專利名稱：半導(dǎo)體疊層微型組件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明，涉及一種搭載了半導(dǎo)體元件的樹脂襯底和薄膜部件相互交替疊層所構(gòu)成的立體多層構(gòu)成的半導(dǎo)體疊層微型組件及其制造方法。
背景技術(shù)：
迄今為止，伴隨著手機(jī)或數(shù)碼相機(jī)等各種電子裝置的小型化及高性能化的要求，提出了電子部件，特別是將復(fù)數(shù)個半導(dǎo)體元件疊層整體化的多層構(gòu)造的半導(dǎo)體疊層微型組件的方案。
例如，為實現(xiàn)半導(dǎo)體疊層微型組件的高密度化和薄型化，提出了交替沉積實際安裝半導(dǎo)體元件的電路襯底和層間部件，加熱加壓的半導(dǎo)體疊層微型組件的方案(參見專利文件1)。具體地講，將預(yù)先實際安裝了半導(dǎo)體元件電路襯底和具有可以收納半導(dǎo)體元件的開口部的層間材料通過粘結(jié)劑交替沉積，通過將該沉積體加熱加壓，使半導(dǎo)體元件埋入層間部材的開口部內(nèi)，通過形成在層間部材的導(dǎo)體接線柱進(jìn)行半導(dǎo)體元件之間的電連接。該構(gòu)造中，因為可以求得半導(dǎo)體元件之間距離的縮短，就可以降低因布線電阻或電感引起的不合。其結(jié)果，該半導(dǎo)體疊層微型組件中，可以高速無遲延地傳遞電信號，謀得配線襯底的高密度化、高機(jī)能化及薄型化。
這樣的發(fā)展中，近年開發(fā)了研磨半導(dǎo)體元件使其變薄的技術(shù)和將該薄半導(dǎo)體元件有效地實際安裝到襯底上的技術(shù)，出現(xiàn)多層疊層時的疊層數(shù)更增加的傾向。
還有，例如半導(dǎo)體儲存器中，伴隨著儲存容量的增加，晶片面積也在增大。
還有，以儲存器為主的半導(dǎo)體疊層微型組件中，例如DRAM和SARM的混合安裝或DRAM和閃光儲存器的混合安裝，再有，控制它們的半導(dǎo)體元件也被要求安裝。在這樣的半導(dǎo)體疊層微型組件構(gòu)成的情況下，連接在主印刷電路板的接線柱也大幅度增加。
這樣，隨著小型·多層疊層化，高密度實際安裝，再有搭載晶片的多種混合裝載及大型化的進(jìn)展，由晶片的發(fā)熱容量對襯底的熱應(yīng)力或熱阻急劇增加。由此，由熱應(yīng)力引起的襯底的彎曲使實際安裝精度惡化，由熱阻引起的信號傳遞精度的惡化就不能再無視，半導(dǎo)體疊層微型組件的發(fā)熱防止及放熱成為重要的課題。
到現(xiàn)在為止，做為半導(dǎo)體實際安裝襯底的發(fā)熱抑制及放熱對策，在襯底的背面安裝了放熱器或散熱片等冷卻部件，將傳熱用的金屬媒體與冷卻部件接觸的實際安裝方法的專利提出了許多申請(如專利文獻(xiàn)2)。
(專利文獻(xiàn)1)日本特開平15-218273號公報(專利文獻(xiàn)2)日本特開平09-321188號公報(發(fā)明所要解決的課題)然而，上述的以前方法，任何一項都是在將半導(dǎo)體組件安裝成組合制品的時候在母板上安裝冷卻部件，當(dāng)半導(dǎo)體元件多層疊層實際安裝襯底的各層安裝同樣的冷卻部件的情況下，無法免除隨著部件點(diǎn)數(shù)的增加的成本增加或半導(dǎo)體疊層微型組件的厚度大幅度地增加。
還有，將多層疊層式半導(dǎo)體疊層微型組件如上述的以前的方法，只在母板上安裝冷卻部件的2次實際安裝的話，因冷卻從半導(dǎo)體疊層微型組件的最下層到最上層需要時間，無法避免半導(dǎo)體疊層微型組件整體的放熱效率的降低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明，是以即便是在多層結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體疊層微型組件中，通過抑制從半導(dǎo)體元件的發(fā)熱來抑制疊層襯底的發(fā)熱，防止襯底的彎曲，降低熱阻，更可謀得襯底的長壽命化為目的。
(解決課題的方法)本發(fā)明的半導(dǎo)體疊層微型組件，是搭載了半導(dǎo)體元件的樹脂襯底與薄膜部件交替疊層的半導(dǎo)體疊層微型組件，是以包括設(shè)置在上述薄膜部件中最上層之上的，比上述樹脂襯底及上述薄膜部件放熱性高的電絕緣性剛體，和，貫通上述樹脂襯底及上述薄膜部件，與上述電絕緣性剛體接觸貫通式埋入的導(dǎo)體為特征的。
通過制成這樣的構(gòu)成，將多層構(gòu)成的半導(dǎo)體疊層微型組件實際安裝到母板后使其動作時，從半導(dǎo)體元件的發(fā)熱，通過貫通式埋入導(dǎo)體及電絕緣性剛體的傳播散發(fā)到大氣中。由此，與以前的半導(dǎo)體疊層微型組件相比，在非常短的時間放熱成為可能。還有，本發(fā)明的構(gòu)成，是在以前的半導(dǎo)體疊層微型組件上，只是追加了貫通式埋入導(dǎo)體及電絕緣性剛體板這樣非常簡單的構(gòu)成，可以抑制部件成本及制造成本，薄型化及小型化的實現(xiàn)也成為可能。
再有，疊層后加熱和加壓時，因是介于熱傳導(dǎo)率高的電絕緣性剛體進(jìn)行的，所以對于樹脂襯底或薄膜部件也可以在較均勻的溫度分布下傳熱。
還有，上述構(gòu)成中，上述樹脂襯底，具有設(shè)置了與上述半導(dǎo)體元件連接的接線柱電極的實際安裝區(qū)域，和上述實際安裝區(qū)域外側(cè)的外圍區(qū)域，在位于上述樹脂襯底中上述外圍區(qū)域部分上，還設(shè)置了貫通上述樹脂襯底的第1埋入導(dǎo)體，和電連接上述接線柱電極與上述第1埋入導(dǎo)體的布線圖案，上述薄膜部件，還包括比上述半導(dǎo)體元件厚，比上述實際安裝區(qū)域?qū)挼拈_口區(qū)域的樹脂芯(core)，上述樹脂芯中，在與上述接線柱電極對應(yīng)的位置(從平面上看一致的位置)埋入由埋入導(dǎo)電性樹脂形成的復(fù)數(shù)個第2埋入導(dǎo)體亦可。
