專利名稱：用于依序側(cè)向結(jié)晶技術(shù)的掩膜及激光結(jié)晶方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種多晶硅薄膜制備工藝中所使用的掩膜，特別是涉及一種以依序側(cè)向結(jié)晶技術(shù)產(chǎn)生一結(jié)晶邊界分散的多晶硅薄膜的掩膜及利用此掩膜的激光結(jié)晶方法。
背景技術(shù)：
薄膜晶體管(Thin film transistor；TFT)已廣泛應(yīng)用在主動(dòng)式液晶顯示器的驅(qū)動(dòng)上，其中根據(jù)薄膜晶體管使用的硅薄膜材料通常有非晶硅(amorphous-silicon)與多晶硅(poly-silicon)兩種類型。
在液晶顯示器的制造中，多晶硅材料具有許多優(yōu)于非晶硅材料的特性。多晶硅具有較大的晶粒(grain)，使得電子在多晶硅中容易自由移動(dòng)，所以多晶硅的電子遷移率(mobility)高于非晶硅。以多晶硅制作的薄膜晶體管，其反應(yīng)時(shí)間比非晶硅薄膜晶體管快。在相同分辨率的液晶顯示器中，使用多晶硅薄膜晶體管(poly-Si TFT)所占用的基板面積可以比使用非晶硅薄膜晶體管所占用的基板面積小，而提高液晶面板的開(kāi)口率。在相同的亮度下，使用多晶硅薄膜晶體管的液晶顯示器(poly-Si TFT LCD)可以采用低瓦數(shù)的背光源，達(dá)到低耗電量的要求。
目前在基板上制作多晶硅薄膜大多利用低溫多晶硅制備工藝(Low TemperaturePoly-Silicon，LTPS)。低溫多晶硅制備工藝是以準(zhǔn)分子激光(Excimer Laser)作為熱源。當(dāng)激光照射(irradiate)于具有非晶硅薄膜的基板上，非晶硅薄膜吸收準(zhǔn)分子激光的能量而轉(zhuǎn)變成為多晶硅薄膜。
依序側(cè)向結(jié)晶(Sequential Lateral Solidification，SLS)技術(shù)為一種利用準(zhǔn)分子激光退火所開(kāi)發(fā)出的多晶硅形成技術(shù)。利用激光透過(guò)掩膜產(chǎn)生特定形狀的激光，第一道激光先結(jié)晶出側(cè)向成長(zhǎng)的晶粒后第二道激光照射區(qū)域與第一道結(jié)晶區(qū)域重疊一部份，通過(guò)照射非晶硅區(qū)域，第二道激光所照射區(qū)域的硅薄膜開(kāi)始熔融后會(huì)以第一道結(jié)晶多晶硅薄膜為晶種成長(zhǎng)出長(zhǎng)柱狀的結(jié)晶顆粒。
請(qǐng)參考圖1A，其為一使用依序側(cè)向結(jié)晶方法制造多晶硅薄膜的側(cè)面剖視簡(jiǎn)圖。如圖1A所示，一非晶硅薄膜11通過(guò)化學(xué)氣相沉積(CVD)或?yàn)R射鍍膜法(sputtering)形成于一基板10上。一掩膜2形成于非晶硅薄膜11的上方。掩膜2包含多個(gè)長(zhǎng)條形透光區(qū)21及多個(gè)長(zhǎng)條形遮光區(qū)22(如圖1B所示)。一激光光源會(huì)根據(jù)平行于透光區(qū)21及遮光區(qū)22長(zhǎng)條形圖案短軸的方向平行步進(jìn)對(duì)非晶硅薄膜11進(jìn)行掃瞄，以在非晶硅薄膜11上步進(jìn)照射不同的區(qū)域以逐步得到側(cè)向生長(zhǎng)的多晶硅圖案。
請(qǐng)參考圖1C，其為通過(guò)掩膜2所得到的多晶硅圖案結(jié)構(gòu)示意圖。由掩膜2所得到的多晶硅晶粒邊界(grain boundary)111會(huì)垂直于晶粒成長(zhǎng)的方向。TFT的電性在電流溝道平行于晶粒邊界時(shí)較佳，若電流溝道垂直于晶粒邊界時(shí)由于得越過(guò)晶粒邊界，因此電性較差。制造LTPS TFT時(shí)，布線(Layout)的設(shè)計(jì)通常不會(huì)只有一個(gè)方向，但是在SLS工藝中，則會(huì)因?yàn)樯鲜隼碛啥庥龅揭蚓哂胁煌娏鳒系婪较虻腡FT，電性有不同均勻性(Uniformity)的問(wèn)題。
