專利名稱：互連的納米系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明總地涉及納米技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及的是用于納米
管、納米線以及其他納米級(jí)結(jié)構(gòu)和器件的相互連接。
背景技術(shù)：
基本上，對(duì)現(xiàn)代數(shù)字或模擬電路來(lái)說(shuō)，使用納米管 (nanotube )和/或納米線(nanowire)來(lái)制造其等價(jià)品所需要的所有器 件都已經(jīng)在原型試驗(yàn)中得到了論證，且基本的邏輯電路同樣也得到了論 證。不同的研究人員聲稱，納米線/納米管器件在各種度量方面均優(yōu)于 CMOS,例如每寬度的跨導(dǎo)或移動(dòng)性。如果措詞恰當(dāng)?shù)脑挘@些主張是正 確的。但是，仍舊存在著潛在、不言而喻的促動(dòng)因素，即器件小于或 可以小于由平版印刷(lithography)技術(shù)所造成的空間分辨率，這將
提供一條將摩爾定律擴(kuò)展到納米技術(shù)領(lǐng)域的途徑。迄今為止，已被開發(fā)的納米管和納米線器件是借助那些以 平版印刷方式制造的電極來(lái)接觸的。由于平版印刷技術(shù)存在幾何限制， 因此，對(duì)大規(guī)模并行處理的集成納米系統(tǒng)而言，這種技術(shù)并不是一種可 升級(jí)的技術(shù)。對(duì)可能具有納米線和納米管的潛在的高密度電路而言，如 果每個(gè)納米線和納米管都是以平版印刷方式接觸的，那么這種電路將是 無(wú)法實(shí)現(xiàn)的。近來(lái)，已建議將某些容錯(cuò)架構(gòu)方案用于處理這個(gè)互連問(wèn) 題。舉個(gè)例子，如果使用了 N條以平版印刷方式制造的線，那么有可能 使用二元樹復(fù)用方案來(lái)單獨(dú)尋址2"條納米線。由于納米線之間的間隔超 出了平版印刷技術(shù)限度，因此，這些納米線與以平版印刷方式制造的線 之間的電連接是隨機(jī)的，但是，這種電連接在原則上是可以在制造工藝 之后測(cè)量的。借助這種技術(shù)，所制造的每個(gè)芯片都將具有它自己的獨(dú)特 的固件，該固件是特定于納米級(jí)的物理硬件缺陷的。盡管如此，為使集成的納米系統(tǒng)具有有效的實(shí)現(xiàn)以及完全 的可伸縮性，需要一種可制造性更高的互連。
發(fā)明概述下文描述的是用于納米器件和納米系統(tǒng)的無(wú)線互連的例示
實(shí)施例。這些實(shí)施例只是一些實(shí)例，并不打算對(duì)本發(fā)明進(jìn)行限制。這里描述的器件、系統(tǒng)和方法提供的是用于納米器件和納 米系統(tǒng)的無(wú)線互連。更特別地，去往或來(lái)自納米器件的通信被提供以基 于納米結(jié)構(gòu)的天線，優(yōu)選地，該天線是用單壁碳納米管(SWNT)制造的， 但其并不局限于此。其他基于納米結(jié)構(gòu)的天線則包括雙壁納米管、半導(dǎo) 體納米線、金屬納米線等等。通過(guò)使用基于納米結(jié)構(gòu)的天線，消除了為 納米器件提供物理通信連接的需要，同時(shí)允許在納米器件與其他納米器 件或外部系統(tǒng)之間進(jìn)行通信。在一個(gè)實(shí)施例中，以無(wú)線方式互連的系統(tǒng)包括納米器件和 外部系統(tǒng)，其中該納米器件具有與之耦合的基于納米結(jié)構(gòu)的天線，該外 部系統(tǒng)則被配置成使用基于納米結(jié)構(gòu)的天線來(lái)與納米器件進(jìn)行通信。該 納米器件還被配置成經(jīng)由基于納米結(jié)構(gòu)的天線來(lái)進(jìn)行通信。在另一個(gè)實(shí)施例中， 一種用于制造互連納米系統(tǒng)的方法包 括形成具有通信引線的納米器件，以及將基于納米結(jié)構(gòu)的天線耦合到 通信引線。優(yōu)選地，將基于納米結(jié)構(gòu)的天線耦合到通信引線包括在該引 線上形成碳納米管。在另一個(gè)實(shí)施例中， 一種用于與納米結(jié)構(gòu)的器件進(jìn)行通信 的方法為以無(wú)線方式從第一器件發(fā)射信息，以及以無(wú)線方式在第二器 件上接收信息，其中該第一和第二器件中的至少一個(gè)是納米結(jié)構(gòu)的器 件。在另一個(gè)實(shí)施例中， 一種互連的系統(tǒng)包括第一器件以及 以無(wú)線方式耦合到該第一器件的第二器件，其中該第一和第二器件中的
