專利名稱：薄膜晶體管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管，且特別涉及一種可以有效抑制糾結(jié)效應(yīng)的薄膜晶體管。
背景技術(shù)：
主動(dòng)式顯示器(active matrix display)因?yàn)榫哂畜w積小、重量輕及全彩等優(yōu)點(diǎn)，近年來已廣泛地應(yīng)用在手機(jī)、數(shù)字相機(jī)、計(jì)算機(jī)屏幕、電視等產(chǎn)品之中。其中，主動(dòng)式顯示器的成像質(zhì)量又與其核心元件—薄膜晶體管(ThinFilm Transistor，TFT)的特性息息相關(guān)。
圖1為公知之一種薄膜晶體管的俯視圖，圖2為薄膜晶體管的漏極電壓與漏極電流之關(guān)系曲線圖。請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D1及圖2，當(dāng)漏極104的漏極電壓VDS不斷地改變時(shí)，漏極電流IDS也會(huì)跟著變化。一般而言，位于飽和(Saturation)區(qū)的漏極電流IDS是薄膜晶體管100的理想操作電流。但是，當(dāng)漏極電壓VDS達(dá)到糾結(jié)電壓(Kink Voltage)VK時(shí)，薄膜晶體管100便會(huì)產(chǎn)生糾結(jié)電流(Kink Current)的現(xiàn)象。因此，為了避免薄膜晶體管100發(fā)生糾結(jié)電流的情形，如何提高薄膜晶體管100的糾結(jié)電壓便成為當(dāng)前研究的課題之一。
圖3為公知之一種對(duì)稱型雙柵極薄膜晶體管的俯視圖。請(qǐng)參照?qǐng)D3，在對(duì)稱型雙柵極薄膜晶體管200中，第一柵極222與第二柵極224的寬度相同，且在第一柵極222以及第二柵極224的兩側(cè)是具有淺摻雜區(qū)205。由于此對(duì)稱型雙柵極結(jié)構(gòu)220可以增加源極202與漏極204之間的阻值，因此能夠抑制糾結(jié)效應(yīng)。
但是，在對(duì)稱型雙柵極薄膜晶體管200中，當(dāng)施加在漏極204的電壓超過臨界電壓VT(見圖2)時(shí)，只有在靠近漏極204之通道區(qū)(未標(biāo)出)中的電流會(huì)達(dá)到飽和狀態(tài)，而在靠近源極202之通道區(qū)(未標(biāo)出)的電流無(wú)論施加在漏極204的電壓為何，其均與此電壓呈線性關(guān)系。因此，當(dāng)漏極電壓升高時(shí)，靠近源極202的通道區(qū)內(nèi)將會(huì)發(fā)生糾結(jié)效應(yīng)而產(chǎn)生漏電流。
為了改善對(duì)稱型雙柵極薄膜晶體管200的缺點(diǎn)，便有人提出非對(duì)稱型的雙柵極薄膜晶體管。圖4為公知之一種非對(duì)稱型雙柵極薄膜晶體管的俯視圖。請(qǐng)參照?qǐng)D4，在公知之非對(duì)稱型雙柵極薄膜晶體管300中，靠近源極302之第一柵極322的寬度l1大于靠近漏極304之第二柵極324的寬度l2。
承上所述，對(duì)非對(duì)稱型雙柵極薄膜晶體管300而言，第一柵極322的寬度l1越大越能提高非對(duì)稱型雙柵極薄膜晶體管300的糾結(jié)電壓，而在第一柵極322與第二柵極324的寬度總和(l1+l2)為一固定值的情形下，必須盡量縮小非對(duì)稱型雙柵極結(jié)構(gòu)320中第二柵極324的寬度，才能讓第一柵極322具有足夠大的寬度。但是，若第二柵極324的寬度l2過小，將會(huì)更容易引起短信道效應(yīng)(Short Channel Effects)以及熱載流子效應(yīng)，使非對(duì)稱型雙柵極薄膜晶體管300容易發(fā)生漏電流的現(xiàn)象，進(jìn)而影響元件的特性。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的目的就是提供一種能夠提高抑制漏電流效果的薄膜晶體管。
