專(zhuān)利名稱(chēng)：確定半導(dǎo)體制造過(guò)程的獨(dú)立式結(jié)構(gòu)的線(xiàn)寬的系統(tǒng)和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造過(guò)程，尤其是用于檢查獨(dú)立式結(jié)構(gòu)的噴霧過(guò)程。
背景技術(shù)：
隨最小的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)元件的尺寸從90nm下降到65nm甚至到40nm時(shí)，結(jié)構(gòu)如傳統(tǒng)光刻法所制造的結(jié)構(gòu)在機(jī)械上變得越來(lái)越不穩(wěn)定。不穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)會(huì)引起導(dǎo)致電路斷開(kāi)或短路的缺陷，阻止電路正常工作。新的超短波長(zhǎng)光刻法/抗蝕劑系統(tǒng)的使用使對(duì)橫跨芯片的線(xiàn)寬變化(ACLV)的控制困難，如位于芯片內(nèi)的線(xiàn)路或這些線(xiàn)路的一部分，容易比平均尺寸小10％。對(duì)掩模修正(on-mask corrections)的需要進(jìn)一步加重了該問(wèn)題，因?yàn)椴煌晟频墓鈱W(xué)近似修正(OPC)實(shí)際上可能使本地線(xiàn)路的變化更壞，該光學(xué)近似修正補(bǔ)充了本地環(huán)境帶來(lái)的光刻圖像變化的設(shè)計(jì)。
工業(yè)上主要依賴(lài)通過(guò)掃描電鏡(SEM)測(cè)量電路尺寸和臨界尺寸來(lái)確定橫跨晶片或芯片的平均線(xiàn)寬。實(shí)際上，對(duì)位于巢狀的、半巢狀的和隔離的本地環(huán)境中的結(jié)構(gòu)進(jìn)行測(cè)量，這種測(cè)量模擬產(chǎn)品芯片以期得到對(duì)產(chǎn)品芯片的線(xiàn)寬的相當(dāng)好的認(rèn)識(shí)。
理想地，應(yīng)當(dāng)測(cè)量產(chǎn)品芯片或晶片上的所有本地環(huán)境以確保準(zhǔn)確獲知線(xiàn)寬。由于這種做法不可行，產(chǎn)品中線(xiàn)寬變化和/或損壞可能存在并會(huì)最終通過(guò)電路特征和隨后的失效分析被監(jiān)測(cè)到。但是，這種過(guò)程是一種昂貴、耗時(shí)且資金密集的解決方式。
這樣在本領(lǐng)域存在這樣一種需要，即一種用于識(shí)別在晶片或芯片上、其中特定線(xiàn)寬的獨(dú)立式結(jié)構(gòu)不能保持結(jié)構(gòu)完整性的特定區(qū)域的改進(jìn)方法，這些特定線(xiàn)寬的獨(dú)立式結(jié)構(gòu)如多晶硅柵、刻蝕劑溝槽或低K材料如SiLK的溝槽。

發(fā)明內(nèi)容
通過(guò)在半導(dǎo)體器件中創(chuàng)建獨(dú)立式結(jié)構(gòu)，本發(fā)明提供了一種用于確定半導(dǎo)體(S/C)制造過(guò)程中建立的獨(dú)立式結(jié)構(gòu)的最小線(xiàn)寬的系統(tǒng)和方法；調(diào)整和找準(zhǔn)(對(duì)準(zhǔn))與獨(dú)立式結(jié)構(gòu)的臨界線(xiàn)寬有關(guān)的噴霧過(guò)程；使該器件經(jīng)歷此噴霧過(guò)程；和響應(yīng)于亞臨界線(xiàn)寬的獨(dú)立式結(jié)構(gòu)的破壞，選擇性地調(diào)整S/C制造過(guò)程。