至少一個(gè)是納米器件。在另一個(gè)實(shí)施例中， 一種互連的系統(tǒng)包括第一器件以及 以無(wú)線方式耦合到該第一器件的第二器件，其中該第一和第二器件之一
包含了基于納米結(jié)構(gòu)的天線?，F(xiàn)在將參考附圖來(lái)對(duì)包含各種實(shí)現(xiàn)和元素組合的新穎細(xì)節(jié) 的上述特征以及其他優(yōu)選特征進(jìn)行更具體的描述，并且在權(quán)利要求中將 會(huì)指出這些特征。應(yīng)該理解的是，這些具體的方法和器件是僅作為例示 而不是限制顯示的。正如本領(lǐng)域技術(shù)人員所理解的那樣，這里所說(shuō)明的 原理和特征是可以在各種且眾多的實(shí)施例中使用的。 附圖簡(jiǎn)述包括制造處理、結(jié)構(gòu)以及操作在內(nèi)的本發(fā)明的細(xì)節(jié)可以通 過(guò)研究附圖而被部分收集，其中相同的參考數(shù)字標(biāo)引的是相同的部分。


圖1描述的是納米結(jié)構(gòu)器件的一個(gè)例示實(shí)施例的圖解。
圖2描述的是互連的納米系統(tǒng)的一個(gè)例示實(shí)施例的框圖。
圖3描述的是碳納米管接收天線和雙極發(fā)射天線的框圖。
圖4描述的是用于例證圖3所示的碳納米管接收天線的電 導(dǎo)測(cè)定的圖表。應(yīng)當(dāng)注意，這些圖并未按比例繪制，且為例示的目的，在 所有圖中類似結(jié)構(gòu)或者功能的元素一般由相似的參考數(shù)字表示。還應(yīng)該 注意的是僅打算用這些圖來(lái)方便優(yōu)選實(shí)施例的描述。
詳細(xì)描述以下公開的每個(gè)附加特征和教導(dǎo)可以單獨(dú)使用，或者可以 與其他特征和教導(dǎo)結(jié)合使用，從而為納米器件和納米系統(tǒng)提供諸如基于 納米結(jié)構(gòu)的天線之類的無(wú)線互連?，F(xiàn)在將參考附圖來(lái)對(duì)本發(fā)明的示范性 實(shí)例進(jìn)行更詳細(xì)的描述，其中這些實(shí)例以單獨(dú)和組合方式使用了眾多的 這些附加特征和組合。本詳細(xì)描述只是打算向本領(lǐng)域技術(shù)人員講授用于 實(shí)施本教導(dǎo)的優(yōu)選方面的更多細(xì)節(jié)，而不打算限制本發(fā)明的范圍。因 此，從最廣義的意義上講，后續(xù)詳細(xì)描述中公開的特征和步驟組合未必 是實(shí)施本發(fā)明所必需的，取而代之的是，該描述僅僅具體描述了本教導(dǎo) 的示范性實(shí)例。此外，這些代表性實(shí)施例以及從屬權(quán)利要求的不同特征也 可以采用未被專門和顯式列舉的方式來(lái)進(jìn)行組合，由此提供本教導(dǎo)的附 加有用的實(shí)施例。此外，應(yīng)該明確指出的是，出于原始公開的目的，并 且為了對(duì)獨(dú)立于實(shí)施例和/或權(quán)利要求中的特征組合的、要求保護(hù)的主 題進(jìn)行限制，在說(shuō)明書和/或權(quán)利要求書中公開的所有特征都是以相互 分離和獨(dú)立的方式公開的。另外還應(yīng)該明確指出的是，出于原始公開的 目的，并且為了對(duì)要求保護(hù)的主題進(jìn)行限制，所有數(shù)值范圍或?qū)嶓w群組 的指示公開了各個(gè)可能的中間值或中間實(shí)體。這里提供的公開內(nèi)容涉及2004年8月12日提交的美國(guó)臨 時(shí)專利申請(qǐng)序列號(hào)60/601， 230，其中該申請(qǐng)?jiān)诖艘酝耆U述的方式引入 以作為參考。