專利名稱：發(fā)光元件用基材和電極、包含它們的發(fā)光元件及基材制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及基于有機(jī)發(fā)光材料的發(fā)光元件用基材、其制造方法、發(fā)光元件用電極以及包含它們的發(fā)光元件。
背景技術(shù)：
透明基材通常被用作有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器或發(fā)光元件中的電極。在OLED顯示器中，配置在基材上、由銦錫氧化物(ITO)構(gòu)成的層通常被用作陽極。
為了高效地工作，OLED元件可具有各種性能如電子電導(dǎo)率、空穴電導(dǎo)率和光發(fā)射，但是大多數(shù)被用于OLED的材料只能滿足這些性能之一?？刹捎糜刹煌瑢咏M合形成的多層元件來提高效率。例如，一層可具有優(yōu)異空穴電導(dǎo)率，而另一層可具有較好電子電導(dǎo)率。
在OLED的場(chǎng)合，空穴注入層(HIL)可用在ITO層上以增加包含底板基材和ITO層的陽極的效率。聚亞乙二氧基噻吩/聚苯乙烯磺酸酯(PEDT/PSS)可用作HIL。此種HIL的一個(gè)問題是，使ITO層表面受到腐蝕，因?yàn)闊o法完全避免PEDT/PSS的酸性和離子擴(kuò)散并滲透到OLED的有機(jī)層中。離子對(duì)OLED元件的耐用壽命具有負(fù)面影響(Nucl.Inst.and Meth.In Physics Res.B 194(2002)346；Appl.Phys.Lett.75(1999)1404；Appl.Phys.Lett.81/6(2002)1119；Mat.Sci.Engin.B97(2003)1-4；J.Appl.Phys.79(1996)2745)。
為了維持同樣的效率和提高耐用壽命，可心的是采用一種具有較耐受PEDT/PSS的非ITO的電極材料的基材。該電極材料優(yōu)選為低成本、半透明并具有高電導(dǎo)率。另外，該電極材料可以是柔性的，以便它可應(yīng)用到柔性元件如有機(jī)顯示器元件或有機(jī)太陽能電池中。
高電導(dǎo)率聚亞乙二氧基噻吩(PEDT)已知被作為ITO的替代物。諸如拜爾公司生產(chǎn)的高導(dǎo)電性PEDT(“就地”PEDT，電導(dǎo)率500S/cm)當(dāng)用作ITO替代物時(shí)，在大表面面積OLED元件上具有非常大的電壓損失(ITO的電導(dǎo)率是104S/cm)。因此，OLED元件的亮度隨著與電壓觸點(diǎn)之間的距離增加而衰退。
WO 03/106571A1公開通過更換溶劑提高PEDT/PSS的電導(dǎo)率的方法。PEDT/PSS通常是水溶性的并具有最高10-3S/cm的電導(dǎo)率(H.C.Starck Baytron P TP A14083)的電導(dǎo)率。通過(改變)可溶性聚合物的配方，PEDT可具有最高達(dá)130S/cm的電導(dǎo)率(H.C.StarckBaytron F CPP 105D M)或120S/cm(Agfa Orgacon foil)或500S/cm(H.C.Starck polyster foil JOF 6073，涂以“就地”PEDT涂層)。
通過以醇如乙二醇替代水，PEDT/PSS溶劑的電導(dǎo)率可提高一倍。按照WO 93/106571A1，PEDT/PSS溶劑的電導(dǎo)率可最高達(dá)10-1S/cm。可見，PEDT/PSS溶劑的電導(dǎo)率不能提高到足以替代ITO作為有機(jī)元件的陽極材料。缺點(diǎn)還在于，PEDT/PSS醇溶劑的穩(wěn)定性很低。由于在規(guī)定的時(shí)間以后發(fā)生附聚和凝固，旋涂期間的可印刷性或均勻加工變得困難，并且PEDT/PSS溶劑的耐久性下降。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種耐用發(fā)光元件用基材，它可低成本地制造并包括具有高電導(dǎo)率和長(zhǎng)壽命的有機(jī)材料?？刹捎酶唠妼?dǎo)率的標(biāo)準(zhǔn)PEDT溶劑。