從下面對(duì)本發(fā)明目前的優(yōu)選實(shí)施例的詳述并結(jié)合附圖本發(fā)明的其它特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)會(huì)變得明顯。


圖1是用在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例中的示例性的噴霧過(guò)程設(shè)備的圖示。
圖2A-2G是常見(jiàn)的半導(dǎo)體制造過(guò)程的流程圖和圖示。
圖3A-3B是用于測(cè)定最小線(xiàn)寬的本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的操作過(guò)程的流程圖。
圖4是獨(dú)立式結(jié)構(gòu)(FSS)的掃描電鏡(SEM)的圖示。
圖5是半導(dǎo)體芯片的過(guò)程限制產(chǎn)品率(PLY)圖的圖示，該芯片經(jīng)歷了本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的噴霧凈化/觀(guān)測(cè)過(guò)程。
圖6是顯示四個(gè)示例性獨(dú)立式結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品率的條形圖和折線(xiàn)圖。
具體實(shí)施例方式
根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，提供一種可調(diào)整的噴霧系統(tǒng)和方法，用于識(shí)別其中獨(dú)立式結(jié)構(gòu)未能保持結(jié)構(gòu)完整性的晶片或芯片特定區(qū)域。在這些結(jié)構(gòu)上由于噴霧凈化過(guò)程會(huì)出現(xiàn)某種類(lèi)型的物理擾動(dòng)，這種物理擾動(dòng)可能與線(xiàn)寬相關(guān)。
在此噴霧過(guò)程中，晶片或芯片上的問(wèn)題區(qū)域的“層原位”(“at-level”)知識(shí)可以被追溯到檢測(cè)問(wèn)題所用的急劇減少的平均時(shí)間。此噴霧過(guò)程可以用在制造晶片或芯片的關(guān)鍵操作步驟后，當(dāng)結(jié)合過(guò)程限制成品率(PLY)檢查和/或電路檢測(cè)時(shí)，該關(guān)鍵步驟會(huì)有助于識(shí)別該問(wèn)題區(qū)域，尤其是關(guān)于獨(dú)立式結(jié)構(gòu)的線(xiàn)寬問(wèn)題。此關(guān)鍵過(guò)程步驟包括光刻顯影、PC掩模斷開(kāi)、PC刻蝕、電介質(zhì)刻蝕和類(lèi)似過(guò)程。在下面的例子中，獨(dú)立式多晶硅線(xiàn)淀積到晶片上后進(jìn)行噴霧過(guò)程。
參照?qǐng)D1，其顯示了有關(guān)凈化硅晶片的氬氣/氮?dú)獾蜏貒婌F工具的簡(jiǎn)單的方塊圖。噴霧過(guò)程以氬50和氮?dú)?2開(kāi)始。各種氣體的體積通過(guò)質(zhì)量流量控制器單獨(dú)控制，在進(jìn)入低溫冷卻器56前在混合器54中混合。冷卻器56是冷卻混合氣到低溫的液氮換熱器。此冷卻的混合氣流進(jìn)噴嘴或膨脹室58，然后通過(guò)一列噴嘴孔48注入凈化室60。氣體膨脹進(jìn)入被控制在100-300托的部分真空下的真空室58，因此氣體進(jìn)一步冷卻。隨著氣體溫度下降到84K以下，氬氣的三態(tài)點(diǎn)，這導(dǎo)致形成凝固晶體。氣體混合氣中的氮?dú)庠试S更高的膨脹比率，起到稀釋氬氣的作用，這樣提供了控制氬氣顆粒尺寸和動(dòng)能的手段。
