專利名稱：光電子器件上的微光學(xué)元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于光電器件領(lǐng)域。尤其涉及制造集成光電器件的方法、使用這種方法制造的光電器件、以及半成品，也即在晶片表面上裝有光學(xué)元件的光電晶片。
背景技術(shù)：
將光學(xué)部件與主動(dòng)光電器件(發(fā)光和光探測(cè))結(jié)合成單片光電系統(tǒng)正變得日益重要。由于光電器件正越來越小型化，因此為了使這種光電系統(tǒng)小型化，光學(xué)組件和微系統(tǒng)需要經(jīng)過同樣的小型化。然而，根據(jù)本領(lǐng)域的現(xiàn)狀，(被動(dòng))光學(xué)元件和系統(tǒng)是完全獨(dú)立的部分，它們不能結(jié)合到光電器件的制造鏈中。
當(dāng)將(被動(dòng))光學(xué)元件包括到光電制造鏈中時(shí)，一個(gè)重要的要求通常是該光學(xué)器件要與光學(xué)主動(dòng)元件的制造過程兼容。這包括在高溫、潮濕環(huán)境和溫度驟變下的穩(wěn)定性；自然，另外關(guān)于光學(xué)功能的要求必須由材料和工藝來保證在關(guān)注的波長(zhǎng)范圍內(nèi)的限定良好的透明度，色散和偏振的精確控制，對(duì)準(zhǔn)，由各段波長(zhǎng)確定的表面形狀、各層的光學(xué)質(zhì)量小數(shù)量的劃痕、小坑、夾雜物、氣泡……最后必須滿足機(jī)械要求，例如為了光學(xué)和光電元件以及外形穩(wěn)定性的保護(hù)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種新穎的、適于小型化的集成光電系統(tǒng)及其制造方法。該制造方法將帶來降低的制造成本。
這個(gè)目的通過如權(quán)利要求中所限定的方法和器件來實(shí)現(xiàn)。
在本文檔中，使用下列定義“主動(dòng)光學(xué)器件”光傳感器件或者發(fā)光器件；例如，探測(cè)器、圖象傳感器、LED、VCSEL、激光器、OLED……。“光學(xué)主動(dòng)”指的是可操作地與電磁輻射相互作用或者發(fā)射電磁輻射。
“光”電磁輻射，特別是可見光、IR或者UV電磁輻射。
“光電晶片”包含具主動(dòng)光學(xué)元件/區(qū)域的主動(dòng)光學(xué)器件陣列的半導(dǎo)體晶片。
“被動(dòng)光學(xué)元件”折射或者衍射光學(xué)元件；還包括光學(xué)系統(tǒng)(光學(xué)元件和機(jī)械部件例如孔徑光闌、像平面、保持器的集合)。該術(shù)語不限于微光學(xué)元件，而且也可以用于“經(jīng)典的”光學(xué)元件，例如透鏡、棱鏡和反射鏡。
“光電系統(tǒng)”包括被動(dòng)和有緣光學(xué)器件、元件、系統(tǒng)元件的系統(tǒng)，例如CMOS相機(jī)調(diào)制系統(tǒng)。
“復(fù)制”復(fù)制給定結(jié)構(gòu)(或者它的負(fù)片)的任何技術(shù)，包括例如腐蝕、壓印、模制等技術(shù)。大多數(shù)例子將參照UV復(fù)制，也即包括用UV輻射進(jìn)行的固化步驟的復(fù)制來討論。一種本領(lǐng)域熟知的用于(微)光學(xué)元件的復(fù)制。復(fù)制技術(shù)和制造復(fù)制工具的方法在此不作詳細(xì)描述。然而復(fù)制技術(shù)在下面所描述的本發(fā)明的很多實(shí)施例中的光學(xué)器件的生產(chǎn)中很重要，例如晶片接合等可用來組成完整的系統(tǒng)的額外技術(shù)。
“微光學(xué)元件”與傳統(tǒng)光學(xué)元件相比，微光學(xué)元件是以引起折射和/或衍射的微細(xì)結(jié)構(gòu)為基礎(chǔ)的，該結(jié)構(gòu)典型地具有幾個(gè)微米，例如0.1μm-200μm、0.2μm-200μm或者0.5μm-200μm，優(yōu)選在0.2μm或者0.5μm和大約50μm之間、通常在0.5μm和大約30μm之間的特征深度/高度，另外寬度也往往如此。換句話說，折射微光學(xué)元件的特征輪廓深度和輪廓寬度處于幾個(gè)波長(zhǎng)到幾十個(gè)波長(zhǎng)的量級(jí)和衍射光學(xué)的大約一個(gè)波長(zhǎng)到幾個(gè)波長(zhǎng)。通常，微光學(xué)元件具有這樣的結(jié)構(gòu)，即，使存在于該結(jié)構(gòu)上不同的相鄰位置處的發(fā)射的相位關(guān)系被明確限定。這與傳統(tǒng)的、純粹的折射光學(xué)元件(在該結(jié)構(gòu)的不同元件處的發(fā)射的行為能夠描述為幾何光學(xué)圖像)相反。因而，微光學(xué)元件與傳統(tǒng)的光學(xué)元件(例如傳統(tǒng)的透鏡、反射鏡元件等等)相反，能夠?qū)⑵湟暈榫哂羞@樣的結(jié)構(gòu)，即，必須要考慮光的波長(zhǎng)屬性，并且微光學(xué)元件中的構(gòu)件正在輻射。微光學(xué)元件通常是經(jīng)典光學(xué)的延伸。衍射光學(xué)元件(DOE)是微光學(xué)元件的例子；將主要具有衍射效應(yīng)的微光學(xué)元件稱為DOE，即使它們也具有一些折射效應(yīng)。
“(微)光學(xué)晶片”含有(微)光學(xué)元件陣列的透明基板。
因而在本文檔的上下文中的術(shù)語“晶片”是從傳統(tǒng)的、教科書意義上用在光電元件中，也即，它是由具有明確限定的結(jié)晶結(jié)構(gòu)以及集成電路結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體材料形成的盤。術(shù)語“光學(xué)晶片”對(duì)比地用于描述其尺寸近似相應(yīng)于半導(dǎo)體晶片尺寸的透明的盤狀或者板狀基板，該基板上提供了微光學(xué)元件。光學(xué)晶片往往在基板上包括含有光學(xué)(微)結(jié)構(gòu)的聚合物材料的薄膜。
