(gè)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管中，構(gòu)成有機(jī)導(dǎo)電材料層的材料優(yōu)選通過(guò)用選自以下的至少一種摻雜劑摻雜選自以下的至少一種有機(jī)材料制備，其中該有機(jī)材料選自聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺、聚乙炔、聚苯、聚呋喃、聚硒吩(polyselenophene)、聚異硫茚、聚苯硫醚、聚亞苯基乙烯(polyphenylenevinylene)、聚亞噻吩基乙烯(polythienylenevinylene)、聚萘、聚蒽、聚芘、聚甘菊環(huán)、酞菁、并五苯、部花青、和聚亞乙二氧基噻吩(polyethylenedioxythiophene)中的至少一種，該摻雜劑選自碘、高氯酸、鹽酸、硫酸、硝酸、磷酸、四氟硼酸、五氟化砷、六氟磷酸、烷基磺酸、全氟烷基磺酸、聚丙烯酸、聚苯乙烯磺酸、和十二烷基苯磺酸中的至少一種。作為構(gòu)成有機(jī)導(dǎo)電材料層的材料，可由上述19種有機(jī)材料和14種摻雜劑組成的266種組合中選擇一種組合。特別的，該組合(構(gòu)成有機(jī)半導(dǎo)體層的材料、有機(jī)材料、和摻雜劑)的優(yōu)選實(shí)例、構(gòu)成如下所述的有機(jī)半導(dǎo)體層的材料的實(shí)例包括，(并五苯、聚亞乙二氧基噻吩、和聚苯乙烯磺酸)、(聚噻吩、聚亞乙二氧基噻吩、和聚苯乙烯磺酸)、(聚芴、聚亞乙二氧基噻吩、和聚苯乙烯磺酸)、(并五苯、聚苯胺、和十二烷基苯磺酸)、(聚噻吩、聚苯胺、和十二烷基苯磺酸)、和(聚芴、聚苯胺、和十二烷基苯磺酸)。此外，在這種情況下，可將碳納米管和/或富勒烯引入構(gòu)成有機(jī)導(dǎo)電材料層的材料中。優(yōu)選的，有機(jī)半導(dǎo)體層的導(dǎo)電類(lèi)型與有機(jī)導(dǎo)電材料層的導(dǎo)電類(lèi)型相同。即，優(yōu)選的，當(dāng)有機(jī)半導(dǎo)體層的導(dǎo)電類(lèi)型為n型時(shí)，有機(jī)導(dǎo)電材料層的導(dǎo)電類(lèi)型為n型；且當(dāng)有機(jī)半導(dǎo)體層的導(dǎo)電類(lèi)型為p型時(shí)，有機(jī)導(dǎo)電材料層的導(dǎo)電類(lèi)型為p型。關(guān)于用摻雜劑摻雜構(gòu)成有機(jī)導(dǎo)電材料層的材料，例如，可通過(guò)在合成構(gòu)成有機(jī)導(dǎo)電材料層的材料期間，將摻雜劑加入用于構(gòu)成有機(jī)導(dǎo)電材料層的材料的原材料中而實(shí)現(xiàn)摻雜?？蛇x擇的，可通過(guò)摻雜劑和構(gòu)成有機(jī)導(dǎo)電材料層的材料之間的反應(yīng)而實(shí)現(xiàn)摻雜?？蛇x擇的，可通過(guò)電化學(xué)摻雜方法實(shí)現(xiàn)摻雜，其中將構(gòu)成有機(jī)導(dǎo)電材料層的材料浸入電解液并用電解質(zhì)離子(摻雜劑)電化學(xué)摻雜。在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式中，構(gòu)成導(dǎo)電部分的材料的例子包括金屬如銅(Cu)、銀(Ag)、鋁(Al)、鉻(Cr)、鎳(Ni)、鉬(Mo)、鈮(Nb)、釹(Nd)、銣(Rb)、銠(Rh)、鉭(Ta)、鎢(W)、鈦(Ti)、銦(In)、和錫(Sn)，包含這些金屬元素的合金，氧化錫，氧化銦，氧化銦錫(ITO)，石墨，細(xì)金粒，細(xì)鉑粒，細(xì)鈀粒，細(xì)銀粒，和細(xì)銅粒。期望包含多種這些物質(zhì)的層。導(dǎo)電部分可含有包括任何這些金屬和合金的薄膜或含有任何這些金屬和合金的細(xì)粒。雖然取決于構(gòu)成有機(jī)導(dǎo)電材料層的材料，但根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，形成有機(jī)導(dǎo)電材料層的方法的例子包括，物理氣相沉積(PVD)，如真空淀積和濺射；各種化學(xué)氣相沉積(CVD)；旋涂法；各種印刷方法，如絲網(wǎng)印刷、噴墨印刷、膠版印刷、和凹版印刷；各種涂布方法，如氣刮刀涂布、刮涂(bladecoating)、棒涂、刮刀涂布(knifecoating)、壓涂(squeezecoating)、逆轉(zhuǎn)輥涂布、傳遞輥式涂布、凹版涂布、接觸涂布(kisscoating)、流延涂布(castcoating)、噴涂、裂縫涂布(slitorificecoating)、壓延涂布、和浸漬法；及噴霧法。雖然取決于構(gòu)成導(dǎo)電部分的材料，但用于形成導(dǎo)電部分的方法的例子包括，PVD，如真空淀積和濺射；包括MOCVD的各種類(lèi)型CVD；旋涂法；使用各種類(lèi)型導(dǎo)電膏的如上所述的各種印刷方法；如上所述的各種涂布方法；剝離(lift-off)法；蔭罩(shadow-mask)法；電鍍法，如電解電鍍、化學(xué)鍍，或兩者的組合。根據(jù)需要，可將這些方法與構(gòu)圖(patterning)技術(shù)結(jié)合。另外，PVD的例子包括(a)各種真空淀積法，如電子束加熱、電阻加熱、和閃蒸氣相沉積(flashvapordeposition)；(b)等離子沉積法；(c)各種濺射法，如二極管濺射、DC濺射、DC磁控濺射、RF濺射、磁控濺射、離子束濺射、和偏壓濺射；和(d)各種離子電鍍法，如直流(DC)法、RF法、多陰極法、活化反應(yīng)離子電鍍法、電場(chǎng)沉積、RF離子電鍍法、和反應(yīng)離子電鍍法。此外，導(dǎo)電部分和有機(jī)導(dǎo)電材料層可通過(guò)剝離法同時(shí)形成。