專利名稱：無機(jī)粉末、用該粉末填充的樹脂組合物及其用途的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及可用作高導(dǎo)熱元件的具有導(dǎo)熱性的樹脂組合物，并涉及該樹脂組合物的用途，例如需要具有電絕緣性和高導(dǎo)熱性的裝有電子部件的電路板。本發(fā)明還涉及具有高熱導(dǎo)率的無機(jī)粉末，其作為導(dǎo)熱填料填充在樹脂組合物中。
背景技術(shù)：
近年來，安裝有電子部件(例如半導(dǎo)體元件)的電路板正用于各種領(lǐng)域(例如家用電器和汽車電氣設(shè)備)中的電子控制器件。由于急劇地向器件小型化的方向發(fā)展，越來越要求電路具有更高的集成度和更高的功能性，而電路等上局部產(chǎn)生的熱的量也趨于增加。由于熱生成和熱積聚對電路等的耐久性具有負(fù)面影響，因此電路板除了需要具有電可靠性(例如電絕緣)外，還需要具有更高的導(dǎo)熱性，目前，正在研究對導(dǎo)熱性的改進(jìn)，并研究不僅對電路板主體和密封劑、還對絕緣粘合層之類的元件進(jìn)行熱轉(zhuǎn)移/傳導(dǎo)的方法。
對于熱輻射，通常使用一種通過將具有高導(dǎo)熱性的金屬制散熱片或熱輻射板與電路板等裝配在一起以使它們互相接觸來轉(zhuǎn)移和傳導(dǎo)熱的方法。然而，如果這兩種元件在接合部位通電或短路，就會損壞電路。因此，通常在它們之間插入包含具有高電絕緣性的已知有機(jī)聚合物組合物的樹脂組合物層以形成絕緣。然而，有機(jī)聚合物組合物通常具有低的導(dǎo)熱系數(shù)，并且在單獨(dú)使用時，作為高導(dǎo)熱元件的性能很低。
至于使包含有機(jī)聚合物組合物等的樹脂組合物具有導(dǎo)熱性的方法，傳統(tǒng)上已知填充具有高導(dǎo)熱性的無機(jī)粉末作為導(dǎo)熱填料的技術(shù)。順便提及，無機(jī)粉末還起到產(chǎn)生耐燃性和電絕緣之類功能的填料的作用。特別地，球形無機(jī)粉末具有優(yōu)異的可填充性和流動性，并因此常在實(shí)踐中作為填充材料用于電路板的高導(dǎo)熱元件或半導(dǎo)體密封劑。例如，使用具有高導(dǎo)熱系數(shù)的球形氧化鋁粉末作為高導(dǎo)熱填料，并由于其高純度而使用球形二氧化硅粉末作為半導(dǎo)體密封劑填料。
至于獲得球形無機(jī)粉末的方法，下述技術(shù)是已知的——將原材料無機(jī)粉末或其漿料加入高溫火焰以制成熔融狀態(tài)并利用表面張力將其球化(參看，例如，JP-A-2001-19425)。此外，有時使用金屬作為原材料，并在這種情況下，金屬的高溫氧化和熔融球化同時并行地進(jìn)行(參看，例如，JP-A-1993-193908)。
當(dāng)在樹脂化合物中填充具有良好球態(tài)(所謂的高球度spheroidicity)的球形無機(jī)粉末時，作為高填充性或流動性的指數(shù)的粘度(下文稱作“樹脂化合物粘度”)低，因此，較少產(chǎn)生空隙之類的樹脂缺陷。由于這一優(yōu)點(diǎn)，該粉末優(yōu)選作為有望提高樹脂化合物導(dǎo)熱性的填料，但其較昂貴。另一方面，具有低球度或帶有彎角的相對廉價的無機(jī)粉末(類似研磨粉末)具有相對較高的樹脂化合物粘度并在將化合物熱固化至高粘度時產(chǎn)生嚴(yán)重的流動失敗(flow failure)，并且容易產(chǎn)生樹脂缺陷。當(dāng)存在許多樹脂缺陷時，對介電擊穿電壓的強(qiáng)度(下文稱作“介電擊穿強(qiáng)度”，其是電可靠性和擊穿電壓特性的指數(shù))趨于降低。
無機(jī)粉末通常具有親水表面，并因此對于由化合物加工成的聚合物組合物(例如環(huán)氧樹脂或硅氧烷聚合物組合物所代表的有機(jī)聚合物組合物)表現(xiàn)出低親合力。特別地，球形無機(jī)粉末由于其光滑表面而具有弱的粘合或粘附性能并容易產(chǎn)生界面破壞和降低介電擊穿強(qiáng)度。為了提高甚至在這種情況下與樹脂組合物的粘附性能，用硅烷基偶聯(lián)劑等對粉末進(jìn)行表面處理并使該表面疏水的技術(shù)是公知的(參看，例如，JP-A-1993-335446、JP-A-2001-240771和Nippon Unicar Company Limited制造的NUC硅烷偶聯(lián)劑目錄)。
電路板的高導(dǎo)熱元件用的樹脂組合物需要具有高導(dǎo)熱性，同時保持有機(jī)聚合物組合物等固有的撓性和擊穿電壓特性。當(dāng)高密度填充具有高熱導(dǎo)率的無機(jī)粉末以獲得高導(dǎo)熱性時，將由于界面破壞或產(chǎn)生樹脂缺陷而降低了擊穿電壓特性和撓性。因此，在傳統(tǒng)技術(shù)中，選擇并優(yōu)選使用具有良好流動性(即低樹脂化合物粘度)、高填充性和高球度的昂貴球形無機(jī)粉末。此外，下述技術(shù)也是已知的——在通過分級/混合處理將球形無機(jī)粉末控制至特定粒度分布或粒子性能并通過表面處理之類的附加處理提高粘附性能等之后使用該粉末(參看，例如，JP-A-2001-139725和JP-A-2003-137627)。
換言之，不能使用具有相對較差流動性(即高樹脂化合物粘度)的無機(jī)粉末，例如以相對較低成本供應(yīng)和制造的研磨粉末或低球度粉末，因?yàn)閹缀醪荒塬@得高密度填充并且由于產(chǎn)生樹脂缺陷和類似情況而導(dǎo)致?lián)舸╇妷禾匦缘膰?yán)重降低，因此，使用這種低成本無機(jī)粉末不能通過傳統(tǒng)技術(shù)獲得具有高導(dǎo)熱性和高擊穿電壓特性的樹脂組合物。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種導(dǎo)熱無機(jī)粉末，其能夠以足夠高的可提高導(dǎo)熱性的高密度填充在樹脂組分中，并能夠形成具有高擊穿電壓特性的薄膜狀絕緣樹脂組合物(下文稱作“薄膜樹脂片”)，本發(fā)明還提供可用作需要具有電絕緣性和高導(dǎo)熱性的電路板等的高導(dǎo)熱元件的樹脂組合物。
