專利名稱：半導(dǎo)體裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，特別是涉及一種利用等離子體處理的閃存裝置(flash device)的制造方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置，例如閃存裝置中的隧道氧化膜為氧化硅(SiO2)膜，但由于此隧道氧化膜在高電場中反復(fù)通過電子，所以由近年來伴隨著微細(xì)化的薄膜化導(dǎo)致的被稱為SILC(應(yīng)力引發(fā)漏電流)的應(yīng)力引發(fā)漏電流的問題越發(fā)顯著。作為其對策，于隧道氧化膜形成后進(jìn)行高溫?zé)崽幚?，使其氮化，試圖通過在隧道氧化膜的基底界面附近混入氮來提高耐SILC性。
但是，即使于隧道氧化膜形成后進(jìn)行高溫?zé)崽幚?，使其氮化，在隧道氧化膜的基底界面附近混入氮，耐SILC性仍然不充分。
因此，本發(fā)明的主要目的在于提供一種能夠提高耐SILC性的半導(dǎo)體裝置的制造方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的方案之一是提供一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，所述制造方法具有形成閃存裝置的隧道絕緣膜的工序，所述工序包括第1氮化工序，即通過等離子體氮化和熱氮化中的任一種方法，對在半導(dǎo)體硅基底上形成的氧化硅膜進(jìn)行氮化處理，形成第1氧氮化硅膜，所述等離子體氮化是利用將第1氣體等離子體放電后活化的氣體進(jìn)行的氮化處理，所述第1氣體含有化學(xué)式中至少具有氮原子的第1化合物，所述熱氮化是使用含有化學(xué)式中至少具有氮原子的第2化合物的第2氣體并利用熱進(jìn)行的氮化處理；
第2氮化工序，即通過所述等離子體氮化及所述熱氮化中的另一種方法，對上述第1氧氮化硅膜進(jìn)行氮化處理，形成第2氧氮化硅膜。
本發(fā)明的其他方案是提供一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，所述制造方法含有氮化在半導(dǎo)體硅基底上形成的氧化硅膜、形成氧氮化硅膜的工序，其中，如下所述地氮化上述氧化硅膜使在從上述氧氮化硅膜與上述半導(dǎo)體硅基底的界面向表面至3nm的深度方向的范圍內(nèi)，及在從上述氧氮化硅膜的表面向其與上述基底的界面至3nm的深度方向的范圍內(nèi)，分別形成氮濃度峰。


是用于說明在本發(fā)明優(yōu)選實施例的半導(dǎo)體裝置制造方法中使用的等離子體處理爐的縱剖面簡圖。
是用于說明在本發(fā)明優(yōu)選實施例的半導(dǎo)體裝置制造方法中使用的熱氮化爐的縱剖面簡圖。
是表示由本發(fā)明優(yōu)選實施例的半導(dǎo)體裝置制造方法得到的耐SILC性效果的圖。
具體實施例方式
下面，說明本發(fā)明的優(yōu)選實施例。
本發(fā)明的優(yōu)選實施例是提供一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，所述制造方法具有形成閃存裝置的隧道絕緣膜的工序，所述工序包括第1氮化工序，即通過等離子體氮化、熱氮化中的任一種方法，對在半導(dǎo)體硅基底上形成的氧化硅膜進(jìn)行氮化處理，形成第1氧氮化硅膜，所述等離子體氮化是利用將第1氣體等離子體放電后活化的氣體進(jìn)行的氮化處理，所述第1氣體含有化學(xué)式中至少具有氮原子的第1化合物，所述熱氮化是使用含有化學(xué)式中至少具有氮原子的第2化合物的第2氣體并利用熱進(jìn)行的氮化處理；第2氮化工序，即通過上述等離子體氮化及上述熱氮化中的另一種方法，對上述第1氧氮化硅膜進(jìn)行氮化處理形成第2氧氮化硅膜。
閃存裝置的隧道絕緣膜與MOS裝置的柵極絕緣膜2nm的厚度相比較厚，在65nm的設(shè)計規(guī)則中，其膜厚例如為約6.5nm。
