專利名稱：電源芯線器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本技術(shù)領(lǐng)域涉及具有低電感值和高電容值兩種功能的器件，以及將這些器件結(jié)合進(jìn)有機(jī)介電層壓體和印刷線路板中的方法。
背景技術(shù)：
包括集成電路(IC)的半導(dǎo)體器件在較高頻率下工作時(shí)，較高的數(shù)據(jù)率和較低的電壓，電源線和接地(返回)線中的噪聲，以及提供足夠電流以適應(yīng)更快的電路切換成為越來(lái)越重要的問(wèn)題，要求該電源分配系統(tǒng)中具有低電感值。為了向IC提供低噪聲和穩(wěn)定電源，通過(guò)使用并聯(lián)互連的附加表面安裝技術(shù)(SMT)電容來(lái)降低傳統(tǒng)電路中的阻抗。較高的工作頻率(較高的IC切換速度)是指電壓對(duì)IC的響應(yīng)時(shí)間必須比較快。較低的工作電壓要求允許電壓變化(紋波)和噪聲比較小。例如，當(dāng)微處理器IC切換并開(kāi)始工作時(shí)，它要求提供電源以支持該切換電路。如果電壓源的響應(yīng)時(shí)間太慢，則該微處理器會(huì)經(jīng)歷一個(gè)超過(guò)允許紋波電壓和噪聲容限的電壓降或電源下降，IC會(huì)發(fā)生故障。另外，當(dāng)IC電源升高時(shí)，慢響應(yīng)時(shí)間會(huì)導(dǎo)致電源過(guò)沖。必須通過(guò)使用足夠接近該IC的電容，在合適的響應(yīng)時(shí)間內(nèi)提供或吸收電源，將電源下降和電源過(guò)沖控制在允許極限內(nèi)。
通常把用于阻抗降低和抑制電源下降或電源過(guò)沖的SMT電容放置在電路板表面盡可能接近IC的地方，以改善電路性能。傳統(tǒng)設(shè)計(jì)具有表面安裝在印刷線路板(PWB)上簇?fù)碓贗C周?chē)碾娙?。把大值電容放置在電源附近，中等范圍值的電容位于IC和電源之間，小值電容非?？拷麵C。附

圖1是電源2，IC10和電容4，6，8的示意圖，電容4，6，8分別代表高值，中等范圍值和小值電容，用于上述的阻抗降低和抑制電源下降或電源過(guò)沖。附圖2是正視方向的代表性剖面圖，表示出SMT電容50，60和IC40到PWB基片中電源面和接地面的連接。焊片44將IC器件40連接到焊接盤(pán)41。電路線72和73將焊接盤(pán)41連接到通路90和100的鍍過(guò)的通孔通路墊。通路墊一般被表示為82。通路90與導(dǎo)電面120電連接，通路100與導(dǎo)電面122電連接。導(dǎo)電面120和122之一被連接至電源的電源側(cè)，另一被連接至電源的接地(返回)側(cè)。小值電容50和60被類似地電連接至通路以及導(dǎo)電面120和122，其連接方式是，以并聯(lián)方式與IC40電連接。IC被放置在模塊，插板或封裝上時(shí)，大值和中值電容可以位于連接模塊，插板或封裝的印刷線路母板上。
為了降低需要復(fù)雜電路布線的電源系統(tǒng)的阻抗，一般需要并聯(lián)互連大量SMT電容。這導(dǎo)致提高回路電感值，因而提高阻抗，抑制電流，從而降低表面安裝電容的有益效果。隨著頻率增加和工作電壓持續(xù)降低，必須以要求電感和阻抗水平越來(lái)越低的較快速率提供增加的電源。
已經(jīng)耗費(fèi)了相當(dāng)大的努力將阻抗減到最小。Howard等人的美國(guó)專利5161086提供了一種將阻抗和“噪聲”減到最小的途徑。Howard等人提供了一種電容性印刷電路板，在層壓板的多個(gè)層中包括電容器層壓體(平面電容)，有大量集成電路等器件被安裝或形成于在電路板上安裝或形成大量集成電路等器件，并且與電容器層壓體(或多個(gè)電容器層壓體)耦聯(lián)工作，提供包括借用或共享電容的電容性功能。但是，這種途徑不一定能改善電壓響應(yīng)。改善電壓響應(yīng)要求該電容較接近IC。簡(jiǎn)單地將電容器層壓體放置在較接近IC的地方可能是不夠的，因?yàn)樗玫降目傠娙葜悼赡苁遣怀浞值摹?br> Chakravorty的美國(guó)專利6611419提供了另一種嵌入式電容以降低切換噪聲的途徑，其中，集成電路模塊的電源端與多層陶瓷基片中嵌入的至少一個(gè)電容的對(duì)應(yīng)端耦聯(lián)。
因此，本發(fā)明者希望提供一種制造和設(shè)計(jì)電源芯線的方法，這種電源芯線被用于集成電路封裝或其他互連板，結(jié)構(gòu)或元件中，能獲得優(yōu)越的電源分配阻抗降低，以及適應(yīng)較高IC切換速度的改善的電壓響應(yīng)。本發(fā)明提供了這樣一種器件以及制造這種器件的方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式涉及電源芯線，包括至少一個(gè)嵌入式表面安裝技術(shù)(SMT)分立式單片電容器層，其中包括至少一個(gè)嵌入式SMT分立式單片電容器；和至少一個(gè)平面電容器層壓體；其中至少一個(gè)平面電容器層壓體作為低電感值通路，向至少一個(gè)嵌入式SMT分立式單片電容器提供電荷；而且其中所述嵌入式SMT單片電容器以并聯(lián)方式與所述平面電容器層壓體連接。
本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施方式提供制造電源芯線結(jié)構(gòu)的方法，包括制造電源芯線結(jié)構(gòu)的一種方法包括提供具有第一布圖側(cè)和第二布圖側(cè)的平面電容器層壓體；提供金屬箔；將所述金屬箔層壓至所述平面電容器層壓體的一個(gè)所述布圖側(cè)；在所述金屬箔上形成焊接盤(pán)和通路墊；將至少一個(gè)SMT分立式單片電容器固定到所述金屬箔的焊接盤(pán)上；并將至少一個(gè)SMT分立式單片電容器并聯(lián)到所述平面電容器層壓體上。
