專利名稱：氮化硅層的制造方法及半導(dǎo)體元件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種氮化硅層的制造方法，尤其涉及一種具有高拉伸應(yīng)力的氮化硅層的制造方法。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體工藝進(jìn)入亞微米時(shí)代，65nm以下的工藝對(duì)于NMOS及PMOS的驅(qū)動(dòng)電流的提升日趨重視。NMOS及PMOS的驅(qū)動(dòng)電流的提升將大為改善元件延遲時(shí)間(time delay)。
而最近幾年，國(guó)內(nèi)外專家開(kāi)始研究具有應(yīng)力的氮化硅頂蓋層及氮化硅蝕刻終止層對(duì)元件驅(qū)動(dòng)電流的影響。研究發(fā)現(xiàn)具有拉伸應(yīng)力(tensile stress)的氮化硅層可以增加NMOS的驅(qū)動(dòng)電流，而且拉伸應(yīng)力越大，則NMOS的驅(qū)動(dòng)電流增加越多。
但是，現(xiàn)在最佳的鍍膜技術(shù)只能形成拉伸應(yīng)力為1.2GPa的氮化硅層，而目前對(duì)于氮化硅層的拉伸應(yīng)力的需求遠(yuǎn)高于1.2GPa。因此，在現(xiàn)有技術(shù)中，在形成氮化硅層之后常藉由快速熱退火工藝或是紫外光照射處理來(lái)增加拉伸應(yīng)力。
然而，形成接觸窗開(kāi)口所使用的氮化硅蝕刻終止層是形成于金屬硅化物之后，所以如果利用快速熱退火工藝來(lái)增加氮化硅蝕刻終止層的應(yīng)力，快速熱退火工藝的高溫會(huì)對(duì)金屬硅化物造成不良的影響。
此外，目前對(duì)氮化硅層所進(jìn)行的紫外光照射處理是在一大氣壓的環(huán)境下進(jìn)行，所能夠提升的拉伸應(yīng)力有一定的限度，無(wú)法滿足在半導(dǎo)體工藝中的需要。
因此，如何有效提升氮化硅層的拉伸應(yīng)力，以達(dá)到工藝上的需求而進(jìn)一步提升半導(dǎo)體元件的驅(qū)動(dòng)電流，是目前全世界半導(dǎo)體公司研究的重要目標(biāo)之一。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的目的是提供一種氮化硅層的制造方法，以形成具有較高拉伸應(yīng)力的氮化硅層。
本發(fā)明的再一目的是提供一種半導(dǎo)體元件的制造方法，以有效提升半導(dǎo)體元件的驅(qū)動(dòng)電流。
本發(fā)明提出一種氮化硅層的制造方法，首先提供一襯底。接著，在襯底上形成氮化硅層。然后，在低于一大氣壓的壓力環(huán)境中，對(duì)氮化硅層進(jìn)行紫外光照射處理。
依照本發(fā)明的一優(yōu)選實(shí)施例所述，在上述的氮化硅層的制造方法中，低于一大氣壓的壓力環(huán)境為3mTorr～500Torr。
依照本發(fā)明的一優(yōu)選實(shí)施例所述，在上述的氮化硅層的制造方法中，低于一大氣壓的壓力環(huán)境包括真空。
依照本發(fā)明的一優(yōu)選實(shí)施例所述，在上述的氮化硅層的制造方法中，紫外光的波長(zhǎng)范圍為100nm～400nm。
依照本發(fā)明的一優(yōu)選實(shí)施例所述，在上述的氮化硅層的制造方法中，進(jìn)行紫外光照射處理的環(huán)境溫度為150℃～700℃。
依照本發(fā)明的一優(yōu)選實(shí)施例所述，在上述的氮化硅層的制造方法中，進(jìn)行紫外光照射處理的時(shí)間為30秒～60分鐘。
依照本發(fā)明的一優(yōu)選實(shí)施例所述，在上述的氮化硅層的制造方法中，形成氮化硅層的方法包括化學(xué)氣相沉積法。
