專利名稱：半導(dǎo)體器件、引線框及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件、引線框及其制造方法，尤其涉及使用引線框的集成電路的封裝技術(shù)。
背景技術(shù)：
近年來，作為使用引線框的多引腳半導(dǎo)體集成電路器件的形態(tài)，廣泛采用方形扁平封裝(下文稱為QFP)。
圖11是已有的普通QFP型半導(dǎo)體器件的截面圖，圖12是該半導(dǎo)體器件的絲焊部分的內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖。在這種QFP型半導(dǎo)體器件中，在片座(ダイパツド)2上裝載形成集成電路的半導(dǎo)體芯片1，用金屬絲5連接半導(dǎo)體芯片1的表面上形成的電極3和輻射狀配置在片座2的周邊的引線4的內(nèi)引線4a部分，用密封樹脂6將半導(dǎo)體芯片1、金屬絲5、內(nèi)引線4a模壓成形后，形成樹脂封裝體7，并且在樹脂封裝體7的外部將連接內(nèi)引線4a的外引線4b彎曲成鷗翼形狀。片座支持件4b是將片座2保持在后文闡述的框架上的構(gòu)件。
隨著集成電路的高集成化和高密度化，QFP型半導(dǎo)體器件中一直在開展多引腳化、引線小間距化(參考例如香山晉、成瀨邦彥主編的《VLSI封裝技術(shù)(下)》，第165～第170頁，日經(jīng)股份公司BP，1993年5月31日發(fā)行)。然而，QFP型半導(dǎo)體器件的外形和引腳數(shù)已在業(yè)界加以標準化，因而為了保持高集成化的半導(dǎo)體芯片，將雖然可稱為多引腳但數(shù)量有限的引腳中電源、接地電極等能共用的電極集中連接到1條內(nèi)引線，從而謀求外引線少和電路穩(wěn)定。圖13是示出一條內(nèi)引線4a連接來自多個電極3的金屬絲5的狀態(tài)的模式圖。圖13A中1條內(nèi)引線4a連接2根金屬絲5，圖13B中1條內(nèi)引線4a連接3根金屬絲5。
1條引線4(具體為內(nèi)引線4a)的前端部焊接多根金屬絲5時，引線4的前端部由于以往將其加工成平面，必須沿引線4的寬度方向?qū)⒏鹘饘俳z5平面狀排列成不相互重疊，并且需要將引線4的前端部的寬度取成比焊接1根金屬絲5時大。于是，為了確保該區(qū)域，必須將引線4的前端部配置成遠離半導(dǎo)體芯片1。應(yīng)連接多根金屬絲5的引線4的數(shù)量越多，這種配置越顯著。
另一方面，往往裝載芯片規(guī)模和焊盤配置不同的多種半導(dǎo)體芯片1，并且共用1種引線框，因而需要限定連接多根金屬絲5的引線4形成寬度大或不能限定時全部引線4形成寬度大。后一情況下，尤其必須將引線4的前端部配置成遠離半導(dǎo)體芯片1。
然而，使引線4的前端部遠離半導(dǎo)體芯片1的配置因長金屬絲焊接技術(shù)和樹脂封裝技術(shù)而受制約，越是高密度化的小半導(dǎo)體芯片，越需要使引線4的前端部遠離的配置，造成裝載困難。半導(dǎo)體芯片的小型高密度化到達極限。
本發(fā)明使鑒于上述問題而完成的，其目的為在同一引線連接來自半導(dǎo)體芯片的多根金屬絲的連接結(jié)構(gòu)中，實現(xiàn)小引線間距，緊湊且廉價地用高集成度、高密度、小型的半導(dǎo)體芯片構(gòu)成高質(zhì)量的半導(dǎo)體器件。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述課題，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件，具有半導(dǎo)體芯片、裝載所述半導(dǎo)體芯片的片座、在所述片座的周圍配置成前端部與片座對置的多條引線、以及連接所述半導(dǎo)體芯片的表面上形成的電極和所述引線的金屬絲，并且將所述半導(dǎo)體芯片、金屬絲和引線的金屬絲連接部分一起用樹脂模壓成形，其中，至少1條所述引線的前端部分以前端方低的方式形成階梯部，并且在所述引線的階梯部的各級分別連接所述半導(dǎo)體芯片上同一或不同電極連接的多根金屬絲。
