專利名稱：半導(dǎo)體器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件，尤其涉及一種被用作電源線路的開關(guān)元件的半導(dǎo)體器件。
背景技術(shù)：
近年來，隨著諸如個人計(jì)算機(jī)和移動電話之類的電子設(shè)備的小型化，已經(jīng)高密度地安裝電子元件，為此，人們正在進(jìn)行著多項(xiàng)研究，以減小諸如二極管或三極管的半導(dǎo)體器件的安裝面積。在此類半導(dǎo)體器件中，開關(guān)MOSFET被用作開關(guān)諸如電池的電源的負(fù)載開關(guān)，除了要求其做得小而薄之外，還要求提高其散熱效率和降低開態(tài)阻抗(on-resistance)。
鑒于此，已經(jīng)提出了一種技術(shù)(例如，參見美國專利No.6242800)，在這種技術(shù)中改變了主焊盤的形狀，而半導(dǎo)體芯片就要安裝到該主焊盤上。
圖11(a)為示出了常規(guī)半導(dǎo)體器件的俯視圖，圖11(b)為取自圖11(a)的線A-A的截面圖，而圖11(c)為示出圖11(a)的半導(dǎo)體器件的側(cè)視圖。如圖7所示，從樹脂封裝向外突出的引線端子為鷗翼型，沿著封裝的側(cè)表面向下彎折。
接著，將描述根據(jù)相關(guān)技術(shù)的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體芯片1倒置地安裝在主焊盤2上。主焊盤2與引線3、4、5和6集成在一起。第一和第二表面引線7和8從主焊盤2分開，從樹脂封裝9向外突出。第一表面引線7和源電極10通過多根焊線11絲焊。類似地，第二表面引線8和柵電極12通過焊線13絲焊。與主焊盤2接觸的半導(dǎo)體芯片11的表面包括漏電極。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，半導(dǎo)體芯片安裝在主焊盤的下表面上，因此能夠?qū)雽?dǎo)體器件做得薄。而且，漏電極安裝在面積較大的主焊盤上，從而能夠?qū)崿F(xiàn)極好的散熱效率。
近來，在諸如移動電話的使用電池作為電源的便攜式設(shè)備中，一個需要解決的問題在于，除了使設(shè)備做薄和具有高功能性之外，還要降低包括安裝于設(shè)備內(nèi)的半導(dǎo)體器件的電子元件中的功耗，以提高一次充電可以使用的功率容量。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明被設(shè)計(jì)來解決上述問題，本發(fā)明的一個目的在于提供一種改進(jìn)的半導(dǎo)體器件，它非常薄且具有極好的散熱效率，并且能夠減小其中的開態(tài)電阻。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明，一種半導(dǎo)體器件包括樹脂封裝；至少兩根主引線，集成在所述樹脂封裝中以構(gòu)成芯片安裝部分；安裝在所述芯片安裝部分上的半導(dǎo)體芯片；以及第一和第二表面引線，每個均電連接到形成于所述半導(dǎo)體芯片的表面上的電極。所述主引線和所述第一和第二表面引線分別沿著所述樹脂封裝的底面向外突出。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，所述主引線和所述第一和第二表面引線沿著與所述樹脂封裝的底面相同的平面延伸，從而能夠?qū)雽?dǎo)體器件制作得薄，將外部引線，即每根引線從所述樹脂封裝向外突出的突出部分制作得短，以及減小所述芯片安裝區(qū)域和所述開態(tài)電阻。此外，當(dāng)所述半導(dǎo)體芯片的尺寸增大時，不必在樹脂密封之后彎折引線，且在制作所述引線的形狀的工藝中，即使樹脂的厚度小樹脂也不會變形或開裂，結(jié)果，能夠提供薄且高度可靠的半導(dǎo)體器件。
此外，在根據(jù)本發(fā)明的所述半導(dǎo)體器件中，所述主引線和所述第一和第二表面引線優(yōu)選分別在所述樹脂封裝之內(nèi)彎折。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，由于不必在樹脂密封之后彎折引線，即使樹脂的厚度小，在制作引線的形狀的工藝中樹脂也不會變形或開裂，因此，能夠提供薄且高度可靠的半導(dǎo)體器件。此外，能夠增加樹脂封裝和第一與第二表面引線之間的粘著以及樹脂封裝和主引線之間的粘著。
此外，在根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件中，所述芯片安裝部分優(yōu)選形成于由位于所述樹脂封裝的上表面?zhèn)鹊闹饕€的表面所構(gòu)成的平面中。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，能夠?qū)⑺霭雽?dǎo)體器件制作得薄。
