專利名稱：薄膜晶體管、其制造方法、顯示設(shè)備及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管、該薄膜晶體管的制造方法、具有該薄膜晶體管的顯示設(shè)備以及該顯示設(shè)備的制造方法。更具體而言，本發(fā)明涉及一種用于顯示設(shè)備的陣列基板的薄膜晶體管、該薄膜晶體管的制造方法、具有該薄膜晶體管的顯示設(shè)備以及該顯示設(shè)備的制造方法。
背景技術(shù)：
通常，液晶顯示設(shè)備包括陣列基板和濾色器基板。陣列基板包括用作開關(guān)器件的薄膜晶體管以及電連接到薄膜晶體管以接收像素電壓的像素電極。濾色器基板包括公共電極。
薄膜晶體管包括形成有柵電極的柵極線、用于柵極線的柵極絕緣層、柵極絕緣層上的溝道圖案以及形成有源電極和漏電極的數(shù)據(jù)線。
近來，諸如柵極線、數(shù)據(jù)線等的信號線已由于液晶顯示設(shè)備的尺寸增大而變得更長了。由于信號線的變長，施加到信號線上的信號發(fā)生延遲或失真。為了防止信號的延遲和失真，信號線包括低電阻金屬，比如鋁(Al)、鋁合金等。
然而，當(dāng)加熱時，在低電阻金屬(例如鋁)上形成了不利的不規(guī)則物。更具體而言，當(dāng)鋁被加熱到約180度的高溫時，由于鋁的鋁原子之間的壓縮應(yīng)力而在鋁的表面上形成了凹凸部分。在數(shù)據(jù)線包括鋁的情況下，鋁與導(dǎo)電粘合層(該導(dǎo)電粘合層可以是數(shù)據(jù)線之下的N+摻雜非晶硅層)接觸，由此提高了鋁與導(dǎo)電粘合層之間的接觸電阻。提高的接觸電阻在高溫下引起鋁分散到導(dǎo)電粘合層中，形成了不規(guī)則物。
此外，當(dāng)蝕刻導(dǎo)電粘合層以形成溝道層時，導(dǎo)電粘合層圖案被暴露在源電極、漏電極或數(shù)據(jù)線之外。結(jié)果，在液晶顯示設(shè)備上出現(xiàn)了不利的余像(after-image)。
所需的是一種形成沒有以上問題的顯示設(shè)備的方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種用于顯示設(shè)備的薄膜晶體管。
本發(fā)明還提供了一種適于制造以上薄膜晶體管的方法。
本發(fā)明還提供了一種具有以上薄膜晶體管的顯示設(shè)備。
本發(fā)明還提供了一種適于制造以上顯示設(shè)備的方法。
在本發(fā)明的一個方面中，薄膜晶體管包括在基板上的柵電極，在所述基板上以絕緣所述柵電極的柵極絕緣層，溝道圖案，源電極和漏電極。
所述溝道圖案包括在所述柵電極上的半導(dǎo)體圖案，該半導(dǎo)體圖案覆蓋所述柵電極；在所述半導(dǎo)體圖案上的第一導(dǎo)電粘合圖案(conductiveadhesive pattern)；以及形成在所述半導(dǎo)體圖案上并與所述第一導(dǎo)電粘合圖案隔開的第二導(dǎo)電粘合圖案。所述源電極包括順序形成在所述第一導(dǎo)電粘合圖案上的第一阻擋圖案、源極圖案和第一覆蓋圖案(capping pattern)。所述漏電極包括順序形成在所述第二導(dǎo)電粘合圖案上的第二阻擋圖案、漏極圖案和第二覆蓋圖案。
在本發(fā)明的另一方面中，如下提供了一種薄膜晶體管的制造方法。在基板上順序形成柵電極和柵極絕緣層。在所述柵極絕緣層上形成半導(dǎo)體層和導(dǎo)電粘合層，使得所述半導(dǎo)體層和所述導(dǎo)電粘合層覆蓋所述柵電極。在所述基板之上沉積阻擋層、導(dǎo)電薄層和覆蓋層。部分地蝕刻所述覆蓋層和所述導(dǎo)電薄層，從而在所述柵電極上形成第一覆蓋圖案、與所述第一覆蓋圖案隔開的第二覆蓋圖案、源極圖案、以及與所述源極圖案隔開的漏極圖案。部分地蝕刻所述阻擋層和所述導(dǎo)電粘合層，從而在所述柵電極上形成第一阻擋圖案、與所述第一阻擋圖案隔開的第二阻擋圖案、第一導(dǎo)電粘合圖案、以及與所述第一導(dǎo)電粘合圖案隔開的第二導(dǎo)電粘合圖案。
在本發(fā)明的又一方面中，顯示設(shè)備包括第一顯示基板，其具有薄膜晶體管和電連接到漏電極的像素電極；第二顯示基板；以及在所述第一和第二基板之間的液晶層。
所述薄膜晶體管包括在第一基板上的柵電極，在所述第一基板上以絕緣所述柵電極的柵極絕緣層，溝道圖案，源電極和漏電極。
所述溝道圖案包括在所述柵電極上的半導(dǎo)體圖案，該半導(dǎo)體圖案覆蓋所述柵電極；在所述半導(dǎo)體圖案上的第一導(dǎo)電粘合圖案；以及在所述半導(dǎo)體圖案上與所述第一導(dǎo)電粘合圖案隔開的第二導(dǎo)電粘合圖案。所述源電極包括順序形成在所述第一導(dǎo)電粘合圖案上的第一阻擋圖案、源極圖案和第一覆蓋圖案。所述漏電極包括順序形成在所述第二導(dǎo)電粘合圖案上的第二阻擋圖案、漏極圖案和第二覆蓋圖案。
所述第二顯示基板包括面對所述第一基板的第二基板以及面對所述像素電極的公共電極。
在本發(fā)明的又一方面中，如下提供了一種顯示設(shè)備的制造方法。在第一基板上順序形成柵電極和柵極絕緣層。在所述柵極絕緣層上順序形成半導(dǎo)體層、導(dǎo)電粘合層、阻擋層、導(dǎo)電薄層和覆蓋層。部分地蝕刻所述覆蓋層和所述導(dǎo)電薄層，從而在所述柵電極上形成第一覆蓋圖案、與所述第一覆蓋圖案隔開的第二覆蓋圖案、源極圖案、以及與所述源極圖案隔開的漏極圖案。部分地蝕刻所述阻擋層和所述導(dǎo)電粘合層，從而在所述柵電極上形成第一阻擋圖案、與所述第一阻擋圖案隔開的第二阻擋圖案、第一導(dǎo)電粘合圖案、以及與所述第一導(dǎo)電粘合圖案隔開的第二導(dǎo)電粘合圖案。像素電極電連接到所述漏電極。在面對所述第一基板的第二基板上形成公共電極。在所述第一和第二基板之間形成液晶層。
根據(jù)以上，通過干式蝕刻工藝來形成所述阻擋圖案和所述導(dǎo)電粘合圖案，使得所述顯示設(shè)備可以防止在所述源電極和所述漏電極附近的所述導(dǎo)電粘合圖案的殘余物并改善其顯示質(zhì)量。