鑒于上述情況，本發(fā)明人進(jìn)行了詳盡的研究，并基于下述發(fā)現(xiàn)完成了本發(fā)明當(dāng)使用具有特定粒度分布并優(yōu)選預(yù)先經(jīng)過表面疏水化處理的導(dǎo)熱無機(jī)粉末時，盡管低球度無機(jī)粉末易于產(chǎn)生高樹脂化合物粘度，但粉末可以在樹脂中高密度填充并可以表現(xiàn)出高熱導(dǎo)率，并且在由該組合物形成薄膜樹脂片時，樹脂組合物可以確保獲得高介電擊穿強(qiáng)度。
更具體地，本發(fā)明包括下列具體實(shí)施方式
。
(1)在頻率-粒度分布中具有多個峰的無機(jī)粉末，其中這些峰至少存在于0.2至2微米和2至63微米的粒度區(qū)域內(nèi)。
(2)如(1)所述的無機(jī)粉末，其中最大粒度為63微米或更低，平均粒度為4至30微米，且模式尺寸(mode size)為2至35微米。
(3)如(1)所述的無機(jī)粉末，其中粒度小于2微米的粒子的百分比為0至20質(zhì)量％，且粒度小于2微米的粒子的模式尺寸為0.25至1.5微米。
(4)如(1)所述的無機(jī)粉末，其中粒度為8微米或更大的粒子的百分比為44至90質(zhì)量％。
(5)如(1)所述的無機(jī)粉末，其中粒度為2至8微米的粒子的百分比為0至15質(zhì)量％。
(6)如(1)所述的無機(jī)粉末，其中粒度為2至8微米的粒子的百分比為32至45質(zhì)量％。
(7)如(1)所述的無機(jī)粉末，其中球度為0.68至0.95，且球化率為0.63至0.95。
(8)如(1)所述的無機(jī)粉末，其中粒度小于2微米的粒子的球度為0.5至0.95，且其球化率為0至0.9。
(9)如(1)所述的無機(jī)粉末，其中粒度為8微米或更大的粒子的球度為0.7至0.95，且其球化率為0.7至0.95。
(10)如(1)所述的無機(jī)粉末，其中單晶狀態(tài)的無機(jī)粉末的熱導(dǎo)率為30W/m·k或更高。
(11)如(1)至(10)任一項(xiàng)所述的無機(jī)粉末，其為氧化鋁粉。
(12)如(11)所述的無機(jī)粉末，其中氧化鋁粉末的α氧化鋁結(jié)晶相的分?jǐn)?shù)為30至75質(zhì)量％。
(13)如(11)所述的無機(jī)粉末，其中小于2微米的粒子的α氧化鋁結(jié)晶相的分?jǐn)?shù)為90至100質(zhì)量％。
(14)如(11)所述的無機(jī)粉末，其中8微米或更大的粒子的α氧化鋁結(jié)晶相的分?jǐn)?shù)為30至70質(zhì)量％。
(15)如(1)所述的無機(jī)粉末，其中金屬鋁的含量為0.05質(zhì)量％或更低。
(16)如(1)所述的無機(jī)粉末，其中硫酸根離子的含量為15ppm或更低。
(17)如(1)所述的無機(jī)粉末，其中氯離子的含量為15ppm或更低。
(18)如(1)所述的無機(jī)粉末，其中Fe2O3的含量為0.03質(zhì)量％或更低。
(19)如(1)所述的無機(jī)粉末，其基本不含小于50納米的粒子。
(20)如(1)所述的無機(jī)粉末，用至少一種選自硅烷基偶聯(lián)劑和鈦酸酯基偶聯(lián)劑的表面處理劑對其進(jìn)行表面疏水化處理。
(21)用(1)至(20)任一項(xiàng)所述的無機(jī)粉末填充的樹脂組合物。
(22)如(21)所述的樹脂組合物，其中填充50至90質(zhì)量％的無機(jī)粉末。
(23)如(21)或(22)所述的樹脂組合物，其中當(dāng)樹脂組合物形成厚度為40至90微米的薄膜絕緣樹脂組合物時，通過JIS C2110規(guī)定的介電擊穿電壓測試測得的介電擊穿強(qiáng)度為39kV/mm或更高。
(24)安裝在汽車上的電路板，其使用(21)至(23)任一項(xiàng)所述的樹脂組合物。
(25)安裝在電子器件上的電路板，其使用(21)至(23)任一項(xiàng)所述的樹脂組合物。
(26)安裝在電子器件中的高導(dǎo)熱元件，其使用(21)至(23)任一項(xiàng)所述的樹脂組合物。
(27)用于電子部件的高導(dǎo)熱元件，其使用(21)至(23)任一項(xiàng)所述的樹脂組合物。
(28)如(26)或(27)所述的高導(dǎo)熱元件，其是片狀的。
(29)如(26)或(27)所述的高導(dǎo)熱元件，其是凝膠狀或糊狀的。
(30)如(26)或(27)所述的高導(dǎo)熱元件，其是底部填充劑(underfill-agent)型元件。
(31)如(26)或(27)所述的高導(dǎo)熱元件，其通過涂布到基本器件的加熱部分上而施用。
(32)金屬基電路板、金屬芯型電路板及其結(jié)構(gòu)體，其中使用(21)至(23)任一項(xiàng)所述的樹脂組合物作為高導(dǎo)熱元件，其還用作絕緣粘合層等。
(33)集成了高導(dǎo)熱金屬元件的電子部件的結(jié)構(gòu)體，其中使用(26)至(31)任一項(xiàng)所述的高導(dǎo)熱元件將生熱電子部件和高導(dǎo)熱金屬元件連接。
(34)使用(26)至(31)任一項(xiàng)所述的高導(dǎo)熱元件的LED電路板。
(35)使用(32)或(34)所述的電路板或(32)或(33)所述的結(jié)構(gòu)體的汽車。
(36)使用(32)或(34)所述的電路板或(32)或(33)所述的結(jié)構(gòu)體的電子產(chǎn)品。
(37)使用(32)或(34)所述的電路板或(32)或(33)所述的結(jié)構(gòu)體的燈光指示器。
(38)使用(32)或(34)所述的電路板或(32)或(33)所述的結(jié)構(gòu)體的顯示器。
發(fā)明詳述下面詳細(xì)描述本發(fā)明的具體實(shí)施方式
。
在本發(fā)明的優(yōu)選具體實(shí)施方式
