專利名稱：有機(jī)薄膜晶體管陣列面板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管陣列面板及其制造方法，且特別地涉及一種有機(jī)薄膜晶體管陣列面板及其制造方法。
背景技術(shù)：
包括有機(jī)半導(dǎo)體的電場(chǎng)效應(yīng)晶體管已經(jīng)積極地作為用于下一代顯示裝置的驅(qū)動(dòng)器件來研究。有機(jī)半導(dǎo)體可以分為諸如低聚噻吩、并五苯、苯二甲藍(lán)染料、以及C6O的低分子化合物；以及諸如聚噻吩和聚噻吩乙烯(polythienylenevinylene)的高分子化合物。低分子化合物半導(dǎo)體具有范圍在約0.05至1.5msV的高遷移率和出色的開/關(guān)電流比。
然而，就為了避免由有機(jī)溶劑導(dǎo)致的溶劑致平面內(nèi)膨脹而需要通過使用圓點(diǎn)掩模(shadow mask)和真空沉積形成低分子半導(dǎo)體圖案而言，用于制造包括低分子半導(dǎo)體化合物的有機(jī)薄膜晶體管(TFT)的傳統(tǒng)工藝非常復(fù)雜。
另外，有機(jī)半導(dǎo)體易于通過后續(xù)工藝步驟而改變其特性或受損，由此降低了有機(jī)TFT的特性。
因此，有機(jī)半導(dǎo)體不得不在形成用于向有機(jī)TFT傳輸信號(hào)的信號(hào)線之后形成。
信號(hào)線的材料要考慮與有機(jī)半導(dǎo)體的接觸來確定。這種材料的示例包括金(Au)、鉬(Mo)、鎳(Ni)及其合金。盡管金具有低電阻率且表現(xiàn)出與有機(jī)半導(dǎo)體的穩(wěn)定接觸，但其與絕緣體的接觸特性差。另外，盡管Mo和Ni具有較大功函數(shù)，其易于在其表面形成氧化物，這降低了TFT的電流特性。
目前，提出將氧化銦錫(ITO)作為用于有機(jī)TFT的信號(hào)線的材料，其沒有表面氧化且表現(xiàn)出與有機(jī)半導(dǎo)體良好的接觸。
然而，ITO與絕緣體接觸差，特別是與有機(jī)絕緣體，因此尤其在大型顯示裝置中難以采用ITO信號(hào)線。

發(fā)明內(nèi)容
提供一種制造薄膜晶體管陣列面板的方法，該方法包括在基板上形成柵極線；在柵極線上形成柵絕緣層；在約20至35℃的溫度沉積ITO層；蝕刻ITO層從而在柵絕緣層上形成數(shù)據(jù)線和漏極電極；以及在數(shù)據(jù)線、漏極電極、以及柵絕緣層上形成有機(jī)半導(dǎo)體。
沉積ITO層可以包括在20至35℃的溫度濺鍍ITO層從而形成濺鍍的ITO層。
濺鍍的ITO層可以包括非晶ITO層且可以具有基本均勻的薄膜質(zhì)量。
柵絕緣層可以包括有機(jī)絕緣體。
該方法還可以包括退火數(shù)據(jù)線和漏極電極。退火可以在高于約180℃的溫度執(zhí)行1至3個(gè)小時(shí)。退火后的數(shù)據(jù)線和退火后的漏極電極可以包括準(zhǔn)晶體(quasi-crystalline)ITO。
蝕刻ITO層可以包括優(yōu)選以Cr蝕刻劑濕法蝕刻ITO層，該Cr蝕刻劑可以包括HNO3、(NH4)2Ce(NO3)6、以及H2O。蝕刻劑中HNO3、(NH4)2Ce(NO3)6、以及H2O的比例分別可以等于約3-6w％、約8-14w％、以及約80-90w％的重量百分比。
該方法還可以包括在有機(jī)半導(dǎo)體、數(shù)據(jù)線、以及漏極電極上形成鈍化層，鈍化層具有暴露至少部分漏極電極的接觸孔；以及在鈍化層上形成像素電極，像素電極通過接觸孔連接于漏極電極。
提供一種薄膜晶體管陣列面板，其包括形成在基板上的柵極線；形成在柵極線上的有機(jī)絕緣層；形成在有機(jī)絕緣層上并包括ITO層的數(shù)據(jù)線和漏極電極；形成在數(shù)據(jù)線、漏極電極、以及有機(jī)絕緣層上的有機(jī)半導(dǎo)體；形成在有機(jī)半導(dǎo)體上的鈍化層；以及連接于漏極電極的像素電極。
ITO層可以處于從ITO層的底至頂基本均勻分布的準(zhǔn)晶體相。
ITO層可以具有傾斜的邊緣輪廓。
有機(jī)半導(dǎo)體可以包括并五苯(pentacene)。


