專利名稱：發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種半導(dǎo)體(semiconductor)元件的結(jié)構(gòu)，且特別涉及一種發(fā)光二極管(Light Emitting Diode，LED)的封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
由III-V族化合物半導(dǎo)體材料所構(gòu)成的發(fā)光二極管是一種寬能隙(bandgap)的發(fā)光元件，其發(fā)出的光線涵蓋所有可見光的波段。近年來，還由于發(fā)光二極管朝向多色彩及高亮度化發(fā)展，發(fā)光二極管的應(yīng)用范圍已拓展至大型戶外顯示廣告牌及交通信號燈等，未來甚至可以取代鎢絲燈和水銀燈以成為兼具省電和環(huán)保的照明燈源。
發(fā)光二極管的基本結(jié)構(gòu)包含半導(dǎo)體層，其中半導(dǎo)體層是由p型摻雜半導(dǎo)體層(p type doped semiconductor layer)、n型摻雜半導(dǎo)體層(n type dopedsemiconductor layer)與位于p型摻雜半導(dǎo)體層及n型摻雜半導(dǎo)體層間的發(fā)光層(light emitting layer)所組成，而發(fā)光二極管的發(fā)光效率高低是取決于發(fā)光層的量子效率以及發(fā)光二極管的光取出效率(light extractionefficiency)，其中增加光取出效率的關(guān)鍵在于減少發(fā)光層所發(fā)出的光在發(fā)光二極管中反射。然而，由于III-V族化合物半導(dǎo)體材料有較高的光折射系數(shù)(coefficient of refraction)，因此發(fā)光層發(fā)出的光線容易在半導(dǎo)體層內(nèi)全反射，導(dǎo)致大部分的光線會出光于發(fā)光二極管的側(cè)邊。也就是說，發(fā)光二極管正面的亮度無法提高。
圖1是一種公知的發(fā)光二極管的示意圖。請參照圖1，公知的發(fā)光二極管100包括基板(substrate)110、半導(dǎo)體層(semiconductor layer)120、導(dǎo)電層(conductive layer)130、反射層(reflective layer)140以及兩電極150。半導(dǎo)體層120是位于基板110上，其中半導(dǎo)體層120由下而上依次包括n型摻雜半導(dǎo)體層122、發(fā)光層124、p型摻雜半導(dǎo)體層126。另外，導(dǎo)電層130是位于p型摻雜半導(dǎo)體層126上，反射層140則是位于導(dǎo)電層130上，而兩電極150則分別位于n型摻雜半導(dǎo)體層122與反射層140上，其中兩電極150是分別電連接至n型摻雜半導(dǎo)體層122與p型摻雜半導(dǎo)體層126。
圖2是一種公知的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的示意圖。請參照圖2，公知的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)20是利用倒裝芯片(flip chip)技術(shù)將上述發(fā)光二極管100電連接于承載器200上，其中發(fā)光二極管100的兩電極150是通過凸塊22與承載器200電連接。當(dāng)在兩電極150間施加電流時，發(fā)光層124會因為電流通過而發(fā)出光線。發(fā)光層124所發(fā)出的光線可通過反射層140以朝向電極150的反側(cè)發(fā)出，使得發(fā)光層124所發(fā)出的光線可傳遞至外界環(huán)境，以提高發(fā)光二極管100的光取出效率。
承上所述，公知技術(shù)是以光反射率較佳的結(jié)構(gòu)來增加發(fā)光二極管的光取出效率。然而，發(fā)光層所發(fā)出的光線經(jīng)由反射結(jié)構(gòu)反射后，大部分光線仍會反射經(jīng)過半導(dǎo)體層而增加了光線被半導(dǎo)體層吸收的機會，導(dǎo)致發(fā)光二極管的光取出效率仍無法大幅提高。因此，如何有效地讓發(fā)光層所發(fā)出的光線順利地傳遞至外界環(huán)境中，以有效提高發(fā)光二極管的光取出效率是一重要課題。
實用新型內(nèi)容本實用新型的目的是提供一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其發(fā)光二極管具有較佳的光取出效率。
為達上述或是其它目的，本實用新型提出一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其包括發(fā)光二極管、承載器以及反射層。發(fā)光二極管則包括基板、半導(dǎo)體層、第一電極以及第二電極，其中半導(dǎo)體層設(shè)置于基板上，且具有粗糙表面。此外，半導(dǎo)體層包括第一型摻雜半導(dǎo)體層、發(fā)光層以及第二型摻雜半導(dǎo)體層，其中發(fā)光層位于第一型摻雜半導(dǎo)體層與第二型摻雜半導(dǎo)體層之間。另外，第一電極是位于第一型摻雜半導(dǎo)體層上方，且電連接于第一型摻雜半導(dǎo)體層。第二電極則是位于第二型摻雜半導(dǎo)體層上方，且電連接于第二型摻雜半導(dǎo)體層。