通過制成這樣的構(gòu)成，在樹脂襯底上搭載半導(dǎo)體元件后，通過使用設(shè)置在樹脂襯底表面上的布線圖案可以進(jìn)行必要的電檢查或預(yù)燒(burn in)試驗，因此，可以在確認(rèn)該半導(dǎo)體元件為正品后再進(jìn)行疊層化。
還有，上述構(gòu)成中，上述樹脂襯底的上述接線柱電極和上述薄膜部件的上述第2埋入導(dǎo)體相互合位的狀態(tài)下，上述樹脂襯底和上述薄膜部件交替粘結(jié)疊層，上述貫通式埋入導(dǎo)體，最好的是從上述薄膜部件中最上層到上述樹脂襯底中最下層貫通。
還有，上述構(gòu)成中，最好的是通過加壓上述第2埋入導(dǎo)體及上述貫通式埋入導(dǎo)體是可能壓縮變形的，且，通過加壓上述貫通式埋入導(dǎo)體與上述電絕緣性剛體可能接觸。
還有，上述構(gòu)成中，上述樹脂襯底中的最下層，在實際安裝上述半導(dǎo)體元件的面的相反面上，設(shè)置為上述半導(dǎo)體元件與外部器件連接的復(fù)數(shù)個外部連接接線柱亦可。這種情況下，母板上可以使用凸起或焊錫球?qū)嶋H安裝半導(dǎo)體疊層微型組件。且，做為外部連接接線柱而形成的凸起或焊錫球，既可以形成在樹脂襯底的全表面上，也可以集中形成在一定區(qū)域。
還有，上述構(gòu)成中，上述薄膜部件，形成在上述樹脂芯的兩面，還有顯示因加熱軟化粘結(jié)性質(zhì)的粘結(jié)層，上述第2埋入導(dǎo)體，設(shè)置為比上述樹脂芯的兩面更向上下突出的形狀，最好的是貫通上述粘結(jié)層。
還有，上述構(gòu)成中，上述樹脂襯底和上述薄膜部件之間，夾有比上述薄膜部件熱傳導(dǎo)率高的薄板狀媒體，上述薄板狀媒體中，設(shè)置有對應(yīng)于上述第2埋入導(dǎo)體位置的比上述第2埋入導(dǎo)體直徑大的孔部亦可。
特別是，通過將石墨膜那樣的平面方向熱傳導(dǎo)性高薄板狀媒體粘結(jié)在樹脂襯底下表面，通過接線柱等將從半導(dǎo)體元件傳向樹脂襯底的熱量，可以快速地傳給貫通式埋入導(dǎo)體。其結(jié)果，能夠?qū)陌雽?dǎo)體元件的發(fā)熱盡快地散發(fā)到外部。
還有，在上述構(gòu)成中，薄膜部件的開口部內(nèi)的樹脂芯的厚度至少比半導(dǎo)體元件的厚度大。為此，粘結(jié)疊層后的樹脂襯底上實際安裝了的半導(dǎo)體元件上端面和上層樹脂襯底下表面之間產(chǎn)生間隙，動作時半導(dǎo)體元件的發(fā)熱通過連接接線柱只傳給樹脂襯底。然而，上述開口區(qū)域?qū)嶋H上與上述半導(dǎo)體元件具有相同厚度，上述開口區(qū)域內(nèi)的上述樹脂芯中設(shè)置復(fù)數(shù)個熱傳導(dǎo)性高的埋入導(dǎo)體亦可。這種情況下，使薄膜部件成為與半導(dǎo)體元件表面接觸的彈性變形的構(gòu)成亦可?；蛘呤牵谏鲜鰳?gòu)成中的開口區(qū)域，將加熱·加壓時與半導(dǎo)體元件的上端面以彈性變形的方式接觸的熱傳導(dǎo)性高彈性部件，自上層樹脂襯底至薄板狀媒體下表面粘結(jié)的構(gòu)造亦可。通過這樣的構(gòu)造，加上襯底的熱傳導(dǎo)，促進(jìn)從半導(dǎo)體元件的實際安裝面的熱傳導(dǎo)成為可能，所以，能夠更快地將半導(dǎo)體元件的發(fā)熱發(fā)散到外部。
再有，上述構(gòu)成中，將上述第1埋入導(dǎo)體及上述第2埋入導(dǎo)體的排列間距，隨著接近半導(dǎo)體元件設(shè)定為窄間距亦可。這種情況下，當(dāng)半導(dǎo)體元件動作時經(jīng)過接線柱等傳給樹脂襯底的熱，通過從半導(dǎo)體元件近旁開始的埋入導(dǎo)體快速發(fā)散到外部成為可能。
還有，上述構(gòu)成中，與最上層及最下層各自接觸的薄膜部件中的第2埋入導(dǎo)體的直徑，比其他的薄膜部件中的第2埋入導(dǎo)體的直徑小的構(gòu)成亦可。
通常，疊層后加熱·加壓時，因為在配置于中央部附近的樹脂襯底或薄膜部件上不容易施加壓力，就會產(chǎn)生為形成第2埋入導(dǎo)體的導(dǎo)電性樹脂材料無法充分壓縮到孔中的情況。但是，只要將配置在中央部附近的薄膜部件的第2埋入導(dǎo)體直徑增大，可以使整體保持同樣地阻值。還有，由于增大直徑在加壓時的熱傳導(dǎo)也變大，還能夠避免硬化的延遲。
還有，上述構(gòu)成中，上述半導(dǎo)體元件具有接線柱的情況下，上述第1埋入導(dǎo)體及上述第2埋入導(dǎo)體中，連接于上述接線柱的埋入導(dǎo)體的直徑，比上述復(fù)數(shù)個第1埋入導(dǎo)體及上述復(fù)數(shù)個第2埋入導(dǎo)體中沒有連接上述接線柱的埋入導(dǎo)體的直徑大也可以。且，這種情況下的“接線柱”，是預(yù)先設(shè)定的接線柱。這種情況下，預(yù)先設(shè)定的半導(dǎo)體元件接線柱上只要將連接的上述第1埋入導(dǎo)體及上述第2埋入導(dǎo)體的直徑增大，就可以減小阻值，所以能夠防止特性的惡化。例如，只要增大電源線或高速信號線的接線柱上連接的埋入導(dǎo)體的直徑，就不容易產(chǎn)生電壓降低或訛信號。還有，只要不產(chǎn)生電壓下降，在使用半導(dǎo)體疊層微型組件時在埋入導(dǎo)體生成的焦耳熱也能夠減小，可以抑制半導(dǎo)體疊層微型組件的發(fā)熱。