本發(fā)明的另一目的就是提供一種薄膜晶體管，其具有良好的載流子遷移率(Mobility)。
為達(dá)上述或其它目的，本發(fā)明提出一種薄膜晶體管，其包括基底、柵絕緣層、雙柵極結(jié)構(gòu)、第一淺摻雜區(qū)以及第二淺摻雜區(qū)。其中，基底包括源極區(qū)、漏極區(qū)、重?fù)诫s區(qū)、第一通道區(qū)以及第二通道區(qū)。源極區(qū)以及漏極區(qū)分別設(shè)置于基底的相對(duì)兩側(cè)，而重?fù)诫s區(qū)位于源極區(qū)以及漏極區(qū)之間，且第一通道區(qū)位于重?fù)诫s區(qū)以及源極區(qū)之間，而第二通道區(qū)位于重?fù)诫s區(qū)以及漏極區(qū)之間。此外，柵絕緣層覆蓋基底，且雙柵極結(jié)構(gòu)包括設(shè)置于第一通道區(qū)上方之柵絕緣層上的第一柵極，以及設(shè)置于第二通道區(qū)上方之柵絕緣層上的第二柵極。另外，第一淺摻雜區(qū)設(shè)置于第二通道區(qū)以及重?fù)诫s區(qū)之間，而第二淺摻雜區(qū)設(shè)置于第二通道區(qū)與漏極區(qū)之間，且第二淺摻雜區(qū)之長(zhǎng)度大于第一淺摻雜區(qū)之長(zhǎng)度。
在本發(fā)明一較佳實(shí)施例中，當(dāng)基底例如是p型硅基底時(shí)，重?fù)诫s區(qū)、第一與第二淺摻雜區(qū)例如是n型摻雜區(qū)；而當(dāng)基底例如是n型硅基底時(shí)，重?fù)诫s區(qū)、第一與第二淺摻雜區(qū)則例如是p型摻雜區(qū)。此外，第二柵極之寬度例如是小于第一柵極之寬度。另外，柵絕緣層的材質(zhì)例如是氧化硅。
本發(fā)明又提出一種薄膜晶體管，其包括基底、柵絕緣層以及雙柵極結(jié)構(gòu)。其中，基底包括源極區(qū)、漏極區(qū)、第一淺摻雜區(qū)、第一通道區(qū)、第二通道區(qū)以及第二淺摻雜區(qū)。源極區(qū)以及漏極區(qū)分別設(shè)置于基底之相對(duì)兩側(cè)，而第一淺摻雜區(qū)設(shè)置于基底上，且位于源極區(qū)以及漏極區(qū)之間。第一通道區(qū)位于第一淺摻雜區(qū)以及源極區(qū)之間，而第二通道區(qū)位于第一淺摻雜區(qū)以及漏極區(qū)之間，且第二淺摻雜區(qū)位于第二通道區(qū)與漏極之間。此外，柵絕緣層覆蓋基底，而雙柵極結(jié)構(gòu)包括分別設(shè)置于第一通道區(qū)以及第二通道區(qū)上方之柵絕緣層上的第一柵極以及第二柵極，且第二柵極之寬度比第一柵極之寬度小。
在本發(fā)明一較佳實(shí)施例中，上述之薄膜晶體管還包括介電層以及金屬層，其中介電層例如設(shè)置于柵絕緣層上并覆蓋住雙柵極結(jié)構(gòu)，且介電層具有開口。此外，金屬層設(shè)置于介電層上，且金屬層位于雙柵極結(jié)構(gòu)與第一淺摻雜區(qū)上方，而金屬層填入開口中以與雙柵極結(jié)構(gòu)電連接。另外，當(dāng)基底例如是P型硅基底時(shí)，第一淺摻雜區(qū)與第二淺摻雜區(qū)例如是n型摻雜區(qū)；而當(dāng)基底例如是n型硅基底時(shí)，第一淺摻雜區(qū)與第二淺摻雜區(qū)例如是P型摻雜區(qū)。
在本發(fā)明一較佳實(shí)施例中，上述之薄膜晶體管還包括第三淺摻雜區(qū)，設(shè)置于第一通道區(qū)與源極區(qū)之間，且第三淺摻雜區(qū)之長(zhǎng)度例如是小于第一淺摻雜區(qū)之長(zhǎng)度。此外，當(dāng)基底例如是P型硅基底時(shí)，第一淺摻雜區(qū)、第二淺摻雜區(qū)與第三淺摻雜區(qū)例如是n型摻雜區(qū)；而當(dāng)基底例如是n型硅基底時(shí)，第一淺摻雜區(qū)、第二淺摻雜區(qū)與第三淺摻雜區(qū)例如是P型摻雜區(qū)。
