專(zhuān)利名稱(chēng)：移除柵極上的金屬硅化物層的方法及蝕刻方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件工藝，尤其涉及半導(dǎo)體器件工藝中對(duì)于自對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物層的蝕刻移除。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體器件的尺寸較數(shù)十年前劇烈減少。目前，制造商已能夠制造具有0.35μm、90nm、甚至65nm或更小的線(xiàn)寬的半導(dǎo)體器件。隨著尺寸縮小，半導(dǎo)體制造方法也往往需要改進(jìn)。
隨著MOS器件更快速的要求，既有的使用多晶硅作為柵極的方法，引起許多問(wèn)題，例如，高的柵極阻抗、多晶硅的耗竭(depletion of polysilicon)、及硼穿透至溝道區(qū)域。因此，一種包括金屬柵極/高介電柵極介電層的方法被提出以減少多晶硅耗竭效應(yīng)，并且亦能提供較低的熱預(yù)算，但是其具有缺點(diǎn)。
圖1至5為已知的制造方法制造具有金屬柵極的MOS晶體管10的制造過(guò)程的剖面圖。請(qǐng)參閱圖1，多晶硅柵極12形成于半導(dǎo)體襯底上，半導(dǎo)體襯底包括有硅層16，及淺結(jié)源極延伸17與淺結(jié)漏極延伸19形成于柵極12兩側(cè)的硅層16中，并以溝道22區(qū)隔。然后，于多晶硅柵極12的兩側(cè)壁上形成間隙壁32，及于多晶硅柵極12的硅層16中形成源極/漏極區(qū)18及20，且與淺結(jié)源極延伸17與淺結(jié)漏極延伸19鄰接。柵極12與溝道22之間有柵極介電層14予以分隔。在間隙壁32與柵極12的側(cè)壁之間可設(shè)置襯墊層30，其通常為二氧化硅所構(gòu)成。半導(dǎo)體NMOS晶體管元件10的裸露硅表面，包括漏極/源極區(qū)18/20表面及多晶硅柵極12頂部，則形成自對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物層42。之后，形成一氮化硅蓋層46覆蓋整個(gè)半導(dǎo)體區(qū)域，包括源極/漏極區(qū)18與20及淺結(jié)源極延伸17與淺結(jié)漏極延伸19，多晶硅柵極12也被覆蓋。在沉積氮化硅蓋層46之后，接著沉積介電層48，氮化硅蓋層46厚度通常在約300至約1000埃(angstrom)之間，可藉由等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)而形成。
其次，請(qǐng)參閱圖2，藉由CMP工藝對(duì)氮化硅蓋層46及介電層48拋光，直到多晶硅柵極12頂部露出。對(duì)柵極12進(jìn)行過(guò)度拋光，如此，多晶硅柵極12頂部可完全露出。
接著，請(qǐng)參閱圖3，使用氯進(jìn)行等離子體反應(yīng)性離子蝕刻(RIE)或是進(jìn)行現(xiàn)有的應(yīng)用蝕刻化學(xué)的濕式多晶硅蝕刻，以形成開(kāi)口(即，凹槽)54。請(qǐng)參閱圖4，可使障壁金屬層56形成于凹槽54的側(cè)壁上及介電層48、氮化硅蓋層46、間隙壁32、及襯墊層30的表面，然后，沉積一金屬層58以填滿(mǎn)凹槽并沉積至障壁金屬層56上。最后，請(qǐng)參閱圖5，將多余的金屬層58拋光而移除，留下柵極的部分，形成具有金屬柵極的MOS晶體管10。
上述制造方法包括金屬柵極置換工藝的整合流程，此整合流程包括下列于晶體管建造之后進(jìn)行層間介電層的化學(xué)機(jī)械拋光(ILD CMP)，金屬硅化物層與多晶硅插塞(plug)的移除，金屬層的沉積，以及金屬層CMP。然而，藉由CMP工藝移除金屬硅化物層具有困難性。
