專利名稱：具有復(fù)合介質(zhì)的基板及其所組成的多層基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種基板，可作為諸如一般印刷電路板或半導(dǎo)體芯片的基板，尤其涉及一種具有復(fù)合介質(zhì)的基板及其所組成的多層基板。
背景技術(shù)：
電子產(chǎn)品處在高功能和高速化的趨勢(shì)下，因此需要在半導(dǎo)體封裝件上整合各種被動(dòng)組件(passive component)，例如電阻器(resistors)、電容器(capacitors)及電感器(inductors)等，以提升或穩(wěn)定電子產(chǎn)品的電性功能。
傳統(tǒng)上，被動(dòng)組件設(shè)置在一般印刷電路板或半導(dǎo)體芯片的基板的表面上。然而，隨著電子產(chǎn)品朝向高功能性與小尺寸的發(fā)展趨勢(shì)，電路板的疊層(lanination)技術(shù)也就必須具備厚度薄、多層數(shù)與高密度等特點(diǎn)。因此，為進(jìn)一步縮小電路板的空間需求，于是發(fā)展出鑲埋有被動(dòng)組件的多層電路板。
在此，該被動(dòng)組件可以膜狀方式堆棧于多層電路板的疊層間。如圖1所示，采用介電常數(shù)大于介電層110的膜狀電容材料120來鑲埋于多層電路板100中，并且在膜狀電容材料120的相對(duì)兩表面形成有圖案化電路層130；其中，此電路層130具有部分線路區(qū)域，用以作為形成電容組件的平行板，以在多層電路板100的疊層間形成鑲埋的電容組件。
此外，除了強(qiáng)調(diào)基板材質(zhì)與機(jī)械結(jié)構(gòu)的改良以達(dá)到輕薄短小外，高密度與高速度所衍生出來的高頻寄生效應(yīng)，例如反射(reflection)、傳播延遲(propagation delay)、串音(cross talk)及瞬間交換噪聲(simultaneousswitching noise；SSN)等，都嚴(yán)重地影響信號(hào)的完整性，因此電氣方面的考慮實(shí)在不容忽視。因此，一般會(huì)采用低介電損耗(loss tangent)材質(zhì)的基板等方式、在供電板和接地板使用高介電常數(shù)的材料，和/或在信號(hào)線周遭采用低介電常數(shù)的材料等方式來維持信號(hào)傳輸品質(zhì)。
如圖2所示，在臺(tái)灣專利公開編號(hào)第200411885號(hào)中所示，此高頻基板200主要是在金屬層240上采用具有一致密結(jié)構(gòu)2102及多個(gè)封閉孔隙2104的介電層210，并且該封閉孔隙2104內(nèi)填充有一物質(zhì)。由于此物質(zhì)的介電常數(shù)小于致密結(jié)構(gòu)2102的介電常數(shù)，以致使介電層210整體的介電常數(shù)將小于完全為致密結(jié)構(gòu)的介電層的介電常數(shù)。因此，當(dāng)高頻信號(hào)傳輸線230配置在介電層210上時(shí)，可加快高頻信號(hào)傳輸線中的信號(hào)傳輸速度，并減少信號(hào)的能量衰減，進(jìn)而維持信號(hào)傳輸品質(zhì)。然而，此種結(jié)構(gòu)在工藝上較為困難。
如圖3所示，在臺(tái)灣專利公開編號(hào)第200411889號(hào)中所示，高頻基板300主要是采用二介電層；第一介電層310位于二金屬層340、342之間，其材質(zhì)為一高介電常數(shù)的材料，用以維持二金屬層340、342的電壓穩(wěn)定狀態(tài)。另外，第二介電層312形成于上層的金屬層340上，其材質(zhì)為一低介電常數(shù)的材料。因此，當(dāng)高頻信號(hào)傳輸線330配置于第二介電層312上時(shí)，可達(dá)到高速及高頻的信號(hào)傳輸效果。然而，在此為了滿足一特殊需求而使用整層的特殊材料，因以相對(duì)造成其成本的增加。
如圖4所示，在美國(guó)專利第5753968號(hào)中所示，在基板410與帶狀導(dǎo)體430(可為信號(hào)傳輸線)間設(shè)置有一介電層412，其介電常數(shù)低于基板410的介電常數(shù)，并且此介電層412的寬度不大于帶狀導(dǎo)體430的寬度，藉以減少微波電路中的損耗(dissipation loss)。然而，在此為了滿足一特殊需求而使用整層的特殊材料，因以相對(duì)造成其成本的增加；此外，由于其所形成的表面粗糙，以致于不利于后續(xù)工藝的進(jìn)行。
如圖5所示，在美國(guó)專利第5604017號(hào)中所示，在接地板540上黏合多個(gè)介電材料510、512，并且該介電材料510、512中至少具有二種以上的介電常數(shù)；在此，導(dǎo)體530則粘合于介電材料510、512上，并橫越兩介電材料510、512。
如圖6所示，在世界專利第2004078787號(hào)中所示，高速芯片上(on-chip)互連(interconnect)系統(tǒng)中，在基板610與信號(hào)傳輸線630間設(shè)置有氧化物或介電材料612，并且相對(duì)信號(hào)傳輸線630的介電材料612中形成有溝槽(trenches or slots)614，以減少高速芯片的微波損失(microwave loss)；其中，在溝槽614中可充滿空氣或是填充有低介電材料，并且此溝槽614并未貫穿此氧化物或介電材料612(如圖所示，其未連結(jié)至信號(hào)傳輸線630)。然而，此種結(jié)構(gòu)在工藝上較為困難，并且其溝槽的深度難以精確控制。
此外，在現(xiàn)有的結(jié)構(gòu)中，部分結(jié)構(gòu)的二層間需由壓合工藝來相互連結(jié)，然而壓合工藝的良率較低，因此相對(duì)也會(huì)造成成本的增加。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于提供一種具有復(fù)合介質(zhì)的基板及其所組成的多層基板，以解決現(xiàn)有技術(shù)所揭露的成本高或工藝不易等問題。
因此，為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明所公開的具有復(fù)合介質(zhì)的基板，包括一第一介電層、一第一信號(hào)傳輸線路以及一第一導(dǎo)體層。此第一介電層具有第一介質(zhì)區(qū)和第二介質(zhì)區(qū)，其中第二介質(zhì)區(qū)位于第一介電層的表面，并且與第一介質(zhì)區(qū)是不同介電材料，以及第一信號(hào)傳輸線路位于第二介電層中，而第一導(dǎo)體層則位于第一介電層下。在此，第二介質(zhì)區(qū)的介電常數(shù)可高于或低于第一介質(zhì)區(qū)的介電常數(shù)，或者是其介電損耗可低于第一介質(zhì)區(qū)的介電損耗。
此外，第一介電層，還包括一第三介質(zhì)區(qū)，其位于第一信號(hào)傳輸線路下，并且與第一介質(zhì)區(qū)為不同的介電材料。即，此第三介質(zhì)區(qū)的介電常數(shù)可高于或低于第一介質(zhì)區(qū)的介電常數(shù)，或者是其介電損耗可低于第一介質(zhì)區(qū)的介電損耗。
然而，還可設(shè)置一第二介電層在第一介電層上，并且此第二介電層的介電材料不同于第二介質(zhì)區(qū)的介電材料。此外，此第二介電層可具有一個(gè)介質(zhì)區(qū)，也可具有多個(gè)介質(zhì)區(qū)。
另外，還可設(shè)置一第二導(dǎo)體層在第二介電層上；或者再設(shè)置一第二信號(hào)傳輸線路在第二介電層上。在此，可將第一和第二信號(hào)傳輸線路設(shè)計(jì)成不同的線路走向，借以簡(jiǎn)化信號(hào)傳輸線路的工藝。并且，不同層的信號(hào)傳輸線路可通過導(dǎo)孔而相互電性連結(jié)。
此外，本發(fā)明還公開一種具有復(fù)合介質(zhì)的基板，包括一第一介電層、一第一信號(hào)傳輸線路以及一第一導(dǎo)體層。此第一信號(hào)傳輸線路位于第二介電層中，而第一導(dǎo)體層則位于第一介電層下，其中第一介電層具有第一介質(zhì)區(qū)和第二介質(zhì)區(qū)，并且此第二介質(zhì)區(qū)位于第一信號(hào)傳輸線路的下面。在此，第二介質(zhì)區(qū)與第一介質(zhì)區(qū)是不同介電材料，例如第二介質(zhì)區(qū)的介電常數(shù)可高于或低于第一介質(zhì)區(qū)的介電常數(shù)，或者是其介電損耗可低于第一介質(zhì)區(qū)的介電損耗。
在此，還可設(shè)置一第二介電層在第一介電層上，并且此第二介電層的介電材料不同于第二介質(zhì)區(qū)的介電材料。此外，此第二介電層可具有一個(gè)介質(zhì)區(qū)，也可具有多個(gè)介質(zhì)區(qū)。
并且，還可設(shè)置一第二導(dǎo)體層在第二介電層上；或者是再設(shè)置一第二信號(hào)傳輸線路在第二介電層上。在此，可將第一和第二信號(hào)傳輸線路設(shè)計(jì)成不同的線路走向，借以簡(jiǎn)化信號(hào)傳輸線路的工藝。并且，不同層的信號(hào)傳輸線路可通過導(dǎo)孔而相互電性連結(jié)。
此外，可由任意多個(gè)上述的具有二介電層的結(jié)構(gòu)相疊來形成一多層基板。
然而，在此雖僅說明第一介電層上設(shè)置有一信號(hào)傳輸線路，然事實(shí)上為了滿足實(shí)際應(yīng)用，在第一介電層上也可設(shè)置二個(gè)或多個(gè)信號(hào)傳輸線路。并且，當(dāng)?shù)谝唤殡妼由显O(shè)置有多個(gè)信號(hào)傳輸線路時(shí)，第一介電層也可具有多個(gè)介質(zhì)區(qū)，并且每一信號(hào)傳輸線路可相對(duì)一介質(zhì)區(qū)，以可通過改變使用在相對(duì)信號(hào)傳輸線路的介質(zhì)區(qū)的介電材料來達(dá)到維持或增強(qiáng)信號(hào)傳輸效果的目的。并且，該相對(duì)于信號(hào)傳輸線路的介質(zhì)區(qū)的介電材料可均為相同的介電材料，也可為完全或部分不相同的介電材料。
本發(fā)明在介電層中局部分布一種以上的介電材料，即在信號(hào)傳輸線路周邊/上方/下方的介電材料不同于鄰近的介電材料，借此以符合于高頻電路中的特定需求。
有關(guān)本發(fā)明的特征與實(shí)作，茲配合圖標(biāo)作最佳實(shí)施例詳細(xì)說明如下。