根據(jù)上述組成，用階梯使焊接在同一引線的多根金屬絲的焊接部上下分離，以立體狀分離配置多根金屬絲。因此，各金屬絲之間不接觸，構(gòu)成半導(dǎo)體芯片與引線的穩(wěn)定連接。還可將各引線的寬度設(shè)定成焊接1條金屬絲所需的最小寬度。換句話說，不必使連接多根金屬絲的引線加大寬度，因而能將引線間距減小至極限。
這樣，即便是連接多根金屬絲的引線，也能排列在靠近半導(dǎo)體芯片的位置，因而小半導(dǎo)體芯片也能以短金屬絲作穩(wěn)定的絲焊和樹脂密封成形，可實現(xiàn)質(zhì)量極高且小型的半導(dǎo)體器件。又由于不必按連接的金屬絲根數(shù)改變引線寬度和間距，即使芯片規(guī)模、電極配置、與多根電極連接的引線的位置不同，也能共用將片座和引線綜合為一體地形成的引線框。
其結(jié)構(gòu)可為全部引線形成階梯部，并且在至少1條所述引線的階梯部連接多根金屬絲。片座上裝載的半導(dǎo)體芯片可為多塊。其結(jié)構(gòu)也可為引線前端部的寬度不大于0.1mm，并且以相鄰引線前端部中心的距離為不大于0.2mm的間隔進行排列。
本發(fā)明的半導(dǎo)體器件制造方法，進行在片座上裝載半導(dǎo)體芯片的裝載工序、用金屬絲連接所述半導(dǎo)體芯片的表面上形成的電極和在所述片座周圍配置成與片座對置的多條引線的絲焊工序、以及將所述半導(dǎo)體芯片和金屬絲和引線的金屬絲連接部分一起用樹脂模壓成形的樹脂封裝工序，其中，在所述絲焊工序中，對前端部分以前端方低的方式形成階梯部的至少1條所述引線，在所述階梯部的各級分別連接所述半導(dǎo)體芯片上同一和不同電極連接的規(guī)定的多根金屬絲。
絲焊工序中，通過利用絲焊法實施金屬凸塊，形成引線的階梯部。
本發(fā)明的引線框，具有上述半導(dǎo)體器件使用的片座和引線，并且綜合為一體地形成裝載半導(dǎo)體芯片的片座、在所述片座周圍配置成前端部與片座對置的多條引線、連接所述多條引線的另一端部的框架、以及將所述片座保持在所述框架上的片座支持件，至少在一條所述引線的前端部分以前端方低的方式形成階梯部。
本發(fā)明的引線框制造方法，該引線框具有上述半導(dǎo)體器件使用的片座和引線，該引線框制造方法利用蝕刻法或沖壓法加工金屬板，綜合為一體地形成裝載半導(dǎo)體芯片的片座、在所述片座周圍配置成前端部與片座對置的多條引線、連接所述多條引線的另一端部的框架、以及將所述片座保持在所述框架上的片座支持件，并且在至少一條所述引線的前端部分以前端方低的方式形成階梯部。
通過擠壓引線的前端部，或通過對引線的前端部進行彎曲加工，或通過往垂直方向?qū)σ€的前端部進行壓入，形成階梯部?；蚶每坛€前端部的上層的蝕刻加工，或通過在引線的前端部部分設(shè)置凸部，適當形成階梯部。
通過往垂直方向提升引線，或通過在引線上實施金屬鍍，或利用絲焊法實施金屬凸塊，適當形成凸部。
根據(jù)本發(fā)明，不拘一條引線連接的金屬絲數(shù)量，總能使引線寬度和間距最小。因而，可將引線配置在較靠近半導(dǎo)體芯片的位置，尤其在構(gòu)成使用引線框的多引腳封裝半導(dǎo)體器件時，可形成對高集成化、高密度化的半導(dǎo)體芯片的短金屬絲焊接，具有使金屬絲線徑小，并且防止金屬絲在樹脂封裝工序中變形的極大效果。能實現(xiàn)高質(zhì)量且小型的半導(dǎo)體器件。
由于不必按連接的金屬絲根數(shù)改變引線寬度和間距，對芯片規(guī)模、電極配置、與多根電極連接的引線的位置不同的多種半導(dǎo)體芯片，能共用引線框。因此，能大批量生產(chǎn)多種半導(dǎo)體芯片可共用的引線框，質(zhì)量非常高、緊湊且廉價地提供各種半導(dǎo)體器件。


圖1是本發(fā)明實施方式1的半導(dǎo)體器件的截面圖。
圖2A～2C是圖1的半導(dǎo)體器件的絲焊部分的內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖和模式圖。
圖3A、圖3B是用于制造圖1的半導(dǎo)體器件的引線框的組成圖。
