專利名稱：探針卡的電性接觸裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是與探針卡的電性接觸裝置有關(guān)，特別是指一種結(jié)構(gòu)強度較佳的電性接觸裝置。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體芯片的制造過程中，當(dāng)芯片制造完成但尚未進(jìn)行封裝制程的前，通常必須先經(jīng)過一檢測程序測試芯片的電路功能；檢測程序是利用一探針卡的電性接觸裝置設(shè)于測試機臺與芯片之間，電性接觸裝置具有若干探針，由各探針分別抵接于芯片的焊墊，使測試機的測試信號可來回傳送于芯片與測試機之間。
一種現(xiàn)有的電性接觸裝置80，如圖28所示，包含有一基座81，以及若干設(shè)于基座81的探針82，各探針82的第一端83是以接合的方式焊設(shè)于基座81的表面，而探針82的第二端84則朝基座81的一溝槽85上方延伸，第二端84是用以接觸芯片的焊墊，由探針82與基座81之間的結(jié)構(gòu)，使得探針82本身具有彈性，當(dāng)芯片的各焊墊抵壓于各第二端84時，各探針82可較為確實地抵接于各焊墊。
再如另一種已知的電性接觸裝置90，如圖29所示，其亦包含有一基座91以及若干探針92，探針92的第一端93是直接成形于基座91表面，而第二端94位于基座91的一溝槽95上方，藉以使各探針92的結(jié)構(gòu)同樣具有彈性，可利用各第二端94用以接觸芯片的焊墊。
然而，由于半導(dǎo)體芯片的結(jié)構(gòu)尺寸越來越小，芯片具有的焊墊數(shù)量越來越多，相對地使得電性接觸裝置必須在單位面積內(nèi)所具有的探針數(shù)量也越來越多，進(jìn)而使探針與基座之間可用于相互結(jié)合的區(qū)域越來越小，在長期反復(fù)地進(jìn)行芯片的測試工作時，探針與基座的結(jié)合處容易產(chǎn)生破壞現(xiàn)象，造成探針分離于基座，使電性接觸裝置發(fā)生故障的情形。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的主要目的乃在于提供一種探針卡的電性接觸裝置，其所具有的各探針的結(jié)構(gòu)強度較佳，在長期反復(fù)地進(jìn)行測試工作時，各探針較不易產(chǎn)生破壞現(xiàn)象，使電性接觸裝置不易故障。
為達(dá)成前揭目的，本發(fā)明所提供一種探針卡的電性接觸裝置，其特征在于，包含有一基座，該基座具有一表面，以及一凹陷于該表面的容槽，該容槽成形出至少一鄰接于該表面的壁面，且于該等壁面設(shè)有至少一定位部；以及至少一探針，各該探針包含有一第一端以及一第二端，各該第一端是設(shè)于該基座的各定位部，使各該第二端朝該容槽延伸。
其中該定位部是凹陷于該壁面以及該頂面。
其中該基座于對應(yīng)各該定位部的側(cè)面分別形成出至少一凸部，而各該探針的第一端則具有至少一凹部，該探針是以各凹部對應(yīng)于該基座的各凸部地嵌設(shè)于該定位部。
其中各該探針的第一端的截面形狀對應(yīng)于各該定位部的截面形狀。
其中該基座于對應(yīng)各該定位部的側(cè)面成形出至少一溝槽，各該溝槽的延伸方向概略平行于該頂面，而各該探針外周則具有至少一嵌條，各該探針可利用各該嵌條嵌入各該溝槽，使得各該探針設(shè)于該基座。
其中各該探針的頂面或底面設(shè)有一凸垣，該凸垣的延伸方向概同于各該嵌條，該凸垣是嵌設(shè)于該基座的溝槽。
其中該定位部的截面形狀是呈不規(guī)則狀，而各該探針的截面形狀則對應(yīng)于該定位部的截面形狀。
其中該容槽是自該頂面貫穿于該基座。
