專(zhuān)利名稱(chēng)：半導(dǎo)體器件及其制造方法和噴液設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件及其制造方法和噴液設(shè)備。具體地說(shuō)，本發(fā)明涉及可用于諸如復(fù)印機(jī)、電傳真機(jī)、文字處理器，計(jì)算機(jī)等作為信息設(shè)備的輸出終端的記錄設(shè)備的噴液設(shè)備；涉及用于制造脫氧核糖核酸(DNA)芯片、有機(jī)晶體管、濾色鏡等的設(shè)備。本發(fā)明還涉及能適用于該噴液設(shè)備的半導(dǎo)體器件及其制造方法。
背景技術(shù)：
以圖示的記錄設(shè)備如噴墨打印機(jī)說(shuō)明噴液設(shè)備。
常規(guī)的記錄設(shè)備裝有在此作為其記錄頭的電熱轉(zhuǎn)換元件和驅(qū)動(dòng)該電熱轉(zhuǎn)換元件的半導(dǎo)體器件(以下稱(chēng)做“電熱轉(zhuǎn)換元件驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體器件”)。
圖38是展示常規(guī)噴墨記錄頭的局部剖面結(jié)構(gòu)的剖視圖。參考數(shù)字101指單晶硅制成的半導(dǎo)體襯底。
參考數(shù)字102指N-型阱區(qū)，參考數(shù)字108指漏區(qū)；參考數(shù)字115指N型場(chǎng)衰減漏區(qū)；參考數(shù)字107指N型源區(qū)；參考數(shù)字104指柵極。這些元件構(gòu)成用金屬-絕緣體-半導(dǎo)體(MIS)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的電熱轉(zhuǎn)換元件驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體器件130。
此外參考數(shù)字117指作為儲(chǔ)熱層和絕緣體層的氧化硅層；參考數(shù)字118指作為熱電阻器層的氮化鉭膜；參考數(shù)字119指作為布線(xiàn)的鋁合金膜；而參考數(shù)字120指作為保護(hù)膜的氮化硅膜。上述全部元件構(gòu)成記錄頭的襯底140。
這里，參考數(shù)字150指加熱部分，參考數(shù)字160指噴墨部分。而且，頂板170與襯底140一起構(gòu)成液體通路180。
日本特許公開(kāi)5-185594、6-069497、10-034898、等公開(kāi)了別的電熱轉(zhuǎn)換元件驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體器件。
現(xiàn)在盡管對(duì)所述的常規(guī)結(jié)構(gòu)的記錄頭和所述的電熱轉(zhuǎn)換元件驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體器件做了許多改進(jìn)，近來(lái)對(duì)這些產(chǎn)品的以下性能提出了進(jìn)一步的要求能以高速驅(qū)動(dòng)，用更少的能量，高集成度，低生產(chǎn)成本，并具有高性能。特別是常規(guī)記錄頭結(jié)構(gòu)中的轉(zhuǎn)換器件的高集成密度不夠。而且，在常規(guī)記錄頭結(jié)構(gòu)工作中的擊穿電壓下降更容易引起襯底電位(即，自鎖電位)升高。
此外，日本特許公開(kāi)62-098764，5-129597，8-097410，9-307110等公開(kāi)了電熱轉(zhuǎn)換元件驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)。
在用絕緣柵型晶體管驅(qū)動(dòng)電熱轉(zhuǎn)換元件時(shí)，除了要提高其擊穿電壓，還要求改善以下性能能高速驅(qū)動(dòng)，用較少的能量，高度集成；低生產(chǎn)成本，并有高的性能。特別是，在把晶體管器件高密度集成在常規(guī)半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)中時(shí)，晶體管器件的性能一致性不足。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的第1目的是提供一種半導(dǎo)體器件及其制造方法，和噴液設(shè)備。本發(fā)明能減少在擊穿電阻方面占優(yōu)勢(shì)的轉(zhuǎn)換器件在芯片上占的面積，使電熱轉(zhuǎn)換元件驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體器件有更高的集成度。
本發(fā)明的第2目的是提供一種半導(dǎo)體器件及其制造方法，和噴液設(shè)備，它由溝道引起的缺陷發(fā)生的可能性極小，并有性能相同的多個(gè)晶體管，還能使半導(dǎo)體器件的集成度更高。
能達(dá)到本發(fā)明第1目的半導(dǎo)體器件包括多個(gè)電熱轉(zhuǎn)換元件；使電流流過(guò)多個(gè)電熱轉(zhuǎn)換元件的多個(gè)轉(zhuǎn)換器件，其中電熱轉(zhuǎn)換元件和轉(zhuǎn)換器件集成在第1導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體襯底上；每個(gè)所述轉(zhuǎn)換器件是絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，各個(gè)轉(zhuǎn)換器件包括形成在所述半導(dǎo)體襯底的一個(gè)主表面上的第2導(dǎo)電類(lèi)型的第1半導(dǎo)體區(qū)；用于設(shè)置溝道區(qū)的第1導(dǎo)電類(lèi)型的第2半導(dǎo)體區(qū)，所述的第2半導(dǎo)體區(qū)與所述第1半導(dǎo)體區(qū)相鄰；形成在所述第2半導(dǎo)體區(qū)的上表面一側(cè)上的第2導(dǎo)電類(lèi)型源區(qū)；形成在所述第1半導(dǎo)體區(qū)的上表面一側(cè)上的第2導(dǎo)電類(lèi)型的漏區(qū)；和形成在所述溝道區(qū)上的多個(gè)柵電極，這些柵電極與溝道區(qū)之間設(shè)置有柵絕緣膜；以及所述第2半導(dǎo)體區(qū)的雜質(zhì)濃度高于所述第1半導(dǎo)體區(qū)的雜質(zhì)濃度，所述第2半導(dǎo)體區(qū)位于并列設(shè)置的所述漏區(qū)之間。
這里，第2半導(dǎo)體區(qū)最好靠近半導(dǎo)體襯底形成。
而且，最好按橫向交替設(shè)置源區(qū)和漏區(qū)。
所述電熱轉(zhuǎn)換元件最好與漏區(qū)連接。
兩個(gè)柵電極最好形成為其間放置有源區(qū)。
多個(gè)電熱轉(zhuǎn)換元件的配置方向和多個(gè)轉(zhuǎn)換器件的配置方向最好平行。
至少兩個(gè)絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏區(qū)最好與一個(gè)電熱轉(zhuǎn)換元件連接，多個(gè)絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源區(qū)最好公共連接。
絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的有效溝道長(zhǎng)度最好由第2半導(dǎo)體區(qū)與源區(qū)中的橫向擴(kuò)散量之間的差來(lái)確定。
各個(gè)絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管最好包括用于引出電極的第1導(dǎo)電類(lèi)型擴(kuò)散層，該擴(kuò)散層貫穿源區(qū)。
所述柵絕緣膜包括薄的絕緣膜和厚的絕緣膜，而各所述柵電極靠近漏區(qū)一側(cè)的部分形成在厚的絕緣膜上。
各柵電極靠近漏區(qū)一側(cè)的部分最好形成在場(chǎng)絕緣膜上。
第1半導(dǎo)體區(qū)最好從半導(dǎo)體襯底表面引入導(dǎo)電類(lèi)型相反的雜質(zhì)形成阱。
第1半導(dǎo)體區(qū)最好用從半導(dǎo)體襯底表面引入導(dǎo)電類(lèi)型相反的雜質(zhì)形成的多個(gè)阱構(gòu)成，并在每個(gè)漏區(qū)橫向隔離。
第2半導(dǎo)體區(qū)最好包括一個(gè)低區(qū)和一個(gè)高區(qū)，高區(qū)的雜質(zhì)濃度高于低區(qū)的雜質(zhì)濃度。
漏區(qū)最好設(shè)置成與所述柵電極靠近漏區(qū)一側(cè)的端部隔離。
源區(qū)最好與柵電極重疊。
所述漏區(qū)最好和較厚的絕緣膜的端部自對(duì)準(zhǔn)。
第2半導(dǎo)體區(qū)、源區(qū)和漏區(qū)最好有左邊和右邊對(duì)稱(chēng)的剖面結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)用斜向離子注入法引入雜質(zhì)而形成。
半導(dǎo)體襯底最好是相對(duì)于其單晶的晶向方向傾斜的襯底。
最好形成與電熱轉(zhuǎn)換元件對(duì)應(yīng)的排液部分。
用下述半導(dǎo)體器件的制造方法能達(dá)到上述第1目的，其中的半導(dǎo)體器件中，多個(gè)電熱轉(zhuǎn)換元件和使電流流過(guò)多個(gè)電熱轉(zhuǎn)換元件的多個(gè)轉(zhuǎn)換器件集成在第1導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體襯底上，該制造方法包括以下步驟在第1導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體襯底的主表面上形成第2導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體層；在所述半導(dǎo)體層上形成柵絕緣膜；在所述柵絕緣膜上形成柵電極；用所述柵電極作掩模向相鄰的兩個(gè)所述柵電極之間摻雜第1導(dǎo)電類(lèi)型雜質(zhì)；通過(guò)擴(kuò)散所述第1導(dǎo)電類(lèi)型雜質(zhì)在所述相鄰的兩個(gè)柵電極之間的所述第2導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體層上形成一個(gè)半導(dǎo)體區(qū)；和用所述柵電極作掩模，在所述半導(dǎo)體區(qū)的上表面一側(cè)上形成第2導(dǎo)電類(lèi)型的源區(qū)，和在所述第2導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體層的上表面一側(cè)上形成第2導(dǎo)電類(lèi)型漏區(qū)。
用下述半導(dǎo)體器件的制造方法能達(dá)到上述第1目的，其中的半導(dǎo)體器件中，多個(gè)電熱轉(zhuǎn)換元件和使電流流過(guò)多個(gè)電熱轉(zhuǎn)換元件的多個(gè)轉(zhuǎn)換器件集成在第1導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體襯底上，該制造方法包括以下步驟在第1導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體襯底的主表面上形成第2導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體層；在所述半導(dǎo)體層上選擇形成場(chǎng)絕緣膜；在所述半導(dǎo)體層上形成柵絕緣膜；在所述柵絕緣膜和所述場(chǎng)絕緣膜上形成柵電極；用所述柵電極作掩模向相鄰的兩個(gè)所述柵電極之間摻雜第1導(dǎo)電類(lèi)型雜質(zhì)；通過(guò)擴(kuò)散所述第1導(dǎo)電類(lèi)型雜質(zhì)在所述相鄰的兩個(gè)柵電極之間的所述第2導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體層上形成一個(gè)半導(dǎo)體區(qū)；和用所述柵電極作掩模，在所述半導(dǎo)體區(qū)的上表面一側(cè)上形成第2導(dǎo)電類(lèi)型的源區(qū)；和用場(chǎng)絕緣膜作掩模，在所述第2導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體層的上表面一側(cè)上形成第2導(dǎo)電類(lèi)型的漏區(qū)。
這里最好還包括以下步驟在形成半導(dǎo)體區(qū)的步驟之后，經(jīng)柵電極至少給放在半導(dǎo)體區(qū)的表面?zhèn)鹊脑磪^(qū)與半導(dǎo)體層之間的一個(gè)溝道區(qū)進(jìn)行第1導(dǎo)電類(lèi)型的離子注入；以及進(jìn)行熱處理以電激活注入的雜質(zhì)。
最好也包括以下步驟在形成半導(dǎo)體區(qū)的步驟之后，經(jīng)柵電極至少給放在半導(dǎo)體區(qū)的表面?zhèn)鹊脑磪^(qū)與半導(dǎo)體層之間的一個(gè)溝道區(qū)進(jìn)行第1導(dǎo)電類(lèi)型的離子注入；以及進(jìn)行熱處理以電激活注入的雜質(zhì)，其中，離子注入是大于小于100keV的能量進(jìn)行硼(B)離子注入的。
作為轉(zhuǎn)換器件的MIS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的至少兩個(gè)漏區(qū)最好與一個(gè)電熱轉(zhuǎn)換元件連接，而多個(gè)MIS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源最好公共連接。
此外，用上述半導(dǎo)體器件的制造方法也能實(shí)現(xiàn)所述第2目的，其中，用該方法能制成與源區(qū)對(duì)稱(chēng)的晶體管結(jié)構(gòu)。
這里，第1導(dǎo)電類(lèi)型雜質(zhì)的摻雜步驟最好包括在半導(dǎo)體襯底旋轉(zhuǎn)時(shí)，給半導(dǎo)體襯底的主表面進(jìn)行斜向離子注入的步驟。
第2導(dǎo)電類(lèi)型源區(qū)的形成步驟最好包括在半導(dǎo)體襯底旋轉(zhuǎn)時(shí)，給半導(dǎo)體襯底的主表面進(jìn)行斜向離子注入的步驟。
第2導(dǎo)電類(lèi)型漏區(qū)的形成步驟最好包括在半導(dǎo)體襯底旋轉(zhuǎn)時(shí)給半導(dǎo)體襯底的主表面進(jìn)行斜向離子注入的步驟。
第1導(dǎo)電類(lèi)型雜質(zhì)的摻雜步驟最好包括按半導(dǎo)體襯底主表面的法線(xiàn)方向給作為半導(dǎo)體襯底的相對(duì)于其單晶的晶向方向傾斜的襯底的主表面進(jìn)行離子注入的步驟。
第2導(dǎo)電類(lèi)型源區(qū)的形成步驟最好包括按半導(dǎo)體襯底主表面的法線(xiàn)方向給作為半導(dǎo)體襯底的相對(duì)于其單晶的晶向方向傾斜的襯底的主表面進(jìn)行離子注入的步驟。
形成第2導(dǎo)電類(lèi)型漏區(qū)的步驟最好包括按半導(dǎo)體襯底主表面法線(xiàn)方向給作為半導(dǎo)體襯底的相對(duì)于其單晶的晶向方向傾斜的襯底的主表面進(jìn)行離子注入的步驟。
第1導(dǎo)電類(lèi)型雜質(zhì)的摻雜步驟最好包括按小于等于100keV的高能量進(jìn)行B離子注入的步驟。
本發(fā)明還提供了一種半導(dǎo)體器件的制造方法，該半導(dǎo)體器件的多個(gè)絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管按矩陣型設(shè)置，所述方法包括以下步驟在第1導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體襯底的一個(gè)主表面上形成第2導(dǎo)電類(lèi)型的第1半導(dǎo)體區(qū)；在所述第1半導(dǎo)體區(qū)上形成柵絕緣膜；在所述柵絕緣膜上形成多個(gè)柵電極；在所述半導(dǎo)體襯底旋轉(zhuǎn)的情況下，用兩個(gè)相鄰的所述柵電極作掩模，以與所述半導(dǎo)體襯底的法線(xiàn)方向所成的固定角度對(duì)所述兩個(gè)相鄰的柵電極之間進(jìn)行第1導(dǎo)電類(lèi)型的雜質(zhì)的注入，其后擴(kuò)散該雜質(zhì)，形成第1導(dǎo)電類(lèi)型的第2半導(dǎo)體區(qū)；和在所述半導(dǎo)體襯底旋轉(zhuǎn)的情況下，以與所述半導(dǎo)體襯底的法線(xiàn)方向所成的固定角度進(jìn)行雜質(zhì)的離子注入，用兩個(gè)所述的柵電極作掩模在所述第2半導(dǎo)體區(qū)中形成第2導(dǎo)電類(lèi)型源區(qū)，并在其間放置有所述第2半導(dǎo)體區(qū)的兩個(gè)所述第1半導(dǎo)體區(qū)中分別形成第2導(dǎo)電類(lèi)型的漏區(qū)。
根據(jù)本發(fā)明的另一種半導(dǎo)體器件制造方法中，所述半導(dǎo)體器件有按矩陣型設(shè)置的多個(gè)絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，所述方法包括以下步驟在第1導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體襯底的一個(gè)主表面上形成第2導(dǎo)電類(lèi)型的第1半導(dǎo)體區(qū)；在所述第1半導(dǎo)體區(qū)上選擇形成場(chǎng)絕緣膜；在所述第1半導(dǎo)體區(qū)上形成柵絕緣膜；在所述柵絕緣膜和所述場(chǎng)絕緣膜上形成柵電極；在所述半導(dǎo)體襯底旋轉(zhuǎn)的情況下，用兩個(gè)所述的柵電極作掩模，以與所述半導(dǎo)體襯底的法線(xiàn)方向所成的固定角度，在所述兩個(gè)柵電極之間注入第1導(dǎo)電類(lèi)型雜質(zhì)，其后，通過(guò)擴(kuò)散該雜質(zhì)，形成第1導(dǎo)電類(lèi)型的第2半導(dǎo)體區(qū)；和在所述半導(dǎo)體襯底旋轉(zhuǎn)的情況下，以與所述半導(dǎo)體襯底法線(xiàn)方向所成的固定角度進(jìn)行雜質(zhì)注入，用兩個(gè)所述柵電極作掩模在所述第2半導(dǎo)體區(qū)中形成第2導(dǎo)電類(lèi)型源區(qū)，并用所述場(chǎng)絕緣膜作掩模，在兩個(gè)其間放置有所述第2半導(dǎo)體區(qū)的所述第1半導(dǎo)體區(qū)中分別形成第2導(dǎo)電類(lèi)型的漏區(qū)。