本發(fā)明還針對(duì)一種制造器件和包括上述電源芯線結(jié)構(gòu)的器件的方法，其中所述電源芯線互連到至少一個(gè)信號(hào)層。
附圖簡(jiǎn)要說(shuō)明參考以下附圖進(jìn)行具體說(shuō)明，其中對(duì)類似元件采用相似的附圖標(biāo)記，其中圖1是用于電感值降低和抑制電源下降或電源過(guò)沖的電容的典型現(xiàn)有技術(shù)應(yīng)用的示意圖；圖2是印刷線路組件在正視方向的剖面圖，該印刷線路組件中具有傳統(tǒng)現(xiàn)有技術(shù)的表面安裝(SMT)電容，用于阻抗降低和抑制電源下降或電源過(guò)沖；圖3是按照第一實(shí)施方式的電源芯線結(jié)構(gòu)在正視方向的剖面圖；圖4A-4B說(shuō)明制造平面電容器層壓體的方法；圖5A-5B表示用于制造按照第一實(shí)施方式的電源芯線結(jié)構(gòu)的平面電容器層壓體初始準(zhǔn)備；圖6是按照第一實(shí)施方式的電源芯線結(jié)構(gòu)子部分在正視方向上的剖面圖；圖7是按照第一實(shí)施方式經(jīng)進(jìn)一步處理后的電源芯線結(jié)構(gòu)子部分在正視方向上的剖面圖；圖8是按照第一實(shí)施方式的電源芯線結(jié)構(gòu)在正視方向上的剖面圖；圖9是電源芯線結(jié)合到印刷電路板、模塊(包括多芯片模塊)、插板或封裝(包括區(qū)域陣排列封裝、系統(tǒng)上封裝和系統(tǒng)內(nèi)封裝)形成電源芯線器件時(shí)，在下一階段的電源芯線結(jié)構(gòu)在正視方向上的剖面圖。
圖10是從箔側(cè)看到的A型分立電容設(shè)計(jì)。
圖11是從箔側(cè)看到的B型分立電容設(shè)計(jì)。
圖12是從箔側(cè)看到的C型分立電容設(shè)計(jì)。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明的實(shí)施方式涉及可以被埋入印刷線路板(PWB)基片，模塊，插板或封裝中的電源芯線結(jié)構(gòu)?？紤]到PWB，模塊，插板或封裝基片中電源芯線的低電感值和高電容值功能保留了PWB，模塊，插板或封裝上有價(jià)值的表面資源，與傳統(tǒng)SMT電容配置相比，需要較少的焊點(diǎn)。
根據(jù)第一實(shí)施方式，公開(kāi)了一種設(shè)計(jì)和制造電源芯線結(jié)構(gòu)的方法，其中高電容值的SMT分立式單片電容器和平面電容器層壓體以并聯(lián)方式連接嵌入在層壓體結(jié)構(gòu)中，形成電源芯線結(jié)構(gòu)。SMT分立式單片電容器通過(guò)焊接或其它適當(dāng)方法電連接到金屬焊接盤(pán)上。通常，金屬是金屬箔。雖然我們?cè)谶@里使用術(shù)語(yǔ)“箔”，但是應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，箔包括普通金屬層，電鍍金屬，濺射金屬等。使高電容值的SMT分立式單片電容器在電源芯線中置于并互連到盡可能接近IC的電源端，用于對(duì)IC產(chǎn)生快速電壓響應(yīng)，以支持高速切換。將SMT分立式單片電容器盡可能地接近IC電源端放置還能提供低電感值連接。平面電容器層壓體作為電源-接地面，電源-接地面分隔很薄，以降低封裝中的高頻阻抗。
附圖3是本發(fā)明電源芯線器件600在正視方向上的剖面圖。上述實(shí)施方式允許將箔210層壓到平面電容器層壓體340，在箔上形成焊接盤(pán)220、電路導(dǎo)體230和通路墊240，并用焊接片250將SMT分立式單片電容器410焊接到焊接盤(pán)。這樣的SMT分立式單片電容器是工業(yè)常用的，并能從例如MurataManufacturing有限公司、Syfer a Dover公司和Johanson Dielectrics有限公司獲得?？梢圆捎脴?biāo)準(zhǔn)印刷電路板的層壓方法，將用來(lái)形成固定所述SMT分立式單片電容器的所述焊接盤(pán)的箔層壓到平面電容器層壓體上，形成電源芯線結(jié)構(gòu)的子部分。
上述實(shí)施方式還允許使用各種材料形成平面電容。這些材料可以包括金屬箔-介電材料-金屬箔層壓結(jié)構(gòu)，其中的介電材料可以包括有機(jī)層，陶瓷填充的有機(jī)層，或陶瓷層。使用多個(gè)層時(shí)，這些層可以是不同的材料。這些介電材料的厚度可以較薄以降低阻抗。可以采用標(biāo)準(zhǔn)印刷線路板層壓方法將平面電容器層壓至用來(lái)形成固定所述SMT分立式單片電容器的所述焊接盤(pán)的箔上，形成電源芯線器件的子部分。
通過(guò)把焊劑糊料施加于焊接盤(pán)、把SMT分立式單片電容器放置在焊劑糊料位置上以及使用回流焊技術(shù)熔化焊劑糊料可以固定所述SMT分立式單片電容器，例如，形成電源芯線器件。例如，可以使用高溫焊劑糊料，諸如從IndiumCorporation of America得到的Indalloy No.241，以防止在印刷線路板熱空氣焊劑均勻化或后繼的焊接期間的焊料熔化。
根據(jù)上述實(shí)施方式，低阻抗和高電容值兩種功能都能被集成在單個(gè)電源芯線結(jié)構(gòu)中，該結(jié)構(gòu)還可以被進(jìn)一步集成在另一個(gè)層壓體結(jié)構(gòu)中，允許在較低電壓下以降低的電壓紋波進(jìn)行高速I(mǎi)C工作。將電源芯線結(jié)構(gòu)結(jié)合在印刷線路板，模塊，插板或封裝中時(shí)，有價(jià)值的資源成為可用。而且，可以取消并聯(lián)在表面上的單個(gè)SMT電容器相關(guān)的焊點(diǎn)，從而提高可靠性?？梢圆捎贸Ｓ玫挠∷⒕€路板方法加工電源芯線結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步降低制造成本。
