專利名稱：實時生成閃存測試向量的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件測試方法，特別是一種半導(dǎo)體器件測試中測試向量的生成方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體測試領(lǐng)域，對產(chǎn)品的測試評價的正確與否關(guān)系到對產(chǎn)品失效的正確分析，對產(chǎn)品的研發(fā)量產(chǎn)起著關(guān)鍵性的作用；測試評價的早日完成為產(chǎn)品推向市場贏得了時間。測試評價的基礎(chǔ)在于測試程序的開發(fā)，測試程序開發(fā)的時效性，可靠性是個關(guān)鍵問題。有時往往因為在產(chǎn)品的測試評價階段拖的時間過長，錯過產(chǎn)品推向市場的時機。
閃存測試中，設(shè)計和開發(fā)測試向量是難點。測試向量設(shè)計好后還要經(jīng)過調(diào)試確認階段，才能用于閃存的產(chǎn)品測試；在調(diào)試階段往往要耗費大量的時間。閃存測試向量的生成方式常見的有硬件生成及實時生成。硬件生成方式存在產(chǎn)生的測試向量變化不靈活，占有硬件資源多的缺點。常見的實時產(chǎn)生測試向量的方式是利用軟件(pattern)和測試儀硬件相結(jié)合來產(chǎn)生測試向量。也就是說要撰寫軟件，而這種軟件因產(chǎn)品的差異，測試設(shè)計開發(fā)人員的不同而千差萬別。這種軟件存在撰寫復(fù)雜性高，復(fù)用性差，可靠性差，移植性弱的缺點。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種能明顯縮短測試程序開發(fā)時間的實時生成閃存測試向量的方法。
為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明預(yù)先把對閃存擦除操作、讀操作和寫操作分別編寫成擦寫類庫函數(shù)、讀類庫函數(shù)和寫類庫函數(shù)庫函數(shù)，在測試中，通過調(diào)用這些庫函數(shù)實時生成測試向量。
本發(fā)明通過調(diào)用預(yù)先編寫的庫函數(shù)的方法，明顯縮短了測試向量生成的時間，從而縮短測試程序開發(fā)時間，提高測試程序的復(fù)用程度、可靠性、移植性和測試開發(fā)效率。


圖1是本發(fā)明的測試向量生成模式；圖2是本發(fā)明一個實施例的測試向量生成流程。
具體實施例方式
下面結(jié)合附圖對本發(fā)明作進一步詳細的說明。
本發(fā)明中庫函數(shù)生成閃存(flash)的測試操作可分為擦除、讀取、寫三部分。在庫函數(shù)的設(shè)置上也主要分為三大類，可分別寫成如下的函數(shù)格式。
針對并行輸出類flash的三種庫函數(shù)格式可寫成int*P_ER(int ctr_pin，r，long int er_time)；int*P-PGM(int ctr_pin，long int start_adr，long intend_adr，int pgm_time，int*srcdata)；int*P_RD(int ctr_pin，long int start_adr，long intend_adr，int*fetdata)以上函數(shù)中，int*P_ER(int ctr_pin， long int er_time)表示擦寫使用的庫函數(shù)，其中ctr_pin標示控制pin的控制狀態(tài)設(shè)定，er_time標示擦寫的時間設(shè)定。函數(shù)返回一個整型的指針，標示擦寫操作后的信息；int*P_RD(int ctr_pin，long int start_adr，long intend_adr，int*fetdata)表示讀取數(shù)據(jù)使用的庫函數(shù)，其中ctr_pin標示控制pin的控制狀態(tài)設(shè)定，start_adr，end_adr標示讀取數(shù)據(jù)的起始地址和終止地址，fetdata標示讀取數(shù)據(jù)的存放地址。函數(shù)返回一個整型的指針，標示讀取操作后的信息；int*P-PGM(int ctr_pin，long int start_adr，long intend_adr，int pgm_time，int*srcdata)表示寫入數(shù)據(jù)使用的庫函數(shù)，其中ctr_pin標示控制pin的控制狀態(tài)設(shè)定，start_adr，end_adr標示寫入數(shù)據(jù)的起始地址和終止地址，pgm_time標示寫入數(shù)據(jù)的時間設(shè)定，srcdata標示所要寫入數(shù)據(jù)的存放地址。函數(shù)返回一個整型的指針，標示寫入數(shù)據(jù)操作后的信息。
