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用于半導(dǎo)體封裝的引線框的制作方法

文檔序號:6854793閱讀:117來源:國知局
專利名稱:用于半導(dǎo)體封裝的引線框的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及具有高模塑料(molding compound)粘合性的用于半導(dǎo)體封裝的引線框。
背景技術(shù)
引線框與半導(dǎo)體芯片一起構(gòu)成半導(dǎo)體封裝。引線框便于半導(dǎo)體封裝與外部端子(例如PCB)的連接,還能支撐半導(dǎo)體芯片。
圖1是顯示半導(dǎo)體封裝典型引線框的平面圖。參照圖1,引線框1包括管芯墊(Die pad)2和多個與其連接的引腳。管芯墊2通過導(dǎo)軌(rail)7與管芯墊支撐單元3連接,并且支撐半導(dǎo)體芯片(未顯示)。
多個引腳包括多個內(nèi)引腳4和多個外引腳5。在內(nèi)引腳4和外引腳5之間形成維持間隙并支撐間隙的擋板(dam bar)6。在完成半導(dǎo)體封裝的裝配后,除去導(dǎo)軌7和擋板6。
例如具有上述結(jié)構(gòu)的引線框與半導(dǎo)體芯片(例如存儲器件)通過裝配過程一起構(gòu)成半導(dǎo)體封裝。裝配過程的實例包括芯片粘結(jié)過程、引線焊接過程和模塑過程。芯片粘結(jié)過程是將半導(dǎo)體芯片(管芯)粘結(jié)到引線框的管芯墊上的過程;引線焊接過程是使用金屬(例如金)將半導(dǎo)體芯片的端子單元鍵合到引線框的內(nèi)引腳上的過程;并且模塑過程是使用絕緣材料,例如模塑樹脂(例如環(huán)氧模塑材料(EMC))密封芯片、引線和內(nèi)引腳的過程。
為了增強在芯片粘結(jié)過程中半導(dǎo)體芯片和管芯墊之間的粘合性,并且提高引線焊接過程中引線與內(nèi)引腳4的焊接能力,可以在管芯墊2和內(nèi)引腳4上涂覆具有預(yù)定特性的金屬。另外,為了在模塑過程后提高裝配過程中外引腳5的焊劑可濕性,舉例來說可以使用錫-鉛(Sn-Pb)合金在外引腳5的預(yù)定部分上鍍覆焊接基料。
但是,鍍覆焊接基料的過程是復(fù)雜的,并且暴露的鉛(Pb)和鍍Pb溶液可能引起環(huán)境問題。另外,在鍍覆焊接基料的過程中需要除去鍍層不均勻性的過程。另外,由于鍍液滲入引線框表面和模塑樹脂之間而發(fā)生半導(dǎo)體芯片的故障。
為了解決上述問題,已經(jīng)建議了一種預(yù)鍍引線框的方法。在該方法中,通過在實施半導(dǎo)體封裝過程之前,在金屬外層上預(yù)鍍具有高焊劑可濕性的材料,從而在后續(xù)過程中可以省略鍍Pb過程。由于后續(xù)過程簡單并且通過在半導(dǎo)體封裝過程中省略了鍍Pb過程而減少了環(huán)境問題,使用預(yù)鍍引線框方法預(yù)鍍的引線框已經(jīng)引起人們的關(guān)注。
圖2是顯示使用傳統(tǒng)預(yù)鍍引線框方法生產(chǎn)的引線框?qū)嵗钠室晥D。參照圖2,在包含Cu作為主要組分的基礎(chǔ)金屬層11上完全形成鎳(Ni)鍍層12,并且在Ni鍍層12上直接形成鈀(Pd)鍍層13。即,在基礎(chǔ)金屬層11上順序鍍上Ni和Pd。
當(dāng)使用具有Pd層最外層的引線框時,避免了暴露Pb的環(huán)境問題,并且可以簡化半導(dǎo)體封裝過程。但是,由于半導(dǎo)體封裝過程產(chǎn)生的熱量,Pd鍍層13形成氧化的Pd化合物,這會不利地影響Pd層13的物理性質(zhì)(例如電導(dǎo)性、粘合性等)。具體地說,Pd鍍層13的氧化降低了金引線和引線框之間的界面粘合性(引線焊接能力)和焊劑可濕性。另外,當(dāng)Pd鍍層13在鍍覆期間吸收氫時,Pd鍍層13變?nèi)?變脆并且沖擊時易于開裂。
