專利名稱：具有導電特性的部分蝕刻的電介質膜的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及通過部分蝕刻電介質膜在撓性印制線路上形成連接和導電特性。
背景技術：
聚合物膜基底上的蝕刻銅或印刷導電線路圖可被稱為撓性線路或撓性印制線路板。最初設計替代龐大線束的撓性線路通常是電流切緣電子組件所需的微型化和移動的唯一解決方案。對于復雜設備薄的、輕質的和理想的撓性線路設計解決方案從單面導電路徑變化到復雜的多層三維包裝。
對于撓性電子包裝通常使用的電介質膜基底材料包括聚酰亞胺、聚對苯二甲酸酯(PET)、無規(guī)芳族聚酰胺纖維和聚氯乙烯。電子設備設計的變化產生了對這樣物質的需求，所述物質具有的性質或設計可能性超過以前可獲得的性能和加工能力。例如，更低的介電常數(shù)允許更快的電信號傳遞，良好的熱性能便于包裝的冷卻，更高的玻璃化轉變溫度或熔融溫度提高了在更高溫度下的包裝性能，并且更低的吸濕性導致以越來越高的頻率處理信號和數(shù)據。
聚酰亞胺膜是撓性線路通常使用的基材，其滿足復雜的切緣電子組件的要求。該膜具有優(yōu)良的性質如熱穩(wěn)定性和低介電常數(shù)。液晶聚合物(LCP)膜代表適合作為撓性線路基材的材料，其比聚酰亞胺膜具有改進的高頻性能、更低的介電損失和更低的吸濕性。
撓性線路也可包括屬于一般術語“導電隆起塊”的線路連接特性，如接觸組中存在的那些隆起塊，也被稱作插入器，其例如在測試和燒機(burn in)過程中提供臨時的互相連接，例如集成線路測試器和測試設備(DUT)之間的連接。這種類型的其它結構包括集成線路探針和涉及撓性線路至撓性線路、或撓性線路至線路板間相互連接的壓縮突出物連接器。
發(fā)明概述本發(fā)明一方面提供形成附著于電介質膜的導電隆起塊的方法，所述方法包括提供具有第一面、第二面和至少一個被金屬塞子填充的通道(via)的電介質膜，該金屬塞子具有暴露在電介質膜的所述第一面的平表面；從金屬塞子的平表面周圍控制地電介質膜，以提供具有從其突出的金屬突出物的電介質膜。在該方法中，通道的陣列可被金屬塞子填充，并且受控蝕刻可提供共平面的金屬突出物的陣列。在該方法中，通道的陣列可被金屬塞子填充，并且受控蝕刻可提供被電介質掩模包圍的金屬突出物的陣列。該方法還可包括使金屬沉積在金屬突出物上，以產生從金屬突出物向外延伸的導電隆起塊，以覆蓋蝕刻表面的一部分。在該方法中，電介質膜可包括在聚合物主鏈中包含羧酸酯結構單元的聚碳酸酯聚合物、液晶聚合物和/或聚酰亞胺共聚物。液晶聚合物可為包含對亞苯基對苯二甲酰胺的共聚物和/或包含對羥基苯甲酸的共聚物。聚酰亞胺共聚物可為包括對亞苯基二(三苯六酸單酯酸酐)的單體的反應產物。在該方法中，控制地蝕刻電介質膜可包括使用包含堿金屬氫氧化物的化學碾磨試劑?；瘜W碾磨試劑還可包括胺。堿金屬氫氧化物可為氫氧化鉀，胺可為乙醇胺。
本發(fā)明另一方面提供一種形成從電介質膜突出的導電隆起塊的方法，所述方法包括提供具有第一面和第二面的電介質膜；將停止層施涂到電介質膜的至少第一面上，該停止層具有與電介質膜的第一面接觸的底面；在電介質膜中形成空穴，其從電介質膜的第二面穿過電介質膜延伸到停止層；沉積導電材料，以在空穴中形成導電塞子；從電介質膜的第一面除去停止層，以暴露導電塞子的表面；從導電塞子表面的周圍控制地電介質膜，以形成從電介質膜突出的導電隆起塊。該方法還可包括在導電隆起塊上沉積金屬，從而它在與隆起塊垂直軸平行的x和y方向上向外延伸，以覆蓋蝕刻的電介質表面的一部分。在該方法中，空穴的陣列可被金屬塞子填充，并且受控蝕刻可提供共平面的金屬突出物的陣列。在該方法中，空穴的陣列可被金屬塞子填充，并且受控蝕刻可提供被電介質掩模包圍的金屬突出物的陣列。在該方法中，停止層可為金屬層，如閃鍍(flash-plated)的金屬層。在該方法中，電介質膜可包括在聚合物主鏈中包含羧酸酯結構單元的聚碳酸酯聚合物、液晶聚合物和/或聚酰亞胺共聚物。
本發(fā)明另一方面提供一種形成從電介質膜突出的導電隆起塊的方法，該方法包括提供具有第一面和第二面的電介質膜；在電介質膜中形成開口，其從電介質膜的第一面穿過電介質膜延伸到第二面；將停止層施涂到電介質膜的第二面上，使得開口被鄰接第二面的開口面上的停止層封閉，由此形成空穴；沉積導電材料，以在空穴中形成導電塞子；從電介質膜的第二面除去停止層，以暴露導電塞子的表面；并且從導電塞子表面周圍控制地電介質膜，以形成從電介質膜突出的導電隆起塊。該方法還可包括在導電隆起塊上沉積金屬，從而它在x和y方向上向外延伸，以覆蓋蝕刻的電介質表面的一部分。在該方法中，空穴的陣列可被金屬塞子填充，并且受控蝕刻可提供共平面的金屬突出物的陣列。在該方法中，空穴的陣列可被金屬塞子填充，并且受控蝕刻可提供被電介質掩模包圍的金屬突出物的陣列。在該方法中，停止層可為聚合物樹脂層。電介質膜可包括在聚合物主鏈中包含羧酸酯結構單元的聚碳酸酯聚合物、液晶聚合物和/或聚酰亞胺共聚物。
本發(fā)明另一方面在至少一對電子組件間提供電連接的制品，該制品包括具有第一面、第二面和至少一個金屬填充的通道的電介質膜，該電介質膜在至少第一面上還具有蝕刻的膜部分，該蝕刻的膜部分包括與金屬填充的通道鄰接的蝕刻表面；和在電介質膜的第一面上從至少一個金屬填充的通道向上延伸的導電隆起塊，該導電隆起塊提供與至少一對電子組件之一的電連接。在該制品中，導電隆起塊可在隆起塊垂直軸平行的x和y方向上，從至少一個金屬填充的通道向外延伸，以覆蓋蝕刻表面的一部分。該制品可包括共平面的導電隆起塊的陣列。共平面的導電隆起塊的陣列可被部分蝕刻的電介質膜包圍，由此在導電隆起塊周圍形成非導電掩模。