完全硅化多晶硅柵極(fully silicided polysilicon gate，F(xiàn)USI gate)因?yàn)檎瞎に嚿系南鄬?duì)簡(jiǎn)單，而成為金屬柵極外的另一選擇。請(qǐng)參閱圖2，藉由CMP工藝拋光柵極12上方的介電層48及氮化硅蓋層46，直到露出多晶硅柵極12的頂部為止。然后，請(qǐng)參閱圖6，于多晶硅柵極12的暴露部分、氮化硅蓋層46、間隙壁32、襯墊層30、及介電層48上沉積一金屬層50。金屬層50厚度通常小于約100埃，并且在若干例中，可為約500至約1000埃之間。金屬層50也可為多層，例如Ti/TiN、Co/TiN、或Co/Ti/TiN等等。
于具有此金屬層50的襯底上進(jìn)行熱處理以將多晶硅柵極轉(zhuǎn)化成金屬硅化物柵極52?？山逵蓛蓚€(gè)步驟以進(jìn)行熱處理工藝，即，第一個(gè)步驟是于約400至約600℃下進(jìn)行熱處理，第二個(gè)步驟是于約800至約1000℃下進(jìn)行快速熱處理。接著，將未反應(yīng)的殘留金屬移除，獲得如圖7所示的MOS晶體管15，其具有完全硅化柵極。
于上述的FUSI金屬柵極整合工藝制造方法中，經(jīng)由直接的ILD CMP步驟移除NiSi多晶硅化物及接著進(jìn)行多晶硅的完全硅化，以形成NiSi金屬柵極。然而，此方法也存在以CMP工藝移除金屬硅化物層的困難性。直接使用CMP工藝，難以控制拋光NiSi多晶硅化物層，故難獲得良好的均勻移除結(jié)果。
因此，仍需要一種較佳的方法以于半導(dǎo)體工藝中移除金屬硅化物層。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種移除半導(dǎo)體工藝中柵極上的金屬硅化物層的方法，可有效及均勻的移除柵極上金屬硅化物層，以利后續(xù)工藝的進(jìn)行。
于依據(jù)本發(fā)明的一具體實(shí)施例中，亦提供一種濕式蝕刻方法，以有效及均勻的移除金屬硅化物層。
于依據(jù)本發(fā)明的另一具體實(shí)施例中，亦提供一種干式蝕刻方法，以有效及均勻的移除金屬硅化物層。
于本發(fā)明的移除半導(dǎo)體工藝中柵極上的金屬硅化物層的方法中，柵極是位于一半導(dǎo)體襯底上，柵極的上表面覆蓋有一金屬硅化物層，柵極與金屬硅化物層一起形成的各側(cè)壁上設(shè)置有一間隙壁，一層氮化硅蓋層覆蓋金屬硅化物層、間隙壁、及半導(dǎo)體襯底，一介電層覆蓋氮化硅蓋層，本發(fā)明的移除半導(dǎo)體工藝中柵極上的金屬硅化物層的方法包括下列步驟首先，進(jìn)行一化學(xué)機(jī)械拋光工藝，以?huà)伖饨殡妼樱⒁缘枭w層為拋光終止層，而暴露柵極上方的氮化硅蓋層；接著，移除該暴露的氮化硅蓋層以暴露柵極上的金屬硅化物層；最后，進(jìn)行一第一蝕刻工藝以移除柵極上的金屬硅化物層。
依據(jù)本發(fā)明的濕式蝕刻方法，包括使用一蝕刻液對(duì)一金屬硅化物層進(jìn)行濕式蝕刻，蝕刻液包括氟化氫(HF)、氟化銨(NH4F)、選自乙二醇與丙二醇所組成的組中的至少一者、以及水。
依據(jù)本發(fā)明的干式蝕刻方法，包括使用一蝕刻氣體對(duì)一金屬硅化物層進(jìn)行干式蝕刻，蝕刻氣體包括氬氣、選自氫氣與氯氣所組成的組中的至少一者、及一氧化碳。
現(xiàn)有對(duì)金屬硅化物層的移除采用CMP方式，不易對(duì)金屬硅化物層有良好的拋光結(jié)果。應(yīng)用本發(fā)明的方法以移除柵極上的金屬硅化物層時(shí)，因具有良好的蝕刻選擇性，而可獲得有效及均勻的移除，以利后續(xù)工藝，因此可用以制得較佳品質(zhì)的半導(dǎo)體器件。


圖1至5繪示的是現(xiàn)有的制作具有金屬柵極的半導(dǎo)體MOS晶體管元件的方法剖面示意圖；
圖6至7繪示的是現(xiàn)有的制作具有FUSI柵極的半導(dǎo)體MOS晶體管元件的方法剖面示意圖；圖8至17繪示的是本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例制作具有金屬柵極的半導(dǎo)體MOS元件的方法剖面示意圖；圖18至19繪示的是本發(fā)明另一優(yōu)選實(shí)施例制作具有FUSI柵極的半導(dǎo)體MOS元件的方法剖面示意圖。