因此，如何解決SLS工藝過(guò)程中所遭遇到結(jié)晶方向所影響的TFT電性不均勻的問(wèn)題，為相關(guān)業(yè)者努力的方向之一。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種多晶硅薄膜的掩膜，以應(yīng)用于依序側(cè)向結(jié)晶技術(shù)，而產(chǎn)生一結(jié)晶邊界分散的多晶硅薄膜。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種應(yīng)用于依序側(cè)向結(jié)晶技術(shù)的掩膜，可制作出至少兩種晶粒方向的多晶硅圖案。
本發(fā)明提供一種應(yīng)用于依序側(cè)向結(jié)晶技術(shù)的掩膜，包括多個(gè)平行配置的重復(fù)圖案(pattern)，具有一長(zhǎng)軸對(duì)稱線與一短軸。所述重復(fù)圖案由一第一單元以及與第一單元鏡面對(duì)稱于所述圖案的長(zhǎng)軸對(duì)稱線的第二單元所構(gòu)成，其中第一、第二單元分別具有多個(gè)透光區(qū)以及遮光區(qū)。上述這些平行配置的重復(fù)圖案(pattern)彼此間隔一特定距離。
本發(fā)明提供一種激光結(jié)晶的方法，其步驟包括首先提供一基板，該基板上包括有一非結(jié)晶硅薄膜；接著提供一掩膜，該掩膜包括多個(gè)平行配置的重復(fù)圖案(pattern)，具有一長(zhǎng)軸對(duì)稱線與一短軸，每一重復(fù)圖案由一第一單元以及與第一單元鏡面對(duì)稱于圖案的長(zhǎng)軸對(duì)稱線的第二單元所構(gòu)成，其中第一、第二單元分別具有多個(gè)透光區(qū)以及遮光區(qū)。
接著利用掩膜，使激光經(jīng)由所述平行配置的圖案，對(duì)非結(jié)晶硅薄膜進(jìn)行第一次激光退火處理。
完成上述步驟后，使所述掩膜與所述基板沿平行短軸方向相對(duì)移動(dòng)，并利用所述掩膜，再次使激光經(jīng)由所述平行配置的圖案進(jìn)行第二次激光退火處理。
本發(fā)明另提供一種激光結(jié)晶的方法，其步驟包括(a)提供一基板，包括有多個(gè)非結(jié)晶硅區(qū)域；(b)提供一掩膜，包括多個(gè)平行配置的重復(fù)圖案，具有一長(zhǎng)軸對(duì)稱線與一短軸，所述圖案由一第一單元以及與所述第一單元鏡面對(duì)稱于所述圖案的長(zhǎng)軸對(duì)稱線的第二單元所構(gòu)成，其中所述第一、第二單元分別具有多個(gè)透光區(qū)以及遮光區(qū)；(c)利用所述掩膜，使所述激光經(jīng)由所述平行配置的圖案，對(duì)其中之一非結(jié)晶硅區(qū)域進(jìn)行第一次激光退火處理；(d)使所述掩膜與所述基板沿平行短軸方向相對(duì)移動(dòng)，并利用所述掩膜，再次使所述激光經(jīng)由所述平行配置的圖案，進(jìn)行第二次激光退火處理；以及(e)重復(fù)步驟(c)～(d)，對(duì)其它非結(jié)晶硅區(qū)域進(jìn)行激光退火處理。
應(yīng)用本發(fā)明所揭露的掩膜于SLS技術(shù)中，由于掩膜上的圖案圖形對(duì)稱的概念，可制作至少兩種晶粒方向的多晶硅圖案。另外，利用控制掩膜上的多個(gè)遮光區(qū)及透光區(qū)圖案面積大小，可以得到完美的晶粒邊界。
所述多個(gè)遮光區(qū)的面積小于或等于所述多個(gè)透光區(qū)的面積。