這里，第2半導(dǎo)體區(qū)最好形成得比第1半導(dǎo)體區(qū)深。
最好形成與漏區(qū)電連接的耐熱元件。
本發(fā)明還提供了一種半導(dǎo)體器件的制造方法。該方法包括以下步驟在第1導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體襯底的一個(gè)主表面上形成第2導(dǎo)電類(lèi)型的第1半導(dǎo)體區(qū)；在所述第1半導(dǎo)體區(qū)上選擇形成場(chǎng)絕緣膜；在所述第1半導(dǎo)體區(qū)上形成柵絕緣膜；在所述柵絕緣膜和所述場(chǎng)絕緣膜上形成柵電極；在所述半導(dǎo)體襯底旋轉(zhuǎn)的情況下，用兩個(gè)所述的柵電極作掩模，以與所述半導(dǎo)體襯底的法線(xiàn)方向所成的固定角度，在所述兩個(gè)柵電極之間注入第1導(dǎo)電類(lèi)型雜質(zhì)，其后，通過(guò)擴(kuò)散該雜質(zhì)，形成第1導(dǎo)電類(lèi)型的第2半導(dǎo)體區(qū)；和在所述半導(dǎo)體襯底旋轉(zhuǎn)的情況下，以與所述半導(dǎo)體襯底法線(xiàn)方向所成的固定角度進(jìn)行雜質(zhì)注入，用兩個(gè)所述柵電極作掩模在所述第2半導(dǎo)體區(qū)中形成第2導(dǎo)電類(lèi)型源區(qū)，并用所述場(chǎng)絕緣膜作掩模，在兩個(gè)其間放置有所述第2半導(dǎo)體區(qū)的所述第1半導(dǎo)體區(qū)中分別形成第2導(dǎo)電類(lèi)型的漏區(qū)。
本發(fā)明提供了又一種半導(dǎo)體器件的制造方法，所述方法包括以下步驟在包括有相對(duì)于低維晶面方向傾斜的晶面取向的一個(gè)主表面的第1導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體襯底上，形成第2導(dǎo)電類(lèi)型的第1半導(dǎo)體區(qū)；在所述第1半導(dǎo)體區(qū)中選擇形成場(chǎng)絕緣膜；在所述第1半導(dǎo)體區(qū)中形成柵絕緣膜；在所述柵絕緣膜和所述場(chǎng)絕緣膜上形成柵電極；在用所述柵電極作掩模、按垂直方向向所述半導(dǎo)體襯底進(jìn)行第1導(dǎo)電類(lèi)型雜質(zhì)的離子注入后，通過(guò)擴(kuò)散該雜質(zhì)，形成第2半導(dǎo)體區(qū)；和垂直于所述半導(dǎo)體襯底分別進(jìn)行雜質(zhì)離子注入，用所述柵電極作掩模，在所述第2半導(dǎo)體區(qū)中形成第2導(dǎo)電類(lèi)型的源區(qū)，和用所述場(chǎng)絕緣膜作掩模，在所述第2導(dǎo)電類(lèi)型的第2半導(dǎo)體區(qū)中形成第2導(dǎo)電類(lèi)型漏區(qū)。
這里半導(dǎo)體襯底的主表面的晶面取向最好向低維晶向傾斜3度至10度的角度范圍。
而且，半導(dǎo)體襯底的主表面的晶面取向最好相對(duì)于(100)晶面以3度至10度的角度范圍傾斜。
半導(dǎo)體襯底的主表面的晶面取向最好相對(duì)于(100)晶面傾斜4度角。
形成第2半導(dǎo)體區(qū)的步驟，最好進(jìn)行第1導(dǎo)電類(lèi)型雜質(zhì)擴(kuò)散，使雜質(zhì)比第1半導(dǎo)體區(qū)深。
多個(gè)絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管設(shè)置成矩陣形。
按照本發(fā)明的半導(dǎo)體器件中，多個(gè)絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管按矩陣型設(shè)置，所述多個(gè)絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管分別包括在包括晶面取向相對(duì)于低維晶面方向傾斜的一個(gè)主表面的第1導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體襯底上形成的第2導(dǎo)電類(lèi)型的第1半導(dǎo)體區(qū)；形成的第1導(dǎo)電類(lèi)型的第2半導(dǎo)體區(qū)分隔所述第1半導(dǎo)體區(qū)，所述第2半導(dǎo)體區(qū)的雜質(zhì)濃度高于所述第1半導(dǎo)體區(qū)的雜質(zhì)濃度；在所述第2半導(dǎo)體區(qū)中形成的第2導(dǎo)電類(lèi)型的源區(qū)；和在所述第1半導(dǎo)體區(qū)中形成的第2導(dǎo)電類(lèi)型的漏區(qū)。
這里，半導(dǎo)體襯底主表面的晶面取向最好相對(duì)于低維晶面取向傾斜范圍3度至10度的角度。
而且，半導(dǎo)體襯底主表面的平面方向最好相對(duì)于(100)晶面傾斜3度至10度的角度范圍。
而且，半導(dǎo)體襯底的主表面的平面方向最好相對(duì)于(100)晶面傾斜4度角。
第2半導(dǎo)體區(qū)的深度最好比第1半導(dǎo)體層的深度深。
按本發(fā)明的噴液設(shè)備包括上面所述的半導(dǎo)體器件，該半導(dǎo)體器件包括與電熱轉(zhuǎn)換元件對(duì)應(yīng)的排液部分，和用于裝用電熱轉(zhuǎn)換元件從排液部分噴出的液體的液體容器；供給驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體器件中的絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管用的驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)的控制器。
按本發(fā)明，由于漏區(qū)濃度能設(shè)定成低于溝道的濃度，能形成足夠深的漏，所以，半導(dǎo)體器件有高擊穿電壓，它可以使大電流流過(guò)，而且，半導(dǎo)體器件有低電阻值，因而能按更高的速度運(yùn)行，而且，半導(dǎo)體器件能實(shí)現(xiàn)高集成度，節(jié)約了能耗。之后，按本發(fā)明的所述結(jié)構(gòu)，即使在要求半導(dǎo)體器件用多個(gè)晶體管構(gòu)成矩陣形結(jié)構(gòu)的情況下，器件之間要進(jìn)行電絕緣也不會(huì)增大生產(chǎn)成本。
而且，按本發(fā)明，能制成特性均勻和高集成度的晶體管矩陣。特別是當(dāng)雙擴(kuò)散MOSFET(DMOS晶體管)用作轉(zhuǎn)換器件時(shí)，能抑制從漏流到襯底的漏電流，和抑制電場(chǎng)強(qiáng)度。因此，能提高擊穿電壓。


通過(guò)以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的描述，本發(fā)明的上述目的，其它目的，發(fā)明的特征和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得更清楚。其中，圖1是按本發(fā)明實(shí)施例1的半導(dǎo)體器件的示意平面圖；圖2是按本發(fā)明實(shí)施例1的半導(dǎo)體器件的示意剖視圖；圖3是按本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的電路結(jié)構(gòu)示意圖；
圖4是按本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的電路圖；圖5是按本發(fā)明實(shí)施例2的半導(dǎo)體器件的示意平面圖；圖6A至6F是圖示按本發(fā)明實(shí)施例2的半導(dǎo)體器件制造工藝的示意剖視圖；圖7是圖示按本發(fā)明實(shí)施例3的半導(dǎo)體器件制造工藝的示意剖視圖；圖8A至8G是按本發(fā)明實(shí)施例4的半導(dǎo)體器件制造工藝的示意剖視圖；圖9是按本發(fā)明實(shí)施例5的半導(dǎo)體器件制造工藝的示意剖視圖；圖10是展示按本發(fā)明的記錄頭結(jié)構(gòu)實(shí)例的示意剖視圖；圖11是一個(gè)半導(dǎo)體器件的示意平面圖；圖12是該半導(dǎo)體器件的示意剖視圖；圖13是又一個(gè)半導(dǎo)體器件的示意平面圖；圖14是該半導(dǎo)體器件的示意剖視圖；圖15是按本發(fā)明實(shí)施例7的半導(dǎo)體器件的示意平面圖；圖16是沿圖15中16-16線(xiàn)的剖視圖；圖17是本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的示意圖；圖18A至18F是按本發(fā)明實(shí)施例8的半導(dǎo)體器件制造工藝的示意剖視圖；圖19是按本發(fā)明實(shí)施例9的半導(dǎo)體器件制造工藝的示意剖視圖；圖20A至20G是按本發(fā)明實(shí)施例10的半導(dǎo)體器件的制造工藝的示意剖視圖；圖21是按本發(fā)明實(shí)施例11的半導(dǎo)體器件制造工藝的示意剖視圖；圖22是展示按本發(fā)明的噴液頭的一部分的示意剖視圖；圖23是半導(dǎo)體器件的剖面結(jié)構(gòu)圖；圖24A是展示半導(dǎo)體器件到半導(dǎo)體襯底的主表面的布局實(shí)例的示意平面圖；圖24B展示出半導(dǎo)體襯底的表面離子注入角的示意圖；圖25A是半導(dǎo)體器件到半導(dǎo)體襯底的主表面的另一布局實(shí)例的示意平面圖；圖25B是展示半導(dǎo)體襯底的表面離子注入角的示意圖；圖26是一個(gè)半導(dǎo)體器件的剖面結(jié)構(gòu)圖；圖27是按本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的示意剖視圖；圖28展示按本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的離子注入方法的示意圖；圖29A是按本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的示意平面圖；圖29B是沿圖29A中29B-29B線(xiàn)的示意剖視圖；圖30A至30E是按本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的示意剖視圖；圖31A至31F是按本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的示意剖視圖；圖32是展示按本發(fā)明的半導(dǎo)體襯底主表面的平面方向的示意圖；圖33是按本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的示意剖視圖；圖34是按本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的電路方框圖；圖35是展示本發(fā)明的噴液頭結(jié)構(gòu)的示意圖；圖36是展示按本發(fā)明的噴液頭外形的示意透視圖；圖37是展示按本發(fā)明的噴液設(shè)備的示意圖；圖38是常規(guī)噴液頭的示意剖視圖；以下將參考附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。
首先，參見(jiàn)圖1至4，詳細(xì)說(shuō)明用于按本發(fā)明實(shí)施例1的噴液設(shè)備的半導(dǎo)體器件。
參考數(shù)字1指P型半導(dǎo)體襯底；參考數(shù)字2指N型阱區(qū)(第1半導(dǎo)體區(qū))；參考數(shù)字4指柵極電極；參考數(shù)字6指P型基區(qū)(第2半導(dǎo)體區(qū))；參考數(shù)字7指N型源區(qū)；參考數(shù)字8和9分別指N型漏區(qū)；參考數(shù)字10指用于引出基極電極的擴(kuò)散層；參考數(shù)字11指接點(diǎn)；參考數(shù)字12指源電極；參考數(shù)字13指漏電極；此外，參考數(shù)字30指絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)；參考符號(hào)Tr1、Tr2和Tr3分別指絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管構(gòu)成的轉(zhuǎn)換器件；參考數(shù)字31、32和33分別指作為負(fù)載的電熱轉(zhuǎn)換元件。
電熱轉(zhuǎn)換元件31至33用薄膜工藝集成在主表面上。類(lèi)似地，轉(zhuǎn)換器件Tr1至Tr3設(shè)在半導(dǎo)體襯底1的表面上。按需要，通過(guò)使電熱轉(zhuǎn)換元件31至33和轉(zhuǎn)換器件Tr1至Tr3的設(shè)置方向相互平行，能進(jìn)一步提高半導(dǎo)體器件的集成度。該情況下，最好按圖1至3所示方式設(shè)置轉(zhuǎn)換器件Tr1至Tr3。這里所用的構(gòu)形中，與電熱轉(zhuǎn)換元件31至33連接的轉(zhuǎn)換器件Tr1至Tr3的所有晶體管有相同的結(jié)構(gòu)，晶體管矩陣中的晶體管之間不要求有隔離區(qū)。
前面所述的之間設(shè)置有漏區(qū)8或9的兩個(gè)柵電極4和兩個(gè)源區(qū)7構(gòu)成了一段。在這些元件中，源區(qū)7由相鄰段共用。
圖3所示實(shí)例中，兩段的漏區(qū)8和9與每個(gè)電熱轉(zhuǎn)換元件31、32和33的一側(cè)端子連接，公共源區(qū)7與供給較低參考電壓，例如0伏，的低參考電壓源連接。每個(gè)電熱轉(zhuǎn)換元件31、32和33的另一側(cè)端子與供給高參考電壓VDD，例如+10V至+30V，的高參考電壓源連接。
下面概要說(shuō)明半導(dǎo)體器件的操作。給P型半導(dǎo)體襯底1和源區(qū)7加參考電壓，例如，地電位。之后，給電熱轉(zhuǎn)換元件31至33的一側(cè)端子加高參考電壓VDD。當(dāng)通過(guò)僅接通開(kāi)關(guān)34而使電流僅流過(guò)，例如，它們中的電熱轉(zhuǎn)換元件31時(shí)，把柵電壓VG加到構(gòu)成轉(zhuǎn)換器件Tr1的這兩段的晶體管的柵電極4上，使轉(zhuǎn)換器件Tr1導(dǎo)通。之后，電流從電源端經(jīng)過(guò)電熱轉(zhuǎn)換元件31和轉(zhuǎn)換器件Tr1流到接地端，在電熱轉(zhuǎn)換元件31中產(chǎn)生熱。之后，正如眾所周知的，使用該產(chǎn)生的噴液。
本實(shí)施例中，如圖1所示，形成深基區(qū)6，以從橫向把前面已形成的阱分割成阱區(qū)2。晶體管30中的阱區(qū)2和基區(qū)6分別構(gòu)成晶體管30的漏和溝道。因此，與常規(guī)的金屬-氧化物-半導(dǎo)體(MOS)晶體管的溝道半導(dǎo)體區(qū)形成后形成漏區(qū)的情況相反，由于在漏形成之后才形成溝道，可把漏區(qū)的雜質(zhì)原子濃度(第1半導(dǎo)體區(qū)中的施主雜質(zhì)濃度)設(shè)定為小于溝道中的雜質(zhì)原子濃度(第2半導(dǎo)體區(qū)中的受主者雜質(zhì)濃度)。晶體管的擊穿電壓是按漏的擊穿電壓確定的，擊穿電壓隨漏區(qū)的雜質(zhì)濃度降低或漏的深度加深而正常地變高。因此，本實(shí)施例中，半導(dǎo)體器件的額定電壓能設(shè)定得更高，可增大電流，因而能實(shí)現(xiàn)器件的高速操作。
而且，用基區(qū)6和源區(qū)7中的橫向擴(kuò)散量之差確定按本實(shí)施例的晶體管30的有效溝道長(zhǎng)度。由于根據(jù)物理系數(shù)確定該橫向擴(kuò)散量，因此，可把有效溝道長(zhǎng)度設(shè)定得短于常規(guī)晶體管的有效溝道長(zhǎng)度。因此，晶體管30的導(dǎo)通電阻可減小。該導(dǎo)通電阻的減小使每單位尺寸流過(guò)的電流量增大，因而能高速運(yùn)行，節(jié)約了能量，提高集成度。
而且，兩個(gè)柵電極4之間設(shè)有源區(qū)7，基區(qū)6和源區(qū)7都可以用柵電極4作掩模按自對(duì)準(zhǔn)方式形成。因此，不會(huì)產(chǎn)生由自對(duì)準(zhǔn)造成的基區(qū)6和源區(qū)7的尺寸差別，可以構(gòu)成晶體管30而其閾值無(wú)任何彌散，并能實(shí)現(xiàn)高的生產(chǎn)能力，還能得到高可靠性。
而且，為了能完全分隔阱區(qū)2，形成基區(qū)6的底部使之有足夠的深度與接地的P型半導(dǎo)體襯底1相接，從而使基區(qū)6到達(dá)襯底1。由于該結(jié)構(gòu)，每段的每個(gè)漏可以在電學(xué)上獨(dú)立地被隔開(kāi)。
因此，即使當(dāng)多個(gè)源區(qū)7和漏區(qū)8和9在不設(shè)任何專(zhuān)用隔離區(qū)的情況下橫向設(shè)置時(shí)，也不會(huì)妨礙每個(gè)轉(zhuǎn)換器件Tr1、Tr2和Tr3的運(yùn)行。
而且，由于形成引出基極電極的擴(kuò)散層10使之貫穿源區(qū)7，基區(qū)6能保持在預(yù)定電位而不會(huì)增加基區(qū)6占據(jù)的面積。
圖3和4示出的結(jié)構(gòu)實(shí)例中，晶體管兩段的兩個(gè)漏連接到能分別驅(qū)動(dòng)的一個(gè)負(fù)載。驅(qū)動(dòng)負(fù)載的導(dǎo)通信號(hào)供給晶體管的柵時(shí)，晶體管處于導(dǎo)通狀態(tài)。之后，電流從一個(gè)漏流到毗鄰該漏兩邊的公共源。如上所述，位于相鄰段的邊界處的源可以公用。
因此，在按矩陣形式設(shè)置本實(shí)施例的晶體管而將其用作噴液設(shè)備的情況下，不必在各個(gè)晶體管之間形成特別專(zhuān)用的半導(dǎo)體構(gòu)成的隔離區(qū)來(lái)分隔P-N結(jié)，也不必形成硅的局部氧化(LOCOS)區(qū)、用于分隔溝道的介質(zhì)等，而且，能制成能流過(guò)大電流和高度集成的半導(dǎo)體器件，能降低生產(chǎn)成本。此外，能充分抑制從漏流過(guò)襯底1的漏電流。