中，無機(jī)粉末具有特定粒度分布，這使其能夠在樹脂組合物中高密度填充。
按照本發(fā)明的優(yōu)選具體實(shí)施方式
的無機(jī)粉末優(yōu)選是在頻率-粒度分布中具有多個峰(即具有兩個或多個峰)的粉末，其中最大粒度優(yōu)選為63微米或更低，平均粒度優(yōu)選為4至30微米，更優(yōu)選4至16微米，模式尺寸優(yōu)選為2至35微米，更優(yōu)選7至20微米。更具體地，優(yōu)選的是，在具有多個峰的頻率-粒度分布中，至少一個峰位于0.2至2微米的粒度區(qū)域內(nèi)，且至少一個峰位于2至63微米的粒度區(qū)域內(nèi)，球度為0.68至0.95，更優(yōu)選0.68至0.80，球化率為0.63至0.95，更優(yōu)選0.63至0.77。
由于具有多個峰，大量細(xì)粒塞進(jìn)了粗粒之間的空隙，這被認(rèn)為促進(jìn)了最緊密的填充。此外，由于在上述粒度區(qū)域含有峰，進(jìn)一步促進(jìn)了最緊密的填充。
至于0.2至2微米的粒度區(qū)域內(nèi)所含的粒子組分，假定無機(jī)粉末為100質(zhì)量％，則粒度小于2微米的粒子的百分比優(yōu)選為0至25質(zhì)量％，更優(yōu)選0至11質(zhì)量％或13至25質(zhì)量％，模式尺寸優(yōu)選為0.25至1.5微米，球度優(yōu)選為0.5至0.95，更優(yōu)選0.8至0.85，且球化率優(yōu)選為0至0.9，更優(yōu)選0至0.5。
至于2至63微米的粒度區(qū)域內(nèi)所含的粒子組分的特征，粒度為8微米或更大的粒子的百分比優(yōu)選為44至90質(zhì)量％，更優(yōu)選48至86質(zhì)量％，球度優(yōu)選為0.7至0.95，更優(yōu)選0.7至0.8，再優(yōu)選0.7至0.78，且球化率優(yōu)選為0.7至0.9，更優(yōu)選0.7至0.75。
此外，2至8微米的粒度區(qū)域內(nèi)所含的粒子的百分比優(yōu)選為0至15質(zhì)量％或32至45質(zhì)量％，更優(yōu)選4至15質(zhì)量％，或34至45質(zhì)量％。
當(dāng)通過混合等方式將無機(jī)粉末調(diào)節(jié)至具有這種粒度分布時，即使具有低球度的無機(jī)粉末也可以產(chǎn)生高填充度。
可用無機(jī)粉末的例子包括氧化鋁、氮化鋁、結(jié)晶二氧化硅、氧化鎂、氮化硼、氮化硅、氧化鈹、碳化硅、碳化硼、碳化鈦和金剛石，但是優(yōu)選使用能夠同時符合熱導(dǎo)率(導(dǎo)熱系數(shù))和絕緣(體積電阻率值)的無機(jī)粉末，更優(yōu)選使用在單晶狀態(tài)下導(dǎo)熱系數(shù)為30W/m·K或更高且體積電阻率值為1×1014Ω.cm或更高的無機(jī)粉末。
例如，可以使用氧化鋁、氮化鋁、氧化鎂、氮化硼和氧化鈹作為特別優(yōu)選的無機(jī)粉末。
當(dāng)考慮耐濕性、化學(xué)穩(wěn)定性和使用安全性時，本發(fā)明的無機(jī)粉末最優(yōu)選為氧化鋁或氮化鋁，但是當(dāng)考慮收益性時，優(yōu)選氧化鋁。無機(jī)粉末可以單獨(dú)使用或混合使用。
氧化鋁粉末優(yōu)選為通過Verneuil’s方法的球化步驟的球形氧化鋁粉末，以下列材料為原料通過燒結(jié)或電熔融Bayer氫氧化鋁獲得的氧化鋁粉末、由Bayer氧化鋁制成的低鈉細(xì)粒氧化鋁粉末、或通過氨明礬熱分解法、烷醇鋁水解法、鋁浸沒放電(submerged discharge)法或其它方法制成的高純細(xì)粒氧化鋁粉末，但是本發(fā)明并不限于此。
氮化鋁粉末優(yōu)選為通過直接氮化法、還原氮化法等制成的氮化鋁粉末，但是本發(fā)明并不限于此。
氧化鋁和氮化鋁分別可以單獨(dú)使用或混合使用。此外，可以結(jié)合使用通過各種制造方法獲得的多種氧化鋁或氮化鋁。
按照本發(fā)明的優(yōu)選具體實(shí)施方式
的無機(jī)粉末優(yōu)選為通過X-射線衍射分析測得的α氧化鋁結(jié)晶相的分?jǐn)?shù)為30至75質(zhì)量％、更優(yōu)選30至67質(zhì)量％的氧化鋁粉末。
此外，按照本發(fā)明的優(yōu)選具體實(shí)施方式
的無機(jī)粉末優(yōu)選為下述氧化鋁粉末——其中在小于2微米的粒度區(qū)域的粉末的α氧化鋁結(jié)晶相的分?jǐn)?shù)為90至100質(zhì)量％，更優(yōu)選95至99質(zhì)量％，且在8微米或更大的粒度區(qū)域的粉末的α氧化鋁結(jié)晶相的分?jǐn)?shù)為30至70質(zhì)量％，更優(yōu)選35至60質(zhì)量％。
通過將α氧化鋁結(jié)晶相的分?jǐn)?shù)調(diào)節(jié)至這一范圍，可以獲得具有高熱導(dǎo)率的無機(jī)粉末(氧化鋁粉末)。
按照本發(fā)明優(yōu)選具體實(shí)施方式
的無機(jī)粉末的粒度分布可以通過已知的粒度分布測量裝置測定。例如，優(yōu)選使用采用激光衍射/散射系統(tǒng)的粒度測量裝置，且可用于測量的粒度分布測量裝置的例子包括Microtrac HRA(Nikkiso K.K.制造)和SALD-2000J(Shimadzu Corporation制造)。順便提及，假定水的折射率為1.33，且當(dāng)無機(jī)粉末是例如氧化鋁粉末時，可以使用1.77至1.8的折射率。
本發(fā)明中使用的最大粒度是無機(jī)粉末的累積粒度分布中的累積100％粒度，且平均粒度是無機(jī)粉末的累積粒度分布中的中值粒度和累積50％粒度。模式尺寸為在無機(jī)粉末的頻率-粒度分布中表現(xiàn)出最高模式值的粒度。
本發(fā)明中使用的球度是指平均球度，且可以通過下列方法測定。通過立體顯微鏡、掃描電子顯微鏡等拍攝粒子圖像并送入圖像分析裝置等。從照片中測量任意粒子的投影面積(a)和周線周長L(a)，并假定具有與L(a)相同周線周長的真圓的面積為(b)，可以建立下列表達(dá)式。
