專利名稱：磷光體,使用該磷光體的發(fā)光器件及該磷光體的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及磷光體，使用該磷光體的發(fā)光器件及該磷光體的制造方法，具體涉及由特定波長的光激發(fā)以發(fā)射不同波長光的磷光體以及使用該磷光體的發(fā)光器件。更具體而言，本發(fā)明涉及利用特定波長的光來發(fā)射白光的磷光體，使用該磷光體的白色發(fā)光器件和制造該磷光體的方法。
背景技術(shù)：
近年來生產(chǎn)白色發(fā)光器件的方法在世界范圍內(nèi)發(fā)展活躍，該方法大致分為磷光體應(yīng)用法即用于通過在藍(lán)色或紫外發(fā)光器件上加入磷光體而得到白色的單芯片法和用于通過以多芯片結(jié)構(gòu)組合多個發(fā)光芯片而得到白色的多芯片法。
具體來說，在前述多芯片結(jié)構(gòu)的白色發(fā)光器件的代表性制造方法中，組合三個RGB(紅、綠、藍(lán))芯片以制造白色發(fā)光器件。然而，該方法的問題是每一芯片的輸出隨每一芯片的操作電壓和環(huán)境溫度的不均一而變化，由此改變顏色坐標(biāo)。由于該問題，使得多芯片法可通過電路配置調(diào)節(jié)各發(fā)光器件的亮度而適合用于需要顯示各種顏色的特定照明目的，而不是制造白色發(fā)光器件。
在這種背景下，作為用于制造白色發(fā)光器件的優(yōu)選方法，主要使用的系統(tǒng)是將相對容易制造且效率優(yōu)異的藍(lán)色發(fā)光器件與受藍(lán)色發(fā)光器件激發(fā)而發(fā)黃色的磷光體組合。至于使用磷光體發(fā)射白光的該系統(tǒng)的代表性實(shí)例，可以包括一種系統(tǒng)，其中使用藍(lán)色發(fā)光器件作為激發(fā)光源并使用鈰離子(Ce3+)作為三價稀土離子的釔鋁石榴石(YAG)磷光體，即YAG:Ce磷光體，被來自藍(lán)色發(fā)光器件的激發(fā)光所激發(fā)。
白色發(fā)光器件可根據(jù)應(yīng)用領(lǐng)域而用于各種封裝類型。白色發(fā)光器件大致分為以表面安裝器件(SMD)類型制造的用于手機(jī)背光和以垂直燈類型制造的用于電信號、固態(tài)顯示器件和圖像顯示器的微芯片發(fā)光二極管。
同時，用于分析白色發(fā)光器件的光學(xué)特征的指數(shù)包括相關(guān)色溫(CCT)和顯色指數(shù)(CRI)。
當(dāng)物體發(fā)射與特定溫度下黑體輻射相同顏色的可見光時，黑體溫度就稱作物體的色溫。該溫度定義為相關(guān)色溫(CCT)。色溫越高，光就越冷和更加藍(lán)白色。也就是說，如果白光的色溫低，顏色就越溫暖，而如果相同白光的色溫高，顏色就越冷。因此，通過調(diào)節(jié)色溫，甚至可以滿足需要各種顏色感覺的特定發(fā)光特征。
使用YAG:Ce磷光體的白色發(fā)光器件的問題在于其具有范圍在6000-8000K的程度不同的高色溫。
顯色指數(shù)確定物體在人造光源照射下與天然室外陽光照射下的顏色變化程度。如果物體的顏色外觀在暴露于陽光下時不改變則CRI為100。也就是說，顯色指數(shù)是測量人造光源與天然陽光顏色匹配接近程度的指數(shù)，其范圍為0-100。因此，白光源的CRI越接近100，則由人眼所見的顏色就越接近于在陽光下所呈現(xiàn)的顏色。
目前，白熾燈的CRI為80或更高，熒光燈的CRI為75或更高，而商品化的白色LED具有約70-75的CRI，并不很高。
