專利名稱：用于發(fā)光器件的封裝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及發(fā)光器件封裝，更具體涉及熱輻射性能優(yōu)異且允許自由進(jìn)行電路設(shè)計(jì)以控制半導(dǎo)體發(fā)光器件的光發(fā)射的發(fā)光器件封裝。
背景技術(shù)：
通常，半導(dǎo)體發(fā)光器件可以包括LED(發(fā)光二極管)，LED是利用復(fù)合半導(dǎo)體的特性用于將電信號(hào)轉(zhuǎn)換為紅外、可見和紫外光形式發(fā)光的器件。
至于LED的使用范圍，LED一般用于家庭用品、遙控器、電信號(hào)、顯示器、各種自動(dòng)化設(shè)備等，并大致分成IRED(紅外發(fā)射二極管)和VLED(可見光發(fā)射二極管)。上述LED的結(jié)構(gòu)一般如下所述。
通常，在藍(lán)色LED中，N型GaN層形成在藍(lán)寶石襯底上，N-金屬形成在N型GaN層表面一側(cè)上，并且激發(fā)層形成在除形成有N-金屬區(qū)域之外的部分上。而且，P型GaN層形成在激發(fā)層上，并且P-金屬形成在P型GaN層上。所屬激發(fā)層是通過流過P-金屬的空穴和流過N-金屬的電子相互復(fù)合而發(fā)光的層。
前述LED根據(jù)光輸出密度而用于家庭用品、電信號(hào)等。尤其是，LED具有變得細(xì)小的趨勢(shì)，這是因?yàn)樾畔⑼ㄓ嵲O(shè)備尺寸上變得更小，而周邊設(shè)備如電阻、電容器、噪聲濾波器等正變得更小。
結(jié)果，發(fā)光器件被封裝成表面安裝器件(下文稱為“SMD”)型，使得發(fā)光器件可以直接安裝至PCB(印刷電路板)。因此，用作顯示器的LED燈同樣被發(fā)展成為SMD型。
該SMD可替代現(xiàn)有的簡(jiǎn)單發(fā)光燈，并用作產(chǎn)生各種顏色的發(fā)光顯示器、字符顯示器、圖像顯示器等。
如上所述，由于LED的用途已經(jīng)變得廣闊，因此所需的發(fā)光變得越來越高，如用于日常生活的燈、救援信號(hào)燈等。因而，近年來高輸出LED得到廣泛應(yīng)用。
圖1是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的發(fā)光器件封裝結(jié)構(gòu)的透視圖。
如其中所示，在根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的發(fā)光器件封裝100的結(jié)構(gòu)中，從外部PCB向發(fā)光器件供電的電極引線框130分別形成和排列在封裝體120上。
透鏡110附著在封裝體120上，以便改善從用作發(fā)光器件的LED140產(chǎn)生的光的發(fā)光效率。
具有安裝在其中的LED140的組合件連接至封裝體120的底部。首先，將具有高反射率的發(fā)射杯160結(jié)合至導(dǎo)電體170。LED140利用倒裝芯片接合或?qū)Ь€接合安裝在由硅形成的子底座150上。雖然沒有示出，但是通過刻蝕子底座150而在子底座內(nèi)形成反射孔，在反射孔上形成反射層，隨后安裝LED140。
當(dāng)LED140安裝在子底座150上時(shí)，將子底座150安裝至形成在導(dǎo)電體170上的反射杯160上，隨后使用LED體120的電極引線框130進(jìn)行電連接過程，從而供電。
這樣組裝的發(fā)光器件封裝100相對(duì)于反射杯160反射LED140所產(chǎn)生的光，隨后使光經(jīng)透鏡110漫射至外部。
圖2是表示提供在電路襯底200上的多個(gè)根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的發(fā)光器件封裝100a、100b和100c的圖。
根據(jù)圖2，與圖1所示的發(fā)光器件封裝不同，多個(gè)LED 100a、100b和100c集成使用，其中分別提供有紅、綠和藍(lán)三色并且引線框130a、130b和130c分別通過焊點(diǎn)180接合至電路襯底200上。