“晶片尺度”因而用于具有傳統(tǒng)的半導(dǎo)體晶片或者光學(xué)晶片的尺度的工藝/產(chǎn)品。它也可以用于描述其它產(chǎn)品的尺度，其具有近似晶片尺寸以及具有多個(gè)單獨(dú)的、一般是在其上分立的相同的元件，例如其上具有多個(gè)管芯(die)的“晶片尺度”插入元件或者互連。
本發(fā)明的第一原理是在晶片尺度上組合光學(xué)器件和光電器件。換句話說，為光電晶片配備光學(xué)(微)結(jié)構(gòu)(或者說微光學(xué)元件)。將該光學(xué)結(jié)構(gòu)分配到該主動(dòng)光學(xué)元件，也即，設(shè)置它們，使之影響入射到主動(dòng)光學(xué)元件的光和/或以所需的方式影響起始于它們的光。為此，要么將它們對(duì)準(zhǔn)到光學(xué)元件，要么將其調(diào)整以滿足這個(gè)目的。組合的主動(dòng)光學(xué)元件/光學(xué)元件例如通過將具有光學(xué)元件的半導(dǎo)體晶片切割成包含至少一個(gè)主動(dòng)光學(xué)元件和至少一個(gè)光學(xué)元件的部分而分開。
本發(fā)明的第二原理是提供含有與主動(dòng)光學(xué)元件對(duì)準(zhǔn)的(微)光學(xué)器件的晶片尺度的復(fù)制工藝，還提供明確限定的3D結(jié)構(gòu)，其考慮到該光學(xué)元件相對(duì)于該主動(dòng)光學(xué)元件限定的3D位置。
優(yōu)選地，對(duì)這兩個(gè)原理，該光學(xué)(傳統(tǒng)的和/或微光學(xué))元件是通過復(fù)制來制造的。復(fù)制技術(shù)包括壓印、模制等。復(fù)制可以是元件對(duì)元件的復(fù)制，其中將分配到微光學(xué)元件的每個(gè)單獨(dú)的結(jié)構(gòu)單獨(dú)制造?；蛘?，多個(gè)結(jié)構(gòu)的復(fù)制可以通過復(fù)制工具同步實(shí)現(xiàn)。最終，由晶片尺寸的復(fù)制工具獲得平均晶片尺度的復(fù)制成為可能。
根據(jù)第一方法，光電元件和微光學(xué)元件在分離的晶片上制造。光電晶片和光學(xué)晶片在晶片表面上連接并對(duì)準(zhǔn)。根據(jù)優(yōu)選實(shí)施例，存在保證精確距離和準(zhǔn)確對(duì)準(zhǔn)的方法，例如在光學(xué)晶片上復(fù)制3D結(jié)構(gòu)以精確控制距離。
根據(jù)第二方法，一層帶有復(fù)制的(微)光學(xué)元件的復(fù)制材料(即其中可復(fù)制結(jié)構(gòu)的材料)直接提供到光電晶片或光電晶片上的透明中間層上。這些光學(xué)元件可直接提供/復(fù)制到光電晶片上，即光電晶片作為復(fù)制的基板。這種方法產(chǎn)生了緊湊的光電系統(tǒng)。在光學(xué)元件的制造(例如復(fù)制工藝)中已經(jīng)形成了對(duì)準(zhǔn)，因此此后沒有必要對(duì)準(zhǔn)各個(gè)晶片。
根據(jù)優(yōu)選實(shí)施例，上述第二方法結(jié)合了新技術(shù)和工藝從而為了之后的電接觸保持光電晶片的一些自由區(qū)域，即復(fù)制的光學(xué)元件限定在光電晶片上的特定區(qū)域上。復(fù)制在光學(xué)主動(dòng)區(qū)域的頂端/晶片的構(gòu)件完成，但是絕對(duì)沒有附加材料可占據(jù)在需要用于電接觸的區(qū)域上。
在這些實(shí)施例中，復(fù)制材料層——即復(fù)制于其中的材料——以這樣一種形成構(gòu)成，即電接觸區(qū)域完全處于電絕緣材料之外。這可以通過例如下面的方法和其組合來完成。
-光結(jié)構(gòu)復(fù)制(微)光學(xué)元件復(fù)制在可固化的并在之后選擇地固化的材料中，例如通過模板照射UV光或者在預(yù)定區(qū)域上由聚焦光或校準(zhǔn)光照射……之后將未固化的材料移除，露出電接觸區(qū)域。
-將固化材料放置在選擇的點(diǎn)上，并防止其在復(fù)制工具上通過流動(dòng)阻擋(flow-stop)結(jié)構(gòu)的方式流到接觸區(qū)域。
-第一復(fù)制(微)光學(xué)結(jié)構(gòu)并將復(fù)制的部分粘結(jié)到光電晶片上。
-在光電晶片上提供保護(hù)層(犧牲層)，保護(hù)層包括位于(微)光學(xué)元件將放置的位置上的全部。
作為選擇，復(fù)制材料僅在接觸之后放置在光電晶片上。以這種方式，在透明復(fù)制材料中的電接觸的封裝進(jìn)一步或作為選擇具有作為保護(hù)其受到機(jī)械損耗光學(xué)作用。
根據(jù)進(jìn)一步的優(yōu)選實(shí)施例，第一和第二方式將都結(jié)合到為了得到可靠的厚度控制的技術(shù)中根據(jù)第一方式，光電構(gòu)件/裝置的光學(xué)表面的長(zhǎng)度由基板厚度自身確定，并由晶片表面上的長(zhǎng)度控制器優(yōu)選復(fù)制。根據(jù)第二方式，從光學(xué)主動(dòng)構(gòu)件的光學(xué)元件的長(zhǎng)度由復(fù)制層(多為中間層)的厚度決定。這種方式中(微)光學(xué)元件不僅在水平方向上調(diào)整并且在垂直方向上精確到例如1微米。在優(yōu)選實(shí)施例的描述中，描述了達(dá)到這種精確度的新技術(shù)。
通過在晶片表面上將光學(xué)部分和光電裝置結(jié)合在一起，可主要降低制造成本。然而，在下列為了在晶片表面上結(jié)合而提出的方法也可應(yīng)用于獨(dú)立構(gòu)件。