結(jié)果，使用YAG:Ce磷光體的傳統(tǒng)白色發(fā)光器件存在較高色溫和較低顯色指數(shù)的問題。此外，由于其僅采用YAG:Ce磷光體，因此難以控制顏色坐標(biāo)、色溫和顯色指數(shù)。
而且，由于YAG:Ce在100℃或更高溫度下以較高速率熱老化，以及使用來自天然材料的Y2O3且需要1500℃或更高溫度的高溫?zé)崽幚韥砗铣蒠AG:Ce，因此YAG:Ce在生產(chǎn)成本方面存在缺點(diǎn)。
此外，當(dāng)摻雜三價稀土離子以將YAG:Ce的主發(fā)射峰移動至紅色區(qū)時，發(fā)光光度下降。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種磷光體，該磷光體包含在能夠改變主發(fā)射峰而不降低發(fā)光光度的發(fā)光器件的模制材料中。
此外，本發(fā)明的另一目的是提供一種發(fā)光器件，該發(fā)光器件能夠通過改變包含在磷光體中的活化劑的濃度而控制顏色坐標(biāo)、色溫和顯色指數(shù)。
此外，本發(fā)明的又一目的是提供用于得到適合各種用戶偏好的磷光體和使用該磷光體的發(fā)光器件。
此外，本發(fā)明的再一目的是提供降低磷光體和發(fā)光器件制造成本的磷光體和使用該磷光體的發(fā)光器件。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明一方面提供磷光體，特征在于所述磷光體具有以下化學(xué)式Sr4-xMgyBazSi2O8:Eu2+x(0＜x＜1，0≤y≤1，0≤z≤1)。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面提供使用磷光體的發(fā)光器件，包括光源；支撐光源的支撐體；透光元件，其提供在光源周圍至少一個部位處；和引入透光元件中的具有化學(xué)式Sr4-xMgyBazSi2O8:Eu2+x(0＜x＜1，0≤y≤1，0≤z≤1)的磷光體。
根據(jù)本發(fā)明的又一方面提供燈型發(fā)光器件，包括光源；支撐光源的支撐體；透光元件，其提供在光源周圍至少一個部位處；和引入透光元件中的具有化學(xué)式Sr4-xMgyBazSi2O8:Eu2+x(0＜x＜1，0≤y≤1，0≤z≤1)的磷光體。
根據(jù)本發(fā)明的再一方面提供表面安裝型發(fā)光器件，包括光源；支撐光源的支撐體；透光元件，其提供在光源周圍至少一個部位處；和引入透光元件中的具有化學(xué)式Sr4-xMgyBazSi2O8:Eu2+x(0＜x＜1，0≤y≤1，0≤z≤1)的磷光體。
根據(jù)本發(fā)明，可以得到具有改善的發(fā)光特征的磷光體和發(fā)光器件。
此外，因?yàn)榭梢钥刂瓢l(fā)光器件的顏色坐標(biāo)、色溫和顯色指數(shù)，因此可以得到更適合用戶偏好的發(fā)光器件。
此外，可以降低發(fā)光器件的制造成本。


參照附圖將更加清楚地理解本發(fā)明的目的和伴隨的優(yōu)點(diǎn)，其中
圖1是表示隨根據(jù)本發(fā)明的磷光體的Eu摩爾濃度變化的發(fā)射光譜圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明一個實(shí)施方案的表面安裝型白色發(fā)光器件的剖面圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方案的垂直燈型白色發(fā)光器件的剖面圖；圖4是表示根據(jù)本發(fā)明的白色發(fā)光器件的發(fā)射光譜圖；圖5是表示隨根據(jù)本發(fā)明的白色發(fā)光器件的Eu摩爾濃度變化的顏色坐標(biāo)轉(zhuǎn)變圖。
