專利名稱：用于成像系統(tǒng)的薄膜晶體管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般涉及成像系統(tǒng)。尤其是，本發(fā)明涉及在這種成像系統(tǒng)的檢測器中使用的薄膜晶體管。
背景技術(shù)：
非侵入性成像一般包括用于產(chǎn)生人或物體的內(nèi)部結(jié)構(gòu)或部位的圖像的技術(shù)，這些部位目測是不可獲得的。例如，非侵入性成像技術(shù)一般用于檢測部件內(nèi)部結(jié)構(gòu)的工業(yè)領(lǐng)域和檢測包裹、衣物等內(nèi)容的安全領(lǐng)域。非侵入性成像的一個(gè)眾所周知的用途是醫(yī)學(xué)領(lǐng)域，其中這些技術(shù)用來產(chǎn)生患者內(nèi)部器官和/或骨骼(這些部位是看不見的)的圖像。
可以用在這些不同領(lǐng)域中的一類非侵入性成像技術(shù)是基于X射線在患者或物體中的差速傳輸(differential transmission)。在醫(yī)學(xué)方面，簡單的X射線成像技術(shù)涉及使用X射線管或其它光源產(chǎn)生X射線和引導(dǎo)該X射線穿過成像體積(imaging volume)，其中患者需要成像的部分位于該體積中。當(dāng)X射線經(jīng)過患者時(shí)，X射線基于它們經(jīng)過的組織的成分而衰減。衰減的X射線然后作用于一個(gè)檢測器，該檢測器將X射線轉(zhuǎn)換成可以被處理的信號(hào)，以基于X射線的衰減產(chǎn)生X射線所經(jīng)過的患者部位的圖像。一般地，X射線檢測過程使用閃爍器以及光敏元件陣列，當(dāng)被X射線照射時(shí)該閃爍器產(chǎn)生光量子，光敏元件陣列基于檢測的光量子的數(shù)量產(chǎn)生電信號(hào)。
一些X射線技術(shù)使用極低能量X射線，使得患者照射可以延長。例如，熒光鏡技術(shù)一般用于監(jiān)控下面的步驟或環(huán)境，例如，導(dǎo)尿管或探頭插入到患者的循環(huán)系統(tǒng)。這種熒光鏡技術(shù)一般獲得大量能夠連續(xù)顯示的低能圖像以實(shí)時(shí)或近實(shí)時(shí)地表示在成像區(qū)域的移動(dòng)。
然而，熒光鏡技術(shù)以及其它低能成像技術(shù)，圖像質(zhì)量差，這是因?yàn)橄鄬?duì)于電子噪聲對(duì)于檢測器的貢獻(xiàn)來講，X射線信號(hào)相對(duì)弱。因此一般需要改善檢測過程的效率，例如通過減少工作時(shí)的電子噪聲。檢測器中使用的薄膜晶體管(TFT)的不同方面可以對(duì)總的電子噪聲有貢獻(xiàn)。例如，TFT的源電極和柵電極之間的電容是數(shù)據(jù)線總電容的一個(gè)主要部分。因此這導(dǎo)致與數(shù)據(jù)線相關(guān)的兩個(gè)主要噪聲源，稱為與數(shù)據(jù)線的電阻有關(guān)的Johnson噪聲和與讀出電子有關(guān)的噪聲。此外，TFT中的電荷捕獲電流也對(duì)總的電子噪聲有貢獻(xiàn)。
因此，需要減少檢測器中電子元件產(chǎn)生的電子噪聲。

發(fā)明內(nèi)容
本技術(shù)的一個(gè)方面，提供一種X射線成像系統(tǒng)，其中該X射線成像系統(tǒng)包括一個(gè)發(fā)射X射線的X射線源和一個(gè)檢測器。檢測器包括檢測器元件陣列，其中每個(gè)檢測器元件包括用作開關(guān)的薄膜晶體管。薄膜晶體管包括漏電極和源電極，它們是相互不對(duì)稱的。該X射線成像系統(tǒng)還提供檢測器采集電路，用于采集電信號(hào)；系統(tǒng)控制器，用于控制至少一個(gè)X射線源或檢測器采集電路；以及圖像處理電路，用于處理所述電信號(hào)以產(chǎn)生圖像。
本技術(shù)的另一個(gè)方面，提供環(huán)形薄膜晶體管，其中環(huán)形薄膜晶體管包括半導(dǎo)體材料層；布置在半導(dǎo)體材料層之上的環(huán)形源電極；在環(huán)形源電極內(nèi)，布置在半導(dǎo)體材料層之上的漏電極；以及位于漏電極和環(huán)形源電極之間的有源溝道，其中有源溝道的表面包括暴露的半導(dǎo)體材料。