依照本發(fā)明的一優(yōu)選實(shí)施例所述，在上述的氮化硅層的制造方法中，化學(xué)氣相沉積法為等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積法、低壓化學(xué)氣相沉積法或原子層化學(xué)氣相沉積法。
本發(fā)明提出一種半導(dǎo)體元件的制造方法，首先提供一襯底。接著，在襯底上形成柵介電層。然后，在柵介電層上形成柵極。接下來(lái)，在柵極兩側(cè)的襯底中形成源極/漏極區(qū)。之后，于襯底上形成第一氮化硅層。然后，在低于一大氣壓的壓力環(huán)境中，對(duì)第一氮化硅層進(jìn)行紫外光照射處理。隨后，于第一氮化硅層上形成介電層。再者，移除部分介電層并暴露出部分第一氮化硅層。接著，移除暴露出的第一氮化硅層，以于半導(dǎo)體元件上方形成接觸窗開(kāi)口。
依照本發(fā)明的一優(yōu)選實(shí)施例所述，在上述的半導(dǎo)體元件的制造方法中，于源極/漏極區(qū)形成之后，于第一氮化硅層形成之前，還包括于柵極與源極/漏極區(qū)上形成金屬硅化物。
依照本發(fā)明的一優(yōu)選實(shí)施例所述，在上述的半導(dǎo)體元件的制造方法中，金屬硅化物的制造方法，首先于襯底上形成第二氮化硅層。接著，移除部分第二氮化硅層，以暴露出柵極與源極/漏極區(qū)。然后，于襯底上形成金屬材料層，金屬材料層覆蓋于柵極與源極/漏極區(qū)上。接下來(lái)，進(jìn)行一個(gè)熱處理，以于柵極與源極/漏極區(qū)上形成金屬硅化物。之后，移除金屬材料層。隨后，移除第二氮化硅層。
依照本發(fā)明的一優(yōu)選實(shí)施例所述，在上述的半導(dǎo)體元件的制造方法中，于第二氮化硅層形成之后，于移除部分第二氮化硅層之前，還包括在低于一大氣壓的壓力環(huán)境中，對(duì)第二氮化硅層進(jìn)行紫外光照射處理。
依照本發(fā)明的一優(yōu)選實(shí)施例所述，在上述的半導(dǎo)體元件的制造方法中，于第二氮化硅層形成之后，于移除部分第二氮化硅層之前，還包括對(duì)第二氮化硅層進(jìn)行一個(gè)快速熱退火工藝。
依照本發(fā)明的一優(yōu)選實(shí)施例所述，在上述的半導(dǎo)體元件的制造方法中，低于一大氣壓的壓力環(huán)境為3mTorr～500Torr。
依照本發(fā)明的一優(yōu)選實(shí)施例所述，在上述的半導(dǎo)體元件的制造方法中，低于一大氣壓的壓力環(huán)境包括真空。
依照本發(fā)明的一優(yōu)選實(shí)施例所述，在上述的半導(dǎo)體元件的制造方法中，紫外光的波長(zhǎng)范圍為100nm～400nm。
依照本發(fā)明的一優(yōu)選實(shí)施例所述，在上述的半導(dǎo)體元件的制造方法中，進(jìn)行紫外光照射處理的環(huán)境溫度為150℃～700℃。
依照本發(fā)明的一優(yōu)選實(shí)施例所述，在上述的半導(dǎo)體元件的制造方法中，進(jìn)行紫外光照射處理的時(shí)間為30秒～60分鐘。
依照本發(fā)明的一優(yōu)選實(shí)施例所述，在上述的半導(dǎo)體元件的制造方法中，形成第一氮化硅層的方法包括化學(xué)氣相沉積法。
依照本發(fā)明的一優(yōu)選實(shí)施例所述，在上述的半導(dǎo)體元件的制造方法中，化學(xué)氣相沉積法為等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積法、低壓化學(xué)氣相沉積法或原子層化學(xué)氣相沉積法。
由于在本發(fā)明所提出的氮化硅層的制造方法中，紫外光照射處理是在低壓的環(huán)境中進(jìn)行，可提升氮化硅層的拉伸應(yīng)力。