然而，具有前述結(jié)構(gòu)的發(fā)光器件封裝100存在以下問題，即當(dāng)提高電流密度以獲得具有高輸出的光時(shí)，由于封裝中熱輻射性能差而導(dǎo)致產(chǎn)生高溫?zé)?。?dāng)在封裝中存在高溫?zé)岫鴽]有輻射時(shí)，電阻變得非常高從而導(dǎo)致發(fā)光效率下降。
而且，現(xiàn)有技術(shù)的發(fā)光器件封裝100具有缺陷在于由于導(dǎo)體170、反射杯160、封裝體120等相互分離，因此由于其接觸部位的高熱阻導(dǎo)致LED產(chǎn)生的熱不易傳遞至外部。
而且，不便在于因?yàn)閮H有一個(gè)LED安裝在封裝體120中，因此必須將三個(gè)發(fā)光器件封裝置于一個(gè)裝置中，以便顯示高輸出的白色。在此，另一缺點(diǎn)就是控制電路變得復(fù)雜且體積變得更大。
而且，在相互接合的多個(gè)單一單元型發(fā)光器件封裝100a、100b和100c中，整個(gè)襯底200的表面積增加，使得電極從外部連接，從而增加組裝過程的成本。
此外，現(xiàn)有技術(shù)的發(fā)光器件封裝100不僅在熱輻射方面而且在結(jié)構(gòu)方面也存在問題。具體來說，問題在于因?yàn)樵谀Ｖ茣r(shí)可能形成氣泡和單一單元型發(fā)光器件封裝排列在廣大的表面區(qū)域上，因此由于RGB顏色混合的特征導(dǎo)致不能在理想點(diǎn)光源上混合顏色。此外，還有問題在于由于電極、絕緣層、模制空間和LED的排列，使得所安裝的透鏡厚度變大。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明針對(duì)于解決上述問題，并且本發(fā)明目的是提供發(fā)光器件封裝，該封裝通過在將發(fā)光器件直接安裝在金屬PCB上時(shí)消除阻礙發(fā)光器件從多層安裝結(jié)構(gòu)熱輻射的結(jié)構(gòu)而改善導(dǎo)熱。
此外，本發(fā)明的另一目的是提供發(fā)光器件封裝，其中發(fā)光器件的每一組件以模塊方式組建并安裝，而且將多個(gè)發(fā)光器件封裝有效排列在金屬PCB上，這在將發(fā)光器件直接安裝在金屬PCB上時(shí)使得電路結(jié)構(gòu)更簡(jiǎn)單。
此外，本發(fā)明的另一目的是提供發(fā)光器件封裝，該封裝改善金屬PCB結(jié)構(gòu)和模制結(jié)構(gòu)，從而在制備用于分配光的透鏡時(shí)使透鏡厚度最小并且使模制過程中產(chǎn)生的氣泡所引起的衰減率最小。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明提供發(fā)光器件封裝，包括金屬基底；電路層，提供在金屬基底上側(cè)以提供導(dǎo)電通路；絕緣層，夾在金屬基底和電路層之間；發(fā)光器件，安裝在金屬基底的上表面上的除去絕緣層的開放空間中；電極層，提供在電路層上側(cè)；和用于電連接電路層和發(fā)光器件的連接部分。
因此，根據(jù)本發(fā)明的另一方面提供發(fā)光器件封裝，包括金屬基底；電路層，提供在金屬基底上側(cè)以提供導(dǎo)電通路；發(fā)光器件，安裝在金屬基底上比第一區(qū)域的厚度更小的第二區(qū)域中；絕緣層，夾在金屬基底和電路層之間；電極層，提供在電路層上側(cè)；和用于電連接電路層和發(fā)光器件的連接部分。
根據(jù)本發(fā)明，因?yàn)榭梢杂行п尫艔陌l(fā)光器件封裝內(nèi)部產(chǎn)生的熱，因此可以將盡可能高輸出的發(fā)光器件以各種形式排列在封裝內(nèi)的受限空間中。因而，發(fā)光器件封裝可以各種方式用于具有尺寸縮減趨勢(shì)的發(fā)光器件應(yīng)用中。
因此，根據(jù)本發(fā)明，可以降低生產(chǎn)成本并可以使生產(chǎn)過程最簡(jiǎn)化。此外，在熱輻射、具有高集光性的光學(xué)、力學(xué)、產(chǎn)品可靠性等方面可以均一地獲得出色的特性。