按本發(fā)明實(shí)施例2的噴液設(shè)備用的半導(dǎo)體器件的基本結(jié)構(gòu)與上述實(shí)施例1所述半導(dǎo)體器件的基本結(jié)構(gòu)相同。它們之間的主要差別是漏區(qū)8的位置及其形成工藝不同。
圖5展示出按本發(fā)明實(shí)施例2的噴液設(shè)備用的半導(dǎo)體器件的平面結(jié)構(gòu)，圖6A至6F示出它的剖視圖。
該半導(dǎo)體器件的制造方法大致是這樣一種方法把多個(gè)電熱轉(zhuǎn)換元件和使電流流過(guò)多個(gè)電熱轉(zhuǎn)換元件的多個(gè)轉(zhuǎn)換器件集成在第1導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體襯底上。該方法包括以下步驟在第1導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體襯底1的主表面上形成第2導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體層2，見(jiàn)圖6A；在該半導(dǎo)體層上形成柵絕緣膜203；在柵絕緣膜203上形成柵電極4，見(jiàn)圖6B；用柵電極4作掩模摻雜第1導(dǎo)電類(lèi)型雜質(zhì)，見(jiàn)圖6C；擴(kuò)散第1導(dǎo)電類(lèi)型雜質(zhì)，使其擴(kuò)散深度比第2導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體層深，從而形成一半導(dǎo)體區(qū)，見(jiàn)圖6D；用柵電極4作掩模在半導(dǎo)體區(qū)表面?zhèn)壬闲纬傻?導(dǎo)電類(lèi)型的源區(qū)7，和在第2導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層的表面?zhèn)壬闲纬傻?導(dǎo)電類(lèi)型的漏區(qū)8和9，見(jiàn)圖6E。
以下詳細(xì)說(shuō)明該制造方法。
首先，如圖6A所示，制備P型半導(dǎo)體襯底1。在P型半導(dǎo)體襯底1表面上要形成阱的區(qū)域選擇地引入N型雜質(zhì)，以形成N型阱區(qū)2。N型阱區(qū)2能形成在P型半導(dǎo)體襯底1的整個(gè)表面上。而且，在P型半導(dǎo)體襯底1的整個(gè)表面上形成N型阱區(qū)2時(shí)，可用外延生長(zhǎng)法。
之后，如圖6B所示，用例如熱氧化法，在N型阱區(qū)2上生長(zhǎng)50nm厚的柵絕緣膜(柵氧化膜)203，用例如低壓化學(xué)汽相淀積法(LPCVD)在柵絕緣膜203上淀積膜厚300nm的多晶硅。用例如在LPCVD法淀積的同時(shí)摻磷，或者，用例如離子注入法摻磷，或者在淀積后用固體擴(kuò)散法摻磷，制作具有所要求的布線(xiàn)電阻值的多晶硅。此后，用光刻法構(gòu)圖，腐蝕多晶硅膜。如此能形成MIS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵電極4。
接著，如圖6C所示，靠光刻法構(gòu)圖的性能，形成用于離子注入(沒(méi)畫(huà))的光刻膠掩模，而柵電極4也被用作掩模。之后，進(jìn)行例如硼的P型雜質(zhì)的離子注入，形成雜質(zhì)層205。
接著，如圖6D所示，在電爐內(nèi)、1100℃下，熱處理60分鐘，形成與阱區(qū)2橫向電隔離的、深2.2μm的基區(qū)6。本實(shí)施例中，重要的是為了阱區(qū)2的完全隔離設(shè)計(jì)基區(qū)6經(jīng)過(guò)熱處理要比阱區(qū)2深，按阱區(qū)2的深度，其雜質(zhì)濃度、雜質(zhì)種類(lèi)和雜質(zhì)層205的雜質(zhì)濃度和種類(lèi)確定熱處理的條件。本發(fā)明中用的基區(qū)6的深度的選擇范圍是，例如，約從1μm至3μm，在基區(qū)6最外側(cè)表面的雜質(zhì)濃度的選擇范圍可以是，例如，約從1×1015/cm3至1×1019/cm3。
之后，如圖6E所示，用柵電極4作掩模，進(jìn)行例如砷離子注入，形成源區(qū)7、第1漏區(qū)8和第2漏區(qū)9。因此，用柵電極4自調(diào)節(jié)形成了互相有小部分重疊的源區(qū)7和漏區(qū)8和9。
如圖6F所示，用光刻法構(gòu)圖，形成光刻膠掩模(沒(méi)畫(huà))，用例如離子注入法形成引出基極電極的擴(kuò)散層10。盡管并不總是需要引出基極電極的擴(kuò)散層，但最好在電路設(shè)計(jì)上形成擴(kuò)散層10。而且，當(dāng)在信號(hào)處理的同時(shí)構(gòu)成P型MIS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管時(shí)，形成擴(kuò)散層10不增加任何工藝。之后，在950℃進(jìn)行例如，30分鐘的熱處理，從而激活第1漏區(qū)8、第2漏區(qū)9和引出基極電極的擴(kuò)散層10。
之后，盡管沒(méi)畫(huà)，用化學(xué)氣相淀積法(CVD)淀積一氧化膜，形成層間絕緣膜。然后，開(kāi)出用作接點(diǎn)11的接觸孔，并淀積絕緣材料，見(jiàn)圖1。之后，進(jìn)行構(gòu)圖以形成布線(xiàn)。之后，按需要進(jìn)行多層布線(xiàn)，這樣，制成集成電路。
用已知的薄膜工藝的布線(xiàn)工藝制作電熱轉(zhuǎn)換元件，這些元件集成在襯底1上。該情況下的電路構(gòu)形與前述實(shí)施例中的電路構(gòu)形相同。
由于用柵電極4作掩模進(jìn)行離子注入而形成基區(qū)6、源區(qū)7和漏區(qū)8和9，這些區(qū)域6、7和8是相對(duì)于柵電極4調(diào)節(jié)形成的，因此，能得到高集成度的轉(zhuǎn)換器件矩陣，而且能達(dá)到每個(gè)器件的性能一致。此外，由于在同一工序中形成源區(qū)7和漏區(qū)8和9，所以本實(shí)施例能降低生產(chǎn)成本。
當(dāng)要求進(jìn)一步提高漏區(qū)的擊穿電壓時(shí)，最好與柵電極4的端部離開(kāi)地形成漏區(qū)8和9的端部，如圖1和2所示。特別是用以下方法構(gòu)成半導(dǎo)體器件時(shí)不會(huì)增加光刻步驟的數(shù)量。
圖7是按本發(fā)明實(shí)施例3的半導(dǎo)體器件制造方法的剖視圖。以下說(shuō)明已經(jīng)經(jīng)過(guò)圖6A至6D所示工藝后的制造方法。
如圖7所示，用光刻構(gòu)圖形成光刻膠掩模211。之后，用光刻膠掩模211和柵電極4作掩模，用例如砷進(jìn)行離子注入，形成源區(qū)7，第1漏區(qū)8和第2漏區(qū)9。這時(shí)，重要的是形成光刻膠掩模，使第1漏區(qū)8和第2漏區(qū)9與柵電極4偏離。由此，充分保持每個(gè)漏區(qū)和每個(gè)源區(qū)之間的距離。而且，由于直接在每個(gè)柵下面沒(méi)有高濃度擴(kuò)散層，因而能防止由電場(chǎng)集中而造成的擊穿電壓下降。
此后，圖6F所示工藝之后，制成與例2相似的設(shè)有電熱轉(zhuǎn)換元件的集成電路。
參見(jiàn)圖8A至8G說(shuō)明按本發(fā)明實(shí)施例4的半導(dǎo)體器件的制造方法。
本實(shí)施例的特征是，在比柵絕緣膜203厚的絕緣膜上形成柵電極4的漏邊。
該半導(dǎo)體器件的制造方法所制造的半導(dǎo)體器件中有集成在第1導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體襯底上的多個(gè)電熱轉(zhuǎn)換元件，和使電流流過(guò)多個(gè)電熱轉(zhuǎn)換元件的轉(zhuǎn)換器件。該方法包括以下工藝步驟在第1導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體襯底1的主表面上形成第2導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體層，見(jiàn)圖8A；在半導(dǎo)體層上選擇形成場(chǎng)絕緣膜221，見(jiàn)圖8B；在半導(dǎo)體層上形成柵絕緣膜203，見(jiàn)圖8B；在柵絕緣膜203和場(chǎng)絕緣膜221上形成柵電極4，見(jiàn)圖8C；用柵電極4作掩模摻雜第1導(dǎo)電類(lèi)型雜質(zhì)，見(jiàn)圖8D；把第1導(dǎo)電類(lèi)型雜質(zhì)擴(kuò)散到比第2導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層更深處，以形成一個(gè)半導(dǎo)體區(qū)，見(jiàn)圖8E；用柵電極4作掩模，在該半導(dǎo)體區(qū)的表面?zhèn)壬闲纬傻?導(dǎo)電類(lèi)型源區(qū)7，和用場(chǎng)絕緣膜221作掩模，在第2導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層的表面?zhèn)壬闲纬傻?導(dǎo)電類(lèi)型的漏區(qū)8和9，見(jiàn)圖8F。以下詳細(xì)描述方法。
首先，如圖8A所示，在P型半導(dǎo)體襯底1的表面上形成N型阱區(qū)2。
接著，在阱區(qū)2的表面上用，例如，熱氧化法生長(zhǎng)10nm厚的焊盤(pán)氧化膜(沒(méi)畫(huà))，用，例如，LPCVD法在焊盤(pán)氧化膜上淀積150nm厚的氮化硅膜(沒(méi)畫(huà))。之后，對(duì)氮化硅膜進(jìn)行光刻腐蝕構(gòu)圖。然后，用，例如，熱氧化法選擇生長(zhǎng)500nm厚的場(chǎng)絕緣膜221。之后，用，例如，磷酸完全除去氧化硅膜，和用，例如，10wt％的氫氟酸溶液除去焊盤(pán)氧化膜。用，例如，熱氧化法在N型阱區(qū)2上生長(zhǎng)10nm厚的柵絕緣膜203。這時(shí)，盡管所述的焊盤(pán)氧化膜能用作柵絕緣膜203，因其可靠性問(wèn)題，最好不用。因此，如圖8B所示，在N型阱區(qū)2的規(guī)定位置設(shè)置用作薄氧化膜的柵絕緣膜203和作為厚氧化膜的場(chǎng)絕緣膜(場(chǎng)氧化膜)221。
以下，如圖8C所示，用例如LPCVD法，在柵絕緣膜203和場(chǎng)絕緣膜221上淀積約300nm厚的多晶硅。在用例如LPCVD法淀積的同時(shí)摻磷，或在淀積后用磷摻雜，或用磷進(jìn)行離子注入，或進(jìn)行固體擴(kuò)散，形成具有所需布線(xiàn)電阻值的多晶硅。之后，用光刻法給多晶硅膜構(gòu)圖，使膜的一端終止在柵絕緣膜203上，而另一端終止在場(chǎng)絕緣膜221上；以及腐蝕多晶硅膜。如此就能形成MIS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵電極4。
接下來(lái)，如圖8D所示，用光刻構(gòu)圖，用柵電極4作掩模，通過(guò)，例如，硼的P型雜質(zhì)進(jìn)行選擇性離子注入，形成雜質(zhì)層205。
之后，如圖8E所示，用電爐在例如1100℃進(jìn)行熱處理60分鐘，形成橫向電分隔阱區(qū)2的基區(qū)6。本實(shí)施例中，重要的是設(shè)計(jì)熱處理，使基區(qū)6變得比阱區(qū)2深，從而由基區(qū)6縱向完全把阱區(qū)2分開(kāi)，而且要求設(shè)計(jì)熱處理，使基區(qū)6在橫向上位于柵絕緣膜203和場(chǎng)絕緣膜221之間的邊界附近位置。
其原因是，如果基區(qū)6只形成在柵絕緣膜203一半的距離處，那么，在柵電極4下面產(chǎn)生的電場(chǎng)就有可能集中到薄的柵絕緣膜203上，使柵絕緣膜203損壞。而且，如果基區(qū)6一直形成到厚的場(chǎng)絕緣膜221處，即使給柵電極4加預(yù)定電壓，厚的場(chǎng)絕緣膜221下的基區(qū)6也不會(huì)反轉(zhuǎn)，基區(qū)6起不到MIS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的轉(zhuǎn)換作用。因此，即使該轉(zhuǎn)換器件導(dǎo)通，它的驅(qū)動(dòng)性也被大大損壞了。
因而，按阱區(qū)2的深度、濃度、其雜質(zhì)種類(lèi)和雜質(zhì)層205的雜質(zhì)濃度、雜質(zhì)種類(lèi)和掩模大小確定所述熱處理?xiàng)l件。
之后，如圖8F所示，用例如砷進(jìn)行離子注入，形成源區(qū)7、第1漏區(qū)8和第2漏區(qū)9。這時(shí)，柵電極4起掩模作用，校準(zhǔn)源電極7的端部；場(chǎng)絕緣膜221起掩模作用，校準(zhǔn)漏區(qū)8和9的端部。因此，源區(qū)用柵電極4自調(diào)節(jié)，漏區(qū)8和9用場(chǎng)絕緣膜221自調(diào)節(jié)。
之后，如圖8G所示，用光刻構(gòu)圖，通過(guò)例如離子注入，以形成引出基極電極4的擴(kuò)散層10。盡管不總是需要引出基極電極4的擴(kuò)散層10，但最好在電路設(shè)計(jì)上形成擴(kuò)散層10。而且，當(dāng)在制作信號(hào)處理電路的同時(shí)構(gòu)成P型MIS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管時(shí)，形成擴(kuò)散層10不用增加任何工藝。之后，例如在950℃熱處理30分鐘，激活源區(qū)7，第1漏區(qū)8，第2漏區(qū)9和用于引出基極4的擴(kuò)散層10。因此，在柵電極4下電場(chǎng)集中的漏一側(cè)上用是場(chǎng)氧化膜的場(chǎng)絕緣膜221形成絕緣體，從而提高M(jìn)IS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵和漏之間的擊穿電壓。例如，在同一襯底上形成要求高速操作的互補(bǔ)型MIS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管也要求同時(shí)形成要求高擊穿電壓的MIS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的情況下，可以在互補(bǔ)型MIS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的絕緣區(qū)形成工藝中，用場(chǎng)絕緣膜221形成絕緣體。因此，不用任何附加工藝就能形成非常有效的絕緣體。
之后，盡管沒(méi)畫(huà)出，用CVD法淀積氧化膜形成一層間絕緣膜。然后，打開(kāi)用作接點(diǎn)11的接觸孔(見(jiàn)圖1)，和形成布線(xiàn)。按需要進(jìn)行多層布線(xiàn)，由此制成集成電路。用公知的薄膜工藝按布線(xiàn)形成工藝形成電熱轉(zhuǎn)換元件，元件集成在襯底1上。該情況下的電路構(gòu)形與上述實(shí)施例中的電路構(gòu)形相同。
圖9展示出按本發(fā)明實(shí)施例5的半導(dǎo)體器件的制造方法。這里，說(shuō)明已進(jìn)行實(shí)施例3圖6A至6D所示工藝后的制造方法。
如圖9所示，用光刻構(gòu)圖形成光刻膠掩模211，之后，用光刻膠掩模211作掩模，用例如硼，以加速能為100keV或100keV以上，例如120keV，進(jìn)行離子注入，形成溝道摻雜層232。這時(shí)，重要的是至少在基區(qū)6上的源區(qū)7(實(shí)際上源區(qū)7在目前的工序中還沒(méi)形成，而在下一工序或以后的工序中要形成以及兩阱區(qū)2之間的那部分溝道233上形成溝道摻雜層232。
盡管并不總是需要光刻膠掩模211，但在整個(gè)表面上進(jìn)行離子注入不會(huì)有問(wèn)題。但是，當(dāng)阱區(qū)2的濃度極低時(shí)，最好用光刻膠掩模211。而且，不必在本工藝進(jìn)行溝道摻雜層232的形成?？稍趶幕鶇^(qū)6的形成到最后的激活退火的過(guò)程中進(jìn)行溝道摻雜層232的形成。由此，可按要求的濃度設(shè)計(jì)溝道233，從而可控制MIS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管有要求的閾值。
之后，進(jìn)行圖6E之后同樣的工藝，制成設(shè)有類(lèi)似的電熱轉(zhuǎn)換元件的集成電路。
圖10示出記錄頭的局部結(jié)構(gòu)實(shí)例的剖視圖，這種記錄頭是在諸如噴墨記錄頭的噴液設(shè)備中包括有用圖1至9所示的本發(fā)明的某一實(shí)施例的制造方法制成的半導(dǎo)體器件。這里，參考數(shù)字1指單晶硅構(gòu)成的P型半導(dǎo)體襯底。參考數(shù)字2指N型阱區(qū)；參考數(shù)字4指柵電極；參考數(shù)字6指P型基區(qū)，參考數(shù)字7指N型源區(qū)；參考數(shù)字8指N型漏區(qū)。圖10示意展示出構(gòu)成MIS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管30的元件。如上所述。在按陣列設(shè)置的每個(gè)晶體管(或每段)之間最好不設(shè)專(zhuān)門(mén)的隔離區(qū)。
此外，參考數(shù)字817指諸如二氧化硅等絕緣層，起儲(chǔ)熱層和絕緣層的作用；參考數(shù)字818指氮化鉭，氮化硅鉭等構(gòu)成的耐熱層；參考數(shù)字819指如鋁合金等的布線(xiàn)；參考數(shù)字820指諸如氮化硅等保護(hù)層。這些元件構(gòu)成記錄頭的襯底940。這里，參考數(shù)字850指加熱部分，參考數(shù)字860指噴墨部分。而且，頂板870與襯底940組合構(gòu)成液體通道880。
現(xiàn)在描述本發(fā)明上述每個(gè)實(shí)施例的操作。