(b)＝π×(L(a)/2π)2因此，可以通過下式計(jì)算球度球度＝(a)/(b)＝(a)×4π×(L(a))2由此，根據(jù)球度確定粒子的特定數(shù)，并且其平均值被確定為平均球度。此時，優(yōu)選使用200或更多的粒子進(jìn)行計(jì)算。
至于上述方法以外的球度測量方法，可通過例如“FPIA-2100”(SysmexCorp.)的粒子圖像分析裝置定量、自動地測量各個粒子的圓度，并可以由圓度按照下式進(jìn)行轉(zhuǎn)化以測定球度球度＝(圓度)2本發(fā)明中使用的球化率是在所謂的球度分布中1.0的球度的數(shù)頻比率(number frequency ratio)。該比率可由上述粒子圓度(該圓度是通過粒子圖像分析裝置等定量、自動測得的)的數(shù)頻乘法測定。
除此以外，在根據(jù)粉末粒子的尺寸選擇的預(yù)定放大率(150至1000倍的任意放大率)下通過掃描電子顯微鏡拍攝粒子，在一個可見區(qū)內(nèi)計(jì)算5微米或更大的粒子總數(shù)和非球化粒子數(shù)，并按照下式計(jì)算球化率球化率＝(總數(shù)-非球化粒子數(shù))/總數(shù)至于計(jì)算非球化粒子的方法，可以使用任何方法，例如使用之前制成的判斷樣品通過比較進(jìn)行的目測法，或使用已知圖像分析裝置的計(jì)數(shù)法。
對于無機(jī)粉末(氧化鋁粉末)中α氧化鋁結(jié)晶相分?jǐn)?shù)的測量方法沒有特別的限制，并且可以通過已知粉末X-射線衍射裝置測量。在下列條件下使用CuKα輻射進(jìn)行X-射線衍射分析——狹縫為0.3毫米、掃描速度為1°/分鐘，且掃描范圍為2θ＝65至70°，并假定在2θ＝68.2°的所得峰(α氧化鋁)高度為A，在2θ＝67.3°的峰(中間氧化鋁)高度為B，且作為背景的在2θ＝69.5°的基線值為C，可以按照下式測定α氧化鋁結(jié)晶相的分?jǐn)?shù)α氧化鋁結(jié)晶相的分?jǐn)?shù)＝(A-C)/((A-C)+(B-C))×100
在按照本發(fā)明優(yōu)選具體實(shí)施方式
的無機(jī)粉末中，鋁金屬含量優(yōu)選為0.05質(zhì)量或更低，更優(yōu)選0至0.01質(zhì)量％。如果使用含有大量鋁金屬的無機(jī)粉末例如作為絕緣層的高導(dǎo)熱填料，當(dāng)對施加高壓時容易在電路銅箔和基材之間產(chǎn)生電流短路(介電擊穿)，這可能破壞電路和使用該電路的器件。
對按照本發(fā)明的優(yōu)選具體實(shí)施方式
的無機(jī)粉末中鋁金屬濃度的測量方法沒有特別限制，并可以使用任何已知的無機(jī)分析法。優(yōu)選地，如下測定濃度通過與鹽酸一起加熱對無機(jī)粉末進(jìn)行萃取，然后使用ICP(高頻電感耦合等離子體)發(fā)射分光光度計(jì)測量濾液中可溶于鹽酸的組分?？捎糜跍y量的發(fā)射分光光度計(jì)包括ICPS-7500(Shimadzu Corporation制造)。
在按照本發(fā)明優(yōu)選具體實(shí)施方式
的無機(jī)粉末中，硫酸根離子濃度優(yōu)選為15ppm或更低，更優(yōu)選5ppm或更低。例如，如果使用經(jīng)硅烷偶聯(lián)劑表面處理的無機(jī)酸作為填料或使用硅氧烷基材料作為絕緣樹脂化合物，硅氧烷鍵存在于粉末表面上的硅醇基團(tuán)附近或硅氧烷樹脂本身中，并且無機(jī)粉末中硫酸根離子的濃度越高，就越促進(jìn)硅氧烷鍵斷裂，從而生成低分子硅氧烷氣體。硅氧烷鍵斷裂有時損害樹脂組合物的撓性或樹脂和粉末粒子之間連接界面的強(qiáng)度。此外，低分子硅氧烷可能在高溫和氣密位置(例如裝置內(nèi)部)揮發(fā)和分散，并可能以二氧化硅的形式再結(jié)晶并沉積在構(gòu)件表面和裝置連接端子表面上。這些二氧化硅晶體可能變成電絕緣體，從而造成不良連接之類的問題，因此，本發(fā)明的無機(jī)粉末中硫酸根離子的含量優(yōu)選盡可能小。
在按照本發(fā)明優(yōu)選具體實(shí)施方式
的無機(jī)粉末中，氯離子的濃度優(yōu)選為15ppm或更低，更優(yōu)選10ppm或更低。如上文對硫酸根離子所述，在氯離子的情況下，有時會損害樹脂性能或由硅氧烷鍵斷裂而導(dǎo)致電路中的不良連接，并且酸組分會腐蝕或損壞絕緣樹脂層。因此，為了在絕緣樹脂化合物和電路板中獲得高可靠性，無機(jī)離子粉末中所含的氯離子濃度優(yōu)選盡可能小。
對本發(fā)明的無機(jī)粉末中硫酸根離子和氯離子濃度的測量方法沒有特別限制，并可以使用可用于測量痕量無機(jī)陰離子和陽離子和有機(jī)酸的任何已知分離分析法。優(yōu)選地，如下測定濃度用純凈水對無機(jī)粉末進(jìn)行沸騰萃取，然后使用離子色譜法測量溶液的水溶性組分。作為分析裝置，例如，可以使用Shodex(SHOWA DENKO K.K.制造)。
對硫酸根離子和氯離子的存在形式?jīng)]有特別限制，并且一些離子以非離子狀態(tài)存在于無機(jī)粉末中。在本發(fā)明中，硫酸根離子和氯離子可以被定義為通過用純凈水進(jìn)行沸騰萃取而萃取、并通過離子色譜法檢測為硫酸根離子和氯離子的組分。
按照本發(fā)明的優(yōu)選具體實(shí)施方式
，無機(jī)粉末中Fe2O3的濃度優(yōu)選為0.03質(zhì)量％，更優(yōu)選0.005至0.015質(zhì)量％。與上文關(guān)于金屬鋁所述相同，F(xiàn)e2O3的濃度越高，越可能在電路銅箔和基材之間產(chǎn)生電短路。因此，為了在電路板中獲得高可靠性，F(xiàn)e2O3的濃度優(yōu)選盡可能低。
對按照本發(fā)明優(yōu)選具體實(shí)施方式