在美國專利第6469386號中已經(jīng)建議了各種解決前述問題的引線框。本文中如圖3A和3B所示顯示了兩種這種引線框。在圖3A所示的一種引線框中,在基礎(chǔ)金屬層21上順序形成Ni鍍層22、Pd層23和金(Au)鍍層24。在圖3B所示的另一種引線框中,在基礎(chǔ)金屬層21上順序形成Ni或Ni合金鍍層22’、Pd或Pd合金層23’和Au-Pd合金鍍層24’。鍍層22、23、24和22’、23’、24’的結(jié)構(gòu)基本上與圖2中所述的結(jié)構(gòu)相同,添加了最外層的Au鍍層24或Au-Pd合金鍍層24’。
Au的抗氧化性比Pd好。因此,如圖3A所示,當(dāng)在引線框的最外部分pf上形成純Au鍍層24時,在實施熱過程的半導(dǎo)體封裝過程期間,Au鍍層24阻止了Pd鍍層23被氧化,從而解決了傳統(tǒng)的低引線焊接能力和焊劑可濕性問題。
但是,不利地模塑樹脂通常與純金屬或合金表面具有低的親和力。此外,公知與純金屬或合金表面相比,當(dāng)在純金屬或合金表面上形成了氧化層時,提高了模塑樹脂的粘合性。因此,當(dāng)在模塑樹脂的接觸表面上形成了純的Au鍍層作為防止Pd的氧化層時,降低了模塑樹脂的粘合性。
改善模塑樹脂與金屬表面粘合性的一種公知的方法如圖3B所示,當(dāng)在Pd或Pd合金鍍層23’上形成由Au和Pd組成的Au-Pd合金鍍層24’時,通過暴露的表面Pd部分的氧化,增加了模塑樹脂和Au-Pd合金鍍層24’之間的粘合性。
最近,生產(chǎn)環(huán)境友好的半導(dǎo)體封裝的方法受到關(guān)注。為了生產(chǎn)無環(huán)境問題的半導(dǎo)體封裝,在溫度和濕度非常高的苛刻氣氛下需要引線框和模塑樹脂之間具有高的粘合性。但是,在這種苛刻的氣氛下,Au-Pd合金鍍層24’具有與模塑樹脂不良的粘合性。
即,如同后面所述,根據(jù)在85℃的溫度和85%相對濕度的氣氛下通過168小時后,取樣測試的濕氣敏感性水平(MSL)評價的結(jié)果,觀察到層嚴(yán)重分層并且模塑樹脂的粘合性降低。因此,模塑樹脂的粘合性在例如高濕度條件的苛刻氣氛下降低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種用于半導(dǎo)體封裝的引線框,所述引線框具有低的分層問題和高的模塑樹脂粘合性、高的界面粘合性;以及Au線和引腳之間的焊劑可濕性。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面,提供了一種用于半導(dǎo)體封裝的引線框,其包括基礎(chǔ)金屬層、在所述基礎(chǔ)金屬層上形成的多層鍍層,其中所述多層鍍層包括沉積在基礎(chǔ)金屬層上的Ni或Ni合金的Ni鍍層;堆疊在Ni鍍層上的Pd或Pd合金的Pd鍍層;以及堆疊在Pd鍍層上的Au或Au合金的保護鍍層,其中形成具有預(yù)定厚度和表面粗糙度的Ni鍍層。
在一個實施方案中,Ni鍍層可以包括在基礎(chǔ)金屬層表面上均勻形成的具有預(yù)定厚度的第一Ni鍍層;以及在所述第一Ni鍍層上粗糙形成的具有預(yù)定厚度和表面粗糙度的第二Ni鍍層。
在另一個實施方案中,Ni鍍層可以包括在基礎(chǔ)金屬層上粗糙形成的具有預(yù)定厚度和表面粗糙度的第一Ni鍍層;以及在所述第一(即更粗糙的)Ni鍍層上均勻形成的具有預(yù)定厚度的第二Ni鍍層。
在再另一個實施方案中,Ni鍍層可以包括在基礎(chǔ)金屬層上均勻形成的具有預(yù)定厚度的第一Ni鍍層;在第一Ni鍍層上粗糙形成的具有預(yù)定厚度和表面粗糙度的第二(即更粗糙的)Ni鍍層;以及在所述第二(即更粗糙的)Ni鍍層上均勻形成的具有預(yù)定厚度的第三Ni鍍層。


通過參照附圖詳細地說明本發(fā)明的示例性實施方案,本發(fā)明的上述和其它特征及優(yōu)點將變得更加明顯。
