專利名稱：防止有源有機發(fā)光二極管器件的陰極產(chǎn)生斷裂的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種有源有機發(fā)光二極管器件(Active MatrixOLED)的制造方法，且特別是有關(guān)于一種防止有源有機發(fā)光二極管器件的陰極產(chǎn)生斷裂的方法。
背景技術(shù)：
有機發(fā)光二極管是一種可將電能轉(zhuǎn)換成光能且具有高轉(zhuǎn)換效率的半導(dǎo)體器件，常見的用途為指示燈、顯示面板以及光學(xué)讀寫頭的發(fā)光器件等等。由于有機發(fā)光二極管器件具備一些特性，如無視角、制作工藝簡易、低成本、高應(yīng)答速度、使用溫度范圍廣泛與全彩化等，符合多媒體時代顯示器特性的要求，近年來已成為研究的熱潮。
現(xiàn)今一種有源有機發(fā)光二極管器件以在積極的發(fā)展中。關(guān)于有源有機發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)其及制造方法如下所述。
圖1所示，其繪示為公知一種有源有機發(fā)光二極管器件的結(jié)構(gòu)剖面示意圖。
請參照圖1，公知有源有機發(fā)光二極管器件的制造方法，首先在一基板100上形成一柵極102。接著于基板100與柵極102上形成一柵極絕緣層104。并且在柵極102上方的柵極絕緣層104上形成一溝道層106。之后，于溝道層106上形成一漏極108a/源極108b，以構(gòu)成一薄膜晶體管。
緊接著，于基板100上方形成一保護層110，覆蓋住薄膜晶體管。之后，于保護層110中形成一開口112，并暴露出源極108b。之后，再于保護層110上與部分開口112內(nèi)部形成一陽極層114，而使陽極層114與源極108b電性連接。之后，于基板100上方依序形成一發(fā)光層116以及一陰極層118。如此，即完成一有源有機發(fā)光二極管的制作。
在公知有源有機發(fā)光二極管器件的制作過程中，其有機層116與陰極層118以蒸鍍的方式直接鍍在薄膜晶體管結(jié)構(gòu)與陽極層114的上方。然而，由于有機層116與陰極層118的階梯覆蓋能力較差，因此在薄膜晶體管結(jié)構(gòu)中的較大轉(zhuǎn)角處120，例如是在漏極/源極108a/108b圖案兩端的轉(zhuǎn)角處120，將特別容易使后續(xù)形成于其上方有機層116與陰極層118產(chǎn)生不連續(xù)或斷裂的情形。而當(dāng)陰極層118有不連續(xù)或斷裂的情形發(fā)生時，非但會對器件的電流傳導(dǎo)受到影響，且對器件的發(fā)光也會造成嚴(yán)重的影響。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的就是在提供一種防止有源有機發(fā)光二極管器件的陰極產(chǎn)生斷裂的情形，以使器件的電流傳導(dǎo)與器件的發(fā)光機制能正常運作。
本發(fā)明提出一種防止有源有機發(fā)光二極管器件的陰極產(chǎn)生斷裂的方法，其通過削緩一薄膜晶體管的一源極/漏極兩端的一轉(zhuǎn)角處，借此以改善有源有機發(fā)光二極管器件的陰極層產(chǎn)生斷裂的情形，此方法包括在一基板形成一導(dǎo)電層，其中此導(dǎo)電層的材料例如是鉬/鋁/鉬堆棧層。之后，在此導(dǎo)電層上形成一圖案化的光阻層，并且以此光阻層為罩幕進行一干式蝕刻制作工藝，而形成薄膜晶體管的源極/漏極圖案。其中所形成的源極/漏極圖案兩端的輪廓呈斜坡狀。而此干式蝕刻制作工藝的一反應(yīng)氣體例如是SF6與O2的混合氣體，或者是Cl2與BCl3的混合氣體，且SF6/O2的比例介于0.5～1.0之間，Cl2/BCl3的比例介于_0.4～0.8之間。最后再將光阻層移除。由于所形成的源極/漏極圖案兩端的輪廓呈斜坡狀，因此可防止后續(xù)于其上方所形成的陰極層產(chǎn)生斷裂。