圖1為現(xiàn)有的埋入式被動(dòng)組件的結(jié)構(gòu)圖；圖2為現(xiàn)有的高頻基板的結(jié)構(gòu)圖；圖3為另一現(xiàn)有的高頻基板的結(jié)構(gòu)圖；圖4為現(xiàn)有的多層基板的結(jié)構(gòu)圖；圖5為另一現(xiàn)有的多層基板的結(jié)構(gòu)圖；圖6為現(xiàn)有的高速芯片上(on-chip)互連(interconnect)系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)圖；圖7為根據(jù)本發(fā)明的多層基板的第一實(shí)施結(jié)構(gòu)的截面圖；圖8為根據(jù)本發(fā)明的多層基板的第二實(shí)施結(jié)構(gòu)的截面圖；圖9為根據(jù)本發(fā)明的具有復(fù)合介質(zhì)的基板的第三實(shí)施結(jié)構(gòu)的截面圖；
圖10A為根據(jù)本發(fā)明的具有復(fù)合介質(zhì)的基板的第四實(shí)施結(jié)構(gòu)的截面圖；圖10B為根據(jù)本發(fā)明的具有復(fù)合介質(zhì)的基板的第五實(shí)施結(jié)構(gòu)的截面圖；圖11為根據(jù)本發(fā)明的具有復(fù)合介質(zhì)的基板的第六實(shí)施結(jié)構(gòu)的截面圖；圖12為根據(jù)本發(fā)明的具有復(fù)合介質(zhì)的基板的第七實(shí)施結(jié)構(gòu)的截面圖；圖13為根據(jù)本發(fā)明的具有復(fù)合介質(zhì)的基板的第八實(shí)施結(jié)構(gòu)的截面圖；圖14為根據(jù)本發(fā)明的具有復(fù)合介質(zhì)的基板的第九實(shí)施結(jié)構(gòu)的截面圖；圖15為根據(jù)本發(fā)明的具有復(fù)合介質(zhì)的基板的第十實(shí)施結(jié)構(gòu)的截面圖；圖16為根據(jù)本發(fā)明的具有復(fù)合介質(zhì)的基板的第十一實(shí)施結(jié)構(gòu)的截面圖；圖17為根據(jù)本發(fā)明的具有復(fù)合介質(zhì)的基板的第十二實(shí)施結(jié)構(gòu)的截面圖；圖18為根據(jù)本發(fā)明的具有復(fù)合介質(zhì)的基板的第十三實(shí)施結(jié)構(gòu)的截面圖；圖19為根據(jù)本發(fā)明的具有復(fù)合介質(zhì)的基板的第十四實(shí)施結(jié)構(gòu)的截面圖；圖20為根據(jù)本發(fā)明的具有復(fù)合介質(zhì)的基板的第十五實(shí)施結(jié)構(gòu)的截面圖；圖21為根據(jù)本發(fā)明的具有復(fù)合介質(zhì)的基板的第十六實(shí)施結(jié)構(gòu)的截面圖；圖22為根據(jù)本發(fā)明的具有復(fù)合介質(zhì)的基板的第十七實(shí)施結(jié)構(gòu)的截面圖；圖23為根據(jù)本發(fā)明的具有復(fù)合介質(zhì)的基板的第十八實(shí)施結(jié)構(gòu)的截面圖；圖24為根據(jù)本發(fā)明的具有復(fù)合介質(zhì)的基板的第十九實(shí)施結(jié)構(gòu)的截面圖；圖25為根據(jù)本發(fā)明的具有復(fù)合介質(zhì)的基板的第二十實(shí)施結(jié)構(gòu)的截面圖；圖26A、26B分別為根據(jù)本發(fā)明的具有復(fù)合介質(zhì)的基板的第二十一實(shí)施結(jié)構(gòu)的俯視圖及截面圖；圖27A、27B分別為根據(jù)本發(fā)明的具有復(fù)合介質(zhì)的基板的第二十二實(shí)施結(jié)構(gòu)的俯視圖及截面圖；圖28A、28B分別為根據(jù)本發(fā)明的具有復(fù)合介質(zhì)的基板的第二十三實(shí)施結(jié)構(gòu)的俯視圖及截面圖；圖29A、29B分別為根據(jù)本發(fā)明的具有復(fù)合介質(zhì)的基板的第二十四實(shí)施結(jié)構(gòu)的俯視圖及截面圖；圖30為根據(jù)本發(fā)明的具有復(fù)合介質(zhì)的基板的第二十五實(shí)施結(jié)構(gòu)的截面圖；圖31A、31B分別為根據(jù)本發(fā)明的具有復(fù)合介質(zhì)的基板的第二十六實(shí)施結(jié)構(gòu)的俯視圖及截面圖；圖32為根據(jù)本發(fā)明的具有復(fù)合介質(zhì)的基板的第二十七實(shí)施結(jié)構(gòu)的截面圖；圖33A、33B分別為根據(jù)本發(fā)明的具有復(fù)合介質(zhì)的基板的第二十八實(shí)施結(jié)構(gòu)的俯視圖及截面圖；圖34A、34B分別為根據(jù)本發(fā)明的多層基板的第一實(shí)施結(jié)構(gòu)的截面圖及爆炸圖；圖35A、35B分別為根據(jù)本發(fā)明的多層基板的第二實(shí)施結(jié)構(gòu)的截面圖及爆炸圖；圖36A、36B分別為根據(jù)本發(fā)明的多層基板的第三實(shí)施結(jié)構(gòu)的截面圖及爆炸圖；圖37A、37B分別為根據(jù)本發(fā)明的多層基板的第四實(shí)施結(jié)構(gòu)的截面圖及爆炸圖；圖38A、38B分別為根據(jù)本發(fā)明的多層基板的第五實(shí)施結(jié)構(gòu)的截面圖及爆炸圖；圖39A、39B分別為根據(jù)本發(fā)明的多層基板的第六實(shí)施結(jié)構(gòu)的截面圖及爆炸圖；圖40為根據(jù)本發(fā)明的具有復(fù)合介質(zhì)的基板的第二十九實(shí)施結(jié)構(gòu)的截面圖；圖41A為根據(jù)本發(fā)明的具有復(fù)合介質(zhì)的基板的第三十實(shí)施結(jié)構(gòu)的截面圖；圖41B為根據(jù)本發(fā)明的具有復(fù)合介質(zhì)的基板的第三十一實(shí)施結(jié)構(gòu)的截面圖；圖42為根據(jù)本發(fā)明的具有復(fù)合介質(zhì)的基板的第三十二實(shí)施結(jié)構(gòu)的截面圖；圖43A為根據(jù)本發(fā)明的具有復(fù)合介質(zhì)的基板的第三十三實(shí)施結(jié)構(gòu)的截面圖；圖43B為根據(jù)本發(fā)明的具有復(fù)合介質(zhì)的基板的第三十四實(shí)施結(jié)構(gòu)的截面圖；圖44為根據(jù)本發(fā)明的具有復(fù)合介質(zhì)的基板的第三十五實(shí)施結(jié)構(gòu)的截面圖；圖45為根據(jù)本發(fā)明的具有復(fù)合介質(zhì)的基板的第三十六實(shí)施結(jié)構(gòu)的截面圖；
圖46為根據(jù)本發(fā)明的具有復(fù)合介質(zhì)的基板的第三十七實(shí)施結(jié)構(gòu)的截面圖；圖47為根據(jù)本發(fā)明的具有復(fù)合介質(zhì)的基板的第三十八實(shí)施結(jié)構(gòu)的截面圖；圖48A、48B分別為根據(jù)本發(fā)明的具有復(fù)合介質(zhì)的基板的第三十九實(shí)施結(jié)構(gòu)的俯視圖及截面圖；圖49A、49B分別為根據(jù)本發(fā)明的具有復(fù)合介質(zhì)的基板的第四十實(shí)施結(jié)構(gòu)的俯視圖及截面圖；圖50A、50B分別為根據(jù)本發(fā)明的具有復(fù)合介質(zhì)的基板的第四十一實(shí)施結(jié)構(gòu)的俯視圖及截面圖；圖51A、51B、51C分別為根據(jù)本發(fā)明的具有復(fù)合介質(zhì)的基板的第七實(shí)施結(jié)構(gòu)的俯視圖、截面圖及爆炸圖；圖52A、52B、52C分別為根據(jù)本發(fā)明的具有復(fù)合介質(zhì)的基板的第八實(shí)施結(jié)構(gòu)的俯視圖、截面圖及爆炸圖；圖53A、53B分別為根據(jù)本發(fā)明的多層基板的第九實(shí)施結(jié)構(gòu)的截面圖及爆炸圖；圖54A、54B分別為根據(jù)本發(fā)明的多層基板的第十實(shí)施結(jié)構(gòu)的截面圖及爆炸圖；圖55A、55B分別為根據(jù)本發(fā)明的多層基板的第十一實(shí)施結(jié)構(gòu)的截面圖及爆炸圖；圖56分別為根據(jù)本發(fā)明的多層基板的第十二實(shí)施結(jié)構(gòu)的截面圖；圖57A、57B分別為根據(jù)本發(fā)明的多層基板的第十三實(shí)施結(jié)構(gòu)的截面圖及爆炸圖；圖58A、58B分別為根據(jù)本發(fā)明的多層基板的第十四實(shí)施結(jié)構(gòu)的截面圖及爆炸圖；圖59A、59B分別為根據(jù)本發(fā)明的多層基板的第十六實(shí)施結(jié)構(gòu)的截面圖及爆炸圖；以及圖60A、60B分別為根據(jù)本發(fā)明的多層基板的第十七實(shí)施結(jié)構(gòu)的截面圖及爆炸圖。
其中，附圖標(biāo)記
100多層電路板110介電層120膜狀電容材料130電路層200高頻基板210介電層2102致密結(jié)構(gòu)2104封閉孔隙230高頻信號(hào)傳輸線240金屬層300高頻基板310第一介電層312第二介電層330高頻信號(hào)傳輸線340金屬層342金屬層410基板412介電層430帶狀導(dǎo)體510介電材料512介電材料530導(dǎo)體540接地板610基板612介電材料614溝槽630信號(hào)傳輸線710、711、712、713、714~71j-1、71j介電層720、721、722、723、724、725、726、727~72k-2、72k-1、72k介質(zhì)區(qū)
730、731、732、733、734、735~73m-1、73m信號(hào)傳輸線路740~74n導(dǎo)體層750~75p導(dǎo)孔810第一介電層811第二介電層820第一介質(zhì)區(qū)821第二介質(zhì)區(qū)822第三介質(zhì)區(qū)823第四介質(zhì)區(qū)824第五介質(zhì)區(qū)830第一信號(hào)傳輸線路831第二信號(hào)傳輸線路840第一導(dǎo)體層841第二導(dǎo)體層850導(dǎo)孔具體實(shí)施方式