這里描述的器件、系統(tǒng)和方法為納米器件和納米系統(tǒng)提供 了無(wú)線互連。更特別地，去往或來(lái)自納米器件的通信被提供以基于納米 結(jié)構(gòu)的天線，優(yōu)選地，該天線是用單壁納米管(SWNT)制成的，但其并 不局限于此。其他的基于納米結(jié)構(gòu)的天線包括雙壁納米管、半導(dǎo)體納米 線、金屬納米線等等。通過(guò)使用基于納米結(jié)構(gòu)的天線，消除了向納米器 件提供物理通信連接的需要，同時(shí)仍舊允許納米器件與其他納米器件或 外部系統(tǒng)之間的通信，即所述外部系統(tǒng)是大于納米級(jí)的系統(tǒng)，例如借 助諸如CM0S、 GaAs、雙極工藝等半導(dǎo)體制造工藝形成的那些系統(tǒng)?；诩{米結(jié)構(gòu)的天線同樣可以用于其他天線應(yīng)用，其中包 括但不局限于RFID應(yīng)用。在某些情況下，納米管或納米線之類的每個(gè) 納米架構(gòu)都可以是單獨(dú)的天線。在其他情況下，該納米結(jié)構(gòu)可以僅僅是 天線的一部分。例如，納米管可以用作合成材料的組件，在這種情況下， 基于納米管的合成材料充當(dāng)?shù)氖翘炀€。圖l描述的是能夠?qū)嵤o(wú)線通信的納米器件IO的例示實(shí)施 例。納米器件10具有多個(gè)基于納米結(jié)構(gòu)的天線16,例如納米管天線， 這些天線共同形成了從納米器件10的四邊中的每一邊伸出的天線陣列 11。優(yōu)選地，陣列11中的每個(gè)納米管天線16都具有單獨(dú)的諧振頻率， 并且被配置成在與該諧振頻率相對(duì)應(yīng)的獨(dú)立無(wú)線頻率信道上進(jìn)行通 信。這樣一來(lái)，納米器件10可以對(duì)從另一個(gè)器件或外部系統(tǒng)發(fā)射的多 信道通信信號(hào)進(jìn)行接收。由于陣列11內(nèi)部的每個(gè)納米管16都在單獨(dú)的 信道上接收信息，因此每一個(gè)陣列11都可以充當(dāng)一個(gè)通信端口 ，其中 每一個(gè)天線16則有效地充當(dāng)了輸入/輸出連接。舉個(gè)例子，在本實(shí)施例中，納米器件IO在每個(gè)器件側(cè)面具 有14個(gè)電路輸入端18，其中每一個(gè)輸入端都與單獨(dú)的納米管天線16 相連。這些輸入端18中每個(gè)的輸入信號(hào)都是由另外的器件或外部系統(tǒng) 在14個(gè)獨(dú)立信道上傳送的，由此每個(gè)基于納米結(jié)構(gòu)的天線16都只接收 那些在相應(yīng)諧振頻率上傳送的通信。這樣便允許經(jīng)由相應(yīng)的基于納米結(jié) 構(gòu)的天線16而向各個(gè)單獨(dú)的輸入端18傳送單獨(dú)的、獨(dú)特的信息量。納米器件10可以具有任意數(shù)量的納米管天線16，這些天 線被配置成執(zhí)行發(fā)射處理、接收處理或執(zhí)行這兩種處理。在將每個(gè)納米 管天線16調(diào)諧到單獨(dú)的諧振頻率的實(shí)施例中，可用于在單獨(dú)信道上接 收數(shù)據(jù)的納米管天線16的數(shù)量?jī)H僅受限于可用帶寬。納米器件IO可以是任何一種納米級(jí)器件，或者可以是具有 納米級(jí)組件的器件。對(duì)納米器件10的內(nèi)部結(jié)構(gòu)12來(lái)說(shuō)，其范圍可以從 簡(jiǎn)單的納米管或納米電極到具有納米管、納米線、納米晶體管、自組裝 DNA等等的更為復(fù)雜的集成納米系統(tǒng)。此外，術(shù)語(yǔ)"納米級(jí)"并未打算 去限制這里的系統(tǒng)和方法，而是為了便于標(biāo)引任何一種參考納米來(lái)進(jìn)行 測(cè)量的儀器、結(jié)構(gòu)、器件、事物或?qū)ο?。本領(lǐng)域的一個(gè)技術(shù)人員很容易 想到，術(shù)語(yǔ)"納米級(jí)"可以包括那些在尺寸上小于1納米的結(jié)構(gòu)，同時(shí) 還包括了在尺寸上大于1000納米的結(jié)構(gòu)?