主要元件符號(hào)說(shuō)明10、15、40、70MOS晶體管12柵極14柵極介電層16硅層17、19淺結(jié)源極延伸18、20源極/漏極區(qū)22溝道30襯墊層32間隙壁42金屬硅化物層46氮化硅蓋層48介電層50金屬層52金屬硅化物柵極54開(kāi)口56障壁金屬層58金屬層60開(kāi)口62障壁層64金屬層66金屬層A厚度
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明是關(guān)于半導(dǎo)體器件工藝，例如NMOS、PMOS晶體管元件或者CMOS元件的制作，特別是其中柵極上的金屬硅化物層的移除方法。
請(qǐng)參閱圖8至17，其顯示的是本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例制作具有金屬柵極的半導(dǎo)體MOS晶體管元件40的方法的剖面示意圖，其中相同的元件或部位仍沿用相同的符號(hào)來(lái)表示。需注意的是附圖僅以說(shuō)明為目的，并未依照原尺寸作圖。
如圖8所示，準(zhǔn)備一半導(dǎo)體襯底，其一般包含有硅層16。前述的半導(dǎo)體襯底可以是硅襯底或者是硅覆絕緣(silicon-on-insulator，SOI)襯底。于半導(dǎo)體襯底上定義一電極，例如一柵極12?？稍诠鑼?6中形成淺結(jié)源極延伸17以及淺結(jié)漏極延伸19，淺結(jié)源極延伸17與淺結(jié)漏極延伸19之間隔著一溝道22。
可在溝道22上形成一柵極介電層14，以隔開(kāi)柵極12與溝道22。柵極12通常包括多晶硅材質(zhì)。柵極介電層14可由氧化硅所構(gòu)成，可由熱氧化法形成；或由氧化硅/氮化硅(ON)復(fù)合膜構(gòu)成，可由熱氧化法及接著進(jìn)行熱氮化法所形成。然而，在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，柵極介電層14也可由高介電常數(shù)(high-k)材料所構(gòu)成，可以化學(xué)氣相沉積方法形成，厚度大約為50埃至約200埃之間。一般作為高介電常數(shù)的材料可舉例有ZrO2、HfO2、InO2、LaO2、及TaO2。隨后，在柵極12的側(cè)壁上形成氮化硅間隙壁32。在柵極12與氮化硅間隙壁32之間可另有一襯墊層30，前述的襯墊層可為氧化硅所構(gòu)成。襯墊層30通常為L(zhǎng)型且厚度約在30至120埃之間。襯墊層30可另有一偏移間隙壁(offset spacer)，其為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知，因此并未圖示。
如圖9所示，在形成氮化硅間隙壁32之后，可進(jìn)一步進(jìn)行一離子注入工藝，將N型摻雜劑物種，例如砷、銻或磷等注入硅層16中，或?qū)型摻雜劑物種，例如硼等注入硅層16中，藉此形成NMOS或PMOS元件40的源極區(qū)18以及漏極區(qū)20。在完成漏極源極的摻雜后，半導(dǎo)體襯底通?？梢赃M(jìn)行一退火(annealing)或活化(activation)摻雜劑的熱處理，此步驟也為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知，不再加以陳述。
如圖10所示，于柵極12、露出的源極區(qū)18、及露出的漏極區(qū)20上形成一物質(zhì)層，例如一金屬硅化物層(metal silicide layer)42。利用自對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物(self-aligned silicide，salicide)工藝來(lái)形成金屬硅化物層；亦即在形成源極/漏極區(qū)之后，利用濺鍍或電鍍方法，再形成一金屬層覆蓋于源極/漏極區(qū)與柵極結(jié)構(gòu)上方，然后進(jìn)行一快速高溫處理(RTP)使金屬與柵極結(jié)構(gòu)、源極/漏極區(qū)中的硅反應(yīng)，形成金屬硅化物。金屬硅化物可舉例為鎳硅化合物或鈷硅化合物，例如硅化鎳(NiSi)或硅化鈷(CoSi2)。RTP溫度可在700℃至1000℃之間。形成自對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物層之后，可依所需移除或保留間隙壁32。
