專利名稱：一種用于半導(dǎo)體處理的反應(yīng)室的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體加工刻蝕機(jī)的反應(yīng)室，特別涉及半導(dǎo)體刻蝕機(jī)的具有兩路氣體輸入的反應(yīng)室。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體處理設(shè)備(刻蝕機(jī))中，通過(guò)向較低壓力的氣體加入能量而使氣體電離產(chǎn)生等離子體，等離子體用于刻蝕半導(dǎo)體晶片。為了使晶片獲得均勻的刻蝕速率，要求等離子體在晶片表面均勻分布，氣體分配裝置的作用就是均勻分配刻蝕氣體。
圖1所示為一種等離子體處理裝置。1為氣體分配部分，2為等離子體反應(yīng)室上蓋，3為等離子體反應(yīng)室，4為靜電卡盤，用于支撐半導(dǎo)體晶片，5為半導(dǎo)體晶片，6為使等離子體反應(yīng)室獲得低氣壓的真空泵。氣體從氣體分配部分1的入口進(jìn)入，氣體分配部分1的出口設(shè)計(jì)為圓臺(tái)形狀，以使氣體能夠向各個(gè)方向均勻流動(dòng)。
這一氣體分配結(jié)構(gòu)存在以下問(wèn)題1、以出口為中心，在圓周向有相同的氣體分布，而在徑向氣體分布不均勻，即在半導(dǎo)體晶片的中心和周圍氣體分布不均勻。
2、真空泵對(duì)等離子體反應(yīng)室中的氣體分布有影響。根據(jù)真空泵在反應(yīng)室的位置不同分為下抽氣方式和側(cè)下抽氣等方式，圖1中真空泵的位置為一種常用的側(cè)下抽氣方式，真空泵在反應(yīng)室的側(cè)下位置。在反應(yīng)室中，靠近真空泵入口的位置氣體流動(dòng)速度相對(duì)較大，而遠(yuǎn)離真空泵入口位置的氣體流動(dòng)速度相對(duì)較小。圖1的氣體分配裝置不能補(bǔ)償真空泵的影響。
圖2為另一種氣體分配方式的等離子體處理裝置。1為氣體分配部分，2為等離子體反應(yīng)室上蓋，3為等離子體反應(yīng)處理室，4為靜電卡盤，用于支撐半導(dǎo)體晶片，5為半導(dǎo)體晶片，6為使等離子體反應(yīng)室獲得低氣壓的真空泵。氣體分配部分為雙區(qū)控制型，為了克服圖1中氣體分配部分在晶片的中心和周圍氣體分布不均的問(wèn)題，將氣體分為兩路，一路控制氣體在晶片中心的分布，一路控制氣體在晶片周圍的分布。兩路氣體可以單獨(dú)控制壓力和流量，可以使整個(gè)晶片表面得到均勻的氣體分布。
圖2中的氣體分配裝置不能補(bǔ)償真空泵對(duì)氣體分布的影響，使得反應(yīng)室中靠近和遠(yuǎn)離真空泵的位置氣體分布不均勻。

發(fā)明內(nèi)容
要解決的技術(shù)問(wèn)題本發(fā)明的要解決的技術(shù)問(wèn)題是補(bǔ)償真空泵對(duì)氣體分布的影響，提供一種用于半導(dǎo)體處理的反應(yīng)室。
技術(shù)方案本發(fā)明提供用于半導(dǎo)體處理的反應(yīng)室，包括氣體分配裝置、反應(yīng)室上蓋、反應(yīng)腔室、靜電卡盤和真空泵，靜電卡盤用于支撐半導(dǎo)體晶片，真空泵用于使反應(yīng)室獲得低氣壓。為使反應(yīng)腔室內(nèi)的氣體獲得均勻分布，氣體分配裝置有兩路氣體輸入，可以分別控制壓力和流量。第一路氣體輸入遠(yuǎn)離真空泵入口，控制等離子反應(yīng)室中遠(yuǎn)離真空泵一側(cè)的氣體分布，第二路氣體輸入靠近真空泵入口，控制等離子反應(yīng)室中靠近真空泵一側(cè)的氣體分布，將晶片上方等離子體區(qū)域分為A1，A2，B1，B2四個(gè)區(qū)域，通過(guò)調(diào)整氣體分配裝置的參數(shù)可以使整個(gè)晶片上得到均勻的氣體分布。
有益效果在下抽氣方式中，本發(fā)明可以補(bǔ)償真空泵對(duì)等離子反應(yīng)室中氣體分布的影響，使反應(yīng)氣體在半導(dǎo)體晶片上得到均勻的分布，從而使半導(dǎo)體設(shè)備(刻蝕機(jī))加工時(shí)具有均勻的刻蝕速率。