本發(fā)明的第三原理提供了在插入器件(即管芯和連接基板/PCB之間的裝置)或可能在連接基板上的直接在主動(dòng)光學(xué)裝置上的第一層透明材料，通過管芯連接的方式接觸插入器件，優(yōu)選具有高透光性和低彈性模式(例如低于10Mpa或低于1Mpa和10Mpa的平均值)的第一層，之后在第一層的頂端提供第二透明層，第二透明層例如比第一層更硬。
這種接觸的主動(dòng)光學(xué)構(gòu)件的封裝與先前的主動(dòng)光學(xué)裝置的封裝相比具有很多優(yōu)點(diǎn)。例如兩層結(jié)構(gòu)在考慮到以后的工藝步驟的情況下允許選擇具有有益性能的材料。經(jīng)常的，有必要為了以后的儀器制造工藝中的生產(chǎn)步驟而提供有效的抗熱性，例如IR回流焊接/修整。另外，封裝的表面必然足夠堅(jiān)硬而不容易刮劃。結(jié)合了這些特性的材料經(jīng)常在固化過程中以這種撕除接觸連接的方式中具有強(qiáng)接觸性。這種兩層結(jié)構(gòu)使得選擇第一，對(duì)于第一層具有低收縮效應(yīng)的相對(duì)柔軟的材料，成為可能。第一層的材料的一個(gè)例子是澆鑄的PDMS(聚二甲基硅氧烷)。第二層可由堅(jiān)硬材料構(gòu)成，具有幾乎任意收縮特性的例如固化環(huán)氧材料。
根據(jù)優(yōu)選實(shí)施例，機(jī)械或光學(xué)元件可在固化前復(fù)制到第二層中。機(jī)械結(jié)構(gòu)在主動(dòng)光學(xué)裝置的位置上具有鋸齒狀，從而進(jìn)一步防止刮劃第二層的表面。
第一層可比第二層厚。第一層的厚度需要覆蓋從插入器件的表面突出的全部結(jié)構(gòu)，例如構(gòu)件本省或連接器件。第一層(中間層)的另一目的是為了彌補(bǔ)基板和第二層(硬)之間熱延展系數(shù)的不同。通過合適的材料選擇，可消除在熱固化步驟之后類似基板連接的效應(yīng)。
根據(jù)本發(fā)明的第二原理完成的封裝優(yōu)選的在多構(gòu)件的表面上形成，也就是，可提供包括多個(gè)連接的主動(dòng)光學(xué)裝置的插入器件基板的大面積。包括所有這些裝置的連接基板可作為整體提供兩透明層。之后連接基板可分割為產(chǎn)生隔離的獨(dú)立封裝。
本發(fā)明的第三原理可結(jié)合本發(fā)明的第二原理，且在可應(yīng)用的時(shí)候與本發(fā)明的第一原理結(jié)合。


下面，本發(fā)明的實(shí)施例將參考示意性而非按比例的附圖作出討論。
附圖如下所列圖1在光電晶片上以晶片尺度結(jié)合光學(xué)元件的第一實(shí)施例；圖2和3光電裝置的視圖；圖4包括多個(gè)光電裝置的晶片；圖5光結(jié)構(gòu)復(fù)制的方法；圖6和7通過流動(dòng)阻擋方式本地確定(或選擇)復(fù)制的方法；
圖8本地確定復(fù)制方法的變量；圖9和10包括了保護(hù)層的使用的方法；圖11-13圖示了厚度控制；圖14圖示了橋狀結(jié)構(gòu)的制造；圖15和16不包括任何光學(xué)結(jié)構(gòu)的封裝例子；圖17將光學(xué)元件以晶片尺度結(jié)合到光電晶片上的另一實(shí)施例；圖18和19結(jié)合了光學(xué)元件的晶片尺度封裝的實(shí)施例；圖20將光學(xué)元件結(jié)合到光電晶片上的另一實(shí)施例的晶片表面在圖中，相應(yīng)的元件由相同的附圖標(biāo)記表達(dá)。
具體實(shí)施例方式
圖1中所示的實(shí)施例包括光電晶片1，具有多個(gè)光學(xué)主動(dòng)構(gòu)件2，例如激光器、光探測(cè)器、發(fā)光裝置等。還包括具有復(fù)制結(jié)構(gòu)的光學(xué)晶片11。復(fù)制結(jié)構(gòu)包括光折射結(jié)構(gòu)12和光衍射結(jié)構(gòu)13，且可例如安裝在兩表面上，即光學(xué)晶片的兩側(cè)上。光學(xué)晶片可為其兩側(cè)上提供一層例如UV固化環(huán)氧類材料的壓印材料的玻璃盤，在這種材料中復(fù)制結(jié)構(gòu)。光學(xué)晶片以及例如(微)透鏡、光折射元件或光柵的光學(xué)元件包括例如桿、柱、壁的距離保持器(distance holder)14。距離保持器是復(fù)制結(jié)構(gòu)并通過復(fù)制工具復(fù)制到壓印材料中，以同樣的方式復(fù)制光學(xué)元件12。作為選擇，距離保持器通過隔離復(fù)制或打印工藝實(shí)現(xiàn)復(fù)制。
生產(chǎn)所述裝置的工藝如下所述a)提供包括微光學(xué)和微機(jī)械特征(具有多種方法生產(chǎn)這種復(fù)制工具；其中在歐洲專利申請(qǐng)03405888.3中描述的工藝，結(jié)合了所述階梯狀結(jié)構(gòu)和微光學(xué)元件并在圖2-6中所示的工藝作為參考在這里引入)的復(fù)制工具。以這種方式設(shè)計(jì)微機(jī)械結(jié)構(gòu)，使得它們適配于光電晶片上的機(jī)械反結(jié)構(gòu)中或所述晶片上的一些自由區(qū)域中。
b)由適合工藝復(fù)制結(jié)構(gòu)，典型的為在光學(xué)晶片上的壓印或模板工藝。然后，如果光學(xué)晶片的基板具有與光電晶片(基板經(jīng)常選擇為光電其具有的尺寸)不相同的尺寸，可使用一種切割步驟以生成具有光電晶片尺寸的晶片。
c)定位光學(xué)晶片并在光電晶片(例如在模板對(duì)準(zhǔn)器上)上對(duì)準(zhǔn)。
d)晶片相互結(jié)合。優(yōu)選的方法是粘結(jié)光學(xué)(透明)粘結(jié)劑設(shè)置在光電晶片上且使得光學(xué)晶片在柱/距離保持器上接觸并通過UV光或高溫固化。