圖1A為一使用依序側(cè)向結(jié)晶方法制造多晶硅薄膜的側(cè)面剖視簡(jiǎn)圖；圖1B為圖1A中所使用的掩膜正面示意圖；圖1C為通過(guò)圖1B中的掩膜所得到的多晶硅圖案結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的掩膜俯視示意圖；圖3為應(yīng)用本發(fā)明所揭露的掩膜于SLS技術(shù)中以形成多晶硅層的流程示意圖；圖4A顯示上述圖3的步驟S304經(jīng)過(guò)掩膜3進(jìn)行完二次激光結(jié)晶工藝后，非晶硅薄膜上所呈現(xiàn)的多晶硅圖案；圖4B為利用掩膜3所形成的多晶硅圖案而配置的薄膜晶體管溝道(TFTchannel)示意圖；圖5A為本發(fā)明所揭露的另一較佳實(shí)施例掩膜4的部分俯視示意圖；圖5B顯示上述圖3的步驟S304經(jīng)過(guò)掩膜4進(jìn)行完二次激光結(jié)晶工藝后，非晶硅薄膜上所呈現(xiàn)的多晶硅圖案；圖6A為本發(fā)明所揭露的另一較佳實(shí)施例掩膜4的部分俯視示意圖；圖6B顯示上述圖3的步驟S304經(jīng)過(guò)掩膜4進(jìn)行完二次激光結(jié)晶工藝后，非晶硅薄膜上所呈現(xiàn)的多晶硅圖案。
主要元件符號(hào)說(shuō)明10基板11非晶硅薄膜2 掩膜21長(zhǎng)條形透光區(qū)22長(zhǎng)條形遮光區(qū)111 晶粒邊界3 掩膜31重復(fù)圖案311 長(zhǎng)軸對(duì)稱線 312 短軸313 第一單元314 第二單元313a 透光區(qū) 313b 遮光區(qū)
314a 透光區(qū)314b 遮光區(qū)4 掩膜 41重復(fù)圖案411 長(zhǎng)軸對(duì)稱線412 短軸413 第一單元 414 第二單元413a 透光區(qū)413b 遮光區(qū)414a 透光區(qū)414b 遮光區(qū)5 掩膜 51重復(fù)圖案511 長(zhǎng)軸對(duì)稱線512 短軸513 第一單元 514 第二單元513a 透光區(qū)513b 遮光區(qū)514a 透光區(qū)514b 遮光區(qū)具體實(shí)施方式
下面參照

本發(fā)明的較佳實(shí)施例。
本發(fā)明揭露一種應(yīng)用于依序側(cè)向結(jié)晶技術(shù)(SLS)的掩膜，用以產(chǎn)生一結(jié)晶邊界分散的多晶硅薄膜。關(guān)于本發(fā)明所述的掩膜，現(xiàn)配合圖式及以下數(shù)個(gè)具體實(shí)施例進(jìn)行詳述。
請(qǐng)參考圖2，其為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的掩膜俯視示意圖。圖2中的掩膜3包括多個(gè)平行配置的重復(fù)圖案(pattern)31，所述平行配置的重復(fù)圖案31彼此間隔一特定距離。每一重復(fù)圖案31具有一長(zhǎng)軸對(duì)稱線311與一短軸312。上述每一重復(fù)圖案31由至少一第一單元313以及與第一單元鏡面對(duì)稱于所述圖案長(zhǎng)軸對(duì)稱線311的第二單元314所構(gòu)成。其中，第一、第二單元分別具有多個(gè)透光區(qū)313a、314a以及遮光區(qū)313b、314b。
本發(fā)明的掩膜是用于在如圖1A中所述及的依序側(cè)向結(jié)晶技術(shù)中，達(dá)成產(chǎn)生一結(jié)晶邊界分散的多晶硅薄膜的目的。其中請(qǐng)參考圖3，其為應(yīng)用本發(fā)明所揭露的掩膜于SLS技術(shù)中以形成一多晶硅層的流程示意圖，至少包括步驟S301首先提供一基板，該基板上包括有多個(gè)非結(jié)晶硅區(qū)域。
步驟S302提供一掩膜，該掩膜包括多個(gè)平行配置的重復(fù)圖案(pattern)，具有一長(zhǎng)軸對(duì)稱線與一短軸，所述重復(fù)圖案由一第一單元以及與第一單元鏡面對(duì)稱于所述圖案的長(zhǎng)軸對(duì)稱線的第二單元所構(gòu)成，其中第一、第二單元分別具有多個(gè)透光區(qū)以及遮光區(qū)。