圖4A、圖4B是作為圖1的半導(dǎo)體器件的變換例的半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵部分截面圖和模式圖。
圖5是本發(fā)明實施方式2的半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵部分截面圖。
圖6是本發(fā)明實施方式3的半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵部分截面圖。
圖7是本發(fā)明實施方式4的半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵部分截面圖。
圖8是本發(fā)明實施方式5的半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵部分截面圖。
圖9是本發(fā)明實施方式6的半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵部分截面圖。
圖10是本發(fā)明實施方式7的半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵部分截面圖。
圖11是已有的普通QFP型半導(dǎo)體器件的截面圖。
圖12是圖11的半導(dǎo)體器件的絲焊部分的內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖。
圖13A、圖13B是示出圖11的結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件中1條引線連接多根金屬絲的狀態(tài)的模式圖。
具體實施例方式
下面，參照

本發(fā)明的實施方式。
實施方式1圖1是本發(fā)明實施方式1的半導(dǎo)體器件的截面圖，圖2A是該半導(dǎo)體器件的絲焊部分的內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖，圖2B是該半導(dǎo)體器件的絲焊部分的模式圖。
圖1和圖2所示的半導(dǎo)體器件中，在片座2上裝載形成集成電路的半導(dǎo)體芯片1，用金屬絲5連接半導(dǎo)體芯片1的表面上形成的電極3和輻射狀配置在片座2的周邊的引線4，用密封樹脂6將半導(dǎo)體芯片1、金屬絲5、引線4的內(nèi)引線4a模壓成形后，形成樹脂封裝體7，并且在樹脂封裝體7的外部將連接內(nèi)引線4a的外引線4b彎曲成鷗翼形狀。
此半導(dǎo)體器件與上述已有半導(dǎo)體器件的不同點是至少1條引線4(具體為內(nèi)引線4a)的前端部分以前端方低的方式形成階梯部8，并且在各級的平坦絲焊區(qū)8a、8b分別連接金屬絲5。
下面，說明上述半導(dǎo)體器件的制造方法。
(1)利用蝕刻法或沖壓法加工金屬板，制造圖3A、圖3B所示的引線框9。為了同時(或依次)形成多個半導(dǎo)體器件，引線框9按左右、上下排列多個用框架11連接與各半導(dǎo)體器件對應(yīng)的矩形的圖案10。
各圖案10的結(jié)構(gòu)為將上述片座2配置在中央，框架11上連接多條引線(內(nèi)引線4a、外引線4b)的外端部，并且利用片座支持件12將片座2保持在框架11上。各圖案10的至少1條內(nèi)引線4a的前端部形成所述階梯部8。后文詳述此引線框9，尤其詳述階梯部8。
(2)在引線框9的各圖案10的片座2上裝載半導(dǎo)體芯片1。
(3)利用絲焊法以金屬絲5連接半導(dǎo)體芯片1的表面的電極3和內(nèi)引線4a。這時，對形成階梯部8的內(nèi)引線4a引入半導(dǎo)體芯片1上的同一或不同電極3連接的規(guī)定的多條金屬絲5，分別連接到階梯部8的各級絲焊區(qū)8a、8b。
(4)用樹脂6將半導(dǎo)體芯片1、金屬絲5和內(nèi)引線4a(即引線框架11的內(nèi)側(cè)部分)一起模壓成形，形成樹脂封裝體7。
(5)切割各引線4之間的擋板16。最后，沿外引線4b的外端部分的切斷線進行切斷，分離成單件，同時還將外引線4b加工成規(guī)定的形狀，從而獲得半導(dǎo)體器件的成品。