圖1是顯示半導(dǎo)體封裝傳統(tǒng)引線框的平面圖;圖2是顯示半導(dǎo)體封裝傳統(tǒng)引線框鍍層結(jié)構(gòu)的剖視示意圖;圖3A和3B是顯示半導(dǎo)體封裝另一個傳統(tǒng)引線框的鍍層結(jié)構(gòu)的剖視示意圖;圖4是顯示根據(jù)本發(fā)明第一實施方案的半導(dǎo)體封裝引線框的鍍層結(jié)構(gòu)的剖視示意圖;圖5是顯示根據(jù)本發(fā)明第二實施方案的半導(dǎo)體封裝引線框的鍍層結(jié)構(gòu)的剖視示意圖;圖6是顯示根據(jù)本發(fā)明第三實施方案的半導(dǎo)體封裝引線框的鍍層結(jié)構(gòu)的剖視示意圖;圖7到圖9分別顯示了包括根據(jù)圖4到6的鍍層結(jié)構(gòu)的引線框表面;圖10顯示了圖2中描述的傳統(tǒng)引線框的表面;圖11是表示對本發(fā)明實施方案和比較實施例實施取樣試驗的粘合性試驗結(jié)果的圖;圖12到14顯示了用于取樣試驗的試樣;并且圖15是比較本發(fā)明的分層與比較實施例的分層的表格。
具體實施例方式
現(xiàn)在將參照表示了本發(fā)明各個實施方案的附圖全面說明本發(fā)明。
圖4是顯示根據(jù)本發(fā)明第一實施方案的半導(dǎo)體封裝引線框的鍍層結(jié)構(gòu)的剖視示意圖。
參照圖4,根據(jù)本發(fā)明第一實施方案的用于半導(dǎo)體封裝的引線框包含基礎(chǔ)金屬層21、Ni鍍層122、粗糙的Ni鍍層125、Pd鍍層123和保護鍍層124。
基礎(chǔ)金屬層21是由Cu或合金42材料作為主要組分來組成;Ni鍍層122由Ni或Ni合金組成;Pd鍍層123由Pd或Pd合金組成;并且保護鍍層124由Au或Au合金組成。
Ni鍍層122通過基礎(chǔ)金屬層21材料,例如Cu向引線框表面的擴散,阻止了氧化銅或硫化銅的形成。
本領(lǐng)域公知可以通過電鍍工藝,包括在將基礎(chǔ)金屬層21暴露于可以包括Ni、H3BO3和Cl中一種或多種的Ni溶液中時,施用在約10-30安培/100cm2(ASD)范圍內(nèi)的電流密度10-30秒,可以沉積Ni鍍層122、125。鍍層122、125的例示厚度可以在10-50微英寸的范圍內(nèi)。
在一個實施例鍍覆過程中,通過在暴露于化學(xué)浴中后向基礎(chǔ)金屬層21施用高電流密度(例如大于10安培/100cm2)來電鍍,在第一Ni鍍層122上形成更粗糙的Ni鍍層125。化學(xué)浴實例可以包括濃度為30克/升的硫酸鎳、濃度為30克/升的硫酸銨、濃度為50克/升的硫酸鈉、濃度為20克/升的氯化鈉,以及濃度為25克/升的硼酸。在另一個實施例鍍覆過程中,可以在卷盤到卷盤型工藝中實施鍍覆,其中提供在一側(cè)繞著滾軸纏繞的半導(dǎo)體引線框,并且當(dāng)完成鍍覆時,半導(dǎo)體引線框纏繞在滾軸的另一側(cè)。為了增加鍍覆速度并且穩(wěn)定地獲得更粗糙的Ni合金層,可以施加更高的電流,例如50ASD。鍍覆時間可以在約5-20秒的范圍內(nèi)。如果鍍覆時間小于5秒,保證具有適當(dāng)厚度的更粗糙的Ni合金層是困難的,而如果鍍覆時間大于20秒,可能發(fā)生Ni鍍層的污染。
典型地,Pd或Pd合金具有高的焊劑可濕性。因此,Pd鍍層123在更粗糙的Ni鍍層125上形成,并且起著保護更粗糙的Ni鍍層125表面并且便于焊接的作用。
由Au或Au合金組成的保護鍍層124阻止Pd鍍層123在暴露于空氣時吸收氫氣。即,保護鍍層124通過在生產(chǎn)半導(dǎo)體封裝中引線框經(jīng)歷熱過程時阻止Pd鍍層123的氧化而阻止了引線框1(圖1)焊劑可濕性的降低。