通過結(jié)合附圖參考以下詳細(xì)描述，本發(fā)明的以上和其他優(yōu)點(diǎn)將變得更加明了，其中圖1是根據(jù)本發(fā)明一示例性實(shí)施例的薄膜晶體管的示意性電路圖；圖2是圖1中的薄膜晶體管的平面圖；圖3是沿線I1-I2得到的剖面圖，示出了圖2中的薄膜晶體管；圖4-11是示出圖3中的薄膜晶體管的制造方法的剖面圖；圖12是根據(jù)本發(fā)明一示例性實(shí)施例的顯示設(shè)備的等效電路圖；圖13是具有圖3中的薄膜晶體管的顯示設(shè)備的平面圖；圖14是沿線II1-II2得到的剖面圖，示出了圖13中的顯示設(shè)備；以及圖15-24是示出圖14所示的顯示設(shè)備的制造方法的剖面圖。
具體實(shí)施例方式
應(yīng)理解的是，當(dāng)稱一個元件或一層在另一元件或?qū)印吧稀?、“連接到”或“耦合到”其上時，它可以直接在、連接到或耦合到另一元件上或?qū)由?，或者還可以存在插入元件或?qū)?。相反，?dāng)稱一個元件“直接在”、“直接連接到”或“直接耦合到”另一個元件或?qū)由蠒r，則不存在插入元件或?qū)印Ｍㄆ孟嗤母綀D標(biāo)記表示相同的元件。如此處所使用的，術(shù)語“和/或”包括相關(guān)所列項(xiàng)中的一個或多個的任何以及所有組合。
應(yīng)理解的是，盡管術(shù)語第一、第二等在此處可用于描述各種元件、部件、區(qū)域、層和/或部分，但這些元件、部件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)受限于這些術(shù)語。這些術(shù)語僅用于將一個元件、部件、區(qū)域、層或部分與其他區(qū)域、層或部分區(qū)分開。因此，在不偏離本發(fā)明的教導(dǎo)的前提下，以下所討論的第一元件、部件、區(qū)域、層或部分也可以稱為第二元件、部分、區(qū)域、層或部分。
為便于描述，此處可以使用諸如“在…之下”、“在…下面”、“下(lower)”、“在…之上”、“上(upper)”等等空間相對關(guān)系術(shù)語以描述如圖所示的一個元件或功能部件與另一個(些)元件或部件之間的關(guān)系。應(yīng)當(dāng)理解，空間相對性術(shù)語是意于概括除附圖所示取向之外的使用或操作中的器件的不同取向的。例如，如果附圖中的器件翻轉(zhuǎn)過來，被描述為“在”其他元件或功能部件“之下”或“下面”的元件將會在其他元件或功能部件的“上方”。這樣，示例性術(shù)語“在…下面”就能夠涵蓋之上和之下兩個取向。器件還可以采取其他取向(旋轉(zhuǎn)90度或在其他方向)，則此處所用的空間相對關(guān)系描述符做相應(yīng)解釋。
這里所用的術(shù)語僅僅是為了描述特定實(shí)施例，并非要限制本發(fā)明。如此處所用的，除非上下文另有明確表述，否則單數(shù)形式“一(a)”、“一(an)”和“該(the)”均同時旨在包括復(fù)數(shù)形式。需要進(jìn)一步理解的是，術(shù)語“包括(includes)”和/或“包括(including)”當(dāng)用于本說明書中時，指定了所述特征、整體、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但并不排除一個或多個其他特征、整體、步驟、操作、元件、部件和/或其組合的存在或增加。
除非另行定義，此處使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)術(shù)語和科學(xué)術(shù)語)都具有本發(fā)明所屬領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員所通常理解的同樣的含義。進(jìn)一步應(yīng)當(dāng)理解的是，諸如常用詞典中所定義的術(shù)語，除非此處如此加以明確定義，否則應(yīng)當(dāng)被解釋為具有與它們在相關(guān)領(lǐng)域的語境中的含義相一致的含義，而不應(yīng)被解釋為理想化的或過度形式化的意義。
以下，將參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明。
圖1是根據(jù)本發(fā)明一示例性實(shí)施例的薄膜晶體管的示意性電路圖。圖2是圖1的薄膜晶體管的平面圖。圖3是沿圖2所示的線I1-I2得到的剖面圖。
參照圖1，薄膜晶體管TFT包括柵極線GL，柵電極110從所述柵極線GL分支出來；數(shù)據(jù)線DL，源電極130從所述數(shù)據(jù)線DL分支出來；以及與源電極130間隔開的漏電極140。
柵極線GL具有條形形狀并且形成在基板上。柵極線GL將外部提供的柵信號傳輸給柵電極110。
數(shù)據(jù)線DL也形成在基板上。數(shù)據(jù)線DL基本垂直于柵極線GL并且與柵極線GL電絕緣。數(shù)據(jù)線DL將數(shù)據(jù)信號傳輸給源電極130。
當(dāng)高于薄膜晶體管TFT的閾值電壓的柵電壓通過柵極線GL施加到柵電極110時，形成在薄膜晶體管TFT內(nèi)部的溝道層的電特性從絕緣體變?yōu)閷?dǎo)體，使得施加到源電極130的數(shù)據(jù)信號通過溝道層施加到漏電極140上。
參照圖2和3，薄膜晶體管TFT包括柵電極110、柵極絕緣層115、溝道圖案120、源電極130和漏電極140。
柵電極110從形成在基板上的柵極線GL分支出來。柵電極110包括金屬材料或金屬合金，比如鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、銅(Cu)、釹(Nd)等。在本實(shí)施例中，柵電極110可以形成為單層或包括鋁-釹(Al-Nd)和鉬(Mo)的雙層結(jié)構(gòu)。