的無機(jī)粉末中Fe2O3濃度的測量方法沒有特別限制，并可以使用任何已知的無機(jī)分析方法。優(yōu)選地，如下測定濃度在無機(jī)粉末樣品中加入磷酸，使用微波酸性分解裝置對樣品進(jìn)行分解，然后使用ICP(高頻電感耦合等離子體)發(fā)射分光光度計(jì)對所得溶液進(jìn)行組分測量。該測量中可用的發(fā)射分光光度計(jì)包括與在Al金屬測量中一樣的ICPS-7500(Shimadzu Corporation制造)。
按照本發(fā)明優(yōu)選具體實(shí)施方式
的無機(jī)粉末優(yōu)選幾乎不含小于50納米的粒子。當(dāng)無機(jī)粉末含有過量的小于50納米的粒子時，用這種有機(jī)粉末填充的樹脂化合物的粘度明顯提高，從而損害無機(jī)粉末的性能(如果不這樣會，其將具有良好的填充性)。從這一角度看，按照本發(fā)明優(yōu)選具體實(shí)施方式
的無機(jī)粉末優(yōu)選不含這種粒子。
“無機(jī)粉末幾乎不含小于50納米的粒子”是指小于50納米的粒子的平均數(shù)小于50左右。在任意選擇的100或更多個使用掃描電子顯微鏡以50,000的放大率拍攝的顯微視野中，計(jì)算小于50納米的粒子數(shù)，由此計(jì)算出每個顯微視野中所述小于50納米的粒子的平均數(shù)。小于50納米的粒子數(shù)越少就越優(yōu)選。然而，如果這種粒子的平均數(shù)為50個或更多，本發(fā)明的效果不會明顯受損，并且總計(jì)50個左右的這種粒子不會阻礙本發(fā)明的效果的發(fā)揮。
按照本發(fā)明的優(yōu)選具體實(shí)施方式
的無機(jī)粉末優(yōu)選為用硅烷基偶聯(lián)劑或鈦酸酯基偶聯(lián)劑進(jìn)行了表面疏水化處理的粉末。對進(jìn)行表面疏水化處理的方法沒有特別的限制，但是其例子包括已知方法，例如使用具有剪切力的攪拌混合機(jī)等的干法，在水性體系、有機(jī)溶劑體系等中進(jìn)行分散處理的濕漿法，和使用流體噴嘴的噴霧法。
在實(shí)施這種表面疏水化處理時，在涉及剪切力的方法中，進(jìn)行處理時要注意不要使粉末形狀癟塌，并根據(jù)進(jìn)行表面疏水化處理的無機(jī)粉末的粒度、硅烷基或鈦酸酯基偶聯(lián)劑的種類和粉末目標(biāo)特性適當(dāng)選擇條件，例如攪拌時間。
對用于表面疏水化處理的硅烷基偶聯(lián)劑沒有特別限制，但其優(yōu)選例子包括基于環(huán)氧的硅烷，例如β-(3，4-環(huán)氧環(huán)己基)乙基三甲氧基硅烷和γ-環(huán)氧丙氧丙基三甲氧基硅烷；基于氨基的硅烷，例如γ-氨基丙基三乙氧基硅烷、γ-氨基丙基三乙氧基硅烷、γ-氨基丙基三甲氧基硅烷和N-(β-氨基乙基)-γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、和脲基丙基三乙氧基硅烷。這些硅烷基偶聯(lián)劑可以單獨(dú)使用或多種結(jié)合使用?？梢钥紤]構(gòu)成絕緣層的樹脂組合物和無機(jī)粉末的粘附性能和分散性等來選擇硅烷基偶聯(lián)劑。
對基于鈦酸酯的偶聯(lián)劑也沒有特別限制。其優(yōu)選例子包括四(2，2-二烯丙氧基甲基-1-丁基)-二(亞磷酸雙十三烷基酯)鈦酸酯、四辛基-二(亞磷酸雙十三烷基酯)鈦酸酯、四異丙基-二(亞磷酸雙十三烷基酯)鈦酸酯、二(焦磷酸二辛酯)-羥基乙酸鈦酸酯、異丙基三(N-氨基乙基·氨基乙基)鈦酸酯、異丙基三異硬脂酰基鈦酸酯、異丙基三-異十二烷基苯磺?；佀狨ァ惐?正十二烷基苯磺?；佀狨ァ惐?三(二辛基焦-二辛基焦磷酸酯)鈦酸酯、二(焦磷酸二辛酯)亞乙基鈦酸酯、異丙基三枯基苯基鈦酸酯和二枯基苯基羥基乙酸鈦酸酯，并且這些可以根據(jù)構(gòu)成絕緣層的樹脂和無機(jī)粉末的粘附性能和分散性等來選擇。
作為樹脂組合物(其填充有按照本發(fā)明優(yōu)選具體實(shí)施方式
的無機(jī)粉末)的母體的有機(jī)聚合物(樹脂)的具體優(yōu)選例子包括但不限于，已知樹脂，例如環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺樹脂、硅氧烷樹脂、聚烯烴(例如聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯)、三聚氰胺樹脂、脲樹脂、酚樹脂、聚對苯二甲酸亞乙酯、聚酯(例如不飽和聚酯)、聚酰胺(例如尼龍6、尼龍66、芳族聚酰胺)、聚丁二烯、聚酯、聚氯乙烯、聚偏1，1-二氯乙烯、聚環(huán)氧乙烷、聚乙二醇、聚乙烯醇、聚乙烯醇縮醛樹脂、聚乙酸酯、ABS樹脂、乙酸乙烯酯樹脂、纖維素和纖維素衍生物(例如人造纖維)、聚氨酯、聚碳酸酯、脲樹脂、氟樹脂、聚偏二氟乙烯、賽璐珞、甲殼質(zhì)、淀粉片、丙烯酸類樹脂和醇酸樹脂及其混合物。這些可以單獨(dú)使用或多種結(jié)合使用。
其中，優(yōu)選環(huán)氧樹脂和聚酰亞胺樹脂，因?yàn)樗鼈兣c金屬板或金屬箔的粘合強(qiáng)度相對較強(qiáng)，并且與無機(jī)粉末的親合力相對較強(qiáng)。
在本發(fā)明的前述樹脂組合物中，如果需要，可以使用固化促進(jìn)劑等。對固化促進(jìn)劑沒有特別限制，只要其與所用樹脂反應(yīng)并由此固化該樹脂即可，但與環(huán)氧樹脂反應(yīng)并由此固化該樹脂的促進(jìn)劑的優(yōu)選已知例子包括酚、甲酚、咪唑、二甲苯酚、間苯二酚、氯酚、叔丁基酚、壬基酚、異丙基酚、雙酚化合物(例如雙酚A和雙酚S)、和酸酐(例如馬來酸酐)。可以根據(jù)與所用樹脂的反應(yīng)性選擇固化促進(jìn)劑。
用本發(fā)明中無機(jī)粉末填充的樹脂組合物的制備方法不受特別限制。優(yōu)選使用離心捏和機(jī)、回轉(zhuǎn)/旋轉(zhuǎn)捏和機(jī)、軋制機(jī)、班伯里密煉機(jī)或捏和機(jī)將樹脂組合物與粉末均勻捏和。更優(yōu)選在使用具有消泡功能的捏和裝置將樹脂組合物消泡的同時進(jìn)行捏和。