本發(fā)明的撓性線路的一些實施方式的優(yōu)點在于，它們在受控的厚度處理之后，具有兩個表面都均勻的電介質膜和均勻的平面隆起塊接觸，這提高了互相連接特性的電連續(xù)性。
本發(fā)明的一些實施方案的優(yōu)點在于，使用平面隆起塊接觸允許具有比以前已知的類似結構更細間距(pitch)的互相連接結構。
本發(fā)明的一些實施方案的優(yōu)點在于，導電隆起塊和其它導電元件的排列基本上不需要對位(registration)。
附圖簡述

圖1a-1f說明本發(fā)明的方法。
圖2a-2h說明本發(fā)明的另一方法。
圖3是由本發(fā)明的方法制備的導電隆起塊的數(shù)字圖像。
圖4是由本發(fā)明的另一方法制備的導電隆起塊橫截面的數(shù)字圖像。
圖5a和5b是包含本發(fā)明導電隆起塊的傳感器分別在開放儲存器和通道中的示意圖。
圖6是包含本發(fā)明導電隆起塊的傳感器在封閉通道中的示意圖。
發(fā)明詳述除非另外說明，本文中出現(xiàn)的組分濃度是按照wt％計。
根據需要，本文公開了本發(fā)明的細節(jié)；但是，可以理解，公開的實施方案僅是示例性的。因此，本文公開的具體結構和功能細節(jié)不應被解釋為限制性的，而僅作為權利要求的基礎和用于教導本領域技術人員的代表性基礎以不同地利用本發(fā)明。
用于本發(fā)明撓性線路的初始電介質膜可為標準聚酰亞胺、液晶聚合物或聚碳酸酯電介質膜，例如通常約12.5μm～約175μm，通常約25μm～約50μm厚。這允許實施用于形成撓性印制線路的常規(guī)網片處理。在多步法線路形成過程中，電介質膜可選擇地減少厚度，以形成變薄的區(qū)域。但是，通常在薄化步驟之前，將另外的層加到結構上，從而基材的薄化基本上不影響處理。
包括化學蝕刻(本文中也稱為化學碾磨)的方法適合于在撓性線路中部分除去區(qū)域，該撓性線路包括根據本發(fā)明的聚酰亞胺、聚碳酸酯聚合物或液晶聚合物基板。化學碾磨技術適合于與間歇或連續(xù)制造方案一起使用，來制備撓性印制線路。
在電介質膜中形成一個或多個通道可使用選自化學碾磨、機械鉆孔和激光燒蝕的技術。然后用導電材料填充通道。金屬或聚合物樹脂停止層可用來幫助形成被填充的通道。然后可部分蝕刻電介質膜，以形成一個或多個從電介質膜突出的導電隆起塊。
當化學碾磨用于通道形成時，以下多步法提供附著于電介質膜的導電隆起塊。該方法包括多個步驟，包括提供具有第一面和第二面的電介質膜。施涂到電介質膜的至少第一面上的金屬層具有與電介質膜的第一面接觸的底面。粘結層可存在于電介質膜與金屬層之間。在將未固化的光致抗蝕劑層施涂到電介質膜的第二面之后，使未固化的光致抗蝕劑暴露于照射圖案下，除了在至少一部分中，提供了固化的光致抗蝕劑。施涂到未固化的光致抗蝕劑上的顯影劑將它從至少一部分除去。施涂到至少一部分上的蝕刻劑在電介質膜中提供空穴。空穴本質上為穿過電介質層延伸到金屬層底面的通道。通道通常具有基本上圓錐形或圓柱形的壁。
將導電種子層施涂到通道壁和金屬層底面，活化了用于金屬沉積的空穴，以提供填充通道的金屬塞子。金屬塞子具有基本上平的表面，在該表面處它鄰接附著于電介質膜第一面的金屬層。在通道的相反端，金屬塞子可延伸出通道并搭接電介質膜的第二面。
從電介質膜的第一面除去金屬層使金屬塞子基本上平的表面暴露。也暴露了電介質膜的第一面。然后可從金屬塞子的平表面周圍控制地電介質膜的第一面，以提供具有從那里突出的金屬突出物的電介質膜。任選地另外沉積金屬到金屬突出物上，可產生在x和y方向(以及z方向)上從金屬突出物向外延伸的導電隆起塊，以覆蓋一部分蝕刻的膜表面。這種形成可提高塞子在通道中的保持。
本發(fā)明的制品可用作至少一對電子組件間的電連接器。例如，它可用作測試探針、插入器、芯片包裝中的沖模連接裝置和燒機測試球窩(socket)中的電接觸，所有這些在本領域中都是眾所周知的。
本發(fā)明的撓性線路的處理與美國專利5,227,008的方法類似，該方法描述了處理聚酰亞胺膜以產生通透的孔，如通道和相關的空穴。該專利和本申請被共同擁有。制備具有部分蝕刻區(qū)域的撓性印制線路的蝕刻能力需要以前未公開的材料和加工能力的說明。例如，雖然聚酰亞胺最經常地用作制造撓性線路中使用的基底材料，但電介質基材的圖案主要通過這些加工步驟來完成，如機械鉆孔或碾磨和激光燒蝕。為了形成孔，完全除去聚酰亞胺材料是相當普通的。如美國專利5,227,008中所述，可在撓性聚酰亞胺線路中制備化學蝕刻的通道和通透的孔，這是線路和印制線路板之間的互相電連接所需要的。但是，受控蝕刻而不形成孔是非常困難的，因為通常使用的聚酰亞胺膜在常規(guī)蝕刻劑溶液存在下不能控制地膨脹。大多數(shù)可市場購得的聚酰亞胺膜包括苯均四酸二酐(PMDA)或氧二苯胺(ODA)或二苯基二酐(BPDA)或苯二胺(PPD)的單體。包括一種或多種這些單體的聚酰亞胺聚合物可用來制備膜產品，如那些可以購自E.I.du Pont deNemours and Company，Circleville，OH的商標名KAPTON H，K和來自Kaneka Corporation，Tokyo，Japan的APICAL AV，NP獲得的產品。這種類型的膜在常規(guī)化學蝕刻劑存在下膨脹。膨脹改變膜的厚度，并且會引起抗蝕劑的局部分層。由于蝕刻劑遷移到分層區(qū)域中，這會導致蝕刻膜厚度失去控制以及不規(guī)則形狀的特征。