圖20圖示了用于將光電晶片和光學(xué)晶片連接的幾種方法。首先，在光學(xué)晶片11上復(fù)制光學(xué)結(jié)構(gòu)(在圖20中未示出)。之后，在光學(xué)晶片或者光電晶片上增加隔離元件151，如圖中的上面所示。在圖中，在光學(xué)晶片上增加隔離元件151。這將在印刷工藝(以對(duì)準(zhǔn)方式)或使用隔離元件復(fù)制工具的工藝中完成。隔離元件例如以這種方式排列，即它們鄰近制造的裝置的邊緣；它們甚至可以包圍所述裝置的邊緣。在印刷或類似工藝后，隔離元件仍然是軟的，如在圖20中的剖視圖中所示。作為下一個(gè)步驟，以對(duì)準(zhǔn)的方式增加另一晶片(如所示的實(shí)施例中的光電晶片1)。在固化工藝中，隔離元件之間的距離由有效的隔離控制措施例如在晶片邊緣排列來控制。之后，隔離元件被固化。最后，分割制成的裝置，例如沿著分割線152分割。完成的裝置如圖20的最下面所示。
這里描述的在這個(gè)或其他實(shí)施例中的分割工藝，可為常規(guī)的單切(one-cut)分割工藝。作為選擇，可為包括第一步(預(yù)分割步驟)的兩步工序，在第一步中采用寬鋸條預(yù)切割晶片組件。在第一步中，只移除復(fù)制材料，同時(shí)只是鋸入基板。在第二步中，完全鋸過基板。這種兩步工序在完成產(chǎn)品的邊緣上留下額外臺(tái)階。
隔離元件可由任何可固化或者硬化的材料制成，例如UV固化環(huán)氧材料。它們需要是透明的，因此隔離元件材料可從大量材料中選擇。
可提供一種可選擇的用于在光電晶片上或者光電晶片上的透明中間層上直接形成具有壓印的(微)光學(xué)結(jié)構(gòu)的一層壓印材料的方式。之后，非導(dǎo)電材料的接觸區(qū)域的自由保持必然要仔細(xì)考慮。
圖2和3圖示了包括多個(gè)光學(xué)主動(dòng)區(qū)域2以及與光學(xué)主動(dòng)區(qū)域隔離的連接焊盤23的光電裝置21(這里為傳感管芯，即沒有殼體的半導(dǎo)體裝置)。在這個(gè)例子中顯示了具有主動(dòng)區(qū)域陣列的光學(xué)傳感器，但是還包括任何中具有至少一個(gè)光學(xué)主動(dòng)區(qū)域(構(gòu)件)的裝置。這些用于電接觸的區(qū)域在這個(gè)情形中位于光學(xué)主動(dòng)區(qū)域的陣列的一側(cè)上；依靠裝置的布局它們可以任意的方式排列，例如靠近每個(gè)光電構(gòu)件的連接區(qū)域。作為被動(dòng)光學(xué)構(gòu)件的例子的微透鏡24通過直接放置在它們頂端的方式安裝在光學(xué)主動(dòng)區(qū)域上。在所示的例子中，為每個(gè)光學(xué)主動(dòng)區(qū)域分別提供微光學(xué)結(jié)構(gòu)，然而，也可能是一種結(jié)構(gòu)收集多個(gè)主動(dòng)區(qū)域的光。進(jìn)一步的，在所示的例子中，壓印材料層與整個(gè)裝置鄰接。然而，原則上其也可插入到微光學(xué)結(jié)構(gòu)之間。
光電裝置21由包括多個(gè)光電裝置的晶片1生產(chǎn)，如圖4所示。
從圖2-4中可清楚看到以其局部良好限定的且尤其是不防礙與裝置電接觸(例如連接)的方式提供(被動(dòng))光學(xué)構(gòu)件或系統(tǒng)是必須的。優(yōu)選的，這種局部限定可到達(dá)晶片表面上。
圖5說明了用于確定被動(dòng)光學(xué)構(gòu)件的工序的第一示例。電接觸區(qū)域由“光學(xué)結(jié)構(gòu)”復(fù)制工藝與復(fù)制材料隔離。根據(jù)這個(gè)工藝，可變形材料31(其可由輻射固化，例如UV輻射)提供在光電晶片1上。之后，在材料中復(fù)制理想結(jié)構(gòu)32，例如通過壓印。當(dāng)被動(dòng)光學(xué)構(gòu)件的光學(xué)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)為與光學(xué)主動(dòng)區(qū)域隔離時(shí)，使用的復(fù)制工具33從而必須與光電晶片對(duì)準(zhǔn)。在復(fù)制工具33(對(duì)于固化輻射透明)或者光路的任意位置中提供模板34以僅僅照亮將要被光學(xué)元件覆蓋的區(qū)域。在固化工序后清洗并顯影掉未固化材料。
在圖6和7中圖示了另一方式。通過復(fù)制到腔狀結(jié)構(gòu)中得到復(fù)制的局部限定。在光學(xué)主動(dòng)區(qū)域上放置可變形、固化的復(fù)制材料31。光學(xué)微結(jié)構(gòu)被壓印到微液體材料中。復(fù)制工具33包括槽狀特征，其中對(duì)準(zhǔn)(微光學(xué))結(jié)構(gòu)。從而其以一種在復(fù)制步驟中形成腔41并封鎖光電晶片中需要由腔壁結(jié)構(gòu)42保持清潔的區(qū)域的方式形成。位于腔內(nèi)的復(fù)制材料被固化。形成腔41可包括特殊的容量以放置氣泡的形成和其他可在大量分配的液體并不完全滿足光學(xué)元件需要的容量的時(shí)候出現(xiàn)的其他影響。這些額外的容量(容積)可在晶片平面上或在垂直方向上從晶片平面上隔開。容量可位于或者連接于管道43，在類似工藝步驟的注塑法中管道43還可用于輸送未固化材料到腔內(nèi)，如圖7所示。
圖8圖示了另一種可能性(微)光學(xué)元件通過在復(fù)制工具42的腔43內(nèi)分配復(fù)制材料并在之后固化制造。固化元件通過對(duì)準(zhǔn)連接工藝?yán)鐚?duì)準(zhǔn)粘接工藝連接到光電晶片上。這種可能性可與如圖8所示的實(shí)施例相結(jié)合。根據(jù)一種可選擇的工藝，光電晶片和復(fù)制工具可首先對(duì)準(zhǔn)。之后，復(fù)制材料分配到復(fù)制工具的孔狀結(jié)構(gòu)中。之后，仍然對(duì)準(zhǔn)的復(fù)制工具與光電晶片相接觸。最后固化復(fù)制材料。