即，雖然取決于場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)，但源/漏電極可通過(guò)這樣一種方法制造，其中在基底上形成在用于形成源/漏電極的位置的具有開(kāi)口的抗蝕層，將有機(jī)半導(dǎo)體層、或柵極絕緣層(為了方便稱作“底層”)、構(gòu)成每個(gè)導(dǎo)電部分的層和有機(jī)導(dǎo)電材料層以這種順序置于底層和抗蝕層上，然后除去抗蝕層、置于其上的構(gòu)成導(dǎo)電部分的層和有機(jī)導(dǎo)電材料層。這里，在用于形成源/漏電極的位置的具有開(kāi)口的抗蝕層在底層上形成之后，通過(guò)將抗蝕層進(jìn)行表面處理，通過(guò)形成兩層結(jié)構(gòu)的抗蝕層，或通過(guò)形成含有負(fù)性抗蝕劑的抗蝕層，可設(shè)置每一開(kāi)口的上部尺寸大于下部尺寸。因此，通過(guò)優(yōu)化用于形成導(dǎo)電部分的條件和用于形成有機(jī)導(dǎo)電材料層的條件，可通過(guò)剝離法在導(dǎo)電部分的面對(duì)側(cè)面上形成有機(jī)導(dǎo)電材料層。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，可用的構(gòu)成有機(jī)半導(dǎo)體層的材料的實(shí)例，包括2，3，6，7-二苯并蒽(也稱作“并五苯”)、C9S9(苯基[1，2-c；3，4-c’；5，6-c”]三[1，2]二硫酚-1，4，7-三硫酮)、C24H14S6(α-六噻吩)、酞菁類(lèi)如銅酞菁、富勒烯(C60)、四硫代并四苯(C18H8S4)、四硒代并四苯(C18H8Se4)、四碲代并四苯(C18H8Te4)、聚(3-己基噻吩)、聚芴(C13H10)、和聚(3，4-亞乙二氧基噻吩)/聚苯乙烯磺酸[PEDOT/PSS]。圖7A展示聚(3，4-亞乙二氧基噻吩)的結(jié)構(gòu)式，和圖7B展示聚苯乙烯磺酸的結(jié)構(gòu)式?？蛇x擇的，作為有機(jī)半導(dǎo)體層，例如，可使用雜環(huán)共軛導(dǎo)電聚合物或含雜原子的共軛導(dǎo)電聚合物，其實(shí)例如下所示。在結(jié)構(gòu)式中，每個(gè)R和R’表示烷基(CnH2n+1)。聚吡咯[參考圖7C所示的結(jié)構(gòu)式。]聚呋喃[參考圖7D所示的結(jié)構(gòu)式。]聚噻吩[參考圖7E所示的結(jié)構(gòu)式。]聚硒吩[參考圖7F所示的結(jié)構(gòu)式。]聚碲吩(polytellurophene)[參考圖7G所示的結(jié)構(gòu)式。]聚(3-烷基噻吩)[參考圖7H所示的結(jié)構(gòu)式。]聚(3-噻吩-β-乙烷磺酸)[參考圖7I所示的結(jié)構(gòu)式。]聚(N-烷基吡咯)[參考圖8A所示的結(jié)構(gòu)式。]聚(3-烷基吡咯)[參考圖8B所示的結(jié)構(gòu)式。]聚(3，4-二烷基吡咯)[參考圖8C所示的結(jié)構(gòu)式。]聚(2，2’-噻吩基吡咯)[參考圖8D所示的結(jié)構(gòu)式。][含雜原子的共軛導(dǎo)電聚合物]聚苯胺[參考圖8E所示的結(jié)構(gòu)式。]聚(硫化二苯并噻吩)[參考圖8F所示的結(jié)構(gòu)式。]可選擇的，優(yōu)選的，構(gòu)成有機(jī)半導(dǎo)體層的有機(jī)半導(dǎo)體分子為在其兩端均具有硫醇基(-SH)、氨基(-NH2)、異氰基(-NC)、硫代乙酸基(-SCOCH3)、或羧基(-COOH)的含共軛鍵的有機(jī)半導(dǎo)體分子。這種有機(jī)半導(dǎo)體分子的具體例子包括以下4，4’-聯(lián)苯二硫酚[參考圖9A所示的結(jié)構(gòu)式。]4，4’-二異氰基聯(lián)苯[參考圖9B所示的結(jié)構(gòu)式。]4，4’-二異氰基-對(duì)-三聯(lián)苯[參考圖9C所示的結(jié)構(gòu)式。]2，5-雙(5’-硫代乙酸基(thioaceoxyl)-2’-苯硫基)噻吩[參考圖9D所示的結(jié)構(gòu)式。]雖然取決于構(gòu)成有機(jī)半導(dǎo)體層的材料，但用于形成有機(jī)半導(dǎo)體層的方法的例子包括，與描述的關(guān)于用于形成有機(jī)導(dǎo)電材料層的那些方法相同的方法。構(gòu)成柵電極的材料的實(shí)例包括金屬如鉻(Cr)、鎳(Ni)、鉬(Mo)、鈮(Nb)、釹(Nd)、銣(Rb)、銠(Rh)、鋁(Al)、銀(Ag)、鉭(Ta)、鎢(W)、鈦(Ti)、銅(Cu)、銦(In)、和錫(Sn)，包含這些金屬元素的合金，由這些金屬形成的導(dǎo)電粒子，由含有這些金屬的合金形成的導(dǎo)電粒子，氧化錫，氧化銦，和氧化銦錫(ITO)?？啥询B含有這些元素的層用于形成柵電極。此外，作為用于構(gòu)成柵電極的材料，可提及有機(jī)材料，如聚(3，4-亞乙二氧基噻吩)/聚苯乙烯磺酸[PEDOT/PSS]。雖然取決于構(gòu)成柵電極的材料，但用于形成柵電極的方法的例子包括，與描述的關(guān)于用于形成導(dǎo)電部分的那些方法相同的方法，和噴霧法。構(gòu)成柵極絕緣層的材料的實(shí)例包括無(wú)機(jī)絕緣材料，如氧化硅基材料、氮化硅(SiNγ)、Al2O3、HfO2、和高介電金屬氧化物薄膜；和有機(jī)絕緣材料，如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚乙烯基苯酚(PVP)、聚乙烯醇(PVA)、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚甲醛(POM)、聚氯乙烯、聚偏二氟乙烯、聚砜、聚碳酸酯(PC)、和聚酰亞胺。這些材料可組合使用。