引線框9最好采用由銅合金或鐵鎳合金構(gòu)成的厚度在0.05mm～0.3mm范圍的金屬板材料。內(nèi)引線4a的前端部寬度以焊接1根金屬絲5所需的寬度為最小寬度。該寬度取決于金屬絲5的線徑，但其范圍以0.03mm～0.1mm為佳。內(nèi)引線4a的間距根據(jù)加工技術(shù)水平，可設(shè)定在0.08mm～0.25mm，最好設(shè)定成不大于0.2mm。
為了在內(nèi)引線4a形成階梯部8，對內(nèi)引線4a的前端部從絲焊面方進行蝕刻，或進行沖壓加工，將其鍛塌，從而形成低于前端方的平坦絲焊區(qū)8a，并將后續(xù)于絲焊區(qū)8a的非加工部分作為平坦的絲焊區(qū)8b。此階梯部8的形成方法不必與整個引線框9的加工方法相同，也可例如對以蝕刻加工成形的引線框9利用沖壓加工使絲焊區(qū)8a形成階梯狀。
絲焊區(qū)8a與8b的階梯高低，相差最好取為各自焊接的金屬絲5不相互干擾以免發(fā)生焊接欠佳的程度。該階梯高度取決于金屬絲5的線徑，但其范圍以0.01mm～0.15mm為佳。考慮金屬絲5之間的干擾和焊接工具與絲焊區(qū)8a、8b的階梯高度的干擾等，絲焊區(qū)8a、8b的長度的范圍以0.2mm～1.5mm為佳。
如這里所示，階梯部8不僅形成在焊接多根金屬絲5的規(guī)定的內(nèi)引線4a，而且可形成在不焊接的內(nèi)引線4a。如圖2C所示的絲焊部分內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖那樣，在全部內(nèi)引線4a形成階梯部8，則芯片規(guī)模、電極位置、電極3和內(nèi)引線4a的布線圖案不同的半導(dǎo)體芯片1也能連接適當?shù)膬?nèi)引線4a的階梯部8，因而可共用引線框9。
形成階梯部8的內(nèi)引線4a僅焊接1根金屬絲5時，可連接絲焊區(qū)8a和8b中的任一方。然而，由于防止變形等原因，金屬絲5以短的為佳，最好焊接在前端方絲焊區(qū)8a。
如圖4A、圖4B所示，可使階梯部8形成3級(或3級以上)，并且各級絲焊區(qū)8a、8b、8c各自連接金屬絲5。從該圖4可知，即使1條內(nèi)引線4a連接的金屬絲5的根數(shù)比圖1～圖3所示的半導(dǎo)體器件中增多，內(nèi)引線4a的寬度和間距也可與該器件中的相同。
綜上所述，通過在內(nèi)引線4a設(shè)置階梯部8(絲焊區(qū)8a、8b、8c……)，1條內(nèi)引線4a焊接多根金屬絲5時，可立體狀分離，使金屬絲5之間不接觸，半導(dǎo)體芯片1與內(nèi)引線4a能穩(wěn)定連接。還可使各內(nèi)引線4a減小到焊接1根金屬絲5所需的最小寬度、最小間距。
這樣，即便是連接多根金屬絲5的內(nèi)引線4a，也可排列在靠近半導(dǎo)體芯片1的位置，對高集成化、高密度化的小半導(dǎo)體芯片1，可作短金屬絲焊接，在減小金屬絲線徑或樹脂封裝工序中防止金屬絲變形方面具有極大的效果。
又由于不必根據(jù)連接的金屬絲5的根數(shù)改變內(nèi)引線4a的寬度和間距，可使引線框9對芯片規(guī)模、電極3的配置、連接多個電極3的內(nèi)引線4a的位置不同的多種半導(dǎo)體芯片1通用。
因此，能大批量生產(chǎn)多種半導(dǎo)體芯片1可共用的引線框9，質(zhì)量非常高、緊湊且廉價地制造多種半導(dǎo)體器件。
實施方式2圖5是示出本發(fā)明實施方式2的半導(dǎo)體器件的絲焊部分結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵部分截面圖。
此實施方式2的半導(dǎo)體器件與上述實施方式1的半導(dǎo)體器件的不同點是形成內(nèi)引線4a的階梯部8時，以使用沖壓模的彎曲加工形成與絲焊區(qū)8a相應(yīng)的前端梯級部。