首先，說明本發(fā)明的主要構(gòu)想，其通過在介電結(jié)構(gòu)中局部分布一種以上的介電材料，也就是形成復(fù)合介質(zhì)在介電結(jié)構(gòu)中，以符合在高頻電路中的特定需求。舉例來說，將本發(fā)明的實(shí)施例應(yīng)用于諸如一般印刷電路板、彈性薄板或半導(dǎo)體裝置的基板時(shí)，即可在電路板或基板的不同區(qū)域中選擇使用特殊材料，例如介電常數(shù)高于電路板/基板的介電常數(shù)介電材料、介電常數(shù)低于電路板/基板的介電常數(shù)的介電材料或介電損耗(loss tangent)低于電路板/基板的介電損耗的介電材料等，以符合特定應(yīng)用，例如借以形成微帶狀線(MicroStrip Line)結(jié)構(gòu)、形成帶狀線結(jié)構(gòu)、埋入式(embedded)微帶狀線結(jié)構(gòu)、埋入式電容器/電阻器和具屏蔽式連通孔結(jié)構(gòu)等結(jié)構(gòu)。
以下舉出具體實(shí)施例以詳細(xì)說明本發(fā)明的內(nèi)容，并以圖標(biāo)作為輔助說明。說明中提及的符號(hào)參照?qǐng)D式符號(hào)。
如圖7所示，為根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的多層基板，包括有j+1個(gè)介電層710、711、712、713、714~71j-1、71j、m+1個(gè)信號(hào)傳輸線路730、731、732、733、734、735~73m-1、73m以及n+1個(gè)導(dǎo)體層740~74n，其中j、m和n均為整數(shù)。其中，信號(hào)傳輸線路和導(dǎo)體層位于二介電層之間。在此，為了滿足特定電路應(yīng)用，該介電層可具有一個(gè)以上的介質(zhì)區(qū)，且部份介質(zhì)區(qū)720、721、722、723、724、725、726、727~72k-2、72k-1、72k的材質(zhì)選用特殊材料，例如介電常數(shù)高于或低于外圍介質(zhì)的介電常數(shù)的介電材料或介電損耗可低于外圍介質(zhì)的介電損耗的介電材料等，其中k為整數(shù)。并且，該選用特殊材料的介質(zhì)區(qū)位于信號(hào)傳輸線路的上方和/或下方，以及/或位于介電層的表面。在此，位于介電層的表面的選用特殊材料的介質(zhì)區(qū)可為一薄膜結(jié)構(gòu)，并且其可布滿整個(gè)介電層的上表面和/或下表面，也或僅以帶狀薄膜結(jié)構(gòu)設(shè)置于信號(hào)傳輸線路的兩側(cè)。
此外，不同層的信號(hào)傳輸線路可通過導(dǎo)孔750~75p而相互電性連結(jié)，如圖8所示，其中p為整數(shù)。其中，由導(dǎo)孔相連的二信號(hào)傳輸線路可為不同走向，以簡(jiǎn)化信號(hào)傳輸線路的工藝。
在此，介電層的材質(zhì)可為玻璃纖維(FR4)、高介電常數(shù)的材料、低介電常數(shù)的材料介電損耗的材料(例如RF-35)等。此外，信號(hào)傳輸線路和導(dǎo)體層的材質(zhì)可為金屬，例如銅等。
在此，為了方便說明，先以具有復(fù)合介質(zhì)的基板的單體結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。
如圖9所示，在圖中的結(jié)構(gòu)中，包括有一第一介電層810、一第一信號(hào)傳輸線路830以及一第一導(dǎo)體層840。在此，第一介電層810中具有二介質(zhì)區(qū)，分別稱為第一介質(zhì)區(qū)820和第二介質(zhì)區(qū)821，其中第二介質(zhì)區(qū)821位于第一介電層810的表面，并且與第一介質(zhì)區(qū)820是不同介電材料。換句話說，第二介質(zhì)區(qū)821的介電常數(shù)可高于或低于第一介質(zhì)區(qū)820的介電常數(shù)，或者其介電損耗可低于第一介質(zhì)區(qū)820的介電損耗。此外，此第一信號(hào)傳輸線路830位于第二介電層821中，而第一導(dǎo)體層840則位于第一介電層810下。
在此，此第一介電層810可整個(gè)表面均為第二介質(zhì)區(qū)821，然而也可僅第一信號(hào)傳輸線路830周邊為第二介質(zhì)區(qū)821，如圖10A、10B所示。
然而，在此雖僅以第一介電層上設(shè)置有一信號(hào)傳輸線路的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明，然而事實(shí)上，為了滿足實(shí)際應(yīng)用，在第一介電層上也可設(shè)置二個(gè)或是多個(gè)信號(hào)傳輸線路。并且，當(dāng)?shù)谝唤殡妼由显O(shè)置有多個(gè)信號(hào)傳輸線路時(shí)，第一介電層也可具有多個(gè)介質(zhì)區(qū)，并且每一信號(hào)傳輸線路可相對(duì)一介質(zhì)區(qū)，以可通過改變使用在相對(duì)信號(hào)傳輸線路的介質(zhì)區(qū)的介電材料來達(dá)到維持或增強(qiáng)信號(hào)傳輸效果的目的。并且，該相對(duì)于信號(hào)傳輸線路的介質(zhì)區(qū)的介電材料可均為相同的介電材料，也可為完全或部分不相同的介電材料。
此外，此第一介電層810也可具有三介質(zhì)區(qū)，分別稱為第一介質(zhì)區(qū)820、第二介質(zhì)區(qū)821和第三介質(zhì)區(qū)822；其中，此第二介質(zhì)區(qū)821位于第一介電層810的表面，并且與第一介質(zhì)區(qū)820是不同的介電材料；而第三介質(zhì)區(qū)822位于第一信號(hào)傳輸線路830下，并且與第一介質(zhì)區(qū)820是不同介電材料，如圖11所示。在此，第二和第三介質(zhì)區(qū)821、822的介電常數(shù)可高于或低于第一介質(zhì)區(qū)820的介電常數(shù)，或者是其介電損耗低于第一介質(zhì)區(qū)820的介電損耗。然而，第二和第三介質(zhì)區(qū)821、822可為相同或相異的介電材料，如圖12所示。
在此，第三介質(zhì)區(qū)822的寬度可大于或等于第一信號(hào)傳輸線路830的寬度。
然而，還可設(shè)置一第二介電層811在第一介電層810上，如圖13所示；其中，第二介電層811的介電常數(shù)可高于或低于第二介質(zhì)區(qū)821的介電常數(shù)，或者是其介電損耗可高于第二介質(zhì)區(qū)821的介電損耗。
此第二介電層可具有一個(gè)介質(zhì)區(qū)，也可具有多個(gè)介質(zhì)區(qū)。如圖14所示，在此第二介電層811具有二介質(zhì)區(qū)，分別稱為第四介質(zhì)區(qū)823和第五介質(zhì)區(qū)824；其中，此第五介質(zhì)區(qū)824位于第一信號(hào)傳輸線路830上，并且與第四介質(zhì)區(qū)823是不同介電材料。換句話說，第五介質(zhì)區(qū)824的介電常數(shù)可高于或低于第四介質(zhì)區(qū)823的介電常數(shù)，或者是其介電損耗可低于第四介質(zhì)區(qū)823的介電損耗。此外，此第五介質(zhì)區(qū)824也可第一介質(zhì)區(qū)820為不同介電材料，也就是說，第五介質(zhì)區(qū)824的介電常數(shù)可高于或低于第一介質(zhì)區(qū)820的介電常數(shù)，或者其介電損耗可低于第一介質(zhì)區(qū)820的介電損耗。
此外，第五介質(zhì)區(qū)824與第二介質(zhì)區(qū)821可為相同的介電材料，也可為不相同的介電材料(如圖15所示)。并且，第五介質(zhì)區(qū)824的寬度可大于或等于第一信號(hào)傳輸線路830的寬度。
此外，也可為第一介電層810具有三介質(zhì)區(qū)，分別稱為第一介質(zhì)區(qū)820、第二介質(zhì)區(qū)821和第三介質(zhì)區(qū)822，而第二介電層僅具有一介質(zhì)區(qū)，其中第二介質(zhì)區(qū)821和第三介質(zhì)區(qū)822的介電材料為不同于第一介質(zhì)區(qū)820的介電材料，并且各介質(zhì)區(qū)的分布位置、材料特征和結(jié)構(gòu)特征大致上相同于上述的各實(shí)施例，如圖16所示；在此，各個(gè)介電層的變化型式大致上相同于上述的各個(gè)實(shí)施例，也就是說，雖然在此圖中僅顯示第二介質(zhì)區(qū)821和第三介質(zhì)區(qū)822為相同的介電材料的結(jié)構(gòu)型態(tài)，然而第二介質(zhì)區(qū)821和第三介質(zhì)區(qū)822也可為不相同的介電材料(圖中未顯示)。
同理，也可為第一介電層810具有三介質(zhì)區(qū)，分別稱為第一介質(zhì)區(qū)820、第二介質(zhì)區(qū)821和第三介質(zhì)區(qū)822，而此第二介電層811則具有二介質(zhì)區(qū)，分別稱為第四介質(zhì)區(qū)823和第五介質(zhì)區(qū)823，其中第二和第三介質(zhì)區(qū)821、822的介電材料為不同于第一介質(zhì)區(qū)820的介電材料，而第五介質(zhì)區(qū)823的介電材料則不同于第四介質(zhì)區(qū)823的介電材料，并且各介質(zhì)區(qū)的分布位置、材料特征和結(jié)構(gòu)特征大致上相同于上述的各實(shí)施例，如圖17所示；在此，各個(gè)介電層的變化型式大致上相同于上述的各個(gè)實(shí)施例，也就是說，雖然在此圖中僅顯示三者為相同的介電材料(即，在第二介質(zhì)區(qū)821、第三介質(zhì)區(qū)822和第五介質(zhì)區(qū)823中可僅具有一種介電材料)的結(jié)構(gòu)型態(tài)，然而在第二介質(zhì)區(qū)821、第三介質(zhì)區(qū)822和第五介質(zhì)區(qū)823中也可有二種以上介電材料，即三者為不相同的介電材料或是其中二者為相同的介電材料(圖中未顯示)。
另外，還可設(shè)置一第二導(dǎo)體層841在第二介電層811上，如圖18所示；其中，第一介電層810具有二介質(zhì)區(qū)，分別稱為第一介質(zhì)區(qū)820和第二介質(zhì)區(qū)821，而第二介電層811僅具有一介質(zhì)區(qū)，其中第一和第二介質(zhì)區(qū)820、821為不同的介電材料，并且各介質(zhì)區(qū)的分布位置、材料特征和結(jié)構(gòu)特征大致上相同于上述的各實(shí)施例；在此，各個(gè)介電層的變化型式大致上相同于上述的各個(gè)實(shí)施例。