其中該基座的容槽成形出一第一壁面以及一第二壁面，該第二壁面凸伸于該第一壁面。
其中該基座另具有至少一延伸部，各該延伸部是自各該定位部朝該容槽方向延伸，各該探針是設(shè)于各該定位部與各該延伸部。
其中各該延伸部具有二相互間隔的側(cè)壁，各該探針是設(shè)于該二側(cè)壁之間。
其中各該延伸部是設(shè)于各該定位部內(nèi)，且朝該容槽方向延伸，各該探針設(shè)于各該延伸部的頂面或底面。
其中各該探針的頂側(cè)或底側(cè)另設(shè)有一凸垣。
其中各該延伸部與各該定位部之間另設(shè)有一導(dǎo)電部，各該導(dǎo)電部是用以作為接地。
本發(fā)明一種探針卡的電性接觸裝置，其特征在于，包含有一基座，該基座具有一表面，以及一凹陷于該表面的容槽，該表面設(shè)有至少一定位部，該定位部亦凹陷于該表面；以及至少一探針，各該探針包含有一第一端以及一第二端，各該第一端是設(shè)于該基座的各定位部，使各該第二端朝該容槽延伸。
其中該基座于對應(yīng)各該定位部的側(cè)面分別形成出至少一凸部，而各該探針的第一端則具有至少一凹部，該探針是以各凹部對應(yīng)于該基座的各凸部地嵌設(shè)于該定位部。
其中各該探針的第一端的截面形狀對應(yīng)于各該定位部的截面形狀。
其中該基座于對應(yīng)各該定位部的側(cè)面成形出至少一溝槽，各該溝槽的延伸方向概略平行于該頂面，而各該探針外周則具有至少一嵌條，各該探針可利用各該嵌條嵌入各該溝槽，使得各該探針設(shè)于該基座。
其中各該探針的頂面或底面設(shè)有一凸垣，該凸垣的延伸方向概同于各該嵌條，該凸垣是嵌設(shè)于該基座的溝槽。
其中該定位部的截面形狀是呈不規(guī)則狀，而各該探針的截面形狀則對應(yīng)于該定位部的截面形狀。
其中該容槽是自該頂面貫穿于該基座。
本發(fā)明一種電性接觸裝置的制法，其特征在于，包含有下列步驟a.制備一基座，該基座具有一頂面以及一底面；b.自該基座的頂面蝕刻出一呈凹陷狀的第一空間；c.于該基座的第一空間與頂面施行光阻成形以及微電鑄制程，使該基座成形出多數(shù)探針與多層犧牲層，各該探針具有一第一端與一第二端，該第二端具有一接觸部；d.于該基座的底面蝕刻出一容槽，該容槽的位置對應(yīng)于該等探針的第二端下方；以及e.移除各該犧牲層，即可于該基座形成出各該探針，各該探針的第一端是設(shè)于該基座，各該探針的第二端則朝該容槽延伸。
其中該基座是可利用硅材質(zhì)、SOI基座、介電基座，或是表面具有介電材質(zhì)的基座所制成。
其中于該步驟b之后，是可于該基座與各該探針相互結(jié)合的表面預(yù)先鋪設(shè)介電材質(zhì)，使各該探針保持絕緣狀態(tài)。
其中于該步驟d時，是利用一第一蝕刻制程自該基座頂面蝕刻出一第一壁面，再利用一第二蝕刻制程自該基座的底面蝕刻出一第二壁面，并使該基座成形出該容槽，而該第一壁面是凸伸于該第二壁面。
其中該步驟b的蝕刻制程亦可以激光加工方式取代。
由此，本發(fā)明即可利用探針與基座相互結(jié)合的構(gòu)造，使整體電性接觸裝置的結(jié)構(gòu)強度較佳，達(dá)到在進(jìn)行長期反復(fù)的測試工作，各探針較不易產(chǎn)生破壞現(xiàn)象，而且電性接觸裝置不易故障的目的。