當(dāng)高于薄膜晶體管TFT的閾值電壓的柵電壓通過柵極線GL施加到柵電極110時，在電連接到源電極130和漏電極140的溝道圖案120處形成溝道。因此，施加到數(shù)據(jù)線DL的數(shù)據(jù)信號通過源電極130被傳輸?shù)铰╇姌O140。相反，當(dāng)電壓電平低于薄膜晶體管TFT的閾值電壓的柵電壓通過柵極線GL施加到柵電極110時，在電連接到源電極130和漏電極140的溝道圖案120處不形成溝道。因此，施加到數(shù)據(jù)線DL的數(shù)據(jù)信號不傳輸?shù)铰╇姌O140。
柵極絕緣層115形成在其上形成有柵電極110的基板上，并將柵電極110與溝道圖案120電絕緣。柵極絕緣層115可以包括氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)。
溝道圖案120形成在對應(yīng)于柵電極110的柵極絕緣層115上。溝道圖案120可以包括半導(dǎo)體圖案122、第一導(dǎo)電粘合圖案127a和第二導(dǎo)電粘合圖案127b。
半導(dǎo)體圖案122可以包括非晶硅。當(dāng)施加到柵電極110的柵電壓高于薄膜晶體管TFT的閾值電壓時，在溝道圖案120內(nèi)部形成溝道，由此將源電極130與漏電極140電連接。閾值電壓的電平取決于溝道圖案120的寬度和長度，并且半導(dǎo)體圖案122具有約2000埃至約2500埃的厚度。
半導(dǎo)體圖案122包括形成在其上的凹槽。該凹槽形成在對應(yīng)于柵電極110的半導(dǎo)體圖案122上。形成該凹槽的半導(dǎo)體圖案122部分具有約500埃的厚度。然而，為了防止在通過蝕刻工藝形成源電極130、漏電極140和溝道圖案120時損壞半導(dǎo)體圖案122，使半導(dǎo)體圖案122形成為具有約2000埃至約2500埃的總厚度。
第一和第二導(dǎo)電粘合圖案127a和127b形成在半導(dǎo)體圖案122上并彼此分隔。第一和第二導(dǎo)電粘合圖案127a和127b包括N+摻雜非晶硅。第一和第二導(dǎo)電粘合圖案127a和127b降低了半導(dǎo)體圖案122與源電極130和漏電極140之間的接觸電阻。在本實(shí)施例中，第一和第二導(dǎo)電粘合圖案127a和127b具有約200埃的厚度。
源電極130包括第一阻擋圖案131、源極圖案133和第一覆蓋圖案135。漏電極140包括第二阻擋圖案141、漏極圖案143和第二覆蓋圖案145。
第一和第二阻擋圖案131和141分別形成在第一和第二導(dǎo)電粘合圖案127a和127b上。第一和第二阻擋圖案131和141分別防止源極圖案133和漏極圖案143的導(dǎo)電金屬的擴(kuò)散。
第一和第二阻擋圖案131和141可以用作形成源極圖案133和漏極圖案143以及第一和第二覆蓋圖案135和145期間的蝕刻停止層。第一和第二阻擋圖案131和141具有相對于源極圖案133和漏極圖案143以及第一和第二覆蓋圖案135和145的蝕刻選擇性。第一和第二阻擋圖案131和141包括鈦(Ti)、鉭(Ta)、鎢(W)、鉻(Cr)等。
源極圖案133和漏極圖案143將數(shù)據(jù)信號施加給數(shù)據(jù)線DL。為了防止由于源極圖案133和漏極圖案143的延長所致的信號延遲和信號失真，源極圖案133和漏極圖案143包括具有低電阻率(specific resistance)的金屬，比如鋁、鋁合金等。通常，鋁具有約2.65×10-6Ω·cm的低電阻率。
第一和第二覆蓋圖案135和145分別形成在源極圖案133和漏極圖案143上。第一和第二覆蓋圖案135和145可以包括鉬、鉬合金等。鉬合金的實(shí)例可以是鉬-鈮(MoNb)、鉬-鎢(MoW)、鉬-銅(MoCu)等。
第一和第二覆蓋圖案135和145可以防止因加熱引起的源極圖案133和漏極圖案143上的有問題的不規(guī)則物的形成。并且，第二覆蓋圖案145可以改善接觸特性，比如像素電極與第二覆蓋圖案145之間的接觸電阻。
如果第一和第二阻擋圖案131和141以及第一和第二覆蓋圖案135和145包括氮，則會由于氮而產(chǎn)生殘余產(chǎn)物。因此，在本實(shí)施例中，優(yōu)選的是第一和第二阻擋圖案131和141以及第一和第二覆蓋圖案135和145不包括氮。
圖4至11是示出圖3中的薄膜晶體管的制造方法的剖面圖。
參照圖4，在第一基板105上形成導(dǎo)電薄膜。在本實(shí)施例中，該導(dǎo)電薄膜的實(shí)例可以包括鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、銅(Cu)、釹(Nd)等。該導(dǎo)電薄膜可以形成為包括鋁-釹(Al-Nd)和鉬(Mo)的雙層結(jié)構(gòu)。
部分地蝕刻該導(dǎo)電薄膜以在第一基板105上形成柵電極110。柵電極110從柵極線GL分支出來(參見圖2)。在本實(shí)施例中，可以在形成柵極線GL和柵電極110時形成存儲電容器線(未示出)。存儲電容器線設(shè)置在相鄰設(shè)置的柵極線GL之間并且定向?yàn)榛酒叫杏跂艠O線GL。
參照圖5，在其上形成有柵電極110的第一基板105上形成柵極絕緣層115。在本實(shí)施例中，用于柵極絕緣層115的示例性材料包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)等。
參照圖6，在柵極絕緣層115上形成非晶硅層。并且在該非晶硅層上形成重?fù)诫sN型雜質(zhì)的N+非晶硅層。非晶硅層具有約2000埃至約2500埃的厚度，并且N+非晶硅層具有約500埃的厚度。
通過光刻工藝部分地蝕刻非晶硅層和N+非晶硅層，從而在柵極絕緣層115上形成半導(dǎo)體圖案121并且在半導(dǎo)體圖案121上形成導(dǎo)電粘合層126。半導(dǎo)體圖案121覆蓋于柵電極110上方。
盡管圖中未示出，可以在源電極和漏電極經(jīng)受光刻工藝時部分地蝕刻非晶硅層和N+非晶硅層，以形成半導(dǎo)體圖案以及第一和第二導(dǎo)電圖案。