也就是說，其可為第一介電層810具有三介質(zhì)區(qū)，分別稱為第一介質(zhì)區(qū)820、第二介質(zhì)區(qū)821和第三介質(zhì)區(qū)822，而第二介電層811僅具有一介質(zhì)區(qū)，其中第二介質(zhì)區(qū)821和第三介質(zhì)區(qū)822的介電材料為不同于第一介質(zhì)區(qū)820的介電材料，并且各介質(zhì)區(qū)的分布位置、材料特征和結(jié)構(gòu)特征大致上相同在上述的各實(shí)施例，如圖19所示，其中，各個(gè)介質(zhì)區(qū)的變化型式大致上相同于上述的各個(gè)實(shí)施例，也就是說，雖然在此圖中僅顯示第二和第三介質(zhì)區(qū)821、822為相同的介電材料的結(jié)構(gòu)型態(tài)，然而第二和第三介質(zhì)區(qū)821、822也可為不相同的介電材料(圖中未顯示)。
同理，此結(jié)構(gòu)也可為第一介電層810和第二介電層811均具有二介質(zhì)區(qū)，分別為第一和第二介質(zhì)區(qū)820、821，及第四和第五介質(zhì)區(qū)823、824，其中第二和第三介質(zhì)區(qū)821、822的介電材料為不同于第一介質(zhì)區(qū)820的介電材料，而第五介質(zhì)區(qū)823的介電材料則不同于第四介質(zhì)區(qū)823的介電材料，并且各介質(zhì)區(qū)的分布位置、材料特征和結(jié)構(gòu)特征大致上相同于上述的各實(shí)施例，如圖20所示；其中，各個(gè)介質(zhì)區(qū)的變化型式大致上相同于上述的各個(gè)實(shí)施例，也就是說，雖然在此圖中僅顯示三者為相同的介電材料(即，在第二介質(zhì)區(qū)821、第三介質(zhì)區(qū)822和第五介質(zhì)區(qū)823中可僅具有一種介電材料)的結(jié)構(gòu)型態(tài)，然而在第二介質(zhì)區(qū)821、第三介質(zhì)區(qū)822和第五介質(zhì)區(qū)823中也可有二種以上介電材料，即三者為不相同的介電材料，或是其中二者為相同的介電材料(圖中未顯示)。
當(dāng)然，此結(jié)構(gòu)也可為第一介電層810具有三介質(zhì)區(qū)，分別稱為第一介質(zhì)區(qū)820、第二介質(zhì)區(qū)821和第三介質(zhì)區(qū)822，而第二介電層811則具有二介質(zhì)區(qū)，分別稱為第四介質(zhì)區(qū)823和第五介質(zhì)區(qū)823，其中第二和第三介質(zhì)區(qū)821、822的介電材料為不同于第一介質(zhì)區(qū)820的介電材料，而第五介質(zhì)區(qū)823的介電材料則不同于第四介質(zhì)區(qū)823的介電材料，并且各介質(zhì)區(qū)的分布位置、材料特征和結(jié)構(gòu)特征大致上相同于上述的各實(shí)施例，如圖21所示；在此，各個(gè)介電層的變化型式大致上相同于上述的各個(gè)實(shí)施例，也就是說，雖然在此圖中僅顯示三者為相同的介電材料(即，在第二介質(zhì)區(qū)821、第三介質(zhì)區(qū)822和第五介質(zhì)區(qū)823中可僅具有一種介電材料)的結(jié)構(gòu)型態(tài)，然而在第二介質(zhì)區(qū)821、第三介質(zhì)區(qū)822和第五介質(zhì)區(qū)823中也可有二種以上介電材料，即三者為不相同的介電材料或是其中二者為相同的介電材料(圖中未顯示)。
然而，在第二介電層811也可設(shè)置另一信號(hào)傳輸線路，以下稱第二信號(hào)傳輸線路831，如圖22所示；其中，第一介電層810具有二介質(zhì)區(qū)，分別稱為第一介質(zhì)區(qū)820和第二介質(zhì)區(qū)821，而第二介電層811僅具有一介質(zhì)區(qū)，其中第一和第二介質(zhì)區(qū)820、821為不同的介電材料，并且各介質(zhì)區(qū)的分布位置、材料特征和結(jié)構(gòu)特征大致上相同于上述的各實(shí)施例。其中，不同層的信號(hào)傳輸線路可通過導(dǎo)孔而相互電性連結(jié)，也就是說，第一信號(hào)傳輸線路830和第二信號(hào)傳輸線路831可通過一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)孔850而電性相連，如圖23所示。此外，由導(dǎo)孔相連的二信號(hào)傳輸線路可為不同走向，以簡(jiǎn)化信號(hào)傳輸線路的工藝。
在此，各個(gè)介電層的變化型式大致上相同于上述的各個(gè)實(shí)施例。也就是說，其可為第一介電層810具有三介質(zhì)區(qū)，分別稱為第一介質(zhì)區(qū)820、第二介質(zhì)區(qū)821和第三介質(zhì)區(qū)822，而第二介電層811僅具有一介質(zhì)區(qū)，其中第二介質(zhì)區(qū)821和第三介質(zhì)區(qū)822的介電材料為不同于第一介質(zhì)區(qū)820的介電材料，并且各介質(zhì)區(qū)的分布位置、材料特征和結(jié)構(gòu)特征大致上相同于上述的各實(shí)施例，如圖24所示；其中，各個(gè)介質(zhì)區(qū)的變化型式大致上相同在上述的各個(gè)實(shí)施例，也就是說，雖然在此圖中僅顯示第二和第三介質(zhì)區(qū)821、822為相同的介電材料的結(jié)構(gòu)型態(tài)，然而第二和第三介質(zhì)區(qū)821、822也可為不相同的介電材料(圖中未顯示)。
在此，同樣可通過一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)孔850而將第一信號(hào)傳輸線路830和第二信號(hào)傳輸線路831電性相連，如圖25所示。并且，二信號(hào)傳輸線路可設(shè)計(jì)成不同的線路走向，以簡(jiǎn)化信號(hào)傳輸線路的工藝。
同理，此結(jié)構(gòu)也可為第一介電層810和第二介電層811均具有二介質(zhì)區(qū)，分別為第一和第二介質(zhì)區(qū)820、821，及第四和第五介質(zhì)區(qū)823、824，其中第二介質(zhì)區(qū)821的介電材料分別不同于第一介質(zhì)區(qū)820的介電材料，而第五介質(zhì)區(qū)823的介電材料則不同于第四介質(zhì)區(qū)823的介電材料，并且各介質(zhì)區(qū)的分布位置、材料特征和結(jié)構(gòu)特征大致上相同于上述的各實(shí)施例，如圖26A、26B所示，其中第26B圖為圖26A以剖線X1X2切開而形成的截面圖；在此，各個(gè)介質(zhì)區(qū)的變化型式大致上相同于上述的各個(gè)實(shí)施例，也就是說，雖然在此圖中僅顯示三者為相同的介電材料(即，在第二介質(zhì)區(qū)821、第三介質(zhì)區(qū)822和第五介質(zhì)區(qū)823中可僅具有一種介電材料)的結(jié)構(gòu)型態(tài)，然而在第二介質(zhì)區(qū)821、第三介質(zhì)區(qū)822和第五介質(zhì)區(qū)823中也可有二種以上介電材料，即三者為不相同的介電材料，或是其中二者為相同的介電材料(圖中未顯示)。
此外，第五介質(zhì)區(qū)823還可分布在該第二信號(hào)傳輸線路831下，如圖27A、27B所示，其中圖27B為圖27A以剖線X1X2切開而形成的截面圖。
在此，同樣可通過一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)孔850而將第一信號(hào)傳輸線路830和第二信號(hào)傳輸線路831電性相連，如圖28A、28B所示，其中第28B圖是為第28A圖以剖線X1X2切開而形成的截面圖。并且，二信號(hào)傳輸線路可設(shè)計(jì)成不同的線路走向，以簡(jiǎn)化信號(hào)傳輸線路的工藝。此時(shí)，在該第二信號(hào)傳輸線路831下方也可為第二介電層811的第五介質(zhì)區(qū)823，如圖29A、29B所示，其中圖29B為第29A圖以剖線X1X2切開而形成的截面圖。
當(dāng)然，此結(jié)構(gòu)也可為第一介電層810具有三介質(zhì)區(qū)，分別稱為第一介質(zhì)區(qū)820、第二介質(zhì)區(qū)821和第三介質(zhì)區(qū)822，而第二介電層811則具有二介質(zhì)區(qū)，分別稱為第四介質(zhì)區(qū)823和第五介質(zhì)區(qū)823，其中第二和第三介質(zhì)區(qū)821、822的介電材料為不同于第一介質(zhì)區(qū)820的介電材料，而第五介質(zhì)區(qū)823的介電材料則不同于第四介質(zhì)區(qū)823的介電材料，并且各介質(zhì)區(qū)的分布位置、材料特征和結(jié)構(gòu)特征大致上相同于上述的各實(shí)施例，如圖30所示；在此，各個(gè)介電層的變化型式大致上相同于上述的各個(gè)實(shí)施例，也就是說，雖然在此圖中僅顯示三者為相同的介電材料(即，在第二介質(zhì)區(qū)821、第三介質(zhì)區(qū)822和第五介質(zhì)區(qū)823中可僅具有一種介電材料)的結(jié)構(gòu)型態(tài)，然而在第二介質(zhì)區(qū)821、第三介質(zhì)區(qū)822和第五介質(zhì)區(qū)823中也可有二種以上介電材料，即三者為不相同的介電材料或是其中二者為相同的介電材料(圖中未顯示)。
此外，第五介質(zhì)區(qū)823還可分布在該第二信號(hào)傳輸線路831下，如圖31A、31B所示，其中圖31B為圖31A以剖線X1X2切開而形成的截面圖。
在此，同樣可通過一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)孔850而將第一信號(hào)傳輸線路830和第二信號(hào)傳輸線路831電性相連，如圖32所示。并且，二信號(hào)傳輸線路可設(shè)計(jì)成不同的線路走向，以簡(jiǎn)化信號(hào)傳輸線路的工藝。此時(shí)，在該第二信號(hào)傳輸線路831下方也可為第二介電層811的第五介質(zhì)區(qū)823，如圖33A、33B所示，其中圖33B為圖33A以剖線X1X2切開而形成的截面圖。
并且，可由任意多個(gè)上述的具有二介電層的結(jié)構(gòu)相疊來形成一多層基板。以下配合附圖來進(jìn)行根據(jù)本發(fā)明的多層基板的說明，并且為了方便說明，以下僅以二多層基板相疊所形成的多層基板進(jìn)行說明。