以下，配合附圖列舉若干較佳實施例，用以對本發(fā)明的結(jié)構(gòu)與功效做詳細(xì)說明，其中所用各圖式的簡要說明如下，其中圖1是本發(fā)明第一較佳實施例的立體圖；圖2是圖1中2-2剖線的剖視圖；圖3是本發(fā)明第一較佳實施例的制法示意圖；圖4是本發(fā)明第一較佳實施例的制法示意圖；圖5是本發(fā)明第一較佳實施例的制法示意圖；圖6是本發(fā)明第一較佳實施例的制法示意圖；圖7是本發(fā)明第一較佳實施例的制法示意圖；圖8是本發(fā)明第一較佳實施例的制法示意圖；圖9是本發(fā)明第一較佳實施例的另一實施態(tài)樣；圖10是本發(fā)明第二較佳實施例的局部剖面示意圖，主要是顯示探針與基座相互結(jié)合的狀態(tài)；圖11是本發(fā)明第三較佳實施例的局部剖面示意圖，主要是顯示探針與基座相互結(jié)合的狀態(tài)；
圖12是本發(fā)明第四較佳實施例的局部剖面示意圖，主要是顯示探針與基座相互結(jié)合的狀態(tài)；圖13是本發(fā)明第四較佳實施例的另一實施態(tài)樣；圖14是本發(fā)明第四較佳實施例的又一實施態(tài)樣；圖15是本發(fā)明第五較佳實施例的局部剖面示意圖，主要是顯示探針與基座相互結(jié)合的狀態(tài)；圖16是本發(fā)明第六較佳實施例的局部剖面示意圖，主要是顯示探針與基座相互結(jié)合的狀態(tài)；圖17是本發(fā)明第六較佳實施例的另一實施態(tài)樣；圖18是本發(fā)明第七較佳實施例的局部立體圖；19圖是圖18中19-19剖線的剖視圖；圖20是本發(fā)明第八較佳實施例的局部立體圖；圖21是圖20中21-21剖線的剖視圖；圖22是本發(fā)明第八較佳實施例的一實施態(tài)樣；圖23是本發(fā)明第八較佳實施例的另一實施態(tài)樣；圖24是本發(fā)明第九較佳實施例的局部立體圖；圖25是圖24中25-25剖線的剖視圖；圖26是本發(fā)明第十較佳實施例的局部立體圖；圖27是圖26中27-27剖線的剖視圖。
圖28是為一現(xiàn)有電性接觸裝置的示意圖；以及圖29是為另一現(xiàn)有電性接觸裝置的示意圖。
具體實施例方式
請參閱圖1及圖2所示，是為本發(fā)明第一較佳實施例所提供探針卡的電性接觸裝置10，電性接觸裝置10包含有一基座20以及多數(shù)探針30；基座20是以硅制成，基座20具有一頂面21，頂面21中央具有一呈凹陷狀的容槽22，容槽22成形出四鄰接于頂面21的壁面23，二相對的壁面23分設(shè)有多數(shù)定位部24，各定位部24是凹陷于各壁面23以及頂面21；基座20內(nèi)另設(shè)有多數(shù)導(dǎo)電線路25。
各該探針30是為利用導(dǎo)電材質(zhì)所制成的桿體，各探針30具有一第一端31以及一第二端32，第一端31的截面形狀概同于基座20的定位部24的截面形狀，第二端32具有一概呈垂直狀的接觸部33，各探針30的第一端31是嵌固于各定位部24，探針30與頂面21相互齊平，并且與導(dǎo)電線路25相互電性連通，而各第二端32朝容槽22延伸，各接觸部33朝向頂面21的上方。
如圖3至圖8所示，是為本發(fā)明一較佳實施例的電性接觸裝置10的制造方法，其包含有下列步驟步驟一如圖3所示，制備一材質(zhì)為硅的基座20，使基座20具有一頂面21以及一底面26。
步驟二如圖4所示，以蝕刻或是激光加工的方式，自基座20的頂面21成形出一呈凹陷狀的第一空間27。
步驟三如圖5至圖6所示，于基座20的第一空間27與頂面21施行光阻成形以及微電鑄制程，使基座20成形出多數(shù)探針30與多層犧牲層28，各探針30具有一第一端31與一第二端32，第二端32具有一接觸部33；若希望更精確控制探針30的厚度尺寸，可于微電鑄制程后，進(jìn)一步以精密研磨探針30表面，使探針30表面呈平坦化并研磨至所希望的厚度。
步驟四如圖7所示，利用等向性干蝕刻或是濕蝕刻方式自基座20的底面26蝕刻出一容槽22，容槽22的位置對應(yīng)于探針30的第二端32下方。