圖11和12分別是一個(gè)MIS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管陣列的平面圖和剖視圖。通過(guò)形成在半導(dǎo)體襯底1上的多個(gè)MIS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管中的一個(gè)MIS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的單獨(dú)操作，或通過(guò)其中多個(gè)MIS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的共同操作，能保持使按矩陣連接的電熱轉(zhuǎn)換元件之間保持電隔離。這里參考數(shù)字4指柵電極；參考數(shù)字7指N型源區(qū)；參考數(shù)字8指N型漏區(qū)；參考數(shù)字9指另一N型漏區(qū)；參考數(shù)字11指接點(diǎn)；參考數(shù)字12指源電極；參考數(shù)字13指漏電極；參考數(shù)字15指N型場(chǎng)衰減漏區(qū)。
但是，當(dāng)所述的常規(guī)MIS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管陣列按驅(qū)動(dòng)電熱轉(zhuǎn)換元件必須的大電流驅(qū)動(dòng)時(shí)，漏和阱之間(這里是漏和半導(dǎo)體襯底1之間)的P-N反向偏置結(jié)部分不能承受高電場(chǎng)而產(chǎn)生漏電流。因此，常規(guī)的MIS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管陣列不能滿(mǎn)足所述的電熱轉(zhuǎn)換元件驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體器件關(guān)于擊穿電壓的要求。而且，MIS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的導(dǎo)通電阻大時(shí)，由于MIS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管用在大電流流動(dòng)的狀態(tài)下，所以，電流白白地被該導(dǎo)通電阻消耗掉，因此不能得到電熱轉(zhuǎn)換元件操作所需的電流。
而且，為了提高所述擊穿電壓，可以考慮用圖13的平面和圖14的剖視圖所示的MIS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的陣列。這里，參考數(shù)字1指P型半導(dǎo)體襯底，參考數(shù)字2指N型阱區(qū)，參考數(shù)字4指柵電極，參考數(shù)字6指P型基區(qū)；參考數(shù)字7指N型源區(qū)；參考數(shù)字8指N型漏區(qū)；參考數(shù)字9指另一N型漏區(qū)；參考數(shù)字10指引出基電極的擴(kuò)散層；參考數(shù)字11指接點(diǎn)，參考數(shù)字12指源電極，參考數(shù)字13指漏極。
該MIS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)與常用的那種結(jié)構(gòu)不同。在該結(jié)構(gòu)中，在漏中形成了一個(gè)溝道，以使確定晶體管擊穿電壓的漏做得更深，濃度低。從而提高它的擊穿電壓。
但是，當(dāng)按矩陣設(shè)置MIS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管時(shí)，每個(gè)晶體管的漏只用一個(gè)公用半導(dǎo)體層構(gòu)成，全部漏電位為同一公用電位。因而，如果漏不用在要分別單獨(dú)轉(zhuǎn)換的轉(zhuǎn)換器件之間形成專(zhuān)門(mén)的隔離區(qū)隔離時(shí)，就不能確保電熱轉(zhuǎn)換元件之間的電隔離。而且，企圖重新形成這些隔離區(qū)時(shí)，半導(dǎo)體器件的制造工藝變得復(fù)雜了，而且生產(chǎn)成本升高。此外，形成器件用的面積變得更大。因此，圖13和圖14所示的MIS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)不適用于噴液設(shè)備用的晶體管陣列。
另一方面，按上述各實(shí)施例的半導(dǎo)體器件，它們的漏濃度可設(shè)定成低于它們的溝道濃度，它們的漏能形成得足夠深。因而，這些半導(dǎo)體器件能有高擊穿電壓，能流過(guò)大電流。而且，由于它們低的導(dǎo)通電阻值，所以能以高速操作，能實(shí)現(xiàn)高集成度，并節(jié)約能量。此外，在要求多個(gè)晶體管的矩陣形結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件中，上述各實(shí)施例的半導(dǎo)體器件使得各個(gè)器件容易被隔離。
實(shí)際上，當(dāng)以相同的設(shè)計(jì)原則下用相同的掩模數(shù)量來(lái)設(shè)計(jì)具有與本發(fā)明的半導(dǎo)體器件大致相同的單一器件特性(圖13和14所示結(jié)構(gòu))的MIS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，以使之具有保持電隔離的隔離區(qū)時(shí)，圖13和14所示技術(shù)的MIS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管要求矩陣排列方向上的長(zhǎng)度為12.0μm，以形成它的晶體管段。相反，按矩陣設(shè)置方向的長(zhǎng)度6.0μm，即，圖13和14所示段長(zhǎng)的一半，就能構(gòu)成圖1和2所示的本發(fā)明結(jié)構(gòu)的MIS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的一段。其趨勢(shì)是，前面所述的設(shè)計(jì)原則變得越精細(xì)，長(zhǎng)度比就變得越大。
按本發(fā)明實(shí)施例7的半導(dǎo)體器件包括由多個(gè)絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管構(gòu)成的晶體管矩陣，其中，每個(gè)晶體管包括在第1導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體襯底1的主表面上形成的第2導(dǎo)電類(lèi)型的第1半導(dǎo)體區(qū)；用于分隔第1半導(dǎo)體區(qū)的第1導(dǎo)電類(lèi)型的第2半導(dǎo)體區(qū)；包含在第2半導(dǎo)體區(qū)中的第1導(dǎo)電類(lèi)型的第3半導(dǎo)體區(qū)，其雜質(zhì)原子濃度高于第2半導(dǎo)體區(qū)的雜質(zhì)濃度；在第3半導(dǎo)體區(qū)的表面上形成的第2導(dǎo)電類(lèi)型的源區(qū)7；以及在第1半導(dǎo)體區(qū)的表面上形成的第2導(dǎo)電類(lèi)型的漏區(qū)8。
在前面所述半導(dǎo)體器件及其制造方法中，其漏區(qū)濃度可設(shè)定為低于其溝道的雜質(zhì)濃度。漏能形成得足夠深。因而，該半導(dǎo)體器件有高的擊穿電壓，能流過(guò)大電流。而且，該半導(dǎo)體器件有低的導(dǎo)通電阻，使它能高速操作。而且，還能實(shí)現(xiàn)高集成度和低能耗。此外，通過(guò)在源區(qū)7周?chē)纬傻蜐舛鹊腜型阱區(qū)，使其即使在半導(dǎo)體器件要求有多個(gè)半導(dǎo)體器件構(gòu)成的矩陣結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件中也能確保器件之間的隔離。
圖15是按本發(fā)明實(shí)施例7的半導(dǎo)體器件的平面示意圖；圖16是沿圖15中16-16線(xiàn)的剖視圖。
圖15和16中，參考數(shù)字1指P型半導(dǎo)體襯底；參考數(shù)字22指N型阱區(qū)(第1半導(dǎo)體區(qū))；參考數(shù)字29指P型阱區(qū)(第2半導(dǎo)體區(qū))；參考數(shù)字4指柵極；參考數(shù)字26指P型基區(qū)(第3半導(dǎo)體區(qū))；參考數(shù)字7指N型源區(qū)；參考數(shù)字8指N型漏區(qū)；參考數(shù)字10指引出基極的擴(kuò)散層；參考數(shù)字11指接點(diǎn)；參考數(shù)字12指源電極；參考數(shù)字13指漏電極。
而且，圖17是按矩陣形排列的本發(fā)明的多個(gè)半導(dǎo)體器件的布線(xiàn)連接實(shí)例圖。這些半導(dǎo)體器件將要用作噴液設(shè)備的噴液頭的電熱轉(zhuǎn)換元件驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體器件。
圖17中，參考數(shù)字1指P型半導(dǎo)體襯底；參考數(shù)字22指N型阱區(qū)；參考數(shù)字29指P型阱區(qū)；參考數(shù)字4指柵電極；參考數(shù)字26指P型基區(qū)；參考數(shù)字7指N型源區(qū)；參考數(shù)字8指N型漏區(qū)。圖17的電路結(jié)構(gòu)與圖4的電路結(jié)構(gòu)相同。
本實(shí)施例中，深形成低濃度P型阱區(qū)29，以橫向分隔預(yù)先按足夠深度形成的低濃度N型阱區(qū)22。在低濃度P型阱區(qū)29中形成基區(qū)26。P型阱區(qū)29和基區(qū)26分別執(zhí)行MIS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏和溝道的功能。之后，可設(shè)定漏濃度低于溝道濃度。用漏的擊穿電壓確定晶體管的擊穿電壓。漏的雜質(zhì)濃度越低，漏的深度越深，晶體管的擊穿電壓通常變得越高。因而，晶體管的額定電壓能設(shè)得更高，流過(guò)晶體管的電流能增大，而且，能實(shí)現(xiàn)晶體管的高速操作。
由于晶體管的結(jié)構(gòu)中，形成P型阱區(qū)29以分隔N型阱區(qū)22，各段的漏能按良好的分隔狀態(tài)分別被電學(xué)隔離。
按本發(fā)明實(shí)施例8的用于噴液設(shè)備的半導(dǎo)體器件的基本結(jié)構(gòu)與所述實(shí)施例7的半導(dǎo)體器件的基本結(jié)構(gòu)相同。它們之間的不同點(diǎn)是漏區(qū)8的位置及其形成工藝。
參見(jiàn)圖18A至18F說(shuō)明按本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制造工藝。制造的半導(dǎo)體器件在第1導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體襯底上集成有多個(gè)電熱轉(zhuǎn)換元件，和使電流流過(guò)多個(gè)電熱轉(zhuǎn)換元件的多個(gè)轉(zhuǎn)換器件。該方法包括以下工藝步驟在第1導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體襯底1的主表面上形成第2導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層，見(jiàn)圖18A；在半導(dǎo)體層上形成柵絕緣膜203，見(jiàn)圖18B；在柵絕緣膜203上形成柵電極4，見(jiàn)圖18B；用柵電極4作掩模摻雜第1導(dǎo)電類(lèi)型雜質(zhì)，見(jiàn)圖18C；通過(guò)擴(kuò)散第1導(dǎo)電類(lèi)型雜質(zhì)形成一半導(dǎo)體區(qū)，見(jiàn)圖18D；用柵電極4作掩模，在該半導(dǎo)體區(qū)的表面?zhèn)壬闲纬傻?導(dǎo)電類(lèi)型源區(qū)7，和在第2導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層的表面?zhèn)壬闲纬傻?導(dǎo)電類(lèi)型漏區(qū)8和9，見(jiàn)圖18E。
以下詳細(xì)說(shuō)明本方法。
首先，如圖18A所示，在P型半導(dǎo)體襯底1的表面上形成N型阱區(qū)22。之后，按需要形成橫向隔離N型阱區(qū)22的P型阱區(qū)29。
之后，如圖18B所示，用例如熱氧化法，在N型阱區(qū)22和P型阱區(qū)29上生長(zhǎng)50nm厚的柵絕緣膜(即，柵氧化膜)203，用例如LPCVD法在柵絕緣膜203上淀積約300nm厚的多晶硅膜。在用LPCVD法淀積的同時(shí)，通過(guò)例如摻磷，使多晶硅有所要求的布線(xiàn)電阻值，或者，在用LPCVD法淀積多晶硅之后，用例如離子注入法摻雜例如磷，使多晶硅有所要求的布線(xiàn)電阻值。之后，用光刻法給光刻膠構(gòu)圖，用光刻膠圖形作掩模，腐蝕多晶硅膜。結(jié)果，形成MIS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵電極4。
之后，涂敷沒(méi)畫(huà)出的光刻膠，用光刻法給光刻膠構(gòu)圖，只去掉用于形成基區(qū)26(或雜質(zhì)層205)的區(qū)域中的光刻膠。然后，如圖18C所示，用光刻膠(沒(méi)畫(huà))和柵電極4作掩模，進(jìn)行例如硼的P型雜質(zhì)的選擇離子注入。
之后，如圖18D所示，在電爐中在例如1100℃下進(jìn)行熱處理60分鐘，形成基區(qū)26。重要的是設(shè)計(jì)基區(qū)26，以便用熱處理形成所要求的有效溝道長(zhǎng)度，而不升高基區(qū)26的導(dǎo)通電阻，熱處理?xiàng)l件由P型阱區(qū)29的深度、其雜質(zhì)濃度和雜質(zhì)類(lèi)型，以及雜質(zhì)層205的雜質(zhì)濃度和雜質(zhì)類(lèi)型來(lái)確定。
之后，如圖18E所示，用柵電極4作掩模，通過(guò)，例如，砷進(jìn)行離子注入形成源區(qū)7、第1漏區(qū)8和第2漏區(qū)9。
之后，其上涂敷沒(méi)畫(huà)出的光刻膠，用光刻法給光刻膠構(gòu)圖。接著，如圖18F所示，用例如離子注入法形成引出基極電極的擴(kuò)散層10。盡管并不總是需要該引出基極電極的擴(kuò)散層10，但是，最好在電路設(shè)計(jì)上形成擴(kuò)散層10。而且，在和信號(hào)處理電路同時(shí)形成P型MIS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管時(shí)，不需要增加任何工藝。之后，在例如950℃熱處理30分鐘，于是，激活了源區(qū)7、第1漏區(qū)8、第2漏區(qū)9和引出基極電極的擴(kuò)散層10。
之后，盡管沒(méi)畫(huà)，用CVD法淀積氧化膜，形成層間絕緣膜。之后，打開(kāi)接觸孔并形成布線(xiàn)。然后，按需要進(jìn)行多層布線(xiàn)，制成集成電路。用已知的薄膜工藝在布線(xiàn)形成工序制成電熱轉(zhuǎn)換元件，并把這些元件集成在襯底1上。該情況下的電路結(jié)構(gòu)與上述每個(gè)實(shí)施例中的電路結(jié)構(gòu)相同。
圖19是說(shuō)明按本發(fā)明另一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制造工藝的剖視圖。圖19中，參考數(shù)字29指P型阱區(qū)；參考數(shù)字4指柵電極；參考數(shù)字26指P型基區(qū)；參考數(shù)字7指N型源區(qū)；參考數(shù)字8指N型第1漏區(qū)；參考數(shù)字9指N型第2漏區(qū)；參考數(shù)字211指光刻膠掩模。
本實(shí)施例的目的是提高漏和源之間的擊穿電壓。在進(jìn)行了圖18A至18D所示工藝步驟后，如圖19所示，用光刻法給光刻膠構(gòu)圖形成光刻膠掩模211，之后，用光刻膠掩模211和柵電極4作掩模，用例如砷進(jìn)行離子注入，形成源區(qū)7、第1漏區(qū)8和第2漏區(qū)9。這時(shí)，重要的是形成光刻膠掩模211，使第1漏區(qū)8和第2漏區(qū)9從柵電極4偏移。由此，能充分保持每個(gè)漏和每個(gè)源之間的距離。而且，由于每個(gè)柵的正下方?jīng)]有高濃度擴(kuò)散層，因而能防止因電場(chǎng)集中造成的擊穿電壓下降。
之后，在進(jìn)行了與圖18F所示工藝相似的工藝后，類(lèi)似地制成了設(shè)有電熱轉(zhuǎn)換元件的集成電路。
圖20A至20G是說(shuō)明按本發(fā)明實(shí)施例10的半導(dǎo)體器件制造工藝的剖視圖。
按本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中的半導(dǎo)體器件在第1導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體襯底上集成多個(gè)電熱轉(zhuǎn)換元件，和使電流流過(guò)多個(gè)電熱轉(zhuǎn)換元件的多個(gè)轉(zhuǎn)換器件。該方法包括以下步驟在第1導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體襯底1的主表面上形成第2導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體層，見(jiàn)圖20A；在半導(dǎo)體層上選擇形成場(chǎng)絕緣膜221，見(jiàn)圖20B；在半導(dǎo)體層上形成柵絕緣膜203，見(jiàn)圖20B；在柵絕緣膜203和場(chǎng)絕緣膜221上形成柵電極4，見(jiàn)圖20C；用柵電極4作掩模摻雜第1導(dǎo)電類(lèi)型雜質(zhì)，見(jiàn)圖20D；通過(guò)擴(kuò)散第1導(dǎo)電類(lèi)型雜質(zhì)形成一半導(dǎo)體區(qū)，見(jiàn)圖20E；用柵電極4作掩模，在該半導(dǎo)體區(qū)的表面?zhèn)刃纬傻?導(dǎo)電類(lèi)型源區(qū)7，和用場(chǎng)絕緣膜221作掩模，在第2導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層的表面?zhèn)壬闲纬傻?導(dǎo)電類(lèi)型漏區(qū)8和9，見(jiàn)圖20F。以下將詳細(xì)說(shuō)明該方法。