參照附圖將更加完整地理解本發(fā)明，其中圖1是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的發(fā)光器件封裝結(jié)構(gòu)的透視圖；圖2是表示提供在電路襯底上的多個(gè)根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的發(fā)光器件封裝的圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方案的發(fā)光器件封裝的剖面圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方案的發(fā)光器件封裝的平面圖；圖5是顯示根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方案的發(fā)光器件封裝的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的剖面圖；圖6、7、8和9是顯示以直線、圓、正方和六邊形排列在單一金屬基底上的發(fā)光器件封裝的圖；圖10是以直線排列的根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方案的發(fā)光器件封裝的放大圖。
具體實(shí)施例方式
以下，將參考附圖詳細(xì)說明根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施方案的發(fā)光器件封裝。
第一實(shí)施方案圖3是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方案的發(fā)光器件封裝的剖面圖。
參考圖3，根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方案的發(fā)光器件封裝的包括透鏡部分310、絲網(wǎng)層392、發(fā)光器件360、電極層320、電路層330、絕緣層340和金屬基底350。
首先，金屬基底350是金屬PCB的最底層，其功能是將其他組件安裝在其頂層并支撐它們，并將從發(fā)光器件360產(chǎn)生的熱向底部表面釋放。金屬基底350可以與進(jìn)一步提供在其底部表面的散熱器接合。優(yōu)選散熱器和金屬基底350各形成固定孔并通過螺栓型固定相互接合。
此外，如果將傳熱材料應(yīng)用或提供在金屬基底350和散熱器之間的接合表面上，就可以進(jìn)一步使熱輻射效果最大化。
絕緣層340使電路層330和金屬基底350之間電絕緣，使得在電路層330中流動(dòng)的電流不會(huì)流向金屬基底350。但是，由于絕緣層340在執(zhí)行絕緣功能的同時(shí)還起到熱阻體的作用，從而成為有效熱輻射的阻礙。
因此，在本發(fā)明的第一實(shí)施方案中，至少在安裝發(fā)光器件360的位置處移除絕緣層340。換言之，當(dāng)發(fā)光器件360的電極結(jié)構(gòu)向上形成時(shí)，僅需要物理接合而不需要絕緣層340的輔助。
為了移除安裝發(fā)光器件360處的表面，絕緣層340可以通過研磨或刻蝕來加工。而且，發(fā)光器件360在安裝在金屬基底350上時(shí)通過接合元件如導(dǎo)熱硬化劑而接合。
電路層330置于絕緣層340的頂部。在根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方案的發(fā)光器件封裝中，由于可以提供多個(gè)以各模塊組建的發(fā)光器件360，因此電路層330包括用于向發(fā)光器件360供電的多個(gè)電路。如同絕緣層340一樣，移除安放發(fā)光器件360處部位的電路層330。
如上所述，由于在一個(gè)金屬基底350上提供多個(gè)發(fā)光器件360，因此有利于為了電路設(shè)計(jì)或封裝應(yīng)用而將電路層330構(gòu)建成在一個(gè)模塊上的串聯(lián)連接電路。
使發(fā)光器件360通電的電極層320位于電路層330的尖端，從中移除發(fā)光器件360的所處部位并連接至導(dǎo)線390。因而，在本發(fā)明的第一實(shí)施方案中，可知電極層320的作用為現(xiàn)有技術(shù)的引線框。導(dǎo)線390執(zhí)行電連接發(fā)光器件和電極層的功能。