在本發(fā)明一較佳實(shí)施例中，柵絕緣層之材質(zhì)例如是氧化硅。
在本發(fā)明之薄膜晶體管中，利用增加第二淺摻雜區(qū)的長(zhǎng)度，使第二淺摻雜區(qū)的長(zhǎng)度大于第一淺摻雜區(qū)長(zhǎng)度，以形成不對(duì)稱的淺摻雜結(jié)構(gòu)。此不對(duì)稱的淺摻雜結(jié)構(gòu)能夠增加源極與漏極之間的電阻值，以改善薄膜晶體管的漏電流現(xiàn)象。
此外，在第一柵極之寬度大于第二柵極之寬度的不對(duì)稱型雙柵極結(jié)構(gòu)中，于第一柵極以及第二柵極之間直接形成淺摻雜區(qū)，而此淺摻雜區(qū)可以提高第一、第二柵極之間的電阻值，以達(dá)到改善薄膜晶體管漏電流的功效。
另外，在此薄膜晶體管中，設(shè)置于雙柵極結(jié)構(gòu)上的金屬層與雙柵極結(jié)構(gòu)電連接，并覆蓋淺摻雜區(qū)。此金屬層的形成可以避免薄膜晶體管因照光而發(fā)生的光漏電流現(xiàn)象，以及提高薄膜晶體管的載流子遷移率。
為讓本發(fā)明之上述和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉一較佳實(shí)施例，并配合附圖，作詳細(xì)說明如下。
圖1為公知之一種薄膜晶體管的俯視圖。
圖2為圖1之薄膜晶體管的漏極電壓與漏極電流之關(guān)系曲線圖。
圖3為公知之一種對(duì)稱型雙柵極薄膜晶體管的俯視圖。
圖4為公知之一種非對(duì)稱型雙柵極薄膜晶體管的俯視圖。
圖5為本發(fā)明第一實(shí)施例之薄膜晶體管的剖面圖。
圖6A為本發(fā)明第二實(shí)施例之薄膜晶體管的俯視圖。
圖6B為圖6A之I-I’截面圖。
圖6C為本發(fā)明第二實(shí)施例之具有金屬層的薄膜晶體管俯視圖。
圖6D為圖6C之II-II’截面圖。
圖6E為圖6C之III-III’截面圖。
主要元件標(biāo)記說明
100、450、550薄膜晶體管200對(duì)稱型雙柵極薄膜晶體管202、302、402、502源極104、204、304、404、504漏極205、305淺摻雜區(qū)220對(duì)稱型雙柵極結(jié)構(gòu)300非對(duì)稱型雙柵極薄膜晶體管320非對(duì)稱型雙柵極結(jié)構(gòu)400、500基底406重?fù)诫s區(qū)430、505第一淺摻雜區(qū)440、506第二淺摻雜區(qū)407、507第一通道區(qū)408、508第二通道區(qū)509第三淺摻雜區(qū)410、510柵絕緣層420、520雙柵極結(jié)構(gòu)222、322、422、522第一柵極224、324、424、524第二柵極530介電層532開口540金屬層具體實(shí)施方式
第一實(shí)施例圖5為本發(fā)明第一實(shí)施例之薄膜晶體管的剖面圖。請(qǐng)參照?qǐng)D5，薄膜晶體管450包括基底400、柵絕緣層410、雙柵極結(jié)構(gòu)420、第一淺摻雜區(qū)430以及第二淺摻雜區(qū)440。其中，基底400包括源極區(qū)402、漏極區(qū)404、重?fù)诫s區(qū)406、第一通道區(qū)407以及第二通道區(qū)408。源極區(qū)402以及漏極區(qū)404分別設(shè)置于基底400的相對(duì)兩側(cè)，而重?fù)诫s區(qū)406位于源極區(qū)402以及漏極區(qū)404之間。第一通道區(qū)407位于重?fù)诫s區(qū)406以及源極區(qū)402之間，而第二通道區(qū)408位于重?fù)诫s區(qū)406以及漏極區(qū)404之間。另外，第一淺摻雜區(qū)430設(shè)置于第二通道區(qū)408以及重?fù)诫s區(qū)406之間，而第二淺摻雜區(qū)440設(shè)置于第二通道區(qū)408與漏極區(qū)404之間。值得注意的是，第二淺摻雜區(qū)440之長(zhǎng)度L3大于第一淺摻雜區(qū)430之長(zhǎng)度L4。