具體實(shí)施例方式
以下，將參考附圖詳細(xì)說明根據(jù)本發(fā)明的磷光體和使用該磷光體的發(fā)光器件。
本發(fā)明磷光體的特征在于該磷光體由鍶(Sr)、鎂(Mg)、鋇(Ba)、二氧化硅(SiO2)和銪(Eu)以數(shù)學(xué)式1的比例組成。
<數(shù)學(xué)式1>
Sr4-xMgyBazSi2O8:Eu2+x(0＜x＜1，0≤y≤1，0≤z≤1)。
數(shù)學(xué)式1的磷光體的特征在于主發(fā)射峰隨活化劑Eu的摩爾濃度而變化。
圖1表示隨根據(jù)本發(fā)明的磷光體的Eu摩爾濃度變化的發(fā)射光譜圖。在具有化學(xué)式Sr4-xMgyBazSi2O8:Eu2+x(0＜x＜1，0≤y≤1，0≤z≤1)的本發(fā)明磷光體的發(fā)射光譜中，磷光體的主發(fā)射峰隨作為活化劑的銪(Eu)的摩爾濃度而變化。在此，示出當(dāng)發(fā)射自氮化鎵二極管的主發(fā)射峰465nm的光被用作激發(fā)光且磷光體中Eu濃度分別為0.02摩爾、0.05摩爾、0.10摩爾和0.15摩爾時，隨所得的各摩爾濃度的各波長光強(qiáng)度。
參考圖1，在具有化學(xué)式Sr4-xMgyBazSi2O8:Eu2+x(0＜x＜1，0≤y≤1，0≤z≤1)的磷光體中，主發(fā)射峰隨Eu濃度變化而移動，并且主發(fā)射光譜區(qū)域范圍為500-600nm。
以下描述隨Eu摩爾濃度的發(fā)射光譜變化。可見當(dāng)Eu濃度是0.02mol時所得發(fā)射光譜的曲線1的主發(fā)射峰具有比當(dāng)Eu濃度是0.05mol時所得發(fā)射光譜的曲線2的主發(fā)射峰更短的波長，并且當(dāng)Eu濃度是0.10mol時所得發(fā)射光譜的曲線3的主發(fā)射峰具有比當(dāng)Eu濃度是0.15mol時所得發(fā)射光譜的曲線4的主發(fā)射峰更短的波長。
這些結(jié)果組合起來可以以下方式解釋本發(fā)明磷光體中Eu摩爾濃度越高，則來自該磷光體的發(fā)光器件的主發(fā)射峰波長就越長。
當(dāng)用于白色發(fā)光器件時，本發(fā)明磷光體所發(fā)射的光與用作激發(fā)光的近紫外光組合產(chǎn)生白光，因而可用于發(fā)射白光的本發(fā)明發(fā)光器件。作為該結(jié)果的組合結(jié)果，優(yōu)選適合得到白光的Eu2+的濃度為0.02-0.20mol。
以下將根據(jù)生產(chǎn)本發(fā)明磷光體的方法來詳細(xì)說明本發(fā)明磷光體。
根據(jù)本發(fā)明，提供生產(chǎn)具有數(shù)學(xué)式1的含有以稀土離子活化的磷光體的方法，該方法包括以下步驟。首先，進(jìn)行提供化學(xué)計量量的稀土金屬氧化物尤其是銪氧化物和選自鍶(Sr)、鎂(Mg)和鋇(Ba)中至少一種金屬的氧化物的步驟。其次，進(jìn)行混合所述氧化物以形成混合物的步驟。
第三，進(jìn)行選擇性加入用于助熔并選自溴、氯和氟等中至少一種的足量助熔劑至所述混合物中的步驟。第四，進(jìn)行在預(yù)定溫度的還原氣氛下熱處理所述混合物足夠時間以便將所述混合物轉(zhuǎn)化為硅酸鹽磷光體的步驟。
將更加詳細(xì)描述上述步驟的每一步?；旌喜襟E通常用于本領(lǐng)域且不受特定限制，但混合可通過機(jī)械方法包括球磨進(jìn)行或在高速混合器或帶式混合器中混合。在此，為了更有效地混合，可有利地使用少量溶劑如蒸餾水、醇、丙酮等。
接著，在100-400℃下干燥所述混合物。此時，優(yōu)選保持該范圍，因?yàn)槿绻稍餃囟鹊陀?00℃，則溶劑不蒸發(fā)，而如果干燥溫度超過400℃，則可發(fā)生自反應(yīng)。