圖9和10圖示了本地限定復(fù)制的另一種不同原理。在第一步中，需要清除各種非導(dǎo)電性材料的區(qū)域由保護(hù)層51覆蓋。保護(hù)層保護(hù)不存在非導(dǎo)電性材料的全部區(qū)域，例如由于它們必然電接觸。形成包括主動(dòng)光學(xué)構(gòu)件的槽52陣列可具有階梯狀結(jié)構(gòu)。作為選擇，保護(hù)層可包括多個(gè)覆蓋要保護(hù)的區(qū)域的脫節(jié)部分或其他任何確定保護(hù)接觸區(qū)域的形狀。但是這并不必然表示保護(hù)層覆蓋了不存在非導(dǎo)電材料的全部區(qū)域。舉例來說，如果其具有階梯形狀形成包括主動(dòng)光學(xué)構(gòu)件的槽，其并不必須覆蓋接觸區(qū)域。這就是復(fù)制材料在單個(gè)槽中分配的情況。
在后來的復(fù)制步驟中，保護(hù)層作為一種模板使用。保護(hù)層可以例如是某些以本領(lǐng)域所知的方式構(gòu)成的抗蝕結(jié)構(gòu)。
如果保護(hù)層形成槽52的陣列例如在提到的歐洲專利申請(qǐng)03405888中所顯示的微光學(xué)元件復(fù)制到槽中。復(fù)制材料之后優(yōu)選的但并不必須本地分配到槽中。理想的結(jié)構(gòu)是通過復(fù)制工具33的方式壓印到液體或塑性變形復(fù)制材料中；例如同時(shí)針對(duì)很多陣列元件。為此，復(fù)制工具和之下的光電構(gòu)件一般需要對(duì)準(zhǔn)。之后，進(jìn)行固化步驟。這可能針對(duì)一個(gè)腔/槽或者同時(shí)針對(duì)少量腔/槽。之后，舉例來說，復(fù)制針對(duì)每個(gè)槽或者少量槽自我完成，且復(fù)制步驟直接在固化步驟之后。例如采用相同的復(fù)制工具，這個(gè)過程重復(fù)以針對(duì)更多的腔/槽。經(jīng)常優(yōu)選的，作為選擇，復(fù)制和固化一次針對(duì)整個(gè)晶片或者腔/槽的大部分進(jìn)行。
固化后，位于電接觸區(qū)域上的保護(hù)層51一般被清洗掉如果其由抗蝕材料構(gòu)成通過融解的方法。圖9的下圖所示復(fù)制材料如何(即使自我分配到腔/槽中)從犧牲層的邊緣溢出。這將影響光學(xué)主動(dòng)區(qū)域/構(gòu)件(圖3中cf)上的微光學(xué)元件的厚度h的精確度。在一定環(huán)境下，融解犧牲層限定將導(dǎo)致問題和微光學(xué)元件形狀的不清楚。這能夠通過固化之后且如圖10所示的融解步驟之前的分割工序避免。圖10的上圖顯示了在壓印工序中復(fù)制材料56從犧牲層51的邊緣溢出的情形。在圖10的下圖，形象的顯示了分割工具61。實(shí)際上切割可通過機(jī)械工具例如晶片鋸、穿孔切割機(jī)等，或者激光切割機(jī)等完成。犧牲層可滿足的額外功能是在分割/切割工藝中保護(hù)底面的晶片。
對(duì)于光學(xué)功能，在很多實(shí)施例中準(zhǔn)確的3D對(duì)準(zhǔn)很重要。既然在復(fù)制工序中由對(duì)準(zhǔn)保證平面的精確性(即在x和y方向上的精確性)，則有其他方式保證z位置的精確性位于光學(xué)主動(dòng)區(qū)域上的光學(xué)元件的高度h的精確控制需要如圖11、12和13所示的特殊注意。圖11圖示了沒有對(duì)厚度進(jìn)行特殊注意的實(shí)例。如果厚度h很重要，則需要對(duì)犧牲層厚度精確控制。當(dāng)對(duì)于一些申請(qǐng)有效精度為10-20微米時(shí)，要求高的申請(qǐng)則需要2微米甚至1微米。常規(guī)高度h為5微米到100微米，但是甚至可能要求幾毫米的精度。依賴h的精確數(shù)值和采用的材料，根據(jù)圖11的方式很難實(shí)現(xiàn)要求的精度。尋找合適的工藝和參數(shù)或者可選擇的材料將非常困難。并且，在復(fù)制工具和犧牲層之間的復(fù)制材料的溢出將導(dǎo)致額外的不確定性(如圖9的下圖所示)。
這些問題可通過如圖12和13所示的方法或者描述的原理的任意組合來克服。作為第一步，犧牲層由產(chǎn)生精確并可復(fù)制的厚度的工藝制造。由光學(xué)系統(tǒng)設(shè)計(jì)需要的容量的任何分支可由在復(fù)制工具33上形成凹陷71或腔補(bǔ)償。在這里上下文的“凹陷”是在復(fù)制工具上的一個(gè)區(qū)域，其中復(fù)制的結(jié)構(gòu)根據(jù)復(fù)制工具33的表面73以確定的距離補(bǔ)償。以這種方式，相對(duì)于犧牲層的厚度增加的高度h可由包括如圖13所示的鄰接凸起72的犧牲層51完成。這些連接凸起，若放置在槽周圍，也避免了如上所述的“溢出”的影響。在制造工具中的技術(shù)類似于微加工和高精度機(jī)械，即可保證凹陷高度的良好控制。由于這只需要在加工中操作，可采用更昂貴的技術(shù)以實(shí)現(xiàn)高精度。這形成了一個(gè)一般原理，根據(jù)在復(fù)制側(cè)面上采用產(chǎn)生高精度的標(biāo)準(zhǔn)工序，反之在加工側(cè)面上可采用達(dá)到需要的“獨(dú)特”數(shù)值的昂貴且非常精確的工藝。
采用犧牲層的主要優(yōu)點(diǎn)實(shí)際上是它們可用于產(chǎn)生更復(fù)雜的形狀和形式的復(fù)制微光學(xué)元件。一種傾向是在主動(dòng)區(qū)域也設(shè)置薄的犧牲層部分。通過顯影工藝固化和移除之后，可形成橋狀結(jié)構(gòu)。圖14顯示了一個(gè)實(shí)例。在主動(dòng)構(gòu)件2的頂端設(shè)置犧牲層部分81，這里例如是激光結(jié)構(gòu)(也就是例如一個(gè)VCSEL)。移除這一犧牲層部分后，包括氣隙的橋狀結(jié)構(gòu)形成。特定的主動(dòng)光學(xué)裝置需要這種氣隙。