本技術(shù)的另一個(gè)方面，蛇形薄膜晶體管包括半導(dǎo)體材料層；布置在該半導(dǎo)體材料層之上的蛇形源電極；布置在半導(dǎo)體材料層之上的漏電極，基本位于蛇形源電極形成的凹槽中，其中漏電極基本符合該凹槽；以及位于漏電極和蛇形源電極之間的有源溝道，其中有源溝道具有基本恒定的長度，其中有源溝道的一個(gè)表面包括暴露的半導(dǎo)體材料。
本技術(shù)的另一個(gè)方面，提供一種制作用在成像系統(tǒng)中的檢測器的方法。該方法包括形成檢測器元件陣列，其中每個(gè)檢測器元件包括一個(gè)薄膜晶體管。
本技術(shù)的另一個(gè)方面，提供環(huán)形薄膜晶體管的制造方法。該方法包括形成半導(dǎo)體材料層、形成布置在該半導(dǎo)體材料層之上的環(huán)形源電極、在環(huán)形源電極內(nèi)形成布置在該半導(dǎo)體材料層之上的漏電極、形成漏電極和環(huán)形源電極之間的有源溝道。
本技術(shù)的另一個(gè)方面，提供一種蛇形薄膜晶體管的制造方法，包括形成半導(dǎo)體材料層、形成布置在該半導(dǎo)體材料層之上的蛇形源電極、在基本位于蛇形源電極形成的凹槽內(nèi)形成布置在該半導(dǎo)體材料層之上的漏電極、以及形成漏電極和蛇形源電極之間的有源溝道。


當(dāng)參照附圖閱讀下面的詳細(xì)描述時(shí)，本發(fā)明的這些和其它特征、方面和優(yōu)勢將更好地理解，其中相似的符號(hào)代表相似的部分。
圖1的示意圖代表根據(jù)本發(fā)明一個(gè)方面的示例性X射線成像系統(tǒng)。
圖2是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)方面的檢測器的剖視圖。
圖3是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)方面的環(huán)形薄膜晶體管的剖視圖。
圖4是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)方面的環(huán)形薄膜晶體管的側(cè)視圖。
圖5是根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)方面的蛇形薄膜晶體管的剖視圖。
圖6是根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)方面的蛇形薄膜晶體管的側(cè)視圖。
具體實(shí)施例方式
圖1闡述了一種X射線成像系統(tǒng)，通常用附圖標(biāo)記10表示。在所述實(shí)施例中，根據(jù)本技術(shù)，X射線成像系統(tǒng)10設(shè)計(jì)成采集和處理圖像數(shù)據(jù)，這將在下面有更詳細(xì)的描述。X射線成像系統(tǒng)10包括和準(zhǔn)直器14相鄰放置的X射線源12。在一個(gè)實(shí)施例中，X射線源12是低能源并在低能成像技術(shù)例如熒光鏡技術(shù)等中使用。準(zhǔn)直器14允許一束X射線輻射16穿過放置目標(biāo)18(例如患者)的區(qū)域。該輻射的一部分被目標(biāo)18衰減。該衰減的輻射20作用到檢測器22，例如熒光鏡檢測器。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，檢測器22可以基于閃爍(即光轉(zhuǎn)換)，基于直接轉(zhuǎn)換或基于在入射輻射基礎(chǔ)上產(chǎn)生電信號(hào)的其它技術(shù)。例如，基于閃爍器的檢測器將入射到其表面的X射線光子轉(zhuǎn)換成光量子，這些光量子然后通過光電二極管可以轉(zhuǎn)換成電信號(hào)。相反，直接轉(zhuǎn)換檢測器直接產(chǎn)生響應(yīng)X射線的電荷，電信號(hào)被存儲(chǔ)電容器存儲(chǔ)和從該存儲(chǔ)電容器中讀出。如下面詳細(xì)描述的，不管使用什么樣的轉(zhuǎn)換技術(shù)，這些電信號(hào)都可以被采集和處理以構(gòu)建目標(biāo)18中特征的圖像。