步驟五如圖8所示，移除各犧牲層28，即可于基座20形成出各探針30的結(jié)構(gòu)，各探針30的第一端31是設(shè)于基座20，探針30的第二端32則朝容槽22延伸。
基座20除了可利用硅材質(zhì)制成以外，還可使用SOI(Silicon onInsulator)基座、介電基座，或是表面具有介電材質(zhì)的基座；而在電鑄各探針30之前，亦可于基座20與探針30相互結(jié)合的表面預(yù)先鋪設(shè)介電材質(zhì)，使各探針30確實保持絕緣狀態(tài)；介電材質(zhì)的鋪設(shè)方式可為化學(xué)沉積方式，或者是高溫爐管生成如氧化硅、氮化硅等材質(zhì)。
如圖7與圖8所示，由于自基座20的底面30蝕刻出容槽22時，容槽22的開口尺寸不易控制，若是在移除犧牲層28之后，各探針30懸空于容槽22壁面23的距離皆不相同，就會直接影響到各探針30的彈性、剛性與探針30的阻抗的一致性；為了能較為容易且精確地控制各探針30凸伸于容槽22的長度，使各探針30可彈性變形的長度一致，進(jìn)而提升探針30的接觸阻抗的一致性，如圖9所示，可使容槽22’形成出一開口尺寸大于探針30’懸空范圍的第一壁面36’，此時探針30’將由定位部24’的側(cè)壁所夾持固定，而探針30’懸空于容槽22’的長度是自一第二壁面37’開始，由于制作定位部24’時的尺寸精度與探針30’的精度一致，因此可較為容易地控制各探針30’凸伸于容槽22’的長度。
經(jīng)由上述結(jié)構(gòu)與制法的說明，當(dāng)電性接觸裝置10應(yīng)用于一探針卡(圖中未示)時，各探針30的接觸部33是抵接于一芯片的各焊墊，芯片所下壓的力量會推動各探針30的第二端32，使各探針30的第二端32朝容槽22方向移動，探針30身部則呈彎曲狀，由各探針30的第一端31嵌固于基座20的各定位部24，各探針30可具有預(yù)定彈性，芯片的各焊墊與各探針30之間即可確實地相互抵接；同時，利用定位部24結(jié)合于探針30的結(jié)構(gòu)，增加了探針30與基座20相互之間的接觸面積，以及可承受應(yīng)力的部位，各探針30在經(jīng)過長時間以及多次地與各焊墊相互抵接之后，各第一端31仍可穩(wěn)固地與各定位部24相互結(jié)合，進(jìn)而發(fā)生探針30與基座20相互分離的狀況。
由此，本發(fā)明即可利用探針與基座相互之間的結(jié)構(gòu)，使整體電性接觸裝置的結(jié)構(gòu)強度較佳，達(dá)到在進(jìn)行長期反復(fù)的測試工作，各探針較不易產(chǎn)生破壞現(xiàn)象，而且電性接觸裝置不易故障的目的。
上揭實施例中的定位部與各探針相互結(jié)合的結(jié)構(gòu)，亦可改為其它形狀，同樣可達(dá)到本發(fā)明的目的；如圖10所示，是為本發(fā)明第二較佳實施例所提供的電性接觸裝置40，其主要組成構(gòu)件與第一較佳實施例相同，特點在于基座41于各定位部42的二側(cè)面分別具有一凸部43，各凸部43是呈凸起狀，而各探針44的第一端45二外周面則分別具有一凹部46，各探針44是以各凹部46對應(yīng)于基座41的各凸部43的方式嵌設(shè)于定位部42，使探針44與基座41相互結(jié)合。
如圖11所示，是為本發(fā)明第三較佳實施例所提供的電性接觸裝置50，其特點在于基座51于各定位部52的二側(cè)面56是分別自壁面53呈漸擴狀地向內(nèi)延伸，而各探針54的第一端55的截面形狀則對應(yīng)于定位部52的截面形狀，使探針54的第一端55可沿二側(cè)面56嵌入定位部52，并使探針54的身部自壁面53向外側(cè)延伸。