本發(fā)明還提供一種制造該基材、包括該基材的電極，以及包括該電極的發(fā)光元件的方法。
本發(fā)明的附加特征將在下面的描述中給出，并從描述中部分地變得明晰，或者可通過本發(fā)明的實(shí)施被完全掌握。
本發(fā)明公開一種發(fā)光元件用基材，包含底板基材，配置在底板基材上的金屬層和配置在金屬層上的導(dǎo)電聚合物層。
本發(fā)明還公開一種制造發(fā)光元件用基材的方法，包括在底板基材上涂布金屬層并在金屬層上涂布導(dǎo)電聚合物層。
本發(fā)明還公開一種發(fā)光元件用電極，包含底板基材，配置在底板基材上的金屬層和配置在金屬層上的導(dǎo)電聚合物層。
本發(fā)明還公開一種發(fā)光元件，包含第一電極，后者包括配置在底板基材上的金屬層和配置在金屬層上的導(dǎo)電聚合物層；面朝第一電極的第二電極；以及配置在第一電極與第二電極之間的發(fā)光層。
要知道，上面的一般描述和下面的詳細(xì)描述都是示范性的，旨在對(duì)所要求的本發(fā)明提供進(jìn)一步的解釋。


下面的附圖被提供用來進(jìn)一步說明本發(fā)明，屬于并構(gòu)成本發(fā)明的一部分，圖示本發(fā)明的實(shí)施方案并與文字說明一起起到解釋本發(fā)明原理的作用。
圖1是一種基材的示意斷面視圖，包含底板基材、線-狀的金屬層和本發(fā)明一種范例實(shí)施方案的連續(xù)聚合物層。
圖2是一種基材的示意斷面視圖，包括底板基材、線-狀的金屬層和本發(fā)明另一種范例實(shí)施方案的線-狀的聚合物層。
圖3是圖2所示基材的修改實(shí)例的示意斷面視圖。
圖4、圖5和圖6是本發(fā)明范例實(shí)施方案的發(fā)光元件的斷面視圖。
具體實(shí)施例方式下面將參考著展示本發(fā)明實(shí)施方案的附圖更詳細(xì)地描述本發(fā)明。然而，本發(fā)明可以表現(xiàn)為多種不同形式，因此不能認(rèn)為局限于這里所給出的實(shí)施方案。相反，提供這些實(shí)施方案的目的在于使本公開更加精細(xì)，并全面地將本發(fā)明的范圍展現(xiàn)給本領(lǐng)域技術(shù)人員。
要知道，當(dāng)說到一種要素如層、薄膜、區(qū)域和基材位于另一要素上面時(shí)，它可以直接在另一要素上或者還可存在居間的要素。相比之下，當(dāng)提到某要素“直接坐落在”另一要素上時(shí)，則不存在任何居間要素。
本發(fā)明提供一種發(fā)光元件用基材，它基于一種具有高電導(dǎo)率的有機(jī)發(fā)光材料，可低成本地制造、耐用并且具有長(zhǎng)壽命。
圖1是一種基材的示意斷面視圖，包含底板基材1、線-狀的金屬層2和本發(fā)明一種范例實(shí)施方案的連續(xù)聚合物層3。一種硼硅酸鹽玻璃被用作底板基材1。底板基材1在超聲波異丙醇浴中清洗5min，在氮?dú)饬飨赂稍?，然后再接受紫?臭氧處理10min。
接著，通過采用噴墨印刷方法用金屬油墨(實(shí)例HarimaNPS-J LOT C 040218)在底板基材1上印刷并在烘箱中在200℃下回火30min印制約100mm寬的線-狀金屬層2。金屬層2的印刷沉積所采用的油墨可包含金屬，包括但不限于銀(Ag)、銅(Cu)和金(Au)。
金屬層2可為約50nm～約150nm寬和約10nm～約200nm高。相鄰金屬層2之間的距離可為約100μm～約1500μm。