通過參照附圖詳細(xì)介紹本發(fā)明的實(shí)施例將使本發(fā)明變得更加明顯易懂，附圖中圖1為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于LCD的TFT陣列面板的布局圖；圖2為沿線II-II’截取的圖1所示的TFT陣列面板的截面圖；
圖3、5、8、10和12為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的制造方法的中間步驟中圖1和2所示TFT陣列面板的布局圖；圖4為沿線IV-IV’截取的圖3所示的TFT陣列面板的截面圖；圖6為沿線VI-VI’截取的圖5所示的TFT陣列面板的截面圖；圖7為示出使用Cr蝕刻劑蝕刻ITO層之后各層截面的照片；圖9為沿線IX-IX’截取的圖8所示的TFT陣列面板的截面圖；圖11為沿線XI-XI’截取的圖10所示的TFT陣列面板的截面圖；以及圖13為沿線XIII-XIII’截取的圖12所示的TFT陣列面板的截面圖。
具體實(shí)施例方式
以下，將參照附圖更加全面地介紹本發(fā)明，附圖中示出了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。然而，本發(fā)明可以通過多種不同形式實(shí)施且不應(yīng)限制于在此提出的實(shí)施例。
附圖中，為清晰起見放大了層的厚度和區(qū)域。相同的附圖標(biāo)記始終表示相同的元件。應(yīng)理解，在稱諸如層、區(qū)域或基板的元件在另一元件“上”時(shí)，其可以直接在該另一元件上或存在中間的元件。相反，在稱一元件“直接”在另一元件“上”時(shí)，則沒有中間的元件存在。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的TFT陣列面板將參照?qǐng)D1和2介紹。
圖1為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于LCD的TFT陣列面板的布局圖，而圖2為沿線II-II’截取的圖1所示的TFT陣列面板的截面圖。
在諸如透明玻璃、硅樹脂或塑料的絕緣基板110上形成多根柵極線121。
柵極線121傳輸柵極信號(hào)并基本沿橫向方向延伸。每根柵極線121包括向上突出的多個(gè)柵極電極124和用于與另一層或外部驅(qū)動(dòng)電路接觸的具有大的面積的端部129。用于產(chǎn)生柵極信號(hào)的柵極驅(qū)動(dòng)電路(未示出)可以安裝在可連接到基板110的柔性印刷電路(FPC)膜上、直接安裝在基板110上、或者集成在基板110上。柵極線121可以延伸而與集成在基板110上的驅(qū)動(dòng)電路連接。
柵極線121優(yōu)選由諸如Al和Al合金的含Al金屬、諸如Ag和Ag合金的含Ag金屬、諸如Au和Au合金的含Au金屬、諸如Cu和Cu合金的含Cu金屬、諸如Mo和Mo合金的含Mo金屬、Cr、Ti或Ta形成。然而，其可以具有包括物理特性不同的兩導(dǎo)電膜(未示出)的多層結(jié)構(gòu)。兩膜中之一優(yōu)選由包括含Al金屬、含Ag金屬、以及含Cu金屬的低電阻率金屬制成，用以降低信號(hào)延遲或電壓降。另一膜優(yōu)選由諸如含Mo金屬、Cr、Ta或Ti的材料制成，其具有與諸如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)的其它材料良好的物理、化學(xué)和電接觸特性。兩膜的較好組合示例為下Cr膜和上Al(合金)膜、以及下Al(合金)膜和上Mo(合金)膜。然而，柵極線121可以由各種材料或?qū)w制成。
柵極線121的側(cè)面相對(duì)于基板表面傾斜，且其傾斜角度范圍為約30至80度。
柵絕緣層140形成在柵極線121上。柵絕緣層140優(yōu)選由無機(jī)絕緣體或有機(jī)絕緣體制成。無機(jī)絕緣體的示例包括可具有用十八烷基三氯硅烷(OTS)處理過的表面的氮化硅(SiNx)和二氧化硅(SiO2)。有機(jī)絕緣體的示例包括馬來酰亞胺苯乙烯(maleimide styrene)、聚乙烯基苯酚(polyvinylphenolPVP)、以及改性氰乙基普魯蘭(cyanoethyl pullulan)(m-CEP)。優(yōu)選柵絕緣層140具有與有機(jī)半導(dǎo)體良好的接觸特性和較小的粗糙度。