如圖34A、34B所示，圖34B為圖34A中的多層基板的爆炸圖；在此結(jié)構(gòu)中，第二介電層811、第一信號(hào)傳輸線路830、第一介電層810、第一導(dǎo)體層840、第二介電層811、第一信號(hào)傳輸線路830、第一介電層810和第一導(dǎo)體層840依序相疊。其中，兩第一介電層810均具有二介質(zhì)區(qū)，分別稱為第一介質(zhì)區(qū)820和第二介質(zhì)區(qū)821，而兩第二介電層均僅具有一介質(zhì)區(qū)，其中第二介質(zhì)區(qū)821的介電材料為不同于第一介質(zhì)區(qū)820的介電材料，并且各介質(zhì)區(qū)的分布位置、材料特征和結(jié)構(gòu)特征大致上相同于上述的各實(shí)施例；在此，各個(gè)介電層的變化型式大致上相同于上述的各個(gè)實(shí)施例，也就是說，雖然在此圖中僅顯示兩第一介電層均具有二介質(zhì)區(qū)且兩第二介電層均僅具有一介質(zhì)區(qū)的結(jié)構(gòu)型態(tài)，然而各個(gè)介電層可依據(jù)實(shí)際需求增加其所具有的介質(zhì)區(qū)，并且在整個(gè)多層基板的結(jié)構(gòu)中的所有介質(zhì)區(qū)可包括有二種以上的介電材料。舉例來說，此結(jié)構(gòu)也可為兩第一介電層或其中之一具有三個(gè)或更多介質(zhì)區(qū)，和/或兩第二介電層或其中之一具有二個(gè)或更多介質(zhì)區(qū)，其中各介質(zhì)區(qū)的分布位置、材料特征和結(jié)構(gòu)特征大致上相同于上述的各實(shí)施例，故在此不再贅述。其中，雖然在此圖中僅顯示兩第一信號(hào)傳輸線路為不同走向，然而配合實(shí)際應(yīng)用需求期也可為相同的走向。
在此結(jié)構(gòu)中，最上層的第二介電層811上可再設(shè)置一第二導(dǎo)體層841，如圖35A、35B所示，并且各介質(zhì)區(qū)的分布位置、材料特征和結(jié)構(gòu)特征大致上相同于上述的各實(shí)施例，故在此不再贅述。此外，雖然在此圖中僅顯示兩第一介電層均具有二介質(zhì)區(qū)且兩第二介電層均僅具有一介質(zhì)區(qū)的結(jié)構(gòu)型態(tài)，然而各個(gè)介電層可依據(jù)實(shí)際需求增加其所具有的介質(zhì)區(qū)，即兩第一介電層或其中之一可具有三個(gè)或更多介質(zhì)區(qū)，和/或兩第二介電層或其中之一可具有二個(gè)或更多介質(zhì)區(qū)，其中各介質(zhì)區(qū)的分布位置、材料特征和結(jié)構(gòu)特征大致上相同于上述的各實(shí)施例，故在此不再贅述。
此外，在此結(jié)構(gòu)中最上層的第二介電層811上也可設(shè)置一第二信號(hào)傳輸線路831，如圖36A、36B所示；其中，第二信號(hào)傳輸線路831與第一信號(hào)傳輸線路830的線路走向可為相同走向，也可為相異走向，并且在此結(jié)構(gòu)中各介質(zhì)區(qū)的分布位置、材料特征和結(jié)構(gòu)特征大致上相同于上述的各實(shí)施例，故在此不再贅述。此外，雖然在此圖中僅顯示兩第一介電層均具有二介質(zhì)區(qū)且兩第二介電層均僅具有一介質(zhì)區(qū)的結(jié)構(gòu)型態(tài)，然而各個(gè)介電層可依據(jù)實(shí)際需求增加其所具有的介質(zhì)區(qū)，并且在整個(gè)多層基板的結(jié)構(gòu)中的所有介質(zhì)區(qū)可包括有二種以上的介電材料；在此，各個(gè)介電層的變化型式大致上相同于上述的各個(gè)實(shí)施例，故在此不再贅述。此外，第一信號(hào)傳輸線路和第二信號(hào)傳輸線路也可通過一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)孔而電性相連(圖中未顯示)。
此外，可通過一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)孔850而將兩第一信號(hào)傳輸線路830電性相連，如圖37A、37B所示；在此，導(dǎo)孔850會(huì)貫穿在兩第一信號(hào)傳輸線路830間依序相疊的第一導(dǎo)體層810、第一導(dǎo)體層840和第一導(dǎo)體層811，以連結(jié)兩第一信號(hào)傳輸線路830。此外，此連結(jié)兩第一信號(hào)傳輸線路830的導(dǎo)孔850不與該第一導(dǎo)體層840相連接，即與第一導(dǎo)體層840分離。同樣地，在此各介質(zhì)區(qū)的分布位置、材料特征和結(jié)構(gòu)特征大致上相同在上述的各實(shí)施例，故在此不再贅述。此外，雖然在此圖中僅顯示兩第一介電層均具有二介質(zhì)區(qū)且兩第二介電層均僅具有一介質(zhì)區(qū)的結(jié)構(gòu)型態(tài)，然而各個(gè)介電層可依據(jù)實(shí)際需求增加其所具有的介質(zhì)區(qū)，即兩第一介電層或其中之一可具有三個(gè)或更多介質(zhì)區(qū)，和/或兩第二介電層或其中之一可具有二個(gè)或更多介質(zhì)區(qū)，其中各介質(zhì)區(qū)的分布位置、材料特征和結(jié)構(gòu)特征大致上相同于上述的各實(shí)施例，故在此不再贅述。
在此，也可在此結(jié)構(gòu)的最上層的第二介電層811上再設(shè)置一第二導(dǎo)體層841，如圖38A、38B所示；同樣地，此連結(jié)兩第一信號(hào)傳輸線路830的導(dǎo)孔850不與該第一導(dǎo)體層840相連接，即與第一導(dǎo)體層840分離，并且各介質(zhì)區(qū)的分布位置、材料特征和結(jié)構(gòu)特征，以及各個(gè)介電層的變化型式大致上相同于上述的各個(gè)實(shí)施例，故在此不再贅述。
此外，在此結(jié)構(gòu)中最上層的第二介電層811上也可設(shè)置一第二信號(hào)傳輸線路831，如圖39A、39B所示；其中，第二信號(hào)傳輸線路831與第一信號(hào)傳輸線路830的線路走向可為相同走向，也可為相異走向，并且各介質(zhì)區(qū)的分布位置、材料特征和結(jié)構(gòu)特征，以及各個(gè)介電層的變化型式大致上相同于上述的各個(gè)實(shí)施例，故在此不再贅述。此外，第一信號(hào)傳輸線路和第二信號(hào)傳輸線路也可通過一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)孔而電性相連(圖中未顯示)。
在另一實(shí)施例中，如圖40所示，同樣也包括有一第一介電層810、一第一信號(hào)傳輸線路830以及一第一導(dǎo)體層840，并且第一信號(hào)傳輸線路830位于第二介電層821中，而第一導(dǎo)體層840則位于第一介電層810下，其中第一介電層810也具有二介質(zhì)區(qū)，分別稱為第一介質(zhì)區(qū)820和第二介質(zhì)區(qū)821；然而，此第二介質(zhì)區(qū)821位于第一信號(hào)傳輸線路830的下面，不過各介質(zhì)區(qū)的材料特征和結(jié)構(gòu)特征大致上相同于上述的實(shí)施例，也就是說，第一介質(zhì)區(qū)820和第二介質(zhì)區(qū)821為不同的介電材料，即第二介質(zhì)區(qū)821的介電常數(shù)可高于或低于第一介質(zhì)區(qū)820的介電常數(shù)，或者其介電損耗可低于第一介質(zhì)區(qū)820的介電損耗。
雖然在此僅以第一介電層上設(shè)置有一信號(hào)傳輸線路的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明，然而事實(shí)上，為了滿足實(shí)際應(yīng)用，在第一介電層上也可設(shè)置二個(gè)或是多個(gè)信號(hào)傳輸線路。并且，當(dāng)?shù)谝唤殡妼由显O(shè)置有多個(gè)信號(hào)傳輸線路時(shí)，第一介電層也可具有多個(gè)介質(zhì)區(qū)，并且每一信號(hào)傳輸線路可相對(duì)一介質(zhì)區(qū)，以可通過改變使用在相對(duì)信號(hào)傳輸線路的介質(zhì)區(qū)的介電材料來達(dá)到維持或增強(qiáng)信號(hào)傳輸效果的目的。并且，該相對(duì)于信號(hào)傳輸線路的介質(zhì)區(qū)的介電材料可均為相同的介電材料，也可為完全或部分不相同的介電材料。
舉例來說，如圖41A所示，當(dāng)?shù)谝唤殡妼?10上設(shè)置有二第一信號(hào)傳輸線路830時(shí)，第一介電層810會(huì)具有三個(gè)介質(zhì)區(qū)，分別為一第一介質(zhì)區(qū)820及二第二介質(zhì)區(qū)821，并且二第二介質(zhì)區(qū)821分別位于二第一信號(hào)傳輸線路830的下面；此時(shí)，二第二介質(zhì)區(qū)821的介電材料不同于第一介質(zhì)區(qū)820的介電材料，即二第二介質(zhì)區(qū)821的介電常數(shù)可高于或低于第一介質(zhì)區(qū)820的介電常數(shù)，或者是其介電損耗可低于第一介質(zhì)區(qū)820的介電損耗。并且，在此圖中雖然僅顯示二第二介質(zhì)區(qū)821為相同的介電材料的結(jié)構(gòu)型態(tài)，然而二第二介質(zhì)區(qū)821也可為不相同的介電材料(如圖41B所示)。
在此，第二介質(zhì)區(qū)821的寬度可大于或等于第一信號(hào)傳輸線路830的寬度。
然而，還可設(shè)置一第二介電層811在第一介電層810上，如圖42所示。并且，此第二介電層可具有一個(gè)介質(zhì)區(qū)，也可具有多個(gè)介質(zhì)區(qū)。如圖43A、43B，在此第二介電層811具有二介質(zhì)區(qū)，分別稱為第三介質(zhì)區(qū)822和第四介質(zhì)區(qū)823；其中，第四介質(zhì)區(qū)823位于第一信號(hào)傳輸線路830上，并且與第四介質(zhì)區(qū)823是不同的介電材料。換句話說，第四介質(zhì)區(qū)823的介電常數(shù)可高于或低于第三介質(zhì)區(qū)822的介電常數(shù)，或者是其介電損耗可低于第三介質(zhì)區(qū)822的介電損耗。此外，此第四介質(zhì)區(qū)823也可與第一介質(zhì)區(qū)820為不同介電材料，也就是說，第四介質(zhì)區(qū)823的介電常數(shù)可高于或低于第一介質(zhì)區(qū)820的介電常數(shù)，或者是其介電損耗可低于第一介質(zhì)區(qū)820的介電損耗。此外，第四介質(zhì)區(qū)823的寬度可大于或等于第一信號(hào)傳輸線路830的寬度。