本發(fā)明再提出一種防止有源有機發(fā)光二極管器件的陰極產(chǎn)生斷裂的方法，其通過削緩一薄膜晶體管的一源極/漏極兩端的一轉(zhuǎn)角處，借此以改善有源有機發(fā)光二極管器件的一陰極層產(chǎn)生斷裂的情形，此方法包括在一基板形成一導(dǎo)電層。接著在導(dǎo)電層上形成圖案化的一第一光阻層，并且以第一光阻層為罩幕進行一第一蝕刻制作工藝，以移除導(dǎo)電層的部分厚度。之后，進行一光阻層灰化步驟(Ashing)，以移除第一光阻層的部分厚度，而形成一第二光阻層。然后，再以第二光阻層為罩幕進行一第二蝕刻制作工藝，而形成薄膜晶體管的源極/漏極圖案。其中，源極/漏極圖案兩端的輪廓呈階梯狀。最后再將第二光阻層移除。由于所形成的源極/漏極圖案兩端的輪廓呈階梯狀，因此可防止后續(xù)于其上方所形成的陰極層產(chǎn)生斷裂。
本發(fā)明再提出一種防止有源有機發(fā)光二極管器件的陰極產(chǎn)生斷裂的方法，其通過削緩一薄膜晶體管的一源極/漏極兩端的一轉(zhuǎn)角處，借此以改善該有源有機發(fā)光二極管器件的一陰極層產(chǎn)生斷裂的情形，此方法包括在一基板形成一導(dǎo)電層。之后，在導(dǎo)電層上形成一光阻層，并以此光阻層為罩幕進行一蝕刻制作工藝，以形成薄膜晶體管的源極/漏極圖案，其中此蝕刻制作工藝的一蝕刻液為HNO3/H3PO4/CH3COOH，且蝕刻液中HNO3的重量比介于0.1～0.2之間。由于本發(fā)明的方法所使用蝕刻液的HNO3的濃度較高，因此其對于接口的蝕刻速率相對較高，而借此以削緩薄膜晶體管的源極/漏極兩端陡峭的轉(zhuǎn)角，以防止后續(xù)于其上方所形成的陰極層產(chǎn)生斷裂。
本發(fā)明提出一種防止有源有機發(fā)光二極管器件的陰極產(chǎn)生斷裂的方法，此方法首先提供一基板，其中基板上已形成有多個呈陣列排列的薄膜晶體管，且每一薄膜晶體管包括一柵極、一溝道層、一源極以及一漏極。接著，在基板上形成與每一薄膜晶體管對應(yīng)的一陽極層，其中陽極層與薄膜晶體管的源極電性連接。之后，在基板上方形成一發(fā)光層以及一陰極層，覆蓋住薄膜晶體管與陽極層。當(dāng)所形成的陰極層產(chǎn)生斷裂的情形時，可于陰極層的表面上形成一修補導(dǎo)電層，借此以修補陰極層發(fā)生斷裂之處。其中，形成修補導(dǎo)電層的方法例如是濺鍍法。另外，形成此修補導(dǎo)電層的方法還可以先進行一熱蒸鍍步驟或電子束蒸鍍步驟，再進行一濺鍍步驟。而修補導(dǎo)電層的材料可以是任何能用于修補陰極層的導(dǎo)電材料，較佳的是陰極層相同的材料。
本發(fā)明所提出的防止有源有機發(fā)光二極管器件的陰極產(chǎn)生斷裂的方法，利用特殊的蝕刻方式，以削減源極/漏極兩端的轉(zhuǎn)角處，可以有效的達到防止后續(xù)所形成的陰極層產(chǎn)生斷裂。特別是，本發(fā)明還可以利用一修補步驟，以修補陰極層的斷裂處，而使器件仍能正常運作。
為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征、和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉一較佳實施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說明。