此外，在根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件中，優(yōu)選地，至少一根主引線從芯片安裝部分設(shè)置得彼此相對的兩側(cè)中一側(cè)向外突出，且至少一根主引線從所述兩側(cè)中另一側(cè)向外延伸。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體器件易于被安裝在印刷電路板上而且是穩(wěn)定的，因此，能夠提供高度可靠的半導(dǎo)體器件。
此外，在根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件中，優(yōu)選地，所述主引線包括多根引線，在所述主引線從所述樹脂封裝向外突出的突出區(qū)中，所述多根引線每個均具有比所述第一和第二表面引線更大的寬度，或者配置來使得其間的間隙變得小于所述第一和第二表面引線之間的間隙。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體芯片中產(chǎn)生的熱能夠被有效地散發(fā)到印刷電路板。
此外，在根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件中，優(yōu)選地，在所述芯片安裝部分中彼此相對的主引線具有不同的寬度。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體器件易于被安裝在印刷電路板上而且是穩(wěn)定的，且所述半導(dǎo)體芯片中產(chǎn)生的熱能夠被有效地散發(fā)到所述印刷電路板。
此外，在根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件中，優(yōu)選地，所述第一和第二表面引線在其突出區(qū)中被設(shè)置為關(guān)于所述樹脂封裝的中線對稱。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，易于形成其上將安裝半導(dǎo)體器件的印刷電路板的布線圖案，由此提高所述半導(dǎo)體器件的可靠性。
此外，在根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件中，所述半導(dǎo)體芯片優(yōu)選一面朝上地安裝在所述芯片安裝部分的整個表面上。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體芯片中產(chǎn)生的熱能夠被有效地散發(fā)到印刷電路板，且封裝能夠制作得薄。
此外，在根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件中，優(yōu)選地，所述樹脂封裝如此配置，使得從所述半導(dǎo)體芯片的上表面到所述樹脂封裝的上表面的距離為0.25到0.40mm。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體芯片中產(chǎn)生的熱能夠被有效地散發(fā)到印刷電路板，且封裝能夠制作得薄。
此外，在根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件中，優(yōu)選地，所述主引線形成有開口；且構(gòu)成所述樹脂封裝的密封樹脂填充在形成于所述主引線中的開口中。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，由于構(gòu)成所述樹脂封裝的密封樹脂填充在形成于所述主引線中的開口中，因此能夠改善樹脂封裝和主引線之間的粘著。因此，能夠防止樹脂封裝和主引線剝落(熱膨脹)，這種剝落是因?yàn)闈B入主引線和樹脂封裝之間的界面中的空氣或水氣受熱膨脹而發(fā)生的。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，通過將所述半導(dǎo)體芯片安裝在主焊盤的上表面上能夠?qū)⑺霭雽?dǎo)體器件制作得薄且輕。
此外，由于使用了扁平型引線，因此當(dāng)所述半導(dǎo)體器件安裝在印刷電路板上時，從所述印刷電路板到安裝于所述樹脂封裝中的半導(dǎo)體芯片的距離短，且所述樹脂封裝的底面與將要固定的印刷電路板直接接觸，從而，所述半導(dǎo)體芯片中產(chǎn)生的熱能夠被有效地散發(fā)到所述印刷電路板。而且，所述引線短，能夠減小其開啟電阻。
此外，所述主焊盤能夠具有足夠的面積，大尺寸的半導(dǎo)體芯片也能夠被安裝。


圖1(a)為示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的俯視圖，圖1(b)為取自圖1(a)的線A-A的截面圖，而圖1(c)為示出圖1(a)的半導(dǎo)體器件的側(cè)視圖。
圖2為示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的引線框架的主要部分的放大視圖。