利用此方法，能抑制內(nèi)引線4a的前端梯級部的灰度和寬度的偏差。實施方式1的方法中，如上文所述，從絲焊面方利用蝕刻加工或沖壓加工使與絲焊區(qū)8a相應(yīng)的前端梯級部厚度變薄，因而能將階梯前后的邊界部等(即內(nèi)引線4a的前端方部的絲焊區(qū)8a與后端方部的絲焊區(qū)8b的邊界部等)限定成較短，因而能將第2根及其后的金屬絲5的長度設(shè)定得短。反之，實施方式1中，蝕刻加工時厚度控制稍微困難，沖壓加工時擠壓塑性形變部分的延展量控制和引線前端的斜度控制稍微困難，但實施方式2的方法具有消除該困難的優(yōu)點。
引線框材料和厚度的設(shè)定、內(nèi)引線前端部絲焊區(qū)寬度、長度和階梯高的設(shè)定、應(yīng)用的內(nèi)引線述的設(shè)定、僅連接1根金屬絲的內(nèi)引線的絲焊點選擇等其它一系列制造方法與實施方式1中相同。
因此，能廉價地實現(xiàn)優(yōu)于實施方式1的高質(zhì)量半導(dǎo)體器件。
實施方式3圖6是示出本發(fā)明實施方式3的半導(dǎo)體器件的絲焊部分結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵部分截面圖。
此實施方式3的半導(dǎo)體器件與上述實施方式1的半導(dǎo)體器件的不同點是形成內(nèi)引線4a的階梯部8時，以用沖壓模往垂直方向壓入的方式形成與絲焊區(qū)8a相應(yīng)的前端梯級部。
利用此方法，與實施方式2相比，不僅能抑制內(nèi)引線4a的梯級部的厚度和寬度的偏差，而且能將第2根及其后的金屬絲5的長度設(shè)定得短。實施方式2由于用沖壓模僅作彎曲加工，引線長度方向需要彎曲加工用的區(qū)域，也就是說，形成不能絲焊的傾斜部分，必須使引線加長該部分的份額，從而第2根及其后的金屬絲5的長度變長。消除這問題，是實施方式3的優(yōu)點。
引線框材料和厚度的設(shè)定、內(nèi)引線前端部絲焊區(qū)寬度、長度和階梯高的設(shè)定、應(yīng)用的內(nèi)引線述的設(shè)定、僅連接1根金屬絲的內(nèi)引線的絲焊點選擇等其它一系列制造方法與實施方式1和實施方式2中相同。
因此，能廉價地實現(xiàn)優(yōu)于實施方式1的高質(zhì)量半導(dǎo)體器件。
實施方式4圖7是示出本發(fā)明實施方式4的半導(dǎo)體器件的絲焊部分結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵部分截面圖。
此實施方式4的半導(dǎo)體器件與上述實施方式1的半導(dǎo)體器件的不同點是形成內(nèi)引線4a的階梯部8時，在前端部至少確保利用絲焊法僅連接金屬絲5的平坦絲焊區(qū)部8a，并且在比該部靠近外引線4b的位置形成上表面成為絲焊區(qū)8b的凸部13。
作為在內(nèi)引線4a形成凸部13的方法通過沖壓加工往垂直方向提升成為絲焊區(qū)8b的部分，而留下成為絲焊區(qū)8a的平坦部。該凸部13的形成方法未必與整個引線框9的加工方法相同，也可例如對用蝕刻加工成形的引線框9利用沖壓加工使成為絲焊區(qū)8b的部分鼓起。
凸部13的長度只要保證絲焊所需的平坦區(qū)即可，最好設(shè)定在0.2mm～1.0mm的范圍。凸部13的高度最好形成各自焊接的金屬絲5b部不相互干擾以免發(fā)生焊接欠佳的高低差。該高度取決于金屬絲5b的線徑，但以0.01mm～0.15mm的范圍為佳。
引線框材料和厚度的設(shè)定、內(nèi)引線前端部絲焊區(qū)寬度、長度和階梯高的設(shè)定、應(yīng)用的內(nèi)引線述的設(shè)定、僅連接1根金屬絲的內(nèi)引線的絲焊點選擇等其它一系列制造方法與實施方式1中相同。
因此，能廉價地實現(xiàn)優(yōu)于實施方式1的高質(zhì)量半導(dǎo)體器件。
實施方式5圖8是示出本發(fā)明實施方式5的半導(dǎo)體器件的絲焊部分結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵部分截面圖。
此實施方式5的半導(dǎo)體器件與上述實施方式1的半導(dǎo)體器件的不同點是形成內(nèi)引線4a的階梯部8時，在前端部至少確保利用絲焊法僅連接金屬絲5的平坦絲焊區(qū)部8a，并且在比該部靠近外引線4b的位置，通過實施金屬鍍形成上表面成為絲焊區(qū)8b的凸部14。金屬鍍的材料(例如鍍銀或鍍金)可不同于引線框9的材料(例如鐵—鎳合金或銅合金)。