上述例子包括在晶片或者在晶片上的選擇點(diǎn)上分配的可固化復(fù)制材料。這種可固化復(fù)制材料例如是UV可固化環(huán)氧類材料或由熱處理固化的聚合物。然而，這種方法存在其他選擇。第一種選擇是在熱塑材料中的熱壓印，即在升高的溫度下塑性變形的材料。第二種選擇是直接位于晶片的頂端的塑性變形層的迭片結(jié)構(gòu)。這種結(jié)構(gòu)可直接在晶片上迭置。在隨后的固化或冷卻步驟中，可硬化改層。代替迭片結(jié)構(gòu)，塑性變形層可粘結(jié)到晶片上。
本發(fā)明的進(jìn)一步原理參照?qǐng)D15描述。根據(jù)本領(lǐng)域現(xiàn)狀，封裝到連接到插入層的主動(dòng)光學(xué)管芯的透明材料并不可行，特別是包括隨后的加熱步驟的應(yīng)用，例如IR回流步驟。一個(gè)原因是沒有一種所知的透明材料可用來澆鑄在連接的管芯上并在不破壞連接的基礎(chǔ)上硬化。
本發(fā)明參考圖15描述的方面是基于一種半導(dǎo)體構(gòu)件/裝置可由兩層系統(tǒng)封裝的理論上。在最外面的保護(hù)層下面的容量?jī)?nèi)的材料需要具有一些要求的特性，例如與環(huán)境測(cè)試、光電制造工藝(例如IR回流)和光學(xué)透明性和質(zhì)量的可融性。一個(gè)基本的原理是第一層具有產(chǎn)生特定距離(例如覆蓋并保護(hù)連接線或在正確的z位置的位置光學(xué)元件)并保證機(jī)械參數(shù)(以這種方式具有低E模式以降低機(jī)械張力)的功能。已經(jīng)證明適于在“容量”層的一種材料組合是具有低彈性模式和高光學(xué)透明性的材料。這就是由于這種材料的高容量針對(duì)于引入高和快的溫度變化的環(huán)境條件。為了避免在薄或柔性基板的頂端上的厚層的連接，有兩種選擇(1)采用與基板和最外部保護(hù)層具有相同的熱膨脹系數(shù)(CTE)的材料。這一般不可能微塑料(頂端)和半導(dǎo)體(底部)。
(2)采用具有非常低E模式(例如低膨脹)的材料PDMS是這樣一種材料的例子。PDMX也可滿足(幾乎為低E模式)例如高光學(xué)透明性、針對(duì)環(huán)境測(cè)試情況的高抗蝕性的進(jìn)一步要求。
然而如果只有最外層具有進(jìn)一步的物理特性，例如硬度或者刮劃抵抗性是有效的。最上層，幾乎透明并與例如IR回流的工序相容，也需要與例如復(fù)制的微結(jié)構(gòu)技術(shù)相容，并必須提供保護(hù)(在高濕度、高溫度中強(qiáng)硬的“遮蔽”)。
圖15圖示了在芯片101中由連接件103接觸的管芯102的封裝。管芯102設(shè)置在包括設(shè)置在其背面的焊接塊108陣列以接觸連接基板或者印刷電路板(未示出)的插入層104上。透明材料直接放置在主動(dòng)光學(xué)透明保護(hù)材料上并包括兩層，PDMS層109和位于PDMS層上的薄的最外層110。
圖16顯示了光電芯片的制造中的半成品的例子。半成品包括具有多個(gè)管芯102的大區(qū)域(晶片大小)插入層104，通過連接接觸并由第一層透明材料封裝為一個(gè)整體，例如PDMS。第一層透明材料被第二層透明材料110覆蓋，例如可固化環(huán)氧材料。第二層透明材料包括復(fù)制機(jī)械結(jié)構(gòu)，也就是在光電管芯位置上的壓痕112。壓痕在提供以從刮劃的入射或者出射光的位置保護(hù)芯片表面。
為了制造最后的芯片，半成品與管芯脫節(jié)，獨(dú)立的管芯在圖中由短線表示產(chǎn)生了分離的密封芯片。
本發(fā)明的這一原理也可用于本領(lǐng)域進(jìn)一步的結(jié)構(gòu)中，包括封裝光電管芯，甚至不具有任何光電功能的管芯，包括接觸管芯的倒裝芯片。
利用主動(dòng)光學(xué)構(gòu)件和被動(dòng)光學(xué)構(gòu)件的直接結(jié)合的原理，將主動(dòng)裝置封裝為透明的兩層系統(tǒng)的原理可結(jié)合，優(yōu)選的在晶片表面上，或者在包括多個(gè)管芯的大面積插入元件上。
特別的，參考圖2-14描述的方法當(dāng)光電晶片或構(gòu)件和透鏡的距離功能進(jìn)入超過50-100微米的范圍時(shí)，可到達(dá)其極限。上述工序在仍然可行的原理內(nèi)，但是復(fù)制材料的非常厚的層將消耗長(zhǎng)時(shí)間才能硬化(例如通過UV固化)。硬化過程中的皺縮效應(yīng)可導(dǎo)致在垂直方向上的透鏡的不精確定位。在晶片表面上，這些效應(yīng)甚至可導(dǎo)致彎曲或者光電晶片的破壞。這種可能性的問題可通過以下事實(shí)克服并非所有光電晶片和光學(xué)表面之間的材料需要為復(fù)制材料。事實(shí)上，只有兩層系統(tǒng)的最上層必須具有適于復(fù)制工藝的特性。
圖17所示的是本發(fā)明的實(shí)施例。包括多個(gè)主動(dòng)光學(xué)構(gòu)件2的光電晶片1配備由PDMS層121以封裝主動(dòng)光學(xué)構(gòu)件。在PDMS層121的頂端，設(shè)置復(fù)制材料層122，例如UV可固化環(huán)氧材料。復(fù)制層包括引入(被動(dòng))光學(xué)功能的復(fù)制結(jié)構(gòu)123。這些結(jié)構(gòu)分配為光學(xué)主動(dòng)構(gòu)件和例如對(duì)準(zhǔn)他們。
在“低E模式材料”的頂端還可具有安裝于頂端的復(fù)制層的另一光學(xué)晶片，例如玻璃，對(duì)于PDMS具有優(yōu)良的粘接性。更一般的，復(fù)制并不局限于施加到PDMS層上的層中，也可以在增加包括復(fù)制結(jié)構(gòu)的第二層之前完成。