此外，電極層320一般由金屬如鎳制成，并且在其上表面上提供鍍層322以改善導(dǎo)電性。優(yōu)選地，鍍層332由厚度為0.3mm的金或更優(yōu)選通過電鍍方法形成。在該結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選以同樣的方式形成電路層330和上表面被鍍的電極層320，使得該兩層的厚度在200mm以內(nèi)。
發(fā)光器件360提供有由復(fù)合半導(dǎo)體制成的發(fā)光部分和用于供電的電極，當(dāng)從電極層320供電時(shí)，進(jìn)行發(fā)光。作為發(fā)光器件，優(yōu)選實(shí)例是發(fā)光二極管。
如前述結(jié)構(gòu)所清楚表明，發(fā)光器件360可通過嵌入在絕緣層340、電路層330和電極層320的開放空間A中而直接安裝在金屬基底350上。
至于發(fā)光器件360，可以包含SiOB(硅光實(shí)驗(yàn)臺(tái))芯片、紅色LED芯片、綠色LED芯片、藍(lán)色LED芯片、黃色LED芯片、橙色LED芯片等。具體來說，SiOB芯片是指通過將杯型空間刻蝕成硅襯底并在該空間中安裝LED而制成的芯片。硅襯底可由其他材料制成。
電極層320具有絲網(wǎng)層392，其形成在通過發(fā)光器件360的電極和導(dǎo)線390所接合部位的外側(cè)。透鏡部分310附著至絲網(wǎng)層392。透鏡部分310可通過模制部分380提供，在其中模制透明樹脂材料，并且模制部分380可通過附著至絲網(wǎng)層392的步驟而精確定位模制成型。
圖4是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方案的發(fā)光器件封裝的平面圖，具體來說，其中清楚示出絲網(wǎng)層的形狀。但是，導(dǎo)線非常細(xì)小因而沒有示出，顯然多個(gè)芯片可以同時(shí)安裝在發(fā)光器件360上。
參考圖4，為了保護(hù)發(fā)光器件360和導(dǎo)線390，從金屬基底350上表面比安置導(dǎo)線390的部位更高處模制構(gòu)成透鏡部分310的模制空間380的內(nèi)部空間，特別是采用合成樹脂材料如環(huán)氧樹脂或硅來模制。模制部分380是一種高反射填充材料，并且均一分配由發(fā)光器件360漫射的光。
如上所見，根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方案的發(fā)光器件封裝具有的優(yōu)點(diǎn)是縮減尺寸、自由排列和可采用具有改進(jìn)的熱輻射效果的各模塊構(gòu)建，這是因?yàn)楝F(xiàn)有技術(shù)的發(fā)光器件封裝的反射杯、引線框和透鏡部分被集成安裝在金屬PCB上。
第二實(shí)施方案在本發(fā)明第二實(shí)施方案的說明中，引入前述本發(fā)明第一實(shí)施方案的許多部件。以下，僅詳細(xì)描述特征不同的部分。
圖5是顯示根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方案的發(fā)光器件封裝的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的剖面圖。
參考圖5，根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方案的發(fā)光器件封裝包括透鏡部分310a、絲網(wǎng)部分392a、發(fā)光器件360a、電極層320a、電路層330a、絕緣層340a、導(dǎo)線390a和金屬基底350。透鏡部分310a、絲網(wǎng)部分392a、發(fā)光器件360a、電極層320a、電路層330a和絕緣層340a的功能、結(jié)構(gòu)和材料均類似于本發(fā)明的第一實(shí)施方案。
與第一實(shí)施方案的唯一不同是在安置發(fā)光器件360a處區(qū)域中僅移除金屬基底350a，并且發(fā)光器件360a置于從中移除金屬基底350a的移除區(qū)域B中。