針對串行輸出類flash的三種庫函數(shù)格式可寫成int*S-ER(int ctr_pin，long int er_time，int lsb_f)；int*S-RD(int ctr_pin，long int start_adr，long intend_adr，int*fetdata，int lsb_f)；int*S-PGM(int ctr_pin，long int start adr，long intend_adr，int pgm_time，int*srcdata，int lsb_f)以上函數(shù)中，int*S-ER(int ctr_pin，long int er_time，intlsb_f)表示擦寫使用的庫函數(shù)，其中ctr_pin標示控制pin的控制狀態(tài)設(shè)定，er_time標示擦寫的時間設(shè)定，lsb_f標示是否低位先輸出。
函數(shù)返回一個整型的指針，標示擦寫操作后的信息；int*S-RD(int ctr_pin，long int start_adr，long intend_adr，int*fetdata，int lsb_f)表示讀取數(shù)據(jù)使用的庫函數(shù)，其中ctr_pin標示控制pin的控制狀態(tài)設(shè)定，start_adr，end_adr標示讀取數(shù)據(jù)的起始地址和終止地址，fetdata標示讀取數(shù)據(jù)的存放地址，lsb_f標示是否低位先輸出。函數(shù)返回一個整型的指針，標示讀取操作后的信息；int*S-PGM(int ctr_pin，long int start_adr，long intend_adr，int pgm_time，int*srcdata，int lsb_f)表示寫入數(shù)據(jù)使用的庫函數(shù)，其中ctr_pin標示控制pin的控制狀態(tài)設(shè)定，start_adr，end_adr標示寫入數(shù)據(jù)的起始地址和終止地址，pgm_time標示寫入數(shù)據(jù)的時間設(shè)定，srcdata標示所要寫入數(shù)據(jù)的存放地址，lsb_f標示是否低位先輸出。函數(shù)返回一個整型的指針，標示寫入數(shù)據(jù)操作后的信息。
本發(fā)明測試向量生成架構(gòu)參見附圖1。在對flash產(chǎn)品進行測試時根據(jù)測試項目來調(diào)用相應(yīng)的庫函數(shù)。比如，要進行寫操作時，0地址到Ox400地址寫入指向*srcdata的內(nèi)容，flash的字節(jié)寫入時間為30uS，采用串行方式，低位在前?？蓪懗扇缦路绞絊-PGM(ctr_pin，(longint)0，(long int)Ox400，64，srcdata，LSB)。見附圖2。
在測試中，根據(jù)測試流程，運行相應(yīng)的測試項目時，根據(jù)所調(diào)用的庫函數(shù)，實時(on the fly)產(chǎn)生測試向量，印加在flash上，對其進行測試。
權(quán)利要求
1.一種實時生成閃存測試向量的方法，其特征是，預(yù)先把對閃存的操作編寫成庫函數(shù)，在測試中，通過調(diào)用所述庫函數(shù)實時生成測試向量。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的實時生成閃存測試向量的方法，其特征是，所述庫函數(shù)可以是針對擦除操作的擦寫類庫函數(shù)、針對讀取操作的讀類庫函數(shù)和針對寫操作的寫類庫函數(shù)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的實時生成閃存測試向量的方法，其特征是，所述庫函數(shù)返回一個整型指針，標示擦寫操作后的信息。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的實時生成閃存測試向量的方法，其特征是，所述擦寫類庫函數(shù)包含針對并行輸出類閃存的擦寫類庫函數(shù)和針對串行輸出類閃存的擦寫類庫函數(shù)；所述讀類庫函數(shù)包含針對并行輸出類閃存的讀類庫函數(shù)和針對串行輸出類閃存的讀類庫函數(shù)；所述寫類庫函數(shù)包含針對并行輸出類閃存的寫類庫函數(shù)和針對串行輸出類閃存的寫類庫函數(shù)。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種實時生成閃存測試向量的方法，預(yù)先把對閃存擦除操作、讀操作和寫操作分別編寫成擦寫類庫函數(shù)、讀類庫函數(shù)和寫類庫函數(shù)庫函數(shù)，在測試中，通過調(diào)用這些庫函數(shù)實時生成測試向量。本發(fā)明可明顯縮短測試程序開發(fā)時間，提高測試程序的可靠性和測試開發(fā)效率。
文檔編號H01L21/66GK1982908SQ20051011142
公開日2007年6月20日 申請日期2005年12月13日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月13日
發(fā)明者謝晉春, 武建宏 申請人:上海華虹Nec電子有限公司