；诩{米結(jié)構(gòu)的天線16可以由任何一種充當(dāng)天線的納米 級(jí)結(jié)構(gòu)形成。在優(yōu)選實(shí)施例中，基于納米結(jié)構(gòu)的天線16是用碳單壁納 米管(SWNT)形成的。每個(gè)碳SWNT天線16都可以通過(guò)調(diào)節(jié)其長(zhǎng)度而被 調(diào)諧到一個(gè)諧振頻率。例如，長(zhǎng)為1厘米的碳SWNT天線16具有大小為 4GHz的諧振頻率。在優(yōu)選實(shí)施例中，碳SWNT天線是如共同未決的申請(qǐng)序列號(hào)______(律師案巻號(hào)為703538.4093 )，提交日為2005年8月5日，標(biāo)題為"SYNTHESIS OF SINGLE-WALLED CARBON NANOTUBES (單壁碳納米 管的合成)"中更詳細(xì)描述的那樣在單爐系統(tǒng)中形成或生長(zhǎng)的，其中該 系統(tǒng)包括一個(gè)經(jīng)過(guò)修改的CVD反應(yīng)室，該反應(yīng)室減少了在生長(zhǎng)階段期間 提供的爛源的氣流湍流，該申請(qǐng)被在此并入作為參考。減少的淌流會(huì)為 超長(zhǎng)的納米管形成來(lái)創(chuàng)建一個(gè)增強(qiáng)的環(huán)境。此外， 一個(gè)包含金屬底層的 隆起平臺(tái)被沉積在一個(gè)基底上。該隆起的平臺(tái)允許納米管在低湍流氣流 中以從基底懸掛的方式自由生長(zhǎng)。這樣減少了基底所導(dǎo)致的立體空間力 阻抗(steric force impedance),并且能使納米管生長(zhǎng)成具有厘米量 級(jí)的長(zhǎng)度。圖2描述的是包含了納米器件102和外部系統(tǒng)103的互連 納米系統(tǒng)100的例示實(shí)施例。在這里，每一個(gè)納米器件都具有多個(gè)納米 管天線106，這些天線合在一起形成了納米天線陣列101。優(yōu)選地，陣 列101內(nèi)部的每一個(gè)納米管天線106都具有單獨(dú)的諧振頻率，并且被配 置成在與該諧振頻率相對(duì)應(yīng)的單獨(dú)的無(wú)線頻率信道上進(jìn)行通信。這樣一 來(lái)，納米器件102可以對(duì)從外界的外部系統(tǒng)103經(jīng)由天線1(H傳送的多 信道通信信號(hào)進(jìn)行接收。由于陣列101內(nèi)部的每個(gè)納米管106都是在單 獨(dú)的信道上接收信息的，因此陣列101可以充當(dāng)通信端口，在這種情況
下，每一個(gè)天線106都有效地充當(dāng)了一個(gè)輸入/輸出連接。舉個(gè)例子，在本實(shí)施例中，每一個(gè)納米器件102都具有四 個(gè)電路輸入端108，其中每一個(gè)輸入端都與單獨(dú)的納米管天線106相 連。對(duì)這些輸入端108中的每一個(gè)來(lái)說(shuō)，其輸入信號(hào)都從外部系統(tǒng)103 在通信路徑104的四條單獨(dú)的信道上傳送，由此每一個(gè)基于納米結(jié)構(gòu)的 天線106都只接收那些在相應(yīng)諧振頻率上傳送的通信。這樣便允許從外 部系統(tǒng)103經(jīng)由相應(yīng)的基于納米結(jié)構(gòu)的天線106而向每一個(gè)單獨(dú)的輸入 端108傳送單獨(dú)、獨(dú)特的信息量。該互連的納米系統(tǒng)100并不僅僅局限于在外部系統(tǒng)103與 納米器件102之間的通信。每一個(gè)納米器件102都可以以類似于通信路 徑104的方式來(lái)與其他納米器件102通信。每一個(gè)納米器件102都可以具有任意數(shù)量的納米管天線 106，這些天線被配置成執(zhí)行接收、發(fā)射或是執(zhí)行這兩種處理。在將每 一個(gè)納米管天線106調(diào)諧到單獨(dú)的諧振頻率的實(shí)施例中，可用于在單獨(dú) 的信道上接收數(shù)據(jù)的納米管天線106的數(shù)量?jī)H僅受限于通信路徑104或 是每一個(gè)單獨(dú)信道中的可用帶寬。