通過(guò)閱讀這些實(shí)施方式的具體說(shuō)明以及參考下列附圖，本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠理解本發(fā)明各實(shí)施方式的上述和其他優(yōu)點(diǎn)以及好處。
根據(jù)一般慣例，附圖的各個(gè)部分不一定是成比例的。各部分的尺寸可以放大或縮小，從而更清楚地說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式。
圖3是根據(jù)第一實(shí)施方式的電源芯線器件600的側(cè)視圖，該器件中包括平面電容器層壓體340和SMT分立式單片電容器410。
圖4A-4B是制造平面電容器層壓體的一般方法的側(cè)視圖。
圖4A是制造圖4B所示的平面電容器層壓體320的第一階段的側(cè)視圖，其中提供了一個(gè)金屬箔310。箔310可以是從例如銅，銅基材料和其它金屬制成。優(yōu)選箔包括主要由銅組成的箔，例如反面處理的銅箔，雙面處理的銅箔，軋制退火的銅箔和常用于多層印刷電路板工業(yè)中的其他銅箔。一些合適銅箔的例子是從Olin Brass(Somers Thin Strip)和Gould Electronics獲得的那些產(chǎn)品。箔310的厚度可以在例如大約1-100微米的范圍內(nèi)，優(yōu)選是3-75微米，最優(yōu)選是12-36微米，對(duì)應(yīng)于約1/3和1盎司之間的銅箔。
漿料或溶液可以被澆鑄或涂布在箔310上，干燥并固化，形成第一介電層312，形成經(jīng)過(guò)涂布的金屬箔300。層壓體的一個(gè)或多個(gè)介電層可以選自有機(jī)，陶瓷，陶瓷填充的有機(jī)，以及它們的混合物的層。如果聚合物具有熱塑性，則固化可以通過(guò)在例如200-350℃下進(jìn)行烘焙而實(shí)現(xiàn)。如果聚合物是熱固性材料，則可以使用較高的固化溫度。如果聚合物傾向于只是部分固化而形成“B”階段狀態(tài)的聚合物，則固化可以通過(guò)例如在120-200℃下進(jìn)行干燥而實(shí)現(xiàn)。
用于形成介電層312的溶液可以包括，例如溶解在溶劑中的聚合物。漿料可以包括，例如具有高介電常數(shù)(“高K”)填料/陶瓷填料或功能物相的聚合物-溶劑溶液。適合于作為漿料或溶液的聚合物可以包括但并不限于，例如環(huán)氧或聚酰亞胺樹(shù)脂。高K功能物相可以被定義為介電常數(shù)大于500的材料，可以包括通式為ABO3的鈣鈦礦型化合物。適用的填料包括，例如晶狀鈦酸鋇(BT)，鈦酸鋇鍶(BST)，鋯鈦酸鉛(PZT)，鈦酸鉛鑭，鋯鈦酸鉛鑭(PLZT)，鈮酸鉛鎂(PMN)，和鈦酸鈣銅。填料可以是粉末形式的。一種適用的高K填料是從FerroCorporation，Tam Ceramics或Fuji Titanium獲得的鈦酸鋇。
出于其他原因，介電常數(shù)低于500的功能物相也可能是適用的。這些材料可以包括鈦，鉭，鉿和鈮的氧化物。
如果介電材料312是熱塑性的，或者只是部分固化的，則可以在熱量和壓力下將兩片經(jīng)過(guò)涂布的金屬箔300以圖4A中箭頭所示方向?qū)訅涸谝黄?，形成圖4B中所示的層壓結(jié)構(gòu)320。
如果介電材料312是熱固性的，則可以將粘性薄層施加于一個(gè)或兩個(gè)介電層312上。商用熱固性介電材料包括從E.I.du Pont de Nemours and Company獲得的聚酰亞胺級(jí)產(chǎn)品。
參見(jiàn)圖4B，從層312層壓而形成單個(gè)介電材料324。例如，制得的介電材料324可以是一個(gè)薄層，層壓之后大約4-25微米。平面電容器層壓體的一個(gè)實(shí)施方式是銅-介電材料-銅層壓體?？梢杂脕?lái)形成金屬-介電材料-金屬結(jié)構(gòu)的嵌入式電容的材料和方法包括Vantico授權(quán)給Motorola的Probelec 81 CFP和經(jīng)過(guò)樹(shù)脂涂布的箔產(chǎn)品，例如從Hitachi Chemical Company獲得的MCF6000E，從Mitsui Metal and Smelting Co.，Ltd.獲得的MR-600，從MatsushitaElectric Works，Ltd.獲得的R-0880，和從Sumitomo Bakelite Co.，Ltd.獲得的APL-4000。
另一種形成介電材料324的方法可以是，在箔310上澆鑄經(jīng)過(guò)填充或未經(jīng)填充的熱塑性聚合物，將未經(jīng)涂布的第二箔直接層壓至經(jīng)過(guò)填充的熱塑性聚合物。而另一種制造方法包括以單個(gè)膜獨(dú)立地形成介電層324，并使用熱量和壓力將其層壓至第一箔310和第二箔310。另一種制造方法包括以單個(gè)膜獨(dú)立地形成介電層324，并在所述獨(dú)立形成的介電層的兩側(cè)濺射金屬晶種層，然后采用化學(xué)鍍或電解電鍍技術(shù)，在該晶種層上鍍敷其他金屬。適用的電容器層壓體包括從E.I.du Pont de Nemours and Company獲得的InterraTMHK04系列，從E.I.du Pont de Nemours and Company獲得的InterraTMHK 11系列，Sanmina-SCI Corporation授權(quán)的BC-2000和BC-1000層壓體，從Oak-MitsuiTechnologies獲得的FaradFlex系列，從Rohm and Haas Electronic Materials獲得的InSiteTM嵌入式電容系列，從Gould Electronics獲得的TCCTM，和從3M獲得的C-Ply。
圖5A-5B以側(cè)視圖方式說(shuō)明制備用于制造電源芯線器件的平面電容器層壓體的通用方法。