對按照本發(fā)明優(yōu)選具體實(shí)施方式
的樹脂組合物的成膜方法沒有特別限制，但是優(yōu)選使用刮刀法，或根據(jù)樹脂化合物粘度使用擠出法、壓制法、砑光輥法等。
樹脂化合物粘度(作為表明按照本發(fā)明優(yōu)選具體實(shí)施方式
的無機(jī)粉末流動性的指數(shù))的評測和用粉末填充并制成薄膜片的樹脂組合物的擊穿電壓特性的評測可以通過實(shí)施例中描述的評測方法進(jìn)行。
按照本發(fā)明優(yōu)選具體實(shí)施方式
的無機(jī)粉末是具有特定粒度分布并優(yōu)選進(jìn)行表面疏水化處理的粉末，其由于這種特性，提供了有利的效果——即使是具有低球度并產(chǎn)生高樹脂化合物粘度的粉末，也可以在樹脂組合物中高密度填充，而且用這種無機(jī)粉末作為組分之一，可獲得具有優(yōu)異的導(dǎo)熱性、并在形成厚40至90微米的薄膜樹脂片時表現(xiàn)出優(yōu)異擊穿電壓特性的樹脂組合物。
通過已知方法，使用包含按照本發(fā)明優(yōu)選具體實(shí)施方式
的無機(jī)粉末的樹脂組合物，可以獲得安裝在汽車上的電路板、安裝在電子器件上的電路板、在電子器件內(nèi)部輻射熱量的元件、和用于電子部件的高導(dǎo)熱元件。用于電子部件的高導(dǎo)熱元件可以是同時起到絕緣粘合層作用的片狀元件，并可用在金屬基電路板、金屬芯型電路板或其結(jié)構(gòu)體中(參看，例如，DenshiGijutsu，extra edition，第39-50頁(1985年12月)，和Circuit Technology，第5卷，第2號，第96-103頁(1990))。
此外，還可以使用已知方法形成集成了高導(dǎo)熱金屬元件的電子部件的結(jié)構(gòu)體，其中將生熱電子部件和高導(dǎo)熱金屬元件連接。
此外，可以如下形成LED電路板或其結(jié)構(gòu)體將用本發(fā)明無機(jī)粉末填充的樹脂組合物加工成糊或凝膠，并將其作為熱輻射密封劑或熱輻射底部填充劑(underfill agent)用于含有加熱元件的電子部件，例如LED。
具體而言，當(dāng)將樹脂用于汽車中的車廂燈或指示燈的LED電路板和其結(jié)構(gòu)體、用于下列器件的LED電路板或結(jié)構(gòu)體時例如個人電腦、DVD播放器和彩色打印機(jī)之類的電子器件、例如電視機(jī)之類的家用電子器件、例如PDA和蜂窩電話之類的移動電子器件、戶外大面積全色顯示器、信號燈器件、室內(nèi)照明器件、光通信器件、醫(yī)療器件和測量器件，其有效地在器件的導(dǎo)熱性和絕緣方面產(chǎn)生較高的技術(shù)優(yōu)點(diǎn)。特別地，在將樹脂組合物用于高亮度LED(其中LED器件以高密度集成以進(jìn)行熱輻射和冷卻)時，表現(xiàn)出優(yōu)異的功能，因此本發(fā)明的樹脂組合物可有效用于使用平面發(fā)射的指示器中。
因此，按照本發(fā)明優(yōu)選具體實(shí)施方式
的高導(dǎo)熱元件有助于提高LED板的亮度。
還可以形成結(jié)構(gòu)體，在其中使用按照本發(fā)明優(yōu)選具體實(shí)施方式
的熱輻射元件將生熱電子部件和高導(dǎo)熱金屬元件連接，從而有助于在各種電子器件中獲得較高的技術(shù)優(yōu)點(diǎn)。
本發(fā)明的最佳實(shí)施方式下面參照實(shí)施例和對比例更詳細(xì)地描述本發(fā)明，但是本發(fā)明不限于這些實(shí)施例。
實(shí)施例1至8預(yù)先用γ-環(huán)氧丙氧丙基三甲氧基硅烷(A-187，Nippon Unicar Co.，Ltd.)作為硅烷偶聯(lián)劑進(jìn)行表面疏水化處理，然后如表1所示調(diào)節(jié)粒度分布條件，從而制備氧化鋁粉末A、B、C、D、E、F、G和H。
在預(yù)定條件下將粉末捏和并填充在樹脂組分中，并通過刮刀法將組合物制成薄膜，以在干燥固化后具有大約60微米或更低的厚度。
測量在預(yù)定干燥條件下干燥固化的薄膜樹脂片的介電擊穿強(qiáng)度?；贘IS C2110規(guī)定的介電擊穿電壓測試法測量介電擊穿強(qiáng)度。為了評測表1所示的氧化鋁粉末的樹脂化合物粘度，測量環(huán)氧樹脂粘度。
從表1所示的結(jié)果看出，在球度小于0.89的粒子的情況下，環(huán)氧樹脂粘度為1000至1400P，并且在厚度為45至55微米的膜(實(shí)施例5至8)中可以獲得67至93kV/mm的介電擊穿強(qiáng)度。此外，即使使用球度小于0.81的低球度粉末，且粘度隨著環(huán)氧樹脂粘度變?yōu)?000P或更高而升高，用膜厚為44至53微米的薄膜(實(shí)施例1至4)也可以獲得39至78kV/mm的介電擊穿強(qiáng)度。
下面描述粉末和樹脂的捏和/填充條件和薄膜樹脂片制備中的成膜/干燥條件、和片材擊穿電壓的測量方法和環(huán)氧樹脂粘度測量方法。
(1)粉末和樹脂的捏和/填充條件粉末25克樹脂環(huán)氧樹脂化合物 10克固化劑咪唑0.1克使用回轉(zhuǎn)和旋轉(zhuǎn)并行混合型消泡捏和機(jī)(AR-250，Thinky Corp.制造)在捏和時間為5分鐘且消泡時間為1分鐘的條件下捏和該混合物。
(2)成膜/干燥條件使用自動涂膜機(jī)(SEPRO制造)和葉片緣(75微米)按照刮刀法將如上獲得的捏和漿料成膜，并立即在恒溫恒濕爐中通過三個階段干燥，也就是在40至50℃達(dá)30分鐘或更久，在120℃達(dá)15分鐘，并在180℃達(dá)30分鐘。
(3)測量介電擊穿強(qiáng)度的方法使用擊穿電壓測試機(jī)(型號TOS-8870A，Kikusui Electronics Corp.制造)按照J(rèn)IS C2110規(guī)定的介電擊穿電壓測試法在AC 5kV的施加電壓下測量干燥后獲得的薄膜樹脂片。