承上所述，承載器的表面具有第一接點與第二接點，而發(fā)光二極管的第一電極與第二電極是朝向承載器以分別與第一接點與第二接點電連接。反射層則是設(shè)置于承載器朝向發(fā)光二極管的表面上。
在本實用新型的一實施例中，基板的表面例如為粗糙表面。
在本實用新型的一實施例中，發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)還包括兩凸塊，分別設(shè)置于第一電極與第二電極上，其中第一電極與第二電極分別通過這些凸塊和第一接點與第二接點電連接。
在本實用新型的一實施例中，發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)還包括焊料，設(shè)置于第一電極與第二電極上，其中第一電極與第二電極通過焊料分別與第一接點與第二接點電連接。
在本實用新型的一實施例中，發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管還包括透光導(dǎo)電層(transparent conductive layer)。透光導(dǎo)電層是設(shè)置于半導(dǎo)體層上，且第一電極與第二電極是位于透光導(dǎo)電層上。
在本實用新型的一實施例中，透光導(dǎo)電層的材質(zhì)例如是銦錫氧化物(Indium Tin Oxide，ITO)、銦鋅氧化物(Indium Zinc Oxide，IZO)、氧化鋁鋅(AzO)、氧化鋅(ZnO)、氧化鎳(NiO)或鎳金合金(NiAu)。
在本實用新型的一實施例中，第一型摻雜半導(dǎo)體層例如是位于基板上，發(fā)光層位于第一型摻雜半導(dǎo)體層上，而第二型摻雜半導(dǎo)體層則位于發(fā)光層上。
在本實用新型的一實施例中，上述第一型摻雜半導(dǎo)體層可以為p型摻雜半導(dǎo)體層，而第二型摻雜半導(dǎo)體層可以為n型摻雜半導(dǎo)體層。當(dāng)然，第一型摻雜半導(dǎo)體層亦可以為n型摻雜半導(dǎo)體層，而第二型摻雜半導(dǎo)體層亦可以為p型摻雜半導(dǎo)體層。
在本實用新型的一實施例中，基板的材質(zhì)例如是氧化鋁單晶(Sapphire)、碳化硅(6H-SiC或4H-SiC)、硅(Si)、氧化鋅(ZnO)、砷化鎵(GaAs)、尖晶石(MgAl2O4)或晶格常數(shù)接近于氮化物半導(dǎo)體的單晶氧化物。
在本實用新型的一實施例中，發(fā)光層例如是多重量子井(multiplequantum well)發(fā)光層。
在本實用新型的一實施例中，承載器例如是硅基板，氮化鋁(AlN)基板、金屬基板、或合金基板或陶瓷基板。
在本實用新型的一實施例中，承載器包括導(dǎo)線架(leadframe)、印刷電路板(Print Circuit Board，PCB)或塑料導(dǎo)腳芯片承載器(Plastic Lead ChipCarrier，PLCC)。
本實用新型再提出一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其與上述發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)類似，惟其主要差異在于此發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的承載器是以粗糙承載表面來取代上述反射層。
在本實用新型的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)中，因采用具有粗糙表面結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體層以及同樣具有粗糙表面的承載器，使得發(fā)光層所發(fā)出的光線可順利地傳遞至外界環(huán)境中，而有效地提高發(fā)光二極管的光取出效率。此外，本實用新型亦采用具有粗糙表面結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體層以及設(shè)置有反射層的承載器來提高發(fā)光二極管的光取出效率。
為讓本實用新型的上述和其它目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，并配合附圖，作詳細說明如下。


圖1是一種公知的發(fā)光二極管的示意圖。
圖2是一種公知的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖3是本實用新型較佳實施例的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)其發(fā)光二極管的示意圖。