X射線源12由電源/控制電路24控制，該電路為檢查序列提供功率和控制信號(hào)。而且，檢測器22耦合到檢測器采集電路26，該檢測器采集電路26命令采集在檢測器22中產(chǎn)生的信號(hào)。檢測器采集電路26還可以執(zhí)行各種信號(hào)處理和濾波功能，例如動(dòng)態(tài)范圍的初始調(diào)整、數(shù)字的交織等。
在所示的示例性實(shí)施例中，電源/控制電路24和檢測器采集電路26中的一個(gè)或兩個(gè)響應(yīng)系統(tǒng)控制器28的信號(hào)。在一些示例性系統(tǒng)中，希望移動(dòng)檢測器22或X射線源12中的一個(gè)或兩個(gè)。在這些系統(tǒng)中，運(yùn)動(dòng)子系統(tǒng)可以作為系統(tǒng)控制器28的一部分存在以完成該移動(dòng)。在本實(shí)例中，系統(tǒng)控制器28還包括信號(hào)處理電路，通常為基于一般目的或應(yīng)用的特殊數(shù)字計(jì)算機(jī)。系統(tǒng)控制器28還可以包括存儲(chǔ)電路，用于存儲(chǔ)由計(jì)算機(jī)執(zhí)行的程序和路徑以及配置參數(shù)和圖像數(shù)據(jù)；接口電路等。
圖像處理電路30還可以在X射線成像系統(tǒng)10的所示實(shí)施例中存在。圖像處理電路30接收從檢測器采集電路26采集的投射數(shù)據(jù)并處理所采集的數(shù)據(jù)，以產(chǎn)生一個(gè)或多個(gè)基于X射線衰減的圖像。
在X射線成像系統(tǒng)10的所示實(shí)施例中存在一個(gè)或多個(gè)操作工作站32。操作工作站32允許操作者初始化和配置X射線成像檢查和觀察作為檢查的一部分產(chǎn)生的圖像。例如，系統(tǒng)控制器28一般與操作工作站32相連，使得操作者通過一個(gè)或多個(gè)與操作工作站32有關(guān)的輸入設(shè)備可以提供指令或命令到系統(tǒng)控制器28。
類似地，圖像處理電路30與操作工作站32相連，使得操作工作站32可以接收和在輸出設(shè)備34(例如顯示器或打印機(jī))上顯示圖像處理電路30的輸出。輸出設(shè)備34可以包括標(biāo)準(zhǔn)或特殊目的的計(jì)算機(jī)監(jiān)控器和相關(guān)的處理電路。一般而言，系統(tǒng)中提供的顯示器、打印機(jī)、操作工作站和類似的設(shè)備可以處于數(shù)據(jù)采集部分的本地或遠(yuǎn)離這些部分，例如在其它公共機(jī)構(gòu)或醫(yī)院或完全不同的地點(diǎn)。遠(yuǎn)離數(shù)據(jù)采集部件的輸出設(shè)備和操作工作站可以和圖像采集系統(tǒng)通過一個(gè)或多個(gè)可配置的網(wǎng)絡(luò)(例如英特網(wǎng)、虛擬私人網(wǎng)絡(luò)等)相連。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，盡管圖1中系統(tǒng)控制器28、圖像處理電路30和操作工作站32相互明顯不同，但這些部件可以包含在單個(gè)的基于處理器的系統(tǒng)(例如通用目的或者應(yīng)用的特定數(shù)字計(jì)算機(jī))中?？商鎿Q的方案是，這些部件中的部分或者全部可以存在于不同的基于處理器的系統(tǒng)中，例如通用目的或者應(yīng)用的特定數(shù)字計(jì)算機(jī)，所述通用目的或者應(yīng)用的特定數(shù)字計(jì)算機(jī)配置成與另一個(gè)相互交流的形式。例如，圖像處理電路30可以是不同再現(xiàn)和觀察工作站的部件。
現(xiàn)在參考圖2，詳細(xì)討論圖1中介紹的基于閃爍的檢測器35。盡管圖2的基于閃爍的檢測器35在這里作為用于本技術(shù)的實(shí)例討論，但應(yīng)當(dāng)記住這只是一個(gè)例子。其它的檢測器22，例如直接轉(zhuǎn)換檢測器，可以以這里討論的方式從本技術(shù)中受益。因此基于閃爍的檢測器35的討論應(yīng)當(dāng)理解成僅是示例性的，且用于闡述受益于本技術(shù)的一類檢測器的工作原理。
