專利名稱：金屬萘酞菁配合物旋涂膜氣體傳感器元件的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種氣體傳感器工作元件。
背景技術：
在金屬萘酞菁配合物氣體傳感器中薄膜是其重要的工作元件。由于其結構設計上存在的缺陷，現(xiàn)有的真空蒸鍍膜氣體傳感器和Langmuir-Blodgett膜(簡稱LB膜)氣體傳感器普遍存在薄膜元件制造方法復雜，技術條件苛刻的問題，而且制膜儀器設備價格昂貴，難于實現(xiàn)工業(yè)化批量生產(chǎn)應用。另外，真空蒸鍍膜氣體傳感器一般在200℃以上的較高溫度條件下才能工作，功耗大；LB膜氣體傳感器可以在室溫條件下工作，并對如醇類和氨氣等不同成份氣體具有較好靈敏度，但對氣體的選擇性較差。

發(fā)明內容
本實用新型的目的就是針對上述已有技術存在的問題和不足，設計提供一種金屬萘酞菁配合物旋涂膜氣體傳感器元件，達到大幅度提高氣體傳感器對氣體的選擇性能、降低制造工藝成本、保證高靈敏度的目的。
本實用新型的基本設計是，在硅基底上固裝二氧化硅層，凸起的真空蒸鍍成對平面叉指鋁電極均布在二氧化硅層上平面上，金屬萘酞菁配合物旋涂膜層整體配置在真空蒸鍍成對平面叉指鋁電極上方，將其覆蓋包容，至此構成金屬萘酞菁配合物旋涂膜氣體傳感器元件。
本實用新型制備方法簡單易行，制造價格低廉，有利于實現(xiàn)工業(yè)化生產(chǎn)，對氣體的靈敏度高、選擇性好。


圖1是金屬萘酞菁配合物旋涂膜氣體傳感器元件裝配結構示意圖；圖2是圖1的俯向視圖。
圖中件號說明1、硅基底、2、二氧化硅層、3、真空蒸鍍成對平面叉指鋁電極、4、金屬萘酞菁配合物旋涂膜層。
具體實施方式
以下結合附圖對本實用新型最佳實施方案進行詳細描述。金屬萘酞菁配合物旋涂膜氣體傳感器元件，在硅基底1上固裝二氧化硅層2，凸起的真空蒸鍍成對平面叉指鋁電極3均布在二氧化硅層2上平面上，金屬萘酞菁配合物旋涂膜層4整體配置在真空蒸鍍成對平面叉指鋁電極3上方，將其覆蓋包容。硅基底1和二氧化硅層2也可直接選用玻璃板，真空蒸鍍成對平面叉指鋁電極3也可使用金屬金或者鎳鉻合金等金屬材料。
作業(yè)時，被測氣體與金屬萘酞菁配合物旋涂膜層4接觸并產(chǎn)生物理化學性作用，使金屬萘酞菁配合物旋涂膜層4導電性發(fā)生變化，該導電性變化信號經(jīng)真空蒸鍍成對平面叉指鋁電極3傳輸出來，完成氣體傳感器工作。本實用新型在試驗檢測中表現(xiàn)出良好地性能。以檢測NO2為例在100℃工作溫度下，金屬萘酞菁配合物旋涂膜最低可以檢測0.5ppm的NO2氣體，并且在0.5-40ppm濃度范圍內表現(xiàn)出較高的靈敏度和良好地響應恢復能力，對20ppmNO2氣體的靈敏度為20，響應恢復時間分別為30和900s。另外，通過對同濃度其它氣體如NH3、醇類和苯類的檢測，金屬萘酞菁配合物旋涂膜對NO2氣體表現(xiàn)出良好地選擇性。此外，金屬萘酞菁配合物旋涂膜氣體傳感器可以重復使用，穩(wěn)定性好。
權利要求一種金屬萘酞菁配合物旋涂膜氣體傳感器元件，其特征在于在硅基底(1)上固裝二氧化硅層(2)，凸起的真空蒸鍍成對平面叉指鋁電極(3)均布在二氧化硅層(2)上平面上，金屬萘酞菁配合物旋涂膜層(4)整體配置在真空蒸鍍成對平面叉指鋁電極(3)上方，將其覆蓋包容。
專利摘要金屬萘酞菁配合物旋涂膜氣體傳感器元件涉及氣體傳感器工作元件；在硅基底上固裝二氧化硅層，真空蒸鍍成對平面叉指鋁電極均布在二氧化硅層上平面上，金屬萘酞菁配合物旋涂膜層整體配置在真空蒸鍍成對平面叉指鋁電極上方，將其覆蓋包容；本元件制備方法簡單易行，制造價格低廉，有利于工業(yè)化生產(chǎn)，對氣體靈敏度高、選擇性好。
文檔編號H01L49/00GK2768005SQ20052002029
公開日2006年3月29日 申請日期2005年2月25日 優(yōu)先權日2005年2月25日
發(fā)明者王彬, 左霞, 吳誼群 申請人:黑龍江大學