根據本發(fā)明，受控蝕刻膜是最成功的，得到基本上不膨脹的聚合物?！盎旧喜慌蛎洝笔侵府敱┞队趬A性蝕刻劑中時，膜膨脹的量不明顯，從而不會阻礙蝕刻過程的厚度減少作用。例如，當暴露于一些蝕刻劑溶液中時，一些上述聚酰亞胺膨脹的程度導致它們的厚度減少不能有效地控制。
與其它已知的聚酰亞胺膜相比，有證據表明可控制APICAL HPNF膜(可從Kaneka Corporation，Otsu，Japan獲得)的變薄。不膨脹的APICAL HPNF膜的聚合主鏈中存在羧酸酯結構單元，表示這種聚酰亞胺和其它已知與堿性蝕刻劑接觸時膨脹的聚酰亞胺聚合物之間的區(qū)別。
據信APICAL HPNF聚酰亞胺膜是這樣的共聚物，其含酯單元的結構衍生自對亞苯基-二(三苯六甲酸單酯酸酐)的單體的聚合。其它含酯單元的聚酰亞胺聚合物不是商業(yè)已知的。但是，對于本領域技術人員來說，根據選擇與用于APICAL HPNF的單體類似的單體，將合理地合成其它含酯單元的聚酰亞胺聚合物。這種合成可擴展用于可被控制地的膜(如APICAL HPNF)的聚酰亞胺聚合物的范圍?？蛇x擇用來增加含酯聚酰亞胺聚合物量的物質包括1，3-二酚二(無水-三苯六甲酸酯)、1，4-二酚二(無水-三苯六甲酸酯)、乙二醇二(無水-三苯六甲酸酯)、雙酚二(無水-苯三六甲酸酯)、氧-二酚二(無水-三苯六甲酸酯)、二(4-羥基苯硫醚)二(無水-三苯六甲酸酯)、二(4-羥基二苯酮)二(無水-三苯六甲酸酯)、二(4-羥基苯基砜)二(無水-三苯六甲酸酯)、二(羥基苯氧基苯)、二(無水-三苯六甲酸酯)、1，3-二酚二(氨基苯甲酸酯)、1，4-二酚二(氨基苯甲酸酯)、乙二醇二(氨基苯甲酸酯)、雙酚二(氨基苯甲酸酯)、氧-二酚二(氨基苯甲酸酯)、二(4-氨基苯甲酸酯)二(氨基苯甲酸酯)等。
可使用單獨氫氧化鉀或氫氧化鈉的溶液蝕刻聚酰亞胺膜，如美國專利6,611,046 B1所述，或使用含有增溶劑的堿性蝕刻劑。
液晶聚合物(LCP)膜代表用于撓性線路基底的合適材料，該撓性線路比聚酰亞胺膜具有改進的高頻性能、更低的介電損失、更好的化學抗性和更低的吸濕性。
LCP膜代表用于撓性線路的基底的合適材料，該撓性線路比聚酰亞胺膜具有改進的高頻性能、更低的介電損失和更低的吸濕性。LCP膜的特性包括電絕緣、飽和時小于0.5％的吸濕性、與用于電鍍通透孔的銅接近的熱膨脹系數(shù)和在整個1kHz～45GHz功能頻率范圍內不超過3.5的介電常數(shù)。液晶聚合物的這些有利的性質以前是已知的，但是加工的困難阻礙了液晶聚合物應用到復雜電子組件中。此處所述具有增溶劑的蝕刻劑使LCP膜用于撓性線路成為可能。
液晶聚合物的非膨脹膜包括芳香聚酯，其包括含有對亞苯基對苯二甲酰胺的共聚物如BIAC膜(Japan Gore-Tex Inc.，Okayama-Ken，Japan)，和含對羥基苯甲酸的共聚物如LCP CT膜(Kuraray Co.，Ltd.，Okayama，Japan)。
均表現(xiàn)出這種性質的液晶聚合物的膜包括芳香聚酯，其包括含對亞苯基對苯二甲酰胺的共聚物，如可從Japan Gore-Tex Inc.，Okayama-Ken，Japan以商標名BIAC獲得，和含對羥基苯甲酸的共聚物，如可從Kuraray Co.，Ltd.，Okayama，Japan以商標名LCP CT獲得。液晶聚合物和APICAL HPNF聚酰亞胺之間的類似之處是在兩種類型的聚合物結構中均存在羧酸酯單元。
合適的聚碳酸酯膜的例子包括取代和未取代的聚碳酸酯，如從GEPlastics，Pittsfield，MA以商標名LEXAN獲得的那些、從WestlakePlastics Company，Lenni，PA以商標名ZELUX獲得的那些、和從BayerPlastics Div.，Pittsburgh，PA以商標名MAKROFOL獲得的那些；聚碳酸酯混合物，如聚碳酸酯/脂肪聚酯混合物，包括從GE Plastics，PittsfieldMA以商標名XYLEX獲得的混合物，聚碳酸酯/聚對苯二甲酸乙二醇酯(PC/PET)混合物，聚碳酸酯/聚對苯二甲酸丁二酯(PC/PBT)混合物，和聚碳酸酯/聚(2，6-萘二甲酸乙二醇酯)(PC/PEN)混合物，以及聚碳酸酯與熱塑性樹脂的其它混合物；和聚碳酸酯共聚物，如聚碳酸酯/聚對苯二甲酸乙二醇酯(PC/PET)、聚碳酸酯/聚醚酰亞胺(PC/PEI)等。
聚碳酸酯、液晶聚合物和APICAL HPNF聚酰亞胺之間的類似之處是在每種類型的聚合物結構中均存在羧酸酯單元。非膨脹的APICALHPNF膜的聚合主鏈中存在羧酸酯結構單元，表示這種聚酰亞胺和其它已知與堿性蝕刻劑接觸時膨脹的聚酰亞胺聚合物之間的區(qū)別。