圖3(a)到3(d)為示出制造根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的過程的視圖。
圖4(a)為示出根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的俯視圖，圖4(b)為取自圖4(a)的線A-A的截面圖，而圖4(c)為示出圖4(a)的半導(dǎo)體器件的側(cè)視圖。
圖5(a)為示出根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的俯視圖，圖5(b)為取自圖5(a)的線A-A的截面圖，而圖5(c)為示出圖5(a)的半導(dǎo)體器件的側(cè)視圖。
圖6(a)為示出根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的俯視圖，圖6(b)為取自圖6(a)的線A-A的截面圖，而圖6(c)為示出圖6(a)的半導(dǎo)體器件的側(cè)視圖。
圖7(a)為示出根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的俯視圖，圖7(b)為取自圖7(a)的線A-A的截面圖，而圖7(c)為示出圖7(a)的半導(dǎo)體器件的側(cè)視圖。
圖8為示出根據(jù)本發(fā)明第六實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的俯視圖。
圖9(a)為示出根據(jù)本發(fā)明第七實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的俯視圖，圖9(b)為取自圖9(a)的線A-A的截面圖，而圖9(c)為示出圖9(a)的半導(dǎo)體器件的側(cè)視圖。
圖10為示出根據(jù)本發(fā)明第八實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的俯視圖。
圖11(a)為示出常規(guī)半導(dǎo)體器件的俯視圖，圖11(b)為取自圖11(a)的線A-A的截面圖，而圖11(c)為示出圖11(a)的半導(dǎo)體器件的側(cè)視圖。
具體實(shí)施例方式
以下將參考附圖描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。
(第一實(shí)施例)圖1(a)為示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的MOSFET(半導(dǎo)體器件)的俯視圖，圖1(b)為取自圖1(a)的線A-A的截面圖，而圖1(c)為示出圖1(a)的MOSFET的側(cè)視圖。該半導(dǎo)體器件通過如下方式構(gòu)建將構(gòu)成MOSFET的半導(dǎo)體芯片21安裝在配備有扁平型引線的引線框架22上，然后用樹脂封裝23密封，由此將該半導(dǎo)體器件變成為表面安裝型半導(dǎo)體器件。更具體地說，該半導(dǎo)體器件包括樹脂封裝23；四根集成在樹脂封裝23中的主引線25a、25b、25c和25d，以便構(gòu)成芯片安裝部分24；安裝在芯片安裝部分24上的半導(dǎo)體芯片21；連接到半導(dǎo)體芯片21的源電極的第一表面引線26；連接到半導(dǎo)體芯片21的柵電極的第二表面引線27；和接觸半導(dǎo)體芯片21的漏電極。主引線25a、25b、25c和25d沿著樹脂封裝23的底側(cè)向外突出。
這里，利用導(dǎo)電粘合劑將芯片安裝部分24固定到形成于半導(dǎo)體芯片21的整個后表面上的漏電極，并通過四根主引線25a、25b、25c和25d將芯片安裝部分24與外部相連。此外，第一和第二表面引線26和27分別與主引線隔開，且第一表面引線26的突出區(qū)和第二表面引線27的突出區(qū)被引出，從而相對于樹脂封裝23的中線對稱，由此分別通過焊線28和29連接到形成于半導(dǎo)體芯片21的表面上的源電極和柵電極。引線框架22通過用Su-2Bi鍍層覆蓋長的銅板而形成。此外，每根引線的厚度為0.11mm而寬度為0.2mm。
接下來，將描述安裝半導(dǎo)體器件的方法。首先，將描述制造引線框架的方法。如圖2所示，通過沖壓金屬制成的板狀體(銅板)且利用電鍍法用Sn-2Bi鍍層覆蓋經(jīng)沖壓的板狀體，來形成引線框架22。在引線框架22中，利用具有定位孔(sprocket holes)31的側(cè)條32將多個單元33彼此連接起來。此外，通過沖壓工序形成芯片安裝部分24，使其位于引線平面的略微上方。這是為了通過減小半導(dǎo)體芯片的焊盤和引線之間的距離，從而使焊線變短，以便獲得小的焊線電阻。
接下來，將描述在引線框架上安裝MOSFET的方法。
如圖3(a)所示，構(gòu)成MOSFET的半導(dǎo)體芯片21的后表面被安裝到圖2所示的引線框架的芯片安裝部分24上以被固定，且利用焊線29將第二表面引線27連接到形成于半導(dǎo)體芯片21的表面上的柵電極。