還有，上述構(gòu)成中，上述貫通式埋入導(dǎo)體內(nèi)部，冷卻媒體凝固亦可。且，做為冷卻媒體，使用通過來自外部的半導(dǎo)體元件動作電源供給電源的帕耳貼元件(Peltier元件)等的電-熱交換器亦可。
還有，本發(fā)明的半導(dǎo)體疊層微型組件的制造方法中，將樹脂襯底和薄膜部件與第1埋入導(dǎo)體和第2埋入導(dǎo)體接觸的合位狀態(tài)下，使樹脂襯底和薄膜部件交替疊層。這時，樹脂襯底和薄膜部件之間介有熱傳導(dǎo)性高的薄板狀媒體的情況下，使第2埋入導(dǎo)體與薄板狀媒體的孔部不接觸的狀態(tài)下合位。并且，疊層了最上層的薄膜部件后，再在樹脂襯底中沒有配置布線圖案的區(qū)域，用機(jī)械鉆孔或碳酸激光打開貫通孔后，形成在貫通孔的內(nèi)徑區(qū)域鍍氣了傳熱性高的樹脂粉末的貫通式埋入導(dǎo)體亦可。并且，通過對上述電絕緣性剛體進(jìn)行加壓及加熱，粘結(jié)上述樹脂襯底和上述薄膜部件，且使其電導(dǎo)通。通過這樣的方法，即便是使用實際安裝后通過預(yù)燒試驗等的檢查確認(rèn)了信賴性的樹脂襯底進(jìn)行疊層，在疊層時也不容易產(chǎn)生次品，還能夠減小最后的半導(dǎo)體疊層微型組件的彎曲度。
再有，上述的方法中，通過由加壓及加熱粘結(jié)上述樹脂襯底和上述薄膜部件，上述樹脂襯底上形成的彎曲量預(yù)先可以求得，對應(yīng)上述彎曲量，設(shè)定上述電絕緣性剛體的材料亦可。
通過這個方法，加熱·加壓時對疊層了的樹脂襯底或薄膜部件可以用較為均勻的溫度分布加熱。還有，求出沒有安裝剛性板狀態(tài)下的彎曲量，采用補(bǔ)償該彎曲方向的材料做為剛性板使用，更可以抑制彎曲。例如，將半導(dǎo)體元件、樹脂襯底及薄膜部件按設(shè)定的形狀疊層的情況下、最下層為凸起狀時、使用熱膨脹系數(shù)大的剛性板即可。剛性板可以使用金屬、陶瓷、樹脂等種種的材料，可以進(jìn)行適當(dāng)?shù)剡x擇。
-發(fā)明的效果-本發(fā)明的構(gòu)成中，與以前的半導(dǎo)體疊層微型組件相比，非常短時間的放熱成為可能。還有，也能抑制部件成本或制造成本，實現(xiàn)薄型化及小型化也成為可能。


圖1，是表示第1實施方式的半導(dǎo)體疊層微型組件1的整體構(gòu)成的概略立體圖。
圖2，是表示圖1中半導(dǎo)體疊層微型組件的A-A剖面的剖面圖。
圖3(a)至圖3(c)，是為說明第1樹脂襯底3的構(gòu)造的圖。
圖4(a)至圖4(c)，是為說明薄膜部件5的構(gòu)造的圖。
圖5(a)至圖5(c)，是第1實施方式中的半導(dǎo)體疊層微型組件的制造工序剖面圖。
圖6(a)至圖6(d)，是第1實施方式中的半導(dǎo)體疊層微型組件的制造工序剖面圖。
圖7(a)至圖7(d)，是第1實施方式中的半導(dǎo)體疊層微型組件的制造工序剖面圖。
圖8，是分解表示圖1所示的疊層構(gòu)造的模式剖面圖。
圖9，是表示第2實施方式的半導(dǎo)體疊層微型組件100的構(gòu)造剖面圖。
圖10，是表示使用于第3實施方式的半導(dǎo)體疊層微型組件的第1樹脂襯底110的構(gòu)造的平面圖。
圖11，是表示第4實施方式所涉及的多層構(gòu)造式半導(dǎo)體疊層微型組件200的整體構(gòu)成的概略立體圖。
圖12，是圖11中A-A剖面的剖面圖。
(符號說明)1半導(dǎo)體疊層微型組件2半導(dǎo)體元件3第1樹脂襯底4第2樹脂襯底5、5a薄膜部件7第1埋入導(dǎo)體8剛性板9第2埋入導(dǎo)體10 開口部11 半導(dǎo)體元件連接接線柱12 布線13 連接用區(qū)域14 第3埋入導(dǎo)體15 粘結(jié)層16 第1樹脂基材16 第1樹脂襯底17 第2樹脂基材18 焊錫球19 雙面銅膜襯底20 銅箔21 感光膜22 掩模24 密封樹脂28 墊電極29 第4埋入導(dǎo)體30 半導(dǎo)體晶片
31第1層第1樹脂襯底32第2層第1樹脂襯底33第3層第1樹脂襯底34第4層第1樹脂襯底51第1層薄膜部件52第2層薄膜部件53第3層薄膜部件54第4層薄膜部件55第5層薄膜部件61石墨膜62彈性體63冷卻部件64孔部70貫通孔90貫通孔具體實施方式
(第1實施方式)以下，就關(guān)于本發(fā)明的第1實施方式所涉及的多層構(gòu)造型半導(dǎo)體疊層微型組件的構(gòu)造，參照圖1至圖4加以說明。圖1，是表示第1實施方式的半導(dǎo)體疊層微型組件1的整體構(gòu)成的概略立體圖。圖2，是表示圖1中半導(dǎo)體疊層微型組件的A-A剖面的剖面圖。且，圖1，為了說明方便，將一部分層的厚度方向分割描畫。再且，本申請的附圖中，根據(jù)各個附圖的繪制需要，具有各自的厚度或長度與實際形狀不同的情況。還有，埋入導(dǎo)體或外部連接用的外部連接接線柱的個數(shù)和形狀也與實際的形狀不同，繪制成表示容易的形狀。
如圖1所示那樣，本實施方式的多層構(gòu)成式的半導(dǎo)體疊層微型組件1中，實際安裝了半導(dǎo)體元件2的第1樹脂襯底3和薄膜部件5交替疊層在一起。且為區(qū)別第1樹脂襯底3而稱樹脂襯底中最下層的樹脂襯底為樹脂襯底4。并且，在最上層薄膜部件5的上表面上，設(shè)置了電絕緣性且高放熱性的鋁板等剛性板8，第2樹脂襯底4的下表面上設(shè)置了焊錫球18。本實施方式的疊層組件，是在重疊了第1樹脂襯底3、第2樹脂襯底4、薄膜部件5、剛性板8及焊錫球18后，經(jīng)過加熱及加壓一體化后形成的。再有，如圖2所示那樣，還設(shè)置了貫通第1樹脂襯底3、第2樹脂襯底4及薄膜部件5，具有高傳熱性的放熱專用埋入導(dǎo)體7、14。