晶片40從噴嘴下方經(jīng)過(guò)，被噴濺以包括Ar/N2混合氣和Ar冰晶的噴霧，其撞擊獨(dú)立式結(jié)構(gòu)42?？梢哉{(diào)整噴射器噴嘴的入射角46以?xún)?yōu)化高形狀比元件的凈化。噴霧的強(qiáng)度、能量和冰晶的尺寸受到總氣流量、氬氣與氮?dú)獾谋嚷?、氣體溫度和室60的壓力的控制。噴霧過(guò)程，如噴霧凈化過(guò)程，是簡(jiǎn)單的動(dòng)量轉(zhuǎn)移過(guò)程。(“P”是動(dòng)量的科學(xué)記錄符號(hào))。通過(guò)將冷凍氣體顆粒的動(dòng)量轉(zhuǎn)移給獨(dú)立式結(jié)構(gòu)能完成該獨(dú)立式結(jié)構(gòu)。施加到噴嘴后方氣體的壓力會(huì)改變冷凍氣體顆粒的動(dòng)量。壓力是一個(gè)“旋紐”，調(diào)整其可以改變動(dòng)量。其它允許保持該過(guò)程、可以被調(diào)整的“旋紐”是氣體種類(lèi)和噴嘴到晶片的距離。
參照?qǐng)D2A到圖2G，其顯示了帶有各種獨(dú)立式結(jié)構(gòu)42的典型的半導(dǎo)體制造過(guò)程，可以使用在此過(guò)程不同階段存在的、本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的噴霧凈化過(guò)程監(jiān)測(cè)該獨(dú)立式結(jié)構(gòu)。
在步驟200中，提供NMOS過(guò)程的起始材料，包括P型輕摻雜、拋光的硅晶片70。在步驟202中，通過(guò)熱氧化形成SiO2層74。在步驟204中，通過(guò)例如在晶片上滴幾滴正性光致抗蝕劑(如ShipleyS1818)的方法，隨后其被旋轉(zhuǎn)以均勻地分散開(kāi)，施加光致抗蝕劑。旋涂后，預(yù)曝光焙燒所述晶片以從PR膜74中去除溶劑和提高對(duì)基底70的附著力。
在步驟206中通過(guò)光刻術(shù)形成漏極和源極75。未覆蓋掩模的PR層74在UV光下經(jīng)歷化學(xué)變化并通過(guò)以顯影溶液噴涂晶片而被除去。殘留的PR74是掩模圖案的拷貝。清洗晶片并且旋干，然后再次焙燒以便PR74能抵抗用于刻蝕曝光的氧化物層的強(qiáng)酸。
在步驟208中，使用氫氟酸(HF)刻蝕掉光致抗蝕劑74的開(kāi)口76中的氧化物，并且終止于硅70的表面。在步驟210中，通過(guò)溶劑或等離子氧化法剝除光致抗蝕劑74，留下與掩模上的不透明圖像相同的絕緣體圖案72。
在步驟212中，采用兩步擴(kuò)散過(guò)程來(lái)形成漏極和源極78，其中首先預(yù)淀積磷，隨后驅(qū)動(dòng)(drive-in)擴(kuò)散，并除去晶片上的一薄層磷硅玻璃。在步驟214中，熱氧化過(guò)程進(jìn)一步使氧化物層72生長(zhǎng)。在此爐子操作中通過(guò)擴(kuò)散使磷78擴(kuò)展。
在步驟216、218和220中，完成第二光刻過(guò)程以除去氧化物72來(lái)形成柵區(qū)84。如前面一樣，通過(guò)光致抗蝕劑80滴落、旋轉(zhuǎn)、預(yù)焙燒、掩模找準(zhǔn)、UV曝光、PR顯影、清洗和干燥、后焙燒、和氧化物72刻蝕完成此過(guò)程。在步驟222中，剝除光致抗蝕劑80。
在步驟222中，通過(guò)熱氧化生長(zhǎng)非常薄的柵氧化物層86。在步驟226、228和230中，完成第三光刻過(guò)程以除去氧化物72來(lái)形成接觸孔92。隨后是相同的步驟PR88滴落、旋轉(zhuǎn)、預(yù)焙燒、掩模找準(zhǔn)、UV曝光、PR88顯影、清洗和干燥、后焙燒、和氧化物72刻蝕。在步驟232中，除去PR88。
在步驟234中，在整個(gè)基底表面上蒸發(fā)如鋁94的金屬以便隨后形成電接觸。