據信APICAL HPNF聚酰亞胺膜是這樣的共聚物，它的含酯單元的結構衍生自包括對亞苯基二(三苯六甲酸單酯酸酐)的單體的聚合。其它含酯單元的聚酰亞胺聚合物不是商業(yè)已知的。但是，對于本領域技術人員來說，根據選擇與用于APICAL HPNF的單體類似的單體，將合理地合成其它含酯單元的聚酰亞胺聚合物。這種合成可擴展用于如液晶聚合物和APICAL HPNF、可被控制地的膜的聚酰亞胺聚合物的范圍?？蛇x擇用來增加含酯聚酰亞胺聚合物量的物質包括1，3-二酚二(無水-三苯六甲酸酯)、1，4-二酚二(無水-三苯六甲酸酯)、乙二醇二(無水-三苯六甲酸酯)、雙酚二(無水-三苯六甲酸酯)、氧-二酚二(無水-三苯六甲酸酯)、二(4-羥基苯硫醚)二(無水-三苯六甲酸酯)、二(4-羥基二苯酮)二(無水-三苯六甲酸酯)、二(4-羥基苯基砜)二(無水-三苯六甲酸酯)、二(羥基苯氧基苯)、二(無水-三苯六甲酸酯)、1，3-二酚二(氨基苯甲酸酯)、1，4-二酚二(氨基苯甲酸酯)、乙二醇二(氨基苯甲酸酯)、雙酚二(氨基苯甲酸酯)、氧-二酚二(氨基苯甲酸酯)、二(4-氨基苯甲酸酯)二(氨基苯甲酸酯)等。
電介質基底如聚碳酸酯、液晶聚合物和聚酰亞胺膜的厚度為約12.5μm～約175μm，通常約25μm～約50μm厚，提供用于本發(fā)明線路的合適原材料。在此厚度范圍內的材料適合于由用來制備美國專利5,227,008中所述類型的常規(guī)撓性線路的裝置來處理。
使本發(fā)明的材料選擇性和控制性變薄的方法步驟包括，蝕刻基本上完全固化的含羧酸酯單元的聚碳酸酯、液晶聚合物和聚酰亞胺聚合物的聚合物膜，例如使用對亞苯基二(三苯六甲酸單酯酸酐)作為共聚單體。該方法的蝕刻步驟包括使聚合物膜的未掩蓋區(qū)域與濃的堿性蝕刻液接觸。有用的堿性蝕刻劑包括堿金屬氫氧化物和它們與胺的混合物的水溶液，如美國專利5,227,008和6,403,211 B1所述。使電介質膜受控變薄所需要的時間取決于聚合物膜的類型和厚度。使用50℃～120℃加熱的堿性蝕刻劑的膜蝕刻通常需要約10秒～約20分鐘的時間。電介質膜在蝕刻劑中的停留時間決定多少膜被除去。
上述方法步驟可以間歇法進行，使用單個步驟或以自動化的方式使用設計為將網狀材料從供應輥通過處理順序傳送至卷繞輥的裝置，該卷繞輥收集規(guī)模制備的線路，該線路包括在聚合物膜中選擇性變薄的區(qū)域和受控深度的壓痕。自動化方法使用網片處理設備，其具有多個處理工段(station)，用于施涂、曝光和顯影光致抗蝕劑涂層，以及蝕刻和電鍍金屬部分，并蝕刻初始金屬至聚合物層壓物的聚合物膜。蝕刻工段包括多個具有噴嘴的噴霧棒，其將蝕刻劑噴到移動的網片上，以蝕刻網不被交聯(lián)光致抗蝕劑保護的那些部分。
以下描述提供在電介質膜中形成的單個通道中形成導電隆起塊的細節(jié)?？梢岳斫?，根據印制線路或相關設備如插入器的設計，許多這種隆起塊可被置于膜中的任何點。根據本發(fā)明形成隆起塊的方法可提供從基本上均勻的電介質層突出的基本上平的導電隆起塊。單個隆起塊的平面性和鄰接隆起塊間的共平面性對于提高接觸性電連接之間的電連續(xù)性是有用的。具有提高電連續(xù)性的接觸便于形成比任何以前可獲得的結構具有更細間距的突出物撓性結構，例如插入器。
圖1a～1f說明用于形成導電隆起塊的本發(fā)明方法。提供了在第一面上具有金屬層114的電介質膜112，其中的金屬層通常為銅的閃鍍層。插入的粘結層(tie layer)(未示出)如鉻或鉻合金，可存在于電介質膜與金屬層之間，以提高電介質膜與金屬層的粘結強度。化學碾磨、機械鉆孔或激光燒蝕可用來在電介質膜中形成通道。這種通道的形成步驟不會除去初始金屬層，如圖1a中所示。
電介質膜可包括聚酰亞胺如APICAL HPNF、聚碳酸酯或液晶聚合物。使用化學碾磨技術在電介質膜中形成通道，包括將光致抗蝕劑材料116施涂到被閃鍍銅的連續(xù)層覆蓋的第二膜表面相對側上。
在通常的方法中，施涂到其上有銅的聚合物膜層壓物的電介質面上的水性可加工光致抗蝕劑材料，在通過掩模暴露于紫外照射等圖案的過程中交聯(lián)。然后使用稀的水溶液，例如0.5％～1.5％堿金屬碳酸鹽溶液，使曝光的光致抗蝕劑顯影，直到顯影出期望的圖案，其確定了一個或多個通道118的位置。該方法繼續(xù)在50℃～120℃的溫度下將層壓物浸入濃的堿性蝕刻劑溶液浴中。這種蝕刻選擇不被交聯(lián)的光致抗蝕劑覆蓋的區(qū)域。通過化學碾磨除去電介質膜的曝光區(qū)域，以提供期望的穿過膜的通道。
化學碾磨的步驟使用堿金屬氫氧化物，或堿金屬氫氧化物和氨如乙醇胺的混合物的水溶液，以溶解電介質材料，并產生在第一面被金屬連續(xù)層封閉的空穴。金屬層抵抗用于除去電介質材料的堿性水溶液。以這種方式，金屬層在延伸穿過電介質材料的通道一端上提供平面閉合。金屬層在隨后的沉積步驟中作為電鍍障礙，并當材料在空穴或通道中累積時，使被沉積的材料成形，如金屬或合適的導電填料。為了在聚合物膜中產生通道，在化學研磨蝕刻劑中的停留時間為約10秒～約20分鐘。
然后可在約20℃～約80℃，優(yōu)選約20℃～約60℃的溫度下，使用含2％～5％堿金屬碳酸鹽的稀水溶液，來從層壓物剝離交聯(lián)的抗蝕劑116。將保護性光致抗蝕劑層層壓到第一閃鍍的Cu面上，以防止在隨后的電鍍過程中其他金屬的沉積。
在通道表面清洗以除去化學碾磨污染物之后，可使用各種已知技術，包括濺射導電材料(碳或金屬)、浸漬涂覆導電碳、和金屬的浸漬電鍍或非電鍍，以在通過化學碾磨制備的封閉空穴的表面上沉積導電性種子層120(在隨后的圖中未示出)，如圖1b所示。一種沉積導電種子層的適當方法為申請人共同未決的國際申請?zhí)枮閃O 02/03767的PCT專利申請第9頁第19行至第10頁第20行所述的“直接金屬化法”的方法。種子層通常為約10nm～約200nm(約100～約2000)厚，但是可為適合于預期用途的任何厚度。種子層提供活性表面，在其上通過無電鍍、電解電鍍或兩種的組合產生一定厚度的金屬，通常為銅。