首先，如圖20A所示，在P型半導(dǎo)體襯底1的表面上形成N型阱區(qū)22。之后，按需要，形成隔離N型阱區(qū)22的P型阱區(qū)29。
之后，如圖20B所示，在N型阱區(qū)22和P型阱區(qū)29的表面上用例如熱氧化生長(zhǎng)10nm厚的焊盤(pán)氧化膜(沒(méi)畫(huà)出)。用例如LPCVD法在焊盤(pán)氧化膜上淀積150nm厚的氮化硅膜(沒(méi)畫(huà)出)。之后對(duì)氮化硅膜進(jìn)行光刻腐蝕，對(duì)氮化硅膜構(gòu)圖。然后，用例如熱氧化法選擇生長(zhǎng)500nm厚的場(chǎng)絕緣膜221。之后，用例如磷酸完全除去氧化硅膜，用例如10wt％的氫氟酸溶液除去焊盤(pán)氧化膜。之后，用例如熱氧化法在N型阱區(qū)22上生長(zhǎng)10nm厚的柵絕緣膜203。這時(shí)，盡管前面所述焊盤(pán)氧化膜能用作柵絕緣膜203，因其可靠性問(wèn)題，而最好不用。因此，如圖20B所示，把作為薄氧化膜的柵絕緣膜203和作為厚氧化膜的場(chǎng)絕緣膜221淀積在N型阱區(qū)22上的規(guī)定位置。
之后，如圖20C所示，用例如LPCVD法在柵絕緣膜203和場(chǎng)絕緣膜221上淀積約300nm厚的多晶硅。在用LPCVD法淀積的同時(shí)，用例如摻雜磷，或者用磷進(jìn)行例如離子注入摻雜，或者在淀積后進(jìn)行固態(tài)磷擴(kuò)散，使多晶硅有所要求的布線(xiàn)電阻值。之后，如圖示，用光刻法給多晶硅膜構(gòu)圖，使膜的一端終止在一個(gè)柵絕緣膜203上，而另一端終止在一個(gè)場(chǎng)絕緣膜221上，腐蝕多晶硅膜。結(jié)果，形成MIS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵電極4。
接著，涂敷沒(méi)畫(huà)出的光刻膠，之后，用光刻法給光刻膠構(gòu)圖，只除去要形成基區(qū)26(或雜質(zhì)層205)的區(qū)域中的光刻膠。之后，如圖20D所示，用光刻膠掩模(沒(méi)畫(huà))和柵電極4作掩模，進(jìn)行例如硼的P型雜質(zhì)的選擇離子注入，形成雜質(zhì)層205。
之后，如圖20E所示，在電爐內(nèi)以例如1100℃進(jìn)行熱處理60分鐘，形成確定MIS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)的有效溝道長(zhǎng)度的基區(qū)26。重要的是設(shè)計(jì)熱處理，以便用基區(qū)26確定要求的有效溝道長(zhǎng)度，以防止其導(dǎo)通電阻升高。而且，就橫向而言，要求設(shè)計(jì)熱處理，使基區(qū)26位于靠近柵絕緣膜203和場(chǎng)絕緣膜221之間的邊界的位置。其原因是，如果形成的基區(qū)26只是到柵絕緣膜203距離的一半，那么，柵電極4下面產(chǎn)生的電場(chǎng)會(huì)集中到薄的柵絕緣膜203上，損壞柵絕緣膜203。而且，如果基區(qū)26一直形成到厚的場(chǎng)絕緣膜221，即使當(dāng)預(yù)定電壓加到柵電極4時(shí)，在厚的場(chǎng)絕緣膜221下的基區(qū)也不反向，基區(qū)26就不執(zhí)行MIS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的轉(zhuǎn)換功能。因此，即使當(dāng)轉(zhuǎn)換器件導(dǎo)通時(shí)，也會(huì)大大損壞它的驅(qū)動(dòng)性能。因而，按P型阱區(qū)29的深度、雜質(zhì)濃度和雜質(zhì)類(lèi)型、雜質(zhì)層205的雜質(zhì)濃度和雜質(zhì)類(lèi)型和掩模尺寸適當(dāng)確定所述熱處理?xiàng)l件。
之后，如圖20F所示，用柵電極4作掩模，用例如砷進(jìn)行離子注入，形成源區(qū)7；用場(chǎng)絕緣膜221作掩模進(jìn)行同樣的離子注入，形成第1漏區(qū)8和第2漏區(qū)9。
之后，涂敷沒(méi)畫(huà)出的光刻膠，并用光刻法給光刻膠構(gòu)圖。之后，只除去要形成引出基極電極4的擴(kuò)散層10的區(qū)域中的光刻膠。之后，如圖20G所示，用例如離子注入法形成要引出基極電極4的擴(kuò)散層10。盡管并不總是需要引出基極4電極的擴(kuò)散層10，但最好在電路設(shè)計(jì)上形成擴(kuò)散層。而且，在形成信號(hào)處理電路的同時(shí)形成P型MIS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，不會(huì)增加工藝數(shù)量。之后，在例如950℃30分鐘熱處理，之后，激活源區(qū)7、第1漏區(qū)8、第2漏區(qū)9和引出基極電極4的擴(kuò)散層10。因此，用場(chǎng)絕緣膜221形成在柵電極4下漏側(cè)上的電場(chǎng)集中處的絕緣體，能提高M(jìn)IS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵和漏之間的擊穿電壓。例如，在形成要求高擊穿電壓的MIS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的同一襯底上同時(shí)形成要求高速操作的互補(bǔ)MIS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的情況下，可以形成絕緣體而不用任何附加工藝。因此，極有效地形成場(chǎng)絕緣膜221。
之后，盡管沒(méi)畫(huà)出，用CVD法淀積氧化膜以形成層間絕緣膜。之后，打開(kāi)接觸孔，形成布線(xiàn)。按需要，進(jìn)行多層布線(xiàn)，這樣，一個(gè)集成電路制成了。用已知的薄膜工藝，按布線(xiàn)形成工藝形成電熱轉(zhuǎn)換元件，電熱轉(zhuǎn)換元件集成在襯底1上。該情況下的電路結(jié)構(gòu)與前述幾個(gè)實(shí)施例中的電路結(jié)構(gòu)相同。
圖21是按本發(fā)明實(shí)施例11的另一制造方法的剖視圖。圖21中，參考數(shù)字22指N型阱區(qū)；參考數(shù)字26指P型基區(qū)；參考數(shù)字7指N型源區(qū)；參考數(shù)字211指光刻膠掩模；參考數(shù)字232指溝道摻雜層；參考數(shù)字233指溝道。
本實(shí)施例的目的是把MIS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的國(guó)值電平控制在規(guī)定的閾值電平。執(zhí)行了圖18A至18D所示工藝后，如圖21所示，用光刻構(gòu)圖法形成光刻膠掩模211，之后，用光刻膠掩模211作掩模，用100keV或100keV以上，例如120keV的加速能，進(jìn)行例如硼離子注入，形成溝道摻雜層232。這時(shí)，重要的是，至少在基區(qū)26中的源區(qū)7中(實(shí)際上在本工藝中還沒(méi)形成源區(qū)，而是在隨后的工藝中形成源區(qū)7)，和在N型阱區(qū)22之間的要成為溝道233的部分中，形成溝道摻雜層232。盡管并不總是需要光刻膠掩模211，但在整個(gè)表面上進(jìn)行離子注入時(shí)它不會(huì)帶來(lái)問(wèn)題。但是，當(dāng)N型阱區(qū)22的濃度極低時(shí)，最好用光刻膠掩模211。而且，在目前的工序中不必進(jìn)行溝道摻雜層232的形成，它可以在在從基區(qū)26的形成至最終的激活退火處理過(guò)程中形成。由此，能按所需的濃度設(shè)計(jì)溝道233，把MIS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管控制到有規(guī)定的國(guó)值。
之后，進(jìn)行與圖18E之后類(lèi)似的工藝，類(lèi)似地制成設(shè)有電熱轉(zhuǎn)換元件的集成電路。
圖22是根據(jù)本發(fā)明前述的實(shí)施例7至11的電熱轉(zhuǎn)換元件驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體器件的記錄頭的局部剖視示意圖。圖22中，參考數(shù)字1指單晶硅制成的P型半導(dǎo)體襯底；參考數(shù)字29指P型阱區(qū)；參考數(shù)字22指N型阱區(qū)；參考數(shù)字8指N型漏區(qū)；參考數(shù)字26指P型基區(qū)；參考數(shù)字7指N型源區(qū)；參考數(shù)字4指柵電極。這些元件構(gòu)成用MIS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的一個(gè)電熱轉(zhuǎn)換元件驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體器件930。817指諸如氧化硅等的絕緣層，它有儲(chǔ)熱層作用；818指耐熱層；819指布線(xiàn)；820指保護(hù)層。這些元件構(gòu)成記錄頭的襯底940。這里850指加熱部分；墨從排料部分860噴出。而且，頂板870結(jié)合襯底940一起形成液體通道880。
如上所述，按本發(fā)明實(shí)施例7至12，它們的漏濃度能設(shè)定得低于它們的溝道濃度，而且漏能形成得較深。因此，這些半導(dǎo)體器件有高擊穿電壓，能流過(guò)大電流。而且，由于它們的導(dǎo)通電阻低，所以能高速操作，從而能實(shí)現(xiàn)高集成度和節(jié)能。而且，按各實(shí)施例的要求有矩陣形結(jié)構(gòu)的多個(gè)晶體管的半導(dǎo)體器件中，各個(gè)器件容易隔離而不增加任何費(fèi)用。
在實(shí)施例7至12中，作為在形成深的N型阱區(qū)22的情況下的措施，通過(guò)引入雜質(zhì)而形成P型阱區(qū)29，之后，在另一工序中形成基區(qū)26。在不需要較深的N型阱區(qū)22時(shí)，通過(guò)在各個(gè)漏區(qū)按橫向?qū)型阱區(qū)22形成隔離，即使基區(qū)26不是形成得比N型阱區(qū)22深，基區(qū)26也與在兩個(gè)相鄰的N型阱區(qū)之間保留有襯底1的上部的P型襯底1相鄰。因此，基區(qū)26和襯底1可以處于同一電位。
以下說(shuō)明按每個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制造方法，大致的特征是包括以下步驟在第1導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體襯底的主表面上形成第2導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體層；在該半導(dǎo)體層上形成柵絕緣膜；在柵絕緣膜上形成柵電極；用柵電極作掩模摻雜第1導(dǎo)電類(lèi)型雜質(zhì)；擴(kuò)散第1導(dǎo)電類(lèi)型雜質(zhì)，形成半導(dǎo)體區(qū)；用柵電極作掩模，在半導(dǎo)體區(qū)的表面?zhèn)壬闲纬傻?導(dǎo)電類(lèi)型源區(qū)，第2導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層的表面?zhèn)壬闲纬傻?導(dǎo)電類(lèi)型漏區(qū)。這些方法的特征還在于能制成相對(duì)于源區(qū)對(duì)稱(chēng)的晶體管結(jié)構(gòu)。以下詳細(xì)說(shuō)明這些方法。
按本發(fā)明實(shí)施例13的半導(dǎo)體器件的制造方法的半導(dǎo)體器件按矩陣形設(shè)置多個(gè)絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。該方法包括以下步驟在第1導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體襯底的主表面上形成第2導(dǎo)電類(lèi)型的阱區(qū)；在阱區(qū)中形成柵絕緣膜；在柵絕緣膜上形成多個(gè)柵電極；在半導(dǎo)體襯底旋轉(zhuǎn)的情況下，按相對(duì)于半導(dǎo)體襯底的法線(xiàn)的固定角，進(jìn)行離子注入，以這種方式，用兩個(gè)柵電極作掩模，在源區(qū)形成一側(cè)上的兩個(gè)相鄰柵電極之間進(jìn)行離子注入后，通過(guò)擴(kuò)散第1導(dǎo)電類(lèi)型雜質(zhì)，形成第1導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體區(qū)；用兩個(gè)柵電極作掩模，在半導(dǎo)體區(qū)中形成第2導(dǎo)電類(lèi)型源區(qū)，和在半導(dǎo)體襯底旋轉(zhuǎn)的情況下，按相對(duì)于半導(dǎo)體襯底的法線(xiàn)方向的固定角，在兩個(gè)淀積的阱區(qū)中分別形成第2導(dǎo)電類(lèi)型漏區(qū)，在它們之間設(shè)置半導(dǎo)體區(qū)，進(jìn)行離子注入。
很多情況下，用半導(dǎo)體晶片制成的各種器件中，按相對(duì)于半導(dǎo)體晶片的主晶方向90度或45度的表面方向形成取向平面(OF)。并使半導(dǎo)體器件的座標(biāo)軸垂直或平行于該取向平面。按垂直方向向半導(dǎo)體襯底的平面方向(例如(100)晶面)進(jìn)行離子注入時(shí)，如果用離子注入法形成按這種配置的器件，就產(chǎn)生溝道。
當(dāng)從垂直于諸如(100)面、(110)面、(111)面等有小指數(shù)的晶面的方向看例如單晶硅的晶體時(shí)，原子串在晶面中占據(jù)的面積是百分之幾，幾乎全部晶面被空間占據(jù)。即，當(dāng)離子按與晶軸相同的角輻射到晶面時(shí)，會(huì)出現(xiàn)大多數(shù)離子到達(dá)晶體里邊而與原子不發(fā)生任何大碰撞的現(xiàn)象。
這種溝道現(xiàn)象發(fā)生時(shí)，硅襯底中的雜質(zhì)分布與假設(shè)硅襯底是非晶型而計(jì)算出的襯底中的注入雜質(zhì)分布大不相同。因而，器件的電特性與設(shè)計(jì)特性大不相同。
因而，用大于以襯底的晶軸、要注入的雜質(zhì)種類(lèi)、注入能等作參數(shù)計(jì)算出的晶體角的注入角，進(jìn)行離子注入時(shí)，通常用溝道防止技術(shù)。
在每一段有一公用漏的MIS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管矩陣的情況下，如圖1所示，由于每個(gè)晶體管的漏公用，構(gòu)成半導(dǎo)體器件的襯底的主表面方向的晶面方向是單晶硅的低尺寸晶面方向，存在著造成相鄰晶體管之間的特性不同的情況。
即，如圖23所示，在MIS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的矩陣設(shè)置有公用漏的情況下，在半導(dǎo)體襯底1上形成阱區(qū)2、基區(qū)6、柵電極4和光刻膠掩模211后，設(shè)定離子束312的入射角θ從柵電極4到半導(dǎo)體襯底(晶片)1的主表面的法線(xiàn)311向漏或源傾斜入射，按從漏區(qū)一側(cè)看的各個(gè)反方向的入射角(-θ)把離子注入設(shè)置在漏區(qū)兩邊的源區(qū)中。
在上述的MIS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制造方法中，由于用P型基區(qū)6和N型源區(qū)7中的雜質(zhì)擴(kuò)散來(lái)調(diào)節(jié)有效溝道，如果按傾斜的入射角進(jìn)行離子注入，那么兩個(gè)相鄰的MIS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的有效溝道長(zhǎng)度彼此不同。
這種情況下，會(huì)出現(xiàn)以下的性能損壞；相鄰晶體管的閾值電壓不相同，MIS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管操作時(shí)，相鄰晶體管中流過(guò)的電流值不同。
由于進(jìn)行離子注入的雜質(zhì)量不同，用不同的離子注入設(shè)備形成P型基區(qū)6和N型源區(qū)7。當(dāng)每臺(tái)離子注入設(shè)備中規(guī)定的臨界的注入角相互不同時(shí)，有公用漏的MIS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的矩陣設(shè)置中，相鄰晶體管的特性有更明顯的差別。
而且，形成基區(qū)時(shí)用的離子注入設(shè)備的臨界入射角越大，形成源區(qū)時(shí)用的離子注入設(shè)備的臨界入射角越小，相鄰晶體管之間的有效溝道長(zhǎng)度的差別越大。
但是，使用有公用漏的MIS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的矩陣設(shè)置時(shí)，如圖24A和24B所示，按與柵電極4的設(shè)置方向相同的方向，設(shè)定離子束313或314與半導(dǎo)體襯底1的主表面的法線(xiàn)311傾斜的入射角θ或-θ，相鄰晶體管之間的特性不產(chǎn)生所述的變化。但是，如圖25A和25B所示，假設(shè)按垂直于柵電極4的設(shè)置方向把離子束方向設(shè)定為從半導(dǎo)體襯底1的主表面的法線(xiàn)311的方向傾斜的入射角θ或-θ的方向，如離子束315或316，矩陣設(shè)置變成了有圖26的右邊和左邊所示的對(duì)稱(chēng)的剖面結(jié)構(gòu)的晶體管矩陣。結(jié)果，產(chǎn)生了矩陣形設(shè)置的相鄰晶體管之間的特性不一致的缺陷。這種離子束入射角的依賴(lài)關(guān)系變成了對(duì)電路布局的很大限制。
因而，本實(shí)施例在半導(dǎo)體襯底旋轉(zhuǎn)時(shí)進(jìn)行離子注入，能使每個(gè)晶體管保持對(duì)稱(chēng)性而與在晶片上的電路布局無(wú)關(guān)。
