專利名稱：高壓mos管柵極氧化膜結(jié)構(gòu)及其生長方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種高壓MOS管柵極氧化膜結(jié)構(gòu)，還涉及一種高壓MOS管柵極氧化膜的生長方法。
背景技術(shù)：
在高壓MOS管的制成中，由于應(yīng)用高的工作電壓，柵氧化膜的厚度一般都在幾百微米到上千微米，一般在高壓MOS管的柵氧化膜都用化學(xué)氣相淀積(VCD)的方法來制成，因?yàn)殡m然熱氧化的方法生成的氧化膜膜質(zhì)要致密，但是熱氧化會(huì)導(dǎo)致硅表面的形狀發(fā)生變化，如果生長出上千微米的氧化膜，那么會(huì)對(duì)其他的器件結(jié)構(gòu)產(chǎn)生影響，所以一般采用化學(xué)氣相淀積的方法來生成柵氧化膜。
然而用化學(xué)氣相淀積的方法來制成柵氧化膜，相對(duì)于一般的低壓MOS管熱氧化生成的柵氧化膜來說，膜質(zhì)原沒有熱氧化的膜致密，所以會(huì)面臨在長時(shí)間工作后，會(huì)出現(xiàn)導(dǎo)致MOS管的特性漂移的現(xiàn)象。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種高壓MOS管柵極氧化膜結(jié)構(gòu)及其生長方法，它可以在不改變高壓MOS管形貌的前提下，提高M(jìn)OS管的穩(wěn)定性。
為了解決以上技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種高壓MOS管柵極氧化膜結(jié)構(gòu)，在不改變高壓MOS管形貌的前提下，所述氧化膜由上、下兩層不同的氧化膜構(gòu)成，所述下層氧化膜為利用熱氧化方式生長的氧化膜，所述上層氧化膜為利用化學(xué)氣相淀積方式生長的氧化膜。
另外，本發(fā)明還提供了一種高壓MOS管柵極氧化膜的生長方法，首先利用熱氧化方式生長氧化膜，然后在該氧化膜基礎(chǔ)上，再利用化學(xué)氣相淀積方式生長一層氧化膜。
所述利用熱氧化方式生長的氧化膜厚度為100-400。
因?yàn)楸景l(fā)明采用了由上、下兩層不同的氧化膜構(gòu)成雙層氧化膜結(jié)構(gòu)，其下層氧化膜是利用熱氧化方式生長，它可以生長一層致密的熱氧化層，該氧化層可以避免電荷穿過氧化膜和硅的界面，而進(jìn)入到柵氧里面，導(dǎo)致電荷在柵氧中的堆積，長時(shí)間的使用會(huì)使高壓MOS管的特性發(fā)生漂移的情況發(fā)生，進(jìn)而確保了高壓MOS管的特性保持穩(wěn)定。
另外，本發(fā)明首先利用熱氧化方式生長氧化膜，然后在該氧化膜基礎(chǔ)上，再利用化學(xué)氣相淀積方式生長一層氧化膜，它不但生長了致密熱氧化膜，而且避免了全部采用熱氧化膜對(duì)器件的影響，尤其是控制熱氧化膜的厚度在100-400，這樣保證了其不會(huì)對(duì)硅表面的形狀有較大的變動(dòng)影響。


下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步闡述。
圖1是本發(fā)明的高壓MOS管柵極氧化膜結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式
如圖1所示，它是本發(fā)明的高壓MOS管柵極氧化膜結(jié)構(gòu)示意圖。下層氧化膜為利用熱氧化生成的SiO2氧化膜，上層氧化膜為利用化學(xué)氣相淀積生長的SiO2氧化膜。具體方法是在高壓MOS管柵極氧化層成長之前，用傳統(tǒng)的熱氧化的方法先在硅片表面成長一層100-400的致密熱氧化膜，然后再用化學(xué)氣相淀積的方法生長出其余的氧化膜。
先生長出來的熱氧化膜可以保證在二氧化硅膜和硅之間的良好的界面態(tài)，而且100-400的熱氧化膜不會(huì)對(duì)硅表面的形狀有較大的變動(dòng)影響。后面用化學(xué)氣相淀積方法生成的氧化膜，可以保證高壓MOS管在高的工作電壓下不會(huì)被擊穿。
如果只是單純使用化學(xué)氣相淀積的方法生長出的柵氧化膜，在高壓MOS管工作中，會(huì)因?yàn)槟べ|(zhì)的不夠致密，會(huì)導(dǎo)致電荷在柵氧中的堆積，長時(shí)間的使用會(huì)使器件的特性發(fā)生漂移。
而在化學(xué)氣相淀積柵氧化膜之前，生長一層致密的熱氧化層，可以很好的避免電荷會(huì)穿過氧化膜和硅的界面，而進(jìn)入到柵氧里面。進(jìn)而確保了高壓器件的特性保持穩(wěn)定。
權(quán)利要求
1.一種高壓MOS管柵極氧化膜結(jié)構(gòu)，其特征在于，在不改變高壓MOS管形貌的前提下，所述氧化膜由上、下兩層不同的氧化膜構(gòu)成，所述下層氧化膜為利用熱氧化方式生長的氧化膜，所述上層氧化膜為利用化學(xué)氣相淀積方式生長的氧化膜。
2.如權(quán)利要求1所述的高壓MOS管柵極氧化膜結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述利用熱氧化方式生長的氧化膜厚度為100-400。
3.如權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的高壓MOS管柵極氧化膜結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述氧化膜的材料為二氧化硅。
4.一種權(quán)利要求1所述的高壓MOS管柵極氧化膜結(jié)構(gòu)的生長方法，其特征在于，首先利用熱氧化方式生長氧化膜，然后在該氧化膜基礎(chǔ)上，再利用化學(xué)氣相淀積方式生長一層氧化膜。
5.如利用如權(quán)利要求1所述的高壓MOS管柵極氧化膜的生長方法，其特征在于，所述利用熱氧化方式生長的氧化膜厚度為100-400。
6.如利用如權(quán)利要求1所述的高壓MOS管柵極氧化膜的生長方法，其特征在于，所述氧化膜的材料為二氧化硅。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種高壓MOS管柵極氧化膜結(jié)構(gòu)及其生長方法，它可以在不改變高壓MOS管形貌的前提下，提高M(jìn)OS管的穩(wěn)定性。它在不改變高壓MOS管形貌的前提下，氧化膜由上、下兩層不同的氧化膜構(gòu)成，所述下層氧化膜為利用熱氧化方式生長的氧化膜，所述上層氧化膜為利用化學(xué)氣相淀積方式生長的氧化膜，另外所述利用熱氧化方式生長的氧化膜厚度為100－400。它利用熱氧化膜的致密性，避免了高壓MOS管的特性發(fā)生漂移，從而確保了高壓MOS管的特性保持穩(wěn)定。
文檔編號(hào)H01L29/51GK1983629SQ20051011142
公開日2007年6月20日 申請(qǐng)日期2005年12月13日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月13日
發(fā)明者王飛, 鄭萍, 余波 申請(qǐng)人:上海華虹Nec電子有限公司