步驟S303利用所述掩膜，使一激光束經(jīng)過(guò)所述平行配置的圖案，對(duì)基板上其中之一非結(jié)晶硅區(qū)域進(jìn)行第一次激光退火處理；步驟S304使掩膜與基板沿平行于所述短軸方向相對(duì)移動(dòng)，移動(dòng)總距離不大于短軸距離的1/2，并再次使激光利用所述掩膜經(jīng)由這些平行配置的圖案，進(jìn)行第二次激光退火處理，其中改變掩膜以及基板相對(duì)位置的方法包含移動(dòng)掩膜或移動(dòng)基板，視操作機(jī)臺(tái)的情況而變通；步驟S305對(duì)基板上其它非結(jié)晶硅區(qū)域重復(fù)上述步驟S303～S304進(jìn)行激光退火處理。
由所述掩膜3及圖3中的制備工藝所制造出來(lái)的多晶硅薄膜，如圖4A所示。圖4A為顯示上述步驟304進(jìn)行完二次激光結(jié)晶工藝后，非晶硅薄膜上所呈現(xiàn)的多晶硅圖案。由于掩膜3上的第一單元與第二單元恰為一鏡面對(duì)稱圖形，因此兩次激光退火操作后會(huì)出現(xiàn)如圖4A所示的不規(guī)則晶粒的多晶硅圖案。通過(guò)本發(fā)明所揭露的掩膜，可以成長(zhǎng)出不規(guī)則方向的結(jié)晶薄膜，配合雙柵極薄膜晶體管得到均勻且良好的電性。請(qǐng)參考圖4B，其為利用掩膜3所形成的多晶硅圖案而配置的薄膜晶體管溝道(TFT channel)示意圖。
本發(fā)明所揭露的掩膜，應(yīng)用于依序側(cè)向結(jié)晶技術(shù)以得到一結(jié)晶邊界分散的多晶硅薄膜，并不限制掩膜上所使用的圖案形狀。只要圖案設(shè)計(jì)可同時(shí)能夠制作出至少兩種方向，形狀設(shè)計(jì)符合本發(fā)明的鏡面對(duì)稱的原則，皆可以套用于本發(fā)明的掩膜圖案中。
請(qǐng)參考圖5A，其為本發(fā)明所揭露的另一較佳實(shí)施例掩膜4的部分俯視示意圖。如同上述掩膜3，掩膜4包括多個(gè)平行配置的重復(fù)圖案(pattern)41，這些平行配置的重復(fù)圖案41彼此間隔一特定距離。掩膜4的每一重復(fù)圖案41同樣包含至少一第一單元413以及與第一單元鏡面對(duì)稱于所述圖案的第二單元414所構(gòu)成。其中，第一、第二單元分別具有多個(gè)透光區(qū)413a、414a以及遮光區(qū)413b、414b。與掩膜3不同的是，重復(fù)圖案41具有二個(gè)長(zhǎng)軸對(duì)稱線411與一短軸412。因此，第一單元413以及第二單元414的鏡面對(duì)稱是指其內(nèi)部?jī)蓚€(gè)次單元相對(duì)于兩長(zhǎng)軸對(duì)稱線的個(gè)別對(duì)稱。將上述掩膜4沿著短軸412單方向經(jīng)過(guò)圖3的側(cè)向結(jié)晶工藝后，會(huì)得到如圖五B所示的多晶硅圖案。
上述二個(gè)實(shí)施例的遮光區(qū)及透光區(qū)都是以矩形例示掩膜圖案，只是為了說(shuō)明同樣是矩形圖案，只要是符合鏡面對(duì)稱的條件，不論在重復(fù)圖案內(nèi)部的排列方式為何，皆在本發(fā)明的范疇內(nèi)。下面另舉一較佳實(shí)施例，說(shuō)明本發(fā)明在掩膜圖案上的可變化性。
請(qǐng)參考圖6A，其為本發(fā)明所揭露的另一較佳實(shí)施例掩膜5的部分俯視示意圖。等同于上述其它實(shí)施例的設(shè)計(jì)概念，掩膜5的每一重復(fù)圖案51同樣包含至少一第一單元513以及與第一單元鏡面對(duì)稱于所述圖案的第二單元514所構(gòu)成。重復(fù)圖案51具有二個(gè)長(zhǎng)軸對(duì)稱線511與一短軸512。如同上述的掩膜4，第一單元513以及第二單元514的鏡面對(duì)稱是指其內(nèi)部?jī)蓚€(gè)次單元相對(duì)于兩長(zhǎng)軸對(duì)稱線511的個(gè)別對(duì)稱。本實(shí)施例中的多個(gè)遮光區(qū)513a及多個(gè)透光區(qū)514b的形狀為三角形，通過(guò)規(guī)則且鏡面對(duì)稱的排列，掩膜5經(jīng)過(guò)圖3的側(cè)向結(jié)晶工藝后，會(huì)得到如圖5B所示的多晶硅圖案。