更具體地，移除區(qū)域B可通過給定加工方法例如研磨等加工。當(dāng)發(fā)光器件360a嵌入移除區(qū)域B中時(shí)，透鏡部分310a的上表面建立平衡，并且透鏡部分的總高度可低于第一實(shí)施方案中的。此外，發(fā)光器件360a插入移除區(qū)域B中，因而允許底部表面通過導(dǎo)熱硬化劑附著。
安裝在移除區(qū)域B中的發(fā)光器件360a通過電極層320a和位置相對(duì)高于發(fā)光器件360a的導(dǎo)線390a而通電。如同在第一實(shí)施方案中一樣，提供模制部分380a以保護(hù)發(fā)光器件360a和導(dǎo)線390a。
此時(shí)，模制部分380a高度同樣較低，這樣可以是因?yàn)榘l(fā)光器件360a插入并置于金屬基底350a中，并且接合導(dǎo)線390a的空間也置于較低側(cè)。在本發(fā)明第二實(shí)施方案中，優(yōu)選模制部分380a形成高度為保護(hù)發(fā)光器件360a和接合部分390a的高度。
通過這種結(jié)構(gòu)，透鏡部分310a的厚度可更小，并且可進(jìn)一步使透鏡部分310a的最高側(cè)平坦并縮減高度，因而使其能夠使用各種透鏡，包括菲涅耳(Fresnel)透鏡。
此外，合成樹脂材料如環(huán)氧樹脂或硅的模制元件直接注射進(jìn)金屬基底350a的凹處，從而無需如現(xiàn)有技術(shù)那樣使用溝道來注射模制元件。由此，可防止在模制時(shí)產(chǎn)生氣泡。
如上所述，發(fā)光器件360a的位置、模制部分380a的結(jié)構(gòu)和透鏡厚度的下降允許紅色、綠色和藍(lán)色在更小的區(qū)域中相互混合，由此產(chǎn)生接近于點(diǎn)光源的最終漫射光。
此外，移除區(qū)域B可形成在圓柱形凹陷中或者圓柱形狀凹陷B的側(cè)面可以傾斜預(yù)定角度。形成預(yù)定角度的凹陷B內(nèi)表面可提高光反射率。而且，優(yōu)選凹陷B側(cè)面為光澤涂布或提供有反射材料以提高反射率。也就是當(dāng)發(fā)光器件360a在圓柱形狀凹陷B中發(fā)光時(shí)，金屬基底350a的傾斜表面反射幾乎所有向上的光，因而可以提高發(fā)光器件360a的發(fā)光效率。
第三實(shí)施方案本發(fā)明的第三實(shí)施方案特征在于其提出一個(gè)總體結(jié)構(gòu)，其中將第一和第二實(shí)施方案中提出的發(fā)光器件封裝用作單一單元。
參考圖6，根據(jù)本實(shí)施方案，在金屬基底350a上提供多個(gè)發(fā)光器件封裝，并且透鏡部分310a分別排列在發(fā)光器件封裝上。當(dāng)然，可以通過具有連接各發(fā)光器件的電路的電路層330a而將高輸出發(fā)光器件封裝安裝在較小空間中。在圖中，示出以直線排列的發(fā)光器件封裝。也就是將通過各個(gè)發(fā)光器件提供的多個(gè)發(fā)光器件模塊以直線排列。
在此，在本發(fā)明第一和第二實(shí)施方案中，金屬PCB可在向電路層330和330a、電極層320和320a、絕緣層340和340a以及金屬基底350和350a上表面開放的層的表面上具有反射材料或光澤涂層。利用反射材料或光澤涂層，所提供的多個(gè)發(fā)光器件360和360a所發(fā)射的光甚至在透鏡部分310和310a的外側(cè)的金屬PCB上也具有高反射效率。
此外，在圖中，圓形指示部分示例用作透鏡部分310a的菲涅耳透鏡，并且安裝表面由金屬基底350a以簡(jiǎn)單形式指出。
圖7、8和9表示另一實(shí)施方案，其中在單一金屬基底350a上的發(fā)光器件封裝可分別以圓形、正方形和六邊形排列。這些發(fā)光器件封裝的排列可根據(jù)應(yīng)用發(fā)光器件的特定用途而改變。
圖10是以直線排列的根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方案的發(fā)光器件封裝的放大圖。