電鍍方法首先要求將光致抗蝕劑(未示出)施涂到電介質材料的第二面上。期望圖案的曝光和顯影在種子的空穴上提供開口，該空穴是前面以期望的線路圖案在電介質膜中形成的。
在空穴中沉積合適的導電材料122，例如銅，使用合適的金屬電鍍技術，直到空穴被填充至期望的深度。通常金屬層將在空穴的邊緣之外延伸到電介質膜的表面上，如圖1c所示，以形成金屬跡線。當空穴填充有金屬時，金屬層的平底面作為阻擋層或支撐停止層(backstop)，其中沉積層與這些層一致。支撐停止層限制導電填料，使得它形成與電介質膜的第一面共平面的基本上平的表面。合適的電鍍條件包括在約25℃～約50℃溫度下施加約0.005amp/cm2(5amps/ft2)～約0.08amp/cm2(75amps/ft2)的電流密度。然后除去所有的光致抗蝕劑。
在線路/通道填充電鍍之后，除去在電介質膜兩個面上所有暴露的Cu閃鍍層和粘結層，以暴露填充通道的電鍍金屬的表面，如圖1d所示。除去金屬層可使用蝕刻劑來完成，所述蝕刻劑可從Electrochemicals Inc.，Maple Plain，MN.以商標名PERMA-ETCH市場購得。
應該指出，隨后的步驟不需要施涂光致抗蝕劑材料。這克服了現(xiàn)有技術中需要電鍍隆起塊至穿過光致抗蝕劑，從而使整個隆起塊經受變化的電流密度的問題。不均勻的電流密度導致不均勻的隆起塊。
如圖1e所示，使用用于使電介質膜受控變薄的化學碾磨進行導電隆起塊的形成?；瘜W碾磨試劑，如堿金屬氫氧化物，或堿金屬氫氧化物和氨如乙醇胺的混合物的水溶液，選擇性地從電介質膜的面上除去電介質材料，電介質膜例如聚酰亞胺、液晶聚合物或聚碳酸酯，其已預先被金屬閃鍍層保護。示例性的化學碾磨試劑包含約45％的含水氫氧化物，或40％氫氧化鉀和20％乙醇胺的混合物。當電介質膜的厚度減少時，通道中的電鍍金屬從膜表面突出，成為具有平表面的平截頭錐體形狀的突出物，其面積基本上等于或小于(取決于通道壁的斜率)通道直徑，如圖3所示。以這種方式，在電介質層中形成了導電隆起塊。
如果不是所有的暴露基材被蝕刻到相同的深度，部分除去可能需要將光致抗蝕劑層壓到撓性線路的兩面上，接著曝光以根據選擇的圖案交聯(lián)光致抗蝕劑。使用前述堿金屬碳酸鹽的稀溶液使光致抗蝕劑顯影，暴露了將要被蝕刻至控制深度的電介質膜的區(qū)域，以產生膜的變薄區(qū)域。在進行足夠的時間以將撓性線路的電介質基底蝕刻到期望的深度之后，與前面一樣剝離保護性的交聯(lián)光致抗蝕劑，并沖洗干凈得到的線路，包括選擇性變薄的區(qū)域。
隨后任選的步驟是例如用金或鎳/金再電鍍(over-plate)導電隆起塊，以在導電隆起塊上形成“帽子”123。再電鍍可增加從電介質膜層伸出的隆起塊部分的尺寸。根據該任選的步驟形成的帽子可包括與隆起塊垂直軸平行的x和y方向上向外延伸的部分124，其中“垂直軸”是指基本上垂直于電介質膜層的主要表面平面的軸。延伸的部分可在電介質膜的相對面上覆蓋每個被填充通道的周緣，如圖1f所示。覆蓋的部分使隆起塊保持在位置上，以保護它們不被移動。由此方法制備的導電隆起塊由圖4所示。
再電鍍的條件根據施涂到快速電鍍(short plate)金屬突出物上的金屬而變化。例如，銅或鎳的再電鍍使用在約25℃～約50℃下約0.005amp/cm2(5amps/ft2)～約0.08amp/cm2(75amps/ft2)的電流密度，金的再電鍍使用在約25℃～約50℃下約0.001amp/cm2(1.0amps/ft2)～約0.02amp/cm2(20amps/ft2)的電流密度，錫或錫/鉛的再電鍍使用在約25℃～約50℃下約0.01amp/cm2(10amps/ft2)～約0.04amp/cm2(40amps/ft2)的電流密度。
本發(fā)明可選擇的方法由圖2a～2h說明。該方法包括使用聚合物層代替金屬層作為填充通道的支撐停止層。聚合物可為光致抗蝕劑或任何其它合適的非導電聚合物。如圖2a所示，第一步是提供在一面上具有金屬層214的電介質膜材料212，如層壓至銅層上的APICAL 2HP聚酰亞胺層，通常為約1μm～5μm厚。使用激光燒蝕或等價的成孔方法如機械鉆孔，來形成延伸穿過兩層材料的通道218，如圖2b所示。在形成期望的通道圖案之后，將聚合物層216施涂到與金屬層相對的電介質膜的面上，如圖2c所示。施涂聚合物層封閉了通道的一面，由此在電介質膜材料中產生具有基本上平底表面的空穴。聚合物層用作隨后沉積步驟的阻擋層或停止層，并當材料在通道中累積時，使被沉積的材料成形。然后如前面關于化學碾磨空穴法中所述進行導電接種(seeding)(未示出)。如圖2d所示，然后電鍍金屬以形成填充每個空穴的層222。電鍍的金屬也可覆蓋金屬層214的部分(如所示)，以形成金屬跡線和其它金屬線路特征。
然后除去聚合物層216，由此暴露通道218中的電鍍金屬材料。暴露的金屬表面的高度與電介質層212的高度齊平，如圖2e所示。
下面將說明這種結構的進一步加工，以形成導電隆起塊。但是，該方法可包括任選的中間步驟，如圖2f～2g(和2h的部分)所示。可在電鍍(和形成圖案)的金屬層上層壓電介質膜的覆蓋層226，其用粘合劑228粘結到金屬上或直接附著到金屬上，以產生嵌入到電介質膜與覆蓋層材料間的線路特征，如圖2f所示。