以下，進(jìn)一步詳細(xì)說明各部件。圖3(a)至圖3(c)，是為說明第1樹脂襯底3的構(gòu)造的圖。圖3(a)是其上表面圖，圖3(b)是沿圖3(a)B-B線部分的剖面圖，圖3(c)是其下表面圖。如圖1及圖3(a)至圖3(c)所示那樣，第1樹脂襯底3包括第1樹脂基材16、圍繞第1樹脂基材16中搭載實際安裝半導(dǎo)體元件2的區(qū)域周圍配置的復(fù)數(shù)個半導(dǎo)體元件連接接線柱11、設(shè)置在比第1樹脂襯底3中半導(dǎo)體元件連接接線柱11更外側(cè)的區(qū)域的復(fù)數(shù)個第1埋入導(dǎo)體7、與對應(yīng)于半導(dǎo)體元件連接接線柱11的第1埋入導(dǎo)體7連接的復(fù)數(shù)個布線12。且，這些都設(shè)置在第1樹脂襯底3上。
還有，做為第1埋入導(dǎo)體7，使用導(dǎo)電性樹脂材料或者是電鍍導(dǎo)體。再有，該第1埋入導(dǎo)體7的兩端上設(shè)置了連接用區(qū)域13。且，在不與布線12連接的區(qū)域，設(shè)置了第3埋入導(dǎo)體14。
且，相對于樹脂襯底3的厚度60μm～200μm，第1埋入導(dǎo)體7的直徑為0.15mm～0.50mm，其間隔只要設(shè)計為0.30mm～0.75mm的適宜的范圍內(nèi)即可。還有，第2樹脂襯底4的厚度最好的是100μm～300μm，至少要比第1樹脂襯底3厚。并且，埋入第2樹脂襯底4的第1埋入導(dǎo)體7的直徑和間隔與埋入第1樹脂襯底3的同樣設(shè)置。
如圖2所示那樣，半導(dǎo)體元件2由墊電極28在第1樹脂襯底3及第2樹脂襯底4中連接于半導(dǎo)體元件連接接線柱11(如圖3(b)所示)，其周圍由密封樹脂24保護(hù)。該密封樹脂24在保護(hù)半導(dǎo)體元件2的電路形成面的同時還具有吸收熱變形等的作用。且，半導(dǎo)體元件的厚度最好的是30μm～150μm。
且，第2樹脂襯底4，整體上與第1樹脂襯底3有同樣的構(gòu)造，但是，在基板的下表面上，按所規(guī)定間隔形成有與母板(未圖示)連接的連接接線柱的區(qū)域(未圖示)接觸的焊錫球18。使用該焊錫球18進(jìn)行對母板的焊錫結(jié)合。
圖4(a)至圖4(c)，是為說明薄膜部件5的構(gòu)造的圖。圖4(a)是其上表面圖，圖4(b)是沿圖4(a)C-C線部分的剖面圖，圖3(c)是其下表面圖。如圖4(a)至圖4(c)所示那樣，薄膜部件5包括形成在第2樹脂基材17的上表面及下表面的粘結(jié)層15、設(shè)置為第1樹脂襯底3中與第1埋入導(dǎo)體7同樣平面布置由導(dǎo)電性樹脂材料制成的第2埋入導(dǎo)體9、設(shè)置在中央?yún)^(qū)域收容半導(dǎo)體元件2的開口部10。第2埋入導(dǎo)體9，具有其上下方向的兩端從薄膜部件5的表面突出到所規(guī)定的高度的構(gòu)造。還有，該第2埋入導(dǎo)體9在疊層前為半硬化狀態(tài)，由疊層后的加熱和加壓被壓縮硬化的同時，與第1樹脂襯底3及第2樹脂襯底4內(nèi)的第1埋入導(dǎo)體7主要靠機(jī)械接觸進(jìn)行電連接。
在此，第2樹脂基材17的厚度為45μm～200μm，在其兩面設(shè)置了10μm～100μm的粘結(jié)層15。且，第2埋入導(dǎo)體9的直徑與間隔和埋入第1樹脂襯底3的一樣。
還有，薄膜部件5中對應(yīng)于不和第1埋入導(dǎo)體7(如圖3(b)所示)接觸的位置(從平面圖看為一致的位置)上，設(shè)置了即便是機(jī)械地使其接觸，與布線12也不會發(fā)生電連接的第3埋入導(dǎo)體14。第3埋入導(dǎo)體14不像第2埋入導(dǎo)體9那樣為突出的形狀，在沒有設(shè)置連接用區(qū)域13(如圖3(b)所示)的點(diǎn)以外的構(gòu)造與第1埋入導(dǎo)體7具有同樣的構(gòu)造。與第1埋入導(dǎo)體7同樣，材質(zhì)為導(dǎo)電性材料或電鍍導(dǎo)體即可，但最好的是熱傳導(dǎo)性高。
通過這樣做，在疊層最上層的薄膜部件5之上與上述第3埋入導(dǎo)體14接觸的形式，將熱傳導(dǎo)性高具有電絕緣性的由鋁等制成的剛性板8，在平面方向上尺寸與第1樹脂襯底3、第2樹脂襯底4及薄膜部件5一致地疊層。
通過以上那樣的配置構(gòu)成本實施方式的半導(dǎo)體疊層微型組件1。且，做為第1樹脂襯底3、第2樹脂襯底4及薄膜部件5的材質(zhì)，既可以使用玻璃環(huán)氧樹脂或芳族聚酰胺樹脂等的相同種材料，也可以第1樹脂襯底3及第2樹脂襯底4的材質(zhì)使用玻璃環(huán)氧樹脂，薄膜部件5使用芳族聚酰胺樹脂等的不同材料。且，任何一種情況下平面外形形狀都一樣。
接下來，關(guān)于本實施方式的半導(dǎo)體疊層微型組件的制造方法，參照圖5(a)至圖8加以說明。圖5(a)至圖8，是本實施方式中的半導(dǎo)體疊層微型組件的制造工序剖面圖。
本實施方式的制造方法中，首先由圖5(a)所示的工序，對于結(jié)束了半導(dǎo)體元件2上加工完必要的電路過程的半導(dǎo)體晶片30，在復(fù)數(shù)個半導(dǎo)體元件2的主面焊接區(qū)上由電解電鍍法或柱栓塊焊接法(SBB＝Stud Bump Bong-ing)形成墊電極28。接下來，由圖5(b)所示的工序，通過進(jìn)行機(jī)械切割或激光切割，將半導(dǎo)體晶片30內(nèi)的復(fù)數(shù)個半導(dǎo)體元件2之間配置的分離區(qū)域從主面一側(cè)切到中途深。接下來，由圖5(c)所示的工序，對半導(dǎo)體晶片30的背面，通過化學(xué)蝕刻、背面研磨或等離子蝕刻的任何一種方法，或者是混合并用的方法，將半導(dǎo)體晶片30加工至30μm～150μm的厚度，可使半導(dǎo)體元件2分離為單片。