如圖12所示，是為本發(fā)明第四較佳實施例所提供的電性接觸裝置60，其特點在于基座61于定位部62的二側(cè)面分別成形出多數(shù)溝槽63，各溝槽63的延伸方向概略平行于頂面64，而各探針65外周則具有多數(shù)嵌條66，各探針65可利用各嵌條66嵌入各溝槽63的方式，使得探針65設(shè)于基座61的定位部62；再如圖13及圖14所示，探針651的頂面或底面皆可增設(shè)一凸垣671，而探針651嵌入基座611的定位部621，即可再增加探針651與基座611之間的結(jié)合強度；而探針651底面的凸垣671可先以等向性蝕刻方式形成凸垣671的外型空間后，再以電鑄方式成形，而頂面的凸垣671則可利用光阻成形與微電鑄制程堆棧成形。
另如圖15所示，是為本發(fā)明第五較佳實施例所提供的電性接觸裝置66，特點在于定位部67的截面形狀是呈不規(guī)則形狀，而探針68的截面形狀則對應(yīng)于定位部67的截面形狀，由此，探針68仍可與基座69相互結(jié)合(唯各探針的不規(guī)則形狀彼此差異不可過大，以不影響電性規(guī)格為原則)。
再如圖16所示，是為本發(fā)明第六較佳實施例所提供的電性接觸裝置70，特點在于各探針71的第一端72具有一呈垂直狀的嵌合部73，而各定位部74則是凹陷于頂面75，各探針71的嵌合部73嵌固于各定位部74，可使探針71結(jié)合于基座76；而同樣地，如圖17所示，探針711的嵌合部731的截面形狀亦可改為概呈梯型，而定位部741的截面形狀概同于嵌合部731的截面形狀，亦可使探針711與基座761相互嵌合。在本發(fā)明所提供的各探針結(jié)構(gòu)中，由于是利用接觸部接合于芯片的各焊墊，在整體探針的尺寸精度為可容許范圍以內(nèi)，可另于一基板上一樣以微電鑄制程獨立制作出針尖部，再使針尖部與接觸部相互連接，其電鑄方式可為壓模鑄造、以光阻圖形化開口做為模具加以電鑄成形、在基板上蝕刻出針尖型態(tài)的開口加以電鑄成形，或者是利用化學(xué)蝕刻方式、精密機械加工、激光加工、放電加工等等加工方式，使接觸部頂端呈尖形。
為了要增加各探針與基座的接合面積，以及探針的結(jié)構(gòu)強度，如圖18及圖19所示，是為本發(fā)明第七較佳實施例所提供探針卡的電性接觸裝置400，其結(jié)構(gòu)同樣包含有一基座402與至少一探針403，特點在于基座402另具有至少一延伸部404，各延伸部404是以蝕刻方式一體成形于基座402的壁面405，各延伸部404具有二相互間隔的側(cè)壁406，且自各定位部407朝容槽408方向延伸，各探針403則以微電鑄制程設(shè)于各定位部407與二側(cè)壁406之間，以增加探針403與基座402的結(jié)合面積，同時，利用延伸部404的材質(zhì)結(jié)構(gòu)，使整體懸空于容槽408上的探針403結(jié)構(gòu)較強；而若是基座402為非絕緣體材質(zhì)制成時，探針403與基座402、延伸部404之間則應(yīng)設(shè)一介電層(如二氧化硅)，用以使探針403絕緣于基座402。
再如圖20及圖21所示，是本發(fā)明第八較佳實施例的電性接觸裝置500，其結(jié)構(gòu)與第七較佳實施例大致相同，特點在于延伸部501是呈長條狀地自定位部502朝容槽503方向延伸，探針504則電鑄于延伸部501的頂面與底面，各探針504的頂側(cè)及底側(cè)另分別設(shè)有一凸垣部505，以同樣可增加探針504的結(jié)構(gòu)強度；而如圖22及圖23所示，各探針504的凸垣505亦可僅設(shè)于探針504的頂側(cè)或是底側(cè)。
另如圖24及圖25所示，是為本發(fā)明第九較佳實施例的電性接觸裝置600，其結(jié)構(gòu)與第七較佳實施例大致相同，特點在于延伸部601是自定位部602的底側(cè)朝容槽603延伸，探針604則設(shè)于延伸部601的頂面。