多根數(shù)據(jù)線171和多個(gè)漏極電極175形成在柵絕緣層140上。
數(shù)據(jù)線171傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)并基本沿縱向方向延伸從而與柵極線121交叉。每根數(shù)據(jù)線171包括朝向柵極電極124突出的多個(gè)源極電極173和具有用于與另一層或外部驅(qū)動(dòng)電路接觸的的的面積的端部179。用于產(chǎn)生數(shù)據(jù)信號(hào)的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路(未示出)可以安裝在可連接到基板110的柔性印刷電路(FPC)膜上、直接安裝在基板110上、或者集成在基板110上。數(shù)據(jù)線171可以延伸到與集成在基板110上的驅(qū)動(dòng)電路連接。
漏極電極175與數(shù)據(jù)線171分開并且關(guān)于柵極電極124與源極電極175相對(duì)設(shè)置。
數(shù)據(jù)線171和漏極電極175優(yōu)選由與柵絕緣層140和有機(jī)半導(dǎo)體具有良好的物理、化學(xué)和電接觸特性的材料制成。在一個(gè)實(shí)施例中，數(shù)據(jù)線171和漏極電極175由包括ITO在內(nèi)的材料制成。用于數(shù)據(jù)線171和漏極電極175的ITO具有較高的功函數(shù)并且可以是準(zhǔn)晶體，特別是在與柵絕緣層140的界面處，從而提供與有機(jī)柵絕緣層140良好的接觸特性。
數(shù)據(jù)線171和漏極電極175具有平滑的傾斜邊緣輪廓。
多個(gè)有機(jī)半導(dǎo)體島154形成在源極電極173、漏極電極175和柵絕緣層140上。
有機(jī)半導(dǎo)體島154完全覆蓋柵極電極124，使得柵極電極124的邊緣與有機(jī)半導(dǎo)體島154交疊。
有機(jī)半導(dǎo)體島154可以包括高分子化合物或能夠溶于水溶液(aqueoussolution)或有機(jī)溶劑的低分子化合物，在此情況下，該有機(jī)半導(dǎo)體島154可以通過印刷形成。
有機(jī)半導(dǎo)體島154可以由具有取代基的并四苯或并五苯形成或由其衍生物形成?；蛘?，有機(jī)半導(dǎo)體島154可以由低聚噻吩制成，該低聚噻吩包括連接在噻吩環(huán)的2、5位的四個(gè)至八個(gè)噻吩。
有機(jī)半導(dǎo)體島154可以由二萘嵌苯四羧酸二酐(perylenetetracarboxylicdianhydridePTCDA)、萘四羧酸二酐(naphthalenetetracarboxylic dianhydrideNTCDA)、或其酰亞胺衍生物。
有機(jī)半導(dǎo)體島154可以由金屬化的酞菁染料或其鹵代衍生物制成。金屬化的酞菁染料可以包括Cu、Co、Zn等。
有機(jī)半導(dǎo)體島154可以由噻吩烯基(thienylene)和亞乙烯基(vinylene)的共低聚物或共聚物制成。另外，有機(jī)半導(dǎo)體島154可以由區(qū)域規(guī)則性的聚噻吩制成。
有機(jī)半導(dǎo)體島154可以由二萘嵌苯、六苯并苯、及其具有取代基的衍生物制成。
有機(jī)半導(dǎo)體島154可以由具有至少一個(gè)含1至30個(gè)碳原子的烴鏈的上述衍生物的芳香或芳香雜環(huán)的衍生物制成。
柵極電極124、源極電極173、以及漏極電極175連同有機(jī)半導(dǎo)體島154形成了具有形成在有機(jī)半導(dǎo)體島154中的溝道的有機(jī)TFT，該溝道設(shè)置于源極電極173與漏極電極175之間。設(shè)置在柵極電極124與有機(jī)半導(dǎo)體島154之間的柵絕緣層140可以由與有機(jī)半導(dǎo)體島154具有良好接觸特性并在TFT中產(chǎn)生最小漏電流的材料制成。