接著，通過旋涂，隨后在180℃的加熱板上干燥10min形成如圖1所示基材，來沉積閉合的80nm層厚的連續(xù)聚合物層3，例如，高度導(dǎo)電PEDT(例子BaytronF CPP 105D M，由拜爾公司出品)。連續(xù)聚合物層3可為約30nm～約300nm厚。
替代地，聚合物層也可安排成線-狀的。在此種情況下，線-狀的聚合物層4可至少部分地覆蓋金屬層2如圖2所示，或者完全覆蓋金屬層2如圖3所示。聚合物層4可為約100nm～約400nm寬和約10nm～約200nm高。相鄰聚合物層之間的距離可為約100μm～約1500μm。線-狀聚合物層4可采用照相平版法或者用噴墨印刷法成形。
聚合物層3和4可包含，但不限于聚亞乙二氧基噻吩和聚苯胺。
聚合物層4可這樣沉積首先在底板基材1上印刷金屬層2，隨后將它們?cè)?80℃的熱板上干燥10min。然后，可在金屬層2上印刷聚合物層4，從而形成如圖2所示基材。
上面參考圖1、圖2和圖3所描述的基材可用作電極，例如，發(fā)光元件中的陽極。另外，可提供一種發(fā)光元件，它用上面描述的基材作為第一電極并包括面朝該第一電極的第二電極和夾在第一電極和第二電極之間的發(fā)光層。
圖4、圖5和圖6是本發(fā)明范例實(shí)施方案的發(fā)光元件的斷面視圖。
如圖4所示，一種本發(fā)明范例實(shí)施方案的有機(jī)電致發(fā)光元件包括成形在基材401上的第一電極430、面朝第一電極430的第二電極440和夾在第一電極430和第二電極440之間的有機(jī)發(fā)光層450。具體地說，可在基材401上成形一個(gè)緩沖層405。第一電極430、有機(jī)發(fā)光層450和第二電極440順序地成形在緩沖層405上，并在第一電極430和第二電極440之間插入極間電介質(zhì)(ILD)層420作為絕緣層。
基材401可包含，例如，硼硅酸鹽玻璃或塑料。緩沖層405可包含SiO2并被用來防止基材401表面沾污或防止潮濕或空氣的滲透。
配置在緩沖層405上的第一電極430可成形為線-狀或者排列成對(duì)應(yīng)于象素的具有規(guī)定形狀的圖案，如某種圖象。本發(fā)明發(fā)光元件用的第一電極430包括被成形為大量直線的金屬層431，和覆蓋金屬層431的連續(xù)聚合物層432。線-狀金屬層431和連續(xù)聚合物層432具有與圖1、圖2和圖3所示的那些金屬層2和聚合物層3同樣的構(gòu)型和排列。于是，具有金屬層431和聚合物層432的第一電極430可具有最高500S/cm的電導(dǎo)率、無電壓降，可撓曲(柔性)并具有高耐用壽命。
包括絕緣材料的ILD層420被成形為覆蓋第一電極430，并在該ILD層420上成形孔421，以便使第一電極430通過該孔421露出。ILD層420可以是有機(jī)絕緣層、無機(jī)絕緣層或有機(jī)-無機(jī)復(fù)合層，具有采用噴墨印刷成形的單層或多層結(jié)構(gòu)。用于ILD層的包括絕緣材料的溶液被噴涂到緩沖層405上，以便采用氟化等離子體對(duì)第一電極430進(jìn)行表面處理從而獲得疏水性能，借此就形成ILD層420。在此種情況下，鑒于ILD層420不是成形在表面處理的第一電極430上，故可成形孔421，以便使第一電極430通過它露出。
成形有機(jī)發(fā)光層450，使之覆蓋第一電極430，以便使有機(jī)發(fā)光層450對(duì)應(yīng)于ILD層420的孔421。面朝第一電極430的第二電極440被成形在有機(jī)發(fā)光層450上。第二電極440可制成覆蓋發(fā)光元件的所有象素，但不限于象素。如果第一電極430被制成對(duì)應(yīng)于具有規(guī)定形狀的象素的圖案，則第二電極440也可成形為對(duì)應(yīng)于該圖案的圖案。