接下來，參照圖6(a)至圖6(d)，說明制作實際安裝半導(dǎo)體元件2的第1樹脂襯底3及第2樹脂襯底4的方法例。以下，以第1樹脂襯底3為例進(jìn)行說明。還有，說明用玻璃環(huán)氧樹脂做為第1樹脂基材16，用銅箔做為布線12及連接用區(qū)域13的情況。
首先，由圖6(a)所示工序，準(zhǔn)備第1樹脂基材16的兩面形成了銅箔20的兩面貼銅襯底19。該兩面貼銅襯底19，是在厚度為70μm的第1樹脂基材16的兩面粘結(jié)厚度為15μm的銅箔20而成的，總厚為100μm。
接下來，由圖6(b)所示的工序，在該兩面貼銅襯底19的所規(guī)定位置用激光形成貫通孔70。
接下來，由圖6(c)所示工序，在兩面粘貼感光性膜21，通過進(jìn)行平板印刷和蝕刻技術(shù)，在第1樹脂基材16的一面上，形成半導(dǎo)體元件連接接線柱11、連接用區(qū)域13、連接半導(dǎo)體元件連接接線柱11和連接用區(qū)域13的布線12。還有，在第1樹脂基材16的另一面上形成連接用區(qū)域13。之后，剝離兩面的感光性膜21。
接下來，由圖6(d)所示工序，在貫通孔70中填充例如導(dǎo)電性軟膏(未圖示)。只要將該導(dǎo)電性軟膏加熱硬化，就可以得到具有第1埋入導(dǎo)體7的第1樹脂襯底3。且，第1樹脂襯底3及第2樹脂襯底4，不只是上述的制造方法，使用通常制成的兩面布線襯底的制造方法和材料制作亦可。但是，在不與布線12接觸的區(qū)域的貫通孔70中不填充導(dǎo)電性軟膏，而是在表面將熱傳導(dǎo)性高的樹脂材料等(未圖示)蒸鍍或涂布。
接下來，參照圖7(a)至圖7(d)，說明制作薄膜部件5的方法。首先，由圖7(a)所示工序，準(zhǔn)備比半導(dǎo)體元件2厚的，如由玻璃布環(huán)氧樹脂制成的第2樹脂基材17。在此，半導(dǎo)體元件2的厚度為75μm的情況下，最好的是第2樹脂基材17約為100μm的厚度。并且，在第2樹脂基材17兩面上形成厚度約為15μm的環(huán)氧聚酯膠片或熱硬化性粘結(jié)層形成的粘結(jié)層15。
接下來，由圖7(b)所示工序，在第2樹脂基材17及粘結(jié)層15中的所規(guī)定位置上，用激光形成貫通孔90。還有，同時在第2樹脂基材17的中央?yún)^(qū)域形成收納半導(dǎo)體元件2的開口部10。
接下來，由圖7(c)所示的工序，在兩面粘貼掩模22，如用投影印刷法在貫通孔90內(nèi)填充導(dǎo)電性軟膏，由此形成第2埋入導(dǎo)體9。但是，與布線12(如圖2等所示)不接觸的區(qū)域的貫通孔90中不填充導(dǎo)電性軟膏，在其表面蒸鍍或涂布熱傳導(dǎo)性高的樹脂材料等(未圖示)。
接下來，由圖7(d)所示工序，當(dāng)導(dǎo)電性軟膏干燥后，剝?nèi)パ谀?2完成薄膜部件5。且，由于填充了導(dǎo)電性軟膏的第2埋入導(dǎo)體9還處于半硬化狀態(tài)，所以具有加壓·加熱時被壓縮的同時也硬化的特性。
接下來，說明在第1樹脂襯底3及第2樹脂襯底4上實際安裝半導(dǎo)體元件2的工序。半導(dǎo)體元件2的實際安裝，是將半導(dǎo)體元件2的墊電極28(如圖5(c)等所示)和第1樹脂襯底3及第2樹脂襯底4的半導(dǎo)體元件連接接線柱11(如圖6(d)等所示)通過焊錫結(jié)合或?qū)щ娦詷渲Y(jié)合。再有，在結(jié)合后的包括間隙部分涂布密封樹脂24并使其硬化。由此，在第1樹脂襯底3和第2樹脂襯底4上實際安裝半導(dǎo)體元件2。此后，只要進(jìn)行電檢查和預(yù)燒試驗，就可以得到與一般的密封件半導(dǎo)體元件一樣的具有信賴性的半導(dǎo)體元件。
接下來，參照圖8說明實際安裝了半導(dǎo)體元件2的第1樹脂襯底3及第2樹脂襯底4由薄膜部件5疊層整體化的工序。圖8，是分解表示圖1所示的疊層構(gòu)造的模式剖面圖。以下，為了容易說明，將第1樹脂襯底3分為第1層第1樹脂襯底31、第2層第1樹脂襯底32、第3層第1樹脂襯底33及第4層第1樹脂襯底34。還有，薄膜部件5也一樣，第1層薄膜部件51、第2層薄膜部件52、第3層薄膜部件53、第4層薄膜部件54及第5層薄膜部件55。
如圖8所示那樣，最下層配置第2樹脂襯底4，在其上以第1層薄膜部件51和第1層樹脂襯底31的順序配置。再有，按照第2層薄膜部件52、第2層第1樹脂襯底32、第3層薄膜部件53、第3層第1樹脂襯底33、第4層薄膜部件54、第4層第1樹脂襯底34、第5層薄膜部件55及最上層的剛性板8的順序配置。
這時，各自第1樹脂襯底3及第2樹脂襯底4上實際安裝的半導(dǎo)體元件2，配置在各自的上表面上。并且，各自的薄膜部件5的開口部10內(nèi)收納半導(dǎo)體元件2，配置各個第1樹脂襯底3及第2樹脂襯底4。還有，連接各個第1樹脂襯底3及第2樹脂襯底4的連接用區(qū)域13，進(jìn)行與薄膜部件5的第2埋入導(dǎo)體9的突出部接觸的合位。
再有，最上層薄膜部件5的上面，具有與薄膜部件5同樣的平面形狀，將由電絕緣性及熱傳導(dǎo)性高的鋁板等形成的剛性板8以接觸薄膜部件55的第2埋入導(dǎo)體9及第3埋入導(dǎo)體14接觸的方式配置。且，最上層的剛性板8也可以不是鋁板，只要在與薄膜部件55接觸的面上蒸鍍或者涂布電絕緣體，如鐵、銅、42合金那樣的剛性大的導(dǎo)電體也可。再有，只要表層為絕緣狀態(tài)，使用氧化鋯那樣的陶瓷材料或含金屬粉的塑料版等均可。還有，不與導(dǎo)電性的第2埋入導(dǎo)體9接觸，只與熱傳導(dǎo)性而非導(dǎo)電性的第3埋入導(dǎo)體14接觸，只要是設(shè)置了槽或凹穴的構(gòu)造，即便是表面沒有絕緣層，用鐵等剛性大的導(dǎo)電體也無妨。