圖1為現(xiàn)有反應(yīng)室結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為現(xiàn)有具有氣體分配裝置的反應(yīng)室結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的反應(yīng)室結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本發(fā)明控制氣體分布示意圖。
圖5為本發(fā)明實(shí)施例的氣體分配裝置示意6為本發(fā)明實(shí)施例的氣體分配裝置端面示意7為本發(fā)明實(shí)施例的氣體分配裝置I-I剖面中1、氣體分配部分；2、等離子體反應(yīng)室上蓋；3、等離子體反應(yīng)室；4、靜電卡盤；5、半導(dǎo)體晶片；6、真空泵；A、第一路氣體輸入；B、第二路氣體輸入；A1、A2、第一路氣體輸入控制的氣體分布范圍；B1、B2、第二路氣體輸入控制的氣體分布范圍。
具體實(shí)施例方式
以下實(shí)施例用于說(shuō)明本發(fā)明，但不用來(lái)限制本發(fā)明的范圍，有關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，還可以做出各種變化和變型，因此所有等同的技術(shù)方案也屬于本發(fā)明的范疇，本發(fā)明的專利保護(hù)范圍應(yīng)由各項(xiàng)權(quán)利要求限定。
本發(fā)明提供一種用于半導(dǎo)體處理的反應(yīng)室，如圖3所示。反應(yīng)室包括氣體分配裝置1、離子體反應(yīng)室上蓋2、反應(yīng)腔室3、靜電卡盤4、和真空泵6，半導(dǎo)體晶片5在被加工時(shí)置于靜電卡盤4上。圖5、圖6、圖7為氣體分配裝置的具體結(jié)構(gòu)，氣體分配裝置1設(shè)有第一路氣體輸入A和第二路氣體輸入B，兩路氣體輸入可以分別控制壓力和流量。第一路氣體控制反應(yīng)腔室中遠(yuǎn)離真空泵一側(cè)的氣體分布，第二路氣體控制反應(yīng)腔室中靠近真空泵一側(cè)的氣體分布。如圖4所示，兩路氣體輸入將晶片上方等離子體區(qū)域分為A1，A2，B1，B2四個(gè)區(qū)域，通過(guò)調(diào)整氣體分配裝置的參數(shù)可以使整個(gè)晶片上得到均勻的氣體分布。
權(quán)利要求
1.一種用于半導(dǎo)體處理的反應(yīng)室，包括氣體分配裝置(1)，安裝在反應(yīng)室上蓋(2)中部，其特征在于，所述氣體分配裝置(1)設(shè)有兩路氣體輸入(A、B)，其中第一路氣體輸入(A)遠(yuǎn)離真空泵(6)入口，第二路氣體輸入(B)靠近真空泵(6)入口。
2.如權(quán)利要求1所述的用于半導(dǎo)體處理的反應(yīng)室，其特征在于，所述的兩路氣體輸入(A、B)分別控制其輸入氣體的壓力和流量。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用于半導(dǎo)體處理的反應(yīng)室，包括氣體分配裝置1、反應(yīng)室上蓋2、反應(yīng)腔室3、靜電卡盤4和真空泵6，靜電卡盤4用于支撐半導(dǎo)體晶片5，真空泵6用于使反應(yīng)室獲得低氣壓。氣體分配裝置有兩路氣體輸入，可以分別控制壓力和流量。第一路氣體輸入A遠(yuǎn)離真空泵入口，控制等離子反應(yīng)室中遠(yuǎn)離真空泵一側(cè)的氣體分布，第二路氣體輸入B靠近真空泵入口，控制等離子反應(yīng)室中靠近真空泵一側(cè)的氣體分布，通過(guò)調(diào)整氣體分配裝置1的參數(shù)可以使整個(gè)晶片上得到均勻的氣體分布。在下抽氣方式中，本發(fā)明可以補(bǔ)償真空泵對(duì)等離子反應(yīng)室中氣體分布的影響，使反應(yīng)氣體在半導(dǎo)體晶片上得到均勻的分布，從而使半導(dǎo)體設(shè)備加工時(shí)具有均勻的刻蝕速率。
文檔編號(hào)H01L21/3065GK1851856SQ20051012637
公開日2006年10月25日 申請(qǐng)日期2005年12月8日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月8日
發(fā)明者姚立強(qiáng) 申請(qǐng)人:北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司