按本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制造方法，在形成基區(qū)6、源區(qū)7和漏區(qū)8時(shí)，在襯底1(即晶片121)按其外圍方向旋轉(zhuǎn)時(shí)，按臨界角給溝道注入雜質(zhì)，如圖27和28所示。因此，可以在阱受控狀態(tài)下形成基區(qū)端面、源區(qū)7的端面和漏區(qū)8的端面之間的位置關(guān)系，而不管在半導(dǎo)體襯底1的主表面上如何設(shè)置晶體管，其中，基區(qū)6的端面是經(jīng)離子注入引入雜質(zhì)并經(jīng)熱擴(kuò)散注入的雜質(zhì)而形成的，而源區(qū)7和漏區(qū)8的端面是經(jīng)離子注入同樣引入雜質(zhì)和經(jīng)熱擴(kuò)散注入的雜質(zhì)而形成的。
即，用有公用漏的MIS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的矩陣設(shè)置時(shí)，如圖27所示，阱區(qū)2、基區(qū)6、柵電極4和掩模211形成后，從柵電極4至襯底1的表面進(jìn)入漏8或9或源7的方向的離子束317與半導(dǎo)體襯底1(晶片)的法線(xiàn)311的入射角192設(shè)定為θ。在半導(dǎo)體襯底1按其外圓周方向旋轉(zhuǎn)時(shí)，可以按下列方法注入離子束，使離子向掩模211均勻注入。而且，兩個(gè)相鄰的MIS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的有效溝道長(zhǎng)度變成相同或大致相同。
順便說(shuō)一下，在形成基區(qū)6、源區(qū)7和漏區(qū)8、9時(shí)注入雜質(zhì)的過(guò)程中，襯底1最好按10至60rpm的速度旋轉(zhuǎn)。盡管轉(zhuǎn)動(dòng)的中心與離子束的掃描區(qū)相關(guān)，旋轉(zhuǎn)中心可以是晶片中心，也可以是晶片中心之外的位置。而且，最好將雜質(zhì)的離子注入分成4次至8次，按45度至90度的范圍內(nèi)的角度間隔進(jìn)行離子注入，轉(zhuǎn)動(dòng)襯底1。分成8次按45度的角度間隔進(jìn)行離子注入更好。
這樣制成的半導(dǎo)體器件，如圖29A和29B所示，有在右邊和左邊對(duì)稱(chēng)的剖面結(jié)構(gòu)。這里，晶體管包括在半導(dǎo)體襯底1上的阱區(qū)2，將阱區(qū)2完全隔離的深形成的基區(qū)6，在基區(qū)6上形成的源區(qū)7，在阱區(qū)2中形成的漏區(qū)8，在柵絕緣膜上形成的柵電極4，與源區(qū)7連接的源電極12，和與漏區(qū)8連接的漏電極。參考數(shù)字14指接觸孔。
而且，用柵電極4作掩模形成基區(qū)6和源區(qū)7。如上所述，形成上述區(qū)域時(shí)最好按10至60rpm的速度旋轉(zhuǎn)襯底1?；蛘?，最好按45度至90度的角度間隔轉(zhuǎn)動(dòng)襯底1，以4次至8次進(jìn)行離子注入。分成8次按45度的角度間隔進(jìn)行離子注入更好。而且，當(dāng)半導(dǎo)體襯底1的主表面例如是(100)面，(110)面或(111)面時(shí)，離子束相對(duì)于半導(dǎo)體襯底1的法線(xiàn)的傾斜角在3度至10度的范圍內(nèi)，最好是7度。作為制造的優(yōu)選條件，離子束的方向最好相對(duì)于是(100)面的半導(dǎo)體襯底1的法線(xiàn)方向的傾斜角是7度。
結(jié)果，矩陣形設(shè)置的晶體管的溝道長(zhǎng)度變成均勻一致。因而，不會(huì)引起由于對(duì)準(zhǔn)造成的尺寸差別。能制成其閾值沒(méi)有任何彌散的MIS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。而且，能達(dá)到高合格率和高可靠性。
圖13A至13E是說(shuō)明按本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造工藝的剖視圖。
本實(shí)施例是具有按矩陣形設(shè)置的多個(gè)絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制造方法，該方法包括以下步驟在第1導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體襯底1的主表面上形成第2導(dǎo)電類(lèi)型的第1半導(dǎo)體區(qū)，見(jiàn)圖30A；在第1半導(dǎo)體區(qū)上形成柵絕緣膜203，見(jiàn)圖30B；在柵絕緣膜203上形成多個(gè)柵電極4，見(jiàn)圖30B；用兩個(gè)柵電極作掩模，在半導(dǎo)體襯底1旋轉(zhuǎn)的情況下，按對(duì)半導(dǎo)體襯底的法線(xiàn)方向的固定角，對(duì)兩個(gè)相鄰柵電極之間注入雜質(zhì)后，擴(kuò)散第1導(dǎo)電類(lèi)型雜質(zhì)，形成第1導(dǎo)電類(lèi)型的第2半導(dǎo)體區(qū)，見(jiàn)圖30C和30D；用兩個(gè)柵電極作掩模，在第2半導(dǎo)體區(qū)中形成第2導(dǎo)電類(lèi)型源區(qū)，和在半導(dǎo)體襯底1旋轉(zhuǎn)的情況下，按相對(duì)于半導(dǎo)體襯底1的法線(xiàn)方向的固定角，在淀積的兩個(gè)第1半導(dǎo)體區(qū)中分別形成第2導(dǎo)電類(lèi)型的漏區(qū)9，在它們之間放置第2半導(dǎo)體區(qū)進(jìn)行離子注入，見(jiàn)圖30E。以下將詳細(xì)說(shuō)明方法。
如圖30A所示，在P型半導(dǎo)體襯底1的主表面上形成N型阱區(qū)2。N型阱區(qū)2也可以形成在P型半導(dǎo)體襯底1的整個(gè)主表面上，或者，按需要，可選擇形成阱區(qū)2。而且，在P型半導(dǎo)體襯底1的整個(gè)主表面上形成N型阱區(qū)2時(shí)，可用外延生長(zhǎng)法。
之后，如圖30B所示，用例如熱氧化法在N型阱區(qū)2上生長(zhǎng)50nm厚的柵絕緣膜203，用例如LPCVD法在柵絕緣膜203上淀積300nm厚的多晶硅膜。在LPCVD法淀積多晶硅膜的同時(shí)通過(guò)例如摻磷，或者，用例如離子注入法摻磷，或者在多晶硅膜淀積后進(jìn)行固態(tài)擴(kuò)散摻磷，使多晶硅膜有規(guī)定的電阻值。之后，用光刻構(gòu)圖法形成光刻膠掩模(沒(méi)畫(huà))，和腐蝕多晶硅膜，因此，可形成MIS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵電極4。
之后，如圖30C所示，用光刻構(gòu)圖形成光刻膠掩模(沒(méi)畫(huà))，柵電極4也用作掩模。在襯底1按其周邊方向繞其中心旋轉(zhuǎn)的情況下，給半導(dǎo)體襯底1的主表面進(jìn)行例如硼離子注入的P型雜質(zhì)的選擇離子注入，如圖28所示，之后，形成雜質(zhì)層205。
之后，如圖30D所示，在電爐內(nèi)以例如1100℃進(jìn)行熱處理60分鐘，形成在水平方向電隔離阱區(qū)2的基區(qū)6。熱處理最好設(shè)計(jì)成，使基區(qū)6形成得比阱區(qū)2深，以完全隔離阱區(qū)2，熱處理?xiàng)l件按阱區(qū)2的深度、雜質(zhì)濃度和雜質(zhì)類(lèi)型、雜質(zhì)層205的雜質(zhì)濃度以及雜質(zhì)類(lèi)型來(lái)確定。這里所示的結(jié)構(gòu)中，基區(qū)6達(dá)到P型半導(dǎo)體襯底1，但是，基區(qū)6的結(jié)構(gòu)不限于這種結(jié)構(gòu)。
之后，如圖30E所示，在襯底1旋轉(zhuǎn)的情況下，用柵電極4作掩模，進(jìn)行例如砷離子注入，形成第1漏區(qū)8和第2漏區(qū)9。如圖28所示。
之后，在例如950℃進(jìn)行30分鐘熱處理，如此，激活源區(qū)7、第1漏區(qū)8和第2漏區(qū)9。
這里，由于源是公用的，圖左側(cè)的源區(qū)7、基區(qū)6、阱區(qū)2、和第1漏區(qū)8分別構(gòu)成一個(gè)MIS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源、溝道和漏，圖右側(cè)的源區(qū)7、基區(qū)6、阱區(qū)2和第2漏區(qū)9分別構(gòu)成另一個(gè)MIS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源、溝道和漏。
然后，盡管沒(méi)畫(huà)，用CVD法淀積氧化膜形成層間絕緣膜。之后，打開(kāi)接觸孔，形成布線(xiàn)，之后，按需要進(jìn)行多層布線(xiàn)，由此制成集成電路。用已知的薄膜工藝按布線(xiàn)形成工藝制成電熱轉(zhuǎn)換元件，這些元件集成在襯底1上。該情況下的電路結(jié)構(gòu)與上述各實(shí)施例中的電路結(jié)構(gòu)相同。
本實(shí)施例的制造方法適用于制造已說(shuō)明過(guò)的噴液設(shè)備的記錄頭。
圖31A至31F是說(shuō)明按本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制造工藝的剖視圖。
本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件制造工藝中的半導(dǎo)體器件有多個(gè)按矩陣型設(shè)置的絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，該方法包括以下步驟在第1導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體襯底1的主表面上形成第2導(dǎo)電類(lèi)型的阱區(qū)2，見(jiàn)圖31A；在阱區(qū)2上選擇形成場(chǎng)絕緣膜221，見(jiàn)圖31B；在阱區(qū)2上形成柵絕緣膜203，見(jiàn)圖31B；在柵絕緣膜203和場(chǎng)絕緣膜221上形成柵電極4，見(jiàn)圖31C；在半導(dǎo)體襯底1旋轉(zhuǎn)的情況下，用兩個(gè)柵電極作掩模，按與半導(dǎo)體襯底1的法線(xiàn)方向所成的固定角度，在源區(qū)形成一側(cè)的兩個(gè)相鄰柵電極之間注入雜質(zhì)，經(jīng)擴(kuò)散第1導(dǎo)電類(lèi)型的雜質(zhì)，形成第1導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體區(qū)，見(jiàn)圖31D和31E；用兩個(gè)柵電極4作掩模，在半導(dǎo)體區(qū)中形成第2導(dǎo)電類(lèi)型的源區(qū)7，和在半導(dǎo)體襯底1旋轉(zhuǎn)的情況下，按與半導(dǎo)體襯底1的法線(xiàn)方向所成的固定角度用場(chǎng)絕緣膜211作掩模，在兩個(gè)淀積的阱區(qū)2中分別形成第2導(dǎo)電類(lèi)型的漏區(qū)8，9，它們之間放置半導(dǎo)體區(qū)，見(jiàn)圖31F，以下將詳細(xì)說(shuō)明方法。
如圖31A所示，在P型半導(dǎo)體襯底1的表面上形成N型阱區(qū)2。
之后，用例如熱氧化法，在阱區(qū)2的表面上生長(zhǎng)約10nm厚的焊盤(pán)氧化膜(沒(méi)畫(huà)出)。用例如LPCVD法在焊盤(pán)氧化膜上淀積150nm厚的氮化硅膜(沒(méi)畫(huà)出)。之后，用光刻構(gòu)圖腐蝕氮化硅膜。之后，用例如熱氧化法選擇生長(zhǎng)500nm厚的場(chǎng)絕緣膜221。之后，用例如磷酸完全除去氧化硅膜，用例如10wt％的氫氟酸溶液去掉焊盤(pán)氧化膜。之后，用例如熱氧化法，在N型阱區(qū)2上生長(zhǎng)10nm厚的柵絕緣膜203。這時(shí)，盡管所述焊盤(pán)氧化膜能被用作柵絕緣膜203，因其可靠性問(wèn)題，最好不用。因此，如圖31B所示，在N型阱區(qū)2上所需要的位置淀積作為薄氧化膜的柵絕緣膜203和作為厚氧化膜的場(chǎng)絕緣膜。
之后，如圖31C所示，用例如LPCVD法，在柵絕緣膜203和場(chǎng)絕緣膜221上淀積約300nm厚的多晶硅膜。在用LPCVD法淀積多晶硅膜的同時(shí)，通過(guò)例如摻磷，或者，用例如離子注入法摻磷，或者在淀積多晶硅膜之后進(jìn)行固態(tài)擴(kuò)散法摻磷，使多晶硅膜具有所需要的電阻值。之后，如圖所示，用光刻法形成多晶硅膜圖形，使多晶硅膜的一端終止在一個(gè)柵絕緣膜203上，多晶硅膜的另一端終止在一個(gè)場(chǎng)絕緣膜221上，和腐蝕多晶硅膜。結(jié)果，形成MIS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵電極4。
之后，如圖31D所示，用光刻構(gòu)圖，在襯底1旋轉(zhuǎn)的情況下，用柵電極4作掩模，給P型半導(dǎo)體襯底1的主表面選擇離子注入，例如，硼的P型雜質(zhì)，形成雜質(zhì)層205，如圖28所示。
之后，如圖31E所示，在電爐內(nèi)以例如1100℃熱處理60分鐘，形成橫向電隔離阱區(qū)2的基區(qū)6。要求把熱處理設(shè)計(jì)成使基區(qū)6變得比阱區(qū)2深，用基區(qū)6在垂直方向上把阱區(qū)2完全隔離開(kāi)來(lái)，并要求把熱處理設(shè)計(jì)成使基區(qū)6處于柵絕緣膜203和場(chǎng)絕緣膜221之間橫向邊界附近的位置。其原因是，如果基區(qū)6只形成為柵絕緣膜203的一半，那么，將柵電極4下產(chǎn)生的電場(chǎng)可能會(huì)集中至薄的柵絕緣膜203，使柵絕緣膜203損壞。而且，如果把基區(qū)6形成為一直達(dá)到厚的場(chǎng)絕緣膜221，那么即使把預(yù)定電壓加到柵電極4上，厚的場(chǎng)絕緣膜221下面的基區(qū)6也不會(huì)反向，基區(qū)6很難執(zhí)行MIS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的轉(zhuǎn)換功能。因此，即使在轉(zhuǎn)換器件導(dǎo)通時(shí)，它的可驅(qū)動(dòng)性也大大受損。所以，按阱區(qū)2的深度、雜質(zhì)濃度和雜質(zhì)種類(lèi)，以及雜質(zhì)層205的雜質(zhì)濃度和雜質(zhì)種類(lèi)和掩模的尺寸大小，來(lái)確定所述熱處理?xiàng)l件。
之后如圖31F所示，在襯底1轉(zhuǎn)旋的情況下，對(duì)P型半導(dǎo)體襯底1的主表面進(jìn)行例如砷離子注入，用柵電極4作掩模形成源區(qū)7，用場(chǎng)絕緣膜211作掩模形成第1漏區(qū)8和第2漏區(qū)9，如圖28所示。
之后，在例如950℃熱處理30分鐘，之后，激活源區(qū)7、第1漏區(qū)8和第2漏區(qū)9。因此，用場(chǎng)絕緣膜221形成柵電極4下電場(chǎng)集中處的漏一側(cè)上的絕緣體，能提高M(jìn)IS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵和漏之間的擊穿電壓。例如，在形成要求高擊穿電壓的MIS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的同時(shí)，在同一襯底上形成要求高速運(yùn)行的互補(bǔ)MIS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的情況下，能不需要任何附加的工藝而很有效地形成絕緣體。
之后，盡管沒(méi)畫(huà)出，用CVD法淀積氧化膜以形成層間絕緣膜。之后，打開(kāi)接觸孔，形成布線(xiàn)。按需要可進(jìn)行多層布線(xiàn)，這樣，最終制成集成電路。用已知的薄膜工藝按布線(xiàn)形成工藝制成電熱轉(zhuǎn)換元件，這些元件集成在襯底1上。該情況下的電路結(jié)構(gòu)與上述實(shí)施例的電路結(jié)構(gòu)相同。
如上所述，按實(shí)施例13至15，由于在至少形成基區(qū)6、源區(qū)7和漏區(qū)8、9中的一個(gè)區(qū)域時(shí)，在襯底1旋轉(zhuǎn)的情況下進(jìn)行雜質(zhì)離子注入，因此，在要求有多個(gè)晶體管構(gòu)成的矩陣形結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件中，兩側(cè)的具有公用引出的源電極置于其間的晶體管的器件結(jié)構(gòu)能形成相同的和對(duì)稱(chēng)的結(jié)構(gòu)，而且它們操作時(shí)的國(guó)值電壓和導(dǎo)通電阻能精確地按設(shè)計(jì)值形成。
因此，能按高合格率、高可靠性、低成本制成具有高擊穿電壓并能高速運(yùn)行的MIS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
在所用的晶片(襯底)有按構(gòu)成晶片的硅單晶的低尺寸晶面取向，例如，(100)面的主表面的情況下，即所謂的JUST襯底的情況下，上述實(shí)施例13至15是有效的。
在下述實(shí)施例中，描述一種半導(dǎo)體器件的制造方法，該方法中不總是要求旋轉(zhuǎn)襯底。
本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件中，有多個(gè)按矩陣形設(shè)置的絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。各個(gè)絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)包括在第1導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體襯底上形成的第2導(dǎo)電類(lèi)型的第1半導(dǎo)體區(qū)，所述第1導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體襯底包括一個(gè)其晶面取向向低維晶向傾斜(例如θ＝4°)的主表面；分隔第1半導(dǎo)體區(qū)的第1導(dǎo)電類(lèi)型的第2半導(dǎo)體區(qū)，該第2半導(dǎo)體區(qū)的濃度高于第1半導(dǎo)體區(qū)的濃度；在第2半導(dǎo)體區(qū)中形成的第2導(dǎo)電類(lèi)型的源區(qū)；和在第1半導(dǎo)體區(qū)中形成的第2導(dǎo)電類(lèi)型的漏區(qū)。