圖1為公知一種有源有機發(fā)光二極管器件的結(jié)構(gòu)剖面示意圖；圖2是依照本發(fā)明第一實施例的有源有機發(fā)光二極管器件的結(jié)構(gòu)剖面示意圖；圖3是依照本發(fā)明第二實施例的有源有機發(fā)光二極管器件的結(jié)構(gòu)剖面示意圖；圖4A至圖4C是依照本發(fā)明第三實施例的防止有源有機發(fā)光二極管器件的陰極產(chǎn)生斷裂的流程剖面示意圖；圖5A至圖5D是依照本發(fā)明第三實施例的防止有源有機發(fā)光二極管器件的陰極產(chǎn)生斷裂的流程剖面示意圖；圖6A至圖6B是依照本發(fā)明第四實施例的防止有源有機發(fā)光二極管器件的陰極產(chǎn)生斷裂的流程剖面示意圖。
標(biāo)示說明100、400、500、600基板102柵極
104柵氧化層 106溝道層108a/108b、408a/408b、508a/508b、608漏極/源極110、210、310保護層 112、212開口114、214、314陽極層116、216、316、616發(fā)光層118、218、318、618陰極層120、615轉(zhuǎn)角處302感光材料層108、408、508導(dǎo)電層 402、502、504光阻層620修補導(dǎo)電層具體實施方式
第一實施例圖2所示，其繪示是依照本發(fā)明第一實施例的有源有機發(fā)光二極管器件的結(jié)構(gòu)剖面示意圖。
請參照圖2，本發(fā)明第一實施例的有源有機發(fā)光二極管器件的制造方法首先在一基板100上形成一圖案化的第一導(dǎo)電層102，其作為一柵極之用。其中，柵極102的材料例如是鉻金屬。之后，在基板100與柵極102上形成一柵極絕緣層104。
接著，于柵極102上方的柵極絕緣層104上形成一溝道層106。其中，溝道層106的材料例如是非晶硅。緊接著，于溝道層106上形成一圖案化的第二導(dǎo)電層108a/108b，其作為一漏極/源極。如此即形成一薄膜晶體管結(jié)構(gòu)。
之后，在基板100上方形成一保護層210，覆蓋住薄膜晶體管。其中保護層210的材料例如是一介電樹脂(Dielectric Resin)。緊接著，進行一平坦化步驟，以使保護層210具有一平坦的表面。
然后，在保護層210中形成一開口212，暴露出源極108b。之后，于保護層210上與部分開口212內(nèi)形成一陽極層214，以使陽極層214與源極108b電性連接。其中，陽極層214的材料例如是銦錫氧化物。接著，于基板100上方形成一發(fā)光層216，覆蓋住陽極層214，其中發(fā)光層216的材料為具有發(fā)光特性的有機化合物。之后，于發(fā)光層216上形成一陰極層218，以形成一有源有機發(fā)光二極管器件。
由于本實施例在薄膜晶體管結(jié)構(gòu)上形成具有平坦表面的保護層210，因此后續(xù)于保護層210上形成發(fā)光層216與陰極層218時，可減少因發(fā)光層216與陰極層218的階梯覆蓋能力較差而造成陰極層218產(chǎn)生斷裂的問題。
第二實施例圖3所示，其繪示是依照本發(fā)明第二實施例的有源有機發(fā)光二極管器件的結(jié)構(gòu)剖面示意圖。
請參照圖3，本發(fā)明第二實施例的有源有機發(fā)光二極管器件的制造方法首先在一基板100上形成一圖案化的第一導(dǎo)電層102，其作為一柵極之用。其中，柵極102的材料例如是鉻金屬。之后，在基板100與柵極102上形成一柵極絕緣層104。