此后，如圖3(b)所示，利用焊線28將第一表面引線26連接到形成于半導(dǎo)體芯片21的表面上的源電極。然后，如圖3(c)所示，用環(huán)氧樹脂進(jìn)行密封工藝以形成半導(dǎo)體器件。
最后，如圖3(d)所示，從側(cè)條32切斷每根引線，使得從樹脂封裝23向外突出的每根引線的突出區(qū)具有預(yù)定長度，由此獲得具有扁平型引線的表面安裝型半導(dǎo)體器件。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，主引線和第一與第二表面引線沿著樹脂封裝23的底面向外突出，從而能夠使得半導(dǎo)體器件薄且重量輕。在本發(fā)明的該實(shí)施例中，樹脂封裝23的厚度為0.7mm，從半導(dǎo)體芯片21的上表面到樹脂封裝23的上表面的距離為0.25到0.40mm。此外，由于可以將外部引線，即每根引線從樹脂封裝23向外突出的向外突出部分制作得短，因而能夠減小芯片安裝區(qū)域和開態(tài)電阻。在本發(fā)明的該實(shí)施例中，從樹脂封裝23向外突出的每根引線的向外突出部分的長度為0.2mm。而且，和現(xiàn)有技術(shù)中的2.67mΩ相比，每根引線的開態(tài)電阻被減小為0.23mΩ。
此外，由于連接到半導(dǎo)體芯片21的整個后表面的四根主引線從樹脂封裝23向外突出，因此顯著地減小了漏極端子的接觸電阻。具體地講，由于四根主引線是扁平型引線，每根引線的長度短，且由于每根引線與印刷電路板的線路層接觸的面積大，因此樹脂封裝具有極好的散熱特性。
此外，盡管半導(dǎo)體芯片的尺寸增加了，卻不必在樹脂密封工藝之后彎折引線。而且，在制作引線形狀的工藝中，即使樹脂的厚度很小，樹脂也不會變形或開裂，從而能夠提供薄且高度可靠的半導(dǎo)體器件。在本發(fā)明的該實(shí)施例中，芯片的最大可安裝尺寸為1.35mm×1.24mm。
此外，引線沿著樹脂封裝的底面向其外突出。因此，可以提供一種在安裝于印刷電路板等上時沒有接觸不良的半導(dǎo)體器件。照此，根據(jù)本實(shí)施例，有可能實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的外部端子結(jié)構(gòu)。
此外，主引線和第一與第二表面引線在樹脂封裝之內(nèi)被彎折。因此，在樹脂密封工藝之后不必再彎折引線，而且在制作引線形狀的工藝中，即使樹脂的厚度很薄，樹脂也不會變形或開裂。此外，能夠增加樹脂封裝和第一與第二表面引線之間的粘著以及樹脂封裝和主引線之間的粘著。
此外，即使當(dāng)半導(dǎo)體芯片安裝在引線框架上時，也可以通過支撐其的四根主引線使芯片安裝部分保持平坦，因此，可以進(jìn)行無位置偏差的高度可靠的結(jié)合操作。而且，由于在樹脂密封之后在沿著樹脂封裝的底面的方向切斷了引線，因此在半導(dǎo)體器件中沒有變形。
此外，在根據(jù)本發(fā)明的引線框架中，當(dāng)形成于引線表面上鍍Sn-Bi層的線路線(wiring lines)由金屬，例如金制成時，那么焊接操作就能夠容易地進(jìn)行，而且低共熔晶體也可以容易地形成，因此，在將引線框架安裝于印刷電路板等上時能夠可靠地進(jìn)行結(jié)合操作。此外，除了沖壓工藝之外，通過光刻工藝，本實(shí)施例的引線框架可以是高精度且可靠的引線框架。
(第二實(shí)施例)接下來，將描述本發(fā)明的第二實(shí)施例。類似的符號指示和第一實(shí)施例中類似的元件。
圖4(a)為示出根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的俯視圖，圖4(b)為取自圖4(a)的線A-A的截面圖，而圖4(c)為示出圖4(a)的半導(dǎo)體器件的側(cè)視圖。如圖4(a)到4(c)所示，第二實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施例的相同，只是兩根主引線25c和25d從彼此相對設(shè)置的兩側(cè)中的一側(cè)向外突出，而一根主引線25a從兩側(cè)中的另一側(cè)向外突出，第一和第二表面引線26和27從樹脂封裝23向外突出，且主引線配置得關(guān)于樹脂封裝23的中線不對稱。
本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件以與第一實(shí)施例相同的方式制造。不過，在第二實(shí)施例中，引線框架的引線在其上安裝有或未安裝半導(dǎo)體芯片時都是非對稱的，從而能夠容易地確認(rèn)安裝方向，這提高了安裝效率。
(第三實(shí)施例)接下來，將描述本發(fā)明的第三實(shí)施例。類似的符號指示和第一實(shí)施例中類似的元件。