參照圖7，在導(dǎo)電粘合層126上順序形成阻擋層151、導(dǎo)電薄層153和覆蓋層155。在本實(shí)施例中，通過濺射工藝來形成阻擋層151、導(dǎo)電薄層153和覆蓋層155。
阻擋層151相對于源極圖案、漏極圖案、第一覆蓋圖案和第二覆蓋圖案具有蝕刻選擇性，從而使阻擋層151用作終止導(dǎo)電薄層153的蝕刻的蝕刻停止物。在本實(shí)施例中，阻擋層151可以包括鈦(Ti)、鉭(Ta)、鎢(W)、鉻(Cr)等。
導(dǎo)電薄層153包括具有低電阻率的材料，比如鋁、鋁合金等。鋁的電阻率可以低至約2.65×10-6Ω·cm。
覆蓋層155可以包括鉬、鉬合金等。鉬合金的實(shí)例可以是鉬-鈮(MoNb)、鉬-鎢(MoW)、鉬-銅(MoCu)等。
覆蓋層155可以避免由于加熱所引起的源極圖案和漏極圖案上的不規(guī)則物。并且，覆蓋層155可以改善接觸特性，比如形成在其上的像素電極與覆蓋層155之間的接觸電阻。
如果覆蓋層155包括氮，則通過反應(yīng)濺射(reactive sputtering)工藝來形成覆蓋層155。在反應(yīng)濺射工藝期間，在將氬(Ar)氣和氮(N)氣供應(yīng)到真空室中之后，向陰極施加負(fù)電壓(-)。響應(yīng)于所施加的電壓而發(fā)射出電子。發(fā)射出的電子與氬氣原子碰撞以形成氬離子(Ar+)和等離子體。當(dāng)氬離子(Ar+)行進(jìn)至靶(陰極)并與靶的表面碰撞時，靶的原子堆疊在基板上以形成氮化物薄層。在形成氮化物薄層時產(chǎn)生的反應(yīng)粒子會引起形成在基板上的氮化物薄層的污染。因此，在本實(shí)施例中，優(yōu)選的是覆蓋層155不包括氮。
盡管圖中未示出，但除柵電極之外，還可以在第一基板上順序形成柵極絕緣層、非晶硅層、N+非晶硅層、阻擋層、導(dǎo)電薄層和覆蓋層。
參照圖8，在其上形成有覆蓋層155的基板105上涂敷光致抗蝕劑(未示出)。利用掩模曝光并顯影光致抗蝕劑以形成對應(yīng)于源電極和漏電極的光致抗蝕劑圖案129。
參照圖9，利用光致抗蝕劑圖案129作為蝕刻掩模，部分地蝕刻覆蓋層155和導(dǎo)電薄層153，從而形成第一和第二覆蓋圖案135和145以及源極圖案133和漏極圖案143。通過濕式蝕刻工藝來形成第一和第二覆蓋圖案135和145以及源極圖案133和漏極圖案143?？梢岳貌煌墓に嚮蛘呃脝我还に噥硇纬傻谝缓偷诙采w圖案135和145以及源極圖案133和漏極圖案143。
在用于第一和第二覆蓋圖案135和145以及源極圖案133和漏極圖案143的濕式蝕刻工藝中，用于該濕式蝕刻工藝的蝕刻劑可以包括磷酸(H3PO4)、醋酸(CH3COOH)、硝酸(HNO3)或其混合物。由于導(dǎo)電薄層之下的阻擋層151相對于該導(dǎo)電薄層具有蝕刻選擇性，所以阻擋層151在濕式蝕刻工藝期間不被蝕刻。
參照圖10，利用光致抗蝕劑圖案129作為掩模部分地蝕刻阻擋層151和導(dǎo)電粘合層(未示出)，以形成第一阻擋圖案131、第二阻擋圖案141、第一導(dǎo)電粘合圖案127a和第二導(dǎo)電粘合圖案127b?？梢酝ㄟ^干式蝕刻工藝來形成第一阻擋圖案131、第二阻擋圖案141、第一導(dǎo)電粘合圖案127a和第二導(dǎo)電粘合圖案127b。第一和第二導(dǎo)電粘合圖案127a和127b的蝕刻部分可以具有基本豎直的輪廓使得它們不暴露在源極圖案133和漏極圖案143的外部，由此改善薄膜晶體管的特性。換言之，由第一阻擋圖案131、第一導(dǎo)電粘合圖案127a和半導(dǎo)體圖案122所限定的側(cè)壁相對于基板105形成了直角，并且由第二導(dǎo)電圖案141、第二導(dǎo)電粘合圖案127b和半導(dǎo)體圖案122所限定的側(cè)壁相對于基板105形成了直角。形成薄膜晶體管所需的工藝步驟的數(shù)目可以減少，因?yàn)樽钃鯇?51和導(dǎo)電粘合層通過干式蝕刻工藝基本被同時蝕刻。
用于干式蝕刻工藝的蝕刻氣體可以包括氯(Cl)、氟(F)等。
蝕刻氣體包括含氯的化合物，其實(shí)例包括氯氣(Cl2)、氯化氫(HCl)和氯化硼(BCl3)。如果蝕刻氣體包括含氯的化合物并且阻擋層151包括鈦，則由以下示出的化學(xué)方程式(1)來表示用于蝕刻阻擋層151的化學(xué)反應(yīng)?？蛇x擇地，蝕刻氣體可以包括含氟化合物，其實(shí)例包括六氟化硫(SF6)和四氟化碳(CF4)。如果蝕刻氣體包括含氟化合物并且阻擋層151包含鈦，則通過以下示出的化學(xué)方程式(2)來表示用于蝕刻阻擋層151的化學(xué)反應(yīng)。
(1)(2)在干式蝕刻工藝期間，吸附在工藝室壁上的光致抗蝕劑圖案129或氧氣(O2)與阻擋層151反應(yīng)從而形成了金屬氧化物，這劣化了基板的蝕刻比率。包括含氟化合物的蝕刻氣體可以容易地去除金屬氧化物。當(dāng)蝕刻氣體包括氯化硼(BCl3)與氟(F)時，可以很容易地去除諸如氧化鈦(TiO2)的金屬氧化物，正如化學(xué)方程式(3)所表示的
3(3)在蝕刻第一和第二阻擋圖案131和141以及第一和第二導(dǎo)電粘合圖案127a和127b時過蝕刻包括非晶硅的半導(dǎo)體圖案122，由此形成凹槽?？梢哉{(diào)整半導(dǎo)體圖案122的厚度以控制薄膜晶體管的閾值電壓。
盡管圖中未示出，但在針對源電極和漏電極的光刻工藝期間部分地蝕刻非晶硅層和N+非晶硅層。結(jié)果，形成了具有凹槽的半導(dǎo)體圖案122以及第一和第二導(dǎo)電粘合圖案127a和127b。
參照圖11，光致抗蝕劑圖案129的剝離完成了薄膜晶體管的形成，該薄膜晶體管具有柵電極110、柵極絕緣層115、溝道圖案120、源電極130和漏電極140。如圖11所示，第一覆蓋圖案、第二覆蓋圖案、源極圖案和漏極圖案的端部具有傾斜的截面輪廓。
圖12是根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施例的顯示設(shè)備的電路圖。圖13是具有圖3的薄膜晶體管的顯示設(shè)備的平面圖。圖14是沿圖13所示的線II1-II2得到的剖面圖。