此外，本發(fā)明的半導(dǎo)體元件的制造方法可制造出具有高拉伸應(yīng)力的氮化硅層，因此能改善電子遷移率，以提升半導(dǎo)體元件的驅(qū)動(dòng)電流。
另外，當(dāng)?shù)鑼討?yīng)用在蝕刻終止層時(shí)，可有效的提升蝕刻工藝的工藝裕度。
另一方面，在較低的環(huán)境溫度下進(jìn)行紫外線照射處理即可得到高拉伸應(yīng)力的氮化硅層，可避免高溫對(duì)金屬硅化物造成破壞。
為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實(shí)施例，并配合附圖，作詳細(xì)說(shuō)明如下。


圖1所繪示為本發(fā)明一實(shí)施例的氮化硅層的剖面圖；圖2所繪示為紫外光波長(zhǎng)的分布圖；圖3A～3E所繪示為本發(fā)明一實(shí)施例的半導(dǎo)體元件的制造流程剖面圖；圖4所繪示為氮化硅層厚度與電流增加率的曲線圖；圖5所繪示為紫外光照射時(shí)間與應(yīng)力的曲線圖；圖6所繪示為關(guān)閉電流與開(kāi)啟電流的曲線圖。
主要元件符號(hào)說(shuō)明100、300襯底102、310、316氮化硅層302柵介電層304柵極305源極/漏極區(qū)延伸區(qū)308源極/漏極區(qū)312金屬材料層314金屬硅化物306間隙壁318介電層320接觸窗開(kāi)口具體實(shí)施方式
圖1所繪示為本發(fā)明一實(shí)施例的氮化硅層的剖面圖。
請(qǐng)參照?qǐng)D1，本發(fā)明的氮化硅層的制造方法首先提供一襯底100，襯底100例如是硅襯底。
接著，在襯底100上形成氮化硅層102。氮化硅層102的形成方法例如是化學(xué)氣相沉積法，如等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積法、低壓化學(xué)氣相沉積法或原子層化學(xué)氣相沉積法等方法。
然后，在低于一大氣壓的壓力環(huán)境中，對(duì)氮化硅層102進(jìn)行紫外光照射處理。其中，低于一大氣壓的壓力環(huán)境例如是在3mTorr～500Torr之間，還可為真空的環(huán)境。紫外光的波長(zhǎng)范圍例如是在100nm～400nm之間。進(jìn)行紫外光照射處理的環(huán)境溫度例如是在150℃～700℃之間。進(jìn)行紫外光照射處理的時(shí)間例如是在30秒～60分鐘之間。
圖2所繪示為紫外光波長(zhǎng)的分布圖。請(qǐng)參照?qǐng)D2，在Light MeasurementHandbook(International Light公司出版，作者為Ryer及Alex)中，依照波長(zhǎng)及對(duì)生物的影響將紫外光分為紫外光A(UV-A)、紫外光B(UV-B)及紫外光C(UV-C)。紫外光A的波長(zhǎng)范圍在315nm～400nm，紫外光B的波長(zhǎng)范圍在280nm～315nm，紫外線C的波長(zhǎng)范圍在100nm～280nm。其中，能量最強(qiáng)的紫外光C在大氣中會(huì)被空氣吸收產(chǎn)生臭氧(O3)。
表1所示為打斷化學(xué)鍵所需的鍵能及紫外光波長(zhǎng)。請(qǐng)參照表1，對(duì)氮化硅層102進(jìn)行紫外光照射處理的目的在于紫外光具有足夠的能量能打斷Si-H及SiN-H的化學(xué)鍵，將氫(H)趕出氮化硅層102，可以增強(qiáng)氮化硅層102的拉伸應(yīng)力。在紫外光波長(zhǎng)小于400nm的情況下均可打斷Si-H及SiN-H的化學(xué)鍵，且紫外光的波長(zhǎng)越短則能量越強(qiáng)，氮化硅層102的拉伸應(yīng)力也越大。