現(xiàn)在轉(zhuǎn)向圖2，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，存在基于閃爍的檢測器35部件的示例性物理結(jié)構(gòu)。檢測器22一般包括玻璃基片36，其上布置下面描述的部件。在所示實(shí)施例中，基于閃爍的檢測器35包括光敏元件38的陣列。在一個(gè)實(shí)施中，光敏元件38是由硅形成的光電二極管。在圖2的示例性實(shí)施例中，光電二極管布置在定義了像素或圖像元件的行和列的陣列中，所述像素或圖像元件由檢測器采集電路26讀出。每個(gè)光電二極管包括光敏區(qū)域40和薄膜晶體管(TFT)42，該晶體管可以使用數(shù)據(jù)線48和掃描線50被選擇性激活。
而且，基于閃爍的檢測器35包括閃爍器44，當(dāng)閃爍器44曝光于X射線時(shí)，其產(chǎn)生由光敏區(qū)域40檢測的光量子。如該實(shí)施例所述，布置在電介質(zhì)層56上的導(dǎo)電層54位于閃爍器44和光敏元件38陣列之間。通孔58將導(dǎo)電層54電耦合到光敏元件38陣列的每個(gè)元件的頂面，以允許將公共偏置施加到每個(gè)光敏元件。
在采用直接轉(zhuǎn)換檢測器的實(shí)施例中，和上面討論的基于閃爍的檢測器35相對(duì)，使用光電導(dǎo)體(例如硒、氧化鉛、碘化鉛、碘化汞等)代替閃爍器。類似地，在這種直接轉(zhuǎn)換檢測器中使用簡單的存儲(chǔ)電容器代替光敏二極管。這種直接轉(zhuǎn)換檢測器的其它方面，包括數(shù)據(jù)和掃描線的使用，通孔和橋、以及TFT 42的使用與上述基于閃爍的檢測器35相似或類似，因此，可以受益于這里描述的本技術(shù)。
根據(jù)本發(fā)明，如下面詳細(xì)描述的，TFT包括相互不對(duì)稱的源電極和漏電極。在某些實(shí)施例中，漏電極小于源電極。這種非對(duì)稱性允許漏-柵電容(特別是源-柵電容)減少到這種程度，其中這些電容分別是柵電極和每個(gè)漏電極和源電極交疊的函數(shù)。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，減少漏-柵電容通常減少了與TFT有關(guān)的噪聲，進(jìn)而增加了信噪比(SNR)。
例如，一個(gè)實(shí)施例中，TFT 42具有其中源電極部分或全部包圍漏電極的結(jié)構(gòu)。為簡單起見，這種結(jié)構(gòu)這里稱為環(huán)形TFT 60，盡管(本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解)環(huán)形源電極62可以是任何封閉形狀，例如和圓形相對(duì)的橢圓形、矩形、方形等。類似地，被包圍的漏電極64可以是其它形狀而不是圓形。然而為簡單起見，這里描述的如圖3和圖4所示的環(huán)形TFT 60是圓形的。
現(xiàn)在參考圖3，描述了環(huán)形TFT 60，其包括環(huán)形源電極62。示出了布置在環(huán)形源電極62之中的光盤狀漏電極64。環(huán)形源電極62和漏電極64都布置在半導(dǎo)體材料(例如硅)層66上。
環(huán)形TFT 60通過導(dǎo)電通孔58，如圖4中根據(jù)光盤狀漏電極64所示，耦合到垂直偏置數(shù)據(jù)線(未示出)。一般地，通孔58經(jīng)過TFT鈍化電介質(zhì)層68和布置在光敏元件38陣列和TFT 42之上的電介質(zhì)層56(見圖2)以將光盤狀漏電極64上的接合焊盤(landing pad)連接到數(shù)據(jù)線。TFT鈍化電介質(zhì)層68一般淀積在TFT上，以鈍化層66的半導(dǎo)體表面和在后續(xù)的淀積中隔離源和漏電極62和64。
在圖3所述的實(shí)施例中，柵電極70布置在半導(dǎo)體層66下。在一個(gè)實(shí)施例中，柵電極70是環(huán)形的以最小化漏-柵交疊71(圖4)，因此減少了漏-柵電容。在一個(gè)實(shí)施例中，漏-柵交疊71達(dá)到大約4微米。在另一實(shí)施例中，基本沒有漏-柵交疊。在所示的實(shí)施例中，電介質(zhì)層72布置在柵電極70和半導(dǎo)體層66之間。柵電極70通過橋74耦合到掃描線50以使TFT能夠正確工作。
