專利名稱：Cmos圖像傳感器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及CMOS圖像傳感器，并且更特別地，涉及改進(jìn)的CMOS圖像傳感器及其制造方法，其中可以防止產(chǎn)生暗電流。
背景技術(shù)：
通常，圖像傳感器是將光學(xué)圖像轉(zhuǎn)換成電信號(hào)的半導(dǎo)體器件。圖像傳感器主要被分成電荷耦合器件圖像傳感器(以下簡(jiǎn)寫為“CCD”)以及互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(以下簡(jiǎn)寫為“CMOS”)。
CCD包括以矩陣形式排列的多個(gè)光電二極管(PD)、在多個(gè)光電二極管之間沿垂直方向設(shè)置的多個(gè)垂直電荷耦合器件(VCCD)、水平電荷耦合器件(HCCD)、以及讀出放大器。通過(guò)輸出由VCCD沿垂直方向傳輸?shù)碾姾?，光電二極管將光信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)。隨后，由HCCD沿水平方向傳輸由每個(gè)VCCD傳輸?shù)碾姾?。最后，通過(guò)讀出放大器讀出水平方向上的這些電荷，該讀出放大器依次輸出電信號(hào)。
上述配置的CCD具有復(fù)雜的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，它們需要相當(dāng)大的功耗，并且它們需要具有大量光學(xué)處理的復(fù)雜的制造過(guò)程。此外，當(dāng)嘗試減小產(chǎn)品的尺寸時(shí)，使用上述配置的CCD是很不利的，這是因?yàn)楹茈y將控制電路、信號(hào)處理電路、模/數(shù)轉(zhuǎn)換電路(A/D轉(zhuǎn)換器)等集成在CCD芯片上。
最近，焦點(diǎn)已經(jīng)轉(zhuǎn)向了作為下一代圖像傳感器的CMOS圖像傳感器，這是因?yàn)樗鼈兛朔薈CD的缺點(diǎn)。CMOS圖像傳感器采用切換方法，用于通過(guò)MOS晶體管順序地檢測(cè)每一個(gè)單位像素的輸出。在半導(dǎo)體襯底上形成MOS晶體管。每個(gè)MOS晶體管對(duì)應(yīng)單位像素。此外，控制電路、信號(hào)處理電路等被用作外圍電路。在單位像素中具有光電二極管和MOS晶體管的CMOS圖像傳感器通過(guò)根據(jù)切換方法順序地檢測(cè)每個(gè)單位像素的電信號(hào)來(lái)形成圖像。
CMOS圖像傳感器是有優(yōu)勢(shì)的，這是因?yàn)槠涞凸?，以及因?yàn)槠湫枰?jiǎn)單的具有少量光學(xué)處理步驟的制造過(guò)程。此外，可將控制電路、信號(hào)處理電路、模/數(shù)轉(zhuǎn)換電路等集成在CMOS傳感器芯片上，因此利于產(chǎn)品的小型化。由此，CMOS圖像傳感器可被廣泛地用于諸如數(shù)字照相機(jī)、數(shù)字?jǐn)z像機(jī)等不同的應(yīng)用。
根據(jù)晶體管的數(shù)量將CMOS圖像傳感器分成3-T型、4-T型、5-T型等。3-T型CMOS圖像傳感器包括一個(gè)光電二極管和三個(gè)晶體管。以及4-T型CMOS圖像傳感器包括一個(gè)光電二極管和四個(gè)晶體管。
圖1是普通的3-T型CMOS傳感器的單位像素的布局圖。
參照?qǐng)D1，在普通的3-T型CMOS圖像傳感器的單位像素中，限定有源區(qū)10。在有源區(qū)10的較寬部分上形成光電二極管20。形成三個(gè)晶體管的柵電極120、130、和140以重疊剩余的有源區(qū)10。三個(gè)晶體管(即，復(fù)位、激勵(lì)以及選擇晶體管Rx、Dx和Sx)分別配置有柵電極120、130、和140。將雜質(zhì)離子注入有源區(qū)10，但是不注入柵電極120、130、和140的下面。雜質(zhì)離子形成三個(gè)晶體管中的每個(gè)的源/漏區(qū)。此后，電源電壓Vdd施加到復(fù)位和激勵(lì)晶體管Rx和Dx之間的源/漏區(qū)，而選擇晶體管Sx的源/漏區(qū)與讀出電路(圖中未示出)連接。