(4)測量環(huán)氧樹脂粘度的方法用捏和機(jī)將250質(zhì)量份的粉末和100質(zhì)量份的環(huán)氧樹脂(環(huán)氧樹脂AER-250，Asahi Kasei Chemicals Corp.制造)捏和，并在恒溫水浴中將其調(diào)節(jié)至25℃后，用BH型粘度計(jì)測量粘度。
(5)測量金屬鋁濃度的方法通過與鹽酸一起加熱來無機(jī)粉末進(jìn)行萃取，然后使用ICP(高頻電感耦合等離子體)發(fā)射分光光度計(jì)測量濾液中可溶于鹽酸的組分。使用ICPS-7500(Shimadzu Corporation制造)作為分析裝置。
(6)測量硫酸根離子和氯離子濃度的方法用純凈水對無機(jī)粉末進(jìn)行沸騰萃取，然后使用離子色譜法測量溶液中的水溶性組分。使用Shodex(SHOWA DENKO K.K.制造)作為分析裝置。
(7)測量Fe2O3濃度的方法在無機(jī)粉末樣品中添加磷酸并使用微波酸性分解裝置對樣品進(jìn)行分解后，使用ICP發(fā)射分光光度計(jì)測量所得溶液中的組分。與鋁測量的情況相同，使用ICPS-7500(Shimadzu Corporation制造)作為分析裝置。
對比例1至4在樹脂中填充表2所示的氧化鋁粉末I、J、K和L，制成薄膜樹脂片，并按照與實(shí)施例相同的程序和條件測量介電擊穿強(qiáng)度，并測量各種粉末的環(huán)氧樹脂粘度。
從表2的結(jié)果看出，在膜厚為47至50微米的所有樣品中，介電擊穿強(qiáng)度為28至32kV/mm。
參比例1作為氧化鋁粉末具有非常高球度的情況的例子，制備表3所示的氧化鋁粉末I(將20質(zhì)量％的球形氧化鋁“AdmafineAO-502”和80質(zhì)量％的“AdmafineAO-509”混合獲得的粉末，Admatechs Co.，Ltd制造)。
按照與實(shí)施例相同的方式制成薄膜樹脂片并測量介電擊穿強(qiáng)度。此外，測量粉末的環(huán)氧樹脂粘度。
從表3中看出，經(jīng)證實(shí)，在是市售高球度粉末的情況下，環(huán)氧樹脂粘度低至1080P，且用55微米的膜厚獲得39kV/mm的介電擊穿強(qiáng)度。
表1
表1-續(xù)
表2
表3
工業(yè)適用性按照本發(fā)明優(yōu)選具體實(shí)施方式
的無機(jī)粉末即使在具有低球度和球化率時也能在樹脂中高密度填充，因此可以提高樹脂組合物的導(dǎo)熱性和介電擊穿強(qiáng)度。
使用按照本發(fā)明優(yōu)選具體實(shí)施方式
的無機(jī)粉末的薄膜樹脂片可以具有高擊穿電壓特性，因此可以提供具有優(yōu)異的導(dǎo)熱性、熱輻射特性和擊穿電壓特性的樹脂組合物和薄膜樹脂片，和各自使用該樹脂組合物或片材作為高導(dǎo)熱元件的電路板和結(jié)構(gòu)體。
也就是說，按照本發(fā)明優(yōu)選具體實(shí)施方式
的無機(jī)粉末是具有特定粒度分布、優(yōu)選被控制為含有特定濃度范圍的雜質(zhì)、并更優(yōu)選經(jīng)過表面疏水化處理的粉末，其由于這種特性，提供了優(yōu)異的效果即使是具有低球度并產(chǎn)生高樹脂化合物粘度的粉末，也能夠高密度地填充在樹脂中，并且使用這種無機(jī)粉末作為組分之一，可以獲得具有優(yōu)異的導(dǎo)熱性并在形成厚40至90微米的薄膜樹脂片時表現(xiàn)出優(yōu)異擊穿電壓特性的樹脂組合物。
因此，當(dāng)使用本發(fā)明的組合物時，可以獲得具有優(yōu)異的熱輻射特性和擊穿電壓特性的安裝在汽車上的電路板、安裝在電子器件上的電路板、在電子器件內(nèi)部輻射熱量的元件、和用于電子部件的高導(dǎo)熱元件。在這種情況下，用于電子部件的高導(dǎo)熱元件可以是同時起到絕緣粘合層作用的片狀元件。
此外，當(dāng)使用本發(fā)明的樹脂組合物時，即使在金屬基電路板、金屬芯型電路板或它們的結(jié)構(gòu)體中用其作為高導(dǎo)熱元件(同時起到絕緣粘合層等作用)，也能產(chǎn)生優(yōu)異的功能。
此外，當(dāng)用于汽車中的車廂燈LED電路板和安裝在汽車中的指示燈LED電路板或其結(jié)構(gòu)體、下列器件——個人電腦、DVD播放器和彩色打印機(jī)之類的電子器件、電視機(jī)之類的家用電子器件、PDA和手提電話之類的移動電子器件、戶外大面積全色顯示器、信號燈器件、室內(nèi)照明器件、光通信器件、醫(yī)療器件和測量器件——用的LED電路板或結(jié)構(gòu)體時，通過將用本發(fā)明的無機(jī)粉末填充的樹脂組合物加工成糊狀或凝膠狀，并將其作為熱輻射密封劑或熱輻射底部填充劑(underfilling agent)等用于電子部件(其例如在LEDs中，包括生熱元件)，該樹脂組合物有效地在器件的導(dǎo)熱性和絕緣方面產(chǎn)生更高的技術(shù)優(yōu)點(diǎn)。特別地，在將樹脂組合物用于高亮度LED(在此LED器件以高密度集成以進(jìn)行熱輻射和冷卻)時，表現(xiàn)出優(yōu)異的功能，因此本發(fā)明的樹脂組合物可有效用于使用平面發(fā)射的指示器中。因此，本發(fā)明的高導(dǎo)熱元件有助于提高LED板的亮度。
此外，還可以形成集成有高導(dǎo)熱金屬元件的電子部件的結(jié)構(gòu)體，其中使用這種高導(dǎo)熱元件將生熱電子部件和高導(dǎo)熱金屬元件連接，這有助于制造各種高性能電子器件。
權(quán)利要求
1.在頻率-粒度分布中具有多個峰的無機(jī)粉末，其中這些峰至少存在于0.2至2微米和2至63微米的粒度區(qū)域內(nèi)。
2.如權(quán)利要求1所述的無機(jī)粉末，其中最大粒度為63微米或更低，平均粒度為4至30微米，且模式尺寸為2至35微米。
3.如權(quán)利要求1所述的無機(jī)粉末，其中粒度小于2微米的粒子的百分比為0至20質(zhì)量％，且粒度小于2微米的粒子的模式尺寸為0.25至1.5微米。