接著，所述混合物在氫和氮的混合物氣體氣氛下熱處理以生產(chǎn)磷光體。
混合物氣體適合通過混合物與氫氣之間的反應(yīng)減少活化劑。氮與氫的體積比優(yōu)選為75-98∶25-2。熱處理溫度約為800-1500℃并持續(xù)足夠時間，優(yōu)選1200-1400℃。如果該溫度低于800℃，則硅酸鹽結(jié)晶產(chǎn)生不完全，從而降低發(fā)射效率。如果該溫度超過1500℃，那么由于過反應(yīng)而導(dǎo)致范圍下降。
以下，將參考根據(jù)本發(fā)明使用磷光體的發(fā)光器件的剖面圖說明根據(jù)本發(fā)明使用磷光體的發(fā)光器件。
圖2是根據(jù)本發(fā)明一個實(shí)施方案的表面安裝型白色發(fā)光器件的剖面圖。
如圖2所示，根據(jù)本發(fā)明一個實(shí)施方案的白色發(fā)光器件包括陽極和陰極引線框210；發(fā)光二極管芯片220，當(dāng)施加電壓時發(fā)光；導(dǎo)線230，用于使引線框210和發(fā)光二極管芯片220通電；透光樹脂，用于模制包圍發(fā)光二極管芯片220；和磷光體241，其分布在透光樹脂240上。
至于發(fā)光二極管芯片220，使用的是近紫外發(fā)光二極管芯片，當(dāng)施加電壓時其具有產(chǎn)生發(fā)射光譜主峰在400-480nm區(qū)域的光。除了近紫外發(fā)光二極管芯片外，激光二極管、表面發(fā)光激光二極管、無機(jī)電致發(fā)光器件、有機(jī)電致發(fā)光器件等可用作具有相同波長區(qū)域的主發(fā)射峰的發(fā)光器件。在本發(fā)明中，根據(jù)優(yōu)選實(shí)施方案采用氮化鎵型InGaN發(fā)光二極管芯片。
對于用作模制元件的透光樹脂240，可以使用透光環(huán)氧樹脂、硅樹脂、聚亞酰胺樹脂、脲樹脂、丙烯酸樹脂等，優(yōu)選透光環(huán)氧樹脂或透光硅樹脂。
透光樹脂240可完全包圍發(fā)光二級光芯片220而模制，也可以根據(jù)需要在發(fā)光區(qū)域部分模制。換言之，在小型發(fā)光器件的情況下，優(yōu)選進(jìn)行完全模制，但是在高輸出發(fā)光器件的情況下，如果進(jìn)行完全模制，則由于發(fā)光二極管芯片220的大尺寸可導(dǎo)致分布于透光樹脂240上的磷光體241不均一分布的缺點(diǎn)。在此，優(yōu)選在發(fā)光區(qū)域部分進(jìn)行模制。
當(dāng)磷光體241分布于發(fā)光樹脂240上時，使用本發(fā)明所說明的具有化學(xué)式Sr4-xMgyBazSi2O8:Eu2+x(0＜x＜1，0≤y≤1，0≤z≤1)的磷光體。
磷光體241的平均粒徑優(yōu)選小于20mm。如果磷光體241的平均粒徑超過20mm，則可導(dǎo)致如在與用于模制的透光樹脂混合的生產(chǎn)過程中硅酸鹽型磷光體241沉淀的問題，這不優(yōu)選。更優(yōu)選地，磷光體241的平均粒徑為5-15mm。
此外，如前所述，包含在磷光體241中的Eu2+濃度優(yōu)選為0.02-0.20mol。
對于磷光體241與透光樹脂240的混合重量比，磷光體241的含量相對于透光樹脂240優(yōu)選為5-50wt％。
特別地，當(dāng)本發(fā)明的白色發(fā)光器件為側(cè)視型時，優(yōu)選包含在磷光體241中的Eu2+濃度為0.02-0.10mol，并且磷光體241的含量相對于透光樹脂240為10-30wt％。