柵電極120、130、和140中的每一個(gè)與對(duì)應(yīng)的信號(hào)線(圖中未示出)連接。每一條對(duì)應(yīng)的信號(hào)線在其一端上設(shè)置有襯墊(pad)，從而其可與外部驅(qū)動(dòng)電路連接。
圖2是圖1中根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的3T型CMOS圖像傳感器沿線II-II’的橫截面圖，示出了光電二極管和復(fù)位晶體管。
如圖2所示，在P++型半導(dǎo)體襯底100上形成P-型EPI層101。半導(dǎo)體襯底100是由有源區(qū)(圖1中的10)和器件隔離區(qū)限定的。在器件隔離區(qū)中形成隔離層103。
在EPI層101上形成柵極氧化物121。隨后在柵極氧化物121上形成柵極123，由此形成復(fù)位晶體管。在柵極123的兩個(gè)側(cè)壁上形成絕緣隔離物125。
在對(duì)應(yīng)光電二極管(PD)的EPI層中順序地形成N-型擴(kuò)散區(qū)131和P°型擴(kuò)散區(qū)132。在該實(shí)例中，在N-型擴(kuò)散區(qū)131上形成P°型擴(kuò)散區(qū)132。此外，形成高濃度n型擴(kuò)散區(qū)(n+)和低濃度n型擴(kuò)散區(qū)(n-)作為復(fù)位晶體管的源/漏區(qū)(S/D)。
上述結(jié)構(gòu)的傳統(tǒng)CMOS圖像傳感器具有導(dǎo)致暗電流增加的缺點(diǎn)，這造成了電荷存儲(chǔ)能力的惡化以及由此導(dǎo)致的器件一般性能的惡化。
當(dāng)沒(méi)有光進(jìn)入光電二極管時(shí)，暗電流是由從光電二極管傳輸?shù)狡骷钠渌麉^(qū)域的電子產(chǎn)生的。據(jù)報(bào)導(dǎo)，暗電流是由于不飽和鍵或分布在器件的鄰近表面的區(qū)域、在絕緣層103和P°型擴(kuò)散區(qū)132之間的邊界區(qū)域、絕緣層103和N-型擴(kuò)散區(qū)131之間的邊界區(qū)域、P°型擴(kuò)散區(qū)132和N-型擴(kuò)散區(qū)131之間的邊界區(qū)域、P°型擴(kuò)散區(qū)132以及N-型擴(kuò)散區(qū)131周圍的缺陷而產(chǎn)生的。在低照明環(huán)境中，暗電流可導(dǎo)致諸如電荷存儲(chǔ)能力惡化以及CMOS圖像傳感器性能普遍惡化的嚴(yán)重問(wèn)題。
為了降低發(fā)生在器件的鄰近表面區(qū)域的暗電流的影響，根據(jù)傳統(tǒng)的CMOS圖像傳感器，P°型擴(kuò)散區(qū)132形成在用于光電二極管的N-型擴(kuò)散區(qū)131上。然而，這種CMOS圖像傳感器受到發(fā)生在絕緣層103和P°型擴(kuò)散區(qū)132之間的邊界區(qū)域以及絕緣層103和N-型擴(kuò)散區(qū)131之間的邊界區(qū)域的暗電流的嚴(yán)重影響。
此外，如圖2所示，當(dāng)在EPI層101上形成光刻膠圖樣作為離子注入掩模以形成用于光電二極管的N-型擴(kuò)散區(qū)131和P°型擴(kuò)散區(qū)132時(shí)，通過(guò)在光刻膠圖樣中形成的開(kāi)口暴露對(duì)應(yīng)光電二極管的整個(gè)有源區(qū)。當(dāng)應(yīng)用離子注入處理將雜質(zhì)注入到暴露的有源區(qū)以形成N-型擴(kuò)散區(qū)131和P°型擴(kuò)散區(qū)132時(shí)，也將雜質(zhì)注入到光電二極管的有源區(qū)131和132與絕緣層103之間的邊界區(qū)域中。這些離子導(dǎo)致在光電二極管的有源區(qū)131和132與絕緣層103之間的邊界區(qū)域的損害和缺陷。這些缺陷產(chǎn)生電子和空穴載流子，并且使電子重新結(jié)合。因此，光電二極管的漏電流增加并且增加了CMOS圖像傳感器的暗電流。