參照圖12至14，該顯示設(shè)備包括第一顯示基板、第二顯示基板和液晶層。在圖12至14中，相同的附圖標(biāo)記表示與圖1至11中相同的元件。因此，將省略對相同元件的任何進(jìn)一步的重復(fù)描述。
第一顯示基板10包括第一基板105、薄膜晶體管100和像素電極170。
第一基板105是透光的透明玻璃。在本實(shí)施例中，用于第一基板105的透明玻璃不包括堿離子。當(dāng)透明玻璃包括堿離子時，堿離子從玻璃被洗提(elute)到液晶層30中，不利地改變了液晶層的電阻以及密封劑(未示出)與玻璃之間的粘附力。
薄膜晶體管100包括柵電極110、柵極絕緣層115、溝道圖案120、源電極130和漏電極140。
如圖13所示，柵電極110從第一基板105上的柵極線GL分支出來。柵極線GL接收驅(qū)動薄膜晶體管100的控制信號并將該控制信號傳輸給柵電極110。用于柵電極110的示例性材料可以包括鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、銅(Cu)及其合金。柵電極110可以形成為單層或具有導(dǎo)電金屬的雙層結(jié)構(gòu)。
柵極絕緣層115形成在其上形成有柵極線GL和柵電極110的第一基板105之上。柵極絕緣層115將柵極線GL與溝道圖案120電絕緣。柵極絕緣層115可以包括氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)。
溝道圖案120包括半導(dǎo)體圖案122以及第一和第二導(dǎo)電粘合圖案127a和127b。示例性的半導(dǎo)體圖案122可以包括非晶硅，并且第一和第二導(dǎo)電粘合圖案127a和127b的實(shí)例可以包括N+非晶硅。
在對應(yīng)于柵電極110的半導(dǎo)體圖案122上形成凹槽。形成部分凹槽的半導(dǎo)體圖案122具有約500埃的厚度。然而，為了防止在通過蝕刻工藝形成源電極130、漏電極140和溝道圖案120時損壞半導(dǎo)體圖案122，半導(dǎo)體圖案122具有約2000埃至約2500埃的總厚度。
源電極130包括第一阻擋圖案131、源極圖案133和第一覆蓋圖案135。漏電極140包括第二阻擋圖案141、漏極圖案143和第二覆蓋圖案145。
第一和第二阻擋圖案131和141分別形成在第一和第二導(dǎo)電粘合圖案127a和127b上。第一和第二阻擋圖案131和141分別防止了源極圖案133和漏極圖案143的導(dǎo)電金屬的擴(kuò)散。
第一和第二阻擋圖案131和141可以用作在形成源極圖案133和漏極圖案143以及第一和第二覆蓋圖案135和145時的蝕刻停止層。第一和第二阻擋圖案131和141具有相對于源極圖案133和漏極圖案143以及第一和第二覆蓋圖案135和145的蝕刻選擇性。第一和第二阻擋圖案131和141的實(shí)例包括鈦(Ti)、鉭(Ta)、鎢(W)、鉻(Cr)等。
源極圖案133和漏極圖案143將數(shù)據(jù)信號施加給數(shù)據(jù)線DL。為了防止由于源極圖案133和漏極圖案143的延長所致的信號延遲和信號失真，源極圖案133和漏極圖案143包括具有低電阻率的金屬，比如鋁、鋁合金等。鋁的一個實(shí)例具有約2.65×10-6Ω·cm的電阻率。
第一和第二覆蓋圖案135和145分別形成在源極圖案133和漏極圖案143上。第一和第二覆蓋圖案135和145可以包括鉬、鉬合金等。鉬合金的實(shí)例可以包括鉬-鈮(MoNb)、鉬-鎢(MoW)、鉬-銅(MoCu)等。
第一和第二覆蓋圖案135和145可以防止加熱所引起的源極圖案133和漏極圖案143上的不規(guī)則物的形成。并且，第二覆蓋圖案145可以改善接觸特性，比如像素電極與第二覆蓋圖案145之間的接觸電阻。
如果第一和第二阻擋圖案131和141以及第一和第二覆蓋圖案135和145包括氮，則會產(chǎn)生由氮所致的殘余產(chǎn)物。因此，在本實(shí)施例中，第一和第二阻擋圖案131和141以及第一和第二覆蓋圖案135和145優(yōu)選不包括氮。
第一顯示基板10可以進(jìn)一步包括在第一基板105上的鈍化層160，所述第一基板105上形成有源電極130和漏電極140。鈍化層160包括氮化硅以保護(hù)薄膜晶體管。
像素電極170電連接到漏電極140。像素電極170可以包括氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)等。通過部分地蝕刻透明導(dǎo)電層而形成像素電極170。
第二顯示基板20包括第二基板205和公共電極210。
第二基板205包括透明玻璃。第二基板205具有與第一基板105基本相同的光學(xué)特性。
公共電極210形成在第二基板205之上。公共電極210的實(shí)例包括透明導(dǎo)電材料，例如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化錫(TO)、氧化鋅(ZO)等。公共電極210可以形成在第一顯示基板10上使得公共電極210基本平行于像素電極170。
第二基板20可以進(jìn)一步包括濾色器層(未示出)以及光阻擋構(gòu)件(未示出)。
濾色器層可以對應(yīng)于像素形成在第二基板20上。濾色器層選擇性地使具有預(yù)定波長的光透過。濾色器層包括紅色濾色器部分、綠色濾色器部分和藍(lán)色濾色器部分。濾色器層包括光聚合引發(fā)劑、單體、粘合劑、色素、分散劑、溶劑、光致抗蝕劑等中的一種或多種。由此，濾色器層可以形成在第一基板10上。
光阻擋構(gòu)件阻擋通過非有效顯示區(qū)域的光從而防止光泄漏并改善設(shè)備的顯示質(zhì)量。
第一顯示基板10和第二顯示基板20通過設(shè)置在其間的隔離物(未示出)而彼此分隔。該隔離物可以包括柱狀隔離物、球狀隔離物或其組合。