此外，雖然在此圖中僅顯示第四介質(zhì)區(qū)823與第二介質(zhì)區(qū)821可為相同的介電材料，然而其也可為不相同的介電材料(圖中未顯示)。在此，第一信號(hào)傳輸線路可埋入在第二介電層內(nèi)，也可位于第二介電層的表面上，然為了方便說明，以下僅以第一信號(hào)傳輸線路位第二介電層的表面上的結(jié)構(gòu)型態(tài)進(jìn)行描述。
另外，可再設(shè)置一第二導(dǎo)體層841在第二介電層811上，如圖44所示；其中，第一介電層810具有二介質(zhì)區(qū)，分別稱為第一介質(zhì)區(qū)820和第二介質(zhì)區(qū)821，而第二介電層811僅具有一介質(zhì)區(qū)，其中第一和第二介質(zhì)區(qū)820、821為不同的介電材料，并且各介質(zhì)區(qū)的分布位置、材料特征和結(jié)構(gòu)特征大致上相同于上述的各實(shí)施例；在此，各個(gè)介電層的變化型式大致上相同于上述的各個(gè)實(shí)施例。
也就是說，其可為第一介電層810和第二介電層811均具有二介質(zhì)區(qū)，分別為第一和第二介質(zhì)區(qū)820、821，及第三和第四介質(zhì)區(qū)822、823，其中第二和第四介質(zhì)區(qū)821、823的介電材料分別不同于第一和第三介質(zhì)區(qū)820、822的介電材料，并且各介質(zhì)區(qū)的分布位置、材料特征和結(jié)構(gòu)特征大致上相同于上述的各實(shí)施例，如圖45所示；在此，各個(gè)介質(zhì)區(qū)的變化型式大致上相同于上述的各個(gè)實(shí)施例，也就是說，雖然在此圖中僅顯示第二介質(zhì)區(qū)821和第四介質(zhì)區(qū)822為相同的介電材料的結(jié)構(gòu)型態(tài)，然而此二者也可為不相同的介電材料(圖中未顯示)。
然而，在第二介電層811也可設(shè)置另一信號(hào)傳輸線路，以下稱第二信號(hào)傳輸線路831，如圖46所示；其中，第一介電層810具有二介質(zhì)區(qū)，分別稱為第一介質(zhì)區(qū)820和第二介質(zhì)區(qū)821，而第二介電層811僅具有一介質(zhì)區(qū)，其中第一和第二介質(zhì)區(qū)820、821為不同的介電材料，并且各介質(zhì)區(qū)的分布位置、材料特征和結(jié)構(gòu)特征大致上相同于上述的各實(shí)施例。
其中，不同層的信號(hào)傳輸線路可通過導(dǎo)孔而相互電性連結(jié)，也就是說，第一信號(hào)傳輸線路830和第二信號(hào)傳輸線路831可通過一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)孔850而電性相連，如圖47所示。此外，由導(dǎo)孔相連的二信號(hào)傳輸線路可為不同走向，以簡(jiǎn)化信號(hào)傳輸線路的工藝。
在此，各個(gè)介電層的變化型式大致上相同于上述的各個(gè)實(shí)施例。也就是說，其也可為第一介電層810和第二介電層811均具有二介質(zhì)區(qū)，分別為第一和第二介質(zhì)區(qū)820、821，及第三和第四介質(zhì)區(qū)822、823，其中第二和第四介質(zhì)區(qū)821、823的介電材料分別不同于第一和第三介質(zhì)區(qū)820、822的介電材料，并且各介質(zhì)區(qū)的分布位置、材料特征和結(jié)構(gòu)特征大致上相同在上述的各實(shí)施例，如圖48A、48B所示，其中圖48B為圖48A以剖線X1X2切開而形成的截面圖；在此，各個(gè)介質(zhì)區(qū)的變化型式大致上相同于上述的各個(gè)實(shí)施例，也就是說，雖然在此圖中僅顯示第二介質(zhì)區(qū)821和第四介質(zhì)區(qū)823為相同的介電材料的結(jié)構(gòu)型態(tài)，然而此二者也可為不相同的介電材料(圖中未顯示)。在此，還可通過一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)孔850而將第一信號(hào)傳輸線路830和第二信號(hào)傳輸線路831電性相連，如圖49A、49B所示，其中圖49B為圖49A以剖線X1X2切開而形成的截面圖。并且，二信號(hào)傳輸線路可設(shè)計(jì)成不同的線路走向，以簡(jiǎn)化信號(hào)傳輸線路的工藝。
此外，第四介質(zhì)區(qū)823還可分布在該第二信號(hào)傳輸線路831下，如圖50A、50B所示，其中圖50B為圖50A以剖線X1X2切開而形成的截面圖。同樣，在此也可通過一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)孔850而將第一信號(hào)傳輸線路830和第二信號(hào)傳輸線路831電性相連，如圖51A、51B、51C所示。并且，二信號(hào)傳輸線路可設(shè)計(jì)成不同的線路走向，以簡(jiǎn)化信號(hào)傳輸線路的工藝。雖然在此僅以第一信號(hào)傳輸線路位在第四介質(zhì)區(qū)下的的結(jié)構(gòu)型態(tài)進(jìn)行說明，然而第一信號(hào)傳輸線路830也可設(shè)計(jì)為埋入在第四介質(zhì)區(qū)823，如圖52A、52B、52C所示。
并且，可由任意多個(gè)上述的具有二介電層的結(jié)構(gòu)相疊來形成一多層基板。以下配合附圖來進(jìn)行根據(jù)本發(fā)明的多層基板的說明，并且為了方便說明，以下僅以二多層基板相疊所形成的多層基板進(jìn)行說明。
如圖53A、53B所示，圖53B為圖53A中的多層基板的爆炸圖；在此結(jié)構(gòu)中為第二介電層811、第一信號(hào)傳輸線路830、第一介電層810、第一導(dǎo)體層840、第二介電層811、第一信號(hào)傳輸線路830、第一介電層810和第一導(dǎo)體層840依序相疊。其中，兩第一介電層810均具有二介質(zhì)區(qū)，分別稱為第一介質(zhì)區(qū)820和第二介質(zhì)區(qū)821，而兩第二介電層均僅具有一介質(zhì)區(qū)，其中第二介質(zhì)區(qū)821的介電材料為不同于第一介質(zhì)區(qū)820的介電材料，并且各介質(zhì)區(qū)的分布位置、材料特征和結(jié)構(gòu)特征大致上相同于上述的各實(shí)施例，故在此不再贅述。其中，雖然在此圖中僅顯示兩第一信號(hào)傳輸線路為不同走向，然而配合實(shí)際應(yīng)用需求期也可為相同的走向。此外，在此結(jié)構(gòu)中各個(gè)介電層的變化型式大致上相同在上述的各個(gè)實(shí)施例，也就是說，雖然在此圖中僅顯示兩第一介電層均具有二介質(zhì)區(qū)且兩第二介電層均僅具有一介質(zhì)區(qū)的結(jié)構(gòu)型態(tài)，然而各個(gè)介電層可依據(jù)實(shí)際需求增加其所具有的介質(zhì)區(qū)，并且在整個(gè)多層基板的結(jié)構(gòu)中的所有介質(zhì)區(qū)可包括有二種以上的介電材料。舉例來說，此結(jié)構(gòu)也可為兩第一介電層或其中之一具有三個(gè)或更多介質(zhì)區(qū)，和/或兩第二介電層或其中之一具有二個(gè)或更多介質(zhì)區(qū)，其中各介質(zhì)區(qū)的分布位置、材料特征和結(jié)構(gòu)特征大致上相同于上述的各實(shí)施例，故在此不再贅述。
舉例來說，假設(shè)兩第一介電層810均具有二介質(zhì)區(qū)，分別稱為第一介質(zhì)區(qū)820和第二介質(zhì)區(qū)821，參照?qǐng)D54A、54B，當(dāng)一第二介電層811具有二個(gè)介質(zhì)區(qū)時(shí)，二個(gè)介質(zhì)區(qū)分別稱為第三介質(zhì)區(qū)822和第四介質(zhì)區(qū)823，此時(shí)整體結(jié)構(gòu)會(huì)如附圖所示，然各介質(zhì)區(qū)的分布位置、材料特征和結(jié)構(gòu)特征大致上相同于上述的各實(shí)施例，故在此不再贅述。
此外，當(dāng)一第二介電層811具有三個(gè)介質(zhì)區(qū)時(shí)，二個(gè)介質(zhì)區(qū)分別稱為第三介質(zhì)區(qū)822、第四介質(zhì)區(qū)823和第五介質(zhì)區(qū)824，其中此第五介質(zhì)區(qū)824可位在第二介電層811的底面，即第一信號(hào)傳輸線路830的外圍，并且與第三介質(zhì)區(qū)822具有不同的該介電材料，即第五介質(zhì)區(qū)824的介電常數(shù)可高于或低于第三介質(zhì)區(qū)822的介電常數(shù)，或者是其介電損耗可低于第三介質(zhì)區(qū)822的介電損耗，并且各介質(zhì)區(qū)的分布位置、材料特征和結(jié)構(gòu)特征大致上相同于上述的各實(shí)施例，此時(shí)整體結(jié)構(gòu)會(huì)如圖55A、55B所示，然各介質(zhì)區(qū)的分布位置、材料特征和結(jié)構(gòu)特征大致上相同于上述的各實(shí)施例，故在此不再贅述。
在此，在此結(jié)構(gòu)的最上層的第二介電層811上可再設(shè)置一第二導(dǎo)體層841，如圖56所示，并且各介質(zhì)區(qū)的分布位置、材料特征和結(jié)構(gòu)特征大致上相同于上述的各實(shí)施例，故在此不再贅述。此外，雖然在此圖中僅顯示兩第一介電層均具有二介質(zhì)區(qū)且兩第二介電層均僅具有一介質(zhì)區(qū)的結(jié)構(gòu)型態(tài)，然而各個(gè)介電層可依據(jù)實(shí)際需求增加其所具有的介質(zhì)區(qū)，即兩第一介電層或其中之一可具有三個(gè)或更多介質(zhì)區(qū)，和/或兩第二介電層或其中之一可具有二個(gè)或更多介質(zhì)區(qū)，其中各介質(zhì)區(qū)的分布位置、材料特征和結(jié)構(gòu)特征大致上相同于上述的各實(shí)施例，故在此不再贅述。