在以上的結(jié)構(gòu)中，第一電極430和第二電極440都可作為陽極或者作為陰極。圖5和圖6所示實(shí)施方案具有作為陽極的第一電極430，和作為陰極的第二電極440。
當(dāng)具有上述結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光元件是正面發(fā)光有機(jī)電致發(fā)光元件時(shí)，第一電極430可以是反射電極，而第二電極440可以是透明電極。當(dāng)具有上述結(jié)構(gòu)的有機(jī)電致發(fā)光元件是背面發(fā)光有機(jī)電致發(fā)光元件時(shí)，第一電極430可以是透明電極，而第二電極440可以是反射電極。當(dāng)具有上述結(jié)構(gòu)的有機(jī)電致發(fā)光元件是兩面發(fā)光的有機(jī)電致發(fā)光元件時(shí)，則第一電極430和第二電極440都可以是透明電極。
有機(jī)發(fā)光層450可以是低分子量或高分子量有機(jī)層。當(dāng)用低分子量有機(jī)層作為有機(jī)發(fā)光層450時(shí)，該低分子量層可通過在單層或多層結(jié)構(gòu)中重疊成形空穴注入層(HIL)、空穴運(yùn)輸層(HTL)、發(fā)光層(EML)、電子運(yùn)輸層(ETL)和電子注入層(EIL)來成形。如果第一電極430和第二電極440的極性調(diào)換，就是說，當(dāng)?shù)谝浑姌O430是陰極，而第二電極440是陽極時(shí)，有機(jī)發(fā)光層450可按照與上面相反的順序疊摞。
各種各樣有機(jī)材料如酞菁銅(CuPc)、N，N′-二(萘-1-基)-N，N′-二苯基-聯(lián)苯胺(NPB)，和三-8-羥基喹啉鋁(Alq3)可用作較低分子量有機(jī)層。這些低分子量有機(jī)層采用真空沉積成形。
當(dāng)用高分子量有機(jī)層作為有機(jī)發(fā)光層450時(shí)，它可包括HTL和EML。在此種情況下，可用PEDOT作為HTL，并采用高分子量材料如聚亞苯基亞乙烯基和聚芴作為EML。這些高分子量有機(jī)層采用網(wǎng)印或噴墨印刷等方法成形。成形了有機(jī)發(fā)光元件以后，將其頂部密封。
圖5畫出一種按照本發(fā)明另一范例實(shí)施方案的有機(jī)電致發(fā)光元件。圖5的有機(jī)電致發(fā)光元件具有類似于圖4的結(jié)構(gòu)，不同的是，第二電極成形在平坦的表面上并且ILD層成形為線-狀。
如圖5所示，第一電極530按照?qǐng)D3成形，其中第一電極530成形在基材501(緩沖層505)上，并包括在基材501上成形的線-狀金屬層531，以及完全覆蓋金屬層531的導(dǎo)電聚合物層532。
類似于圖4中描述的表面處理，成形絕緣層或ILD 520以便在第一電極530和第二電極540之間形成絕緣。不同于圖4中描述的元件，圖5的絕緣層520不是成形在第一電極530上，而是可成形在相鄰第一電極530之間的空間內(nèi)，呈與第一電極530上成形的表面加工圖案一致的線狀。當(dāng)表面加工沿第一電極530是非連續(xù)進(jìn)行時(shí)，由于絕緣層可以形成為晶格形狀，它可以在第一電極530和第二電極540之間絕緣，并限定像素。
有機(jī)發(fā)光層550成形在第一電極530的由絕緣層520暴露出來的區(qū)域內(nèi)。有機(jī)發(fā)光層550與圖4的有機(jī)發(fā)光層450相同，因此有關(guān)其詳細(xì)描述將省略。