圖5A以側(cè)視圖方式表示了圖4B的平面電容器層壓體320。在每個(gè)箔310上應(yīng)用光刻膠(在圖5A中未示出)。但是，只有一個(gè)光刻膠成像并顯影，因此只蝕刻一個(gè)箔310，形成箔電極部分314和相關(guān)電路。然后采用標(biāo)準(zhǔn)印刷線路板加工條件剝離所有剩余的光刻膠。一種適用光刻膠的實(shí)例是從E.I.du Pontde Nemours and Company獲得的Riston光刻膠。
圖5B以側(cè)視圖方式表示了制得的經(jīng)過(guò)蝕刻的層壓體340，圖中層壓體的一側(cè)被蝕刻清除了部分箔310，而其他箔310保持完整。
參見(jiàn)圖6，箔210被層壓至平面電容器層340的布圖側(cè)。例如，可以用FR4環(huán)氧預(yù)浸料坯360采用標(biāo)準(zhǔn)印刷線路板加工方法進(jìn)行層壓。在一個(gè)實(shí)施方式中，可以使用環(huán)氧預(yù)浸料坯型106。適用的層壓條件可以是，在抽空至28英寸汞柱的真空室中，以185℃，208磅/平方英寸(表壓)處理1小時(shí)。硅橡膠壓力墊和平滑的填充PTFE的玻璃剝離片可以與箔210和310接觸，防止環(huán)氧樹(shù)脂將層壓片粘合在一起。介電預(yù)浸料坯和層壓材料可以是任何種類的介電材料，例如標(biāo)準(zhǔn)環(huán)氧樹(shù)脂，高Tg環(huán)氧樹(shù)脂，聚酰亞胺，聚四氟乙烯，氰酸酯樹(shù)脂，填充樹(shù)脂體系，BT環(huán)氧樹(shù)脂，和能提供絕緣的其他樹(shù)脂和層壓體。剝離片可以接觸箔，以防止環(huán)氧樹(shù)脂將層壓片粘合在一起。制得的子部分400一側(cè)有箔210，另一側(cè)有箔310。
參見(jiàn)圖7，層壓之后，光刻膠(在圖7中未示出)被施加至箔210和平面電容器箔310。光刻膠被成像，顯影，并蝕刻金屬箔，采用標(biāo)準(zhǔn)印刷線路板加工條件剝離光刻膠。蝕刻在平面電容器箔310中形成箔電極部分314和相關(guān)電路。蝕刻還從箔210產(chǎn)生焊接盤(pán)220、電路導(dǎo)體230和通路墊240。由箔210還產(chǎn)生所有的相關(guān)電路。形成子部分500。
參見(jiàn)圖8，將SMT分立式單片電容器410固定到子部分500上完成電源芯線器件600。固定SMT電容器的一種方法是施加高溫焊劑糊料如IndalloyNo.241(可從Indium Corporation of America Indium獲得)至焊接盤(pán)220。施加焊劑糊料后，通過(guò)能從印刷電路板組裝工業(yè)獲得的進(jìn)行拾取和放置設(shè)備，將SMT分立式單片電容器放在該糊料覆蓋的焊接盤(pán)上。
應(yīng)當(dāng)理解，可以通過(guò)其他順序的層壓形成電源芯線，例如首先將圖6中所示平面電容器層壓體340的成像側(cè)層壓至其他印刷線路板層，在未成像的箔310上施加光刻膠，蝕刻箔，剝離光刻膠，然后將箔210層壓至形成的結(jié)構(gòu)上。
圖9所示是將電源芯線結(jié)合到印刷電路板、模塊、插板或封裝的處理中又一階段的側(cè)視圖。電源芯線器件600可以用例如FR4環(huán)氧預(yù)浸料坯710和730采用標(biāo)準(zhǔn)印刷線路板加工方法層壓至其它電路層。預(yù)浸料坯710可以是預(yù)沖孔的，形成開(kāi)孔720。金屬箔740也可以與預(yù)浸料坯710層壓并適當(dāng)成像，形成所需的電路。開(kāi)孔720用來(lái)降低層壓過(guò)程中在SMT分立式單片電容器410上的壓力。層壓時(shí)，預(yù)浸料坯中的環(huán)氧樹(shù)脂在電容器410周?chē)鲃?dòng)，將它們包封(在該圖中未清楚標(biāo)出)。還可以層壓另外的電路層。另一種方法可以使用涂布樹(shù)脂的金屬箔，其介電層不含玻璃增強(qiáng)纖維。僅部分固化的樹(shù)脂在層壓過(guò)程中在SMT分立式單片電容器410周?chē)鲃?dòng)。
通過(guò)鉆孔并電鍍鍍過(guò)的通孔通路或采用印刷電路板工業(yè)常用的其它方法，將平面電容器的箔電極部分312和314電連接到通路墊240。圖9示出鍍過(guò)的通孔通路750和760的一部分的表示。鍍過(guò)的通孔通路750電連接到SMT分立式單片電容器410的一個(gè)末端和平面電容器340的一個(gè)箔上。鍍過(guò)的通孔通路760電連接到SMT分立式單片電容器410的相對(duì)的末端和平面電容器340的相對(duì)的箔上。這種代表性情況顯示在SMT分立式單片電容器410和平面電容器層壓體340之間的并聯(lián)式電連接。
圖9所示為電源芯線器件的一種實(shí)施方式。該電源芯線器件包括電源芯線，電源芯線包含包含至少一個(gè)嵌入式SMT分立式單片電容器的至少一個(gè)嵌入式表面安裝技術(shù)(SMT)分立式單片電容器層；和至少一個(gè)平面電容器層壓體；其中至少一個(gè)平面電容器層壓體作為低電感值通路，向至少一個(gè)嵌入式SMT分立式單片電容器提供電荷；而且其中所述嵌入式SMT單片電容器以并聯(lián)方式與所述平面電容器層壓體連接；所述電源芯線互連到至少一個(gè)信號(hào)層。
器件的SMT分立式單片電容器包含至少第一電極和第二電極。第一電極和第二電極連接到半導(dǎo)體器件的至少一個(gè)電源末端。該半導(dǎo)體器件可以是集成電路。
此外，電源芯線器件可以包含一個(gè)以上的信號(hào)層，所述信號(hào)層通過(guò)導(dǎo)電通路連接。所述器件可以選擇自插板、印刷電路板、多芯片模塊、區(qū)域陣列封裝、系統(tǒng)上封裝和系統(tǒng)內(nèi)封裝。