氧化硅基材料的實(shí)例包括二氧化硅(SiOX)、BPSG、PSG、BSG、AsSG、PbSG、氮氧化硅(SiON)、旋涂玻璃(spinonglass)(SOG)、和低介電常數(shù)SiO2基材料(例如，聚芳基醚、環(huán)全氟化碳聚合物、苯并環(huán)丁烯、環(huán)狀氟碳樹(shù)脂、聚四氟乙烯、氟代芳基醚、聚氟代酰亞胺、無(wú)定形碳、和有機(jī)SOG)。可通過(guò)例如，選自PVD，如真空淀積和濺射；各種CVD；旋涂法；如上所述的各種印刷方法；如上所述的各種涂布方法；浸漬法；澆鑄方法；和噴霧法的任意一種方法形成柵極絕緣層?；椎膶?shí)例包括各種玻璃襯底、各種在其表面上提供有絕緣層的玻璃襯底、石英襯底、在其表面上提供有絕緣層的石英襯底，和在其表面上提供有絕緣層的硅襯底?；椎钠渌麑?shí)例包括塑料薄膜、塑料片材、和含有聚合材料的塑料襯底，這些聚合材料如聚醚砜(PES)、聚酰亞胺、聚碳酸酯(PC)、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚乙烯醇(PVA)、和聚乙烯基苯酚(PVP)。通過(guò)使用含有這些柔韌的聚合材料中任意一種的基底，例如，生成的場(chǎng)效應(yīng)晶體管可嵌入或整合到顯示器件或具有曲面的電子設(shè)備中。此外，作為基底，例如，還可使用導(dǎo)電基底(即，含有金屬如金或高取向石墨的襯底)。取決于場(chǎng)效應(yīng)晶體管的構(gòu)造和結(jié)構(gòu)，在支承構(gòu)件上提供場(chǎng)效應(yīng)晶體管。這種支承構(gòu)件也可含有如上所述的任何材料。此外，可用樹(shù)脂密封電子設(shè)備和場(chǎng)效應(yīng)晶體管。當(dāng)根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的場(chǎng)效應(yīng)晶體管應(yīng)用于或用于顯示器件或各種電子設(shè)備時(shí)，可制造其中許多場(chǎng)效應(yīng)晶體管整合在基底上的單片集成電路，或可通過(guò)切割分離單獨(dú)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管以制造分立元件?？蛇x擇的，可用樹(shù)脂密封場(chǎng)效應(yīng)晶體管。根據(jù)本發(fā)明的任意實(shí)施方式，每個(gè)源/漏電極包括由金屬形成的導(dǎo)電部分和用摻雜劑摻雜的有機(jī)導(dǎo)電材料層。通過(guò)適當(dāng)?shù)剡x擇構(gòu)成有機(jī)導(dǎo)電材料層的材料，可在包含有機(jī)半導(dǎo)體層的溝道區(qū)和源/漏電極之間形成良好的歐姆接觸。由于不必使用貴金屬如金、鉑、或鈀形成導(dǎo)電部分，可降低場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制造成本。而且，由于導(dǎo)電部分由金屬形成，可得到高電導(dǎo)率。由于用摻雜劑摻雜有機(jī)導(dǎo)電材料層，可得到高電導(dǎo)率。此外，可減少有機(jī)導(dǎo)電材料層和導(dǎo)電部分之間的電阻。圖1A為實(shí)施例1中的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的示意局部剖視圖，和圖1B為實(shí)施例1中的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的變化實(shí)例的示意局部剖視圖；圖2A為實(shí)施例1中的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的另一變化實(shí)例的示意局部剖視圖，和圖2B為實(shí)施例1中的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的再一變化實(shí)例的示意局部剖視圖；圖3A為實(shí)施例2中的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的示意局部剖視圖，圖3B為實(shí)施例2中的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的變化實(shí)例的示意局部剖視圖，和圖3C為實(shí)施例2中的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的另一變化實(shí)例的示意局部剖視圖；圖4A為實(shí)施例3中的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的示意局部剖視圖，和圖4B為實(shí)施例3中的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的變化實(shí)例的示意局部剖視圖；圖5A為實(shí)施例3中的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的另一變化實(shí)例的示意局部剖視圖，和圖5B為實(shí)施例3中的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的再一變化實(shí)例的示意局部剖視圖；圖6A為實(shí)施例4中的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的示意局部剖視圖，圖6B為實(shí)施例4中的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的變化實(shí)例的示意局部剖視圖，和圖6C為實(shí)施例4中的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的另一變化實(shí)例的示意局部剖視圖；圖7A、7B、7C、7D、7E、7F、7G、7H和7I的每一個(gè)展示了適合用于本發(fā)明的實(shí)施方式的有機(jī)半導(dǎo)體材料的結(jié)構(gòu)式；圖8A、8B、8C、8D、8E、和8F的每一個(gè)展示了適合用于本發(fā)明的實(shí)施方式的有機(jī)半導(dǎo)體材料的結(jié)構(gòu)式；圖9A、9B、9C和9D的每一個(gè)展示了適合用于本發(fā)明的實(shí)施方式的有機(jī)半導(dǎo)體材料的結(jié)構(gòu)式。