專利名稱：一種提高進(jìn)氣均勻性的進(jìn)氣裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及微電子技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種提高進(jìn)氣均勻性的進(jìn)氣裝置。
背景技術(shù)：
本發(fā)明設(shè)計(jì)到半導(dǎo)體制造工藝領(lǐng)域，在半導(dǎo)體制造過(guò)程中，氣源均勻地進(jìn)入工藝腔室內(nèi)是至關(guān)重要的，因?yàn)闅怏w在腔室內(nèi)的均勻性直接影響到了腔室內(nèi)等離子體的均勻性，進(jìn)而影響到工藝結(jié)果的優(yōu)劣。在半導(dǎo)體工藝中，例如等離子體刻蝕、CVD等工藝中，氣源進(jìn)氣的方式直接決定了氣體在腔室內(nèi)的分布均勻性，腔室內(nèi)氣體(流)的均勻性對(duì)產(chǎn)生均勻的等離子體具有關(guān)鍵的作用，從而直接影響了工藝的均勻性，現(xiàn)有技術(shù)如圖1所示，在管狀噴嘴的前端形成圓錐形擴(kuò)張角θ，以便氣體擴(kuò)散的噴入腔室，其中θ為張開(kāi)的角度，目前常用的角度為90、110、120度，由于進(jìn)氣壓力和距離等原因，利用現(xiàn)有技術(shù)不能更有效的使氣體在整個(gè)腔室內(nèi)的均勻分布。

發(fā)明內(nèi)容
(一)要解決的技術(shù)問(wèn)題本發(fā)明的目的是提供一種提高進(jìn)氣均勻性的進(jìn)氣裝置，從而使氣體能夠更均勻的進(jìn)入到腔室內(nèi)部，達(dá)到改善工藝的均勻性。
(二)技術(shù)方案為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明采取以下方案本發(fā)明的一種提高腔室進(jìn)氣均勻性的進(jìn)氣裝置，包括圓筒狀噴嘴主體，所述圓筒狀噴嘴主體底端部設(shè)有底板，底板上有通孔，所述圓筒狀噴嘴主體的下部?jī)?nèi)壁設(shè)有柵，其中，圓筒狀噴嘴主體和底板連為一體。
其中，所述柵頂部與腔室內(nèi)頂部齊平。
其中，所述柵在圓筒狀噴嘴主體的下部?jī)?nèi)壁上均勻分布。
其中，所述通孔在底板上均勻分布。
(三)有益效果本發(fā)明與已有技術(shù)相比，由于采用以上方案，增大了進(jìn)氣壓力，使得進(jìn)入腔室內(nèi)的氣體更均勻，從而使得等離子體更均勻。改善了工藝的均勻性。


圖1是現(xiàn)有技術(shù)噴嘴結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本發(fā)明的噴嘴底板結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是本發(fā)明噴嘴主視圖的剖視圖；圖4是本發(fā)明噴嘴與腔室蓋連接的示意圖；圖5是圖3的俯視圖。
圖中1通孔 2底板 3柵 4圓筒狀噴嘴主體6腔室蓋7柵間隙8噴嘴主體內(nèi)壁具體實(shí)施方式
以下實(shí)施例用于說(shuō)明本發(fā)明，但不用來(lái)限制本發(fā)明的范圍。
一種提高進(jìn)氣均勻性的進(jìn)氣裝置，如圖3所示，包括圓筒狀噴嘴主體4，在圓筒狀噴嘴主體4底端部設(shè)有底板2，底板2上有通孔1，所述圓筒狀噴嘴主體4的下部?jī)?nèi)壁8設(shè)有柵3，其中，圓筒狀噴嘴主體4和底板2連為一體。在本實(shí)施例中，底板2上均勻分布有5個(gè)通孔1。這5個(gè)通孔1的作用是讓部分的氣體流入腔室內(nèi)部，因?yàn)槭窃诘装?上開(kāi)的孔，所以只是部分氣體經(jīng)過(guò)這5個(gè)通孔1進(jìn)入腔室內(nèi)。柵3是為了部分阻擋氣流，以便于讓氣體從柵間隙7更有力的噴向遠(yuǎn)離噴嘴的遠(yuǎn)處，即腔室內(nèi)周圍，從而彌補(bǔ)周圍氣體少的缺陷。本發(fā)明安裝時(shí)，柵3頂部和腔室內(nèi)頂部相齊。
權(quán)利要求
1.一種提高腔室進(jìn)氣均勻性的進(jìn)氣裝置，包括圓筒狀噴嘴主體其特征在于所述圓筒狀噴嘴主體底端部設(shè)有底板，底板上有通孔，所述圓筒狀噴嘴主體的下部?jī)?nèi)壁設(shè)有柵，其中，圓筒狀噴嘴主體和底板連為一體。
2.如權(quán)利要求1所述的一種提高腔室進(jìn)氣均勻性的進(jìn)氣裝置，其特征在于所述柵在圓筒狀噴嘴主體的下部?jī)?nèi)壁上均勻分布。
3.如權(quán)利要求1所述的一種提高腔室進(jìn)氣均勻性的進(jìn)氣裝置，其特征在于所述通孔在底板上均勻分布。
4.如權(quán)利要求1所述的一種提高腔室進(jìn)氣均勻性的進(jìn)氣裝置，其特征在于所述柵頂部與腔室內(nèi)頂部齊平。
全文摘要
本發(fā)明涉及微電子技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種提高進(jìn)氣均勻性的進(jìn)氣裝置。本發(fā)明公開(kāi)的一種提高腔室進(jìn)氣均勻性的進(jìn)氣裝置，包括圓筒狀噴嘴主體，所述圓筒狀噴嘴主體底端部設(shè)有底板，底板上有通孔，所述圓筒狀噴嘴主體的下部?jī)?nèi)壁設(shè)有柵，其中，圓筒狀噴嘴主體和底板連為一體。本發(fā)明與已有技術(shù)相比，增大了進(jìn)氣壓力，使得進(jìn)入腔室內(nèi)的氣體更均勻，從而使得等離子體更均勻；改善了工藝的均勻性。
文檔編號(hào)H01L21/02GK1850350SQ20051012635
公開(kāi)日2006年10月25日 申請(qǐng)日期2005年12月7日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月7日
發(fā)明者榮延棟 申請(qǐng)人:北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司