引線框材料和厚度的設(shè)定、內(nèi)引線前端部絲焊區(qū)寬度、長度和階梯高的設(shè)定、應(yīng)用的內(nèi)引線述的設(shè)定、僅連接1根金屬絲的內(nèi)引線的絲焊點選擇等其它一系列制造方法與實施方式1中相同。
因此，能廉價地實現(xiàn)優(yōu)于實施方式1的高質(zhì)量半導(dǎo)體器件。
實施方式6圖9是示出本發(fā)明實施方式5的半導(dǎo)體器件的絲焊部分結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵部分截面圖。
此實施方式6的半導(dǎo)體器件與上述實施方式1的半導(dǎo)體器件的不同點是形成內(nèi)引線4a的階梯部8時，在前端部至少確保利用絲焊法僅連接金屬絲5的平坦絲焊區(qū)部8a，并且在比該部靠近外引線4b的位置，利用絲焊法(球焊法)形成凸部(凸塊)15，并且將其上表面作為絲焊區(qū)8b。
最好在實施方式1說明的絲焊工序中進行凸部15的形成。凸部15的材料最好與用于連接電極3和內(nèi)引線4a的金屬絲5的材料相同，一般使用金線或銅合金線。
利用這樣在絲焊工序形成凸部15的方法，不必如實施方式1～5那樣，預(yù)先在引線框9的內(nèi)引線4a形成凸部。由于能自由選擇僅對要連接多根金屬絲5形成凸部15，可仍舊使用已有類型的引線框9，進一步提高材料的共用性。
引線框材料和厚度的設(shè)定、內(nèi)引線前端部絲焊區(qū)寬度、長度和階梯高的設(shè)定、應(yīng)用的內(nèi)引線述的設(shè)定、僅連接1根金屬絲的內(nèi)引線的絲焊點選擇等其它一系列制造方法與實施方式1中相同。
因此，能廉價地實現(xiàn)優(yōu)于實施方式1的高質(zhì)量半導(dǎo)體器件。
實施方式7圖10是本發(fā)明實施方式7的半導(dǎo)體器件的截面圖。
此實施方式7的半導(dǎo)體器件中，在片座2裝載多塊半導(dǎo)體芯片1a、1b、1c，使其重疊，并且各半導(dǎo)體芯片1a、1b、1c的電極3連接同一的內(nèi)引線4a的階梯部8。此組成中，也存在階梯部8，因而能取得與實施方式1～6中說明的半導(dǎo)體器件相同的效果。
這里疊置3級半導(dǎo)體芯片1a、1b、1c，但疊置2級或不少于4級時，或者不是疊置而是平面狀配置時，同樣能連接同一內(nèi)引線4a的階梯部8。
這里利用金屬絲5將分開的半導(dǎo)體芯片1a、1b、1c上存在的電極3連接到同一內(nèi)引線4a，但利用金屬絲5將1塊半導(dǎo)體芯片1a(或1b或1c)分別連接到同一內(nèi)引線4a，或這兩種連接方法的組合，也有效。
工業(yè)上的實用性根據(jù)本發(fā)明，能用高集成度、高密度的半導(dǎo)體芯片，構(gòu)成方形扁平封裝等的多引腳半導(dǎo)體集成電路器件。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件，包括半導(dǎo)體芯片(1)、裝載所述半導(dǎo)體芯片的片座(2)、在所述片座的周圍配置成前端部與片座對置的多條引線(4)、以及連接所述半導(dǎo)體芯片的表面上形成的電極(3)和所述引線的金屬絲(5)，并且將所述半導(dǎo)體芯片、金屬絲和引線的金屬絲連接部分一起用樹脂模壓成形，其特征在于，至少1條所述引線(4)的前端部分以前端方低的方式形成階梯部(8)，并且在所述引線(4)的階梯部(8)的各級分別連接所述半導(dǎo)體芯片上同一或不同電極(3)連接的多根金屬絲(5)。
2.如權(quán)利要求1中所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，全部引線形成階梯部，并且在至少1條所述引線的階梯部連接多根金屬絲。
3.如權(quán)利要求1中所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，片座上裝載的半導(dǎo)體芯片有多塊。