作為另一選擇，也可構(gòu)成PDMS層。例如，在復(fù)制本地限定的位置可形成腔。這一原理顯示于圖18中。腔131提供在PDMS層109中薄最外層110的提供微光學(xué)結(jié)構(gòu)的位置。最外層以某種方式提供，即腔被填滿且例如提供了一個(gè)平整的表面。這使得除了腔的位置以外，事實(shí)上最外層很平整成為可能。以這種方式，隨后實(shí)施通過分離分割各個(gè)裝置的步驟，由于最外層的材料優(yōu)選的為非常堅(jiān)硬的材料，其不容易分離。
封裝“晶片表面”和將光學(xué)功能結(jié)合到光電元件上的另一中可選擇方式顯示于圖19。在這個(gè)實(shí)施例中，薄最外層在晶片表面上并不完全覆蓋PDMS層109，但限定到相對(duì)于理想的光學(xué)功能和保護(hù)的位置的點(diǎn)上，在沿著分離線的位置產(chǎn)品不受最外層材料的限制。上述點(diǎn)141例如UV可固化環(huán)氧材料例如可沿著它們的邊緣提供分隔元件部分142以對(duì)微光學(xué)結(jié)構(gòu)進(jìn)行機(jī)械保護(hù)。將層限定到點(diǎn)141和分隔元件部分上可在通過根據(jù)提供在復(fù)制工具中的特征復(fù)制微光學(xué)結(jié)構(gòu)的步驟中提供。
當(dāng)在圖18和19中分別作為“晶片表面”插入元件描述第一和第二層的特定結(jié)構(gòu)特點(diǎn)時(shí)，其也可在根據(jù)圖17描述的本發(fā)明的實(shí)施例中存在，即與光電晶片相關(guān)聯(lián)。
制造包括至少一種光電裝置的組件的方法可包括澆注一層第一透明材料，固化，用不同或者相同的材料潛在的重復(fù)進(jìn)行澆注和固化步驟以形成多個(gè)層。在第一透明材料層中的潛在腔可通過在固化過程中施加根據(jù)的結(jié)構(gòu)的工具提供。之后提供最外層材料層，且潛在光學(xué)結(jié)構(gòu)復(fù)制到最外層中。在這個(gè)復(fù)制步驟中，還可完成最外層的額外結(jié)構(gòu)，例如確定最外層以離散點(diǎn)和/或隔離元件部分的提供。之后，在移除復(fù)制工具之前固化/硬化最外層。最后，在“晶片表面”工藝的情形中，組件可分割微獨(dú)立的光電裝置。
這種澆注方法具有機(jī)械傳感連接線不被破壞的優(yōu)點(diǎn)。作為選擇，一個(gè)或多個(gè)層可通過粘接或疊置安裝。
除了上述本發(fā)明的實(shí)施例，還存在其他的實(shí)施例。例如參考圖15-19描述的原理也可應(yīng)用在只包括被動(dòng)光學(xué)元件的光學(xué)系統(tǒng)的實(shí)施例中。
權(quán)利要求
1.一種制造集成光學(xué)系統(tǒng)的方法，包括在晶片(1)上提供主動(dòng)光學(xué)構(gòu)件(2)的步驟，每個(gè)主動(dòng)光學(xué)構(gòu)件具有光學(xué)主動(dòng)表面，提供配置在主動(dòng)光學(xué)構(gòu)件上的光學(xué)結(jié)構(gòu)(12、13、123)用于影響從光學(xué)主動(dòng)表面發(fā)射的電磁輻射和/或入射到所述光學(xué)主動(dòng)表面上的電磁輻射，并將具有光學(xué)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體晶片分成為包括至少一個(gè)主動(dòng)光學(xué)構(gòu)件和至少一個(gè)光學(xué)結(jié)構(gòu)的部分。
2.權(quán)利要求1所述的方法，其中透明材料施加到至少一些主動(dòng)光學(xué)構(gòu)件上，且其中的結(jié)構(gòu)以對(duì)準(zhǔn)的方式被復(fù)制在所述透明材料的表面。
3.權(quán)利要求2所述的方法，其中在應(yīng)用透明材料到所述主動(dòng)光學(xué)構(gòu)件之后復(fù)制所述結(jié)構(gòu)。
4.權(quán)利要求2或3所述的方法，其中透明材料包括至少兩層透明材料，其中所述覆蓋所述主動(dòng)光學(xué)構(gòu)件的兩層的第一層(109)比所述至少兩層的最外層(110)厚。
5.權(quán)利要求4所述的方法，其中所述第一層澆注到所述主動(dòng)光學(xué)構(gòu)件上，其中所述最外層設(shè)置在第一層上或潛在中間層上，且其中光學(xué)結(jié)構(gòu)壓印到最外層上。
6.權(quán)利要求5所述的方法，其中所述第二層(110)包括多個(gè)離散點(diǎn)，且所述分割晶片所沿著的線在第二層的材料之外。
7.權(quán)利要求5所述的方法，其中位于澆注的最外層上的第一層或者潛在中間層在最外層提供壓印光學(xué)結(jié)構(gòu)的位置設(shè)有腔。
8.權(quán)利要求2-7中任意一個(gè)所述的方法，其中透明材料的至少一部分通過施加輻射固化，且其中在施加到主動(dòng)光學(xué)構(gòu)件之后由選擇的照射位置選擇固化位置，例如，通過穿過模板照射。
9.權(quán)利要求2-7中任意一個(gè)所述的方法，其中結(jié)構(gòu)(32)通過復(fù)制工具(33)由對(duì)準(zhǔn)復(fù)制施加，其中當(dāng)復(fù)制工具放置在平整表面上時(shí)，所述復(fù)制工具包括形成腔(41)的槽狀特征，在復(fù)制工具中的結(jié)構(gòu)為槽狀特征。
10.權(quán)利要求9所述的方法，其中以液體或塑性變形狀態(tài)設(shè)置透明材料，設(shè)置在光學(xué)結(jié)構(gòu)的位置，且所述槽狀特征防止透明材料在復(fù)制工藝中流到限定區(qū)域外。
11.權(quán)利要求10所述的方法，其中復(fù)制工具還包括連接到腔(41)的溝道(43)。
12.權(quán)利要求9所述的方法，其中以液體或塑性變形狀態(tài)設(shè)置透明材料，在復(fù)制工具上設(shè)置為槽狀特征，且其在固化前后連接在晶片上。