電源芯線器件可以采用各種方法來(lái)制造，包括制造器件的一種方法，該方法包括提供具有至少一個(gè)布圖側(cè)的平面電容器層壓體；提供金屬箔；將所述金屬箔層壓至所述平面電容器層壓體的布圖側(cè)；在所述金屬箔上形成焊接盤(pán)和通路墊；將至少一個(gè)SMT分立式單片電容器固定到所述金屬箔的焊接盤(pán)上；并將至少一個(gè)SMT分立式單片電容器并聯(lián)到所述平面電容器層壓體上，形成電源芯線；在所述電源芯線上形成至少一個(gè)信號(hào)層。
另一種制造器件的方法包括以下步驟提供具有第一布圖側(cè)和第二布圖側(cè)的平面電容器層壓體；提供金屬箔；將所述金屬箔層壓至所述平面電容器層壓體的一個(gè)所述布圖側(cè)；在所述金屬箔上形成焊接盤(pán)和通路墊；將至少一個(gè)SMT分立式單片電容器固定到所述金屬箔的焊接盤(pán)上；并將至少一個(gè)SMT分立式單片電容器并聯(lián)到所述平面電容器層壓體上，形成電源芯線；在所述電源芯線上形成至少一個(gè)信號(hào)層。
這些信號(hào)層可采用下面方法形成，即在所述電源芯線的一面或兩面施加介電層；在所述介電層上形成包含一個(gè)或多個(gè)信號(hào)線的電路；以及在包含所述信號(hào)線的層之間形成導(dǎo)電互連。層之間的互連可以是導(dǎo)電通路。此外，無(wú)源元件連接到和外接到所述電源芯線。
實(shí)施例設(shè)計(jì)并測(cè)試了一種包含平面電容器層壓體和分立嵌入式陶瓷電容的結(jié)構(gòu)。平面電容器層壓體形成電源分布面，嵌入式電容被設(shè)計(jì)成安放在兩個(gè)內(nèi)部金屬層上。具有三種不同的電容設(shè)計(jì)A型，B型和C型。對(duì)于每種類型，具有1平方毫米，4平方毫米和9平方毫米有效電容尺寸(面積)的多個(gè)電容被安放在兩個(gè)內(nèi)部金屬層的每一個(gè)上。電容設(shè)計(jì)的區(qū)別在于相對(duì)位置和箔電極尺寸，介電材料尺寸，和絲網(wǎng)印刷的銅電極的尺寸。它們的設(shè)計(jì)區(qū)別還在于，隔絕兩個(gè)銅箔電極的間隙(間距)的設(shè)計(jì)，以及它們的區(qū)別還在于將嵌入式電容連接至下一個(gè)金屬層上方的通路位置和數(shù)量也不相同。例如，在9平方毫米尺寸的電容中，A型設(shè)計(jì)的特點(diǎn)是具有4個(gè)通路連接，B型具有28個(gè)通路，C型具有52個(gè)通路。對(duì)于所有三種類型，絲網(wǎng)印刷的導(dǎo)體形成一個(gè)電容電極，被介電材料與絲網(wǎng)印刷的導(dǎo)體分隔的箔作為另一個(gè)電容電極。
如圖10中所示的A型分立電容設(shè)計(jì)，從箔側(cè)觀察時(shí)，具有方形外形，連接絲網(wǎng)印刷導(dǎo)體的箔電極(900)延伸通過(guò)電容寬度。該電極被250微米的間距(920)與作為另一個(gè)電容電極的第二箔電極(910)分開(kāi)。這個(gè)間距延伸通過(guò)電容寬度。延伸通過(guò)電容寬度的第二箔電極具有為該電容長(zhǎng)度約4/5的長(zhǎng)度。在電容上方的下一個(gè)金屬層上形成直徑為150微米的通路連接(930)，從兩個(gè)電極的中的每一個(gè)的箔側(cè)觀察時(shí)，發(fā)現(xiàn)該通路連接被安放在右上角落中。對(duì)于所有尺寸，在每個(gè)電極中使用兩個(gè)通路。
如圖11中所示的B型分立電容設(shè)計(jì)，從箔側(cè)觀察時(shí)，具有方形外形，兩個(gè)箔電極(1000，1005)被連接至絲網(wǎng)印刷的導(dǎo)體。每個(gè)電極都在電容頂部和底部延伸通過(guò)電容寬度，每個(gè)的長(zhǎng)度分別是電容長(zhǎng)度的約1/5。這些電極被延伸通過(guò)電容寬度的250微米間距(1020)與作為另一個(gè)電容電極的第二箔電極(1010)分開(kāi)。該第二電極(1010)的長(zhǎng)度比電容長(zhǎng)度的3/5略小。在電容上方的下一個(gè)金屬層中形成直徑為150微米的通路連接(1030)，并被均勻排列成行，在電容頂部和底部通過(guò)電容電極的寬度，連接至絲網(wǎng)印刷的導(dǎo)體。電容的第二電極具有一排沿著電容每側(cè)分布的通路。對(duì)于9平方毫米尺寸，使用28個(gè)通路。
如圖12中所示的C型分立電容設(shè)計(jì)，從箔側(cè)觀察時(shí)，具有方形外形。連接至絲網(wǎng)印刷導(dǎo)體的箔電極(1100)形成圍繞第二電容電極(1100)的方形“像框”狀部件。該第二電容電極也是方形的，被250微米的連續(xù)間距(1120)與圍繞的第一電極分開(kāi)。到達(dá)電容上方下一個(gè)金屬層的150微米直徑通路連接(1130)均勻分布在連接至絲網(wǎng)印刷導(dǎo)體的第一電容電極的所有4個(gè)側(cè)面上，對(duì)于9平方毫米尺寸具有總共32個(gè)通路。對(duì)于9平方毫米尺寸，電容的第二電極具有20個(gè)通路，均勻分布在電極周?chē)?br> 測(cè)量具有和沒(méi)有通路連接時(shí)單個(gè)電容的電參數(shù)(電容值，電阻值，電感值)。測(cè)量單個(gè)電容的阻抗對(duì)頻率響應(yīng)，將測(cè)得的響應(yīng)與模擬模型作出的曲線進(jìn)行對(duì)比。然后使用模型模擬多個(gè)電容陣列的阻抗，對(duì)嵌入式電容陣列應(yīng)用保守的和先進(jìn)的設(shè)計(jì)規(guī)則。