本發(fā)明所設(shè)計(jì)的掩膜圖案是通過(guò)類似圖形對(duì)稱的概念，設(shè)計(jì)出不同的遮光區(qū)域及透光區(qū)域。值得一提的是，為了使多晶硅圖案晶粒邊界多向化的同時(shí)，還要晶粒成長(zhǎng)勻稱完美，本發(fā)明的掩膜圖案有著大小設(shè)計(jì)上的巧思，亦即，遮光區(qū)域的面積不大于透光區(qū)域的面積，較佳實(shí)施例為遮光區(qū)域的面積小于透光區(qū)域的面積。這是為了在第一次激光結(jié)晶工藝及第二次激光結(jié)晶工藝中基板相對(duì)于掩膜位置的移動(dòng)時(shí)，造成激光照射透光區(qū)域的重復(fù)。由于遮光區(qū)的邊界為非晶硅熔融時(shí)較低溫的區(qū)域，因此會(huì)較快速結(jié)晶以致造成晶粒結(jié)晶不良的機(jī)率提高，因此激光照射透光區(qū)域的重復(fù)將局部區(qū)域再度熔融以達(dá)到晶粒邊界成長(zhǎng)更為完美的目的。
本發(fā)明所揭露的應(yīng)用SLS技術(shù)中的掩膜，與現(xiàn)有技術(shù)相互比較時(shí)，更具備下列特性及優(yōu)點(diǎn)1.利用掩膜上的圖案圖形對(duì)稱的概念，設(shè)計(jì)出可制作至少兩種晶粒方向的多晶硅圖案。
2.利用控制掩膜上的多個(gè)遮光區(qū)及透光區(qū)圖案面積大小，以得到完美的晶粒邊界。
本發(fā)明不但在技術(shù)思想上創(chuàng)新，并與現(xiàn)有方法相比具有上述有益效果。
上列詳細(xì)說(shuō)明是針對(duì)本發(fā)明較佳實(shí)施例的具體說(shuō)明，但上述實(shí)施例并非用以限制本發(fā)明的保護(hù)范圍，凡未脫離本發(fā)明技藝精神所作的等效實(shí)施或變更，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍中。
權(quán)利要求
1.一種應(yīng)用于依序側(cè)向結(jié)晶技術(shù)的掩膜，其特征在于包括多個(gè)平行配置的重復(fù)圖案，具有一長(zhǎng)軸對(duì)稱線與一短軸，所述圖案由一第一單元以及與所述第一單元鏡面對(duì)稱于所述圖案的長(zhǎng)軸對(duì)稱線的第二單元所構(gòu)成，其中所述第一、第二單元分別具有多個(gè)透光區(qū)以及遮光區(qū)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜，其特征在于所述平行配置的重復(fù)圖案彼此間隔一特定距離。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜，其特征在于所述多個(gè)遮光區(qū)的面積小于所述多個(gè)透光區(qū)的面積。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜，其特征在于所述多個(gè)遮光區(qū)的面積等于所述多個(gè)透光區(qū)的面積。
5.一種激光結(jié)晶的方法，其特征在于包括如下步驟提供一基板，包括有一非結(jié)晶硅薄膜；提供一掩膜，包括多個(gè)平行配置的重復(fù)圖案，具有一長(zhǎng)軸對(duì)稱線與一短軸，所述圖案由一第一單元以及與所述第一單元鏡面對(duì)稱于所述圖案的長(zhǎng)軸對(duì)稱線的第二單元所構(gòu)成，其中所述第一、第二單元分別具有多個(gè)透光區(qū)以及遮光區(qū)；利用所述掩膜，使所述激光經(jīng)由所述平行配置的圖案，對(duì)所述非結(jié)晶硅薄膜進(jìn)行第一次激光退火處理；以及使所述掩膜與所述基板沿平行于短軸方向相對(duì)移動(dòng)，并利用所述掩膜，再次使所述激光經(jīng)由所述平行配置的圖案，進(jìn)行第二次激光退火處理。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于所述平行配置的重復(fù)圖案彼此間隔一特定距離。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于所述多個(gè)遮光區(qū)的面積小于所述多個(gè)透光區(qū)的面積。