面朝第一電極530的第二電極540可成形為覆蓋全部有機(jī)發(fā)光層550和絕緣層520，也就是，覆蓋整個(gè)有機(jī)發(fā)光元件。當(dāng)?shù)谝浑姌O530和有機(jī)發(fā)光層550之一成形在規(guī)定的圖案中時(shí)，第二電極540也可成形為與該圖案相對(duì)應(yīng)的圖案。
另外，聚合物層532可完全覆蓋金屬層531，借此形成第一電極530。然而，聚合物層532也可部分地覆蓋金屬層531，如圖2所示，借此形成第一電極530。在此種情況下，可將絕緣層520成形為覆蓋不被聚合物層532覆蓋的那部分金屬層531。
具有如圖4和圖5所示發(fā)光元件用電極的有機(jī)電致發(fā)光元件已作為無源矩陣(PM)型有機(jī)電致發(fā)光元件的例子描述過。該有機(jī)電致發(fā)光元件也可以是有源矩陣(AM)型有機(jī)電致發(fā)光元件，其一個(gè)實(shí)施方案表示在圖6中。
如圖6所示，在基材601上成形緩沖層605，在緩沖層605上成形門電極611。在門電極611上成形門絕緣層612以便在源/漏電極613與門電極611之間形成絕緣。源/漏電極613成形在門絕緣層612上，半導(dǎo)體層614成形在源/漏電極613上并與之接觸。源/漏電極613包括源電極613a和漏電極613b。
成形極化層615，它具有將源/漏電極613的613a或613b與第一電極630連接的接觸孔。第一電極630可以是圖1和圖3所示發(fā)光元件用電極，被成形在極化層615上以便接觸613a或613b。另外，在第一電極630上成形象素規(guī)定層620，它具有孔621并將第一電極630和第二電極640彼此絕緣。透過在象素規(guī)定層620上形成的孔621在第一電極630上成形有機(jī)發(fā)光層650，然后成形覆蓋有機(jī)發(fā)光層650和象素規(guī)定層620的第二電極640。
基材601可以是玻璃基材、塑料基材或金屬基材，但是不限于這些。在基材601上成形按照分別與圖4或圖5中所示緩沖層405或505相同方式成形預(yù)防雜質(zhì)或離子滲透和擴(kuò)散的緩沖層605。門絕緣層612可以是具有單層或多層結(jié)構(gòu)的有機(jī)絕緣層、無機(jī)絕緣層或有機(jī)-無機(jī)復(fù)合層。在源電極613a、門絕緣層612和漏電極613b上面成形半導(dǎo)體層614，它起到耦合源電極613a與漏電極613b的溝道的作用。半導(dǎo)體層614可包含無機(jī)半導(dǎo)體或有機(jī)半導(dǎo)體。
于是，門電極611、門絕緣層612、源/漏電極613以及半導(dǎo)體層614合起來構(gòu)成薄膜晶體管(TFT)。具有以上結(jié)構(gòu)的TFT可用作驅(qū)動(dòng)TFT以驅(qū)動(dòng)象素，并響應(yīng)從開關(guān)TFT(未畫出)傳遞來的數(shù)據(jù)信號(hào)決定流過有機(jī)發(fā)光元件的電流大小。
為了耦合第一電極630與驅(qū)動(dòng)TFT，成形覆蓋源/漏電極613的極化層615、半導(dǎo)體層614和門絕緣層612。極化層615是成形第一電極630的底板并將源/漏電極613和第一電極630彼此絕緣。極化層615包括接觸孔615a，通過它，第一電極630與源電極613a和漏電極613b之一相接觸。極化層615可以是有機(jī)絕緣層、無機(jī)絕緣層或有機(jī)-無機(jī)復(fù)合層，具有單一或疊層結(jié)構(gòu)，像門絕緣層612似的。
第一電極630配置在極化層615上面。第一電極630是發(fā)光元件的陽極，包括配置在極化層615上的金屬層或金屬線631，以及完全覆蓋金屬層或金屬線631的導(dǎo)電聚合物層或聚合物線632。金屬層或金屬線631和聚合物層或聚合物線632對(duì)應(yīng)于分別如圖1、圖2和圖3所示金屬層或金屬線2和聚合物層或聚合物線3。另外，聚合物層或聚合物線632透過穿透極化層615的接觸孔615a接觸源電極613a和漏電極613b之一。第一電極630類似于圖4所示第一電極430。