此外，在白色發(fā)光器件為頂視型時，優(yōu)選包含在磷光體241中的Eu2+濃度為0.08-0.15mol，并且磷光體241的含量相對于透光樹脂240為5-20wt％。
同時，本發(fā)明的磷光體可用作形成在印制電路墊和堆疊在印制電路板上的小鍵盤之間的背光以照亮小鍵盤。
在此，當(dāng)由白色發(fā)光器件發(fā)射的光為白光時，優(yōu)選包含在磷光體241中的Eu2+濃度為0.02-0.10mol，并且磷光體241的含量相對于透光樹脂240為10-40wt％。
圖3是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方案的垂直燈型白色發(fā)光器件的剖面圖。
如圖3所示，根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方案的白色發(fā)光器件包括一對引線框310；施加電壓時發(fā)光的發(fā)光二極管芯片320；導(dǎo)線330，用于使引線框310和發(fā)光二極管芯片320通電；用于模制包圍發(fā)光二極管芯片320的透光樹脂340和分布在透光樹脂340上的磷光體341；以及用于涂布整個器件外部空間的防護(hù)材料350。
透光樹脂340可完全包圍發(fā)光二極管芯片320而模制，也可以根據(jù)需要在發(fā)光區(qū)域部分模制。其原因如上所述。
當(dāng)磷光體分布于透光樹脂340上時，使用以上詳述的具有化學(xué)式Sr4-xMgyBazSi2O8:Eu2+x(0＜x＜1，0≤y≤1，0≤z≤1)的磷光體。
磷光體341的平均粒徑小于20mm。
優(yōu)選磷光體341的平均粒徑為5-15mm。
優(yōu)選包含在磷光體241中的Eu2+濃度為0.02-0.10mol，并且磷光體241的含量相對于透光樹脂240為10-30wt％。
用于垂直燈型白色發(fā)光二級管中的發(fā)光二極管芯片320、透光樹脂340、磷光體341等具有與表面安裝型白色發(fā)光器件相同的構(gòu)造，省略其詳細(xì)說明。
同時，雖然應(yīng)用于一般發(fā)光器件的本發(fā)明磷光體的含量相對于透光樹脂為5-50wt％，但在高輸出發(fā)光二極管的情況下，本發(fā)明磷光體的含量相對于透光樹脂可提高至50-100wt％。
將詳細(xì)描述獲得如上所述的根據(jù)本發(fā)明的表面安裝型白色發(fā)光器件或垂直燈型白色發(fā)光器件中的白光的步驟。
對應(yīng)于從InGaN發(fā)光二極管芯片220和320中發(fā)射的近紫外光的400-480nm波長區(qū)域的藍(lán)光穿過磷光體241和341以產(chǎn)生在發(fā)光波長中央具有500-600波段主峰的光，并且其余的光作為藍(lán)光透過。
結(jié)果，如表示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案的白色發(fā)光器件的發(fā)射光譜的圖4所示，示出具有400-700nm寬波光譜的白光。
圖5表示隨根據(jù)本發(fā)明的白色發(fā)光器件的Eu摩爾濃度變化的顏色坐標(biāo)轉(zhuǎn)變圖。
圖5中提出的各曲線表示在本發(fā)明的磷光體中，當(dāng)具有455nm主發(fā)射峰的光用作激發(fā)光且磷光體341中Eu2+濃度分別為0.02摩爾、0.05摩爾、0.10摩爾和0.12摩爾時，根據(jù)各摩爾濃度的白色發(fā)光器件的顏色坐標(biāo)轉(zhuǎn)變。