在步驟236、238和240中，完成最后的光刻過(guò)程以除去鋁層94，形成接觸圖案。隨后是相同的步驟PR88滴落、旋轉(zhuǎn)、預(yù)焙燒、掩模找準(zhǔn)、UV曝光、PR顯影、清洗和干燥、后焙燒、鋁刻蝕。在步驟242中，剝除PR96，完成所有的NMOS制造步驟。
在NMOS制造過(guò)程中的幾個(gè)階段，如在其它類(lèi)似的制造過(guò)程中，建造獨(dú)立式結(jié)構(gòu)42，其能經(jīng)受用于檢測(cè)結(jié)構(gòu)和電路完整性(線(xiàn)寬長(zhǎng)度和連續(xù)性)、本發(fā)明的噴霧凈化過(guò)程。這包括，例如，步驟206的PR74、步驟210的氧化物72、步驟228和230的PR88、步驟232的氧化物86、步驟234的鋁94、步驟238和240的PR96和步驟242的鋁94。
參照?qǐng)D3A-3B，用于測(cè)定最小線(xiàn)寬的過(guò)程以在步驟110中建立獨(dú)立式結(jié)構(gòu)開(kāi)始，如前面根據(jù)圖2A-2G所描述。
在步驟112中，確定是否調(diào)整臨界線(xiàn)寬的噴霧過(guò)程(或作為步驟114-130的結(jié)果已經(jīng)調(diào)整了噴霧過(guò)程)。為控制噴霧強(qiáng)度、能量和噴霧晶體的尺寸要調(diào)整的參數(shù)包括噴射器噴嘴48的入射角46、進(jìn)入室58的氣流量、氬氣50與氮?dú)?2的比率、從冷卻器56出來(lái)的氣體溫度和室60的壓力。
在步驟114中，晶片或芯片40上的獨(dú)立式結(jié)構(gòu)42經(jīng)受室60中的噴霧過(guò)程。在步驟116中，(通過(guò)掃描電鏡(SEM)或PLY)檢測(cè)該結(jié)構(gòu)42以確定在步驟118和122中是否有任何獨(dú)立式結(jié)構(gòu)被破壞。如果在步驟118中確定亞臨界線(xiàn)寬的FSS42已被破壞，不調(diào)整噴霧過(guò)程而在步驟120中調(diào)整參數(shù)以增加噴霧壓力。如果在步驟122中確定大于臨界線(xiàn)寬的FSS42破壞了，不調(diào)整噴霧過(guò)程，在步驟124中調(diào)整參數(shù)以降低噴霧壓力(即，在檢測(cè)中通過(guò)其噴霧氣體撞擊FSS42的力)。如果小于或大于臨界線(xiàn)寬的FSS結(jié)構(gòu)沒(méi)有被破壞，然后在步驟126中確定是否已找準(zhǔn)用于臨界線(xiàn)寬的噴霧過(guò)程。當(dāng)獨(dú)立式結(jié)構(gòu)正好在最小線(xiàn)寬確定的尺寸下開(kāi)始破壞時(shí)，則已找準(zhǔn)用于臨界線(xiàn)寬的噴霧過(guò)程。是否找準(zhǔn)此噴霧過(guò)程由以下確定確定線(xiàn)破壞位置的PLY檢測(cè)和確定線(xiàn)破壞的寬度的SEM檢測(cè)。
如果已找準(zhǔn)用于臨界線(xiàn)寬的噴霧過(guò)程，那么步驟130指示調(diào)整噴霧過(guò)程，如果未找準(zhǔn)，則在步驟128中通過(guò)增加或降低需要的壓力調(diào)整噴霧過(guò)程。最小線(xiàn)寬取決于工藝節(jié)點(diǎn)。它是工藝設(shè)計(jì)手冊(cè)確定的最小容許的獨(dú)立式結(jié)構(gòu)的線(xiàn)寬。這里臨界線(xiàn)寬是由調(diào)整噴霧過(guò)程所確定的獨(dú)立式結(jié)構(gòu)開(kāi)始破壞的閾值。
一旦在步驟112中確定噴霧過(guò)程已被調(diào)整針對(duì)要檢測(cè)的FSS42的臨界線(xiàn)寬，在步驟132中進(jìn)行檢測(cè)和在步驟134中檢測(cè)結(jié)果。參照?qǐng)D4，其是檢測(cè)結(jié)果的掃描電鏡(SEM)圖示，圖5是結(jié)果的PLY圖的圖示，和圖6繪制了不同的線(xiàn)寬的四個(gè)示例性結(jié)構(gòu)42的觀(guān)測(cè)結(jié)果。