圖5(a)為示出根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的俯視圖，圖5(b)為取自圖5(a)的線A-A的截面圖，而圖5(c)為示出圖5(a)的半導(dǎo)體器件的側(cè)視圖。如圖5(a)到5(c)所示，第三實(shí)施例的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施例的相同，只是兩根主引線25c和25d從彼此相對設(shè)置的兩側(cè)中一側(cè)向外突出，而一根主引線25e從兩側(cè)中另一側(cè)向外突出，且從該兩側(cè)中另一側(cè)向外突出的一根主引線25e的寬度大于從該兩側(cè)中一側(cè)向外突出的兩根主引線25c和25d的寬度。這里，主引線配置得關(guān)于樹脂封裝23的中線不對稱。
本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件以與第一實(shí)施例相同的方式制造。不過，在第三實(shí)施例中，與第二實(shí)施例相比，引線框架具有大寬度的引線，從而向印刷電路板的散熱增加了。此外，引線設(shè)置得不對稱，從而能夠容易地確認(rèn)安裝方向，這也提高了安裝效率。
(第四實(shí)施例)接下來，將描述本發(fā)明的第四實(shí)施例。類似的符號指示和第一實(shí)施例中類似的元件。
圖6(a)為示出根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的俯視圖，圖6(b)為取自圖6(a)的線A-A的截面圖，而圖6(c)為示出圖6(a)的半導(dǎo)體器件的側(cè)視圖。如圖6(a)到6(c)所示，第四實(shí)施例的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施例的相同，只是一根主引線25f從彼此相對設(shè)置的兩側(cè)中一側(cè)向外延伸，而一根主引線25e從兩側(cè)中另一側(cè)向外延伸，第一和第二表面引線26和27從樹脂封裝23向外延伸，且從該兩側(cè)中另一側(cè)向外突出的主引線25e的寬度等于從該兩側(cè)中一側(cè)向外突出的主引線25f的寬度。這里，如此構(gòu)造主引線的突出區(qū)，使得它們關(guān)于樹脂封裝的中心呈點(diǎn)對稱且關(guān)于中軸對稱，還如此構(gòu)造第一和第二表面引線的突出區(qū)，使得它們關(guān)于樹脂封裝的中心對稱且關(guān)于樹脂封裝的中軸對稱。
本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件以和第一實(shí)施例相同的方式制造。不過，在第四實(shí)施例中，與第二實(shí)施例相比，引線框架具有大寬度的引線，從而向印刷電路板的散熱增加了，且能夠容易地確認(rèn)安裝方向，這提高了安裝效率。
此外，在本實(shí)施例中，由于主引線的突出區(qū)構(gòu)造得關(guān)于樹脂封裝的中心點(diǎn)對稱且關(guān)于中軸對稱，且第一和第二表面引線的突出區(qū)也構(gòu)造得關(guān)于樹脂封裝的中心點(diǎn)對稱且關(guān)于樹脂封裝的中軸對稱，因此，即使柵極的位置和源極的位置需要改變，也可以旋轉(zhuǎn)地安裝半導(dǎo)體芯片，結(jié)果，安裝操作因?yàn)榘惭b中的高度靈活性而變得容易了。
(第五實(shí)施例)接下來，將描述本發(fā)明的第五實(shí)施例。根據(jù)本發(fā)明的第五實(shí)施例，第五實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)與第三實(shí)施例相同，只是具有大寬度的主引線配備有開口33。圖7(a)為示出根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的俯視圖，圖7(b)為取自圖7(a)的線A-A的截面圖，而圖7(c)為示出圖7(a)的半導(dǎo)體器件的側(cè)視圖。如圖7(a)和7(c)所示，開口33被配置為具有多個圓孔。這里，類似的符號指示和第一實(shí)施例中類似的元件。
亦即，根據(jù)上述半導(dǎo)體器件，由于構(gòu)成樹脂封裝的密封樹脂填充在形成于主引線中的開口，因此能夠改善樹脂封裝和主引線之間的粘著。因此，能夠防止樹脂封裝和主引線剝落(熱膨脹)，這種剝落是因?yàn)闈B入主引線和樹脂封裝之間的界面中的空氣或水氣受熱膨脹而發(fā)生的。
(第六實(shí)施例)此外，盡管在第五實(shí)施例中開口33具有多個圓孔，也可以將它配置來具有長孔，如圖8所示。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，能夠獲得與第五實(shí)施例相同的效果。
(第七實(shí)施例)接下來，將描述本發(fā)明的第七實(shí)施例。
根據(jù)本發(fā)明的第七實(shí)施例，第七實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)與第三實(shí)施例相同，只是每根具有大寬度的主引線都配備有開口33。圖9(a)為示出根據(jù)本發(fā)明第七實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的俯視圖，圖9(b)為取自圖9(a)的線A-A的截面圖，而圖9(c)為示出圖9(a)的半導(dǎo)體器件的側(cè)視圖。如圖9(a)和9(c)所示，開口33被配置為具有多個圓孔。這里，類似的符號指示和第一實(shí)施例中類似的元件。