接著，于柵極102上方的柵極絕緣層104上形成一溝道層106。其中溝道層106的材料例如是非晶硅。緊接著，于柵極絕緣層104上形成一陽極層314。其中陽極層314的材料例如是銦錫氧化物。
之后，于溝道層106與部分陽極層314上形成一圖案化的第二導(dǎo)電層108a/108b，其作為一漏極/源極之用。其中源極108b與陽極層314電性連接。如此，即形成一薄膜晶體管結(jié)構(gòu)。
緊接著，在基板100上方形成一圖案化的保護層310，覆蓋住薄膜晶體管結(jié)構(gòu)以及一小部分的陽極層314。其中，保護層310的材料例如是氮化硅。之后，在基板100上形成一感光材料層，以填平凹凸不平的保護層310。之后進行一微影制作工藝，以使感光材料層302僅覆蓋住保護層310，而暴露出陽極層314。
接著，在基板100上方形成一發(fā)光層316，覆蓋住感光材料層302以及陽極層314。其中發(fā)光層316的材料為具有發(fā)光特性的有機化合物。之后，于發(fā)光層316上形成一陰極層318，以形成一有源有機發(fā)光二極管器件。
由于本發(fā)明第二實施例通過感光材料層302而將薄膜晶體管上方凹凸不平的保護層310填平。因此，后續(xù)于感光材料層302上形成發(fā)光層316與陰極層318時，可減少因發(fā)光層316與陰極層318的階梯覆蓋能力較差而造成陰極層318產(chǎn)生斷裂的問題。
第三實施例造成有源有機發(fā)光二極管器件的陰極層產(chǎn)生斷裂，主要是因為薄膜晶體管的源極/漏極在特定區(qū)域會有較大的轉(zhuǎn)角處，因此后續(xù)于轉(zhuǎn)角處上方所形成的陰極層較容易產(chǎn)生斷裂。而要避免器件的陰極層產(chǎn)生斷裂，可直接由漏極/源極的大轉(zhuǎn)角處進行改善步驟。
圖4A至圖4C所示，其繪示為依照本發(fā)明第三實施例的防止有源有機發(fā)光二極管器件的陰極產(chǎn)生斷裂的流程剖面示意圖。
請參照圖4A，本實施例的方法利用于形成薄膜晶體管的源極/漏極時進行改良步驟，此方法包括在一基板400上形成一導(dǎo)電層408，其中導(dǎo)電層408的材料例如是鈦/鋁/鈦堆棧層或鉬堆棧層。之后，于導(dǎo)電層408上形成一圖案化的光阻層402，覆蓋住預(yù)定形成源極/漏極之處。
之后，請參照圖4B，以光阻層402為一蝕刻罩幕進行一干式蝕刻制作工藝，以形成漏極/源極408a/408b圖案。其中，所形成的漏極/源極408a/408b圖案兩端的輪廓為斜坡狀。而此干式蝕刻制作工藝所使用的一反應(yīng)氣體為SF6與O2的混合氣體，或是Cl2與BCl3的混合氣體。本實施例就是利用調(diào)整SF6/O2或Cl2/BCl3的比例，而使光阻層402側(cè)向被蝕刻的速率和導(dǎo)電層408被蝕刻的速率的關(guān)系達最佳化，進而使最后所形成的漏極/源極408a/408b圖案兩端的輪廓為斜坡狀。在本實施例中，SF6/O2的比例例如是介于0.5～1.0之間，Cl2/BCl3的比例例如是介于0.4～0.8之間。
接著，請參照圖4C，將光阻層402移除。之后，再依序于基板400上方形成有源有機發(fā)光二極管器件的各層膜，例如保護層、陽極層、發(fā)光層、陰極層等等。由于后續(xù)各層膜的制作已于公知技術(shù)中說明，在此不再贅述。