第一顯示基板10和第二顯示基板20分別包括形成在其上的配向?qū)?未示出)。
當(dāng)在第一和第二顯示基板10和20之間設(shè)置液晶層30并通過密封劑將其密封時，完成了具有第一顯示基板10、第二顯示基板20和液晶層30的顯示設(shè)備。
圖15至24是示出圖14所示的顯示設(shè)備的制造方法的剖面圖。
參照圖15，在第一基板105上形成導(dǎo)電薄膜。在本實(shí)施例中，示例性的導(dǎo)電薄膜可以包括鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、銅(Cu)、釹(Nd)或其合金。并且，該導(dǎo)電薄膜可以形成為包括鋁-釹(Al-Nd)和鉬(Mo)的雙層結(jié)構(gòu)。
部分地蝕刻該導(dǎo)電薄膜以在第一基板105上形成柵電極110。柵電極110從柵極線GL(未示出)分支出來。
參照圖16，在其上形成有柵電極110的第一基板105上方形成柵極絕緣層115。在本實(shí)施例中，用于柵極絕緣層115的材料的實(shí)例包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)等。
參照圖17，在柵極絕緣層115上形成非晶硅層121。并且在該非晶硅層121上形成N+非晶硅層126。非晶硅層121具有約2000埃至約2500埃的厚度，并且N+非晶硅層126具有約500埃的厚度。
參照圖18，在非晶硅層126上順序形成阻擋層151、導(dǎo)電薄層153和覆蓋層155。在本實(shí)施例中，通過濺射工藝來形成阻擋層151、導(dǎo)電薄層153和覆蓋層155。
阻擋層151相對于導(dǎo)電薄層153和覆蓋層155具有蝕刻選擇性，由此用作蝕刻停止物從而終止導(dǎo)電粘合層126的蝕刻。在本實(shí)施例中，阻擋層151可以包括鈦(Ti)、鉭(Ta)、鎢(W)、鉻(Cr)等。
導(dǎo)電薄層153具有低電阻率。例如，導(dǎo)電薄層153可以包括諸如鋁、鋁合金等的材料。鋁的電阻率可以低至約2.65×10-6Ω·cm。
覆蓋層155可以包括鉬、鉬合金等。鉬合金的實(shí)例可以是鉬-鈮(MoNb)、鉬-鎢(MoW)、鉬-銅(MoCu)等。
覆蓋層155可以避免由于加熱所引起的源極圖案和漏極圖案上的不規(guī)則物。并且，覆蓋層155可以改善接觸特性，比如形成在其上的像素電極與覆蓋層155之間的接觸電阻。
在覆蓋層155包括氮的情況下，如上所述，通過反應(yīng)濺射工藝來形成覆蓋層155。正如之前曾提到的，優(yōu)選的是覆蓋層155不包括氮。
參照圖19，在其上形成有覆蓋層155的基板105上涂敷光致抗蝕劑(未示出)。利用掩模曝光并顯影光致抗蝕劑以形成對應(yīng)于源電極和漏電極的光致抗蝕劑圖案129。
參照圖20，利用光致抗蝕劑圖案129作為蝕刻掩模，部分地蝕刻覆蓋層155和導(dǎo)電薄層153，從而形成第一和第二覆蓋圖案135和145以及源極圖案133和漏極圖案143。通過濕式蝕刻工藝來形成第一和第二覆蓋圖案135和145以及源極圖案133和漏極圖案143?？梢岳貌煌墓に嚮蛘呃脝我还に噥硇纬傻谝缓偷诙采w圖案135和145以及源極圖案133和漏極圖案143。
在用于第一和第二覆蓋圖案135和145以及源極圖案133和漏極圖案143的濕式蝕刻工藝中，用于該濕式蝕刻工藝的蝕刻劑可以包括磷酸(H3PO4)、醋酸(CH3COOH)、硝酸(HNO3)或其組合。由于導(dǎo)電薄層之下的阻擋層151相對于該導(dǎo)電薄層具有蝕刻選擇性，所以阻擋層151在濕式蝕刻工藝期間不被蝕刻。
參照圖21，利用光致抗蝕劑圖案129作為掩模部分地蝕刻阻擋層151、導(dǎo)電粘合層126和非晶硅層121，以形成第一阻擋圖案131、第二阻擋圖案141、第一導(dǎo)電粘合圖案127a、第二導(dǎo)電粘合圖案127b和半導(dǎo)體圖案122。第一和第二導(dǎo)電粘合圖案127a和127b以及半導(dǎo)體圖案122限定了溝道圖案120。
可以通過干式蝕刻工藝來形成第一阻擋圖案131、第二阻擋圖案141、第一導(dǎo)電粘合圖案127a、第二導(dǎo)電粘合圖案127b和半導(dǎo)體圖案122。因此，第一和第二導(dǎo)電粘合圖案127a和127b的蝕刻部分可以具有基本豎直的輪廓并防止了第一和第二導(dǎo)電粘合圖案127a和127b以及半導(dǎo)體圖案122的殘余物的聚積，由此改善了薄膜晶體管的特性。
此外，用于薄膜晶體管的工藝步驟的數(shù)目可以減少，因?yàn)樽钃鯇?51和導(dǎo)電粘合層(未示出)通過干式蝕刻工藝基本被同時蝕刻。
用于干式蝕刻工藝的蝕刻氣體可以包括氯(Cl)、氟(F)等。
蝕刻氣體包括含氯的化合物，其實(shí)例包括氯氣(Cl2)、氯化氫(HCl)和氯化硼(BCl3)。在蝕刻氣體包括含氯化合物并且阻擋層151包含鈦的情況下，由以上示出的化學(xué)方程式(1)來表示用于蝕刻阻擋層151的化學(xué)反應(yīng)?？蛇x擇地，如果蝕刻氣體包括含氟化合物、比如六氟化硫(SF6)或四氟化碳(CF4)，并且阻擋層151包括鈦，則通過以上示出的化學(xué)方程式(2)來表示用于蝕刻阻擋層151的化學(xué)反應(yīng)。
在干式蝕刻工藝期間，吸附在工藝室壁上的光致抗蝕劑圖案129或氧氣(O2)與阻擋層151反應(yīng)從而形成了金屬氧化物，這改變了基板的蝕刻比率。包括含氟化合物的蝕刻氣體可以容易地去除金屬氧化物。當(dāng)蝕刻氣體包括氯化硼(BCl3)與氟(F)時，可以很容易地去除諸如氧化鈦(TiO2)的金屬氧化物，正如以上示出的化學(xué)方程式(3)所表示的。
在蝕刻第一和第二阻擋圖案131和141以及第一和第二導(dǎo)電粘合圖案127a和127b時可以過蝕刻包括非晶硅的半導(dǎo)體圖案122，由此形成凹槽。這樣就可以調(diào)整半導(dǎo)體圖案122的厚度，從而可控制薄膜晶體管的閾值電壓。