表1 打斷化學(xué)鍵所需的鍵能及紫外光波長(zhǎng)

現(xiàn)有技術(shù)所進(jìn)行的紫外線照射處理是在一大氣壓的環(huán)境下進(jìn)行，因此能量最強(qiáng)的紫外光C在大氣中會(huì)被空氣吸收產(chǎn)生臭氧(O3)。
由于對(duì)本發(fā)明的氮化硅層102所進(jìn)行的紫外線照射處理，環(huán)境壓力例如是3mTorr～500Torr或是真空的低壓環(huán)境，所以可以抑制紫外光C被空氣所吸收。因此，在本發(fā)明的氮化硅層的制造方法中，所進(jìn)行的紫外光照射能夠充分地利用紫外光A、紫外光B及能量最強(qiáng)的紫外光C來(lái)打斷Si-H及SiN-H的化學(xué)鍵，以增加氮化硅層102的拉伸應(yīng)力。
圖3A～3E所繪示為本發(fā)明一實(shí)施例的半導(dǎo)體元件的制造流程剖面圖。
請(qǐng)參照?qǐng)D3A，首先提供一襯底300，例如是硅襯底。接著，在襯底300上形成柵介電層302。柵介電層302的材質(zhì)例如是氧化硅，柵介電層302的形成方法例如是熱氧化法。
然后，在柵介電層302上形成柵極304。柵極304的材質(zhì)例如是摻雜多晶硅，其形成的方法例如是以原位(In-situ)摻雜的方式進(jìn)行化學(xué)氣相沉積法形成摻雜多晶硅材料層(未標(biāo)示)，再對(duì)摻雜多晶硅材料層進(jìn)行一個(gè)圖案化工藝而形成的。
接著，可于柵極304兩側(cè)的襯底300中形成源極/漏極區(qū)延伸區(qū)305。源極/漏極區(qū)延伸區(qū)305的形成方法例如是離子注入法。
然后，可于柵極304兩側(cè)的襯底300上形成間隙壁306。間隙壁306的材質(zhì)例如是氮化硅。間隙壁306的形成方法例如是先以化學(xué)氣相沉積法形成間隙壁材料層(未繪示)，再進(jìn)行一個(gè)回蝕刻工藝而形成的。
接下來(lái)，請(qǐng)參照?qǐng)D3B，在柵極304兩側(cè)的襯底300中形成源極/漏極區(qū)308。源極/漏極區(qū)308的形成方法例如是離子注入法。
之后，可于襯底300上形成氮化硅層310，氮化硅層310例如是用以作為應(yīng)力層使用。氮化硅層310的形成方法例如是化學(xué)氣相沉積法，如等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積法、低壓化學(xué)氣相沉積法或原子層化學(xué)氣相沉積法等方法。此外，于襯底300上形成氮化硅層310之后，可對(duì)氮化硅層310進(jìn)行一個(gè)處理工藝以提高氮化硅層310的拉伸應(yīng)力。此處理工藝可以是對(duì)氮化硅層310進(jìn)行一個(gè)快速熱退火工藝。此外，處理工藝也可以是在低于一大氣壓的壓力環(huán)境中，對(duì)氮化硅層310進(jìn)行紫外光照射處理。其中，低于一大氣壓的壓力環(huán)境例如是在3mTorr～500Torr之間，還可為真空的環(huán)境。紫外光的波長(zhǎng)范圍例如是在100nm～400nm之間。進(jìn)行紫外光照射處理的環(huán)境溫度例如是在150℃～700℃之間。進(jìn)行紫外光照射處理的時(shí)間例如是在30秒～60分鐘之間。
接著，移除部分氮化硅層310，以暴露出柵極304與源極/漏極區(qū)308。移除部分氮化硅層310的方法例如是進(jìn)行一個(gè)圖案化工藝。然后，于襯底300上形成金屬材料層312，金屬材料層312覆蓋于柵極304與源極/漏極區(qū)308上。金屬材料層312的材質(zhì)例如是鎳、鎢、鈷、鈦、鉬或鉑，而金屬材料層的形成方法例如是物理氣相沉積法。