結(jié)論利用Vector網(wǎng)絡(luò)分析儀和使用SOLT校準(zhǔn)的兩端口測(cè)量方法，測(cè)量沒(méi)有通路連接的1，4和9平方毫米尺寸的A，B和C型電容的電容值，電阻值和電感值。使用具有500微米間隙的同軸接地-信號(hào)探針測(cè)量電容S的參數(shù)，計(jì)算電容的實(shí)和虛的阻抗分量。在表1(沒(méi)有通路)和表2(具有通路)中，電容1，4，9是A型設(shè)計(jì)，電容2，5和8是B型設(shè)計(jì)，電容3，6和7是C型設(shè)計(jì)。電容1到3是1毫米×1毫米尺寸，電容4-6是2毫米×2毫米尺寸，電容7到9是3毫米×3毫米尺寸。
表1沒(méi)有通路

這說(shuō)明，正如所希望的，電容值隨著尺寸增加，不會(huì)因?yàn)樵O(shè)計(jì)類型而有很大變化。所有三種類型的電感值在沒(méi)有通路連接時(shí)是非常接近的。使用相同的設(shè)備和方法測(cè)量了具有通路連接時(shí)A，B和C型電容的相同參數(shù)。
表2具有通路

這些數(shù)據(jù)說(shuō)明，電容類型和通路數(shù)量及位置在很大程度上影響電容的電阻值和電感值。
測(cè)量具有和沒(méi)有通路連接的兩個(gè)C型電容的阻抗對(duì)頻率響應(yīng)。對(duì)于以上列出的電容3，結(jié)果表明，具有和沒(méi)有通路時(shí)的阻抗約為30毫歐，該電容因?yàn)橥愤B接而產(chǎn)生的共振頻率偏移為從沒(méi)有通路時(shí)的大約900兆赫到具有通路時(shí)的大約500兆赫。對(duì)于電容6，沒(méi)有通路時(shí)的結(jié)果表明，共振頻率約為350兆赫時(shí)的阻抗約為10毫歐，具有通路時(shí)，共振頻率約為200兆赫時(shí)的阻抗約為20毫歐。
觀察到兩種不同尺寸的電容所測(cè)得的頻率響應(yīng)和模擬的響應(yīng)之間具有良好的相關(guān)性。
對(duì)具有和沒(méi)有通孔電感分布的平面電容進(jìn)行平面電容阻抗對(duì)頻率響應(yīng)的模擬。通孔互連面積約為總面積的1％。一個(gè)沒(méi)有通孔電感的平面電容的頻率響應(yīng)在大約300兆赫的共振頻率下具有大約80毫歐的阻抗，而兩個(gè)具有通孔電感的平面電容的頻率響應(yīng)在大約250兆赫的共振頻率下具有大約30毫歐的阻抗。
根據(jù)測(cè)得的結(jié)果和各種獨(dú)立電容的模擬結(jié)果，應(yīng)用電容之間的最小間隙為500微米的保守設(shè)計(jì)規(guī)則對(duì)64個(gè)分立嵌入式電容陣列進(jìn)行模擬。選擇不同尺寸和不同共振頻率的電容，使電容陣列的阻抗響應(yīng)給出相當(dāng)均勻的低阻抗值。在100兆赫到1千兆赫范圍內(nèi)獲得的阻抗小于約40毫歐。
根據(jù)測(cè)得和模擬的結(jié)果，在100兆赫到1千兆赫頻率范圍內(nèi)，對(duì)每側(cè)尺寸為1.15到2.5毫米的陣列的電容應(yīng)用更苛刻的間隙設(shè)計(jì)規(guī)則，獲得0.7毫歐的阻抗。
為排布在38微米厚度基片上的100個(gè)未耦聯(lián)傳輸線設(shè)計(jì)模擬模型，該基片的相對(duì)介電常數(shù)為3.8，基片與電源面分開(kāi)。傳輸線間隔為10密耳，長(zhǎng)15毫米，寬2.82密耳，每根線都以對(duì)電源面和接地面為99歐姆的電阻終止(50歐姆的線終端)。一種情況下，電源面位于與接地面相對(duì)的14微米厚度基片上?；南鄬?duì)介電常數(shù)為3.8，損耗角正切為0.02。在另一種情況下，電源面位于與接地面相對(duì)的14微米厚度基片上，相對(duì)介電常數(shù)為11，損耗角正切為0.02。使用產(chǎn)生5千兆赫方波位流，80皮秒脈沖寬度，20皮秒上升和下降時(shí)間的輸出驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)所有100根傳輸線，獲得中位傳輸線的“眼”狀圖案響應(yīng)。對(duì)于第一種情況的眼狀圖案，電源面基片的介電常數(shù)為3.8，獲得的眼狀開(kāi)口高度為2.4799伏。對(duì)于第二種情況的響應(yīng)，相同條件和電源面基片的介電常數(shù)為11時(shí)，眼狀開(kāi)口高度為2.6929伏特，比第一種情況有明顯的增加。將傳輸線之間的間隙調(diào)整為3密耳，產(chǎn)生50對(duì)耦聯(lián)線。其他所有條件保持相同，獲得眼狀圖案的響應(yīng)。對(duì)于第一種耦聯(lián)線情況的眼狀圖案，電源面基片的介電常數(shù)為3.8時(shí)，眼狀圖案的開(kāi)口高度為2.5297伏特。對(duì)于在相同條件下的第二種耦聯(lián)線情況的響應(yīng)，電源面基片的介電常數(shù)為11時(shí)，眼狀圖案的開(kāi)口高度為2.6813伏特，比第一種情況有所增加。較高介電常數(shù)的電源面基片又一次導(dǎo)致改善的眼狀圖案響應(yīng)。
對(duì)除了平坦電源面基片之外還包括分立去耦電容的配置構(gòu)建進(jìn)行同步切換噪聲(SSN)分析的模擬模型。這個(gè)模擬模型在38微米厚度基片上具有50對(duì)耦聯(lián)傳輸線，基片的相對(duì)介電常數(shù)為3.8，基片與電源面分開(kāi)。傳輸線間隔3密耳，長(zhǎng)15毫米，寬2.82密爾，每根線都以對(duì)電源面和接地面為99歐姆的電阻終止(50歐姆的線終端)。在一些情況下，電源面位于與接地面相對(duì)的14微米厚度基片上?；南鄬?duì)介電常數(shù)為3.8，損耗角正切為0.02。在其他情況下，電源面位于與接地面相對(duì)的14微米厚度基片上，基片的相對(duì)介電常數(shù)為11，損耗角正切為0.02。用產(chǎn)生5千兆赫方波位流，80皮秒脈沖寬度，20皮秒上升和下降時(shí)間的輸出驅(qū)動(dòng)器同步驅(qū)動(dòng)所有100根傳輸線，獲得電源面上產(chǎn)生的噪聲電壓。對(duì)不同種類，SMT或嵌入式分立電容，和電容數(shù)量進(jìn)行分析。電容位于驅(qū)動(dòng)器的某處或者靠近傳輸線的末端。