承上所述，柵絕緣層410覆蓋基底400，且柵絕緣層410的材質(zhì)例如是氧化硅。雙柵極結(jié)構(gòu)420包括設(shè)置于第一通道區(qū)407上方之柵絕緣層410上的第一柵極422，以及設(shè)置于第二通道區(qū)408上方之柵絕緣層410上的第二柵極424。值得注意的是，第一柵極422與第二柵極424的寬度總和為一定值，且本實(shí)施例之第二柵極424之寬度L2例如小于第一柵極L1之寬度。換言之，通道區(qū)407的長(zhǎng)度大于通道區(qū)408的長(zhǎng)度。
此外，本實(shí)施例之基底400例如是p型硅基底，而重?fù)诫s區(qū)406、第一淺摻雜區(qū)430與第二淺摻雜區(qū)440例如都是n型摻雜區(qū)。在另一較佳實(shí)施例中，基底400例如是n型硅基底，而重?fù)诫s區(qū)406、第一淺摻雜區(qū)430與第二淺摻雜區(qū)440則例如都是p型摻雜區(qū)。
由于在薄膜晶體管450中，位于漏極404以及重?fù)诫s區(qū)406之間的第二淺摻雜區(qū)440的長(zhǎng)度較公知之淺摻雜區(qū)的長(zhǎng)度增加，因此可以避免在長(zhǎng)度較短的通道區(qū)408內(nèi)發(fā)生短信道效應(yīng)，并且改善薄膜晶體管450的元件特性。
第二實(shí)施例圖6A為本發(fā)明第二實(shí)施例之薄膜晶體管的俯視圖，圖6B為圖6A之I-I’截面圖。請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D6A及圖6B，薄膜晶體管550包括基底500、柵絕緣層510以及雙柵極結(jié)構(gòu)520。其中，基底500包括源極區(qū)502、漏極區(qū)504、第一淺摻雜區(qū)505、第一通道區(qū)507、第二通道區(qū)508以及第二淺摻雜區(qū)506。源極區(qū)502以及漏極區(qū)504分別設(shè)置于基底500之相對(duì)兩側(cè)，而第一淺摻雜區(qū)505設(shè)置于基底500上，且第一淺摻雜區(qū)505位于源極區(qū)502以及漏極區(qū)504之間。第一通道區(qū)507位于第一淺摻雜區(qū)505以及源極區(qū)502之間，而第二通道區(qū)508位于第一淺摻雜區(qū)505以及漏極區(qū)504之間，且第二淺摻雜區(qū)506位于第二通道區(qū)508與漏極504之間。
承上所述，柵絕緣層510覆蓋基底500，且柵絕緣層510之材質(zhì)例如是氧化硅，而雙柵極結(jié)構(gòu)520設(shè)置于柵絕緣層510上。值得注意的是，雙柵極結(jié)構(gòu)520包括第一柵極522以及第二柵極524，且第一柵極522設(shè)置于第一通道區(qū)507上方的柵絕緣層510上，而第二柵極524是設(shè)置于第二通道區(qū)508上方的柵絕緣層510上。其中，第一柵極522與第二柵極524寬度總和為一定值，且第二柵極524之寬度L5小于第一柵極522之寬度L6。換言之，通道區(qū)507的長(zhǎng)度大于通道區(qū)508的長(zhǎng)度。
特別的是，在這不對(duì)稱型的雙柵極結(jié)構(gòu)520中，于第一柵極522與第二柵極524之間所形成的第一淺摻雜區(qū)505能夠提高第一柵極522與第二柵極524之間的電阻值，因此可以提高糾結(jié)電壓，以延緩糾結(jié)效應(yīng)的發(fā)生，使得抑制薄膜晶體管550之漏電流的效果更佳。此外，在薄膜晶體管550的制造工藝中，由于不需要為了在第一柵極522與第二柵極524之間形成重?fù)诫s區(qū)而考慮對(duì)準(zhǔn)精度的問題，所以可以盡量縮短第一柵極522與第二柵極524之間的距離，進(jìn)而縮小元件的體積。