因此，由于很難阻止在光電二極管的有源區(qū)131和132與絕緣層103之間的邊界區(qū)域產(chǎn)生的暗電流，所以對(duì)在傳統(tǒng)CMOS圖像傳感器中的暗電流特性的改進(jìn)受到了限制。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明旨在提供一種CMOS圖像傳感器及其制造方法，其基本上消除了由于相關(guān)技術(shù)的局限性和缺陷而導(dǎo)致的一個(gè)或多個(gè)問(wèn)題。
本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于提供一種CMOS圖像傳感器及其制造方法，其通過(guò)在隔離層和有源區(qū)之間與光電二極管一起形成P+型區(qū)域和氧化層防止有源區(qū)的離子擴(kuò)散到隔離層中并由此而不產(chǎn)生暗電流。
本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)、目的和特征將作為說(shuō)明書的一部分隨后闡述，在本領(lǐng)域技術(shù)人員分析以下內(nèi)容的基礎(chǔ)上變得顯而易見(jiàn)，或者通過(guò)實(shí)施本發(fā)明而了解。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點(diǎn)可通過(guò)在說(shuō)明書、權(quán)利要求書、以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)和獲得。
為了實(shí)現(xiàn)這些和其它優(yōu)點(diǎn)，并且根據(jù)本發(fā)明的目的，如本文中所體現(xiàn)和概括描述的，根據(jù)本發(fā)明的CMOS圖像傳感器包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體襯底，由有源區(qū)和器件隔離區(qū)限定；隔離層，形成在襯底的器件隔離區(qū)中；第二導(dǎo)電型擴(kuò)散區(qū)，形成在襯底的有源區(qū)中；第一導(dǎo)電型摻雜區(qū)，形成在襯底的器件隔離區(qū)中，該第一導(dǎo)電型摻雜區(qū)圍繞隔離區(qū)；以及介電層，形成在隔離層和第一導(dǎo)電型摻雜區(qū)之間，其中，第一導(dǎo)電型摻雜區(qū)和介電層位于隔離層和第二導(dǎo)電型擴(kuò)散區(qū)之間。
在本發(fā)明的另一方面，根據(jù)本發(fā)明的CMOS圖像傳感器的制造方法包括以下的步驟在由有源區(qū)和器件隔離區(qū)限定的第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體襯底上方按順序形成襯墊氧化層以及氮化物層；選擇性地蝕刻氮化物層以形成開(kāi)口，通過(guò)該開(kāi)口暴露襯墊氧化層的一部分；使用被選擇性蝕刻的氮化物層作為掩模，形成第一導(dǎo)電型摻雜區(qū)；在開(kāi)口的側(cè)壁上形成隔離物；使用蝕刻的氮化物層和隔離物作為掩模，選擇性地蝕刻襯墊氧化層的暴露部分以及與此對(duì)應(yīng)的襯底以形成溝道；在溝道中形成介電層；在介電層上形成隔離層以填充溝道；去除隔離物、氮化物層以及襯墊氧化層；以及在襯底的有源區(qū)中形成第二導(dǎo)電型擴(kuò)散區(qū)，如此在第二導(dǎo)電型擴(kuò)散區(qū)和隔離層之間是對(duì)應(yīng)第一導(dǎo)電型摻雜區(qū)和介電層的空間。
應(yīng)該了解，前面的概述以及后面的本發(fā)明的詳述是示例性和說(shuō)明性的，目的在于提供對(duì)所要求的本發(fā)明的進(jìn)一步的說(shuō)明。


附圖提供了對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步的理解，其被并入并構(gòu)成了本說(shuō)明書的一部分，說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例，并與說(shuō)明書一起解釋本發(fā)明原理。