亦即，根據(jù)上述半導(dǎo)體器件，由于構(gòu)成樹脂封裝的密封樹脂填充在形成于每根主引線中的開口中，因此能夠改善樹脂封裝和主引線之間的粘著。因此，能夠防止樹脂封裝和主引線剝落(熱膨脹)，這種剝落是因?yàn)闈B入主引線和樹脂封裝之間的界面中的空氣或水氣受熱膨脹而發(fā)生的。
(第八實(shí)施例)此外，盡管在第五實(shí)施例中的開口33具有多個圓孔，也可以將它配置來具有長孔，如圖10所示。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，能夠獲得與第七實(shí)施例相同的效果。
此外，在上述實(shí)施例中，盡管針對安裝MOSFET的方法對其進(jìn)行了描述，但其并不限于分立器件，而是可以應(yīng)用于IC、LSI等。
根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件，由于它還可以用于大尺寸的半導(dǎo)體芯片，因此它對于各種器件以及開關(guān)MOSFET都是有用的。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件，包括樹脂封裝；至少兩根主引線，集成在所述樹脂封裝中以構(gòu)成芯片安裝部分；安裝在所述芯片安裝部分上的半導(dǎo)體芯片；以及第一表面引線和第二表面引線，每根均電連接到形成于所述半導(dǎo)體芯片的表面上的電極，其中所述主引線和所述第一表面引線和第二表面引線分別沿著所述樹脂封裝的底面向外突出。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述主引線和所述第一表面引線與第二表面引線分別在所述樹脂封裝之內(nèi)被彎折。
3.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體器件，其中所述芯片安裝部分形成于位于所述樹脂封裝的上表面?zhèn)鹊闹饕€的表面上。
4.如權(quán)利要求1到3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件，其中所述主引線包括多根引線，在所述主引線從所述樹脂封裝向外突出的突出區(qū)中，所述多根引線每根均具有大于所述第一表面引線和第二表面引線的寬度，或配置來使得其間的間隙小于所述第一表面引線和第二表面引線之間的間隙。
5.如權(quán)利要求1到4中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件，其中在所述芯片安裝部分中彼此相對的主引線具有不同的寬度。
6.如權(quán)利要求1到5中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第一表面引線和第二表面引線如此設(shè)置，使得在其突出區(qū)中它們關(guān)于所述樹脂封裝的中線對稱。
7.如權(quán)利要求1到6中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件，其中所述半導(dǎo)體芯片一面朝上地安裝于所述芯片安裝部分上。
8.如權(quán)利要求1到7中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件，其中所述樹脂封裝配置來使得從所述半導(dǎo)體芯片的上表面到所述樹脂封裝的上表面的距離為0.25到0.40mm。
9.如權(quán)利要求1到8中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件，其中所述主引線形成有開口；以及構(gòu)成所述樹脂封裝的密封樹脂填充在形成于所述主引線中的開口中。
全文摘要
本發(fā)明為了提供一種即使在使用大尺寸芯片時仍能做小、且其中能夠形成低開態(tài)電阻的MOSFET的半導(dǎo)體器件，公開了一種半導(dǎo)體器件，其包括樹脂封裝；至少兩根主引線，集成在所述樹脂封裝中以構(gòu)成芯片安裝部分；安裝在所述芯片安裝部分上的半導(dǎo)體芯片；以及第一和第二表面引線，每個均電連接到形成于所述半導(dǎo)體芯片的表面上的電極。所述主引線和所述第一和第二表面引線分別沿著所述樹脂封裝的底面向外突出。
文檔編號H01L23/488GK1870257SQ200510107030
公開日2006年11月29日 申請日期2005年9月27日 優(yōu)先權(quán)日2005年5月24日
發(fā)明者宇都宮哲, 高野好弘 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社