圖4是本實用新型較佳實施例的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖5是本實用新型較佳實施例的另一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的示意圖。
主要元件標記說明20發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)
22凸塊40、40’發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)42凸塊44反射層100發(fā)光二極管110基板120半導(dǎo)體層122n型摻雜半導(dǎo)體層124發(fā)光層126p型摻雜半導(dǎo)體層130導(dǎo)電層140反射層150電極200承載器300發(fā)光二極管310基板312粗糙表面320半導(dǎo)體層322粗糙表面324第一型摻雜半導(dǎo)體層326發(fā)光層328第二型摻雜半導(dǎo)體層330第一電極340第二電極
350透光導(dǎo)電層400承載器410承載粗糙表面420第一接點430第二接點具體實施方式
本實用新型的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)包括發(fā)光二極管以及承載器，其中發(fā)光二極管是利用倒裝芯片技術(shù)以電連接于承載器上。在本實施例中，發(fā)光二極管可以是白光發(fā)光二極管芯片(white light LED chip)、紫外光發(fā)光二極管芯片(ultraviolet light LED chip)，或是其它適于發(fā)出不同色光的發(fā)光二極管，而承載器可以是基板(substrate)或是導(dǎo)線架(lead frame)。下文將先針對本實用新型較佳實施例的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)做詳細介紹。
圖3是本實用新型較佳實施例的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)其發(fā)光二極管的示意圖。請參照圖3，發(fā)光二極管300主要是由基板310、半導(dǎo)體層320、第一電極330以及第二電極340所構(gòu)成。在本實施例中，半導(dǎo)體層320是設(shè)置于基板310上，且半導(dǎo)體層320具有粗糙表面322。此外，半導(dǎo)體層320包括第一型摻雜半導(dǎo)體層324、發(fā)光層326以及第二型摻雜半導(dǎo)體層328，其中發(fā)光層326是位于第一型摻雜半導(dǎo)體層324與第二型摻雜半導(dǎo)體層328之間。第一電極330是位于第一型摻雜半導(dǎo)體層324上方，且第一電極330電連接于第一型摻雜半導(dǎo)體層324。相對地，第二電極340是位于第二型摻雜半導(dǎo)體層328上方，且第二電極340電連接于第二型摻雜半導(dǎo)體層328。
此外，基板310例如具有粗糙表面312，其中粗糙表面312例如是對基板310進行表面處理而形成的。舉例來說，表面處理的方式可以是采用研磨方式來使基板310上形成不規(guī)則性的粗糙表面，或是以反應(yīng)式離子蝕刻(Reactive Ion Etching，RIE)的方式來使基板310上形成具規(guī)則性或周期性變化的粗糙表面。在此，本實用新型并不限定粗糙表面的結(jié)構(gòu)變化。另外，基板310的材質(zhì)可以是氧化鋁單晶、碳化硅、硅、氧化鋅、砷化鎵、尖晶石或晶格常數(shù)接近于氮化物半導(dǎo)體的單晶氧化物。同樣地，粗糙表面322的制作方式例如是相同于粗糙表面312的制作方式。
在本實施例中，第一型摻雜半導(dǎo)體層324例如是位于基板310上，發(fā)光層326例如是位于第一型摻雜半導(dǎo)體層324上，而第二型摻雜半導(dǎo)體層328例如是位于發(fā)光層326上，其中發(fā)光層326例如是多重量子井發(fā)光層。此外，半導(dǎo)體層320的粗糙表面322例如是在第二型摻雜半導(dǎo)體層328上。
承上所述，第一型摻雜半導(dǎo)體層324例如為p型摻雜半導(dǎo)體層，而第二型摻雜半導(dǎo)體層328例如為n型摻雜半導(dǎo)體層。然而，在本實用新型的其它實施例中，第一型摻雜半導(dǎo)體層324亦可以是n型摻雜半導(dǎo)體層，而第二型摻雜半導(dǎo)體層328可以是p型摻雜半導(dǎo)體層。上述第一型摻雜半導(dǎo)體層324與第二型摻雜半導(dǎo)體層328可以由III-V族化合物半導(dǎo)體材料所構(gòu)成，而III-V族化合物半導(dǎo)體材料的材質(zhì)例如是氮化鎵(GaN)、磷化鎵(GaP)或磷砷化鎵(GaAsP)。