在附圖中圖1是CMOS圖像傳感器的單位像素的一般布局圖；圖2是根據(jù)相關(guān)技術(shù)的3T型CMOS圖像傳感器的橫截面圖，示出了根據(jù)圖1中線II-II’的光電二極管和復(fù)位晶體管；圖3是本發(fā)明的3T型CMOS圖像傳感器的橫截面圖，示出了根據(jù)圖1中線II-II’的光電二極管和復(fù)位晶體管；以及圖4a至4f是示出根據(jù)本發(fā)明的CMOS圖像傳感器的制造方法的過(guò)程的橫截面圖。
具體實(shí)施例方式
以下將詳細(xì)參照本發(fā)明的實(shí)施例，其實(shí)例在附圖中示出。
圖3是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的3T型CMOS圖像傳感器的橫截面圖，示出了根據(jù)圖1中線II-II’的光電二極管和復(fù)位晶體管。
參照?qǐng)D3，P-型EPI層201形成在由有源區(qū)(圖1中的10)和器件隔離區(qū)限定的P++型半導(dǎo)體襯底200上。隔離層220形成在器件隔離區(qū)中。半導(dǎo)體襯底200的有源區(qū)是由光電二極管區(qū)和晶體管區(qū)限定的。
柵極氧化層221以及柵極223順序地形成在EPI層201上以形成圖1所示的復(fù)位晶體管。絕緣隔離物(spacer)225形成在柵極223的側(cè)壁上。N-型擴(kuò)散區(qū)231形成在對(duì)應(yīng)光電二極管區(qū)的EPI層201的區(qū)域中。在EPI層201的表面中，在柵極223的旁邊形成源/漏(圖1的S/D)區(qū)，其中，源/漏區(qū)包括高濃度n型擴(kuò)散區(qū)(n+)226和低濃度n型擴(kuò)散區(qū)(n-)224。
根據(jù)本發(fā)明，P+型摻雜區(qū)210和熱氧化層211形成在隔離層220和N-型擴(kuò)散區(qū)231之間。P+型摻雜區(qū)210和熱氧化層211防止在傳統(tǒng)的CMOS圖像傳感器中存在的暗電流的問(wèn)題，該傳統(tǒng)的CMOS圖像傳感器具有與N-型擴(kuò)散區(qū)直接連接的隔離層。當(dāng)將N-型離子注入到半導(dǎo)體襯底中以形成光電二極管時(shí)，都位于隔離層220和N-型擴(kuò)散區(qū)231之間的P+型摻雜區(qū)210和熱氧化層211防止N-型離子滲透到隔離層220中。
P+型摻雜區(qū)210是通過(guò)將EPI層201摻雜硼(B)形成的。P+型摻雜區(qū)210的厚度可為2500-4000。熱氧化層211是使用熱氧化處理形成的。熱氧化層211的厚度可為50-500。在熱氧化處理過(guò)程中，P+型摻雜區(qū)210的硼(B)的徑向擴(kuò)散通過(guò)空隙注入而增加。在隨后的阱(well)退火處理中，防止硼(B)滲透到光電二極管的N-型擴(kuò)散區(qū)231中。
圖4a至4f是示出了根據(jù)本發(fā)明的CMOS圖像傳感器的制造方法的處理的橫截面圖。
在下文中，將對(duì)本發(fā)明的方法進(jìn)行詳細(xì)地描述，并且集中描述在半導(dǎo)體襯底上形成隔離層和光電二極管區(qū)。
參照?qǐng)D4a，通過(guò)使用外延處理，在諸如高濃度第一導(dǎo)電型(P++型)單晶硅等的半導(dǎo)體襯底200上形成低濃度第一導(dǎo)電型(P-型)EPI層201。形成EPI層201以通過(guò)能夠使形成的光電二極管的耗盡區(qū)寬且深來(lái)提高低電壓光電二極管的光敏性和存儲(chǔ)光電荷的能力。
在EPI層201上形成襯墊氧化層202。然后在襯墊氧化層202上形成氮化物層203。
通過(guò)蝕刻，選擇性地去除氮化物層203以形成開(kāi)口，通過(guò)該開(kāi)口，暴露出襯墊氧化層202的一部分。
通過(guò)使用被選擇性去除的氮化物層203作為掩模來(lái)?yè)诫s高濃度P型離子雜質(zhì)，在EPI層201表面的右下方形成P+型摻雜區(qū)210。B或BF2可作為高濃度P型離子。
參照?qǐng)D4b，在EPI層201的整個(gè)表面上，包括在選擇性形成圖樣的氮化物層203的上方，形成介電層(圖中未示出)。隨后，深蝕刻(etchback)后來(lái)形成的介電層以在氮化物層203中的開(kāi)口的側(cè)壁上形成隔離物。