接下來(lái)，請(qǐng)參照?qǐng)D3C，進(jìn)行一個(gè)熱處理，以于柵極304與源極/漏極區(qū)308上形成金屬硅化物314。金屬硅化物314的材質(zhì)例如是硅化鎳、硅化鎢、硅化鈷、硅化鈦、硅化鉬或硅化鉑。之后，移除金屬材料層312。隨后，移除氮化硅層310。在形成金屬硅化物314時(shí)，本領(lǐng)域技術(shù)人員可依工藝上的需求來(lái)決定是否形成氮化硅層310。值得注意的是，在形成氮化硅層310的情況下可增加拉伸應(yīng)力。
之后，請(qǐng)參照?qǐng)D3D，于襯底300上形成氮化硅層316，氮化硅層316例如是作為蝕刻終止層使用。氮化硅層316的形成方法例如是化學(xué)氣相沉積法，如等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積法、低壓化學(xué)氣相沉積法或原子層化學(xué)氣相沉積法等方法。
然后，在低于一大氣壓的壓力環(huán)境中，對(duì)氮化硅層316進(jìn)行紫外光照射處理。其中，低于一大氣壓的壓力環(huán)境例如是在3mTorr～500Torr之間，還可為真空的環(huán)境。紫外光的波長(zhǎng)范圍例如是在100nm～400nm之間。進(jìn)行紫外光照射處理的環(huán)境溫度例如是在150℃～700℃之間。進(jìn)行紫外光照射處理的時(shí)間例如是在30秒～60分鐘之間。
然后，請(qǐng)參照?qǐng)D3E，于氮化硅層316上形成介電層318。介電層318的材質(zhì)例如是氧化硅。介電層318的形成方法例如是化學(xué)氣相沉積法。然后，移除部分介電層318并暴露出部分氮化硅層316。接著，移除暴露出的氮化硅層316，以于半導(dǎo)體元件上方形成接觸窗開(kāi)口320。上述介電層318及氮化硅層316的移除方法例如是進(jìn)行光刻及蝕刻工藝而移除的。其它半導(dǎo)體元件的后續(xù)工藝為本領(lǐng)域技術(shù)人員所周知，于此不再贅述。
由于在本發(fā)明所制造的半導(dǎo)體元件中，氮化硅層310及氮化硅層316均為具有高拉伸應(yīng)力的膜層，因此能改善電子遷移率，以提升半導(dǎo)體元件的驅(qū)動(dòng)電流。此外，由于氮化硅層316可在較低的環(huán)境溫度(150℃～700℃)下進(jìn)行紫外線照射處理，可避免高溫對(duì)金屬硅化物314造成破壞。
以下，進(jìn)行實(shí)際的實(shí)驗(yàn)測(cè)試，以說(shuō)明利用本發(fā)明的半導(dǎo)體元件的制造方法所制造的元件效能。
圖4所繪示為氮化硅層厚度與電流增加率的曲線圖。
請(qǐng)參照?qǐng)D4，在電流增加率是8％的條件下，當(dāng)?shù)鑼拥睦鞈?yīng)力為1.2Gpa時(shí)，所需的氮化硅層厚度為800埃，當(dāng)?shù)鑼拥睦鞈?yīng)力為1.5Gpa時(shí)，所需的氮化硅層厚度為620埃，當(dāng)?shù)鑼拥睦鞈?yīng)力為1.8Gpa時(shí)，所需的氮化硅層厚度為500埃。換言之，在氮化硅層的拉伸應(yīng)力越高的情況下，達(dá)到相同電流增加率所需的膜層厚度就越薄。由此可知，在氮化硅層應(yīng)用在蝕刻終止層時(shí)，由于本發(fā)明能提高氮化硅層的拉伸應(yīng)力以降低氮化硅層厚度，可有效的提升蝕刻工藝的工藝裕度。
圖5所繪示為紫外光照射處理時(shí)間與拉伸應(yīng)力的曲線圖。
請(qǐng)參照?qǐng)D5，在環(huán)境溫度為400℃的條件下，氮化硅層在進(jìn)行紫外光照射處理12秒時(shí)，在一大氣壓下進(jìn)行紫外光照射處理的氮化硅層的拉伸應(yīng)力為1.54Gpa，在低于一大氣壓下(真空)進(jìn)行紫外光照射處理的氮化硅層的拉伸應(yīng)力為1.68Gpa。由此可知，由于本發(fā)明是在低于一大氣壓的低壓力環(huán)境下進(jìn)行紫外光照射處理，可以有效提升氮化硅層的拉伸應(yīng)力。