仍請(qǐng)參照?qǐng)D6B，為了加強(qiáng)抑制薄膜晶體管550漏電流的效果，還可以在第一通道區(qū)507與源極區(qū)502之間設(shè)置第三淺摻雜區(qū)509。此外，本實(shí)施例之基底500例如是P型硅基底，而第一淺摻雜區(qū)505、第二淺摻雜區(qū)506與第三淺摻雜區(qū)509例如是n型摻雜區(qū)。在其它實(shí)施例中，基底500例如是n型硅基底，而第一淺摻雜區(qū)505、第二淺摻雜區(qū)506與第三淺摻雜區(qū)509例如是P型摻雜區(qū)。
值得一提的是，為了提高薄膜晶體管550內(nèi)的載流子遷移率(Mobility)，還可以于柵絕緣層510上設(shè)置金屬層540，且此金屬層540是與雙柵極結(jié)構(gòu)520電連接。圖6C為本發(fā)明第二實(shí)施例之具有金屬層的薄膜晶體管俯視圖，圖6D為圖6C之II-II’截面圖，圖6E為圖6C之III-III’截面圖。請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D6C、6D及圖6E，柵絕緣層510上設(shè)置介電層530以及金屬層540。其中，介電層530會(huì)覆蓋住雙柵極結(jié)構(gòu)520，且介電層530于第一柵極522及第二柵極524的連接處具有開口532。金屬層540設(shè)置于介電層530上，并位于雙柵極結(jié)構(gòu)520與第一淺摻雜區(qū)505上方，且金屬層540填入開口532中而與雙柵極結(jié)構(gòu)520電連接。
值得注意的是，因?yàn)榻饘賹?40是填入開口532中而與雙柵極結(jié)構(gòu)520電連接，所以金屬層540與雙柵極結(jié)構(gòu)520是具有相同的電位，使得電子在第一淺摻雜區(qū)505的傳遞較為暢通，并因此提高源極與漏極之間的電子遷移率，進(jìn)而提高元件的反應(yīng)速率。
特別的是，由于金屬層540是設(shè)置于介電層530上，且金屬層540會(huì)覆蓋第一淺摻雜區(qū)505以及部分的第一通道區(qū)507、第二通道區(qū)508，因此若將此薄膜晶體管550使用于主動(dòng)式有機(jī)電致發(fā)光顯示器(Active-Matrix Organic Light Emission Display，AMOLED)中，則金屬層540可以反射從薄膜晶體管550上方之有機(jī)發(fā)光層(圖中未示)所發(fā)出的光線，以避免光線照到第一通道區(qū)507或第二通道區(qū)508而引起光漏電流的現(xiàn)象，進(jìn)而提高顯示器對(duì)于光線的利用率。此外，由于金屬層540是在形成薄膜晶體管550的源極金屬層(圖中未示)以及漏極金屬層(圖中未示)時(shí)一起形成。因此，并不會(huì)增加任何的光掩模工藝數(shù)。
綜上所述，本發(fā)明之薄膜晶體管至少具有以下之優(yōu)點(diǎn)一、在不對(duì)稱型之雙柵極結(jié)構(gòu)中使用不對(duì)稱的淺摻雜區(qū)結(jié)構(gòu)，使漏極區(qū)與長(zhǎng)度較短之通道區(qū)之間的淺摻雜區(qū)長(zhǎng)度大于源極區(qū)與長(zhǎng)度較長(zhǎng)之通道區(qū)之間的淺摻雜區(qū)長(zhǎng)度，以緩沖電場(chǎng)，并避免發(fā)生短信道效應(yīng)。
二、在雙柵極結(jié)構(gòu)的兩個(gè)柵極之間形成淺摻雜區(qū)。此淺摻雜區(qū)可以增加源極區(qū)與漏極區(qū)之間的阻值，以提高薄膜晶體管的糾結(jié)電壓，進(jìn)而有效地抑制漏電流。此外，由于此薄膜晶體管未在兩柵極之間形成重?fù)诫s區(qū)，因此不必考慮形成重?fù)诫s區(qū)時(shí)的對(duì)準(zhǔn)精度問題。所以，在此薄膜晶體管的制造工藝中，可以縮短兩個(gè)柵極之間的距離，進(jìn)而縮小元件整體體積。