多個(gè)保護(hù)部件164形成在半導(dǎo)體島154上。保護(hù)部件164優(yōu)選由可以干法處理并在低溫下沉積的絕緣材料制成。這種材料的示例為可以在室溫或低溫下形成的聚對(duì)二甲苯。保護(hù)部件164保護(hù)有機(jī)半導(dǎo)體島154在制造工藝中免受損傷。保護(hù)部件164基本完全覆蓋有機(jī)半導(dǎo)體島154，使得有機(jī)半導(dǎo)體島154的邊緣由保護(hù)部件164覆蓋。保護(hù)部件164可以省略。
鈍化層180形成在數(shù)據(jù)線171、漏極電極175、以及保護(hù)部件164上。鈍化層180優(yōu)選由諸如氮化硅或氧化硅的無機(jī)絕緣體、有機(jī)絕緣體或低介電絕緣體制成。有機(jī)絕緣體和低介電絕緣體優(yōu)選具有小于約4.0的介電常數(shù)，并且低介電絕緣體包括通過等離子體增強(qiáng)化學(xué)汽相沉積(PECVD)形成的a-Si:C:O和a-Si:O:F。用于鈍化層180的有機(jī)絕緣體可以具有感光性，且鈍化層180可以具有平坦的表面。
鈍化層180具有多個(gè)接觸孔182和185，分別暴露出數(shù)據(jù)線171的端部179和漏極電極175。鈍化層180和柵絕緣層140具有多個(gè)暴露柵極線121端部129的接觸孔181。
多個(gè)像素電極190和多個(gè)接觸輔助部分81和82形成在鈍化層180上。其優(yōu)選由諸如ITO或IZO的透明導(dǎo)體或諸如Ag或Al的反射導(dǎo)體制成。
像素電極190通過接觸孔185物理和電地連接于漏極電極175，使得像素電極190接收來自漏極電極175的數(shù)據(jù)電壓。供給有數(shù)據(jù)電壓的像素電極190與供給有公共電壓的相對(duì)的顯示面板(未示出)的公共電極(未示出)配合產(chǎn)生電場(chǎng)，這確定了設(shè)置在兩個(gè)電極之間的液晶層(未示出)的液晶分子(未示出)的取向。像素電極190和公共電極形成了稱作“液晶電容器”電容器，其在TFT關(guān)閉后存儲(chǔ)所施加的電壓。
像素電極190與柵極線121和數(shù)據(jù)線171交疊從而提高開口率(apertureratio)。
接觸輔助部分81和82分別經(jīng)接觸孔181和182連接于柵極線121的端部129和數(shù)據(jù)線171的端部179。接觸輔助部分81和82保護(hù)端部129和179并增強(qiáng)端部129與179和外部期間之間的附著。
現(xiàn)在，將參照?qǐng)D3至13以及圖1和2詳細(xì)介紹制造根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖1和2所示的有機(jī)TFT陣列面板的方法。
圖3、5、8、10和12為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的制造方法的中間步驟中圖1和2所示TFT陣列面板的布局圖。圖4為沿線IV-IV’截取的圖3所示的TFT陣列面板的截面圖，圖6為沿線VI-VI’截取的圖5所示的TFT陣列面板的截面圖，圖9為沿線IX-IX’截取的圖8所示的TFT陣列面板的截面圖，圖11為沿線XI-XI’截取的圖10所示的TFT陣列面板的截面圖，而圖13為沿線XIII-XIII’截取的圖12所示的TFT陣列面板的截面圖。圖7為示出使用Cr蝕刻劑蝕刻ITO層之后各層截面的照片。
參照?qǐng)D3和4，在優(yōu)選由透明玻璃、硅樹脂或塑料制成的絕緣基板110上形成包括柵極電極124和端部129的多根柵極線121。
參照?qǐng)D5和6，通過CVD等沉積柵絕緣層140。柵絕緣層140具有約500至3000的厚度且其在OTS中浸。
其后，通過濺鍍等在柵絕緣層上沉積優(yōu)選由ITO制成的導(dǎo)電層。濺鍍?cè)诜秶s20至35℃的室溫進(jìn)行，使得濺鍍的ITO層為非晶相且從底到頂具有均勻的薄膜質(zhì)量。