Ni鍍層122的厚度在約10-50微英寸的范圍內(nèi);更粗糙的Ni鍍層125的厚度在約1-10微英寸的范圍內(nèi);并且Pd鍍層123的厚度在約0.2-1.0微英寸的范圍內(nèi)。保護鍍層124通過閃熔鍍覆來形成。如果保護鍍層124形成得太薄,維護成本增加,并且如果保護鍍層124形成得太厚,因為昂貴的Au的消耗增加,生產(chǎn)成本可能過度增加。因此,必須維持適當(dāng)?shù)暮穸取?br> 如上所述,當(dāng)在引線框的表面上沉積鍍層時,引線框和模塑樹脂之間的粘合性顯著增加。已經(jīng)使用通過使用與模塑樹脂具有高粘合性的材料鍍覆引線框的最外表面來進一步增加模塑樹脂和引線框之間的粘合性的方法。但是,如同將在下文中進一步闡述,模塑樹脂和引線框之間的粘合性可以通過形成具有粗糙表面的鍍層來增加。因此,因為通過更粗糙的鍍層顯著增強了模塑樹脂和引線框之間的粘合性,所以如果材料具有其它優(yōu)點,例如高的Pb可濕性或低的成本,可以使用與模塑樹脂具有較低粘合性的材料作為形成保護鍍層124的材料。舉例來說,在某些方面,銀(Ag)可以用于保護鍍層124。因此,因為構(gòu)成引線框的材料的選擇范圍增加,所以可以增強引線框的其它特性,例如低的材料成本或高的Pb可濕性。
圖5是顯示根據(jù)本發(fā)明第二實施方案的半導(dǎo)體封裝引線框的鍍層結(jié)構(gòu)的剖視示意圖。
參照圖5,根據(jù)第二實施方案的引線框包括基礎(chǔ)金屬層21、第一Ni鍍層122a、第二(更粗糙的)Ni鍍層125、第三Ni鍍層122b、Pd鍍層123和保護鍍層124。
本實施方案與前一實施方案之間的差異是Ni鍍層122a和122b夾住更粗糙的Ni鍍層125。Ni鍍層122a、122b的厚度在約10-50微英寸的范圍內(nèi),并且Ni鍍層125的厚度在約1-10微英寸的范圍內(nèi)。
圖6是顯示根據(jù)本發(fā)明第三實施方案的半導(dǎo)體封裝引線框的鍍層結(jié)構(gòu)的剖視示意圖。
參照圖6,根據(jù)本實施方案的半導(dǎo)體封裝引線框包括基礎(chǔ)金屬層21、第一(更粗糙的)Ni鍍層125、第二Ni鍍層122、Pd鍍層123和保護鍍層124。
本實施方案與圖4所示的第一實施方案之間的差異是交換了更粗糙的Ni鍍層125和Ni鍍層122的位置。
從圖4-6和前述說明中可以看出,通過形成在鍍層中包括更粗糙的Ni鍍層125的引線框表面可以生產(chǎn)具有物理上優(yōu)異粘合性的引線框。
圖7到9分別顯示了根據(jù)本發(fā)明的圖4到6的引線框的表面。圖10顯示了圖2中描述的半導(dǎo)體封裝傳統(tǒng)引線框的表面。
通過比較圖2與圖7-9,根據(jù)本發(fā)明實施方案的引線框的表面具有比傳統(tǒng)引線框表面更粗糙的表面。因此,通過源于粘結(jié)模塑樹脂后引線框表面粗糙化的粘結(jié)/摩擦力的增加,模塑樹脂和引線框之間的粘合性增加。
在生產(chǎn)出根據(jù)本發(fā)明實施方案的引線框后,通過掃描電子顯微鏡(SEM)檢查引線框的表面粗糙度。但是,使用SEM檢查表面粗糙度需要時間并且難于與鍍覆過程同時實施。因此,需要發(fā)展一種在進行鍍覆過程時快速檢查表面粗糙度的方法。因此,為此可以使用本領(lǐng)域公知的光澤度測量方法。當(dāng)測量的光澤度位于0.2-0.8的范圍內(nèi)時,認為引線框具有所需的表面粗糙度。如果光澤度小于0.2,表面粗糙度太高并且在模塑期間例如Ag環(huán)氧的樹脂可以鋪展,并且產(chǎn)生會引起質(zhì)量問題的樹脂滲出溢流(RBO)。如果光澤度大于0.8時,表面粗糙度不足,并且濕氣靈敏度水平(MSL)的增加不夠有效。
現(xiàn)在詳細地說明本發(fā)明的一個方面到比較實施例。本發(fā)明不局限于下面的比較實施例。