4.如權(quán)利要求1中所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，引線前端部的寬度不大于0.1mm，并且以相鄰引線前端部中心的距離為不大于0.2mm的間隔進行排列。
5.一種半導(dǎo)體器件制造方法，進行在片座(2)上裝載半導(dǎo)體芯片(1)的裝載工序、用金屬絲(5)連接所述半導(dǎo)體芯片的表面上形成的電極(3)和在所述片座周圍配置成與片座對置的多條引線(4)的絲焊工序、以及將所述半導(dǎo)體芯片和金屬絲和引線的金屬絲連接部分一起用樹脂模壓成形的樹脂封裝工序，其特征在于，在所述絲焊工序中，對前端部分以前端方低的方式形成階梯部(8)的至少1條所述引線(4)，在所述階梯部(8)的各級分別連接所述半導(dǎo)體芯片上同一或不同電極(3)連接的規(guī)定的多根金屬絲(5)。
6.如權(quán)利要求5中所述的半導(dǎo)體器件制造方法，其特征在于，絲焊工序中，通過利用絲焊法實施金屬凸塊(15)，形成引線的階梯部。
7.一種引線框，其特征在于，該引線框(9)具有權(quán)利要求1中所述的半導(dǎo)體器件使用的片座和引線，并且綜合為一體地形成裝載半導(dǎo)體芯片的片座、在所述片座周圍配置成前端部與片座對置的多條引線、連接所述多條引線的另一端部的框架(11)、以及將所述片座保持在所述框架上的片座支持件(12)，并且至少在一條所述引線的前端部分以前端方低的方式形成階梯部。
8.一種引線框制造方法，其特征在于，該引線框具有權(quán)利要求1中所述的半導(dǎo)體器件使用的片座和引線，該引線框制造方法利用蝕刻法或沖壓法加工金屬板，并且綜合為一體地形成裝載半導(dǎo)體芯片的片座、在所述片座周圍配置成前端部與片座對置的多條引線、連接所述多條引線的另一端部的框架、以及將所述片座保持在所述框架上的片座支持件，并且在至少一條所述引線的前端部分以前端方低的方式形成階梯部。
9.如權(quán)利要求8中所述的引線框制造方法，其特征在于，通過擠壓引線的前端部形成階梯部。
10.如權(quán)利要求8中所述的引線框制造方法，其特征在于，通過對引線的前端部進行彎曲加工，形成階梯部。
11.如權(quán)利要求8中所述的引線框制造方法，其特征在于，通過往垂直方向?qū)σ€的前端部進行壓入，形成階梯部。
12.如權(quán)利要求8中所述的引線框制造方法，其特征在于，利用刻除引線前端部的上層的蝕刻加工，形成階梯部。
13.如權(quán)利要求8中所述的引線框制造方法，其特征在于，通過在引線的前端部部分設(shè)置凸部(13、14、15)，形成階梯部。
14.如權(quán)利要求13中所述的引線框制造方法，其特征在于，通過往垂直方向提升引線，形成凸部(13)。
15.如權(quán)利要求13中所述的引線框制造方法，其特征在于，通過在引線上實施金屬鍍，形成凸部(14)。
16.如權(quán)利要求13中所述的引線框制造方法，其特征在于，利用絲焊法實施金屬凸塊，形成凸部(15)。
全文摘要
一種半導(dǎo)體器件，將半導(dǎo)體芯片(1)裝載在片座(2)上，用金屬絲(5)連接芯片表面的電極(3)和配置在片座周圍的引線(4)，用樹脂(6)將半導(dǎo)體芯片、金屬絲、以及引線的金屬絲連接部分一起模壓成形，并且其結(jié)構(gòu)做成至少1條引線的前端部分以前端方低的方式形成階梯部(8)，階梯部的各級連接半導(dǎo)體芯片上同一或不同電極連接的多根金屬絲。由于使同一引線上焊接的多根金屬絲上下分離，可使連接穩(wěn)定，同時還可將各引線設(shè)定成焊接1根金屬絲所需的最小寬度，使其能僅按該寬度靠近半導(dǎo)體芯片排列。
文檔編號H01L23/50GK1747163SQ20051009957
公開日2006年3月15日 申請日期2005年9月6日 優(yōu)先權(quán)日2004年9月6日
發(fā)明者小賀彰, 福田敏行, 松尾隆廣 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社