接著，如圖11所示，在半導(dǎo)體襯底上進(jìn)一步沉積一層氮化硅蓋層46，其中氮化硅蓋層46覆蓋金屬硅化物層42以及氮化硅間隙壁32，而其厚度通常介于200至400埃左右。沉積氮化硅蓋層46的目的是使后續(xù)的接觸孔蝕刻能有明顯的蝕刻終點(diǎn)，也就是用來(lái)作為蝕刻停止層。也可形成具有壓縮或拉伸應(yīng)力的氮化硅蓋層46，以使其下層的源極/漏極區(qū)形成應(yīng)變結(jié)構(gòu)，以增進(jìn)溝道22的電荷遷移率。在沉積氮化硅蓋層46之后，接著才沉積介電層48，例如硅氧層等，也可為高介電材料，例如多層金屬氧化物或是鈣鈦礦(perovskites)。通常介電層48比氮化硅蓋層46厚許多。從介電層48頂部至柵極12上方的氮化硅46的厚度A，是本發(fā)明的方法中欲以CMP工藝移除的厚度。
請(qǐng)參閱圖12，其顯示圖11中的結(jié)構(gòu)經(jīng)過(guò)CMP工藝移除部分的介電層48后的結(jié)構(gòu)。氮化硅蓋層46可作為CMP的拋光終止層，再以蝕刻方式移除氮化硅蓋層46。蝕刻方式可為使用一熱磷酸溶液對(duì)該暴露的氮化硅蓋層進(jìn)行濕式蝕刻?；蛘?，直接以CMP方式移除氮化硅蓋層46。圖13顯示將氮化硅蓋層46移除后，露出柵極上方金屬硅化物層42的結(jié)構(gòu)。
接著，以蝕刻方式移除柵極12上方的金屬硅化物層42?？墒褂靡晃g刻液對(duì)此金屬硅化物層42進(jìn)行濕式蝕刻，蝕刻液包括氟化氫(HF)、氟化銨(NH4F)、以及選自乙二醇與丙二醇所組成的組中的至少一者于水中的溶液。蝕刻液中氟化氫(HF)∶氟化銨(NH4F)∶選自乙二醇與丙二醇所組成的組中的至少一者的重量比優(yōu)選為0.5至6∶15至25∶30至40。于本發(fā)明的一具體實(shí)施例中，蝕刻液包括約3.5重量％的HF、約20重量％的NH4F、及約35重量％的乙二醇(或丙二醇)，其余為水。于25℃下，此蝕刻液對(duì)NiSi與CoSi2的蝕刻速率分別為60.5與50.4埃/分鐘，而對(duì)氧化硅、多晶硅、氮化硅的蝕刻速率僅分別為4.77、6.01、及1.4埃/分鐘，因此具有高選擇比，能有效移除NiSi與CoSi2，留下氧化硅、多晶硅、氮化硅結(jié)構(gòu)。對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)而言，使用CMP方法很難移除NiSi與CoSi2層。
也可使用干蝕刻方式移除柵極上方的金屬硅化物層42?？墒褂靡晃g刻氣體對(duì)柵極上方的金屬硅化物層42進(jìn)行干式蝕刻，蝕刻氣體包括氬氣(Ar)、氫氣(H2)與氯氣(Cl2)中的任一者、及一氧化碳(CO)。在此干式蝕刻中，推測(cè)一氧化碳與金屬硅化物層的金屬成分生成揮發(fā)性副產(chǎn)物具有羰基(carbonyls)，例如Ni(CO)4。H2可移除化學(xué)濺鍍中產(chǎn)生的碳膜或沉積先驅(qū)物的稀釋劑形成的碳膜。Ar離子轟擊可增進(jìn)蝕刻產(chǎn)物的移除。蝕刻氣體中氬氣∶氯氣∶一氧化碳的流量比優(yōu)選為5至15∶15至25∶5至15，或者，氬氣∶氫氣∶一氧化碳的流量比優(yōu)選為10至20∶20至30∶5至15。
于本發(fā)明的另一具體實(shí)施例中，使用的蝕刻氣體處方為CO∶Cl2∶Ar為100sccm∶200sccm∶100sccm，使用TCP9400型號(hào)的機(jī)臺(tái)進(jìn)行，壓力10毫托(mTorr)，溫度75℃，500瓦特的上功率(top power，TP)，及50瓦特的下功率(bottom power，BP)。于本發(fā)明的又一具體實(shí)施例中，使用的蝕刻氣體處方為CO∶H2∶Ar為100sccm∶250sccm∶150sccm，使用DRM85型號(hào)的機(jī)臺(tái)進(jìn)行，壓力30毫托(mTorr)，溫度60℃，1000瓦特的功率。均能有效移除金屬硅化物層42。