通過這樣的配置使各個部件緊密結(jié)合后，在大氣中進(jìn)行加熱和加壓。由此，設(shè)置在第1層薄膜部件51到第5層薄膜部件55的粘結(jié)層15軟化，粘結(jié)第2樹脂襯底4和第1樹脂襯底3分為第1層第1樹脂襯底31到第4層第1樹脂襯底34以及最上層的剛性板8。還進(jìn)行，從第2樹脂襯底4和第1樹脂襯底3分為第1層第1樹脂襯底31到第4層第1樹脂襯底34為止的連接用區(qū)域13和，薄膜部件5的第2埋入導(dǎo)體9的機(jī)械接觸使其電連接。也就是，通過加壓·加熱，粘結(jié)層15被軟化的同時導(dǎo)電性軟膏被壓縮緊密地填充到貫通孔中，且生成與連接用區(qū)域13的良好接觸，達(dá)成低阻抗的連接。只要在所規(guī)定時間進(jìn)行加壓·加熱后冷卻取出，就可以得到疊層整體化的多層構(gòu)成式的半導(dǎo)體疊層微型組件。
其后，只要在第2樹脂襯底4下表面的區(qū)域上粘結(jié)焊錫球18，就可以得到母板上實際安裝可能的半導(dǎo)體疊層微型組件1(如圖1所示)。
根據(jù)以上所述的本實施方式的半導(dǎo)體疊層微型組件1的構(gòu)造，可以將驅(qū)動半導(dǎo)體元件2時產(chǎn)生的熱量，通過第1埋入導(dǎo)體7、第2埋入導(dǎo)體9、第3埋入導(dǎo)體14及剛性板8散發(fā)到大氣中(外部)。為此，可以防止妨礙小型化、高密度化及高速傳導(dǎo)化的，由于發(fā)熱產(chǎn)生的樹脂襯底彎曲或驅(qū)動時信號傳送的損失。這樣還可以延長疊層組件的壽命。
還有，實際安裝了半導(dǎo)體元件2以后，通過在第2埋入導(dǎo)體9的凸起部插入接觸栓，或者使預(yù)燒板(未圖示)的先端接觸的方法，可以進(jìn)行必要的電檢查和預(yù)燒試驗。為此，能夠只使用優(yōu)制品做為產(chǎn)品。
還有，在疊層了樹脂襯底3、4或薄膜部件5以后，薄膜部件5的第2埋入導(dǎo)體9由加壓·加熱被壓縮硬化。這時，可以進(jìn)行第2埋入導(dǎo)體9和第1埋入導(dǎo)體7的電連接的同時，還可以實現(xiàn)第2埋入導(dǎo)體9的低阻抗化。
再有，即便是加壓也不會對半導(dǎo)體元件2施加荷重，所以半導(dǎo)體元件2及其連接部不會發(fā)生不良反應(yīng)。
且，上述說明中，關(guān)于第1埋入導(dǎo)體7和第3埋入導(dǎo)體14，是針對樹脂襯底3、4及薄膜部件5的每一層分別加工·制作的。但是，本發(fā)明中，在疊層了樹脂襯底3、4及薄膜部件5之后，設(shè)置粘結(jié)在最上層的剛性板8之前，由機(jī)械轉(zhuǎn)孔或碳酸激光等在疊層體上開孔，在孔的表面蒸鍍或涂布導(dǎo)電性材料或電鍍導(dǎo)體亦可。再有，做為最上層的剛性板8和薄膜部件55的安裝方法，既可以是同時疊層了它們以后通過加壓·加熱粘結(jié)，也可以是安裝薄膜部件5并粘結(jié)以后安裝剛性板8，還可以是設(shè)置剛性板8以后疊層薄膜部件5粘結(jié)。
再有，例如，在疊層剛性板8之前的多層構(gòu)成狀態(tài)下測定彎曲，選擇使用能夠抵消該彎曲的剛性板8亦可。具體地講，為了抵消彎曲，對應(yīng)于彎曲的方向通過計算算出熱膨脹系數(shù)不同的材料的厚度，使用具有該材質(zhì)和厚度的剛性板8即可。
(第2實施方式)以下，就關(guān)于本發(fā)明的第2實施方式所涉及的多層構(gòu)造型半導(dǎo)體疊層微型組件100的構(gòu)造，參照圖9加以說明。圖9，是表示第2實施方式的半導(dǎo)體疊層微型組件100的構(gòu)造的剖面圖。
如圖9所示那樣，本實施方式的多層構(gòu)成式的半導(dǎo)體疊層微型組件100中，薄膜部件5a的厚度形成為比第1實施方式的薄膜部件5厚，且，設(shè)置在薄膜部件5a的開口部區(qū)域的第4埋入導(dǎo)體29與半導(dǎo)體元件2接觸為特征。這些以外的構(gòu)造，與第1實施方式所涉及的半導(dǎo)體疊層微型組件1相同，在此省略說明。
如果第4埋入導(dǎo)體29與第1埋入導(dǎo)體9為同種材料的情況制造就簡單而成為有利點(diǎn)，但是，象第2埋入導(dǎo)體9那樣不需電連接，所以，第4埋入導(dǎo)體29只要是熱傳導(dǎo)性高的材料即便是電絕緣材料也無妨。還有，有關(guān)薄膜部件5的制造方法，通過研磨為半導(dǎo)體元件2的開口部10使其形成亦可，疊層了準(zhǔn)備好有開口部10的層和沒有的層，通過加熱和加壓粘結(jié)也無妨。
本實施方式的半導(dǎo)體疊層微型組件中，可以得到和第1實施方式中敘述的效果同樣的效果。而且，將半導(dǎo)體元件2的發(fā)熱，可以通過第4埋入導(dǎo)體29從表面?zhèn)鲗?dǎo)，更能夠促進(jìn)放熱。
(第3實施方式)以下，就關(guān)于本發(fā)明的第3實施方式所涉及的多層構(gòu)造型半導(dǎo)體疊層微型組件的構(gòu)造，參照圖10加以說明。圖10，是表示使用于第3實施方式的半導(dǎo)體疊層微型組件的第1樹脂襯底110的構(gòu)造平面圖。
如圖10所示那樣，本實施方式的半導(dǎo)體疊層微型組件中，在半導(dǎo)體元件2內(nèi)，預(yù)先設(shè)定的與墊電極連接的第1埋入導(dǎo)體131，形成的比其他第1埋入導(dǎo)體9大為特征。所謂的預(yù)先設(shè)定的墊電極，是在半導(dǎo)體元件2中要求高速動作時的輸入出接線柱或電源接線柱等。且，圖中省略了表示，但是，比構(gòu)成連接它們的輸電線路的第1埋入導(dǎo)體(未圖示)的直徑大，形成在它周圍的連接用區(qū)域13的直徑也增大了。