圖11是表示用來比較根據(jù)本發(fā)明實施方案與另一個比較實施方案的引線框,基于通過對各種半導(dǎo)體封裝實施取樣試驗而獲得的數(shù)據(jù)的模塑剪切力的圖。圖12到14顯示了接受取樣試驗的半導(dǎo)體封裝試樣及其引腳/針腳的形狀和尺寸。圖15是表示源于取樣試驗的半導(dǎo)體封裝試樣的模塑樹脂分層程度的表格。此處,分層程度指在施用了下面的試驗條件后,即實施了濕氣吸收過程和回流后,來自模塑樹脂和引線框之間整個可能接觸區(qū)域的模塑樹脂與引線框分離的程度。
試樣和試驗條件如下。
1.試樣(1)引線框1-3)實施方案1、2和3是分別包括具有根據(jù)圖4到6的鍍層的引線框的半導(dǎo)體封裝。每個半導(dǎo)體封裝的引腳/針腳的厚度為0.25納米、寬度為6毫米并且長度為25毫米,其中引線框的基礎(chǔ)金屬層主要由Cu組成。
4)比較實施例1是除了具有基本上更粗糙的Ni鍍層并且沒有保護鍍層外,與上述實施方案1相似的半導(dǎo)體封裝。
5)比較實施例2是除了具有Au保護鍍層外,與上述比較實施例1相似的半導(dǎo)體封裝。
(2)模塑樹脂使用購自Seoul,Korea的Cheil Industries Inc.的SL 7300MES(MQFP型)型。
(3)使用上述引線框和模塑樹脂生產(chǎn)都具有相同尺寸的如圖12到14所述的試樣。
2.試驗條件(1)模具預(yù)固化在175℃的溫度下,4小時;(2)濕氣吸收過程在85℃和85%的相對濕度下,168小時;及(3)回流在于260℃的最大溫度下順序?qū)嵤?三次)后,測量試樣的粘合性。
3.試驗儀器(1)掃描聲學(xué)顯微鏡(SAM)HS-100(SONIX Co.)型(2)強度試驗儀AGS-100A(Shimadzu Co.)型現(xiàn)在參照圖11,具有根據(jù)本發(fā)明圖4到6的引線框的半導(dǎo)體封裝的模塑樹脂粘合性分別大于75kgf、70kgf和64kgf??梢钥闯瞿K軜渲澈闲员染S持本領(lǐng)域公知的半導(dǎo)體封裝可靠性所需要的要大很多。
但是,在比較實施例1的情況中,發(fā)現(xiàn)模塑樹脂的粘合性在約35-53kgf的范圍內(nèi),并且發(fā)現(xiàn)比較實施例2的模塑樹脂粘合性在約12-15kgf的范圍內(nèi)。即包括更粗糙Ni鍍層的引線框的模塑樹脂粘合性顯著大于比較實施例1和2。
參照圖15,當(dāng)觀察使用不直接施加力的條件,在施用了上述比實際更苛刻的試驗條件后,模塑樹脂和引線框之間的焊接狀態(tài)時,在本發(fā)明的本實施方案情況中幾乎不產(chǎn)生分層。圖15中所示的畫陰影部分是分層的部分。但是,在比較實施例1的情況中,在整個區(qū)域一半以上中產(chǎn)生分層,而在比較實施例2的情況中,在大多數(shù)區(qū)域中產(chǎn)生分層。
從圖15中可以看出,與比較實施例1和2相比,具有更粗糙Ni鍍層的引線框具有明顯更低的分層程度。
如上所述,根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝引線框不僅改善了作為引線框質(zhì)量目標(biāo)的引線焊接能力和焊劑可濕性,而且改善了模塑樹脂粘合性和分層問題,從而提高了半導(dǎo)體封裝的可靠性。
另外,因為引線框甚至在苛刻的濕氣吸收氣氛下也具有高的模塑樹脂粘合性和低的分層問題,所以根據(jù)本發(fā)明的引線框適于生產(chǎn)環(huán)境友好的半導(dǎo)體封裝,即無Pb半導(dǎo)體封裝。
當(dāng)已經(jīng)具體地表明并且參照其示例性的實施方案說明了本發(fā)明時,本領(lǐng)域一般技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解可以做出形式和細節(jié)上的各種變化而不會背離由下面權(quán)利要求定義的本發(fā)明的精神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種用于半導(dǎo)體封裝的引線框,其包括基礎(chǔ)金屬層;在所述基礎(chǔ)金屬層上的第一Ni鍍層,所述第一Ni鍍層具有第一厚度和第一表面粗糙度;在所述第一Ni鍍層上的第二Ni鍍層,所述第二Ni鍍層具有第二厚度和第二表面粗糙度;在所述第二Ni鍍層上的Pd鍍層;以及在所述Pd鍍層上的保護鍍層。