圖6所繪示為關(guān)閉電流與開(kāi)啟電流的曲線圖。
請(qǐng)參照?qǐng)D6，氮化硅層應(yīng)用在蝕刻終止層時(shí)，在氮化硅層厚度為800埃及關(guān)閉電流(Ioff)為1×10-7的條件下，拉伸應(yīng)力為1.4Gpa的氮化硅層相比于低拉伸應(yīng)力的氮化硅層的開(kāi)啟電流(Ion)高出9.6％，拉伸應(yīng)力為1.4Gpa的氮化硅層相比于低拉伸應(yīng)力的氮化硅層的開(kāi)啟電流(Ion)高出12.6％。由此可知，本發(fā)明所制造出的高拉伸應(yīng)力的氮化硅層，能大幅提升開(kāi)啟電流。
綜上所述，本發(fā)明至少具有下列優(yōu)點(diǎn)1.在本發(fā)明所提出的氮化硅層的制造方法中，由于紫外光照射處理是在低壓的環(huán)境中進(jìn)行，高能量的紫外光C不會(huì)被空氣所吸收，可提升氮化硅層的拉伸應(yīng)力。
2.本發(fā)明的半導(dǎo)體元件的制造方法可制造出具有高拉伸應(yīng)力的氮化硅層，因此能改善電子遷移率，以提升半導(dǎo)體元件的驅(qū)動(dòng)電流。
3.在本發(fā)明所提出的半導(dǎo)體元件的制造方法中，當(dāng)?shù)鑼討?yīng)用在蝕刻終止層時(shí)，可有效的提升蝕刻工藝的工藝裕度。
4.本發(fā)明的半導(dǎo)體元件的制造方法在較低的環(huán)境溫度下進(jìn)行紫外線照射處理即可得到高拉伸應(yīng)力氮化硅層，可避免高溫對(duì)金屬硅化物造成破壞。
雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的前提下，可作些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視所附權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種氮化硅層的制造方法，包括提供一襯底；在該襯底上形成一氮化硅層；以及在一低于一大氣壓的壓力環(huán)境中，對(duì)該氮化硅層進(jìn)行一紫外光照射處理。
2.如權(quán)利要求1所述的氮化硅層的制造方法，其中該低于一大氣壓的壓力環(huán)境為3mTorr～500Torr。
3.如權(quán)利要求1所述的氮化硅層的制造方法，其中該低于一大氣壓的壓力環(huán)境包括真空。
4.如權(quán)利要求1所述的氮化硅層的制造方法，其中該紫外光的波長(zhǎng)范圍為100nm～400nm。
5.如權(quán)利要求1所述的氮化硅層的制造方法，其中進(jìn)行該紫外光照射處理的環(huán)境溫度為150℃～700℃。
6.如權(quán)利要求1所述的氮化硅層的制造方法，其中進(jìn)行該紫外光照射處理的時(shí)間為30秒～60分鐘。
7.如權(quán)利要求1所述的氮化硅層的制造方法，其中形成該氮化硅層的方法包括一化學(xué)氣相沉積法。
8.如權(quán)利要求1所述的氮化硅層的制造方法，其中該化學(xué)氣相沉積法為等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積法、低壓化學(xué)氣相沉積法或原子層化學(xué)氣相沉積法。
9.一種半導(dǎo)體元件的制造方法，包括提供一襯底；在該襯底上形成一柵介電層；在該柵介電層上形成一柵極；在該柵極兩側(cè)的該襯底中形成一源極/漏極區(qū)；于該襯底上形成一第一氮化硅層；在一低于一大氣壓的壓力環(huán)境中，對(duì)該第一氮化硅層進(jìn)行一紫外光照射處理；于該第一氮化硅層上形成一介電層；移除部分該介電層并暴露出部分該第一氮化硅層；以及移除暴露出的該第一氮化硅層，以于該半導(dǎo)體元件上方形成一接觸窗開(kāi)口。