參考圖10，在電路層330a中，可見標(biāo)示出絕緣層340a上的絲網(wǎng)層392a的各發(fā)光器件封裝被供電，以使多個(gè)發(fā)光器件封裝可同時(shí)通過串聯(lián)連接電路通電。當(dāng)然，也可以通過提供多個(gè)串聯(lián)連接電路而向各綠色、紅色和藍(lán)色發(fā)光器件供電。
同時(shí)，當(dāng)附加的散熱器如本發(fā)明第一實(shí)施方案中所說明的那樣額外提供在金屬基底350a上時(shí)，金屬基底350a的固定孔是用于通過散熱器和螺栓型固定結(jié)構(gòu)而接合的孔。

根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光器件封裝提出用于發(fā)射高輸出光的構(gòu)造并主要集中在發(fā)光器件的排列結(jié)構(gòu)上。為了實(shí)現(xiàn)前述目的，本發(fā)明可以不背離前述實(shí)施方案的各種實(shí)施方案實(shí)施，并且該實(shí)施方案可認(rèn)為處于本發(fā)明的精神和范圍之內(nèi)。
根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光器件封裝，由于可以有效釋放發(fā)光器件封裝內(nèi)部所產(chǎn)生的熱，因此可以將盡可能高輸出的發(fā)光器件以各種顯示排列在封裝內(nèi)的受限空間中。因而，發(fā)光器件封裝可以各種方式用于具有尺寸縮減趨勢(shì)的發(fā)光器件應(yīng)用中。
此外，根據(jù)本發(fā)明，可以降低生產(chǎn)成本并可以使生產(chǎn)過程最簡(jiǎn)化，這是因?yàn)橐愿髂K構(gòu)建的發(fā)光器件封裝可通過沒有輻射器的結(jié)構(gòu)改進(jìn)而集成安裝。
此外，根據(jù)本發(fā)明，可以獲得在熱輻射、具有高集光性的光學(xué)、力學(xué)、產(chǎn)品可靠性等方面具有均一出色的特性的發(fā)光器件封裝。
權(quán)利要求
1.發(fā)光器件封裝，包括金屬基底；電路層，提供在金屬基底的上側(cè)以提供導(dǎo)電通路；絕緣層，夾在金屬基底和電路層之間；發(fā)光器件，安裝在金屬基底上表面上的移除絕緣層的開放空間內(nèi)；電極層，提供在電路層上側(cè)；和連接部分，用于電連接電極層和發(fā)光器件。
2.權(quán)利要求1的發(fā)光器件封裝，還包括用于模制開放空間內(nèi)部的模制部分。
3.權(quán)利要求1的發(fā)光器件封裝，還包括形成在金屬基底底部表面上的散熱器。
4.權(quán)利要求1的發(fā)光器件封裝，還包括通過螺栓與金屬基底接合的散熱器。
5.權(quán)利要求1的發(fā)光器件封裝，還包括與其中嵌入有導(dǎo)熱材料的金屬基底的一個(gè)表面接觸的散熱器。
6.權(quán)利要求1的發(fā)光器件封裝，其中所述開放空間通過研磨來加工。
7.權(quán)利要求1的發(fā)光器件封裝，其中所述開放空間通過刻蝕來加工。
8.權(quán)利要求1的發(fā)光器件封裝，其中所述發(fā)光器件是一個(gè)或多個(gè)LED芯片，其選自紅色LED芯片、綠色LED芯片、藍(lán)色LED芯片、黃色LED芯片和橙色LED芯片。
9.權(quán)利要求1的發(fā)光器件封裝，其中所述發(fā)光器件與金屬基底接觸。
10.權(quán)利要求1的發(fā)光器件封裝，其中所述發(fā)光器件由一個(gè)或多個(gè)SiOB芯片組成。
11.權(quán)利要求1的發(fā)光器件封裝，其中所述發(fā)光器件通過導(dǎo)熱硬化劑與金屬基底接合。
12.權(quán)利要求1的發(fā)光器件封裝，其中所述發(fā)光器件提供在一個(gè)金屬基底上的多個(gè)模塊中，并且所述電路層串聯(lián)連接各模塊。
13.權(quán)利要求1的發(fā)光器件封裝，其中所述發(fā)光器件提供在一個(gè)金屬基底上的多個(gè)模塊中，并且所述模塊以直線、圓形或多邊形排列。
14.權(quán)利要求1的發(fā)光器件封裝，其中在所述電極層的上表面上提供鍍層。
15.權(quán)利要求1的發(fā)光器件封裝，其中所述電極層鍍金。
16.權(quán)利要求1的發(fā)光器件封裝，其中所述電極層的鍍層厚度為0.3mm或更大。