此外，在圖4所示的實(shí)施例中，環(huán)形源電極62和漏電極64被有源溝道76分離。有源溝道76的底面一般包括半導(dǎo)體層66的暴露的半導(dǎo)體材料。有源溝道76一般由部分腐蝕半導(dǎo)體層66形成。在所述的實(shí)施例中，平行于源電極62和漏電極64被有源溝道76橫穿的總距離表示有源溝道76的寬度。在一個(gè)實(shí)施例中，有源溝道76的寬度為大約15微米到大約150微米的范圍。在所示實(shí)施例中，有源溝道具有基本恒定的長度77，其中長度77是源和漏電極62和64之間的垂直距離。在一個(gè)實(shí)施例中，長度77可以是1微米到5微米的任何單一值，而在其它實(shí)施例中長度77可以是其它值。而且，因?yàn)榄h(huán)形TFT60中的環(huán)形源電極62和漏電極64的幾何形狀，有源溝道不包括任何入口和出口。因此，層66的所有暴露的半導(dǎo)體材料都是有源溝道76的部分。此外，在所述的實(shí)施例，具有較少的電荷滯留，較小的漏-柵電容，而這最小化了和溝道電阻相關(guān)的噪聲。此外，所示實(shí)施例的漏-柵交疊71能夠承受柵電極70和環(huán)形源電極62和漏電極64之間的不對(duì)準(zhǔn)。
另一個(gè)實(shí)施例中，TFT 42具有這樣的結(jié)構(gòu)，其中源電極和漏電極具有不同尺寸。在這種實(shí)施例中，源和漏電極也可以是交錯(cuò)的。為簡單起見，這里這種結(jié)構(gòu)稱為蛇形TFT 78。例如，現(xiàn)在參考圖5和6，圖5示出了根據(jù)本技術(shù)一個(gè)方面的檢測器22中使用的蛇形TFT 78的透視圖。圖6示出了圖5中示出的附圖標(biāo)記100所代表方向的蛇形TFT78的側(cè)視圖。圖6所述的實(shí)施例中，TFT鈍化電介質(zhì)層90布置在蛇形TFT 78上。一個(gè)實(shí)施例中，蛇形TFT 78包括布置在半導(dǎo)體材料(例如硅)的半導(dǎo)體層82上的蛇形源電極80。在某些實(shí)施例中，蛇形源電極80包括U形源電極。在所述實(shí)施例中，蛇形TFT 78進(jìn)一步包括布置在半導(dǎo)體層82上的漏電極84，其形狀通常符合源電極80并和源電極80交錯(cuò)。在所示實(shí)施例中，漏電極84一般是T形，使得T形基區(qū)86和源電極86交錯(cuò)。漏電極84的這種設(shè)計(jì)提供了減少的表面積，即和蛇形薄膜晶體管78面積相比具有窄的漏電極，并避免了與柵電極92上的窄漏電極有關(guān)的工藝相關(guān)缺陷。在這種實(shí)施例中，和具有類似尺寸的源和漏的TFT相比，漏-柵電容相對(duì)于源-柵電容減少。因此，工作時(shí)蛇形TFT 78和具有相同尺寸即對(duì)稱的源和漏的TFT相比產(chǎn)生較小的噪聲。在一個(gè)實(shí)施例中，漏基長度86為大約1到3微米。在所述實(shí)施例中，漏電極84通過橋和通孔(未示出)耦合到數(shù)據(jù)線48。而且，電介質(zhì)層94一般布置在柵電極92和半導(dǎo)電層82之間。根據(jù)掃描線50和柵電極92怎樣被偏置，柵電極92通過橋96(如圖5所示)或通孔電耦合到掃描線50。
此外，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，源電極80和漏電極84被有源溝道98分離，該有源溝道98一般通過刻蝕半導(dǎo)電層82的一部分而形成。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，有源溝道98具有一個(gè)寬度，該寬度是在平行于源和漏電極80和84方向橫穿有源溝道98的距離。在一個(gè)實(shí)施例中，有源溝道98的寬度為大約15微米到150微米。在圖6所述的實(shí)施例中，有源溝道98具有基本恒定的長度，其中該長度是源和漏電極80和84之間的垂直距離。如圖所示，有源溝道98的長度由附圖標(biāo)記102和104表示。在該實(shí)施例中，有源溝道98是1到5微米之間的任何單一值。如上所述，有源溝道的基本恒定的長度導(dǎo)致半導(dǎo)電層82的暴露的半導(dǎo)體材料是有源溝道98的一部分。