成形包括絕緣材料的象素規(guī)定層620，使之覆蓋第一電極630，并在象素規(guī)定層620上成形孔621，以便使第一電極630透過孔621露出。象素規(guī)定層620可以是有機(jī)絕緣層、無機(jī)絕緣層或有機(jī)-無機(jī)復(fù)合層，呈單層或多層結(jié)構(gòu)，由噴墨印刷形成。象素規(guī)定層620按照與圖4的ILD層420相同方式成形，因此其詳細(xì)描述將略去。
成形有機(jī)發(fā)光層650，使之覆蓋對(duì)應(yīng)于象素規(guī)定層620的孔621的第一電極630。在有機(jī)發(fā)光層650上成形第二電極640，面對(duì)著第一電極630。有機(jī)發(fā)光層650可按照?qǐng)D4或圖5中所示有機(jī)發(fā)光層相同方式成形。第二電極640可成形為覆蓋發(fā)光元件的整個(gè)象素，但不限于此。當(dāng)?shù)谝浑姌O630成形為對(duì)應(yīng)于規(guī)定形狀的圖案時(shí)，第二電極640也可成形為對(duì)應(yīng)于該圖案的圖案。
本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光元件已在幾個(gè)實(shí)施方案中做了描述。然而，本發(fā)明可應(yīng)用于具有不同形狀的發(fā)光元件，例如，液晶顯示器元件或場(chǎng)致發(fā)光顯示器元件。
對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說十分清楚，在本發(fā)明范圍內(nèi)可制定各種不同的修改和變換方案而不偏離本發(fā)明的精神和范圍。因此，本發(fā)明旨在涵蓋本發(fā)明的所有修改和變換方案，只要落在所附權(quán)利要求及其等價(jià)物的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光元件用基材，包含底板基材；配置在底板基材上的金屬層；以及配置在金屬層上的導(dǎo)電聚合物層。
2.權(quán)利要求1的基材，其中金屬層包含選自由銀(Ag)、銅(Cu)和金(Au)組成的一組的金屬。
3.權(quán)利要求1的基材，其中金屬層成形為線狀。
4.權(quán)利要求3的基材，其中金屬層為約50nm～約150nm寬，和約10nm～約200nm高；并且其中相鄰金屬層之間的距離為約100μm～約1500μm。
5.權(quán)利要求1的基材，其中導(dǎo)電聚合物選自聚亞乙二氧基噻吩或聚苯胺。
6.權(quán)利要求1的基材，其中導(dǎo)電聚合物層由約30nm～約300nm厚的連續(xù)層構(gòu)成。
7.權(quán)利要求1的基材，其中導(dǎo)電聚合物層成形為線狀。
8.權(quán)利要求7的基材，其中聚合物層為約100nm～約400nm寬和約10nm～約200nm高；并且其中相鄰聚合物層之間的距離為約100μm～約1500μm。
9.權(quán)利要求7的基材，其中聚合物層部分地覆蓋金屬層。
10.權(quán)利要求7的基材，其中聚合物層完全覆蓋金屬層。
11.一種制造發(fā)光元件用基材的方法，包括在底板基材上沉積金屬層；以及在金屬層上沉積導(dǎo)電聚合物層。
12.權(quán)利要求11的方法，其中金屬層沉積成線狀。
13.權(quán)利要求12的方法，其中金屬層由含金屬的噴墨印刷油墨沉積而成。