如圖26及圖27所示，是為本發(fā)明第十較佳實施例的電性接觸裝置700，其結(jié)構(gòu)與第七較佳實施例大致相同，探針701是設(shè)于延伸部702的二側(cè)壁703間，特點則在于二側(cè)壁703外周與定位部704之間另設(shè)有一導(dǎo)電部705，由此，除了探針701可用于傳輸信號以外，導(dǎo)電部705則可作為接地的用途，由此隔絕噪聲、增加信號傳輸頻寬。
權(quán)利要求
1.一種探針卡的電性接觸裝置，其特征在于，包含有一基座，該基座具有一表面，以及一凹陷于該表面的容槽，該容槽成形出至少一鄰接于該表面的壁面，且于該等壁面設(shè)有至少一定位部；以及至少一探針，各該探針包含有一第一端以及一第二端，各該第一端是設(shè)于該基座的各定位部，使各該第二端朝該容槽延伸。
2.依據(jù)權(quán)利要求1所述的探針卡的電性接觸裝置，其特征在于，其中該定位部是凹陷于該壁面以及該頂面。
3.依據(jù)權(quán)利要求2所述的探針卡的電性接觸裝置，其特征在于，其中該基座于對應(yīng)各該定位部的側(cè)面分別形成出至少一凸部，而各該探針的第一端則具有至少一凹部，該探針是以各凹部對應(yīng)于該基座的各凸部地嵌設(shè)于該定位部。
4.依據(jù)權(quán)利要求2所述的探針卡的電性接觸裝置，其特征在于，其中各該探針的第一端的截面形狀對應(yīng)于各該定位部的截面形狀。
5.依據(jù)權(quán)利要求2所述的探針卡的電性接觸裝置，其特征在于，其中該基座于對應(yīng)各該定位部的側(cè)面成形出至少一溝槽，各該溝槽的延伸方向概略平行于該頂面，而各該探針外周則具有至少一嵌條，各該探針可利用各該嵌條嵌入各該溝槽，使得各該探針設(shè)于該基座。
6.依據(jù)權(quán)利要求5所述的探針卡的電性接觸裝置，其特征在于，其中各該探針的頂面或底面設(shè)有一凸垣，該凸垣的延伸方向概同于各該嵌條，該凸垣是嵌設(shè)于該基座的溝槽。
7.依據(jù)權(quán)利要求2所述的探針卡的電性接觸裝置，其特征在于，其中該定位部的截面形狀是呈不規(guī)則狀，而各該探針的截面形狀則對應(yīng)于該定位部的截面形狀。
8.依據(jù)權(quán)利要求1所述的探針卡的電性接觸裝置，其特征在于，其中該容槽是自該頂面貫穿于該基座。
9.依據(jù)權(quán)利要求1所述的探針卡的電性接觸裝置，其特征在于，其中該基座的容槽成形出一第一壁面以及一第二壁面，該第二壁面凸伸于該第一壁面。
10.依據(jù)權(quán)利要求1所述的探針卡的電性接觸裝置，其特征在于，其中該基座另具有至少一延伸部，各該延伸部是自各該定位部朝該容槽方向延伸，各該探針是設(shè)于各該定位部與各該延伸部。
11.依據(jù)權(quán)利要求10所述的探針卡的電性接觸裝置，其特征在于，其中各該延伸部具有二相互間隔的側(cè)壁，各該探針是設(shè)于該二側(cè)壁之間。
12.依據(jù)權(quán)利要求10所述的探針卡的電性接觸裝置，其特征在于，其中各該延伸部是設(shè)于各該定位部內(nèi)，且朝該容槽方向延伸，各該探針設(shè)于各該延伸部的頂面或底面。
13.依據(jù)權(quán)利要求12所述的探針卡的電性接觸裝置，其特征在于，其中各該探針的頂側(cè)或底側(cè)另設(shè)有一凸垣。
14.依據(jù)權(quán)利要求10所述的探針卡的電性接觸裝置，其特征在于，其中各該延伸部與各該定位部之間另設(shè)有一導(dǎo)電部，各該導(dǎo)電部是用以作為接地。