此外，在此結(jié)構(gòu)中最上層的第二介電層811上也可設(shè)置一第二信號(hào)傳輸線路831，如圖57A、57B所示；其中，第二信號(hào)傳輸線路831與第一信號(hào)傳輸線路830的線路走向可為相同走向，也可為相異走向，并且在此結(jié)構(gòu)中各介質(zhì)區(qū)的分布位置、材料特征和結(jié)構(gòu)特征大致上相同于上述的各實(shí)施例，故在此不再贅述。此外，雖然在此圖中僅顯示兩第一介電層均具有二介質(zhì)區(qū)且兩第二介電層均僅具有一介質(zhì)區(qū)的結(jié)構(gòu)型態(tài)，然而各個(gè)介電層可依據(jù)實(shí)際需求增加其所具有的介質(zhì)區(qū)，并且在整個(gè)多層基板的結(jié)構(gòu)中的所有介質(zhì)區(qū)可包括有二種以上的介電材料；在此，各個(gè)介電層的變化型式大致上相同于上述的各個(gè)實(shí)施例，故在此不再贅述。此外，第一信號(hào)傳輸線路和第二信號(hào)傳輸線路也可通過一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)孔而電性相連(圖中未顯示)。
此外，可通過一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)孔850而將兩第一信號(hào)傳輸線路830電性相連，如圖58A、58B所示；在此，導(dǎo)孔850會(huì)貫穿在兩第一信號(hào)傳輸線路830間依序相疊的第一導(dǎo)體層810、第一導(dǎo)體層840和第一導(dǎo)體層811，以連結(jié)兩第一信號(hào)傳輸線路830。此外，此連結(jié)兩第一信號(hào)傳輸線路830的導(dǎo)孔850不與該第一導(dǎo)體層840相連接，即與第一導(dǎo)體層840分離。同樣地，在此各介質(zhì)區(qū)的分布位置、材料特征和結(jié)構(gòu)特征大致上相同于上述的各實(shí)施例，故在此不再贅述。此外，雖然在此圖中僅顯示兩第一介電層均具有二介質(zhì)區(qū)且兩第二介電層均僅具有一介質(zhì)區(qū)的結(jié)構(gòu)型態(tài)，然而各個(gè)介電層可依據(jù)實(shí)際需求增加其所具有的介質(zhì)區(qū)，即兩第一介電層或其中之一可具有三個(gè)或更多介質(zhì)區(qū)，和/或兩第二介電層或其中之一可具有二個(gè)或更多介質(zhì)區(qū)，其中各介質(zhì)區(qū)的分布位置、材料特征和結(jié)構(gòu)特征大致上相同于上述的各實(shí)施例，故在此不再贅述。
在此，也可在此結(jié)構(gòu)的最上層的第二介電層811上再設(shè)置一第二導(dǎo)體層841，如圖59A、59B所示；同樣地，此連結(jié)兩第一信號(hào)傳輸線路830的導(dǎo)孔850不與該第一導(dǎo)體層840相連接，即與第一導(dǎo)體層840分離，并且各介質(zhì)區(qū)的分布位置、材料特征和結(jié)構(gòu)特征，以及各個(gè)介電層的變化型式大致上相同于上述的各個(gè)實(shí)施例，故在此不再贅述。
此外，在此結(jié)構(gòu)中最上層的第二介電層811上也可設(shè)置一第二信號(hào)傳輸線路831，如圖60A、60B所示；其中，第二信號(hào)傳輸線路831與第一信號(hào)傳輸線路830的線路走向可為相同走向，也可為相異走向，并且各介質(zhì)區(qū)的分布位置、材料特征和結(jié)構(gòu)特征，以及各個(gè)介電層的變化型式大致上相同于上述的各個(gè)實(shí)施例，故在此不再贅述。此外，第一信號(hào)傳輸線路和第二信號(hào)傳輸線路也可通過一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)孔而電性相連(圖中未顯示)。
在此，在根據(jù)本發(fā)明而實(shí)施上述的各實(shí)施結(jié)構(gòu)時(shí)，每一層與層之間的結(jié)合可通過一般熟知的半導(dǎo)體工藝方式來達(dá)成，例如利用膠黏劑來黏合，或利用沉積工藝而形成等方式。
本發(fā)明在介電層中局部分布一種以上的介電材料，即在信號(hào)傳輸線路周邊/上方/下方的介電材料不同于鄰近的介電材料，借此以符合于高頻電路中的特定需求，成本低，工藝簡(jiǎn)單。
當(dāng)然，本發(fā)明還可有其它多種實(shí)施例，在不背離本發(fā)明精神及其實(shí)質(zhì)的情況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變形，但這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種具有復(fù)合介質(zhì)的基板，其特征在于，包括一第一介電層，包括一第一介質(zhì)區(qū)；以及一第二介質(zhì)區(qū)，位于該第一介電層的表面，且與該第一介質(zhì)區(qū)具有不同介電材料；一第一信號(hào)傳輸線路，位于該第二介質(zhì)區(qū)中；以及一第一導(dǎo)體層，位于該第一介電層下。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有復(fù)合介質(zhì)的基板，其特征在于，該第一介電層，還包括一第三介質(zhì)區(qū)，位于該第一信號(hào)傳輸線路下，且與該第一介質(zhì)區(qū)為不同的該介電材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的具有復(fù)合介質(zhì)的基板，其特征在于，該第三介質(zhì)區(qū)的寬度不小于該第一信號(hào)傳輸線路的寬度。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的具有復(fù)合介質(zhì)的基板，其特征在于，還包括一第二介電層，位于該第一介電層上，至少包括一第四介質(zhì)區(qū)；其中，該第二介質(zhì)區(qū)與該第四介質(zhì)區(qū)為不同的介電材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的具有復(fù)合介質(zhì)的基板，其特征在于，還包括一第二導(dǎo)體層，位于該第二介電層上。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的具有復(fù)合介質(zhì)的基板，其特征在于，還包括一第二信號(hào)傳輸線路，位于該第二介電層上，其中該第二信號(hào)傳輸線路的走線方向不同于該第一信號(hào)傳輸線路的走線方向；以及至少一導(dǎo)孔，貫穿該第二介電層，以連接該第一信號(hào)傳輸線路和該第二信號(hào)傳輸線路。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的具有復(fù)合介質(zhì)的基板，其特征在于，該第二介電層，還包括一第五介質(zhì)區(qū)，位于該第一信號(hào)傳輸線路上，且與該第四介質(zhì)區(qū)為不同的介電材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的具有復(fù)合介質(zhì)的基板，其特征在于，該第五介質(zhì)區(qū)的寬度不小于該第一信號(hào)傳輸線路的寬度。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的具有復(fù)合介質(zhì)的基板，其特征在于，還包括一第二信號(hào)傳輸線路，位于該第二介電層上，其特征在于，該第二信號(hào)傳輸線路的走線方向不同于該第一信號(hào)傳輸線路的走線方向；以及至少一導(dǎo)孔，貫穿該第二介電層，以連接該第一信號(hào)傳輸線路和該第二信號(hào)傳輸線路。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的具有復(fù)合介質(zhì)的基板，其特征在于，還包括一第二信號(hào)傳輸線路，位于該第二介電層上，其中該第二信號(hào)傳輸線路的走線方向不同于該第一信號(hào)傳輸線路的走線方向；以及至少一導(dǎo)孔，貫穿該第二介電層，以連接該第一信號(hào)傳輸線路和該第二信號(hào)傳輸線路；其中，該第五介質(zhì)區(qū)還位于該第二信號(hào)傳輸線路下。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的具有復(fù)合介質(zhì)的基板，其特征在于，還包括一第二導(dǎo)體層，位于該第二介電層上。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有復(fù)合介質(zhì)的基板，其特征在于，還包括一第二介電層，位于該第一介電層上，至少包括一第四介質(zhì)區(qū)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的具有復(fù)合介質(zhì)的基板，其特征在于，還包括一第二信號(hào)傳輸線路，位于該第二介電層上，其中該第二信號(hào)傳輸線路的走線方向不同于該第一信號(hào)傳輸線路的走線方向；以及至少一導(dǎo)孔，貫穿該第二介電層，并連接該第一信號(hào)傳輸線路和該第二信號(hào)傳輸線路。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的具有復(fù)合介質(zhì)的基板，其特征在于，還包括一第二導(dǎo)體層，位于該第二介電層上。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的具有復(fù)合介質(zhì)的基板，其特征在于，該第二介電層，還包括一第五介質(zhì)區(qū)，位于該第一信號(hào)傳輸線路上，且與該第四介質(zhì)區(qū)為不同的介電材料。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的具有復(fù)合介質(zhì)的基板，其特征在于，該第五介質(zhì)區(qū)的寬度不小于該第一信號(hào)傳輸線路的寬度。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的具有復(fù)合介質(zhì)的基板，其特征在于，還包括一第二信號(hào)傳輸線路，位于該第二介電層上，其中該第二信號(hào)傳輸線路的走線方向不同于該第一信號(hào)傳輸線路的走線方向。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的具有復(fù)合介質(zhì)的基板，其特征在于，該第五介質(zhì)區(qū)還位于該第二信號(hào)傳輸線路下。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的具有復(fù)合介質(zhì)的基板，其特征在于，還包括至少一導(dǎo)孔，貫穿該第二介電層，并連接該第一信號(hào)傳輸線路和該第二信號(hào)傳輸線路。