參照圖22，剝離光致抗蝕劑圖案129。在完成剝離之后，就完成了薄膜晶體管的形成，該薄膜晶體管具有柵電極110、柵極絕緣層115、溝道圖案120、源電極130和漏電極140。
參照圖23，在第二基板205上形成透明導(dǎo)電材料以形成公共電極210。
在形成公共電極210之前，可以在第二基板205上形成光阻擋構(gòu)件(未示出)和濾色器層。為了形成光阻擋構(gòu)件和濾色器層，在第二基板205上順序沉積不透明材料和光致抗蝕劑。通過光刻工藝部分地去除不透明材料以形成光阻擋構(gòu)件。光阻擋構(gòu)件可以形成在第一顯示基板上。在其上形成有光阻擋構(gòu)件的第二基板上形成濾色器層。并且，可以在其上形成有光阻擋構(gòu)件和濾色器層的第二基板上形成保護(hù)涂層(overcoating layer)。
由此，形成了具有公共電極210的第二顯示基板20。
參照圖24，在于第一和第二顯示基板10和20之間注入液晶之后，通過密封劑密封第一和第二顯示基板10和20，從而在第一和第二顯示基板10和20之間形成液晶層30?？蛇x擇地，在將液晶滴落到其上形成有密封劑的第一顯示基板10或第二顯示基板20上之后，將第一和第二顯示基板10和20彼此連結(jié)，由此在第一和第二顯示基板10和20之間形成液晶層30。
如上所述形成了液晶顯示器面板，該液晶顯示器面板具有第一顯示基板10、第二顯示基板20和液晶層30。
數(shù)據(jù)線和源電極包括低電阻金屬，以改善顯示設(shè)備的顯示質(zhì)量。并且，由于覆蓋層和阻擋層分別形成于低電阻金屬之上和之下，避免了低電阻金屬上不規(guī)則物的形成以及低電阻金屬原子的擴(kuò)散。
此外，由于通過干式蝕刻工藝來形成阻擋圖案和導(dǎo)電粘合圖案，防止了源電極和漏電極附近導(dǎo)電粘合圖案的殘余物的聚積，改善了設(shè)備的顯示質(zhì)量。
盡管已描述了本發(fā)明的示例性實(shí)施例，但應(yīng)理解的是，本發(fā)明不應(yīng)受限于這些示例性實(shí)施例，在權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的主旨和范圍內(nèi)，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以對本發(fā)明進(jìn)行各種變化和修改。
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管，包括在基板上的柵電極；在所述基板上以絕緣所述柵電極的柵極絕緣層；溝道圖案，所述溝道圖案包括在所述柵電極上的半導(dǎo)體圖案，使該半導(dǎo)體圖案覆蓋所述柵電極；在所述半導(dǎo)體圖案上的第一導(dǎo)電粘合圖案；以及形成在所述半導(dǎo)體圖案上并與所述第一導(dǎo)電粘合圖案隔開的第二導(dǎo)電粘合圖案；源電極，所述源電極具有順序形成在所述第一導(dǎo)電粘合圖案上的第一阻擋圖案、源極圖案和第一覆蓋圖案；以及漏電極，所述漏電極具有順序形成在所述第二導(dǎo)電粘合圖案上的第二阻擋圖案、漏極圖案和第二覆蓋圖案。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中所述第一和第二阻擋圖案包括從鈦、鉭、鎢和鉻所構(gòu)成的組中選取的金屬。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中所述源極圖案和漏極圖案包括從鋁和鋁合金所構(gòu)成的組中選取的金屬。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中所述第一和第二覆蓋圖案包括從鉬和鉬合金所構(gòu)成的組中選取的金屬。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管，其中所述鉬合金包括鉬-鈮。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中所述第一覆蓋圖案、所述第二覆蓋圖案、所述源極圖案和所述漏極圖案包括傾斜的截面輪廓。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中所述第一阻擋圖案的端部以及面對所述第一阻擋圖案的所述端部的所述第二阻擋圖案的端部包括基本豎直的輪廓，并且所述第一導(dǎo)電粘合圖案的端部以及面對所述第一導(dǎo)電粘合圖案的所述端部的所述第二導(dǎo)電粘合圖案的端部包括基本豎直的輪廓。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中所述半導(dǎo)體圖案包括對應(yīng)于所述柵電極的凹槽。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管，其中所述第一和第二導(dǎo)電粘合圖案分別設(shè)置在所述凹槽的兩側(cè)。
10.一種薄膜晶體管的制造方法，該方法包括在基板上形成柵電極；在所述基板上形成柵極絕緣層；在所述柵極絕緣層上形成半導(dǎo)體層和導(dǎo)電粘合層，使得所述半導(dǎo)體層和所述導(dǎo)電粘合層覆蓋所述柵電極；在所述基板之上沉積阻擋層、導(dǎo)電薄層和覆蓋層；部分地蝕刻所述覆蓋層和所述導(dǎo)電薄層，從而在所述柵電極上形成第一覆蓋圖案、與所述第一覆蓋圖案隔開的第二覆蓋圖案、源極圖案、以及與所述源極圖案隔開的漏極圖案；以及部分地蝕刻所述阻擋層和所述導(dǎo)電粘合層，從而在所述柵電極上形成第一阻擋圖案、與所述第一阻擋圖案隔開的第二阻擋圖案、第一導(dǎo)電粘合圖案、以及與所述第一導(dǎo)電粘合圖案隔開的第二導(dǎo)電粘合圖案。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中所述第一和第二阻擋圖案包括從鈦、鉭、鎢和鉻所構(gòu)成的組中選取的金屬。