參照?qǐng)D3B，在步驟136中確定任何亞臨界線(xiàn)寬的獨(dú)立式結(jié)構(gòu)(FSS)是否破壞，如果沒(méi)有破壞，則步驟138指示沒(méi)有。步驟140指示已經(jīng)觀(guān)測(cè)到了亞臨界線(xiàn)寬，并在步驟142中進(jìn)行根本原因分析。當(dāng)檢測(cè)到所述線(xiàn)位于最小可接受線(xiàn)寬之下時(shí)，則觀(guān)測(cè)到亞臨界線(xiàn)寬，這是因?yàn)楫?dāng)經(jīng)受被調(diào)整到臨界線(xiàn)寬中心的噴霧過(guò)程時(shí)線(xiàn)破壞。
在步驟144和146中，設(shè)計(jì)過(guò)程校正行動(dòng)方案以校正與如活性離子刻蝕(RIE)和平面化的制造步驟或參數(shù)相關(guān)的亞臨界線(xiàn)寬的制造。RIE是等離子形式的活性氣體化學(xué)刻蝕某些特殊材料的過(guò)程。平面化指FSS存在的表面的平坦程度。如果表面不平坦(高度變化幾個(gè)納米)，光刻法不會(huì)正確地印制FSS圖案并會(huì)導(dǎo)致亞臨界尺寸。一旦亞臨界結(jié)構(gòu)被定位和看到(用SEM)，依賴(lài)于錯(cuò)誤的FSS形貌，這種有問(wèn)題的結(jié)構(gòu)可以被追溯到引起此問(wèn)題的制造過(guò)程。光刻問(wèn)題有與RIE問(wèn)題和OPC問(wèn)題不同的信號(hào)。
在步驟148和150中，設(shè)計(jì)光刻修正行動(dòng)方案以修正與包括如光學(xué)近似修正(OPC)、光致抗蝕劑系統(tǒng)、光學(xué)系統(tǒng)的光刻相關(guān)的亞臨界線(xiàn)寬問(wèn)題。OPC是用于增加或減少光刻掩模中的額外元件以使元件印制為希望的形狀。這里，光學(xué)系統(tǒng)指光刻工具自身，如果該工具印制亞臨界線(xiàn)寬元件，光刻工具的變化可能是必須的。
在步驟152和154中，設(shè)計(jì)行動(dòng)方案以處理與過(guò)程或光刻無(wú)關(guān)的亞臨界線(xiàn)寬結(jié)果。
參照?qǐng)D4，其是經(jīng)歷噴霧凈化的獨(dú)立式結(jié)構(gòu)160、162、170、172的掃描電鏡檢測(cè)的圖示。這些示例性的結(jié)構(gòu)獨(dú)立地位于作為晶片或芯片40上表面結(jié)構(gòu)的PC元件164、166、174和176上。結(jié)構(gòu)160已經(jīng)在168處破壞。結(jié)構(gòu)170已經(jīng)破壞，部分178移動(dòng)以與結(jié)構(gòu)172形成接觸。
參照?qǐng)D5，PLY圖的圖示顯示了檢測(cè)已經(jīng)經(jīng)歷噴霧凈化的芯片180的結(jié)果。黑色方框184代表構(gòu)件中的損壞(即損壞的FSS42)，白色方框182代表沒(méi)有損壞。在此例中，欄186包含帶有最短PC線(xiàn)寬的結(jié)構(gòu)和被噴霧凈化破壞的最高密度的結(jié)構(gòu)；欄188包含帶有最長(zhǎng)的PC線(xiàn)寬的結(jié)構(gòu)和被噴霧凈化破壞(打翻、蒸發(fā)或移動(dòng))的最低密度的結(jié)構(gòu)；欄190、192包含中間線(xiàn)寬和破壞密度的結(jié)構(gòu)。
圖4中各斷開(kāi)的線(xiàn)160、170代表PLY圖180中的缺陷指示器184。