三、設(shè)置于雙柵極結(jié)構(gòu)上且與雙柵極結(jié)構(gòu)電連接的金屬層能夠提高電子在源極區(qū)與漏極區(qū)之間的遷移率，進(jìn)而提高元件的反應(yīng)速率。此外，此金屬層是與源極金屬層以及漏極金屬層同時(shí)形成，因此不需額外的光掩模工藝數(shù)。
四、若將本發(fā)明之薄膜晶體管應(yīng)用于主動(dòng)式有機(jī)電致發(fā)光顯示器中，則設(shè)置于淺摻雜區(qū)上的金屬層可以反射光線，以避免薄膜晶體管產(chǎn)生光漏電流的現(xiàn)象，并且增加顯示器對(duì)于光線的利用率，進(jìn)而提高顯示器的顯示質(zhì)量。
雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例披露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與改進(jìn)，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管，其特征是包括基底，包括源極區(qū)以及漏極區(qū)，分別設(shè)置于該基底之相對(duì)兩側(cè)；重?fù)诫s區(qū)，位于該源極區(qū)以及該漏極區(qū)之間；第一通道區(qū)，位于該重?fù)诫s區(qū)以及該源極區(qū)之間；第二通道區(qū)，位于該重?fù)诫s區(qū)以及該漏極區(qū)之間；柵絕緣層，覆蓋該基底；雙柵極結(jié)構(gòu)，包括第一柵極，設(shè)置于該第一通道區(qū)上方之該柵絕緣層上；第二柵極，設(shè)置于該第二通道區(qū)上方之該柵絕緣層上；第一淺摻雜區(qū)，設(shè)置于該第二通道區(qū)以及該重?fù)诫s區(qū)之間；以及第二淺摻雜區(qū)，設(shè)置于該第二通道區(qū)與該漏極區(qū)之間，其中該第二淺摻雜區(qū)之長(zhǎng)度大于該第一淺摻雜區(qū)之長(zhǎng)度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述之薄膜晶體管，其特征是該第二柵極之寬度小于該第一柵極之寬度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述之薄膜晶體管，其特征是該基底包括p型硅基底。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述之薄膜晶體管，其特征是該重?fù)诫s區(qū)、該第一與該第二淺摻雜區(qū)包括n型摻雜區(qū)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述之薄膜晶體管，其特征是該基底包括n型硅基底。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述之薄膜晶體管，其特征是該重?fù)诫s區(qū)、該第一與該第二淺摻雜區(qū)包括p型摻雜區(qū)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述之薄膜晶體管，其特征是該柵絕緣層之材質(zhì)包括氧化硅。
8.一種薄膜晶體管，其特征是包括基底，包括源極區(qū)以及漏極區(qū)，分別設(shè)置于該基底之相對(duì)兩側(cè)；第一淺摻雜區(qū)，設(shè)置于該基底上，且位于該源極區(qū)以及該漏極區(qū)之間；第一通道區(qū)，位于該第一淺摻雜區(qū)以及該源極區(qū)之間；第二通道區(qū)，位于該第一淺摻雜區(qū)以及該漏極區(qū)之間；第二淺摻雜區(qū)，位于該第二通道區(qū)與該漏極之間；柵絕緣層，覆蓋該基底；雙柵極結(jié)構(gòu)，包括第一柵極，設(shè)置于該第一通道區(qū)上方之該柵絕緣層上；以及第二柵極，設(shè)置于該第二通道區(qū)上方之該柵絕緣層上，且該第二柵極之寬度小于該第一柵極之寬度。