2.權(quán)利要求1的引線框,其中所述保護鍍層包含Au或Au合金。
3.權(quán)利要求1的引線框,其中所述第一表面粗糙度基本上大于第二表面粗糙度,并且所述第一厚度在約1.0-10微英寸的范圍內(nèi)。
4.權(quán)利要求3的引線框,其中所述第二預(yù)定厚度在約10-50微英寸的范圍內(nèi)。
5.權(quán)利要求1的引線框,其中所述第一表面粗糙度基本上大于第二表面粗糙度,并且所述第一厚度在約10-50微英寸的范圍內(nèi)。
6.權(quán)利要求5的引線框,其中所述第二厚度在約1.0-10微英寸的范圍內(nèi)。
7.權(quán)利要求1的引線框,其中所述第二表面粗糙度基本上大于第一表面粗糙度,并且所述第二厚度在約1.0-10微英寸的范圍內(nèi)。
8.權(quán)利要求7的引線框,其中所述第一厚度在約10-50微英寸的范圍內(nèi)。
9.權(quán)利要求1的引線框,其中所述第二表面粗糙度基本上大于第一表面粗糙度,并且所述第二厚度在約10-50微英寸的范圍內(nèi)。
10.權(quán)利要求9的引線框,其中所述第一厚度在約1.0-10微英寸的范圍內(nèi)。
11.權(quán)利要求1的引線框,其中所述基礎(chǔ)金屬層包含Cu和合金42之一。
12.權(quán)利要求1的引線框,其中進一步包括放在所述第二Ni鍍層和Pd鍍層之間的第三Ni鍍層,其中所述第三Ni鍍層具有第三厚度和第三表面粗糙度。
13.權(quán)利要求12的引線框,其中所述第二表面粗糙度基本上大于第一表面粗糙度和第三表面粗糙度。
14.權(quán)利要求13的引線框,其中所述第三厚度在約1.0-10微英寸的范圍內(nèi)。
15.權(quán)利要求14的引線框,其中所述第一厚度在約10-50微英寸的范圍內(nèi)。
16.權(quán)利要求12的引線框,其中所述第二厚度在約1.0-10微英寸的范圍內(nèi)。
17.權(quán)利要求1的引線框,其中所述Pd鍍層的厚度在約0.2-1.0微英寸的范圍內(nèi)。
18.權(quán)利要求1的引線框,其中所述保護鍍層包含薄鍍層。
19.權(quán)利要求1的引線框,其中所述第一表面粗糙度和第二表面粗糙度之一在所述保護鍍層上提供了在約0.2-0.8范圍內(nèi)的表面光澤度。
20.權(quán)利要求12的引線框,其中所述基礎(chǔ)金屬層包含Cu和合金42之一。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種用于半導(dǎo)體封裝的引線框,其不僅在苛刻的濕氣吸收氣氛下具有高的模塑樹脂粘合性和低的分層問題,而且與Au線具有高的界面粘合性和焊劑可濕性;并且提供了一種生產(chǎn)所述引線框的方法。所述引線框包括由金屬形成的基礎(chǔ)金屬層以及在至少所述基礎(chǔ)金屬層表面上形成的具有不同成分的多層鍍層,其中所述鍍層包括至少在基礎(chǔ)金屬層表面上沉積并由Ni或Ni合金組成的Ni鍍層;至少堆疊在Ni鍍層表面上并由Pd或Pd合金組成的Pd鍍層;以及至少堆疊在Pd鍍層表面上并由Au或Au合金組成的保護鍍層,其中形成具有預(yù)定厚度和表面粗糙度的Ni鍍層。
文檔編號H01L23/495GK1848420SQ200510107060
公開日2006年10月18日 申請日期2005年9月29日 優(yōu)先權(quán)日2005年4月15日
發(fā)明者姜圣日, 樸世喆 申請人:三星Techwin株式會社
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