在本實用新型的一較佳實施例中，發(fā)光二極管300還包括透光導(dǎo)電層350，其中透光導(dǎo)電層350例如是設(shè)置于半導(dǎo)體層320上，而第一電極330與第二電極340例如是位于透光導(dǎo)電層350上。上述透光導(dǎo)電層350可將施加于第一電極330和第二電極340的電流平均分散于半導(dǎo)體層320上，使得發(fā)光二極管300不僅具有良好的電性質(zhì)，還具有較佳的發(fā)光效率。承上所述，透光導(dǎo)電層350的材質(zhì)例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、氧化鋁鋅、氧化鋅、氧化鎳、鎳金合金或其它透光導(dǎo)電材質(zhì)。
上文是對發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)作說明，下文將針對整個發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)作詳細說明。
圖4是本實用新型較佳實施例的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的示意圖。請參照圖4，在本實用新型的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)40中，發(fā)光二極管300是利用倒裝芯片技術(shù)以電連接于承載器400上。承載器400具有粗糙承載表面410，且承載器400包括位于粗糙承載表面410上的第一接點420與第二接點430，而發(fā)光二極管300的第一電極330與第二電極340是朝向承載器400以分別與第一接點420與第二接點430電連接。當(dāng)然，粗糙承載表面410的制作方式例如是相同于粗糙表面312的制作方式。
在本實用新型一較佳實施例中，發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)40還包括兩凸塊42，這些凸塊42是分別設(shè)置于第一電極330與第二電極340上，其中第一電極330與第二電極340則分別通過這些凸塊42和第一接點420與第二接點430電連接。上述凸塊42的材質(zhì)例如是錫鉛合金等適當(dāng)材質(zhì)。當(dāng)然，亦可以用焊料來取代上述凸塊。
請繼續(xù)參照圖4，本實施例主要是通過半導(dǎo)體層320朝向承載器400的一面(粗糙表面322)以及承載器400朝向發(fā)光二極管300的一面(粗糙承載表面410)來使發(fā)光層326所發(fā)出的光線傳遞至外界環(huán)境中。因此，發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)40的發(fā)光效率可有效地提高。當(dāng)然，具有粗糙表面312(基板310與半導(dǎo)體層320的界面)的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)40亦能有效地增加發(fā)光二極管300的光取出效率。
圖5是本實用新型較佳實施例的另一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的示意圖。請參照圖5，本實用新型的另一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)40’與上述發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)40(如圖4所示)相似，惟其主要差異在于本實施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)40’是以反射層(reflection layer)44來取代上述發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)40的粗糙承載表面410，其中反射層44是設(shè)置于承載器400朝向發(fā)光二極管300的表面上。同樣地，設(shè)置有反射層44的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)40’亦能有良好的發(fā)光效率。
在一較佳實施例中，反射層可以與粗糙承載表面共形(Conformal)，形成擴散形式反射層(Diffusive reflector)，以大幅增加發(fā)光二極管產(chǎn)生的光線被反射層反射出發(fā)光二極管的機率，進而提高發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的發(fā)光效率。