本實施例于源極/漏極圖案兩端原先會形成有轉(zhuǎn)角處的部分，利用特殊的蝕刻方法將轉(zhuǎn)角處削緩。因此，可避免后續(xù)于其上方所形成的有源有機發(fā)光二極管器件的陰極層產(chǎn)生斷裂。
另一種利用特殊的蝕刻方式以改善有源有機發(fā)光二極管器件的陰極層產(chǎn)生斷裂的方法如下所述。
請參照圖5A，此方法亦是利用于形成薄膜晶體管的源極/漏極時進行改良步驟，此方法包括在一基板500上形成一導(dǎo)電層508。之后，于導(dǎo)電層508上形成一圖案化的光阻層502，覆蓋住預(yù)定形成源極/漏極之處。
之后，請參照圖5B，以光阻層502為一蝕刻罩幕進行一蝕刻制作工藝，以移除部分厚度的導(dǎo)電層508。
接著，請參照圖5C與圖5D，進行一光阻層灰化(Ashing)步驟，以移除光阻層502的部分厚度，而形成光阻層504。之后，以光阻層504為一蝕刻罩幕進行一蝕刻步驟，以形成漏極/源極508a/508b圖案。其中，所形成的漏極/源極508a/508b圖案兩端的輪廓呈階梯狀。之后，再將光阻層504移除。
然后，再依序于基板500上形成有源有機發(fā)光二極管器件的各層膜，例如保護層、陽極層、發(fā)光層、陰極層等等。由于后續(xù)各層膜的制作已于公知技術(shù)中說明，在此不再贅述。
本實施例于源極/漏極圖案兩端原先會形成有轉(zhuǎn)角處的部分，利用特殊的蝕刻方法將原先的轉(zhuǎn)角處形成階梯狀。因此，可避免后續(xù)于其上方所形成的有源有機發(fā)光二極管器件的陰極層產(chǎn)生斷裂。
再者，另一種利用特殊的蝕刻方式，以改善有源有機發(fā)光二極管器件的陰極層生斷裂的方法，利用于形成源極/漏極的蝕刻制作工藝中，將蝕刻液中的HNO3的濃度提高，以使接口的蝕刻速率加快。如此，也可以達到削減源極/漏極的轉(zhuǎn)角處的目的，進而使后續(xù)所形成的陰極層不會產(chǎn)生斷裂。其詳細(xì)的說明如下。
此種方式于蝕刻一基板上的一導(dǎo)電層以形成源極/漏極圖案時，將此蝕刻制作工藝所使用的蝕刻液中的HNO3濃度提高。在本實施例中，所使用的蝕刻液例如是_HNO3/H3PO4/CH3COOH，且蝕刻液中的HNO3的重量比例如是介于0.1～0.2之間，由于接口的蝕刻速率提高可產(chǎn)生較平緩的角度，如此可避免所形成的源極/漏極圖案兩端形成陡峭的輪廓。因此，此種方法也可防止后續(xù)于其上方所形成的有源有機發(fā)光二極管器件的陰極層產(chǎn)生斷裂。
第四實施例本實施例的方法于當(dāng)有源有機發(fā)光二極管器件于制作完成之后，發(fā)現(xiàn)器件的陰極層產(chǎn)生斷裂時，可利用一修補方式進行陰極層的修補，以使器件仍能正常運作。其詳細(xì)的說明如下。
圖6A至圖6B所示，其繪示為依照本發(fā)明第四實施例的防止有源有機發(fā)光二極管器件的陰極產(chǎn)生斷裂的流程剖面示意圖。
請參照圖6A，首先提供一基板600，其中基板600上已形成一有源有機發(fā)光二極管器件，其包括一薄膜晶體管、一保護層610、一陽極層614、一發(fā)光層616以及一陰極層618。其中，薄膜晶體管包括一柵極(未繪示)、一源極/漏極608以及一溝道層(未繪示)，且源極/漏極608圖案兩端具有一轉(zhuǎn)角處615。由于在轉(zhuǎn)角處615上方的發(fā)光層616與陰極層618，特別是陰極層618因其階梯覆蓋能力較差，因此將非常容易于此處產(chǎn)生斷裂。