14.權(quán)利要求12的方法，其中導(dǎo)電聚合物采用旋涂或印刷沉積。
15.權(quán)利要求11的方法，其中金屬層包含選自由銀(Ag)、銅(Cu)和金(Au)組成的一組的金屬，并且其中聚合物層包含選自聚亞乙二氧基噻吩或聚苯胺的聚合物。
16.一種發(fā)光元件用電極，包含底板基材；配置在底板基材上的金屬層；和配置在金屬層上的導(dǎo)電聚合物層。
17.權(quán)利要求16的電極，其中金屬層包含選自由銀(Ag)、銅(Cu)和金(Au)組成的一組的金屬。
18.權(quán)利要求16的電極，其中金屬層成形為線狀。
19.權(quán)利要求18的電極，其中金屬層為約50nm～約150nm寬，和約10nm～約200nm高；并且其中相鄰金屬層之間的距離為約100μm～約1500μm。
20.權(quán)利要求16的電極，其中導(dǎo)電聚合物層包含選自聚亞乙二氧基噻吩或聚苯胺的聚合物。
21.權(quán)利要求16的電極，其中導(dǎo)電聚合物層由約30nm～約300nm厚的連續(xù)層構(gòu)成。
22.權(quán)利要求16的電極，其中導(dǎo)電聚合物層成形為線狀。
23.權(quán)利要求22的電極，其中聚合物層為約100nm～約400nm寬和約10nm～約200nm高；并且其中相鄰聚合物層之間的距離為約100μm～約1500μm。
24.權(quán)利要求22的電極，其中聚合物層部分地覆蓋金屬層。
25.權(quán)利要求22的電極，其中聚合物層完全覆蓋金屬層。
26.一種發(fā)光元件，包含第一電極，包括配置在底板基材上的金屬層和配置在金屬層上的導(dǎo)電聚合物層；面朝第一電極的第二電極；以及配置在第一電極與第二電極之間的發(fā)光層。
27.權(quán)利要求26的發(fā)光元件，其中金屬層包含選自銀(Ag)、銅(Cu)和金(Au)組成的一組的金屬。
28.權(quán)利要求26的發(fā)光元件，其中金屬層成形為線狀。
29.權(quán)利要求28的發(fā)光元件，其中金屬層為約50nm～約150nm寬，和約10nm～約200nm高；并且其中相鄰金屬層之間的距離為約100μm～約1500μm。
30.權(quán)利要求26的發(fā)光元件，其中導(dǎo)電聚合物層包含選自聚亞乙二氧基噻吩或聚苯胺的聚合物。
31.權(quán)利要求26的發(fā)光元件，其中導(dǎo)電聚合物層由約30nm～約300nm厚的連續(xù)層構(gòu)成。
32.權(quán)利要求26的發(fā)光元件，其中導(dǎo)電聚合物層成形為線狀。
33.權(quán)利要求32的發(fā)光元件，其中聚合物層為約100nm～約400nm寬和約10nm～約200nm高；并且其中相鄰聚合物層之間的距離為約100μm～約1500μm。
34.權(quán)利要求32的發(fā)光元件，其中聚合物層部分地覆蓋金屬層。
35.權(quán)利要求32的發(fā)光元件，其中聚合物層完全覆蓋金屬層。
全文摘要
提供基于有機(jī)發(fā)光材料的發(fā)光元件用基材及其制造方法。該基材可低成本地制造并具有長(zhǎng)壽命，以及一種用于基材上和具有高電導(dǎo)率的有機(jī)材料。該發(fā)光元件用的基材包括底板基材，在該底板基材上成形了金屬層并在金屬層上配置著導(dǎo)電聚合物層。
文檔編號(hào)H01L51/50GK1790770SQ200510109738
公開日2006年6月21日 申請(qǐng)日期2005年9月21日 優(yōu)先權(quán)日2004年9月21日
發(fā)明者A·厄里格, K·諾特 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社, 三星Sdi德國(guó)有限責(zé)任公司