在一種情況下，將具有50對(duì)耦聯(lián)線(總共100根傳輸線)，25個(gè)SMT電容的配置安放在傳輸線的驅(qū)動(dòng)器末端處，在線對(duì)1開(kāi)始的每隔一個(gè)線對(duì)處，下一個(gè)在線對(duì)3開(kāi)始，在線對(duì)50結(jié)束。平坦電源面基片的介電常數(shù)為3.8。每個(gè)SMT電容具有100納法的電容值，大約205皮亨的等效串聯(lián)電感值(ESL)和100毫歐的等效串聯(lián)電阻值(ESR)。使用80皮秒脈沖寬度，20皮秒上升和下降時(shí)間的5千兆赫方波位流來(lái)同步驅(qū)動(dòng)所有100根傳輸線，并測(cè)量電源面上的噪聲電壓。對(duì)每個(gè)電容具有1納法電容值，大約33皮亨等效串聯(lián)電感值(ESL)和9毫歐等效串聯(lián)電阻值(ESR)的嵌入式分立電容重復(fù)上述操作。該配置中的平坦電源面基片的介電常數(shù)為11。平坦電源面基片介電常數(shù)為3.8的25個(gè)SMT電容的電源面上電壓變化具有大約-0.1伏到+0.15伏的峰到峰電壓變化，而平坦電源面基片介電常數(shù)為11的25個(gè)嵌入式分立電容的電源面上電壓變化具有大約-0.05伏到+0.05伏的峰到峰電壓變化。使用嵌入式電容和較高介電常數(shù)平坦電源面基片，由輸出驅(qū)動(dòng)器的同步切換而產(chǎn)生的電源面噪聲降低很明顯。
向SMT模型添加附加的SMT電容，確定能提供嵌入式電容配置的等效噪聲降低的SMT電容數(shù)量。模擬50個(gè)，75個(gè)和100個(gè)SMT電容。將電容安放在每個(gè)線對(duì)的驅(qū)動(dòng)器末端處，獲得50個(gè)SMT電容的配置。添加第二組電容，分別位于每隔一個(gè)線對(duì)的驅(qū)動(dòng)器末端處，獲得75個(gè)電容的配置，添加SMT電容，在第一對(duì)到第五十對(duì)傳輸線的驅(qū)動(dòng)器末端處形成2乘50個(gè)電容陣列，獲得100個(gè)電容的配置。
平坦基片介電常數(shù)為3.8的50個(gè)SMT電容的電源面上電壓變化具有大約-0.12伏到+0.12伏的峰到峰電壓變化。平坦基片介電常數(shù)為3.8的75個(gè)SMT電容的電源面上電壓變化具有大約-0.1伏到+0.1伏的峰到峰電壓變化。平坦基片介電常數(shù)為3.8的100個(gè)SMT電容的電源面上電壓變化具有大約-0.075伏到+0.1伏的峰到峰電壓變化。所有4個(gè)SMT電容配置，在輸出驅(qū)動(dòng)器的同步切換下，都產(chǎn)生了比具有25個(gè)電容，而且電源面介電常數(shù)為11的嵌入式分立電容配置更高的電源面噪聲，或電壓變化。
權(quán)利要求
1.一種電源芯線，包括至少一個(gè)嵌入式表面安裝技術(shù)(SMT)分立式單片電容器層，該層包含至少一個(gè)嵌入式SMT分立式單片電容器；和至少一個(gè)平面電容器層壓體；其中至少一個(gè)平面電容器層壓體作為低電感值通路，向至少一個(gè)嵌入式SMT分立式單片電容器提供電荷；和所述嵌入式SMT分立式單片電容器并聯(lián)地連接至所述平面電容器層壓體。
2.如權(quán)利要求1所述的電源芯線，其特征在于，所述平面電容器層壓體包含有機(jī)介電層。
3.如權(quán)利要求1所述的電源芯線，其特征在于，所述平面電容器層壓體包含陶瓷介電層。
4.如權(quán)利要求1所述的電源芯線，其特征在于，所述平面電容器層壓體包含填充陶瓷材料的有機(jī)介電層，其中所述層中的陶瓷材料的介電常數(shù)大于500。
5.如權(quán)利要求1所述的電源芯線，其特征在于，所述平面電容器介電層壓體包含填充陶瓷材料的有機(jī)介電層，其中所述層中的陶瓷材料的介電常數(shù)小于500。
6.如權(quán)利要求1所述的電源芯線，其特征在于，所述平面電容器層壓體是銅-介電材料-銅的層壓體。
7.如權(quán)利要求6所述的電源芯線，其特征在于，所述銅-介電材料-銅的層壓體包括一個(gè)或多個(gè)介電層，選自有機(jī)層、陶瓷填充的有機(jī)層、陶瓷層，以及它們的混合物。
8.一種制造電源芯線結(jié)構(gòu)的方法，包括提供具有至少一個(gè)布圖側(cè)的平面電容器層壓體；提供金屬箔；將所述金屬箔層壓至所述平面電容器層壓體的布圖側(cè)；在所述金屬箔上形成焊接盤(pán)和通路墊；將至少一個(gè)SMT分立式單片電容器固定到所述金屬箔的所述焊接盤(pán)上；并將所述至少一個(gè)SMT分立式單片電容器并聯(lián)到所述平面電容器層壓體上。
9.一種制造電源芯線結(jié)構(gòu)的方法，包括提供具有第一布圖側(cè)和第二布圖側(cè)的平面電容器層壓體；提供金屬箔；將所述金屬箔層壓至所述平面電容器層壓體的一個(gè)所述布圖側(cè)；在所述金屬箔上形成焊接盤(pán)和通路墊；將至少一個(gè)SMT分立式單片電容器固定到所述金屬箔的所述焊接盤(pán)上；并將所述至少一個(gè)SMT分立式單片電容器并聯(lián)到所述平面電容器層壓體上。
10.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，在和所述SMT分立式單片電容器層相同的層上加入信號(hào)線并進(jìn)行互連。
11.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，在和所述SMT分立式單片電容器層相同的層上加入電阻器并進(jìn)行互連。
12.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，在所述平面電容器層壓體上加入電阻元件，形成電阻器電容器元件。