與公知技術(shù)的發(fā)光二極管所發(fā)出的光線容易反射回發(fā)光二極管內(nèi)部，而導(dǎo)致光線被發(fā)光二極管內(nèi)部材料吸收的現(xiàn)象相比，本實用新型的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)是通過多個粗糙表面，或是通過反射層與粗糙表面的搭配來避免發(fā)光層所發(fā)出的光線在發(fā)光二極管內(nèi)部發(fā)生全反射的現(xiàn)象，還使得發(fā)光二極管發(fā)射至外界環(huán)境的光線不會再反射回發(fā)光二極管。具體來說，發(fā)光二極管所發(fā)出的光線可以順利地傳遞至外界環(huán)境中，進而大幅提高發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的發(fā)光效率。
雖然本實用新型已以較佳實施例披露如上，然其并非用以限定本實用新型，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本實用新型的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動與改進，因此本實用新型的保護范圍當(dāng)視權(quán)利要求所界定者為準。
權(quán)利要求1.一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征是包括發(fā)光二極管，包括基板；半導(dǎo)體層，設(shè)置于該基板上，且具有粗糙表面，其中該半導(dǎo)體層包括第一型摻雜半導(dǎo)體層、發(fā)光層以及第二型摻雜半導(dǎo)體層，其中該發(fā)光層位于該第一型摻雜半導(dǎo)體層與該第二型摻雜半導(dǎo)體層之間；第一電極，位于該第一型摻雜半導(dǎo)體層上方，且電連接于該第一型摻雜半導(dǎo)體層；第二電極，位于該第二型摻雜半導(dǎo)體層上方，且電連接于該第二型摻雜半導(dǎo)體層；承載器，該承載器的表面具有第一接點與第二接點，而該發(fā)光二極管的該第一電極與該第二電極是朝向該承載器以分別與該第一接點與該第二接點電連接；以及反射層，設(shè)置于該承載器朝向該發(fā)光二極管的表面上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征是該基板的表面為粗糙表面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征是還包括兩凸塊，分別設(shè)置于該第一電極與該第二電極上，其中該第一電極與該第二電極分別通過上述這些凸塊和該第一接點與該第二接點電連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征是還包括焊料，設(shè)置于該第一電極與該第二電極上，其中該第一電極與該第二電極通過該焊料分別與該第一接點與該第二接點電連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征是該發(fā)光二極管還包括透光導(dǎo)電層，設(shè)置于該半導(dǎo)體層上，且該第一電極與該第二電極是位于該透光導(dǎo)電層上。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征是該透光導(dǎo)電層的材質(zhì)包括銦錫氧化物、銦鋅氧化物、氧化鋁鋅、氧化鋅、氧化鎳或鎳金合金。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征是該第一型摻雜半導(dǎo)體層位于該基板上，該發(fā)光層位于該第一型摻雜半導(dǎo)體層上，而該第二型摻雜半導(dǎo)體層位于該發(fā)光層上。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征是該第一型摻雜半導(dǎo)體層為p型摻雜半導(dǎo)體層，而該第二型摻雜半導(dǎo)體層為n型摻雜半導(dǎo)體層。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征是該第一型摻雜半導(dǎo)體層為n型摻雜半導(dǎo)體層，而該第二型摻雜半導(dǎo)體層為p型摻雜半導(dǎo)體層。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征是該基板的材質(zhì)包括氧化鋁單晶、碳化硅、硅、氧化鋅、砷化鎵、尖晶石或晶格常數(shù)接近于氮化物半導(dǎo)體的單晶氧化物。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征是該發(fā)光層包括多重量子井發(fā)光層。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征是該承載器包括硅基板、氮化鋁基板、金屬基板、或合金基板或陶瓷基板。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征是該承載器包括導(dǎo)線架、印刷電路板或塑料導(dǎo)腳芯片承載器。