但是，其他技術(shù)同樣也可以用于提升 系統(tǒng)100的數(shù)據(jù)傳送能力，例如時(shí)間或碼信號(hào)復(fù)用等等。天線實(shí)驗(yàn)如圖3所示，在與一個(gè)樣品相距約2英寸的位 置放置了一個(gè)在頻率f=2. 8GHz上諧振的不平衡的雙極發(fā)射天線，其中 該樣品包括電極間隔為200微米的碳納米管接收天線。這個(gè)納米管天線 是根據(jù)上述方法形成的。在檢查納米管接收天線的過(guò)程中，通過(guò)使用鎖定(lock-in) 放大器， 而將納米管電流作為以下項(xiàng)的函數(shù)來(lái)進(jìn)行測(cè)量RF輻射場(chǎng) 是處于開或關(guān)，以及在發(fā)射天線諧振頻率處是(fr=2. SGHz)否(f=lGHz) 應(yīng)用了該場(chǎng)。在功率為+5dBm的CW模式中，發(fā)射天線是由網(wǎng)絡(luò)分析器在 單個(gè)頻率上驅(qū)動(dòng)的。如圖4所示的測(cè)量數(shù)據(jù)所示，當(dāng)將處于發(fā)射天線諧振頻率 (f=2. 8GHz)處的RF輻射施加于接收納米管天線的時(shí)候，納米管的DC 電導(dǎo)有0. 3毫西門子的減小。當(dāng)在如f-lGHz這種遠(yuǎn)離其諧振的頻率上 驅(qū)動(dòng)發(fā)射天線時(shí)，由于發(fā)射天線效率很低，因此注意不到CNT電導(dǎo)的變 化。這些結(jié)果表明樣品上的CNT充當(dāng)?shù)氖墙邮仗炀€。在以上說(shuō)明中，本發(fā)明是參考其特定實(shí)施例而被描述的，
但是非常明顯的是，在沒(méi)有脫離本發(fā)明的較寬精神實(shí)質(zhì)和范圍的情況 下，對(duì)其的各種修改和變更都是可行的。例如， 一個(gè)實(shí)施例中的每一個(gè) 特征都可以與其他實(shí)施例中顯示的其他特征進(jìn)行混合和匹配。本領(lǐng)域技 術(shù)人員已知的特征和過(guò)程也可以根據(jù)需要而被非常類似地引入其中。作 為補(bǔ)充并且非常明顯的是，這些特征可以根據(jù)需要而被添加或減少。相 應(yīng)地，本發(fā)明僅僅是根據(jù)附加權(quán)利要求及其等價(jià)物而被限制的。
權(quán)利要求
1. 一種無(wú)線互連的系統(tǒng)，包括納米器件，該器件具有至少一個(gè)與之耦合的基于納米結(jié)構(gòu)的天線，其中該納米器件被配置成經(jīng)由該基于納米結(jié)構(gòu)的天線來(lái)進(jìn)行通信。
2. 如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，還包括外部系統(tǒng)，該系統(tǒng)被配置 成使用基于納米結(jié)構(gòu)的天線來(lái)與該納米器件進(jìn)行通信。
3. —種用于制造互連的納米系統(tǒng)的方法，包括 形成具有至少一個(gè)通信引線的納米器件；以及 將基于納米結(jié)構(gòu)的天線耦合到該通信引線。
4. 如權(quán)利要求3所述的方法，其中將基于納米結(jié)構(gòu)的天線耦合到 該通信引線包括在該引線上形成一個(gè)碳納米管。
5. —種用于與納米結(jié)構(gòu)的器件進(jìn)行通信的方法，其中包括以下步驟以無(wú)線方式從第一器件傳送信息；以及在第二器件上以無(wú)線方式接收信息，其中該第一和第二器件中的至 少一個(gè)器件是納米結(jié)構(gòu)的器件。
6. 如權(quán)利要求5所述的方法，其中該納米結(jié)構(gòu)的器件包括通信引 線以及與該通信引線相耦合的基于納米結(jié)構(gòu)的天線。
7. 如權(quán)利要求6所述的方法，其中該基于納米結(jié)構(gòu)的天線是碳納 米管。
8. —種互連的系統(tǒng)，包括 第一器件，以及以無(wú)線方式耦合到該第一器件的第二器件，其中該第一和第二器件 之一是納米器件。