然后，如圖2g所示，可根據共同未決、共同擁有的美國專利申請10/235465中所述的方法，施涂光致抗蝕劑和圖案顯影以暴露電介質膜的部分和/或使覆蓋層變薄。甚至可使用變薄方法從前面被聚合物層216保護的電介質膜的面上選擇性地除去電介質材料。實際上，可除去部分電介質層以暴露金屬層214，由此形成連接表面230(在圖2h中示出)。如果不期望減少填充的空穴周圍電介質膜的厚度，可用光致抗蝕劑覆蓋結構的這一區(qū)域。
對于本發(fā)明，示例性的化學碾磨試劑包含約45％的含水氫氧化物，或40％氫氧化鉀和20％乙醇胺的混合物。適當?shù)剡x擇電介質膜之間的粘合劑提供了保護下面線路特征的停止層，因為它不被化學碾磨試劑溶解。
如圖2h所示，可在電介質材料鄰接區(qū)域厚度減少的同時，減少填充的空穴周圍電介質膜的厚度。隨著電介質膜的厚度減少，通道中的電鍍金屬從電介質膜表面突出，成為具有平表面的導電突出物。表面的面積基本上等于或小于通道直徑(根據通道壁的斜率)。可通過施涂如上所述另外的導電材料，進行任選的再成形和增加金屬突出物。
在本發(fā)明的至少一些實施方案中，因為從電介質基底突出的導電隆起塊形成為圖案電介質膜的相反圖像，隆起塊的形成使得導電隆起塊與電介質層之間基本上完美地對位。這與許多用于產生被電介質材料包圍的導電特征的常規(guī)方法形成對照，例如使用能夠光成像的材料或印刷的焊接掩模，這些常規(guī)方法經常需要兩個單獨的處理步驟一個用于使導電隆起塊形成圖案，一個用于使電介質層形成圖案。在這些常規(guī)方法中，兩次形成圖案時位置不齊是經常問題，并且需要充分的設計約束以保證最小的對位容差。如上所述，本發(fā)明的至少一些實施方案基本上消除了對這種類型的設計約束的需要。
根據本發(fā)明形成的平面隆起塊具有各種用于印制線路、多層線路、撓性線路和連接結構的應用，所述連接結構包括需要細間距、高密度互相連接能力的接觸組(contact sets)和插入器(interposers)。上述方法步驟能夠形成包括大陣列導電隆起塊的凸起形復雜結構。如所述產生的高密度互相連接，比一些現(xiàn)有的商業(yè)互相連接系統(tǒng)提供優(yōu)點，其提供具有比根據本發(fā)明的平面導電隆起塊更少的有效接觸表面積的接觸。
圖5a是在開口槽或儲存器530中包含至少一個本發(fā)明的導電隆起塊510的傳感器500的示意圖。圖5a是在開口通道520中包含至少一個本發(fā)明導電隆起塊510的傳感器500的示意圖。開口槽與開口通道構造的區(qū)別是電介質膜中導電隆起塊周圍產生的凹痕形狀。這些凹痕為可由常規(guī)光成像方法容易產生的任何形狀，包括截頭圓錐形(圖5a)、截頭圓柱形、多面體、通道及其組合。
至少一個導電隆起塊可用作電極，例如在電化學傳感器中。傳感器可與測量設備(未示出)接觸，該設備測量與傳感器電極接觸的分析物和試劑之間的電化學反應。
為了形成傳感器電極，可如圖1a～1d所示形成導電隆起塊。但是，為了形成電極周圍的槽(well)，必須選擇性除去包圍隆起塊的電介質材料，而不減少在槽的外面區(qū)域中電介質膜的厚度。為了實現(xiàn)這一點，將光致抗蝕劑層層壓到金屬層114上。然后通過光工具或掩模暴露于UV光下，使光致抗蝕劑形成圖案，以限定導電隆起塊電極周圍的槽。然后用75％的碳酸鈉水溶液使光致抗蝕劑顯影，以獲得線路圖案的期望圖像。
然后可使用來自Electrochemical Inc.的PERMA-ETCH蝕刻掉金屬層114的暴露部分，以暴露電介質膜將被蝕刻的區(qū)域。電介質膜可為LCP、聚碳酸酯或聚酰亞胺，然后可在70～95℃下使用35～55％KOH溶液蝕刻電介質膜，以在導電隆起塊周圍形成槽。
這種部分蝕刻法產生了槽，并暴露了在通道中電鍍的銅塞子的面，由此形成從槽底部聚酰亞胺電介質表面突出30μm高度的銅隆起塊?？呻婂兞硗獾你~，以稍微增加隆起塊高度，并形成帽子，以使總厚度增加0.5μm～2μm。
槽可為任何給定的形狀，包括如圖5a所示的截頭圓錐形(截頭錐體)或如圖5b所示的通道，其深度高達初始電介質膜厚度的75％。導電隆起塊可為任何形狀，包括圓柱形、平截頭圓錐形、多面體及其組合。隆起塊的高度通常延伸至由電介質膜未蝕刻的表面產生的平面?？呻婂兞硗獾你~以稍微增加隆起塊高度，并在隆起塊上形成帽子?？蛇x擇地，可通過進行第二金屬蝕刻步驟減少隆起塊的高度。
圖6為在封閉的通道中包含本發(fā)明導電隆起塊的傳感器的示意圖。已經將帽子層630加到在蝕刻的通道上的電介質膜的表面上。帽子層可為熱塑性膜、帶材或粘合劑層，其已被層壓到導電膜的第一表面上。帽子層可為固體或具有穿過其厚度的開口。帽子層也可被加到槽或儲存器上，如圖5a所示。此外，當導電隆起塊存在于用帽子層覆蓋的通道或槽中時，導電隆起塊可用作帽子層的結構支撐體，以防止其倒塌或流掛。
制備本發(fā)明線路的示例性方法包括以下步驟。提供50μm厚的來自Kaneka的APICAL HPNF聚酰亞胺電介質膜。將第一銅種子層濺射到聚酰亞胺膜的第一面上，厚度為50nm～200nm，接著閃鍍第一銅層至總厚度為0.5μm～3μm。任選地，在沉積第一銅種子層之前，可真空沉積第一鉻或鎳-鉻粘結層。
接著，將光致抗蝕劑如從MacDermid以商標名SF320或SF310購得的那些光致抗蝕劑，層壓到聚酰亞胺膜的第二(未金屬化的)面上。通過光工具或掩模暴露于紫外(UV)光下，使光致抗蝕劑形成圖案，以限定通道開口，然后用0.75％的碳酸鈉水溶液顯影，以獲得通道圖案的期望圖像。通過使用加熱至70～95℃溫度的35～55％KOH溶液，從它的第二面化學蝕刻聚酰亞胺膜，形成通道。第一閃鍍銅層用作通道化學蝕刻的蝕刻停止層。在蝕刻通道之后，除去光致抗蝕劑層。