14.一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征是包括發(fā)光二極管，包括基板；半導(dǎo)體層，設(shè)置于該基板上，且具有粗糙表面，其中該半導(dǎo)體層包括第一型摻雜半導(dǎo)體層、發(fā)光層以及第二型摻雜半導(dǎo)體層，其中該發(fā)光層位于該第一型摻雜半導(dǎo)體層與該第二型摻雜半導(dǎo)體層之間；第一電極，位于該第一型摻雜半導(dǎo)體層上方，且電連接于該第一型摻雜半導(dǎo)體層；第二電極，位于該第二型摻雜半導(dǎo)體層上方，且電連接于該第二型摻雜半導(dǎo)體層；以及承載器，具有粗糙承載表面，其中該承載器包括位于該承載粗糙表面上的第一接點與第二接點，而該發(fā)光二極管的該第一電極與該第二電極是朝向該承載器以分別與該第一接點與該第二接點電連接。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征是該基板的表面為粗糙表面。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征是還包括兩凸塊，分別設(shè)置于該第一電極與該第二電極上，其中該第一電極與該第二電極分別通過上述這些凸塊和該第一接點與該第二接點電連接。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征是還包括焊料，設(shè)置于該第一電極與該第二電極上，其中該第一電極與該第二電極通過該焊料分別與該第一接點與該第二接點電連接。
18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征是該發(fā)光二極管還包括透光導(dǎo)電層，設(shè)置于該半導(dǎo)體層上，且該第一電極與該第二電極是位于該透光導(dǎo)電層上。
19.根據(jù)權(quán)利要求14所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征是該透光導(dǎo)電層的材質(zhì)包括銦錫氧化物、銦鋅氧化物、氧化鋁鋅、氧化鋅、氧化鎳或鎳金合金。
20.根據(jù)權(quán)利要求14所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征是該第一型摻雜半導(dǎo)體層位于該基板上，該發(fā)光層位于該第一型摻雜半導(dǎo)體層上，而該第二型摻雜半導(dǎo)體層位于該發(fā)光層上。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征是該第一型摻雜半導(dǎo)體層為p型摻雜半導(dǎo)體層，而該第二型摻雜半導(dǎo)體層為n型摻雜半導(dǎo)體層。
22.根據(jù)權(quán)利要求20所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征是該第一型摻雜半導(dǎo)體層為n型摻雜半導(dǎo)體層，而該第二型摻雜半導(dǎo)體層為p型摻雜半導(dǎo)體層。
23.根據(jù)權(quán)利要求14所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征是該基板的材質(zhì)包括氧化鋁單晶、碳化硅、硅、氧化鋅、砷化鎵、尖晶石或晶格常數(shù)接近于氮化物半導(dǎo)體的單晶氧化物。
24.根據(jù)權(quán)利要求14所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征是該發(fā)光層包括多重量子井發(fā)光層。
25.根據(jù)權(quán)利要求14所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征是該承載器包括硅基板、氮化鋁基板、金屬基板、合金基板或陶瓷基板。
26.根據(jù)權(quán)利要求14所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征是該承載器包括導(dǎo)線架、印刷電路板或塑料導(dǎo)腳芯片承載器。
專利摘要一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，包括發(fā)光二極管與承載器。發(fā)光二極管包括基板、半導(dǎo)體層、第一電極與第二電極，其中半導(dǎo)體層則位于基板的表面上，且具有粗糙表面。此外，半導(dǎo)體層包括第一型摻雜半導(dǎo)體層、第二型摻雜半導(dǎo)體層與位于兩者間的發(fā)光層。第一/第二電極位于第一/第二型摻雜半導(dǎo)體層上方，且電連接第一/第二型摻雜半導(dǎo)體層。承載器具有粗糙承載表面，且包括位于粗糙承載表面上的第一接點與第二接點，發(fā)光二極管的第一/第二電極是朝向承載器以與第一/第二接點電連接。
文檔編號H01L33/00GK2867600SQ20052014286
公開日2007年2月7日 申請日期2005年12月9日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月9日
發(fā)明者曾煥哲, 溫偉值, 潘錫明 申請人:璨圓光電股份有限公司