隨后，使用氮化物層203和隔離物204作為掩模，選擇性地蝕刻襯墊氧化物層202的暴露部分。
參照?qǐng)D4c，使用氮化物層203和隔離物204作為掩模，選擇性地去除在其中形成有P+型摻雜區(qū)210的EPI層201以形成具有預(yù)定深度的溝道。在P+型摻雜區(qū)210中形成溝道205，使得整個(gè)溝道205被P+型摻雜區(qū)210包圍。
參照?qǐng)D4d，通過(guò)熱氧化處理，在溝道205中形成厚度為50-500的熱氧化層206。可在大約800-1150℃執(zhí)行熱氧化處理。形成的熱氧化層206與P+型摻雜區(qū)210直接接觸。在熱氧化處理期間，通過(guò)空隙注入，增加了在P+型摻雜區(qū)210中的B或BF2離子的徑向擴(kuò)散。由此，阱退火處理用于防止B或BF2滲透到用于形成光電二極管的N-型擴(kuò)散區(qū)231中(如圖4f所示)。
參照?qǐng)D4e，在熱氧化物層206上形成隔離層220以填充溝道205。通過(guò)沉積SOG(旋涂玻璃)、USG(未摻雜的硅酸巖玻璃)、或TEOS型介電層，在包括溝道205的EPI層201的整個(gè)表面上形成隔離層220。其后，通過(guò)CMP(化學(xué)機(jī)械拋光)或回刻處理，去除溝道205內(nèi)部以外的介電層。還通過(guò)清潔或平坦化處理去除隔離物204、氮化物層203以及襯墊氧化層202。
參照?qǐng)D4f，在整個(gè)EPI層201上涂抹光刻膠(圖中未示出)并且將其形成圖樣之后，暴露出光電二極管區(qū)。隨后，通過(guò)使用形成圖樣的光刻膠(圖中未示出)作為掩模將N-型離子雜質(zhì)注入到光電二極管區(qū)，在光電二極管區(qū)中形成N-型擴(kuò)散區(qū)231。盡管在附圖中未示出，在形成N-型擴(kuò)散區(qū)231之前，使用傳統(tǒng)的處理，在EPI層201的有源區(qū)上形成柵極氧化物和柵極。
通過(guò)遠(yuǎn)離位于P+型摻雜區(qū)210和熱氧化層211之間的隔離層220形成N-型擴(kuò)散區(qū)231，本發(fā)明的CMOS圖像傳感器基本上減少了否則可在光電二極管和隔離層220之間的邊界區(qū)域上產(chǎn)生的暗電流。
還可在N-型擴(kuò)散區(qū)231上形成P°型擴(kuò)散區(qū)(圖中未示出)。
此外，本發(fā)明提供了以下效果和優(yōu)點(diǎn)。
首先，本發(fā)明通過(guò)在光電二極管和隔離層之間形成P+型摻雜區(qū)210和熱氧化層211，最小化在光電二極管和隔離層之間的邊界區(qū)域上的暗電流。
通過(guò)減小暗電流，本發(fā)明可消除由于暗電流而發(fā)生的缺陷并且改進(jìn)了CMOS圖像傳感器的可靠性。
以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種CMOS圖像傳感器，包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體襯底，由有源區(qū)和器件隔離區(qū)限定；隔離層，形成在所述襯底的所述器件隔離區(qū)中；第二導(dǎo)電型擴(kuò)散區(qū)，形成在所述襯底的所述有源區(qū)中；第一導(dǎo)電型摻雜區(qū)，形成在所述襯底的所述器件隔離區(qū)中，所述第一導(dǎo)電型摻雜區(qū)圍繞所述隔離區(qū)；以及介電層，形成在所述隔離層和所述第一導(dǎo)電型摻雜區(qū)之間，其中，所述第一導(dǎo)電型摻雜區(qū)和所述介電層位于所述隔離層和所述第二導(dǎo)電型擴(kuò)散區(qū)之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CMOS圖像傳感器，其中，所述介電層為熱氧化層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CMOS圖像傳感器，其中，所述介電層具有50-500的厚度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CMOS圖像傳感器，其中，所述第一導(dǎo)電型摻雜區(qū)通過(guò)將B或BF2注入到所述器件隔離區(qū)中形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CMOS圖像傳感器，其中，所述第一導(dǎo)電型摻雜區(qū)具有2500-4000的厚度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CMOS圖像傳感器，其中，所述第一導(dǎo)電型襯底包括高濃度第一導(dǎo)電型硅；以及低濃度第一導(dǎo)電型外延層，形成在所述高濃度第一導(dǎo)電型硅上。