20.根據(jù)權(quán)利要求15所述的具有復(fù)合介質(zhì)的基板，其特征在于，還包括一第二導(dǎo)體層，位于該第二介電層上。
21.一種多層基板，其特征在于，包括多個(gè)如權(quán)利要求12所述的具有復(fù)合介質(zhì)的基板，依序相疊；以及多個(gè)導(dǎo)孔，位于該具有復(fù)合介質(zhì)的基板中的其中之二中，以連接該具有復(fù)合介質(zhì)的基板中之二的該第一信號(hào)傳輸線路。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的多層基板，其特征在于，以同一該導(dǎo)孔相連接的該第一信號(hào)傳輸線路的走線方向彼此不同。
23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的多層基板，其特征在于，該導(dǎo)孔貫穿該第一導(dǎo)體層，但與該第一導(dǎo)體層分離。
24.根據(jù)權(quán)利要求21所述的多層基板，其特征在于，還包括一第二導(dǎo)體層，位于最上層的該具有復(fù)合介質(zhì)的基板上。
25.根據(jù)權(quán)利要求21所述的多層基板，其特征在于，至少一該具有復(fù)合介質(zhì)的基板的該第一介電層，還包括一第三介質(zhì)區(qū)，位于該第一信號(hào)傳輸線路下，且與該第一介質(zhì)區(qū)為不同的該介電材料。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的多層基板，其特征在于，還包括一第二導(dǎo)體層，位于最上層的該具有復(fù)合介質(zhì)的基板上。
27.根據(jù)權(quán)利要求21所述的多層基板，其特征在于，至少一該具有復(fù)合介質(zhì)的基板的該第二介電層，還包括一第五介質(zhì)區(qū)，位于該第一信號(hào)傳輸線路上，且與該第四介質(zhì)區(qū)具有不同介電材料。
28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的多層基板，其特征在于，還包括一第二導(dǎo)體層，位于最上層的該具有復(fù)合介質(zhì)的基板上。
29.根據(jù)權(quán)利要求21所述的多層基板，其特征在于，至少一該具有復(fù)合介質(zhì)的基板的該第一介電層，還包括一第三介質(zhì)區(qū)，位于該第一信號(hào)傳輸線路下，且與該第一介質(zhì)區(qū)為不同的該介電材料；以及其中至少一該具有復(fù)合介質(zhì)的基板的該第二介電層，還包括一第五介質(zhì)區(qū)，位于該第一信號(hào)傳輸線路上，且與該第四介質(zhì)區(qū)具有不同介電材料。
30.根據(jù)權(quán)利要求29所述的多層基板，其特征在于，還包括一第二導(dǎo)體層，位于最上層的該具有復(fù)合介質(zhì)的基板上。
31.一種具有復(fù)合介質(zhì)的基板，其特征在于，包括一第一介電層，包括一第一介質(zhì)區(qū)及至少一第二介質(zhì)區(qū)；至少一第一信號(hào)傳輸線路，分別位于該第二介質(zhì)區(qū)中之一上；以及一第一導(dǎo)體層，位于該第一介電層下，且相對(duì)于該第一信號(hào)傳輸線路。
32.根據(jù)權(quán)利要求31所述的具有復(fù)合介質(zhì)的基板，其特征在于，該第二介質(zhì)區(qū)包括有一種以上的介電材料，且該第二介質(zhì)區(qū)的該介電材料不同于該第一介質(zhì)區(qū)。
33.根據(jù)權(quán)利要求31所述的具有復(fù)合介質(zhì)的基板，其特征在于，該第二介質(zhì)區(qū)的寬度不小于該第一信號(hào)傳輸線路的寬度。
34.根據(jù)權(quán)利要求31所述的具有復(fù)合介質(zhì)的基板，其特征在于，還包括一第二介電層，位于該第一介電層和該第一信號(hào)傳輸線路上。
35.根據(jù)權(quán)利要求34所述的具有復(fù)合介質(zhì)的基板，其特征在于，該第二介電層包括一第三介質(zhì)區(qū)；以及至少一第四介質(zhì)區(qū)，與該第三介質(zhì)區(qū)具有不同的該介電材料，其中該第四介質(zhì)區(qū)的下表面分別連接該第一信號(hào)傳輸線路中之一。
36.根據(jù)權(quán)利要求35所述的具有復(fù)合介質(zhì)的基板，其特征在于，該第四介質(zhì)區(qū)包括有一種以上的介電材料。
37.根據(jù)權(quán)利要求35所述的具有復(fù)合介質(zhì)的基板，其特征在于，該第四介質(zhì)區(qū)的寬度不小于該第一信號(hào)傳輸線路的寬度。
38.根據(jù)權(quán)利要求35所述的具有復(fù)合介質(zhì)的基板，其特征在于，還包括一第二導(dǎo)體層，位于該第二介電層上。
39.根據(jù)權(quán)利要求35所述的具有復(fù)合介質(zhì)的基板，其特征在于，還包括至少一第二信號(hào)傳輸線路，位于該第二介電層上，其中該第二信號(hào)傳輸線路的走線方向不同于該第一信號(hào)傳輸線路的走線方向。
40.根據(jù)權(quán)利要求39所述的具有復(fù)合介質(zhì)的基板，其特征在于，該第二介電層的該第四介質(zhì)區(qū)還位于該第二信號(hào)傳輸線路下。
41.根據(jù)權(quán)利要求39所述的具有復(fù)合介質(zhì)的基板，其特征在于，還包括至少一導(dǎo)孔，貫穿該第二介電層，并連接該第一信號(hào)傳輸線路中之一和該第二信號(hào)傳輸線路中之一。
42.根據(jù)權(quán)利要求41所述的具有復(fù)合介質(zhì)的基板，其特征在于，該第二介電層的該第四介質(zhì)區(qū)還位于該第二信號(hào)傳輸線路下。
43.根據(jù)權(quán)利要求34所述的具有復(fù)合介質(zhì)的基板，其特征在于，還包括一第二導(dǎo)體層，位于該第二介電層上。
44.根據(jù)權(quán)利要求34所述的具有復(fù)合介質(zhì)的基板，其特征在于，還包括至少一第二信號(hào)傳輸線路，位于該第二介電層上，該第二信號(hào)傳輸線路的走線方向不同于該第一信號(hào)傳輸線路的走線方向。
45.根據(jù)權(quán)利要求44所述的具有復(fù)合介質(zhì)的基板，其特征在于，還包括至少一導(dǎo)孔，貫穿該第二介電層，并連接該第一信號(hào)傳輸線路中之一和該第二信號(hào)傳輸線路中之一。
46.一種多層基板，其特征在于，包括多個(gè)如權(quán)利要求34所述的具有復(fù)合介質(zhì)的基板，依序相疊；以及多個(gè)導(dǎo)孔，分別用以將該具有復(fù)合介質(zhì)的基板中之二的該第一信號(hào)傳輸線路中之一相互連接。
47.根據(jù)權(quán)利要求46所述的多層基板，其特征在于，以同一該導(dǎo)孔相連接的該第一信號(hào)傳輸線路的走線方向彼此不同。
48.根據(jù)權(quán)利要求46所述的多層基板，其特征在于，該導(dǎo)孔貫穿該第一導(dǎo)體層，但不與該第一導(dǎo)體層相連接。
49.根據(jù)權(quán)利要求46所述的多層基板，其特征在于，至少一該具有復(fù)合介質(zhì)的基板的該第二介電層，還包括一第三介質(zhì)區(qū)；以及至少一第四介質(zhì)區(qū)，與該第三介質(zhì)區(qū)具有不同介電材料，其中該第四介質(zhì)區(qū)的下表面分別連接該第一信號(hào)傳輸線路其中之一。
50.根據(jù)權(quán)利要求49所述的多層基板，其特征在于，在每一該具有復(fù)合介質(zhì)的基板中，該第四介質(zhì)區(qū)包括有一種以上的介電材料。
51.根據(jù)權(quán)利要求49所述的多層基板，其特征在于，還包括一第二導(dǎo)體層，位于最上層的該具有復(fù)合介質(zhì)的基板上。
52.根據(jù)權(quán)利要求49所述的多層基板，其特征在于，至少一該具有復(fù)合介質(zhì)的基板的該第二介電層，還包括一第五介質(zhì)區(qū)，位于該第一信號(hào)傳輸線路外圍，且與該第三介質(zhì)區(qū)具有不同的該介電材料。
53.根據(jù)權(quán)利要求52所述的多層基板，其特征在于，還包括一第二導(dǎo)體層，位于最上層的該具有復(fù)合介質(zhì)的基板上。
54.根據(jù)權(quán)利要求46所述的多層基板，其特征在于，至少一該具有復(fù)合介質(zhì)的基板的該第二介電層，還包括一第三介質(zhì)區(qū)；以及一第五介質(zhì)區(qū)，位于該第一信號(hào)傳輸線路的外圍，且與該第三介質(zhì)區(qū)具有不同的該介電材料。
55.根據(jù)權(quán)利要求54所述的多層基板，其特征在于，還包括一第二導(dǎo)體層，位于最上層的該具有復(fù)合介質(zhì)的基板上。
56.根據(jù)權(quán)利要求46所述的多層基板，其特征在于，還包括一第二導(dǎo)體層，位于最上層的該具有復(fù)合介質(zhì)的基板上。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種具有復(fù)合介質(zhì)的基板及其所組成的多層基板，所述基板包括一第一介電層、一第一訊號(hào)信號(hào)傳輸線路以及一第一導(dǎo)體層。此第一介電層具有第一介質(zhì)區(qū)和第二介質(zhì)區(qū)，其中第二介質(zhì)區(qū)系位于第一介電層的表面，并且與第一介質(zhì)區(qū)系是不同介電材料，以及第一訊號(hào)信號(hào)傳輸線路系位于第二介電層中，而第一導(dǎo)體層則系位于第一介電層下。于在此，第二介質(zhì)區(qū)的介電常數(shù)可高于或低于第一介質(zhì)區(qū)的介電常數(shù)，或者系是其介電損耗可低于第一介質(zhì)區(qū)的介電損耗。本發(fā)明主要是在介電層中局部分布一種以上的介電材料，也就是說，在信號(hào)傳輸線路周邊/上方/下方的介電材料不同于鄰近的介電材料，借此以符合于高頻電路中的特定需求。
文檔編號(hào)H01P3/08GK1882218SQ20051011765
公開日2006年12月20日 申請(qǐng)日期2005年11月8日 優(yōu)先權(quán)日2005年6月17日
發(fā)明者張致豪, 吳仕先, 李明林, 賴信助 申請(qǐng)人:財(cái)團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院