接著，隨后通過光刻和濕法蝕刻構(gòu)圖導(dǎo)電層從而形成包括源極電極173和端部179的多根數(shù)據(jù)線171和多個(gè)漏極電極175。用于濕法蝕刻的蝕刻劑的示例包括用于蝕刻Cr的含HNO3、(NH4)2Ce(NO3)6、以及H2O的Cr蝕刻劑。HNO3、(NH4)2Ce(NO3)6、以及H2O的比例優(yōu)選分別等于約3-6w％、約8-14w％、以及約80-90w％的重量百分比。
由于薄膜質(zhì)量均勻，蝕刻劑均勻地蝕刻導(dǎo)電層，由此防止由非均勻蝕刻導(dǎo)致的導(dǎo)電層損失。
相反，在濺鍍溫度高于約100℃時(shí)，濺鍍的ITO在與柵絕緣層140的界面附近包括下部非晶部分和剩余的準(zhǔn)晶體部分。在此情況下，密度比準(zhǔn)晶體上部部分低的非晶下部部分可以比準(zhǔn)晶體上部部分蝕刻得更多，使得部分的ITO層被出于無意地去除。
用于蝕刻非晶ITO的Cr蝕刻劑的使用可以降低對(duì)可以是有機(jī)物的柵絕緣層140的損傷。相反，準(zhǔn)晶體ITO可能需要含鹽酸的蝕刻劑，其可能損傷柵絕緣層140。
圖7示出了在通過Cr蝕刻劑蝕刻后ITO層的截面，其示出ITO層沒有損失部分。ITO層示出被良好構(gòu)圖而具有平滑的邊緣輪廓。
接著，退火數(shù)據(jù)線171和漏極電極175成為準(zhǔn)晶體。退火優(yōu)選在比約180℃高的溫度進(jìn)行約1至3個(gè)小時(shí)。
參照?qǐng)D8和9，通過分子束沉積、氣相沉積、真空升華、CVD、PECVD、反應(yīng)沉積、濺鍍、旋涂等沉積優(yōu)選由并五苯制成的有機(jī)半導(dǎo)體層，并通過光刻和蝕刻構(gòu)圖從而形成多個(gè)有機(jī)半導(dǎo)體島154。
參照?qǐng)D10和11，絕緣層在低溫或室溫干法沉積在有機(jī)半導(dǎo)體島154上。絕緣層可以由聚對(duì)二甲苯制成。絕緣層的低溫干法沉積防止有機(jī)半導(dǎo)體島154受損。絕緣層經(jīng)過光刻和干法蝕刻從而形成多個(gè)保護(hù)部件164。保護(hù)部件164完全覆蓋有機(jī)半導(dǎo)體島154。
參照12和13，鈍化層180隨著柵絕緣層140沉積和構(gòu)圖，從而形成分別暴露柵極線121端部129、數(shù)據(jù)線171端部179、以及部分漏極電極175的多個(gè)接觸孔181、182和185。由于有機(jī)半導(dǎo)體島154完全由保護(hù)部件164覆蓋，有機(jī)半導(dǎo)體島154不受鈍化層180形成的影響。
最后，在鈍化層180上形成多個(gè)像素電極190和多個(gè)接觸輔助部分81和82，如圖1和2所示。此時(shí)，有機(jī)半導(dǎo)體島154將不受像素電極190和接觸輔助部分81和82形成的影響，因?yàn)橛袡C(jī)半導(dǎo)體島154未暴露。
如上所述，由于ITO層沉積為具有均勻的薄膜質(zhì)量，其均勻地蝕刻而防止ITO層損失。另外，由于ITO層以非晶相沉積，其可以通過不會(huì)損害ITO層下的有機(jī)層的Cr蝕刻劑蝕刻。
本發(fā)明可以應(yīng)用于包括LCD和OLED顯示器的任何顯示裝置。
盡管已經(jīng)在上面詳細(xì)介紹了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，應(yīng)可以清楚了解，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不脫離由所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明的實(shí)質(zhì)和范圍內(nèi)基于此處教導(dǎo)的本發(fā)明的概念進(jìn)行各種改變和/或調(diào)整。
權(quán)利要求