7.一種CMOS圖像傳感器的制造方法，包括以下步驟在由有源區(qū)和器件隔離區(qū)限定的第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體襯底上方按順序形成襯墊氧化層以及氮化物層；選擇性地蝕刻所述氮化物層以形成開(kāi)口，通過(guò)所述開(kāi)口暴露出所述襯墊氧化層的一部分；使用所述被選擇性蝕刻的氮化物層作為掩模，形成第一導(dǎo)電型摻雜區(qū)；在所述開(kāi)口的側(cè)壁上形成隔離物；使用所述蝕刻的氮化物層和所述隔離物作為掩模，選擇性地蝕刻所述襯墊氧化層的暴露部分和下面的襯底以形成溝道；在所述溝道中形成介電層；在所述介電層上形成隔離層以填充所述溝道；去除所述隔離物、所述氮化物層以及所述襯墊氧化層；以及按照以下方式在所述襯底的所述有源區(qū)中形成第二導(dǎo)電型擴(kuò)散區(qū)在所述第二導(dǎo)電型擴(kuò)散區(qū)和所述隔離層之間是對(duì)應(yīng)所述第一導(dǎo)電型摻雜區(qū)和所述介電層的空間。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，在所述溝道中形成所述介電層的步驟包括以800-1150℃熱氧化包括所述溝道的所述襯底的處理。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，形成的所述介電層具有50-500的厚度。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，通過(guò)將B或BF2注入到所述襯底的所述器件隔離區(qū)中，來(lái)形成所述第一導(dǎo)電型摻雜區(qū)。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，將所述第一導(dǎo)電型摻雜區(qū)形成為具有2500-4000的厚度。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，通過(guò)在所述襯底的整個(gè)表面上形成氮化物層并且對(duì)所述氮化物層進(jìn)行回刻，來(lái)形成所述隔離物。
13.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述第一導(dǎo)電型襯底包括高濃度第一導(dǎo)電型硅；以及低濃度第一導(dǎo)電型外延層，形成在所述高濃度第一導(dǎo)電型硅上。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種CMOS圖像傳感器及其制造方法，其中，CMOS圖像傳感器具有在光電二極管和隔離層之間的邊界區(qū)域上的最小的暗電流。本發(fā)明包括第一導(dǎo)電型摻雜區(qū)，形成在襯底的器件隔離區(qū)中，該第一導(dǎo)電型摻雜區(qū)圍繞隔離區(qū)；以及介電層，形成在隔離層和第一導(dǎo)電型摻雜區(qū)之間，其中，第一導(dǎo)電型摻雜區(qū)和介電層位于隔離層和第二導(dǎo)電型擴(kuò)散區(qū)之間。
文檔編號(hào)H01L21/822GK1819234SQ20051013514
公開(kāi)日2006年8月16日 申請(qǐng)日期2005年12月27日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月28日
發(fā)明者韓昌勛 申請(qǐng)人:東部亞南半導(dǎo)體株式會(huì)社