15.一種探針卡的電性接觸裝置，其特征在于，包含有一基座，該基座具有一表面，以及一凹陷于該表面的容槽，該表面設(shè)有至少一定位部，該定位部亦凹陷于該表面；以及至少一探針，各該探針包含有一第一端以及一第二端，各該第一端是設(shè)于該基座的各定位部，使各該第二端朝該容槽延伸。
16.依據(jù)權(quán)利要求15所述的探針卡的電性接觸裝置，其特征在于，其中該基座于對應(yīng)各該定位部的側(cè)面分別形成出至少一凸部，而各該探針的第一端則具有至少一凹部，該探針是以各凹部對應(yīng)于該基座的各凸部地嵌設(shè)于該定位部。
17.依據(jù)權(quán)利要求15所述的探針卡的電性接觸裝置，其特征在于，其中各該探針的第一端的截面形狀對應(yīng)于各該定位部的截面形狀。
18.依據(jù)權(quán)利要求15所述的探針卡的電性接觸裝置，其特征在于，其中該基座于對應(yīng)各該定位部的側(cè)面成形出至少一溝槽，各該溝槽的延伸方向概略平行于該頂面，而各該探針外周則具有至少一嵌條，各該探針可利用各該嵌條嵌入各該溝槽，使得各該探針設(shè)于該基座。
19.依據(jù)權(quán)利要求18所述的探針卡的電性接觸裝置，其特征在于，其中各該探針的頂面或底面設(shè)有一凸垣，該凸垣的延伸方向概同于各該嵌條，該凸垣是嵌設(shè)于該基座的溝槽。
20.依據(jù)權(quán)利要求10所述的探針卡的電性接觸裝置，其特征在于，其中該定位部的截面形狀是呈不規(guī)則狀，而各該探針的截面形狀則對應(yīng)于該定位部的截面形狀。
21.依據(jù)權(quán)利要求10所述的探針卡的電性接觸裝置，其特征在于，其中該容槽是自該頂面貫穿于該基座。
22.一種電性接觸裝置的制法，其特征在于，包含有下列步驟a.制備一基座，該基座具有一頂面以及一底面；b.自該基座的頂面蝕刻出一呈凹陷狀的第一空間；c.于該基座的第一空間與頂面施行光阻成形以及微電鑄制程，使該基座成形出多數(shù)探針與多層犧牲層，各該探針具有一第一端與一第二端，該第二端具有一接觸部；d.于該基座的底面蝕刻出一容槽，該容槽的位置對應(yīng)于該等探針的第二端下方；以及e.移除各該犧牲層，即可于該基座形成出各該探針，各該探針的第一端是設(shè)于該基座，各該探針的第二端則朝該容槽延伸。
23.依據(jù)權(quán)利要求22所述的電性接觸裝置的制法，其特征在于，其中該基座是可利用硅材質(zhì)、SOI基座、介電基座，或是表面具有介電材質(zhì)的基座所制成。
24.依據(jù)權(quán)利要求22所述的電性接觸裝置的制法，其特征在于，其中于該步驟b之后，是可于該基座與各該探針相互結(jié)合的表面預(yù)先鋪設(shè)介電材質(zhì)，使各該探針保持絕緣狀態(tài)。
25.依據(jù)權(quán)利要求22所述的電性接觸裝置的制法，其特征在于，其中于該步驟d時，是利用一第一蝕刻制程自該基座頂面蝕刻出一第一壁面，再利用一第二蝕刻制程自該基座的底面蝕刻出一第二壁面，并使該基座成形出該容槽，而該第一壁面是凸伸于該第二壁面。
26.依據(jù)權(quán)利要求22所述的電性接觸裝置的制法，其特征在于，其中該步驟b的蝕刻制程亦可以激光加工方式取代。
全文摘要
一種探針卡的電性接觸裝置，包含有一基座以及至少一探針，基座具有一表面，以及一凹陷于表面的容槽，容槽成形出一鄰接于表面的壁面，且于壁面設(shè)有至少一定位部，各探針包含有一第一端以及一第二端，各第一端是設(shè)于基座的各定位部，使各第二端朝容槽延伸。
文檔編號H01L21/66GK1948971SQ20051011349
公開日2007年4月18日 申請日期2005年10月14日 優(yōu)先權(quán)日2005年10月14日
發(fā)明者陳志忠 申請人:旺矽科技股份有限公司