1.一種制造薄膜晶體管陣列面板的方法，該方法包括在基板上形成柵極線；在柵極線上形成柵絕緣層；在約20至35℃的溫度沉積ITO層；蝕刻ITO層從而在柵絕緣層上形成數(shù)據(jù)線和漏極電極；以及在數(shù)據(jù)線、漏極電極、以及柵絕緣層上形成有機(jī)半導(dǎo)體。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中沉積ITO層包括在約20至35℃的溫度濺鍍所述ITO層從而形成濺鍍的ITO層。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中所述濺鍍的ITO層包括非晶ITO層。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其中所述濺鍍的ITO層具有基本均勻的薄膜質(zhì)量。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中柵絕緣層包括有機(jī)絕緣體。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括退火所述數(shù)據(jù)線和所述漏極電極。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中退火在高于約180℃的溫度進(jìn)行。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中退火進(jìn)行約1至3個(gè)小時(shí)。
9.如權(quán)利要求6所述的方法，其中所述退火后的數(shù)據(jù)線和所述退火后的漏極電極包括準(zhǔn)晶體ITO。
10.如權(quán)利要求1所述的方法，其中蝕刻ITO層包括以蝕刻劑濕法蝕刻ITO層。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中該蝕刻劑包括Cr蝕刻劑。
12.如權(quán)利要求10所述的方法，其中該蝕刻劑含有HNO3、(NH4)2Ge(NO3)6、以及H2O。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中蝕刻劑中HNO3、(NH4)2Ce(NO3)6、以及H2O的比例分別等于約3-6w％、約8-14w％、以及約80-90w％的重量百分比。
14.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括在有機(jī)半導(dǎo)體、數(shù)據(jù)線、以及漏極電極上形成鈍化層，該鈍化層具有暴露至少部分漏極電極的接觸孔；以及在該鈍化層上形成像素電極，該像素電極通過所述接觸孔連接于所述漏極電極。
15.一種薄膜晶體管陣列面板，包括形成在基板上的柵極線；形成在柵極線上的有機(jī)絕緣層；形成在有機(jī)絕緣層上并包括ITO層的數(shù)據(jù)線和漏極電極；形成在數(shù)據(jù)線、漏極電極、以及有機(jī)絕緣層上的有機(jī)半導(dǎo)體；形成在有機(jī)半導(dǎo)體上的鈍化層；以及連接于漏極電極的像素電極。
16.如權(quán)利要求15所述的薄膜晶體管陣列面板，其中ITO層為準(zhǔn)晶體相。
17.如權(quán)利要求16所述的薄膜晶體管陣列面板，其中ITO層的準(zhǔn)晶體相從ITO層的底至頂基本均勻分布。
18.如權(quán)利要求15所述的薄膜晶體管陣列面板，其中ITO層具有傾斜的邊緣輪廓。
19.如權(quán)利要求15所述的薄膜晶體管陣列面板，其中該有機(jī)半導(dǎo)體包括并五苯。
全文摘要
本發(fā)明提供一種制造薄膜晶體管陣列面板的方法，該方法包括在基板上形成柵極線；在柵極線上形成柵絕緣層；在約20至35℃的溫度沉積ITO層；蝕刻ITO層從而在柵絕緣層上形成數(shù)據(jù)線和漏極電極；以及在數(shù)據(jù)線、漏極電極、以及柵絕緣層上形成有機(jī)半導(dǎo)體。
文檔編號(hào)H01L27/28GK1790681SQ20051012473
公開日2006年6月21日 申請(qǐng)日期2005年11月16日 優(yōu)先權(quán)日2004年11月16日
發(fā)明者柳旻成, 徐宗鉉, 洪雯杓 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社