而且，該半導(dǎo)體器件的制造方法包括以下步驟；在其主表面的晶面取向相對(duì)于一個(gè)低維晶向傾斜(例如θ＝4°)的第1導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體襯底上，形成第2導(dǎo)電類(lèi)型的阱區(qū)；在阱區(qū)中形成柵絕緣膜；在柵絕緣膜上形成柵電極；用柵電極作掩模，按垂直方向(包括大體上垂直的方向)給半導(dǎo)體襯底摻入雜質(zhì)后，擴(kuò)散第1導(dǎo)電類(lèi)型雜質(zhì)，形成基區(qū)；按垂直方向(包括大體上垂直的方向)，分別向半導(dǎo)體襯底注入雜質(zhì)離子用柵電極作掩模在基區(qū)中形成第2導(dǎo)電類(lèi)型源區(qū)，在阱區(qū)中形成第2導(dǎo)電類(lèi)型漏區(qū)。
而且，該半導(dǎo)體器件的另一制造方法包括以下步驟在有其晶面方向?qū)Φ途S晶面方向傾斜(例如θ為4度)的主表面的第1導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體襯底上，形成第2導(dǎo)電類(lèi)型的阱區(qū)；在阱區(qū)中選擇形成場(chǎng)絕緣膜；在阱區(qū)中形成柵絕緣膜；在柵絕緣膜和場(chǎng)絕緣膜上形成柵電極；用柵電極作掩模，按垂直方向(包括大體垂直的方向)，給半導(dǎo)體襯底摻入雜質(zhì)后，擴(kuò)散第1導(dǎo)電類(lèi)型的雜質(zhì)，形成基區(qū)；分別按垂直方向(包括大體垂直的方向)，給半導(dǎo)體襯底進(jìn)行雜質(zhì)離子注入，用柵電極作掩模，在基區(qū)中形成第2導(dǎo)電類(lèi)型的源區(qū)，和用場(chǎng)絕緣膜作掩模，在第2導(dǎo)電類(lèi)型阱區(qū)中形成第2導(dǎo)電類(lèi)型漏區(qū)。
本實(shí)施例中，如圖32所示，半導(dǎo)體襯底201的主表面的晶面方向相對(duì)于常規(guī)半導(dǎo)體器件制造中用的低尺寸晶面方向412((100)面襯底的<100>晶向)，傾斜例如θ為4度。即使按這種方式按半導(dǎo)體襯底201的法線(xiàn)方向進(jìn)行離子注入時(shí)，也不會(huì)出現(xiàn)溝道。除(100)晶面的<100>晶向外，作為低尺寸晶向還有晶面(110)的<110>晶向，和晶面(111)的<111>晶向。要求把方向設(shè)定為相對(duì)于法線(xiàn)方向傾斜3度至10度角，最好是4度。
例如用從單晶錠切割出晶片，使晶片相對(duì)于低尺寸晶面方向傾斜一個(gè)固定角度，由此實(shí)現(xiàn)對(duì)低尺寸晶向的傾斜。而且，為了指示半導(dǎo)體主表面的晶面，通常用Miller指數(shù)，例如，(100)的指示。而且例如用符號(hào)<100>指示與主表面對(duì)應(yīng)的晶軸，并對(duì)應(yīng)于(100)晶面的法線(xiàn)。術(shù)語(yǔ)“相對(duì)于晶向的傾斜”的意思是指襯底的主表面相對(duì)于例如單晶的(100)晶面傾斜，即，相對(duì)于主表面的法線(xiàn)方向<100>傾斜。
相對(duì)于其單晶的晶向傾斜的襯底叫做OFF襯底，傾斜度為0的襯底叫JUST襯底。
例如，在各種襯底上實(shí)際構(gòu)成簡(jiǎn)易的N型MOS FET時(shí)，測(cè)它們的載流子遷移率，其結(jié)果如下，<NMOS的載流子遷移率>

即，與沒(méi)有傾斜的JUST襯底相比，傾斜4度的OFF襯底的載流子遷移率變小3％。但是，實(shí)際使用上這點(diǎn)差別無(wú)關(guān)緊要。
按本發(fā)明的所述半導(dǎo)體器件及其制造方法中，因?yàn)樵谛纬苫鶇^(qū)6、源區(qū)7，和漏區(qū)8和9時(shí)，按垂直于半導(dǎo)體襯底1的方向進(jìn)行雜質(zhì)注入，所以形成的晶體管結(jié)構(gòu)中基區(qū)6的端面、源區(qū)7和漏區(qū)8、9的端面之間的位置關(guān)系是相互對(duì)稱(chēng)的，用離子注入引入雜質(zhì)和熱擴(kuò)散注入的雜質(zhì)形成基區(qū)6的端面，和進(jìn)行同樣的離子注入引入雜質(zhì)和熱擴(kuò)散注入的雜質(zhì)形成源區(qū)7和漏區(qū)8和9的端面，由此，無(wú)論在半導(dǎo)體襯底1的主表面上如何設(shè)置晶體管，均能按阱受控狀態(tài)形成晶體管。
即，用有公用漏的MIS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的矩陣型設(shè)置時(shí)，如圖32和33所示，在其主表面的晶向相對(duì)于低尺寸晶向傾斜(例如θ為4度)的半導(dǎo)體襯底201上形成阱區(qū)2、基區(qū)6、柵電極4和光刻膠掩模211后，按垂直方向從柵電極4在右邊和左邊給漏或源到掩模向主表面中進(jìn)行均勻的離子注入413。因此，使兩個(gè)相鄰的MIS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的有效溝道長(zhǎng)度變成相同(即使有很小的誤差，也可以認(rèn)為長(zhǎng)度相同)。
本實(shí)施例的制造工藝與參見(jiàn)圖6至9說(shuō)明的實(shí)施例中的制造工藝大致相同。其差別僅僅是本實(shí)施例用OFF襯底作襯底。按本實(shí)施例，去掉了對(duì)晶片的限制，能以低成本制成好的半導(dǎo)體器件。
如上所述，按本發(fā)明的實(shí)施例16，即使在形成基區(qū)6、源區(qū)7和漏區(qū)8和9的同時(shí)，按垂直方向?qū)Π雽?dǎo)體襯底801進(jìn)行雜質(zhì)注入時(shí)，在雜質(zhì)注入時(shí)不會(huì)出現(xiàn)溝道引起的設(shè)計(jì)值不一致。而且，像有關(guān)技術(shù)所述的半導(dǎo)體器件一樣，在要求由多個(gè)晶體管構(gòu)成的矩陣形結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件中，實(shí)施例16能在引出的公用源電極的兩側(cè)形成相同的器件結(jié)構(gòu)，并能形成具有根據(jù)它們的設(shè)計(jì)值在運(yùn)行時(shí)有精確國(guó)值和導(dǎo)通電阻的晶體管。
因此，實(shí)施例16能以高合格率、高可靠性，按低成本制成有高擊穿電壓和能高速運(yùn)行的MIS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
<噴液設(shè)備>
用噴墨打印機(jī)作為按本發(fā)明的噴液設(shè)備的實(shí)例來(lái)描述。
圖34是構(gòu)成按本發(fā)明的噴墨打印機(jī)的記錄頭的半導(dǎo)體器件的電路結(jié)構(gòu)圖?？梢允褂媒Y(jié)合上述全部實(shí)施例制成的半導(dǎo)體器件。
參考數(shù)字41指作為負(fù)載的電熱轉(zhuǎn)換元件的矩陣；參考數(shù)字42指轉(zhuǎn)換器件的矩陣；參考數(shù)字43指邏輯門(mén)矩陣；參考數(shù)字44指自鎖電路；參考數(shù)字45指移位寄存器。
參考數(shù)字46指供給源電壓VDD的終端；參考數(shù)字47指供給接地電壓VSS的終端；參考數(shù)字48指給矩陣42中的轉(zhuǎn)換器件輸入定時(shí)控制信號(hào)的終端；參考數(shù)字49指給自鎖電路44輸入控制信號(hào)的終端；參考數(shù)字50指輸入圖像信號(hào)的終端；參考數(shù)字51指輸入時(shí)鐘信號(hào)的終端。
在一個(gè)芯片上相互平行設(shè)置電熱轉(zhuǎn)換元件的矩陣41、轉(zhuǎn)換器件的矩陣42、邏輯門(mén)的矩陣43、自鎖電路44和移位寄存器45，大致布局與圖34所示布局相同。
從終端50輸入的數(shù)字式圖像信號(hào)用移位寄存器45重新設(shè)置為并聯(lián)的信號(hào)，該重新設(shè)置的圖像信號(hào)用自鎖電路44鎖存。邏輯門(mén)啟動(dòng)時(shí)，矩陣42中的轉(zhuǎn)換器件按自鎖電路44鎖存的信號(hào)導(dǎo)通或截止，使電流流過(guò)矩陣41中選擇的電熱轉(zhuǎn)換元件。
上述每個(gè)實(shí)施例中的晶體管適合用作矩陣42中的轉(zhuǎn)換器件。矩陣42中的轉(zhuǎn)換器件之間最好不要形成專(zhuān)用的隔離區(qū)，多個(gè)矩陣之間，例如，矩陣42和41之間，矩陣42和43之間(或自鎖電路44和移位寄存器45之間)，最好不要形成諸如場(chǎng)絕緣膜的隔離區(qū)。
圖35是噴液頭的示意圖。
在其上形成有圖34所示電路的器件襯底52上設(shè)置多行電熱轉(zhuǎn)換元件(即加熱器)，用流過(guò)元件的電流產(chǎn)生的熱所產(chǎn)生的氣泡從排料部分53噴出墨汁。每個(gè)電熱轉(zhuǎn)換元件41設(shè)有布線(xiàn)電極54，布線(xiàn)電極54端邊與矩陣42中的轉(zhuǎn)換器件42電連接。
對(duì)應(yīng)各個(gè)排料部分53形成給與電熱轉(zhuǎn)換元件相對(duì)設(shè)置的排料部分53供給墨汁的通道55。在帶槽的部件56中形成構(gòu)成排料部分53和通道55的壁，用帶槽的部件56和器件襯底52一起形成通道55和給多個(gè)通道55供給墨汁的公用液槽57。
圖36示出裝有按本發(fā)明的器件襯底52的噴液頭的結(jié)構(gòu)。器件襯底52裝在框架58中。構(gòu)成排料部分53和通道55的部件56連接到器件襯底52上。在器件襯底52上設(shè)置接點(diǎn)59，用于從打印機(jī)接收信號(hào)，經(jīng)接點(diǎn)59和軟印刷布線(xiàn)板60，把作為各種驅(qū)動(dòng)信號(hào)的電信號(hào)提供給器件襯底52。
圖37是噴墨打印機(jī)IJRA的總體結(jié)構(gòu)透視示意圖，其中，裝有按本發(fā)明的噴墨頭?；瑒?dòng)托架HC與絲桿5005的螺旋槽5004嚙合，絲桿5005經(jīng)用有定位銷(xiāo)(沒(méi)畫(huà))的驅(qū)動(dòng)馬達(dá)5013的正反轉(zhuǎn)動(dòng)聯(lián)鎖的驅(qū)動(dòng)力傳動(dòng)齒輪5011和5009而轉(zhuǎn)動(dòng)，滑動(dòng)托架HC按箭頭“a”和“b”所示方向往復(fù)移動(dòng)。參考數(shù)字5002指層壓板，它對(duì)著板5000給薄片加壓，板5000是按滑動(dòng)托架的移動(dòng)方向輸送薄片的記錄介質(zhì)輸送裝置。參考數(shù)字5007和5008指光耦合器，光耦合器5007和5008是檢測(cè)滑動(dòng)托架HC的操縱桿5006是否在驅(qū)動(dòng)馬達(dá)5013的轉(zhuǎn)動(dòng)方向的轉(zhuǎn)換位置和其它操作位置處的檢測(cè)裝置。參考數(shù)字5016指支撐件，它支撐蓋住記錄頭正面的蓋子5022，參考數(shù)字5015指吸納件，它吸納蓋子5022的里邊，使記錄頭經(jīng)蓋子5022的開(kāi)口5023復(fù)位。參考數(shù)字5017指清潔板，參考數(shù)字5019指移動(dòng)件，它能使清潔板5017按長(zhǎng)度方向移動(dòng)，主體支撐板5018支撐在移動(dòng)件5019上。不用說(shuō)，除了所公開(kāi)的形狀的清潔板外，現(xiàn)有的清潔板也能用于本實(shí)施例。而且，參考數(shù)字5012指操縱桿，用于啟動(dòng)吸納復(fù)位。操縱桿5012與凸輪5020一起移動(dòng)，用諸如離合器轉(zhuǎn)換機(jī)構(gòu)等的已知的傳動(dòng)機(jī)構(gòu)傳輸和控制來(lái)自驅(qū)動(dòng)馬達(dá)5013的驅(qū)動(dòng)力。
而且，按本發(fā)明的打印機(jī)中設(shè)有用給器件襯底52供給圖像信號(hào)、驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)等的電路構(gòu)成的控制器(沒(méi)畫(huà)出)。
盡管本發(fā)明已用其優(yōu)選形式進(jìn)行了一定程度的詳細(xì)描述，顯然，本發(fā)明還有各種變化和改變，應(yīng)知道，在不脫離本發(fā)明的范圍和發(fā)明精神的前提下，能按說(shuō)明的具體描述實(shí)施發(fā)明。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件，包括多個(gè)電熱轉(zhuǎn)換元件；和多個(gè)轉(zhuǎn)換器件，用它使電流流過(guò)所述的多個(gè)電熱轉(zhuǎn)換元件；其中，所述電熱轉(zhuǎn)換元件和所述轉(zhuǎn)換器件集成在第1導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體襯底上；每個(gè)所述轉(zhuǎn)換器件是絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，它包括形成在所述半導(dǎo)體襯底的一個(gè)主表面上的第2導(dǎo)電類(lèi)型的第1半導(dǎo)體區(qū)；用于設(shè)置溝道區(qū)的第1導(dǎo)電類(lèi)型的第2半導(dǎo)體區(qū)，所述的第2半導(dǎo)體區(qū)與所述第1半導(dǎo)體區(qū)相鄰；形成在所述第2半導(dǎo)體區(qū)的上表面一側(cè)上的第2導(dǎo)電類(lèi)型源區(qū)；形成在所述第1半導(dǎo)體區(qū)的上表面一側(cè)上的第2導(dǎo)電類(lèi)型的漏區(qū)；和形成在所述溝道區(qū)上的多個(gè)柵電極，這些柵電極與溝道區(qū)之間設(shè)置有柵絕緣膜；以及所述第2半導(dǎo)體區(qū)的雜質(zhì)濃度高于所述第1半導(dǎo)體區(qū)的雜質(zhì)濃度，所述第2半導(dǎo)體區(qū)位于并列設(shè)置的所述漏區(qū)之間。
2.按權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中，所述第2半導(dǎo)體區(qū)鄰接所述半導(dǎo)體襯底而形成。
3.按權(quán)利要求1或2的半導(dǎo)體器件，其中，按橫向交替設(shè)置所述源區(qū)和所述漏區(qū)。
4.按權(quán)利要求1或2的半導(dǎo)體器件，其中，所述電熱轉(zhuǎn)換元件與所述漏區(qū)連接。
5.按權(quán)利要求1或2的半導(dǎo)體器件，其中，形成所述柵電極中的兩個(gè)，在兩個(gè)柵電極之間放置有所述源區(qū)。
6.按權(quán)利要求1或2的半導(dǎo)體器件，其中，所述多個(gè)電熱轉(zhuǎn)換元件的設(shè)置方向和所述多個(gè)轉(zhuǎn)換器件的設(shè)置方向平行。
7.按權(quán)利要求1或2的半導(dǎo)體器件，其中，至少兩個(gè)所述絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的所述漏區(qū)與一個(gè)所述電熱轉(zhuǎn)換元件相連，以及所述多個(gè)絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的所述源區(qū)公共連接。
8.按權(quán)利要求1或2的半導(dǎo)體器件，其中，按所述第2半導(dǎo)體區(qū)中和所述源區(qū)中的橫向擴(kuò)散量之差確定所述絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的有效溝道長(zhǎng)度。
9.按權(quán)利要求1或2的半導(dǎo)體器件，其中，所述絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管分別包括用于引出電極的第1導(dǎo)電類(lèi)型的擴(kuò)散層，所述擴(kuò)散層貫穿所述源區(qū)。
10.按權(quán)利要求1或2的半導(dǎo)體器件，其中，所述柵絕緣膜包括薄的絕緣膜和厚的絕緣膜，而各所述柵電極靠近漏區(qū)一側(cè)的部分形成在厚的絕緣膜上。
11.按權(quán)利要求1或2的半導(dǎo)體器件，其中，各所述柵電極靠近漏區(qū)一側(cè)的部分形成在場(chǎng)絕緣膜上。
12.按權(quán)利要求1或2的半導(dǎo)體器件，其中，所述第1半導(dǎo)體區(qū)是從所述半導(dǎo)體襯底表面引入相反導(dǎo)電類(lèi)型的雜質(zhì)而形成的阱區(qū)。
13.按權(quán)利要求1或2的半導(dǎo)體器件，其中，所述第1半導(dǎo)體區(qū)由多個(gè)阱構(gòu)成，這些阱區(qū)通過(guò)從所述半導(dǎo)體襯底的表面引入相反導(dǎo)電類(lèi)型的雜質(zhì)、并在各個(gè)漏區(qū)處被橫向隔離而形成。
14.按權(quán)利要求1或2的半導(dǎo)體器件，其中，所述第2半導(dǎo)體區(qū)包括一個(gè)低區(qū)和一個(gè)高區(qū)，高區(qū)的雜質(zhì)濃度高于低區(qū)的雜質(zhì)濃度。
15.按權(quán)利要求1或2的半導(dǎo)體器件，其中，所述漏區(qū)與所述柵電極靠近漏區(qū)一側(cè)的端部相隔離。
16.按權(quán)利要求1或2的半導(dǎo)體器件，其中，所述源區(qū)與所述柵電極相重疊。
17.按權(quán)利要求10的半導(dǎo)體器件，其中，所述漏區(qū)與較厚的絕緣膜的端部自對(duì)準(zhǔn)。
18.按權(quán)利要求1或2的半導(dǎo)體器件，其中，所述第2半導(dǎo)體區(qū)、所述源區(qū)和所述漏區(qū)具有左右對(duì)稱(chēng)的剖面結(jié)構(gòu)，所述結(jié)構(gòu)是用傾斜離子注入法引入雜質(zhì)而形成的。