13.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述平面電容器層壓體采用下面方法形成，包括提供第一金屬箔；在所述第一金屬箔上提供第一介電層，形成第一涂布的金屬箔；提供第二金屬箔；在所述第二金屬箔上提供第二介電層，形成第二涂布的金屬箔；將所述第一和第二涂布的金屬箔層壓在一起。
14.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述平面電容器層壓體采用下面方法形成，包括提供第一金屬箔；在所述第一金屬箔上提供第一介電層，形成具有介電層側(cè)和金屬箔側(cè)的涂布的金屬箔；提供第二金屬箔；將所述第二的金屬箔層壓在所述涂布的金屬箔的所述介電層側(cè)上。
15.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述平面電容器層壓體采用下面方法形成，包括提供第一金屬箔；提供具有第一側(cè)和第二側(cè)的第一介電層；提供第二金屬箔；同時(shí)將所述第一金屬箔層壓到所述介電層的所述第一側(cè)和將所述第二金屬箔層壓到所述介電層的所述第二側(cè)。
16.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述平面電容器層壓體采用下面方法形成，包括提供第一金屬箔；在所述第一金屬箔上提供第一介電層，燒結(jié)所述介電材料從而形成第一涂布的金屬箔；和在燒結(jié)的介電材料上形成第一電極。
17.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述平面電容器包含第一金屬層、介電層和第二金屬層，其中至少一個(gè)金屬層采用選自絲網(wǎng)印刷、濺射和電鍍的方法形成。
18.一種包括電源芯線的器件，所述電源芯線包括至少一個(gè)嵌入式表面安裝技術(shù)(SMT)分立式單片電容器層，該層包含至少一個(gè)嵌入式SMT分立式單片電容器；和至少一個(gè)平面電容器層壓體；其中，至少一個(gè)平面電容器層壓體作為低電感值通路，向至少一個(gè)嵌入式SMT分立式單片電容器提供電荷；且其中所述嵌入式SMT分立式單片電容器并聯(lián)地連接至所述平面電容器層壓體；和其中所述電源芯線互連到至少一個(gè)信號(hào)層。
19.如權(quán)利要求18所述的器件，其特征在于，所述SMT分立式單片電容器包含至少第一電極和第二電極。
20.如權(quán)利要求19所述的器件，其特征在于，所述第一電極和第二電極連接到半導(dǎo)體器件的至少一個(gè)電源末端。
21.如權(quán)利要求20所述的器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件是集成電路。
22.如權(quán)利要求18所述的器件，其特征在于，所述器件包含一個(gè)以上的信號(hào)層，所述信號(hào)層通過(guò)導(dǎo)電通路連接。
23.如權(quán)利要求18所述的器件，其特征在于，所述器件選擇自插板、印刷電路板、多芯片模塊、區(qū)域陣列封裝、系統(tǒng)上封裝和系統(tǒng)內(nèi)封裝。
24.一種制造器件的方法，該方法包括提供具有至少一個(gè)布圖側(cè)的平面電容器層壓體；提供金屬箔；將所述金屬箔層壓至所述平面電容器層壓體的布圖側(cè)；在所述金屬箔上形成焊接盤(pán)和通路墊；將至少一個(gè)SMT分立式單片電容器固定到所述金屬箔的所述焊接盤(pán)上；將所述至少一個(gè)SMT分立式單片電容器并聯(lián)到所述平面電容器層壓體上，形成電源芯線；和在所述電源芯線上形成至少一個(gè)信號(hào)層。
25.一種制造器件的方法，該方法包括提供具有第一布圖側(cè)和第二布圖側(cè)的平面電容器層壓體；提供金屬箔；將所述金屬箔層壓至所述平面電容器層壓體的一個(gè)所述布圖側(cè)；在所述金屬箔上形成焊接盤(pán)和通路墊；將至少一個(gè)SMT分立式單片電容器固定到所述金屬箔的所述焊接盤(pán)上；將所述至少一個(gè)SMT分立式單片電容器并聯(lián)到所述平面電容器層壓體上，形成電源芯線；和在所述電源芯線上形成至少一個(gè)信號(hào)層。
26.如權(quán)利要求24或25所述的方法，其特征在于，所述信號(hào)層的形成方法是在所述電源芯線的一面或兩面施加介電層；在所述介電層上形成包含一個(gè)或多個(gè)信號(hào)線的電路；和在包含所述信號(hào)線的層之間形成導(dǎo)電互連。
27.如權(quán)利要求26所述的方法，其特征在于，所述層之間的互連是導(dǎo)電通路。
28.如權(quán)利要求24或25中任一條所述的方法，其特征在于，另外的無(wú)源元件連接到和外接到所述電源芯線。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種電源芯線，它包括至少一個(gè)嵌入式表面安裝技術(shù)(SMT)分立式單片電容器層，該層包含至少一個(gè)嵌入式SMT單片電容器；至少一個(gè)平面電容器層壓體；其中至少一個(gè)平面電容器層壓體作為低電感值通路，向至少一個(gè)嵌入式SMT分立式單片電容器提供電荷；以及其中所述嵌入式SMT分立式單片電容器并聯(lián)地連接至所述平面電容器層壓體。
文檔編號(hào)H01L21/02GK1797761SQ20051013402
公開(kāi)日2006年7月5日 申請(qǐng)日期2005年12月21日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月21日
發(fā)明者小D·I·艾梅, S·班納吉, W·J·波蘭德, D·R·麥克格里格, A·N·斯里蘭姆, K·H·迪茲 申請(qǐng)人:E.I.內(nèi)穆?tīng)柖虐罟?br>