17.權(quán)利要求1的發(fā)光器件封裝，其中所述電路層和電極層形成的兩層總厚度在200mm以內(nèi)。
18.權(quán)利要求1的發(fā)光器件封裝，其中所述電極層通過電鍍方法形成。
19.權(quán)利要求1的發(fā)光器件封裝，其中在所述金屬基底上提供移除至預(yù)定深度的移除區(qū)域，并且將所述發(fā)光器件置于該移除區(qū)域中。
20.權(quán)利要求1的發(fā)光器件封裝，其中安置發(fā)光器件處的金屬基底區(qū)域具有比其他區(qū)域更小的厚度。
21.權(quán)利要求19的發(fā)光器件封裝，其中所述移除區(qū)域的側(cè)面傾斜預(yù)定角度。
22.權(quán)利要求19的發(fā)光器件封裝，其中所述移除區(qū)域的內(nèi)表面涂布有或提供有反射材料。
23.權(quán)利要求19的發(fā)光器件封裝，其中所述移除區(qū)域形成為圓柱形狀。
24.權(quán)利要求19的發(fā)光器件封裝，其中所述移除區(qū)域通過研磨來加工。
25.權(quán)利要求1的發(fā)光器件封裝，還包括絲網(wǎng)層，形成在電極層的上表面上；和透鏡部分，附著至絲網(wǎng)層。
26.權(quán)利要求25的發(fā)光器件封裝，其中所述發(fā)光器件通過形成透鏡部分的樹脂來模制。
27.權(quán)利要求25的發(fā)光器件封裝，其中模制透鏡部分。
28.發(fā)光器件封裝，包括金屬基底；電路層，提供在金屬基底的上側(cè)以提供導(dǎo)電通路；發(fā)光器件，安裝在金屬基底上厚度小于第一區(qū)域的第二區(qū)域內(nèi)；絕緣層，夾在金屬基底和電路層之間；電極層，提供在電路層上側(cè)；和連接部分，用于電連接電極層和發(fā)光器件。
29.權(quán)利要求28的發(fā)光器件封裝，其中第二區(qū)域的內(nèi)側(cè)通過樹脂來模制。
30.權(quán)利要求28的發(fā)光器件封裝，其中第二區(qū)域傾斜預(yù)定角度。
31.權(quán)利要求28的發(fā)光器件封裝，其中第二區(qū)域的內(nèi)表面通過光澤整理進(jìn)行涂布。
32.權(quán)利要求28的發(fā)光器件封裝，其中所述反射材料提供在第二區(qū)域的內(nèi)表面上。
33.權(quán)利要求28的發(fā)光器件封裝，其中第二區(qū)域形成為圓柱形狀。
34.權(quán)利要求28的發(fā)光器件封裝，其中第二區(qū)域通過加工原始金屬基底而形成。
35.權(quán)利要求28的發(fā)光器件封裝，其中第二區(qū)域通過研磨來加工。
36.權(quán)利要求28的發(fā)光器件封裝，其中第二區(qū)域內(nèi)部通過模制部分來填充。
37.權(quán)利要求28的發(fā)光器件封裝，其中所述模制部分的上表面平坦。
38.權(quán)利要求28的發(fā)光器件封裝，其中對(duì)應(yīng)于安置發(fā)光器件區(qū)域的絕緣層被打開并形成開放空間。
39.權(quán)利要求38的發(fā)光器件封裝，其中所述開放空間的側(cè)面傾斜預(yù)定角度。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種發(fā)光器件封裝，包括金屬基底；電路層，提供在金屬基底的上側(cè)處以提供導(dǎo)電通路；發(fā)光器件，安裝在金屬基底上厚度小于第一區(qū)域的第二區(qū)域內(nèi)；絕緣層，夾在金屬基底和電路層之間；電極層，提供在電路層上側(cè)；和導(dǎo)線，用于連接電極層和發(fā)光器件。此外，因?yàn)榘l(fā)光器件安置在金屬基底的小厚度部分上，因而提供發(fā)光效率改善的發(fā)光器件封裝。
文檔編號(hào)H01L33/60GK1898810SQ200580001349
公開日2007年1月17日 申請(qǐng)日期2005年7月21日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月17日
發(fā)明者樸準(zhǔn)奭 申請(qǐng)人:Lg伊諾特有限公司