參照?qǐng)D6，繪制四個(gè)示例性的電結(jié)構(gòu)相對(duì)于成品率和觀(guān)測(cè)數(shù)的觀(guān)測(cè)圖。結(jié)果以微米顯示的代表最小線(xiàn)寬的單位桶表示。折線(xiàn)代表成品率，條表示觀(guān)測(cè)數(shù)。通過(guò)在制造過(guò)程中不同點(diǎn)處的觀(guān)測(cè)有秩序地測(cè)量這些試驗(yàn)結(jié)構(gòu)42。此圖表顯示了線(xiàn)寬越長(zhǎng)，成品率越高，也顯示了隨噴霧過(guò)程的調(diào)整(如壓力、流速)，30nm以下的多晶硅線(xiàn)的獨(dú)立式結(jié)構(gòu)可以被破壞。圖6僅基于電學(xué)數(shù)據(jù)。沒(méi)有進(jìn)行根本原因分析如物理失效分析不能確定根本原因(步驟144-154)。圖6代表電路上確定已經(jīng)調(diào)整了噴霧過(guò)程(112)。
本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是提供了一種用于其中獨(dú)立式結(jié)構(gòu)未能保持結(jié)構(gòu)完整性的識(shí)別晶片或芯片上特定區(qū)域的系統(tǒng)和方法。
可以理解，盡管這里為了圖解的目的描述了本發(fā)明的特定實(shí)施例，可以進(jìn)行各種改變而沒(méi)有脫離本發(fā)明的精神和保護(hù)范圍。特定地，位于本發(fā)明的保護(hù)范圍的還有，提供用于存儲(chǔ)可機(jī)讀的信號(hào)、用于根據(jù)本發(fā)明的方法和/或根據(jù)本發(fā)明的系統(tǒng)構(gòu)造其組成部分來(lái)控制計(jì)算機(jī)的操作的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品或程序單元，或程序存儲(chǔ)或記憶設(shè)備，如固體或流體傳送介質(zhì)、磁或光纖、磁帶或磁盤(pán)、或類(lèi)似物。
進(jìn)一步，可以在任何通用的計(jì)算機(jī)上執(zhí)行本發(fā)明的各個(gè)步驟，如標(biāo)識(shí)為z系列、I系列、x系列和p系列的IBM系統(tǒng)或類(lèi)似物和按照一種或多種，或一種或多種的一部分，程序單元、任何程序語(yǔ)言如C++、Java、P1/1、Fortran或其它產(chǎn)生的模塊或?qū)ο?。更進(jìn)一步，可以通過(guò)特殊的目標(biāo)硬件或?yàn)榇四康脑O(shè)計(jì)的電路模塊執(zhí)行各個(gè)所述的步驟，或執(zhí)行各所述步驟的文件或?qū)ο蠡蝾?lèi)似物。
因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍僅僅受到下面的權(quán)利要求書(shū)和它們的等同物的限制。
權(quán)利要求
1.一種用于測(cè)定半導(dǎo)體制造過(guò)程中建立的獨(dú)立式結(jié)構(gòu)的最小線(xiàn)寬的方法，包括在半導(dǎo)體器件中創(chuàng)建獨(dú)立式結(jié)構(gòu)；針對(duì)所述獨(dú)立式結(jié)構(gòu)的臨界線(xiàn)寬調(diào)整和找準(zhǔn)噴霧過(guò)程；使所述的器件經(jīng)歷所述的噴霧過(guò)程；和響應(yīng)于亞臨界線(xiàn)寬的獨(dú)立式結(jié)構(gòu)的破壞，選擇性地調(diào)整所述半導(dǎo)體制造過(guò)程。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中進(jìn)一步包括在所述的半導(dǎo)體制造過(guò)程中在多個(gè)步驟中創(chuàng)建和檢測(cè)所述獨(dú)立式結(jié)構(gòu)。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述的半導(dǎo)體制造過(guò)程包括處理和光刻步驟。