19.按權(quán)利要求1或2的半導(dǎo)體器件，其中，所述半導(dǎo)體襯底是相對(duì)于其單晶的晶面方向傾斜的襯底。
20.按權(quán)利要求1或2的半導(dǎo)體器件，其中，形成與所述電熱轉(zhuǎn)換元件對(duì)應(yīng)的排液部分。
21.按權(quán)利要求1或2的半導(dǎo)體器件，其中，所述電熱轉(zhuǎn)換元件用薄膜電阻元件構(gòu)成。
22.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，在該半導(dǎo)體器件中，多個(gè)電熱轉(zhuǎn)換元件以及使電流流過(guò)所述多個(gè)電熱轉(zhuǎn)換元件的多個(gè)轉(zhuǎn)換器件集成在第1導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體襯底上，所述方法包括以下步驟在第1導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體襯底的主表面上形成第2導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體層；在所述半導(dǎo)體層上形成柵絕緣膜；在所述柵絕緣膜上形成柵電極；用所述柵電極作掩模向相鄰的兩個(gè)所述柵電極之間摻雜第1導(dǎo)電類(lèi)型雜質(zhì)；通過(guò)擴(kuò)散所述第1導(dǎo)電類(lèi)型雜質(zhì)在所述相鄰的兩個(gè)柵電極之間的所述第2導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體層上形成一個(gè)半導(dǎo)體區(qū)；和用所述柵電極作掩模，在所述半導(dǎo)體區(qū)的上表面一側(cè)上形成第2導(dǎo)電類(lèi)型的源區(qū)，和在所述第2導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體層的上表面一側(cè)上形成第2導(dǎo)電類(lèi)型漏區(qū)。
23.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，該半導(dǎo)體器件中，多個(gè)電熱轉(zhuǎn)換元件和使電流流過(guò)所述多個(gè)電熱轉(zhuǎn)換元件的多個(gè)轉(zhuǎn)換器件集成在第1導(dǎo)電類(lèi)型襯底上，所述方法包括以下步驟在第1導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體襯底的主表面上形成第2導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體層；在所述半導(dǎo)體層上選擇形成場(chǎng)絕緣膜；在所述半導(dǎo)體層上形成柵絕緣膜；在所述柵絕緣膜和所述場(chǎng)絕緣膜上形成柵電極；用所述柵電極作掩模向相鄰的兩個(gè)所述柵電極之間摻雜第1導(dǎo)電類(lèi)型雜質(zhì)；通過(guò)擴(kuò)散所述第1導(dǎo)電類(lèi)型雜質(zhì)在所述相鄰的兩個(gè)柵電極之間的所述第2導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體層上形成一個(gè)半導(dǎo)體區(qū)；和用所述柵電極作掩模，在所述半導(dǎo)體區(qū)的上表面一側(cè)上形成第2導(dǎo)電類(lèi)型的源區(qū)；和用場(chǎng)絕緣膜作掩模，在所述第2導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體層的上表面一側(cè)上形成第2導(dǎo)電類(lèi)型的漏區(qū)。
24.按權(quán)利要求22或23的制造方法，還包括下列步驟在所述半導(dǎo)體區(qū)的形成步驟之后，把第1導(dǎo)電類(lèi)型雜質(zhì)的離子經(jīng)所述柵電極注入到所述半導(dǎo)體區(qū)的上表面一側(cè)位于所述源區(qū)和所述半導(dǎo)體層之間的至少一個(gè)溝道區(qū)域中；和進(jìn)行熱處理，以電激活所述注入的雜質(zhì)。
25.按權(quán)利要求22或23的制造方法，還包括以下步驟在所述半導(dǎo)體區(qū)的形成步驟之后，把第1導(dǎo)電類(lèi)型雜質(zhì)的離子經(jīng)所述柵電極注入到所述半導(dǎo)體區(qū)的上表面一側(cè)位于所述源區(qū)和所述半導(dǎo)體層之間的至少一個(gè)溝道區(qū)；和進(jìn)行熱處理，以電激活注入的雜質(zhì)，其中，所述離子注入是用大于等于100keV的能量注入硼離子的離子注入。
26.按權(quán)利要求22或23的制造方法，其中作為轉(zhuǎn)換器件的MIS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的至少兩個(gè)所述漏區(qū)與一個(gè)所述電熱轉(zhuǎn)換元件連接；和所述多個(gè)MIS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源區(qū)公共連接。
27.按權(quán)利要求22的制造方法，其中，所述方法能制成相對(duì)于所述源區(qū)對(duì)稱(chēng)的晶體管結(jié)構(gòu)。
28.按權(quán)利要求27的方法，其中，所述第1導(dǎo)電類(lèi)型雜質(zhì)的摻雜步驟包括在所述半導(dǎo)體襯底旋轉(zhuǎn)的情況下，對(duì)所述半導(dǎo)體襯底的所述主表面傾斜地進(jìn)行離子注入的步驟。
29.按權(quán)利要求27的方法，其中，形成所述第2導(dǎo)電類(lèi)型的源區(qū)的步驟包括，在所述半導(dǎo)體襯底旋轉(zhuǎn)的情況下，對(duì)所述半導(dǎo)體襯底的所述主表面傾斜地進(jìn)行離子注入的步驟。
30.按權(quán)利要求27的方法，其中，形成所述第2導(dǎo)電類(lèi)型的漏區(qū)的步驟包括，在所述半導(dǎo)體襯底旋轉(zhuǎn)的情況下，對(duì)所述半導(dǎo)體襯底的所述主表面傾斜地進(jìn)行離子注入的步驟。
31.按權(quán)利要求27的方法，其中，所述第1導(dǎo)電類(lèi)型雜質(zhì)的摻雜步驟包括，沿作為所述半導(dǎo)體襯底的相對(duì)于其單晶的晶面方向傾斜的襯底的主表面的法線(xiàn)方向，向所述主表面進(jìn)行離子注入的步驟。
32.按權(quán)利要求27的方法，其中，形成所述第2導(dǎo)電類(lèi)型的源區(qū)的步驟包括，沿作為所述半導(dǎo)體襯底的相對(duì)于其單晶的晶面方向傾斜的襯底的主表面的法線(xiàn)方向，向所述主表面進(jìn)行離子注入的步驟。
33.按權(quán)利要求27的方法，其中，形成所述第2導(dǎo)電類(lèi)型的漏區(qū)的步驟包括，沿作為所述半導(dǎo)體襯底的相對(duì)于其單晶的晶面方向傾斜的襯底的主表面的法線(xiàn)方向，向所述主表面進(jìn)行離子注入的步驟。
34.按權(quán)利要求27的方法，其中，所述第1導(dǎo)電類(lèi)型雜質(zhì)的摻雜步驟包括，按大于等于100keV的高能量進(jìn)行硼離子注入的步驟。
35.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，該半導(dǎo)體器件的多個(gè)絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管按矩陣型設(shè)置，所述方法包括以下步驟在第1導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體襯底的一個(gè)主表面上形成第2導(dǎo)電類(lèi)型的第1半導(dǎo)體區(qū)；在所述第1半導(dǎo)體區(qū)上形成柵絕緣膜；在所述柵絕緣膜上形成多個(gè)柵電極；在所述半導(dǎo)體襯底旋轉(zhuǎn)的情況下，用兩個(gè)相鄰的所述柵電極作掩模，以與所述半導(dǎo)體襯底的法線(xiàn)方向所成的固定角度對(duì)所述兩個(gè)相鄰的柵電極之間進(jìn)行第1導(dǎo)電類(lèi)型的雜質(zhì)的注入，其后擴(kuò)散該雜質(zhì)，形成第1導(dǎo)電類(lèi)型的第2半導(dǎo)體區(qū)；和在所述半導(dǎo)體襯底旋轉(zhuǎn)的情況下，以與所述半導(dǎo)體襯底的法線(xiàn)方向所成的固定角度進(jìn)行雜質(zhì)的離子注入，用兩個(gè)所述的柵電極作掩模在所述第2半導(dǎo)體區(qū)中形成第2導(dǎo)電類(lèi)型源區(qū)，并在其間放置有所述第2半導(dǎo)體區(qū)的兩個(gè)所述第1半導(dǎo)體區(qū)中分別形成第2導(dǎo)電類(lèi)型的漏區(qū)。
36.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，所述半導(dǎo)體器件有按矩陣型設(shè)置的多個(gè)絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，所述方法包括以下步驟在第1導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體襯底的一個(gè)主表面上形成第2導(dǎo)電類(lèi)型的第1半導(dǎo)體區(qū)；在所述第1半導(dǎo)體區(qū)上選擇形成場(chǎng)絕緣膜；在所述第1半導(dǎo)體區(qū)上形成柵絕緣膜；在所述柵絕緣膜和所述場(chǎng)絕緣膜上形成柵電極；在所述半導(dǎo)體襯底旋轉(zhuǎn)的情況下，用兩個(gè)所述的柵電極作掩模，以與所述半導(dǎo)體襯底的法線(xiàn)方向所成的固定角度，在所述兩個(gè)柵電極之間注入第1導(dǎo)電類(lèi)型雜質(zhì)，其后，通過(guò)擴(kuò)散該雜質(zhì)，形成第1導(dǎo)電類(lèi)型的第2半導(dǎo)體區(qū)；和在所述半導(dǎo)體襯底旋轉(zhuǎn)的情況下，以與所述半導(dǎo)體襯底法線(xiàn)方向所成的固定角度進(jìn)行雜質(zhì)注入，用兩個(gè)所述柵電極作掩模在所述第2半導(dǎo)體區(qū)中形成第2導(dǎo)電類(lèi)型源區(qū)，并用所述場(chǎng)絕緣膜作掩模，在兩個(gè)其間放置有所述第2半導(dǎo)體區(qū)的所述第1半導(dǎo)體區(qū)中分別形成第2導(dǎo)電類(lèi)型的漏區(qū)。
37.按權(quán)利要求35或36的方法，其中，所述第2半導(dǎo)體區(qū)形成得比第1半導(dǎo)體區(qū)深。
38.按權(quán)利要求35或36的方法，其中，形成與所述漏區(qū)電連接的加熱電阻元件。
39.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，所述方法包括以下步驟在包括有相對(duì)于低維晶面方向傾斜的晶面取向的一個(gè)主表面的第1導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體襯底上，形成第2導(dǎo)電類(lèi)型的第1半導(dǎo)體區(qū)；在所述第1半導(dǎo)體區(qū)上形成柵絕緣膜；在所述柵絕緣膜上形成柵電極；在用所述柵電極作掩模、按垂直于所述半導(dǎo)體襯底的方向向半導(dǎo)體襯底進(jìn)行第1導(dǎo)電類(lèi)型雜質(zhì)的注入之后，通過(guò)擴(kuò)散該雜質(zhì)形成第2半導(dǎo)體區(qū)；和垂直于所述半導(dǎo)體襯底分別進(jìn)行雜質(zhì)離子注入，用所述柵電極作掩模，在所述第2半導(dǎo)體區(qū)中形成第2導(dǎo)電類(lèi)型源區(qū)，和在所述第2半導(dǎo)體區(qū)中形成第2導(dǎo)電類(lèi)型漏區(qū)。
40.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，所述方法包括以下步驟在包括有相對(duì)于低維晶面方向傾斜的晶面取向的一個(gè)主表面的第1導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體襯底上，形成第2導(dǎo)電類(lèi)型的第1半導(dǎo)體區(qū)；在所述第1半導(dǎo)體區(qū)中選擇形成場(chǎng)絕緣膜；在所述第1半導(dǎo)體區(qū)中形成柵絕緣膜；在所述柵絕緣膜和所述場(chǎng)絕緣膜上形成柵電極；在用所述柵電極作掩模、按垂直方向向所述半導(dǎo)體襯底進(jìn)行第1導(dǎo)電類(lèi)型雜質(zhì)的離子注入后，通過(guò)擴(kuò)散該雜質(zhì)，形成第2半導(dǎo)體區(qū)；和垂直于所述半導(dǎo)體襯底分別進(jìn)行雜質(zhì)離子注入，用所述柵電極作掩模，在所述第2半導(dǎo)體區(qū)中形成第2導(dǎo)電類(lèi)型的源區(qū)，和用所述場(chǎng)絕緣膜作掩模，在所述第2導(dǎo)電類(lèi)型的第2半導(dǎo)體區(qū)中形成第2導(dǎo)電類(lèi)型漏區(qū)。
41.按權(quán)利要求39或40的方法，其中，所述半導(dǎo)體襯底的所述主表面的晶面取向，相對(duì)于所述低維晶向以3度至10度的角度范圍傾斜。
42.按權(quán)利要求39或40的方法，其中，所述半導(dǎo)體襯底的所述主表面的所述晶面取向，相對(duì)于(100)晶面以3度至10度的角度范圍傾斜。
43.按權(quán)利要求39或40的方法，其中，所述半導(dǎo)體襯底的所述主表面的所述晶向，相對(duì)于(100)晶面傾斜4度角。
44.按權(quán)利要求39或40的方法，其中，所述形成所述第2半導(dǎo)體區(qū)的步驟擴(kuò)散所述第1導(dǎo)電類(lèi)型雜質(zhì)，使所述雜質(zhì)擴(kuò)散到比所述第1半導(dǎo)體區(qū)深的位置。
45.按權(quán)利要求39或40的方法，其中，按矩陣型排列多個(gè)絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
46.一種半導(dǎo)體器件，其中，多個(gè)絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管按矩陣型設(shè)置，所述多個(gè)絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管分別包括在包括晶面取向相對(duì)于低維晶面方向傾斜的一個(gè)主表面的第1導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體襯底上形成的第2導(dǎo)電類(lèi)型的第1半導(dǎo)體區(qū)；形成的第1導(dǎo)電類(lèi)型的第2半導(dǎo)體區(qū)分隔所述第1半導(dǎo)體區(qū)，所述第2半導(dǎo)體區(qū)的雜質(zhì)濃度高于所述第1半導(dǎo)體區(qū)的雜質(zhì)濃度；在所述第2半導(dǎo)體區(qū)中形成的第2導(dǎo)電類(lèi)型的源區(qū)；和在所述第1半導(dǎo)體區(qū)中形成的第2導(dǎo)電類(lèi)型的漏區(qū)。
47.按權(quán)利要求46的半導(dǎo)體器件，其中，所述半導(dǎo)體襯底的所述主表面的晶面取向相對(duì)于所述低維晶向以3度至10度的角度范圍傾斜。
48.按權(quán)利要求46的半導(dǎo)體器件，其中，所述半導(dǎo)體襯底的主表面的所述晶面取向相對(duì)于(100)晶面以3度至10度的角度范圍傾斜。
49.按權(quán)利要求46的半導(dǎo)體器件，其中，所述半導(dǎo)體襯底的所述主表面的晶面取向相對(duì)于(100)晶面傾斜4度角。
50.按權(quán)利要求46的半導(dǎo)體器件，其中，所述第2半導(dǎo)體區(qū)的深度比所述第1半導(dǎo)體區(qū)的深。
51.一種噴液設(shè)備，包括如權(quán)利要求46所述的半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件包括與電熱轉(zhuǎn)換元件相應(yīng)的排液部分；液體容器，用于容納靠所述電熱轉(zhuǎn)換元件從排液部分噴出的液體；和控制器，它用于提供驅(qū)動(dòng)所述半導(dǎo)體器件中的絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管用的驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)。
全文摘要
半導(dǎo)體器件，包括，集成在第1導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體襯底上的多個(gè)電熱轉(zhuǎn)換元件和使電流流過(guò)電熱轉(zhuǎn)換元件的多個(gè)轉(zhuǎn)換器件，轉(zhuǎn)換器件是絕緣柵型FET，每個(gè)晶體管包括在半導(dǎo)體襯底的一主表面形成的第2導(dǎo)電類(lèi)型的第1半導(dǎo)體區(qū)；與第1半導(dǎo)體區(qū)相鄰形成的提供溝道的第1導(dǎo)電類(lèi)型的第2半導(dǎo)體區(qū)；在第2半導(dǎo)體區(qū)表面?zhèn)刃纬傻牡?導(dǎo)電類(lèi)型源區(qū)；在第1半導(dǎo)體區(qū)表面?zhèn)刃纬傻牡?導(dǎo)電類(lèi)型漏區(qū)；和在溝道區(qū)上形成的多個(gè)柵電極，之間設(shè)有柵絕緣膜；第2半導(dǎo)體區(qū)的雜質(zhì)濃度高于第1半導(dǎo)體區(qū)；并列設(shè)置的兩個(gè)漏區(qū)之間設(shè)置的第2半導(dǎo)體區(qū)將漏區(qū)橫向隔離。
文檔編號(hào)H01L21/265GK1825611SQ200510125188
公開(kāi)日2006年8月30日 申請(qǐng)日期2001年12月28日 優(yōu)先權(quán)日2000年12月28日
發(fā)明者下津佐峰生, 藤田桂, 早川幸宏 申請(qǐng)人:佳能株式會(huì)社