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于所述多個(gè)遮光區(qū)的面積等于所述多個(gè)透光區(qū)的面積。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于所述掩膜與所述基板沿平行于短軸方向相對(duì)移動(dòng)的距離等于短軸距離的1/2。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于所述掩膜與所述基板沿平行所述短軸方向相對(duì)移動(dòng)的距離小于短軸距離的1/2。
11.一種激光結(jié)晶的方法，其特征在于包括如下步驟(a)提供一基板，包括有多個(gè)非結(jié)晶硅區(qū)域；(b)提供一掩膜，包括多個(gè)平行配置的重復(fù)圖案，具有一長(zhǎng)軸對(duì)稱線與一短軸，所述圖案由一第一單元以及與所述第一單元鏡面對(duì)稱于所述圖案的長(zhǎng)軸對(duì)稱線的第二單元所構(gòu)成，其中所述第一、第二單元分別具有多個(gè)透光區(qū)以及遮光區(qū)；(c)利用所述掩膜，使所述激光經(jīng)由所述平行配置的圖案，對(duì)其中之一非結(jié)晶硅區(qū)域進(jìn)行第一次激光退火處理；(d)使所述掩膜與所述基板沿平行短軸方向相對(duì)移動(dòng)，并利用所述掩膜，再次使所述激光經(jīng)由所述平行配置的圖案，進(jìn)行第二次激光退火處理；以及(e)重復(fù)步驟(c)～(d)，其它非結(jié)晶硅區(qū)域進(jìn)行激光退火處理。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于所述平行配置的重復(fù)圖案彼此間隔一特定距離。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于所述多個(gè)遮光區(qū)的面積小于所述多個(gè)透光區(qū)的面積。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于所述多個(gè)遮光區(qū)的面積等于所述多個(gè)透光區(qū)的面積。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于所述掩膜與所述基板沿平行所述短軸方向相對(duì)移動(dòng)的距離等于1/2的短軸距離。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于所述掩膜與所述基板沿平行所述短軸方向相對(duì)移動(dòng)的距離小于1/2的短軸距離。
全文摘要
本發(fā)明揭露一種應(yīng)用于依序側(cè)向結(jié)晶技術(shù)的掩膜及激光結(jié)晶的方法，所述掩膜包括多個(gè)平行配置的重復(fù)圖案，具有一長(zhǎng)軸對(duì)稱線與一短軸。上述重復(fù)圖案由一第一單元以及與第一單元鏡面對(duì)稱于所述圖案的長(zhǎng)軸對(duì)稱線的第二單元所構(gòu)成，其中第一、第二單元分別具有多個(gè)透光區(qū)以及遮光區(qū)。上述這些平行配置的重復(fù)圖案彼此間隔一特定距離。應(yīng)用本發(fā)明所揭露的掩膜于SLS技術(shù)中，由于掩膜上的圖案圖形對(duì)稱的概念，可制作至少兩種晶粒方向的多晶硅圖案。另外，利用控制掩膜上的多個(gè)遮光區(qū)及透光區(qū)圖案面積大小，可以得到完美的晶粒邊界。
文檔編號(hào)H01L21/02GK1924683SQ200510093808
公開(kāi)日2007年3月7日 申請(qǐng)日期2005年8月30日 優(yōu)先權(quán)日2005年8月30日
發(fā)明者張茂益, 張志雄 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司