請參照圖6B，當(dāng)有源有機發(fā)光二極管器件的陰極層618產(chǎn)生斷裂的情形時，便可進行一修補步驟，借此以修補陰極層618的不連續(xù)或斷裂情形。而此修補步驟利用濺鍍的方式于陰極層618的表面上形成一修補導(dǎo)電層620。其中，修補導(dǎo)電層620的材料可以是任何能用于修補陰極層618的材料，較佳的是與陰極層618相同的金屬材料。由于濺鍍制作工藝的階梯覆蓋能力較佳，因此于陰極層618的表面上形成此修補導(dǎo)電層620，可修補陰極層618于轉(zhuǎn)角處615產(chǎn)生斷裂的情形。而由于此修補導(dǎo)電層620僅是用來修補陰極層618，以使整個陰極層618的導(dǎo)通電流與器件的發(fā)光機制不會受到陰極層618斷裂的影響，因此，此修補導(dǎo)電層620的厚度不需太厚。
另外，本實施例于陰極層618上形成修補導(dǎo)電層620的方法還包括在陰極層617上先進行一熱蒸鍍步驟或一電子束蒸鍍步驟，緊接著再以進行一濺鍍步驟，而形成修補導(dǎo)電層620。如此，也同樣可達到修補陰極層618斷裂的情形。
本發(fā)明的防止有源有機發(fā)光二極管器件的陰極產(chǎn)生斷裂的方法，包括將保護層平坦化，或是于保護層上形成一感光材料層以填平凹凸不平的保護層，或者是利用特殊的蝕刻方式以削減源極/漏極兩端的轉(zhuǎn)角處的方式，都可以有效的達到防止后續(xù)所形成的陰極層產(chǎn)生斷裂。特別是，本發(fā)明還可以利用一修補步驟，以修補陰極層的斷裂處，而使器件仍能正常運作。
雖然本發(fā)明已以較佳實施例公開如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉此技術(shù)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許之更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍當(dāng)視權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種防止有源有機發(fā)光二極管器件的陰極產(chǎn)生斷裂的方法，其通過削緩一薄膜晶體管的一源極/漏極兩端的一轉(zhuǎn)角處，借此以改善該有源有機發(fā)光二極管器件的一陰極層產(chǎn)生斷裂的情形，其特征在于該方法包括在一基板形成一導(dǎo)電層；在該導(dǎo)電層上形成一圖案化的光阻層；以該光阻層為罩幕進行一干式蝕刻制作工藝，以形成該薄膜晶體管的該源極/漏極圖案，其中該源極/漏極圖案兩端的輪廓呈斜坡狀；移除該光阻層。
2.如權(quán)利要求1所述的防止有源有機發(fā)光二極管器件的陰極產(chǎn)生斷裂的方法，其特征在于其中該干式蝕刻制作工藝的一反應(yīng)氣體包括SF6與O2的混合氣體，且SF6/O2的比例介于0.5～1.0之間。
3.如權(quán)利要求1所述的防止有源有機發(fā)光二極管器件的陰極產(chǎn)生斷裂的方法，其特征在于其中該干式蝕刻制作工藝的一反應(yīng)氣體包括Cl2與BCl3的混合氣體，且Cl2/BCl3的比例介于0.4～0.8之間。
4.如權(quán)利要求1所述的防止有源有機發(fā)光二極管器件的陰極產(chǎn)生斷裂的方法，其特征在于其中該導(dǎo)電層的材料包括鈦/鋁/鈦堆棧層。
5.如權(quán)利要求1所述的防止有源有機發(fā)光二極管器件的陰極產(chǎn)生斷裂的方法，其特征在于其中該導(dǎo)電層的材料包括鉬。
6.一種防止有源有機發(fā)光二極管器件的陰極產(chǎn)生斷裂的方法，其通過削緩一薄膜晶體管的一源極/漏極兩端的一轉(zhuǎn)角處，借此以改善該有源有機發(fā)光二極管器件的一陰極層產(chǎn)生斷裂的情形，其特征在于該方法包括在一基板形成一導(dǎo)電層；進行一蝕刻制作工藝，以形成該薄膜晶體管的該源極/漏極圖案，其中該源極/漏極圖案兩端的輪廓呈階梯狀。