具體實(shí)施例方式現(xiàn)在基于實(shí)施例描述本發(fā)明。(實(shí)施例1)實(shí)施例l涉及根據(jù)本發(fā)明第一和第二實(shí)施方式的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。實(shí)施例1中的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其示意局部剖視圖如圖1A所示，包括柵電極12、柵極絕緣層13、源/漏電極21和構(gòu)成溝道區(qū)15的有機(jī)半導(dǎo)體層14。每個(gè)源/漏電極21包括由金屬形成的導(dǎo)電部分22和至少部分覆蓋導(dǎo)電部分22且用摻雜劑摻雜的有機(jī)導(dǎo)電材料層23。溝道區(qū)15包含位于源/漏電極21之間的有機(jī)半導(dǎo)體層14。溝道區(qū)15和每一導(dǎo)電部分22通過(guò)有機(jī)導(dǎo)電材料層23電連接?？蛇x擇的，實(shí)施例1中的場(chǎng)效應(yīng)晶體管為頂部柵極/底部接觸型TFT且包括(A)置于基底11上的源/漏電極21，(B)置于位于源/漏電極21之間的基底11上和在源/漏電極21上的有機(jī)半導(dǎo)體層14，(C)置于有機(jī)半導(dǎo)體層14之間的柵極絕緣層13，和(D)置于柵極絕緣層13上的柵電極12。每一源/漏電極21包括(a)由金屬形成的導(dǎo)電部分22和(b)用摻雜劑摻雜的有機(jī)導(dǎo)電材料層23，該有機(jī)導(dǎo)電材料層23至少部分覆蓋導(dǎo)電部分的底面、與構(gòu)成另一源/漏電極的導(dǎo)電部分的側(cè)面面對(duì)的導(dǎo)電部分的側(cè)面、和導(dǎo)電部分的頂面中的至少任意一個(gè)。具體的說(shuō)，在實(shí)施例1中，將有機(jī)導(dǎo)電材料層23安置于不同于導(dǎo)電部分22的底面的表面上。即，將有機(jī)導(dǎo)電材料層23安置于頂面和面對(duì)側(cè)面上。在實(shí)施例1中，基底11為在其表面上提供有SiO2層(未顯示)的玻璃襯底。柵電極12含有銅(更具體的說(shuō)，細(xì)銅粒的聚集體)。柵極絕緣層13含有SiO2。有機(jī)半導(dǎo)體層14含有并五苯。構(gòu)成導(dǎo)電部分22的金屬為銅(更具體的說(shuō)，細(xì)銅粒的聚集體)。此外，有機(jī)導(dǎo)電材料層23含有這樣一種材料，該材料通過(guò)用摻雜劑如聚苯乙烯磺酸[PSS]摻雜有機(jī)材料如聚亞乙二氧基噻吩[更準(zhǔn)確的說(shuō)，聚(3，4-亞乙二氧基噻吩)，PEDOT]得到。用于制造實(shí)施例1中的頂部柵極/底部接觸型TFT的方法概要如下所述。首先，使用銅糊料(copperpaste)通過(guò)絲網(wǎng)印刷在基底11上形成構(gòu)成源/漏電極21的導(dǎo)電部分22，該基底11含有在其表面提供有SiO2層(未顯示)的玻璃襯底。隨后，通過(guò)絲網(wǎng)印刷將通過(guò)用聚苯乙烯磺酸摻雜聚亞乙二氧基噻吩得到的材料涂布，以覆蓋導(dǎo)電部分22，并由此形成有機(jī)導(dǎo)電材料層23。形成每一有機(jī)導(dǎo)電材料層23以完全覆蓋相應(yīng)的導(dǎo)電部分22?？蛇x擇的，構(gòu)成有機(jī)導(dǎo)電材料層23的材料可為通過(guò)用十二烷基苯磺酸摻雜聚苯胺得到的材料?？蛇x擇的，可將構(gòu)成有機(jī)導(dǎo)電材料層23的材料與碳納米管、富勒烯、或碳納米管和富勒烯相結(jié)合。相對(duì)于100重量份的構(gòu)成有機(jī)導(dǎo)電材料層23的材料，可優(yōu)選以10重量份的量混合碳納米管和/或富勒烯。隨后，在制品的整個(gè)表面上形成有機(jī)半導(dǎo)體層14。具體的說(shuō)，在如下表1所示的條件下通過(guò)真空淀積，在源/漏電極21上(更具體地說(shuō)，在有機(jī)導(dǎo)電材料層23上)和在基底11上形成含有并五苯的有機(jī)半導(dǎo)體層14。當(dāng)沉積有機(jī)半導(dǎo)體層14時(shí)，通過(guò)部分覆蓋源/漏電極21和基底11，無(wú)需光刻過(guò)程可形成有機(jī)半導(dǎo)體層14。表1可選擇的，可通過(guò)絲網(wǎng)印刷或旋涂在源/漏電極21上(更明確的，在有機(jī)導(dǎo)電材料層23上)和在基底11上形成含有例如聚噻吩或聚芴的有機(jī)半導(dǎo)體層14。然后，在制品的整個(gè)表面上形成柵極絕緣層13。具體的說(shuō)，通過(guò)在整個(gè)表面上(具體的說(shuō)，在有機(jī)半導(dǎo)體層14上)進(jìn)行濺射，形成含有SiO2的柵極絕緣層13。然后，使用銅糊料通過(guò)絲網(wǎng)印刷在柵極絕緣層13上形成柵電極12。最后，在制品的整個(gè)表面上形成用作鈍化膜的絕緣層(未顯示)。在源/漏電極21上的絕緣層中形成開(kāi)口，及在包括開(kāi)口內(nèi)部的整個(gè)表面上形成配線材料層，隨后進(jìn)行配線材料層的構(gòu)圖。