9. 如權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)，其中該納米器件具有至少一個(gè)與之 耦合的基于納米結(jié)構(gòu)的天線，并且其中該納米器件被配置成經(jīng)由基于納 米結(jié)構(gòu)的天線來(lái)進(jìn)行通信。
10. 如權(quán)利要求9所述的系統(tǒng)，其中該基于納米結(jié)構(gòu)的天線是碳單 壁納米管。
11. 如權(quán)利要求9所述的系統(tǒng)，其中該基于納米結(jié)構(gòu)的天線是碳雙 壁納米管。
12. 如權(quán)利要求9所述的系統(tǒng)，其中該基于納米結(jié)構(gòu)的天線是半導(dǎo)體納米線。
13. 如權(quán)利要求9所述的系統(tǒng)，其中該基于納米結(jié)構(gòu)的天線是金屬 納米線。
14. 如權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)，其中該納米器件包括多個(gè)通信端口 以及與該多個(gè)通信端口相耦合的基于納米結(jié)構(gòu)的天線的陣列。
15. 如權(quán)利要求14所述的系統(tǒng)，其中該基于納米結(jié)構(gòu)的天線陣列 包括碳單壁納米管陣列。
16. 如權(quán)利要求14所述的系統(tǒng)，其中該基于納米結(jié)構(gòu)的天線陣列 包括碳雙壁納米管陣列。
17. 如權(quán)利要求14所述的系統(tǒng)，其中該基于納米結(jié)構(gòu)的天線陣列 包括半導(dǎo)體納米線陣列。
18. 如權(quán)利要求14所述的系統(tǒng)，其中該基于納米結(jié)構(gòu)的天線陣列 包括金屬納米線陣列。
19. 一種互連的系統(tǒng)，包括 第一器件，以及以無(wú)線方式耦合到該第一器件的第二器件，其中該第二器件包括與 之耦合的基于納米結(jié)構(gòu)的天線。
20. 如權(quán)利要求19所述的系統(tǒng)，其中該第二器件被配置成經(jīng)由該 基于納米結(jié)構(gòu)的天線來(lái)進(jìn)行通信。
21. 如權(quán)利要求19所述的系統(tǒng)，其中該基于納米結(jié)構(gòu)的天線是由 包含納米結(jié)構(gòu)元件的復(fù)合材料形成的。
22. 如權(quán)利要求21所述的系統(tǒng)，其中該納米結(jié)構(gòu)元件是納米管。
23. 如權(quán)利要求19所述的系統(tǒng)，其中該基于納米結(jié)構(gòu)的天線是碳 單壁納米管。
24. 如權(quán)利要求19所述的系統(tǒng)，其中該基于納米結(jié)構(gòu)的天線是碳 雙壁納米管。
25. 如權(quán)利要求19所述的系統(tǒng)，其中該基于納米結(jié)構(gòu)的天線是半 導(dǎo)體納米線。
26. 如權(quán)利要求19所述的系統(tǒng)，其中該基于納米結(jié)構(gòu)的天線是金 屬納米線。
全文摘要
去往或來(lái)自納米器件的通信被提供以基于納米結(jié)構(gòu)的天線，優(yōu)選地，該天線是用單壁納米管(SWNT)形成的，但其并不局限于此。其他那些基于納米結(jié)構(gòu)的天線包括雙壁納米管、半導(dǎo)體納米線、金屬納米線等等。通過(guò)使用基于納米結(jié)構(gòu)的天線，消除了向納米器件提供物理通信連接的需要，同時(shí)仍舊允許納米器件與其他納米器件或外部系統(tǒng)之間的通信，即所述外部系統(tǒng)是大于納米級(jí)的系統(tǒng)，例如借助諸如CMOS、GaAs、雙極工藝等半導(dǎo)體制造工藝形成的系統(tǒng)。
文檔編號(hào)H01Q1/38GK101208826SQ200580027364
公開日2008年6月25日 申請(qǐng)日期2005年8月12日 優(yōu)先權(quán)日2004年8月12日
發(fā)明者P·J·伯克 申請(qǐng)人:加州大學(xué)評(píng)議會(huì)