7.如權(quán)利要求6所述的防止有源有機發(fā)光二極管器件的陰極產(chǎn)生斷裂的方法，其特征在于其中形成該薄膜晶體管的該源極/漏極圖案的方法包括在該導(dǎo)電層上形成一圖案化的第一光阻層；以該第一光阻層為罩幕進行一第一蝕刻制作工藝，以移除該導(dǎo)電層的部分厚度；移除該第一光阻層的部分厚度，而形成一第二光阻層；以該第二光阻層為罩幕進行一第二蝕刻制作工藝，以形成該源極/漏極圖案。
8.如權(quán)利要求7所述的防止有源有機發(fā)光二極管器件的陰極產(chǎn)生斷裂的方法，其特征在于其中移除該第一光阻層的部分厚度的方法包括進行一灰化步驟。
9.一種防止有源有機發(fā)光二極管器件的陰極產(chǎn)生斷裂的方法，其通過削緩一薄膜晶體管的一源極/漏極兩端的一轉(zhuǎn)角處，借此以改善該有源有機發(fā)光二極管器件的一陰極層產(chǎn)生斷裂的情形，其特征在于該方法包括在一基板形成一導(dǎo)電層；進行一蝕刻制作工藝，以形成該薄膜晶體管的該源極/漏極圖案，其中該蝕刻制作工藝的一蝕刻液為HNO3/H3PO4/CH3COOH，且該蝕刻液中的HNO3的重量比介于0.1～0.2之間。
10.一種防止有源有機發(fā)光二極管器件的陰極產(chǎn)生斷裂的方法，其特征在于包括提供一基板，其中該基板上已形成有多個呈陣列排列的薄膜晶體管，且每一該些薄膜晶體管包括形成有一柵極、一溝道層、一源極以及一漏極；在該基板上方形成與每一該些薄膜晶體管對應(yīng)的一陽極層，其中該陽極層與該源極電性連接；在該基板上方形成一發(fā)光層以及一陰極層，覆蓋該些薄膜晶體管與該陽極層；在該陰極層上形成一修補導(dǎo)電層，借此以修補該陰極層發(fā)生斷裂之處。
11.如權(quán)利要求10所述的防止有源有機發(fā)光二極管器件的陰極產(chǎn)生斷裂的方法，其特征在于其中形成該修補導(dǎo)電層的方法包括濺鍍法。
12.如權(quán)利要求10所述的防止有源有機發(fā)光二極管器件的陰極產(chǎn)生斷裂的方法，其特征在于其中形成該修補導(dǎo)電層的方法包括先進行一蒸鍍步驟，再進行一濺鍍步驟。
13.如權(quán)利要求10所述的防止有源有機發(fā)光二極管器件的陰極產(chǎn)生斷裂的方法，其特征在于其中形成該修補導(dǎo)電層的方法包括先進行一電子束蒸鍍步驟，再進行一濺鍍步驟。
14.如權(quán)利要求10所述的防止有源有機發(fā)光二極管器件的陰極產(chǎn)生斷裂的方法，其特征在于其中該修補導(dǎo)電層的材料與該陰極層的材料相同。
全文摘要
一種防止有源有機發(fā)光二極管器件的陰極產(chǎn)生斷裂的方法，通過削緩薄膜晶體管的一源極/漏極兩端的一轉(zhuǎn)角處，改善該有源有機發(fā)光二極管器件的一陰極層產(chǎn)生斷裂的情形。此方法首先提供一基板，在此基板上形成一導(dǎo)電層，然后在導(dǎo)電層上形成一圖案化的光阻層，并以該光阻層為罩幕進行一干式蝕刻制作工藝，而形成薄膜晶體管的該源 極/漏極圖案，其中該源極/漏極圖案兩端的輪廓呈斜坡狀，最后再將光阻層移除。
文檔編號H01L27/32GK1790668SQ200510115118
公開日2006年6月21日 申請日期2002年7月1日 優(yōu)先權(quán)日2002年7月1日
發(fā)明者李信宏, 蘇志鴻, 鄭逸圣 申請人:友達光電股份有限公司