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中所述源極圖案和漏極圖案包括從鋁和鋁合金所構(gòu)成的組中選取的金屬。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中所述第一和第二覆蓋圖案包括從鉬和鉬合金所構(gòu)成的組中選取的金屬。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中所述鉬合金包括鉬-鈮。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中形成所述第一和第二阻擋圖案以及所述第一和第二導(dǎo)電粘合圖案還包括在對應(yīng)于所述柵電極的半導(dǎo)體圖案處形成凹槽。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中所述第一和第二導(dǎo)電粘合圖案分別設(shè)置在所述凹槽的兩側(cè)。
17.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中通過以下步驟形成所述第一和第二覆蓋圖案以及所述源極圖案和漏極圖案部分地蝕刻所述覆蓋層以形成所述第一和第二覆蓋圖案；以及部分地蝕刻所述導(dǎo)電薄層以形成所述源極圖案和所述漏極圖案。
18.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中通過濕式蝕刻工藝形成所述第一和第二覆蓋圖案以及所述源極圖案和漏極圖案。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中通過使用相同蝕刻劑的濕式蝕刻工藝來形成所述第一和第二覆蓋圖案以及所述源極圖案和漏極圖案。
20.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中通過干式蝕刻工藝來形成所述第一和第二阻擋圖案、所述第一和第二導(dǎo)電粘合圖案以及所述半導(dǎo)體圖案。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中用于所述干式蝕刻工藝的蝕刻氣體包括氯或氟。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，還包括去除在所述干式蝕刻工藝期間產(chǎn)生的金屬氧化物。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中所述金屬氧化物由于所述金屬氧化物與所述蝕刻氣體之間的反應(yīng)而被去除。
24.一種顯示設(shè)備，包括第一顯示基板，該第一顯示基板包括薄膜晶體管，該薄膜晶體管具有在第一基板上的柵電極；在所述第一基板上以絕緣所述柵電極的柵極絕緣層；溝道圖案，所述溝道圖案具有在所述柵電極上的半導(dǎo)體圖案，該半導(dǎo)體圖案覆蓋所述柵電極；在所述半導(dǎo)體圖案上的第一導(dǎo)電粘合圖案；以及在所述半導(dǎo)體圖案上并與所述第一導(dǎo)電粘合圖案隔開的第二導(dǎo)電粘合圖案；源電極，所述源電極具有順序形成在所述第一導(dǎo)電粘合圖案上的第一阻擋圖案、源極圖案和第一覆蓋圖案；以及漏電極，所述漏電極具有順序形成在所述第二導(dǎo)電粘合圖案上的第二阻擋圖案、漏極圖案和第二覆蓋圖案；以及電連接到所述漏電極的像素電極；第二顯示基板，該第二顯示基板具有面對所述第一基板的第二基板以及面對所述像素電極的公共電極；以及在所述第一和第二顯示基板之間的液晶層。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的顯示設(shè)備，其中所述第一和第二阻擋圖案包括從鈦、鉭、鎢和鉻所構(gòu)成的組中選取的金屬。
26.根據(jù)權(quán)利要求24所述的顯示設(shè)備，其中所述源極圖案和漏極圖案包括從鋁和鋁合金所構(gòu)成的組中選取的金屬。
27.根據(jù)權(quán)利要求24所述的顯示設(shè)備，其中所述第一和第二覆蓋圖案包括從鉬和鉬合金所構(gòu)成的組中選取的金屬。
28.一種顯示設(shè)備的制造方法，該方法包括在第一基板上順序形成柵電極和柵極絕緣層；在所述柵極絕緣層上順序形成半導(dǎo)體層、導(dǎo)電粘合層、阻擋層、導(dǎo)電薄層和覆蓋層；部分地蝕刻所述覆蓋層和所述導(dǎo)電薄層，從而在所述柵電極上形成第一覆蓋圖案、與所述第一覆蓋圖案隔開的第二覆蓋圖案、源極圖案、以及與所述源極圖案隔開的漏極圖案；部分地蝕刻所述阻擋層和所述導(dǎo)電粘合層，從而在所述柵電極上形成第一阻擋圖案、與所述第一阻擋圖案隔開的第二阻擋圖案、第一導(dǎo)電粘合圖案、以及與所述第一導(dǎo)電粘合圖案隔開的第二導(dǎo)電粘合圖案；形成電連接到所述漏電極的像素電極；在面對所述第一基板的第二基板上形成公共電極；以及在所述第一和第二基板之間形成液晶層。
全文摘要
公開了一種薄膜晶體管，該薄膜晶體管包括在基板上的柵電極，在所述基板上的柵極絕緣層，溝道圖案，源電極和漏電極。所述溝道圖案包括形成在所述柵電極上并覆蓋所述柵電極的半導(dǎo)體圖案；以及形成在所述半導(dǎo)體圖案上并彼此隔開的第一和第二導(dǎo)電粘合圖案。所述源電極包括順序形成在所述第一導(dǎo)電粘合圖案上的第一阻擋圖案、源極圖案和第一覆蓋圖案。所述漏電極包括順序形成在所述第二導(dǎo)電粘合圖案上的第二阻擋圖案、漏極圖案和第二覆蓋圖案。所述第一和第二導(dǎo)電粘合圖案的蝕刻部分具有基本豎直的輪廓從而防止了源電極和漏電極的暴露，由此改善了薄膜晶體管的特性。
文檔編號H01L21/768GK1790750SQ20051012486
公開日2006年6月21日 申請日期2005年11月23日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月8日
發(fā)明者金湘甲, 金時烈, 樸弘植, 崔熙煥, 秦洪基, 吳旼錫 申請人:三星電子株式會社