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述之薄膜晶體管，其特征是還包括介電層，設(shè)置于該柵絕緣層上，并覆蓋住該雙柵極結(jié)構(gòu)，且該介電層具有開口。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述之薄膜晶體管，其特征是還包括金屬層，設(shè)置于該介電層上，并位于該雙柵極結(jié)構(gòu)與該第一淺摻雜區(qū)上方，其中該金屬層是填入該開口而與該雙柵極結(jié)構(gòu)電連接。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述之薄膜晶體管，其特征是該基底包括P型硅基底。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述之薄膜晶體管，其特征是該第一淺摻雜區(qū)與該第二淺摻雜區(qū)包括n型摻雜區(qū)。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述之薄膜晶體管，其特征是該基底包括n型硅基底。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述之薄膜晶體管，其特征是該第一淺摻雜區(qū)與該第二淺摻雜區(qū)包括P型摻雜區(qū)。
15.根據(jù)權(quán)利要求8所述之薄膜晶體管，其特征是還包括第三淺摻雜區(qū)，設(shè)置于該第一通道區(qū)與該源極區(qū)之間，其中該第三淺摻雜區(qū)之長(zhǎng)度小于該第一淺摻雜區(qū)之長(zhǎng)度。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述之薄膜晶體管，其特征是該基底包括p型硅基底。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述之薄膜晶體管，其特征是該第一淺摻雜區(qū)、該第二淺摻雜區(qū)與該第三淺摻雜區(qū)包括n型摻雜區(qū)。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述之薄膜晶體管，其特征是該基底包括n型硅基底。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述之薄膜晶體管，其特征是該第一淺摻雜區(qū)、該第二淺摻雜區(qū)與該第三淺摻雜區(qū)包括p型摻雜區(qū)。
20.根據(jù)權(quán)利要求8所述之薄膜晶體管，其特征是該柵絕緣層之材質(zhì)包括氧化硅。
全文摘要
一種薄膜晶體管，包括基底、柵絕緣層、雙柵極結(jié)構(gòu)以及第一、第二淺摻雜區(qū)。其中，基底包括分別設(shè)置于基底的相對(duì)兩側(cè)的源極區(qū)與漏極區(qū)、位于源極區(qū)及漏極區(qū)之間的重?fù)诫s區(qū)、位于重?fù)诫s區(qū)及源極區(qū)之間的第一通道區(qū)以及位于重?fù)诫s區(qū)及漏極區(qū)之間的第二通道區(qū)。柵絕緣層覆蓋基底，而雙柵極結(jié)構(gòu)包括分別設(shè)置于第一通道區(qū)以及第二通道區(qū)上方之柵絕緣層上的第一柵極以及第二柵極。另外，第一淺摻雜區(qū)設(shè)置于第二通道區(qū)及重?fù)诫s區(qū)之間，而第二淺摻雜區(qū)設(shè)置于第二通道區(qū)與漏極區(qū)之間，且第二淺摻雜區(qū)之長(zhǎng)度大于第一淺摻雜區(qū)之長(zhǎng)度。
文檔編號(hào)H01L27/00GK1925171SQ20051009856
公開日2007年3月7日 申請(qǐng)日期2005年9月2日 優(yōu)先權(quán)日2005年9月2日
發(fā)明者施智仁, 方俊雄, 鄧德華, 呂佳謙 申請(qǐng)人:中華映管股份有限公司