還有，盡管省略了圖示，薄膜部件5中第2埋入導(dǎo)體9內(nèi)與連接用區(qū)域131同平面位置的直徑也比其他的大。將這樣構(gòu)成的第1樹脂襯底110、第2樹脂襯底4及薄膜部件5，只要用與第1實施方式同樣的方法疊層、加壓·加熱，就可以得到本實施方式的半導(dǎo)體疊層微型組件(未圖示)。
本實施方式的半導(dǎo)體疊層微型組件中，當(dāng)半導(dǎo)體元件2必須接收或發(fā)送高速動作信號或模擬信號的情況下，增大了構(gòu)成接收或發(fā)送這些信號的送電線路的一部分的第1埋入導(dǎo)體7及第2埋入導(dǎo)體9的直徑。為此，可以安定地接收或發(fā)送電信號。再有，因為送電線路的電阻減小，能夠抑制由焦耳熱的組件內(nèi)部的發(fā)熱。
(第4實施方式)以下，就關(guān)于本發(fā)明的第4實施方式所涉及的多層構(gòu)造型半導(dǎo)體疊層微型組件的構(gòu)造，參照圖11及圖12加以說明。圖11，是表示第4實施方式所涉及的多層構(gòu)造式半導(dǎo)體疊層微型組件200的整體構(gòu)成的概略立體圖。圖12，是圖11中A-A剖面的剖面圖。
如圖11所示那樣，本實施方式的多層構(gòu)成式的半導(dǎo)體疊層微型組件200，具有在第1實施方式的半導(dǎo)體疊層微型組件1的第2樹脂襯底4和薄膜部件5之間，插入平面方向?qū)щ娦愿叩氖?1的構(gòu)造。且，薄膜部件5的開口部內(nèi)的石墨膜61和半導(dǎo)體元件2之間設(shè)置了熱傳導(dǎo)性高的彈性體62。彈性體62的平面尺寸在半導(dǎo)體元件2以下，彈性體62具有基本和薄膜部件5和半導(dǎo)體元件2之間的間隙相同的厚度。
還有，本實施方式的多層構(gòu)成式半導(dǎo)體疊層微型組件200中，在第1埋入導(dǎo)體7及第3埋入導(dǎo)體14內(nèi)部，注入了固體型冷卻部件63固化。
還有，為了避免和第1埋入導(dǎo)體7等的導(dǎo)通，石墨膜61中形成了尺寸比第1埋入導(dǎo)體7的連接用區(qū)域13外形大的孔部64(圖11所示)。以上敘述以外的構(gòu)造，與第1實施方式所涉及的半導(dǎo)體疊層微型組件1相同，在此省略說明。
本實施方式的半導(dǎo)體疊層微型組件200中，將半導(dǎo)體元件2的發(fā)熱，可以通過彈性體62從半導(dǎo)體元件2的表面發(fā)散。再有，通過夾入比薄膜部件5的熱傳導(dǎo)性高的平面方向熱傳導(dǎo)材料石墨膜，促進(jìn)了向冷卻部件63的熱傳導(dǎo)，進(jìn)一步促進(jìn)了自剛性板8的散熱。再加上，由冷卻部件63自身，可以強(qiáng)制冷卻半導(dǎo)體元件2的發(fā)熱。
還有，本實施方式中，只要在半導(dǎo)體疊層微型組件1上追加石墨膜61和彈性體62即可，制造也是容易的。
且，上述構(gòu)成中，第1埋入導(dǎo)體7及第3埋入導(dǎo)體14內(nèi)，做為冷卻部件63提供冷卻水，使其連續(xù)循環(huán)亦可。這種情況下，在二次實際安裝時，冷卻水不需不漏出貫通通道(via)以外?；蛘呤?，插入小直徑的散熱管或珀耳貼元件等熱交換部件亦可。
且，第1至第4實施方式中，做為第1樹脂襯底3，主要以使用了玻璃環(huán)氧樹脂等為例加以了說明，但是本發(fā)明不只限于此。例如，做為第1樹脂襯底3或第2樹脂襯底4的第1樹脂基材16，或者是薄膜部件5的第2樹脂基材，使用含重量百分比為70％至95％的無機(jī)填料和熱硬化性樹脂的混合物亦可。通過使用這樣的材料，可以使熱膨脹系數(shù)接近半導(dǎo)體元件的熱膨脹系數(shù)，可以抑制彎曲。再有，第1至第4的實施方式中，第1埋入導(dǎo)體7及第2埋入導(dǎo)體9以相同的間距進(jìn)行了排列，但是越靠近半導(dǎo)體元件2的襯底內(nèi)側(cè)采用越窄的排列方式亦無妨。由此，半導(dǎo)體元件2的發(fā)熱可以更快地經(jīng)過貫通通道(via)由剛性板8散發(fā)。
-產(chǎn)業(yè)上的利用可能性-本發(fā)明的半導(dǎo)體疊層微型組件，對實現(xiàn)手機(jī)或數(shù)碼相機(jī)等各種電子裝置的小型化、高機(jī)能化極其有用。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體疊層微型組件，是搭載了半導(dǎo)體元件的樹脂襯底與薄膜部件交替疊層而成的半導(dǎo)體疊層微型組件，其特征為包括電絕緣性剛體，設(shè)置在上述薄膜部件中最上層的位置之上，比上述樹脂襯底及上述薄膜部件的放熱性高，和貫通式埋入導(dǎo)體，貫通上述樹脂襯底及上述薄膜部件，與上述電絕緣性剛體接觸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體疊層微型組件，其特征為上述樹脂襯底，具有設(shè)置了與上述半導(dǎo)體元件連接的接線柱電極的實際安裝區(qū)域，和上述實際安裝區(qū)域外側(cè)的外圍區(qū)域，在上述樹脂襯底中位于上述外圍區(qū)域的部分上，還設(shè)置了貫通上述樹脂襯底的第1埋入導(dǎo)體，和電連接上述接線柱電極與上述第1埋入導(dǎo)體的布線圖案，上述薄膜部件，還包括具有比上述半導(dǎo)體元件厚，比上述實際安裝區(qū)域?qū)挼拈_口區(qū)域的樹脂芯，在上述樹脂芯中，設(shè)置有向?qū)?yīng)于上述接線柱電極的位置埋入了由導(dǎo)電性樹脂形成的復(fù)數(shù)個第2埋入導(dǎo)體。