上述的金屬硅化物層42可為硅層或多晶硅層經(jīng)由自對(duì)準(zhǔn)金屬硅化方法制得的金屬硅化物層。在使用上述的方法移除金屬硅化物層之后，所得結(jié)構(gòu)如圖14所示。接著，可利用現(xiàn)有的等離子體反應(yīng)性離子蝕刻(RIE)或是濕式多晶硅蝕刻形成開(kāi)口60，如圖15所示。再于開(kāi)口60的側(cè)壁及介電層48的表面上形成一障壁層62，接著沉積一金屬層64，填滿(mǎn)開(kāi)口60，如圖16所示。最后，將介電層48上的金屬層64移除，獲得如圖17所示的一具有金屬柵極的MOS晶體管40。
若欲制造FUSI柵極時(shí)，可參閱圖14的結(jié)構(gòu)，于此結(jié)構(gòu)中，金屬硅化物層42已經(jīng)使用本發(fā)明的蝕刻方法移除，暴露出多晶硅的柵極12。接著，請(qǐng)進(jìn)一步參閱圖18，于多晶硅柵極12及氮化硅蓋層46上沉積一金屬層66，厚度可如現(xiàn)有的小于1000?；蚣s500至約1000埃之間。金屬層66的材質(zhì)可為例如Ni、Co、Ti、Ti/TiN、Co/TiN、或Co/Ti/TiN等等的多層材料。對(duì)此半導(dǎo)體襯底進(jìn)行熱處理，使多晶硅與金屬反應(yīng)，形成金屬硅化物，將未反應(yīng)的金屬移除，獲得一具有完全金屬多晶硅化物柵極的MOS晶體管70，如圖19所示。
與現(xiàn)有的金屬柵極工藝或完全金屬硅化物柵極工藝中使用CMP工藝移除原來(lái)柵極上的金屬硅化物層相比較，本發(fā)明使用蝕刻方式于工藝中移除多晶硅柵極上的金屬硅化物層，因具有優(yōu)異的蝕刻選擇性，而有良好的移除效果，使得金屬柵極工藝或完全金屬硅化物柵極工藝可以順利進(jìn)行。
以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，凡依本發(fā)明權(quán)利要求所做的均等變化與修飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
權(quán)利要求
1.一種移除半導(dǎo)體工藝中柵極上的金屬硅化物層的方法，該柵極位于一半導(dǎo)體襯底上，該柵極的上表面覆蓋有一金屬硅化物層，該柵極與該金屬硅化物層一起形成的各側(cè)壁上設(shè)置有一間隙壁，一層氮化硅蓋層覆蓋該金屬硅化物層、該些間隙壁、及該半導(dǎo)體襯底，一介電層覆蓋于該氮化硅蓋層，該移除于半導(dǎo)體工藝中柵極上的金屬硅化物層的方法包括進(jìn)行一化學(xué)機(jī)械拋光工藝，以?huà)伖庠摻殡妼?，并以該氮化硅蓋層為拋光終止層，而暴露該柵極上方的氮化硅蓋層；移除該暴露的氮化硅蓋層以暴露該柵極上的金屬硅化物層；以及進(jìn)行一第一蝕刻工藝以移除該柵極上的金屬硅化物層。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該第一蝕刻工藝包括使用一蝕刻液對(duì)該柵極上方的金屬硅化物層進(jìn)行濕式蝕刻，該蝕刻液包括氟化氫、氟化銨、選自乙二醇與丙二醇所組成的組中的至少一者、及水。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中該蝕刻液中氟化氫∶氟化銨∶選自乙二醇與丙二醇所組成的組中的至少一者的重量比為0.5至6∶15至25∶30至40。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其中該蝕刻液中氟化氫∶氟化銨∶選自乙二醇與丙二醇所組成的組中的至少一者的重量比為3.5∶20∶35。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該第一蝕刻工藝包括使用一蝕刻氣體對(duì)該柵極上方的金屬硅化物層進(jìn)行干式蝕刻，該蝕刻氣體包括氬氣、選自氫氣與氯氣所組成的組中的至少一者、及一氧化碳。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其中該蝕刻氣體中氬氣∶氫氣∶一氧化碳的流量比為10至20∶20至30∶5至15。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中該蝕刻氣體中氬氣∶氫氣∶一氧化碳的流量比為15∶25∶10。