由此，完成實(shí)施例1中的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其中在絕緣層上形成與源/漏電極21連接的配線(未顯示)。圖1B、2A、和2B的每個(gè)為實(shí)施例1中的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(頂部柵極/底部接觸型TFT)的變化實(shí)例的示意局部剖視圖。在圖1B所示的變化實(shí)例中，在與構(gòu)成另一源/漏電極21的導(dǎo)電部分22的側(cè)面面對(duì)的導(dǎo)電部分22的側(cè)面(面對(duì)側(cè)面)上形成有機(jī)導(dǎo)電材料層23。在圖2A所示的變化實(shí)例中，在導(dǎo)電部分22的頂面上形成有機(jī)導(dǎo)電材料層23。此外，在圖2B所示的變化實(shí)例中，在導(dǎo)電部分22的底面形成有機(jī)導(dǎo)電材料層23。雖然未在圖中顯示，但可在導(dǎo)電部分22的底面和面對(duì)側(cè)面、或在導(dǎo)電部分22的頂面、面對(duì)側(cè)面和底面上形成有機(jī)導(dǎo)電材料層23。此外，可在每個(gè)表面上完全或部分形成有機(jī)導(dǎo)電材料層23?？蛇x擇的，可在每個(gè)表面上形成像島一樣的有機(jī)導(dǎo)電材料層23。(實(shí)施例2)實(shí)施例2涉及根據(jù)本發(fā)明第一和第三實(shí)施方式的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。實(shí)施例2中的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其示意局部剖視圖如圖3A所示，包括柵電極12、柵極絕緣層13、源/漏電極21和構(gòu)成溝道區(qū)15的有機(jī)半導(dǎo)體層14。每個(gè)源/漏電極21包括由金屬形成的導(dǎo)電部分22和至少部分覆蓋導(dǎo)電部分22且用摻雜劑摻雜的有機(jī)導(dǎo)電材料層23。溝道區(qū)15包含位于源/漏電極21之間的有機(jī)半導(dǎo)體層14。溝道區(qū)15和每一導(dǎo)電部分22通過(guò)有機(jī)導(dǎo)電材料層23電連接。可選擇的，實(shí)施例2中的場(chǎng)效應(yīng)晶體管為頂部柵極/頂部接觸型TFT，且包括(A)置于基底11上的有機(jī)半導(dǎo)體層14，(B)置于有機(jī)半導(dǎo)體層14上的源/漏電極21，(C)置于位于源/漏電極21之間的有機(jī)半導(dǎo)體層14上和在源/漏電極21上的柵極絕緣層13，和(D)置于柵極絕緣層13上的柵電極12。每一源/漏電極21包括(a)由金屬形成的導(dǎo)電部分22和(b)用摻雜劑摻雜的有機(jī)導(dǎo)電材料層23，該有機(jī)導(dǎo)電材料層23至少部分覆蓋導(dǎo)電部分22的底面和與構(gòu)成另一源/漏電極21的導(dǎo)電部分22的側(cè)面面對(duì)的導(dǎo)電部分22的側(cè)面中的至少一個(gè)。具體的說(shuō)，在實(shí)施例2中，有機(jī)導(dǎo)電材料層23在不同于底面的表面上形成。即，有機(jī)導(dǎo)電材料層23在導(dǎo)電部分22的面對(duì)側(cè)面和頂面上形成。在實(shí)施例2中，基底11、柵電極12、柵極絕緣層13、有機(jī)半導(dǎo)體層14、構(gòu)成導(dǎo)電部分22的金屬、和構(gòu)成有機(jī)導(dǎo)電材料層23的材料含有與實(shí)施例1中所述相同的材料。用于制造實(shí)施例2中的頂部柵極/頂部接觸型TFT的方法概要如下所述。首先，如實(shí)施例1中的[步驟120]一樣，在含有在其表面提供有SiO2層(未顯示)的玻璃襯底的基底11上形成有機(jī)半導(dǎo)體層14。隨后，如實(shí)施例1中的[步驟100]一樣，使用銅糊料通過(guò)絲網(wǎng)印刷在有機(jī)半導(dǎo)體層14上形成構(gòu)成源/漏電極21的導(dǎo)電部分22。隨后，如實(shí)施例1中的[步驟110]一樣，通過(guò)絲網(wǎng)印刷將通過(guò)用摻雜劑摻雜有機(jī)材料得到的材料進(jìn)行涂布，以覆蓋導(dǎo)電部分22，并由此形成有機(jī)導(dǎo)電材料層23。形成每一有機(jī)導(dǎo)電材料層23以完全覆蓋相應(yīng)的導(dǎo)電部分22。然后，如實(shí)施例1中的[步驟130]一樣，通過(guò)在整個(gè)表面上(具體的說(shuō)，在有機(jī)半導(dǎo)體層14和源/漏電極21上)進(jìn)行濺射，形成含有SiO2的柵極絕緣層13。然后，使用銅糊料通過(guò)絲網(wǎng)印刷在柵極絕緣層13上形成柵電極12。最后，進(jìn)行與實(shí)施例1中的[步驟150]相同的步驟。由此，完成實(shí)施例2中的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。圖3B和3C的每一個(gè)為實(shí)施例2中的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(頂部柵極/頂部接觸型TFT)的變化實(shí)例的示意局部剖視圖。在圖3B所示的變化實(shí)例中，在與構(gòu)成另一源/漏電極21的導(dǎo)電部分22的側(cè)面面對(duì)的導(dǎo)電部分22的側(cè)面(面對(duì)側(cè)面)上形成有機(jī)導(dǎo)電材料層23。在圖3(C)所示的變化實(shí)例中，在導(dǎo)電部分22的底面上形成有機(jī)導(dǎo)電材料層23。