4.如權(quán)利要求1所述的無機(jī)粉末，其中粒度為8微米或更大的粒子的百分比為44至90質(zhì)量％。
5.如權(quán)利要求1所述的無機(jī)粉末，其中粒度為2至8微米的粒子的百分比為0至15質(zhì)量％。
6.如權(quán)利要求1所述的無機(jī)粉末，其中粒度為2至8微米的粒子的百分比為32至45質(zhì)量％。
7.如權(quán)利要求1所述的無機(jī)粉末，其中球度為0.68至0.95，且球化率為0.63至0.95。
8.如權(quán)利要求1所述的無機(jī)粉末，其中粒度小于2微米的粒子的球度為0.5至0.95，且其球化率為0至0.9。
9.如權(quán)利要求1所述的無機(jī)粉末，其中粒度為8微米或更大的粒子的球度為0.7至0.95，且其球化率為0.7至0.95。
10.如權(quán)利要求1所述的無機(jī)粉末，其中單晶狀態(tài)的無機(jī)粉末的熱導(dǎo)率為30W/m·k或更高。
11.如權(quán)利要求1至10任一項(xiàng)所述的無機(jī)粉末，其為氧化鋁粉。
12.如權(quán)利要求11所述的無機(jī)粉末，其中氧化鋁粉末的α氧化鋁結(jié)晶相的分?jǐn)?shù)為30至75質(zhì)量％。
13.如權(quán)利要求11所述的無機(jī)粉末，其中小于2微米的粒子的α氧化鋁結(jié)晶相的分?jǐn)?shù)為90至100質(zhì)量％。
14.如權(quán)利要求11所述的無機(jī)粉末，其中8微米或更大的粒子的α氧化鋁結(jié)晶相的分?jǐn)?shù)為30至70質(zhì)量％。
15.如權(quán)利要求1的無機(jī)粉末，其中金屬鋁的含量為0.05質(zhì)量％或更低。
16.如權(quán)利要求1所述的無機(jī)粉末，其中硫酸根離子的含量為15ppm或更低。
17.如權(quán)利要求1所述的無機(jī)粉末，其中氯離子的含量為15ppm或更低。
18.如權(quán)利要求1所述的無機(jī)粉末，其中Fe2O3的含量為0.03質(zhì)量％或更低。
19.如權(quán)利要求1所述的無機(jī)粉末，其基本不含小于50納米的粒子。
20.如權(quán)利要求1所述的無機(jī)粉末，用至少一種選自硅烷基偶聯(lián)劑和鈦酸酯基偶聯(lián)劑的表面處理劑對其進(jìn)行表面疏水化處理。
21.用權(quán)利要求1至20任一項(xiàng)所述的無機(jī)粉末填充的樹脂組合物。
22.如權(quán)利要求21所述的樹脂組合物，其中填充50至90質(zhì)量％的無機(jī)粉末。
23.如權(quán)利要求21或22所述的樹脂組合物，其中當(dāng)樹脂組合物形成厚度為40至90微米的薄膜絕緣樹脂組合物時，通過JIS C2110規(guī)定的介電擊穿電壓測試測得的介電擊穿強(qiáng)度為39kV/mm或更高。
24.安裝在汽車上的電路板，其使用權(quán)利要求21至23任一項(xiàng)所述的樹脂組合物。
25.安裝在電子器件上的電路板，其使用權(quán)利要求21至23任一項(xiàng)所述的樹脂組合物。
26.安裝在電子器件中的高導(dǎo)熱元件，其使用權(quán)利要求21至23任一項(xiàng)所述的樹脂組合物。
27.用于電子部件的高導(dǎo)熱元件，其使用權(quán)利要求21至23任一項(xiàng)所述的樹脂組合物。
28.如權(quán)利要求26或27所述的高導(dǎo)熱元件，其為片狀。
29.如權(quán)利要求26或27所述的高導(dǎo)熱元件，其為凝膠狀或糊狀。
30.如權(quán)利要求26或27所述的高導(dǎo)熱元件，其是底部填充劑型元件。
31.如權(quán)利要求26或27所述的高導(dǎo)熱元件，其通過涂布到基本器件的加熱部分上而施用。
32.金屬基電路板、金屬芯型電路板及其結(jié)構(gòu)體，其中使用權(quán)利要求21至23任一項(xiàng)所述的樹脂組合物作為高導(dǎo)熱元件，其還用作絕緣粘合層等。
33.集成了高導(dǎo)熱金屬元件的電子部件的結(jié)構(gòu)體，其中使用權(quán)利要求26至31任一項(xiàng)所述的高導(dǎo)熱元件將生熱電子部件和高導(dǎo)熱金屬元件連接。
34.使用權(quán)利要求26至31任一項(xiàng)所述的高導(dǎo)熱元件的LED電路板。
35.使用權(quán)利要求32或34所述的電路板或權(quán)利要求32或33所述的結(jié)構(gòu)體的汽車。
36.使用權(quán)利要求32或34所述的電路板或權(quán)利要求32或33所述的結(jié)構(gòu)體的電子產(chǎn)品。
37.使用權(quán)利要求32或34所述的電路板或權(quán)利要求32或33所述的結(jié)構(gòu)體的燈光指示器。
38.使用權(quán)利要求32或34所述的電路板或權(quán)利要求32或33所述的結(jié)構(gòu)體的顯示器。
全文摘要
本發(fā)明涉及在頻率－粒度分布中具有多個峰的無機(jī)粉末，其中這些峰至少存在于0.2至2微米和2至63微米的粒度區(qū)域，優(yōu)選最大粒度為63微米或更低，平均粒度為4至30微米，且模式尺寸為2至35微米。本發(fā)明的無機(jī)粉末可作為填料，用于需要具有電絕緣性和熱輻射性的裝有電子部件的電路板中的高導(dǎo)熱性元件，因?yàn)楹性摲勰┑臒彷椛湓梢跃哂袑?dǎo)熱性，該粉末可以提供具有優(yōu)異耐壓特性的樹脂組合物以便將絕緣組合物制成薄膜，并可以在樹脂組合物中高密度填充以改進(jìn)樹脂組合物的熱輻射性能。
文檔編號H01B3/00GK1910122SQ20058000215
公開日2007年2月7日 申請日期2005年1月7日 優(yōu)先權(quán)日2004年1月8日
發(fā)明者都筑宏, 小古井久雄, 田中淳 申請人:昭和電工株式會社