8.如權(quán)利要求5所述的方法，其中該蝕刻氣體中氬氣∶氯氣∶一氧化碳的流量比為5至15∶15至25∶5至15。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其中該蝕刻氣體中氬氣∶氯氣∶一氧化碳的流量比為10∶20∶10。
10.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該金屬硅化物層包括選自鎳硅化物與鈷硅化物所組成的組中的至少一者。
11.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，移除該暴露的氮化硅蓋層包括使用一熱磷酸溶液對(duì)該暴露的氮化硅蓋層進(jìn)行濕式蝕刻。
12.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，移除該暴露的氮化硅蓋層包括使用化學(xué)機(jī)械拋光方法對(duì)該暴露的氮化硅蓋層進(jìn)行拋光而移除。
13.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該介電層包括二氧化硅、ZrO2、HfO2、InO2、LaO2、或TaO2。
14.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該柵極與該半導(dǎo)體襯底之間進(jìn)一步設(shè)置有一柵極氧化層。
15.一種濕式蝕刻方法，包括使用一蝕刻液對(duì)一金屬硅化物層進(jìn)行濕式蝕刻，該蝕刻液包括氟化氫、氟化銨、選自乙二醇與丙二醇所組成的組中的至少一者、及水。
16.如權(quán)利要求15所述的濕式蝕刻方法，其中，該蝕刻液中的氟化氫∶氟化銨∶選自乙二醇與丙二醇所組成的組中的至少一者的重量比為0.5至6∶15至25∶30至40。
17.如權(quán)利要求16所述的濕式蝕刻方法，其中，該蝕刻液中的氟化氫∶氟化銨∶選自乙二醇與丙二醇所組成的組中的至少一者的重量比為3.5∶20∶35。
18.如權(quán)利要求15所述的濕式蝕刻方法，其中，該金屬硅化物層包括硅化鎳或硅化鈷。
19.一種干式蝕刻方法，包括使用一蝕刻氣體對(duì)一金屬硅化物層進(jìn)行干式蝕刻，該蝕刻氣體包括氬氣、選自氫氣與氯氣所組成的組中的至少一者、及一氧化碳。
20.如權(quán)利要求19所述的干式蝕刻方法，其中，該蝕刻氣體中氬氣∶氫氣∶一氧化碳的流量比為10至20∶20至30∶5至15。
21.如權(quán)利要求20所述的干式蝕刻方法，其中，該蝕刻氣體中氬氣∶氫氣∶一氧化碳的流量比為15∶25∶10。
22.如權(quán)利要求19所述的干式蝕刻方法，其中，該蝕刻氣體中氬氣∶氯氣∶一氧化碳的流量比為5至15∶15至25∶5至15。
23.如權(quán)利要求22所述的干式蝕刻方法，其中，該蝕刻氣體中氬氣∶氯氣∶一氧化碳的流量比為10∶20∶10。
24.如權(quán)利要求19所述的干式蝕刻方法，其中，該金屬硅化物層包括硅化鎳或硅化鈷。
全文摘要
本發(fā)明揭示一種移除半導(dǎo)體工藝中柵極上的金屬硅化物層的方法。其中，柵極、金屬硅化物層、間隙壁，氮化硅蓋層、及介電層均已形成。本發(fā)明的方法包括下列步驟首先，進(jìn)行一化學(xué)機(jī)械拋光工藝，以?huà)伖饨殡妼?，并以氮化硅蓋層為拋光終止層，而暴露柵極上方的氮化硅蓋層；接著，移除露出的氮化硅蓋層以暴露柵極上的金屬硅化物層；最后，進(jìn)行一第一蝕刻工藝以移除柵極上的金屬硅化物層。
文檔編號(hào)H01L21/3213GK1967790SQ200510124739
公開(kāi)日2007年5月23日 申請(qǐng)日期2005年11月16日 優(yōu)先權(quán)日2005年11月16日
發(fā)明者陳正坤, 吳至寧, 蕭維滄, 余文福 申請(qǐng)人:聯(lián)華電子股份有限公司