也就是說，在具有化學(xué)式Sr4-xMgyBazSi2O8:Eu2+x(0＜x＜1，0≤y≤1，0≤z≤1)的磷光體中，當(dāng)Eu摩爾濃度分別為0.02摩爾、0.05摩爾、0.10摩爾和0.12摩爾時得到的第一色度曲線11、第二色度曲線12、第三色度曲線13和第四色度曲線14。
如上所示，當(dāng)通過改變施加于本發(fā)明磷光體上的Eu2+摩爾濃度來實(shí)現(xiàn)白色發(fā)光器件時，顏色坐標(biāo)、色溫和顯色指數(shù)均隨Eu2+摩爾濃度而變化，由此能夠控制器件以發(fā)射所期望的白光。
本發(fā)明的磷光體允許通過調(diào)節(jié)包含在磷光體中活化劑的濃度來控制顏色坐標(biāo)、色溫和顯色指數(shù)以發(fā)射所期望的白光。具體來說，尤其是通過控制Eu2+的濃度來控制白光的狀態(tài)。
重要的是發(fā)光器件的特定構(gòu)造可變化或改變，而不偏離本發(fā)明的范圍。例如，發(fā)光器件的特定形狀可變化或改變，并且發(fā)光器件的物理排列等不作具體限制。
本發(fā)明可以通過改變包含在磷光體中的活化劑的濃度而改變主發(fā)射峰而不降低發(fā)光光度來控制顏色坐標(biāo)、色溫和顯色指數(shù)。因此，可以根據(jù)用途主動控制白光狀態(tài)。
此外，本發(fā)明提供實(shí)用性，允許發(fā)光器件用作節(jié)能光源以替代手機(jī)的彩色LCD背光、LED燈和火車或公車的車內(nèi)LED或熒光燈。
雖然已經(jīng)參照附圖描述了本發(fā)明的實(shí)施方案，但本發(fā)明不限于此，并且對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言很明顯，可以在形式和細(xì)節(jié)上進(jìn)行各種變化而不偏離本發(fā)明的精神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種磷光體，具有化學(xué)式Sr4-xMgyBazSi2O8:Eu2+x(0＜x＜1，0≤y≤1，0≤z≤1)。
2.權(quán)利要求1的磷光體，其中所述磷光體的平均粒徑小于20mm。
3.權(quán)利要求1的磷光體，其中所述磷光體的平均粒徑為5-15mm。
4.權(quán)利要求1的磷光體，其中所述磷光體由復(fù)合半導(dǎo)體產(chǎn)生的光激發(fā)而具有500-600nm范圍的主峰。
5.權(quán)利要求1的磷光體，其中所述磷光體由主峰范圍為400-480nm的光激發(fā)，以具有500-600nm范圍的主發(fā)射峰。
6.權(quán)利要求1的磷光體，其中所述磷光體的主發(fā)射峰隨Eu2+濃度而變化。
7.權(quán)利要求1的磷光體，其中Eu2+的摩爾濃度為0.02-0.20mol。
8.一種包含磷光體的發(fā)光器件，包含光源；支撐光源的支撐體；透光元件，其提供在光源周圍至少一個部位處；和磷光體，其引入在透光元件中，具有化學(xué)式Sr4-xMgyBazSi2O8:Eu2+x(0＜x＜1，0≤y≤1，0≤z≤1)。
9.權(quán)利要求8的發(fā)光器件，其中Eu2+的摩爾濃度為0.02-0.20mol。
10.權(quán)利要求8的發(fā)光器件，其中所述透光元件是模制元件。
11.權(quán)利要求8的發(fā)光器件，其中所述磷光體相對于透光元件的混合比為5-50wt％。
12.權(quán)利要求8的發(fā)光器件，其中所述透光元件完全包圍發(fā)光器件而模制。
13.權(quán)利要求8的發(fā)光器件，其中所述透光元件部分包圍發(fā)光器件而模制。
14.權(quán)利要求8的發(fā)光器件，其中通過光源發(fā)出的光和被磷光體激發(fā)的光而發(fā)射白光。