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體疊層微型組件，其特征為在上述樹脂襯底的上述接線柱電極和上述薄膜部件的上述第2埋入導(dǎo)體相互合位的狀態(tài)下，將上述樹脂襯底和上述薄膜部件交替粘結(jié)疊層，上述貫通式埋入導(dǎo)體，從上述薄膜部件中的位于最上層的位置貫通到上述樹脂襯底中的位于最下層的位置。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體疊層微型組件，其特征為通過加壓，上述第2埋入導(dǎo)體及上述貫通式埋入導(dǎo)體是可能壓縮變形的，且，通過加壓，上述貫通式埋入導(dǎo)體與上述電絕緣性剛體可能接觸。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體疊層微型組件，其特征為在上述樹脂襯底中的最下層中，在與實際安裝上述半導(dǎo)體元件的一面相反一側(cè)的面上，設(shè)置有用以連接上述半導(dǎo)體元件與外部器件的復(fù)數(shù)個外部連接接線柱。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體疊層微型組件，其特征為上述薄膜部件，還具有形成在上述樹脂芯的兩面上，因加熱而軟化，顯示粘結(jié)性質(zhì)的粘結(jié)層，上述第2埋入導(dǎo)體，設(shè)置為比上述樹脂芯的兩面更向上下突出的形狀，貫通上述粘結(jié)層。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體疊層微型組件，其特征為上述樹脂襯底和上述薄膜部件之間，夾有比上述薄膜部件的熱傳導(dǎo)率高的薄板狀媒體，在上述薄板狀媒體中，在與上述第2埋入導(dǎo)體對應(yīng)的位置上，設(shè)置有直徑大于上述第2埋入導(dǎo)體直徑的孔部。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體疊層微型組件，其特征為上述開口區(qū)域?qū)嶋H上與上述半導(dǎo)體元件具有相同厚度，在上述開口區(qū)域內(nèi)的上述樹脂芯中設(shè)置復(fù)數(shù)個熱傳導(dǎo)性高的埋入導(dǎo)體。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體疊層微型組件，其特征為將上述第1埋入導(dǎo)體及上述第2埋入導(dǎo)體的排列間距，隨著接近半導(dǎo)體元件設(shè)定為漸漸變窄的間距。
10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體疊層微型組件，其特征為上述半導(dǎo)體元件具有接線柱，上述第1埋入導(dǎo)體及上述第2埋入導(dǎo)體中，連接于上述接線柱的埋入導(dǎo)體的直徑，比上述復(fù)數(shù)個第1埋入導(dǎo)體及上述復(fù)數(shù)個第2埋入導(dǎo)體中的沒有連接于上述接線柱的埋入導(dǎo)體的直徑大。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體疊層微型組件，其特征為在上述貫通式埋入導(dǎo)體內(nèi)部，凝固粘結(jié)了冷卻媒體。
12.一種半導(dǎo)體疊層微型組件的制造方法，制造權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體疊層微型組件，其特征為包括通過對上述電絕緣性剛體進(jìn)行加壓及加熱，來粘結(jié)上述樹脂襯底和上述薄膜部件，且使其電導(dǎo)通的工序。
13.一種半導(dǎo)體疊層微型組件的制造方法，制造權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體疊層微型組件，其特征為通過由加壓及加熱粘結(jié)上述樹脂襯底和上述薄膜部件，可以預(yù)先求得上述樹脂襯底產(chǎn)生的彎曲量，對應(yīng)上述彎曲量，設(shè)定上述電絕緣性剛體的材料。
全文摘要
即便是在多層結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體疊層微型組件中，通過抑制從半導(dǎo)體元件的發(fā)熱來抑制疊層襯底的發(fā)熱。本發(fā)明的半導(dǎo)體疊層微型組件(1)，是搭載了半導(dǎo)體元件(2)的第1樹脂襯底(3)和薄膜部件(5)交替疊層的半導(dǎo)體疊層微型組件，包括設(shè)置在上述薄膜部件(5)中最上層之上的，比第1樹脂襯底(3)及薄膜部件(5)放熱性高的剛性板(8)，和貫通第1樹脂襯底(3)及薄膜部件(5)，與剛性板(8)接觸貫通式埋入的第3埋入導(dǎo)體(14)。由此，可以將半導(dǎo)體元件(2)的發(fā)熱，通過第3埋入導(dǎo)體(14)和剛性板(8)發(fā)散到外部。
文檔編號H01L21/50GK1787212SQ20051012489
公開日2006年6月14日 申請日期2005年11月22日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月8日
發(fā)明者石川敬人, 佐藤元昭, 福田敏行, 川端毅, 品川雅俊 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社