一旦形成了通道，將第二鉻或Ni-Cr粘結層濺射到聚酰亞胺膜的第二面上(包括在通道開口中)，厚度為約5nm～30nm。然后將第二銅種子層濺射到第二鉻粘結層上，厚度為約50nm～200nm。
將光致抗蝕劑層壓到第一閃鍍Cu層上，然后用銅電鍍第二銅種子層，以形成厚度為約0.5μm～3μm的第二閃鍍銅層。
將光致抗蝕劑層壓到第二閃鍍銅層上，并通過光工具或掩模暴露于UV光下，使光致抗蝕劑形成圖案，以限定線路系統(tǒng)(線路跡線或導線、粘合襯墊等)和通道入口，然后用75％的碳酸鈉水溶液顯影，以獲得線路系統(tǒng)圖案的期望圖像。然后將另外的銅電鍍到第二閃鍍銅層上，以形成最終的線路導線和塞有銅的通道至厚度為約20μm～40μm。
使用3～8％的稀KOH溶液從電介質膜的兩面除去光致抗蝕劑。然后使用從Electrochemical Inc.購得的PERMA-ETCH蝕刻掉聚酰亞胺兩面上所有暴露的銅，暴露出電介質膜第一面上填充通道的電鍍金屬的表面(其將變?yōu)槁∑饓K的頂部表面)和聚酰亞胺電介質膜的第二面上離散的線路跡線。銅線路導線將與通道連接，該通道在線路電鍍過程中被固體銅塞住。
將光致抗蝕劑作為保護層層壓到電介質膜第二面上的銅線路面上，接著在70℃～95℃下使用35～55％KOH溶液介電蝕刻整個第一聚酰亞胺面，以將整個聚酰亞胺膜的厚度從約50μm的初始厚度減少至約20μm的最終厚度?？蛇x擇地，可將第二層光致抗蝕劑層施涂到第一聚酰亞胺面上，并形成圖案以限定電介質膜將要被變薄的具體區(qū)域。
銅通道出口的高度在聚酰亞胺蝕刻過程中保持不變。因此，30μm高的銅隆起塊穿過剩余20μm厚的聚酰亞胺膜從蝕刻的聚酰亞胺表面向外突出，并被線路面上的銅線路導線連接。所有的銅隆起塊具有基本上相同的高度，該高度由電介質膜的初始厚度確定?？呻婂兞硗獾你~以稍微增加隆起塊的厚度，并形成使總厚度增加0.5μm～2μm的帽子。
隨后，可從每升包含約300g氨基磺酸鎳的氨基磺酸鎳溶液，以每平方英尺20amps的速度將鎳層電鍍到暴露的銅隆起塊上，至厚度為約3μm。最后可從每加侖銨氰化金溶液包含約1.7Troy ounce金的氰化金溶液，以每平方英尺3amps將金表面層電鍍到鎳層上，至厚度為約1μm。
實施例提供從Kaneka，Tokyo，Japan以商標名APICAL 2HP購得的50μm的聚酰亞胺膜，并具有層壓到聚酰亞胺膜第一面上的3μm厚的銅層。通過用YAG激光器燒蝕，穿過層壓物形成25μm直徑的通道。將38μm的光致抗蝕劑層(由MacDermid of Waterbury，CT提供的SF315)施涂到電介質膜的第二面上，其封閉通道的一端。將碳(從ElectrochemicalInc.，Maple Plain，MN以商標名SHADOW CONDUCTIVE COLLOID 2購得)的導電懸浮液在浸漬浴中施涂到通道側壁上。
接著將另外的光致抗蝕劑層層壓到基底的第一面上。通過光工具或掩模暴露于紫外(UV)光下，使光致抗蝕劑形成圖案，以限定線路跡線和間隙特征，然后用75％的碳酸鈉水溶液顯影，以獲得線路圖案的期望圖像。然后從氨基磺酸銅溶液電鍍15μm厚的銅層到種子層上，以填充通道并在層壓物的第一面上形成跡線層。
使用3～5％的稀KOH溶液從形成圖案的基底的兩面除去光致抗蝕劑。使用來自Electrochemical Inc.的PERMA-ETCH蝕刻掉第一面上的閃鍍銅，和從第二通道面蝕刻掉約3μm厚的閃鍍銅。在除去第一面的銅之后，暴露出聚酰亞胺表面。將光致抗蝕劑層壓到其上具有線路跡線的基底的第一面上以保護第一面，接著在約90℃下使用約45％的KOH溶液蝕刻聚酰亞胺膜，以將聚酰亞胺膜的總厚度從約50μm減少至約20μm。(可選擇的方法順序可包括在形成圖案的基底第二面上提供另外的光致抗蝕劑層，使光致抗蝕劑層成像和形成圖案，以在選擇性區(qū)域中產生部分變薄的聚酰亞胺，如圖2g所示。)該部分蝕刻步驟暴露出已電鍍到通道中的銅的底面，由此形成從聚酰亞胺電介質表面突出30μm高度的銅隆起塊。(可電鍍另外的銅以稍微增加隆起塊高度，并形成總厚度為約0.5μm～2μm的蘑菇形狀。)隨后，從氨基磺酸鎳溶液以每平方英尺20amps將鎳電鍍到暴露的銅隆起塊上，至厚度為約3μm。然后從氰化金溶液以每平方英尺3amps將金電鍍到鎳上，至厚度為約1μm。使用上述方法在撓性電介質膜中產生大量導電銅隆起塊陣列。對于具有圓形輪廓的隆起塊，形成直徑為約75μm(0.75mm)～約125μm(1.25mm)的隆起塊。產生直徑為約150μm(1.50mm)～約200μm(2.0mm)、具有基本上平表面的其它隆起塊，該平表面提供與配套連接器接觸的更大的表面積。使用再電鍍形成圓形輪廓，然而可通過省略再電鍍步驟形成平的輪廓。隆起塊之間的間隙，無論尺寸或形狀，在約125μm(1.25mm)～約250μm(2.5mm)內變化。
使用從Veeco/Sloan Technology，Santa Barbara，CA以商標名DETAK購得的輪廓測試儀，測量多個隆起塊陣列樣品的隆起塊高度。測量表明均勻的隆起塊高度和平的電介質基底表面。對于平頂端的隆起塊樣品，輪廓測試儀掃描表明隆起塊高度為約25μm(0.25mm)。