13.權(quán)利要求2-12中任意一個(gè)所述的方法，其中晶片上提供了部分覆蓋其表面的保護(hù)層(51)，覆蓋的部分表面包括接觸區(qū)域，以液體或塑性變形狀態(tài)將透明材料設(shè)于由保護(hù)層的凹陷形成的槽中，或者設(shè)置在包括保護(hù)層的晶片的外部，其中隨后光學(xué)結(jié)構(gòu)復(fù)制在透明材料中，并固化透明材料，且在之后移除保護(hù)層(51)。
14.權(quán)利要求13所述的方法，其中在固化步驟之后和移除保護(hù)層之前實(shí)施分割步驟，分割步驟包括在保護(hù)層的邊界位置上完全切割透明材料。
15.權(quán)利要求13或14所述的方法，其中復(fù)制工具(33)包括其中復(fù)制的結(jié)構(gòu)與復(fù)制工具的最外層表面(73)錯(cuò)開的凹陷(71)。
16.權(quán)利要求13-15中任意一個(gè)所述的方法，其中保護(hù)層(51)包括從其至少一部分邊緣凸起的鄰接凸起(72)。
17.權(quán)利要求1所述的方法，其中光學(xué)結(jié)構(gòu)復(fù)制在分離的光學(xué)晶片(11)上，晶片還包括從其表面以預(yù)定距離凸起的復(fù)制距離保持元件(14)。
18.權(quán)利要求17所述的方法，其中光學(xué)晶片包括在其兩側(cè)的光學(xué)結(jié)構(gòu)。
19.權(quán)利要求1所述的方法，其中光學(xué)結(jié)構(gòu)在分離的光學(xué)晶片(11)中復(fù)制，其中提供了由可固化材料形成的分隔元件(151)，例如通過印刷形成在半導(dǎo)體晶片(1)或光學(xué)晶片上，其中半導(dǎo)體晶片和光學(xué)晶片以對(duì)準(zhǔn)的方式設(shè)置位置，這樣分隔元件位于半導(dǎo)體晶片和光學(xué)晶片之間并與兩晶片鄰接，且之后固化分隔元件。
20.一種集成光電裝置包括光電構(gòu)件和位于其上的被動(dòng)光學(xué)構(gòu)件，該裝置由根據(jù)權(quán)利要求1-19任意一個(gè)中所述的方法制造。
21.一種用于進(jìn)一步加工成多個(gè)光電裝置的工藝的半成品，該半成品包括具有多個(gè)包括光學(xué)主動(dòng)表面的相同主動(dòng)光學(xué)構(gòu)件的半導(dǎo)體晶片，還包括提供在安裝在主動(dòng)光學(xué)構(gòu)件上的透明材料中的光學(xué)結(jié)構(gòu)，并用于影響由光學(xué)主動(dòng)表面發(fā)射的電磁輻射和/或入射到光學(xué)主動(dòng)表面的電磁輻射。
22.一種制造集成光學(xué)裝置的方法包括在插入元件上提供主動(dòng)光學(xué)構(gòu)件的步驟，主動(dòng)光學(xué)構(gòu)件通過連接與插入元件接觸，在表面上澆注透明材料的第一層，透明材料的第一層封裝主動(dòng)光學(xué)構(gòu)件和連接元件，并在第一層上提供透明材料的第二層，第二層的材料與第一層的材料不相同。
23.權(quán)利要求22所述的方法，其中第二層比第一層厚，且/或者在最后的硬化的狀態(tài)中的所述第一層比第一層堅(jiān)硬。
24.權(quán)利要求22或23所述的方法，其中第一層具有小于10Mpa的彈性系數(shù)。
25.權(quán)利要求24所述的方法，其中第一層為PDMS層且第二層為可固化樹脂層。
26.一種集成光學(xué)裝置，包括在插入元件上的主動(dòng)光學(xué)構(gòu)件，主動(dòng)光學(xué)構(gòu)件通過連接與插入元件接觸，透明材料的第一層封裝主動(dòng)光學(xué)構(gòu)件和連接，并在第一層上提供與第一層的材料不相同的透明材料的第二層。
27.一種制造集成光學(xué)系統(tǒng)的方法，包括在基板上提供光學(xué)主動(dòng)構(gòu)件的步驟，在基板上施加透明材料，透明材料至少部分覆蓋光學(xué)主動(dòng)構(gòu)件，且由透明材料將基板晶片分割為包括由所述透明材料封裝的光學(xué)主動(dòng)構(gòu)件的部分。
28.權(quán)利要求27所述的方法，其中透明材料設(shè)有微光學(xué)結(jié)構(gòu)的位置或者透明材料設(shè)有不同透明材料或這多種不同透明材料構(gòu)成的層的系統(tǒng)的位置，所述系統(tǒng)的最外層設(shè)有光學(xué)結(jié)構(gòu)。
全文摘要
本發(fā)明涉及將光學(xué)元件與主動(dòng)光電元件結(jié)合成單片集成光電系統(tǒng)。光電晶片(1)包括提供(微)光學(xué)結(jié)構(gòu)的主動(dòng)光學(xué)構(gòu)件(2)。光學(xué)結(jié)構(gòu)(12、13)安裝在主動(dòng)光學(xué)構(gòu)件(2)上，即它們相互結(jié)合以影響入射在主動(dòng)光學(xué)構(gòu)件(2)上的光和/或以預(yù)定方式來自它們的原始光。為此它們對(duì)準(zhǔn)光學(xué)構(gòu)件或者調(diào)整為這個(gè)目的服務(wù)。結(jié)合的主動(dòng)光學(xué)構(gòu)件/光學(xué)結(jié)構(gòu)通過例如將具有光學(xué)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體晶片分離成包括至少一種主動(dòng)光學(xué)構(gòu)件(2)和至少一種光學(xué)構(gòu)件(12、13)的部分被分割。
文檔編號(hào)H01L27/146GK1947254SQ200580013374
公開日2007年4月11日 申請(qǐng)日期2005年2月25日 優(yōu)先權(quán)日2004年2月27日
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