10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，于該源極/漏極區(qū)形成之后，于該第一氮化硅層形成之前，還包括于該柵極與該源極/漏極區(qū)上形成一金屬硅化物。
11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其中該金屬硅化物的制造方法包括于該襯底上形成一第二氮化硅層；移除部分該第二氮化硅層，以暴露出該柵極與該源極/漏極區(qū)；于該襯底上形成一金屬材料層，該金屬材料層覆蓋于該柵極與該源極/漏極區(qū)上；進(jìn)行一熱處理，以于該柵極與該源極/漏極區(qū)上形成該金屬硅化物；移除該金屬材料層；以及移除該第二氮化硅層。
12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，于該第二氮化硅層形成之后，于移除部分該第二氮化硅層之前，還包括在該低于一大氣壓的壓力環(huán)境中，對(duì)該第二氮化硅層進(jìn)行該紫外光照射處理。
13.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，于該第二氮化硅層形成之后，于移除部分該第二氮化硅層之前，還包括對(duì)該第二氮化硅層進(jìn)行一快速熱退火工藝。
14.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其中該低于一大氣壓的壓力環(huán)境為3mTorr～500Torr。
15.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其中該低于一大氣壓的壓力環(huán)境包括真空。
16.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其中該紫外光的波長(zhǎng)范圍為100nm～400nm。
17.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其中進(jìn)行該紫外光照射處理的環(huán)境溫度為150℃～700℃。
18.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其中進(jìn)行該紫外光照射處理的時(shí)間為30秒～60分鐘。
19.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其中形成該第一氮化硅層的方法包括一化學(xué)氣相沉積法。
20.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其中該化學(xué)氣相沉積法為等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積法、低壓化學(xué)氣相沉積法或原子層化學(xué)氣相沉積法。
全文摘要
一種氮化硅層的制造方法，首先提供一襯底。接著，在襯底上形成氮化硅層。然后，在低于一大氣壓的壓力環(huán)境中，對(duì)氮化硅層進(jìn)行紫外光照射處理。藉此，可增加氮化硅層的拉伸應(yīng)力。
文檔編號(hào)H01L21/336GK1949464SQ20051011371
公開(kāi)日2007年4月18日 申請(qǐng)日期2005年10月14日 優(yōu)先權(quán)日2005年10月14日
發(fā)明者陳能國(guó), 蔡騰群, 廖秀蓮 申請(qǐng)人:聯(lián)華電子股份有限公司