15.權(quán)利要求8的發(fā)光器件，其中包含在磷光體中的Eu2+的濃度是0.02-0.20mol。
16.權(quán)利要求8的發(fā)光器件，其中當(dāng)所述發(fā)光器件是頂視型時，Eu2+的濃度為0.02-0.10mol。
17.權(quán)利要求16的發(fā)光器件，其中所述磷光體含量相對于透光元件為10-30wt％。
18.權(quán)利要求8的發(fā)光器件，其中當(dāng)所述發(fā)光器件是側(cè)視型時，Eu2+的濃度是0.08-0.15mol。
19.權(quán)利要求18的發(fā)光器件，其中所述磷光體含量相對于透光元件為5-20wt％。
20.權(quán)利要求8的發(fā)光器件，其中當(dāng)所述發(fā)光器件被用作背光的白色光源時，包含在磷光體中的Eu2+的濃度是0.02-0.10mol，并且所述磷光體含量相對于透光元件為15-50wt％。
21.權(quán)利要求8的發(fā)光器件，其中當(dāng)所述發(fā)光器件被用作背光的藍(lán)色光源時，包含在磷光體中的Eu2+的濃度是0.02-0.10mol，并且所述磷光體含量相對于透光元件為10-40wt％。
22.權(quán)利要求8的發(fā)光器件，其中所述光源是氮化鎵發(fā)光二極管。
23.一種包含磷光體的燈型發(fā)光器件，包含光源；支撐光源的支撐體；模制元件，提供在光源周圍的至少一個部位處；和磷光體，其引入在模制元件中，具有化學(xué)式Sr4-xMgyBazSi2O8:Eu2+x(0＜x＜1，0≤y≤1，0≤z≤1)。
24.一種包含磷光體的表面安裝型發(fā)光器件，包含光源；支撐光源的支撐體；模制元件，提供在光源周圍的至少一個部位處；和磷光體，其引入在模制元件中，具有化學(xué)式Sr4-xMgyBazSi2O8:Eu2+x(0＜x＜1，0≤y≤1，0≤z≤1)。
25.一種生產(chǎn)磷光體的方法，包括以下步驟提供化學(xué)計量量的選自鍶(Sr)、鎂(Mg)和鋇(Ba)中至少一種元素的氧化物和銪氧化物；混合所述氧化物；和熱處理所述混合物以將所述混合物轉(zhuǎn)化為以稀土離子活化的包含銪的硅酸鹽磷光體。
26.權(quán)利要求25的方法，還包括在混合所述氧化物之后加入至少一種選自溴、氯和氟的助熔劑的步驟。
27.權(quán)利要求25的方法，其中使用少量選自蒸餾水、醇和丙酮的溶劑來混合所述氧化物，隨后在100-400℃下干燥。
28.權(quán)利要求25的方法，其中在氮和氫的混合物氣體氣氛下進(jìn)行所述熱處理步驟，并且氮和氫的體積比優(yōu)選為75-98∶25-2。
29.權(quán)利要求25的方法，其中在800-1500℃下進(jìn)行所述熱處理步驟。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種磷光體、使用該磷光體的發(fā)光器件和生產(chǎn)該磷光體的方法，允許通過改變包含在磷光體中的活化劑濃度來改變主發(fā)射峰而不降低發(fā)光光度從而控制顏色坐標(biāo)、色溫和現(xiàn)色指數(shù)。利用該結(jié)構(gòu)，可以根據(jù)用途主動控制白光狀態(tài)，由此增強(qiáng)用戶便利。
文檔編號H01L33/50GK1898811SQ200580001350
公開日2007年1月17日 申請日期2005年7月26日 優(yōu)先權(quán)日2004年10月18日
發(fā)明者金昌海, 樸晶奎, 金相基, 金忠烈, 崔京在 申請人:Lg伊諾特有限公司