雖然未在圖中顯示，但可在導(dǎo)電部分22的底面和面對(duì)側(cè)面，或在導(dǎo)電部分22的頂面、面對(duì)側(cè)面和底面上形成有機(jī)導(dǎo)電材料層23。此外，可在每個(gè)表面上完全或部分形成有機(jī)導(dǎo)電材料層23?？蛇x擇的，可在每個(gè)表面上形成像島一樣的有機(jī)導(dǎo)電材料層23。(實(shí)施例3)實(shí)施例3涉及根據(jù)本發(fā)明第一和第四實(shí)施方式的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。實(shí)施例3中的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其示意局部剖視圖如圖4A所示，包括柵電極12、柵極絕緣層13、源/漏電極21和構(gòu)成溝道區(qū)15的有機(jī)半導(dǎo)體層14。每個(gè)源/漏電極21包括由金屬形成的導(dǎo)電部分22和至少部分覆蓋導(dǎo)電部分22且用摻雜劑摻雜的有機(jī)導(dǎo)電材料層23。溝道區(qū)15包含位于源/漏電極21之間的有機(jī)半導(dǎo)體層14。溝道區(qū)15和每一導(dǎo)電部分22通過(guò)有機(jī)導(dǎo)電材料層23電連接?？蛇x擇的，實(shí)施例3中的場(chǎng)效應(yīng)晶體管為底部柵極/底部接觸型TFT，且包括(A)置于基底11上的柵電極12，(B)置于柵電極12和基底11上的柵極絕緣層13，(C)置于柵極絕緣層13上的源/漏電極21，和(D)置于位于源/漏電極21之間的柵極絕緣層13上和在源/漏電極21上的有機(jī)半導(dǎo)體層14。每一源/漏電極21包括(a)由金屬形成的導(dǎo)電部分22和(b)用摻雜劑摻雜的有機(jī)導(dǎo)電材料層23，該有機(jī)導(dǎo)電材料層23至少部分覆蓋導(dǎo)電部分22的底面、與構(gòu)成另一源/漏電極21的導(dǎo)電部分22的側(cè)面面對(duì)的導(dǎo)電部分22的側(cè)面、和導(dǎo)電部分22的頂面中的至少一個(gè)。具體的說(shuō)，在實(shí)施例3中，在不同于底面的表面上形成有機(jī)導(dǎo)電材料層23。即，在導(dǎo)電部分22的面對(duì)側(cè)面和頂面上形成有機(jī)導(dǎo)電材料層23。在實(shí)施例3中，基底11、柵電極12、柵極絕緣層13、有機(jī)半導(dǎo)體層14、構(gòu)成導(dǎo)電部分22的金屬、和構(gòu)成有機(jī)導(dǎo)電材料層23的材料含有與實(shí)施例1中所述相同的材料。用于制造實(shí)施例3中的底部柵極/底部接觸型TFT的方法概要如下所述。首先，使用銅糊料通過(guò)絲網(wǎng)印刷，在含有在其表面提供有SiO2層(未顯示)的玻璃襯底的基底11上形成柵電極12。隨后，通過(guò)在柵電極12和基底11上進(jìn)行濺射，形成含有SiO2的柵極絕緣層13。隨后，如實(shí)施例1中的[步驟100]一樣，使用銅糊料通過(guò)絲網(wǎng)印刷在柵極絕緣層13上形成構(gòu)成源/漏電極21的導(dǎo)電部分22。然后，如實(shí)施例1中的[步驟110]一樣，通過(guò)絲網(wǎng)印刷將通過(guò)用摻雜劑摻雜有機(jī)材料得到的材料進(jìn)行涂布，以覆蓋導(dǎo)電部分22，并由此形成有機(jī)導(dǎo)電材料層23。形成每一有機(jī)導(dǎo)電材料層23以完全覆蓋相應(yīng)的導(dǎo)電部分22。然后，如實(shí)施例1中的[步驟120]一樣，在整個(gè)表面上(具體的說(shuō)，在源/漏電極21上和在柵極絕緣層13上)形成有機(jī)半導(dǎo)體層14。最后，進(jìn)行與實(shí)施例1中[步驟150]相同的步驟。由此，完成實(shí)施例3中的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。圖4B、5A、和5B的每個(gè)為實(shí)施例3中的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(底部柵極/底部接觸型TFT)的變化實(shí)例的示意局部剖視圖。在圖4B所示的變化實(shí)例中，在與構(gòu)成另一源/漏電極21的導(dǎo)電部分22的側(cè)面面對(duì)的導(dǎo)電部分22的側(cè)面(面對(duì)側(cè)面)上形成有機(jī)導(dǎo)電材料層23。在圖5A所示的變化實(shí)例中，在導(dǎo)電部分22的頂面上形成有機(jī)導(dǎo)電材料層23。此外，在圖5B所示的變化實(shí)例中，在導(dǎo)電部分22的底面形成有機(jī)導(dǎo)電材料層23。雖然未在圖中顯示，但可在導(dǎo)電部分22的底面和面對(duì)側(cè)面、在導(dǎo)電部分22的底面和頂面、或在導(dǎo)電部分22的頂面、面對(duì)側(cè)面和底面上形成有機(jī)導(dǎo)電材料層23。此外，可在每個(gè)表面上完全或部分形成有機(jī)導(dǎo)電材料層23?？蛇x擇的，可在每個(gè)表面上形成像島一樣的有機(jī)導(dǎo)電材料層23。(實(shí)施例4)實(shí)施例4涉及根據(jù)本發(fā)明第一和第五實(shí)施方式的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。實(shí)施例4中的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其示意局部剖視圖如圖6A所示，包括柵電極12、柵極絕緣層13、源/漏電極21和構(gòu)成溝道區(qū)15的有機(jī)半導(dǎo)體層14。