本領域技術人員應該理解，根據本發(fā)明公開的內容，可對此處公開的實施方案進行改變，而不偏離本發(fā)明的精神和范圍。
權利要求
1.一種形成附著于電介質膜的導電隆起塊的方法，所述方法包括提供具有第一面、第二面和至少一個被金屬塞子填充的通道的電介質膜，該金屬塞子具有暴露在所述電介質膜所述第一面的平表面；從所述金屬塞子的所述平表面周圍控制地蝕刻所述電介質膜，以提供具有從其突出的金屬突出物的電介質膜。
2.權利要求1的方法，其中通道的陣列被金屬塞子填充，并且受控蝕刻提供了共平面的金屬突出物的陣列。
3.權利要求1的方法，其中通道的陣列被金屬塞子填充，并且受控蝕刻提供了被電介質掩模包圍的金屬突出物的陣列。
4.權利要求1的方法，還包括使金屬沉積在所述金屬突出物上，以產生從所述金屬突出物向外延伸的所述導電隆起塊，以覆蓋所述蝕刻表面的一部分。
5.權利要求1的方法，其中所述電介質膜包括選自在聚合物主鏈中包括羧酸酯結構單元的聚碳酸酯聚合物、液晶聚合物和聚酰亞胺共聚物的聚合物。
6.權利要求5的方法，其中所述液晶聚合物選自包含對亞苯基對苯二甲酰胺的共聚物和包含對羥基苯甲酸的共聚物。
7.權利要求5的方法，其中所述聚酰亞胺共聚物包括包含對亞苯基二(三苯六甲酸單酯酸酐)的單體的反應產物。
8.權利要求1的方法，其中控制地蝕刻所述的電介質膜使用包括堿金屬氫氧化物的化學碾磨試劑。
9.權利要求8的方法，其中所述化學蝕刻試劑還可包括胺。
10.權利要求9的方法，其中所述堿金屬氫氧化物為氫氧化鉀，所述胺為乙醇胺。
11.一種形成從電介質膜突出的導電隆起塊的方法，所述方法包括提供具有第一面和第二面的電介質膜；將停止層施涂到所述電介質膜的至少所述的第一面上，所述停止層具有與所述電介質膜的所述第一面接觸的底面；在電介質膜中形成空穴，其從所述電介質膜的所述第二面穿過所述電介質膜延伸到所述停止層；沉積導電材料，以在所述空穴中形成導電塞子；從所述電介質膜的所述第一面除去所述停止層，以暴露所述導電塞子的表面；從所述導電塞子表面周圍控制地所述電介質膜，以形成從所述電介質膜突出的所述導電隆起塊。
12.權利要求11的方法，還包括在所述導電隆起塊上沉積金屬，從而它在x和y方向上向外延伸，以覆蓋所述蝕刻的電介質表面的一部分。
13.權利要求11的方法，其中空穴的陣列被金屬塞子填充，并且受控蝕刻提供了共平面的金屬突出物的陣列。
14.權利要求11的方法，其中空穴的陣列被金屬塞子填充，并且受控蝕刻提供了被電介質掩模包圍的金屬突出物的陣列。
15.權利要求11的方法，其中所述停止層是金屬層。
16.權利要求11的方法，其中所述停止層是閃鍍的金屬層。
17.權利要求11的方法，其中所述電介質膜包括選自在聚合物主鏈中包括羧酸酯結構單元的液晶聚合物、聚碳酸酯和聚酰亞胺共聚物的聚合物。
18.一種形成從電介質膜突出的導電隆起塊的方法，所述方法包括提供具有第一面和第二面的電介質膜；在電介質膜中形成開口，其從電介質膜的所述第一面穿過所述電介質膜延伸到所述第二面；將停止層施涂到所述電介質膜的所述第二面上，使得所述開口被鄰接第二面的開口面上的停止層封閉，由此形成空穴；沉積導電材料，以在所述空穴中形成導電塞子；從所述電介質膜的所述第二面除去所述停止層，以暴露所述導電塞子的表面；從所述導電塞子表面周圍控制地所述電介質膜，以形成從所述電介質膜突出的所述導電隆起塊。
19.權利要求18的方法，還包括在所述導電隆起塊上沉積金屬，從而它在x和y方向上向外延伸，以覆蓋所述蝕刻的電介質表面的一部分。
20.權利要求18的方法，其中空穴的陣列被金屬塞子填充，并且受控蝕刻提供了共平面的金屬突出物的陣列。
21.權利要求18的方法，其中空穴的陣列被金屬塞子填充，并且受控蝕刻提供了被電介質掩模包圍的金屬突出物的陣列。
22.權利要求18的方法，其中所述停止層為聚合物樹脂層。
23.權利要求18的方法，其中所述電介質膜包括選自在聚合物主鏈中包括羧酸酯結構單元的聚碳酸酯聚合物、液晶聚合物和聚酰亞胺聚合物的聚合物。
24.一種用于在至少一對電子組件之間提供電連接的制品，所述制品包括具有第一面、第二面和至少一個金屬填充的通道的電介質膜，所述電介質膜在至少所述第一面上還具有蝕刻的膜部分，所述蝕刻的膜部分包括與所述金屬填充的通道鄰接的蝕刻的表面；和導電隆起塊，其在所述電介質膜的所述第一面上，從所述至少一個金屬填充的通道向上延伸，所述導電隆起塊提供與所述至少一對電子組件之一的電連接。
25.權利要求24的制品，其中導電隆起塊在x和y方向從所述至少一個金屬填充的通道向外延伸，以覆蓋所述蝕刻表面的一部分。
26.權利要求24的制品，包括共平面的導電隆起塊的陣列。
27.權利要求26的制品，其中共平面的導電隆起塊的陣列被部分蝕刻的電介質膜包圍，由此在導電隆起塊周圍形成非導電掩模。
全文摘要
本發(fā)明提供具有提高導電特性的部分蝕刻的電介質膜。本發(fā)明還提供了在電介質膜中形成提高導電特性的方法，該方法包括部分蝕刻所述的電介質膜。
文檔編號H01L23/498GK1930928SQ200580008101
公開日2007年3月14日 申請日期2005年1月13日 優(yōu)先權日2004年1月29日
發(fā)明者丹尼斯·M·布魯納, 大衛(wèi)·L·比斯特爾, 麥克爾·S·格拉夫, 丹尼爾·K·呂貝特, 內森·P·庫特爾, 楊瑞, 毛國平 申請人:3M創(chuàng)新有限公司