4.一種用于評(píng)估半導(dǎo)體制造過(guò)程的方法，包括使用所述的半導(dǎo)體過(guò)程創(chuàng)建獨(dú)立式結(jié)構(gòu)；使第一獨(dú)立式結(jié)構(gòu)經(jīng)受?chē)婌F過(guò)程；響應(yīng)于亞臨界線(xiàn)寬的獨(dú)立式結(jié)構(gòu)的破壞，調(diào)整所述的噴霧過(guò)程以提高噴霧壓力；響應(yīng)于大于臨界線(xiàn)寬的獨(dú)立式結(jié)構(gòu)的破壞，調(diào)整所述的噴霧過(guò)程以降低噴霧壓力；和找準(zhǔn)所述針對(duì)臨界線(xiàn)寬的噴霧過(guò)程。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，所述的噴霧包括氬氣和氮?dú)狻?br> 6.如權(quán)利要求5所述的方法，所述的調(diào)整包括通過(guò)控制總氣流、氬氣與氮?dú)獾谋壤?、氣溫和室壓選擇性地增加或降低噴霧壓力。
7.如權(quán)利要求4所述的方法，進(jìn)一步包括在所述的半導(dǎo)體制造過(guò)程的多個(gè)階段建立和評(píng)估所述的獨(dú)立式結(jié)構(gòu)。
8.一種用于評(píng)估半導(dǎo)體制造過(guò)程的裝置，包括用于建立獨(dú)立式結(jié)構(gòu)的裝置；用于使所述的獨(dú)立式結(jié)構(gòu)經(jīng)歷噴霧過(guò)程的裝置；響應(yīng)于亞臨界線(xiàn)寬的第一獨(dú)立式結(jié)構(gòu)的破壞，調(diào)整所述噴霧過(guò)程以增加噴霧壓力的裝置；響應(yīng)于大于亞臨界線(xiàn)寬的第二獨(dú)立式結(jié)構(gòu)的破壞，調(diào)整所述噴霧過(guò)程以降低噴霧壓力的裝置；找準(zhǔn)所述針對(duì)臨界線(xiàn)寬的噴霧壓力的裝置；響應(yīng)于亞臨界線(xiàn)寬的第二獨(dú)立式結(jié)構(gòu)由于已找準(zhǔn)和調(diào)整的噴霧過(guò)程而產(chǎn)生的破壞，識(shí)別所述破壞與該過(guò)程相關(guān)、與光刻相關(guān)的或與其它的過(guò)程相關(guān)的裝置；
9.如權(quán)利要求8所述的裝置，所述的噴霧包括氬氣和氮?dú)狻?br> 10.如權(quán)利要求9所述的裝置，進(jìn)一步包括通過(guò)選擇性地控制總氣流、氬氣與氮?dú)獗壤鉁睾褪覊?，選擇性地調(diào)整以便增加或降低噴霧壓力的所述裝置。
全文摘要
用于測(cè)定半導(dǎo)體(S/C)制造過(guò)程所建立的獨(dú)立式結(jié)構(gòu)的最小線(xiàn)寬的裝置和方法。在半導(dǎo)體器件中建立獨(dú)立式結(jié)構(gòu)并使其經(jīng)歷相對(duì)于獨(dú)立式結(jié)構(gòu)的臨界線(xiàn)寬被調(diào)整和找準(zhǔn)的噴霧過(guò)程。響應(yīng)亞臨界線(xiàn)寬的獨(dú)立式結(jié)構(gòu)的破壞，調(diào)整此S/C制造過(guò)程。
文檔編號(hào)H01L21/66GK1790658SQ20051011868
公開(kāi)日2006年6月21日 申請(qǐng)日期2005年11月4日 優(yōu)先權(quán)日2004年11月5日
發(fā)明者斯蒂芬·M.·魯卡里尼, 卡爾·W.·巴斯, 斯蒂芬·K.·洛 申請(qǐng)人:國(guó)際商業(yè)機(jī)器公司