每個(gè)源/漏電極21包括由金屬形成的導(dǎo)電部分22和至少部分覆蓋導(dǎo)電部分22且用摻雜劑摻雜的有機(jī)導(dǎo)電材料層23。溝道區(qū)15包含位于源/漏電極21之間的有機(jī)半導(dǎo)體層14。溝道區(qū)15和每一導(dǎo)電部分22通過(guò)有機(jī)導(dǎo)電材料層23電連接。可選擇的，實(shí)施例4中的場(chǎng)效應(yīng)晶體管為底部柵極/頂部接觸型TFT，且包括(A)置于基底11上的柵電極12，(B)置于柵電極12和基底11上的柵極絕緣層13，(C)置于柵極絕緣層13上的有機(jī)半導(dǎo)體層14，和(D)置于有機(jī)半導(dǎo)體層14上的源/漏電極21。每一源/漏電極21包括(a)由金屬形成的導(dǎo)電部分22和(b)用摻雜劑摻雜的有機(jī)導(dǎo)電材料層23，該有機(jī)導(dǎo)電材料層23至少部分覆蓋導(dǎo)電部分22的底面和與構(gòu)成另一源/漏電極21的導(dǎo)電部分22的側(cè)面面對(duì)的導(dǎo)電部分22的側(cè)面中的至少一個(gè)。具體的說(shuō)，在實(shí)施例4中，在不同于底面的表面上形成有機(jī)導(dǎo)電材料層23。即，在導(dǎo)電部分22的面對(duì)側(cè)面和頂面上形成有機(jī)導(dǎo)電材料層23。在實(shí)施例4中，基底11、柵電極12、柵極絕緣層13、有機(jī)半導(dǎo)體層14、構(gòu)成導(dǎo)電部分22的金屬、和構(gòu)成有機(jī)導(dǎo)電材料層23的材料含有與實(shí)施例1中所述相同的材料。用于制造實(shí)施例4中的底部柵極/頂部接觸型TFT的方法概要如下所述。首先，使用銅糊料通過(guò)絲網(wǎng)印刷，在含有在其表面提供有SiO2層(未顯示)的玻璃襯底的基底11上形成柵電極12。隨后，通過(guò)在柵電極12和基底11上進(jìn)行濺射，形成含有SiO2的柵極絕緣層13。隨后，如實(shí)施例1中的[步驟120]一樣，在整個(gè)表面上(具體的說(shuō)，在柵極絕緣層13上)形成有機(jī)半導(dǎo)體層14。然后，如實(shí)施例1中的[步驟100]一樣，使用銅糊料通過(guò)絲網(wǎng)印刷在有機(jī)半導(dǎo)體層14上形成構(gòu)成源/漏電極21的導(dǎo)電部分22。然后，如實(shí)施例1中的[步驟110]一樣，通過(guò)絲網(wǎng)印刷將通過(guò)用摻雜劑摻雜有機(jī)材料得到的材料進(jìn)行涂布，以覆蓋導(dǎo)電部分22，并由此形成有機(jī)導(dǎo)電材料層23。形成每一有機(jī)導(dǎo)電材料層23以完全覆蓋相應(yīng)的導(dǎo)電部分22。最后，進(jìn)行與實(shí)施例1中[步驟150]相同的步驟。由此，完成實(shí)施例4中的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。圖6B和6C的每一個(gè)為實(shí)施例4中的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(底部柵極/頂部接觸型TFT)的變化實(shí)例的示意局部剖視圖。在圖6B所示的變化實(shí)例中，在與構(gòu)成另一源/漏電極21的導(dǎo)電部分22的側(cè)面面對(duì)的導(dǎo)電部分22的側(cè)面(面對(duì)側(cè)面)上形成有機(jī)導(dǎo)電材料層23。在圖6(C)所示的變化實(shí)例中，在導(dǎo)電部分22的底面上形成有機(jī)導(dǎo)電材料層23。雖然未在圖中顯示，但可在導(dǎo)電部分22的底面和面對(duì)側(cè)面、或在導(dǎo)電部分22的頂面、面對(duì)側(cè)面和底面上形成有機(jī)導(dǎo)電材料層23。此外，可在每個(gè)表面上完全或部分形成有機(jī)導(dǎo)電材料層23?？蛇x擇的，可在每個(gè)表面上形成像島一樣的有機(jī)導(dǎo)電材料層23。本發(fā)明不限于如上所述的優(yōu)選實(shí)施例。用于實(shí)施例中的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的構(gòu)造、結(jié)構(gòu)、制造條件、和材料可適當(dāng)?shù)淖兓?。?dāng)根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的場(chǎng)效應(yīng)晶體管應(yīng)用于或用于顯示器件或各種電子設(shè)備時(shí)，可制造其中許多TFT整合在基底或支承構(gòu)件上的單片集成電路，或可通過(guò)切割分隔單獨(dú)的TFT以制造分立元件。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，在附加權(quán)利要求或其等價(jià)物的范圍內(nèi)，取決于設(shè)計(jì)要求和其他因素，可進(jìn)行各種修改、組合、再組合、和變化。權(quán)利要求1.一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管，包括柵電極；柵極絕緣層；源/漏電極；及構(gòu)成溝道區(qū)的有機(jī)半導(dǎo)體層，其中每一源/漏電極包括(a)由金屬形成的導(dǎo)電部分，和(b)至少部分覆蓋導(dǎo)電部分且用摻雜劑摻雜的有機(jī)導(dǎo)電材料層，其中溝道區(qū)包括位于源/漏電極之間的有機(jī)半導(dǎo)體層，和其中溝道區(qū)和每一導(dǎo)電部分通過(guò)有機(jī)導(dǎo)電材料層電連接。2.