盡管這里僅闡述和描述了本發(fā)明的某些特征，但本領(lǐng)域技術(shù)人員可以做出很多修改和改變。因此，應(yīng)當(dāng)理解附屬權(quán)利要求書意欲覆蓋本發(fā)明真實(shí)精神范圍內(nèi)的所有這種修改和改變。
權(quán)利要求
1.一種X射線成像系統(tǒng)10，包括X射線源12，用于發(fā)射X射線；檢測器22，用于響應(yīng)入射X射線以產(chǎn)生電信號(hào)；包括檢測器元件陣列，每個(gè)檢測器元件包括用作開關(guān)的薄膜晶體管，其中薄膜晶體管的漏電極和源電極相互不對(duì)稱；檢測器采集電路26，用于采集電信號(hào)；系統(tǒng)控制器28，用于控制至少一個(gè)X射線源12或檢測器采集電路26；以及圖像處理電路30，用于處理所述電信號(hào)以產(chǎn)生圖像。
2.權(quán)利要求1所述的X射線成像系統(tǒng)10，其中每個(gè)檢測器元件包括閃爍器44，用于響應(yīng)X射線以發(fā)射光量子；和光敏元件38，用于響應(yīng)該光量子以產(chǎn)生電信號(hào)。
3.權(quán)利要求1所述的X射線成像系統(tǒng)10，其中檢測器22包括光電導(dǎo)體元件，用于響應(yīng)X射線以產(chǎn)生電子；和存儲(chǔ)電容器，用于響應(yīng)由光電導(dǎo)體產(chǎn)生的電子以產(chǎn)生電信號(hào)。
4.權(quán)利要求1所述的X射線成像系統(tǒng)10，其中漏電極小于源電極。
5.權(quán)利要求1所述的X射線成像系統(tǒng)10，其中X射線源12包括低能X射線源。
6.一種環(huán)形薄膜晶體管60，包括；半導(dǎo)體材料層66；布置在半導(dǎo)體材料層66之上的環(huán)形源電極62；在環(huán)形源電極62內(nèi)，布置在半導(dǎo)體材料層66之上的漏電極64；以及位于漏電極64和環(huán)形源電極62之間的有源溝道76，其中有源溝道76的表面包括暴露的半導(dǎo)體材料。
7.權(quán)利要求6所述的環(huán)形薄膜晶體管60，其中有源溝道76具有基本恒定的長度。
8.權(quán)利要求6所述的環(huán)形薄膜晶體管60，其中漏電極64是圓形的。
9.權(quán)利要求6所述的環(huán)形薄膜晶體管60，其中有源溝道76基本不含有不是有源溝道76部分的暴露的半導(dǎo)體材料。
10.一種蛇形薄膜晶體管78，包括半導(dǎo)體材料層82；布置在該半導(dǎo)體材料層82之上的蛇形源電極80；布置在半導(dǎo)體材料層82之上的漏電極84，基本位于蛇形源電極80形成的凹槽中，其中漏電極84基本符合該凹槽；以及位于漏電極84和蛇形源電極80之間的有源溝道98，其中有源溝道98具有基本恒定的長度，其中有源溝道98的一個(gè)表面包括暴露的半導(dǎo)體材料。
全文摘要
一種環(huán)形薄膜晶體管60，包括布置在半導(dǎo)體材料層66之上的環(huán)形源電極62；在環(huán)形源電極62內(nèi)布置在半導(dǎo)體材料層66之上的漏電極64；以及位于漏電極64和環(huán)形源電極64之間的有源溝道76，其中有源溝道76的一個(gè)表面包括暴露的半導(dǎo)體材料。而且，一種蛇形薄膜晶體管78，包括布置在半導(dǎo)體材料層82之上的蛇形源電極80；布置在半導(dǎo)體材料層82上和基本位于由蛇形源電極80形成的凹槽之中的漏電極84，其中漏電極84基本符合該凹槽；以及位于漏電極84和蛇形源電極80之間的有源溝道98，其中有源溝道98具有基本恒定的長度，其中有源溝道98的一個(gè)表面包括暴露的半導(dǎo)體材料。
文檔編號(hào)H01L29/786GK1795824SQ20051013388
公開日2006年7月5日 申請日期2005年12月22日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月22日
發(fā)明者D·阿爾巴格利, W·A·亨尼西, A·J·庫圖爾, C·科拉佐－達(dá)維拉 申請人:通用電氣公司