一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管，包括(A)置于基底上的源/漏電極；(B)置于位于源/漏電極之間的基底上和在源/漏電極上的有機(jī)半導(dǎo)體層；(C)置于有機(jī)半導(dǎo)體層上的柵極絕緣層；和(D)置于柵極絕緣層上的柵電極，其中每一源/漏電極包括(a)由金屬形成的導(dǎo)電部分，和(b)用摻雜劑摻雜的有機(jī)導(dǎo)電材料層，和其中有機(jī)導(dǎo)電材料層至少部分覆蓋導(dǎo)電部分的底面、與構(gòu)成另一源/漏電極的導(dǎo)電部分的側(cè)面面對(duì)的導(dǎo)電部分的側(cè)面、和導(dǎo)電部分的頂面中的至少任意一個(gè)。3.一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管，包括(A)置于基底上的有機(jī)半導(dǎo)體層；(B)置于有機(jī)半導(dǎo)體層上的源/漏電極；(C)置于位于源/漏電極之間的有機(jī)半導(dǎo)體層上和在源/漏電極上的柵極絕緣層；和(D)置于柵極絕緣層上的柵電極，其中每一源/漏電極包括(a)由金屬形成的導(dǎo)電部分，及(b)用摻雜劑摻雜的有機(jī)導(dǎo)電材料層，和其中有機(jī)導(dǎo)電材料層至少部分覆蓋導(dǎo)電部分的底面和與構(gòu)成另一源/漏電極的導(dǎo)電部分的側(cè)面面對(duì)的導(dǎo)電部分的側(cè)面中的至少一個(gè)。4.一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管，包括(A)置于基底上的柵電極；(B)置于柵電極和基底上的柵極絕緣層；(C)置于柵極絕緣層上的源/漏電極；及(D)置于位于源/漏電極之間的柵極絕緣層上和在源/漏電極上的有機(jī)半導(dǎo)體層，其中每一源/漏電極包括(a)由金屬形成的導(dǎo)電部分，及(b)用摻雜劑摻雜的有機(jī)導(dǎo)電材料層，和其中有機(jī)導(dǎo)電材料層至少部分覆蓋導(dǎo)電部分的底面、與構(gòu)成另一源/漏電極的導(dǎo)電部分的側(cè)面面對(duì)的導(dǎo)電部分的側(cè)面、和導(dǎo)電部分的頂面中的至少任意一個(gè)。5.一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管，包括(A)置于基底上的柵電極；(B)置于柵電極和基底上的柵極絕緣層；(C)置于柵極絕緣層上的有機(jī)半導(dǎo)體層；及(D)置于有機(jī)半導(dǎo)體層上的源/漏電極，其中每一源/漏電極包括(a)由金屬形成的導(dǎo)電部分，及(b)用摻雜劑摻雜的有機(jī)導(dǎo)電材料層，和其中有機(jī)導(dǎo)電材料層至少部分覆蓋導(dǎo)電部分的底面和與構(gòu)成另一源/漏電極的導(dǎo)電部分的側(cè)面面對(duì)的導(dǎo)電部分的側(cè)面中的至少一個(gè)。6.權(quán)利要求2-5中任一項(xiàng)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其中溝道區(qū)包括位于源/漏電極之間的有機(jī)半導(dǎo)體層，且溝道區(qū)和每一導(dǎo)電部分通過(guò)有機(jī)導(dǎo)電材料層電連接。7.權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其中構(gòu)成有機(jī)導(dǎo)電材料層的材料通過(guò)用選自以下的至少一種摻雜劑摻雜選自以下的至少一種有機(jī)材料制備，其中該有機(jī)材料選自聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺、聚乙炔、聚苯、聚呋喃、聚硒吩、聚異硫茚、聚苯硫醚、聚亞苯基乙烯、聚亞噻吩基乙烯、聚萘、聚蒽、聚芘、聚甘菊環(huán)、酞菁、并五苯、部花青、和聚亞乙二氧基噻吩中的至少一種，該摻雜劑選自碘、高氯酸、鹽酸、硫酸、硝酸、磷酸、四氟硼酸、五氟化砷、六氟磷酸、烷基磺酸、全氟烷基磺酸、聚丙烯酸、聚苯乙烯磺酸、和十二烷基苯磺酸中的至少一種。8.權(quán)利要求7的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其中構(gòu)成有機(jī)導(dǎo)電材料層的材料包含碳納米管和/或富勒烯。9.權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其中有機(jī)半導(dǎo)體層的導(dǎo)電類(lèi)型與有機(jī)導(dǎo)電材料層的導(dǎo)電類(lèi)型相同。10.權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其中構(gòu)成導(dǎo)電部分的材料為銅、銀、鋁、細(xì)金粒、細(xì)鉑粒、或細(xì)鈀粒。全文摘要一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管包括柵電極、柵極絕緣層、源/漏電極、和構(gòu)成溝道區(qū)的有機(jī)半導(dǎo)體層。每一源/漏電極包括由金屬形成的導(dǎo)電部分和至少部分覆蓋導(dǎo)電部分且用摻雜劑摻雜的有機(jī)導(dǎo)電材料層。溝道區(qū)包含位于源/漏電極之間的有機(jī)半導(dǎo)體層。溝道區(qū)和每一導(dǎo)電部分通過(guò)有機(jī)導(dǎo)電材料層電連接。文檔編號(hào)H01L51/05GK1905230SQ20051008840公開(kāi)日2007年1月31日申請(qǐng)日期2005年7月26日優(yōu)先權(quán)日2004年8月4日發(fā)明者野本和正申請(qǐng)人:索尼株式會(huì)社