等離子體氮化只能氮化至3nm～4nm的位置，比其更深位置的氮化可以通過熱氮化進(jìn)行。
閃存裝置中，由于長時間反復(fù)重寫操作，因此隧道絕緣膜的泄漏增加，但由于通過上述等離子體氮化和熱氮化，能夠在深度方向的較廣范圍進(jìn)行氮化處理，所以可以減少上述泄漏。
在目前的65nm的設(shè)計規(guī)則中，閃存裝置的隧道絕緣膜使用氧化硅膜，為了減少泄漏，將氧化硅膜氮化為有效的方法。需要說明的是，即使采用CVD(化學(xué)氣相沉積)法成膜形成氮化硅膜或氧氮化硅膜，膜中也存在較多缺陷，不能用作閃存裝置的隧道絕緣膜，必須通過等離子體處理進(jìn)行氮化。
此外，氮化的氧化硅膜的膜厚優(yōu)選為4～8nm。
優(yōu)選在從上述第2氧氮化硅膜與上述基底的界面向表面至3nm的深度方向的范圍內(nèi)，及在從上述第2氧氮化硅膜的表面向其與基底的界面至3nm的深度方向的范圍內(nèi)，分別形成氮濃度峰。
使用閃存時，由于電場集中在從作為隧道氧化膜的氧化硅膜的基底界面至3nm以內(nèi)的區(qū)域及從作為隧道氧化膜的氧化硅膜的表面至3nm以內(nèi)的區(qū)域，因此氮化此區(qū)域的氧化硅膜，對抑制或防止隧道絕緣膜的泄漏特別有效。
另外，優(yōu)選上述第2化合物為NO或N2O。
使用NO或N2O氣體時，即使隧道絕緣膜厚度達(dá)6.5nm以上也能使其與基底的界面附近熱氮化。如果不用NO或N2O，例如使用N2進(jìn)行熱氮化，則為了氮化，加熱溫度在1150℃以上的加熱是必要的，必須使用能夠耐受此溫度的裝置，因此受到限制。
另外，優(yōu)選在通過上述等離子體氮化形成上述第1氧氮化硅膜后，通過上述熱氮化形成上述第2氧氮化硅膜。如果與其相反，在進(jìn)行熱氮化后進(jìn)行等離子體氮化，則之后必須另外進(jìn)行退火處理，增加1個工序，導(dǎo)致生產(chǎn)率降低。而先進(jìn)行等離子體氮化，之后進(jìn)行熱氮化時，不需要另外進(jìn)行退火處理，生產(chǎn)率提高。
另外，本發(fā)明的優(yōu)選實施例是提供一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，所述制造方法含有氮化在半導(dǎo)體硅基底上形成的氧化硅膜、形成氧氮化硅膜的工序，其中，如下所述地氮化所述氧化硅膜在從上述氧氮化硅膜與上述半導(dǎo)體硅基底的界面向表面至3nm的深度方向的范圍內(nèi)，及在從上述氧氮化硅膜的表面向其與基底的界面至3nm的深度方向的范圍內(nèi)，分別形成氮濃度峰。
使用閃存時，由于電場集中在從作為隧道氧化膜的氧化硅膜與基底的界面至3nm以內(nèi)的區(qū)域以及從氧化硅膜的表面至3nm以內(nèi)的區(qū)域，因此氮化此區(qū)域?qū)σ种苹蚍乐顾淼澜^緣膜的泄漏特別有效。
此外，氮化的氧化硅膜的膜厚優(yōu)選為4～8nm。
下面，參照附圖，進(jìn)一步詳細(xì)說明本發(fā)明的優(yōu)選實施例。
圖1是用于說明在本發(fā)明優(yōu)選實施例的半導(dǎo)體裝置制造方法中使用的等離子體處理裝置的縱剖面簡圖。
上述等離子體處理裝置是使用通過電場和磁場能夠生成高密度等離子體的改進(jìn)磁控管型等離子體源(Modified Magnetron TypedPlasma Source)對晶片等基板進(jìn)行等離子體處理的基板處理裝置(以下，稱為MMT裝置)。此MMT裝置在確保氣密性的處理室中設(shè)置基板，通過噴射板(shower plate)向處理室中導(dǎo)入反應(yīng)氣體，使處理室保持一定的壓力，向放電用電極供給高頻率電力形成電場，同時，施加磁場，引起磁控放電。從放電用電極放出的電子通過邊漂移邊持續(xù)擺線運(yùn)動而旋轉(zhuǎn)，可以延長壽命，提高電離發(fā)生率，因此能夠生成高密度等離子體。由此可以使反應(yīng)氣體激發(fā)分解，對基板表面進(jìn)行氧化或氮化等擴(kuò)散處理，或在基板表面形成薄膜，或蝕刻基板表面等，對基板實施各種等離子體處理。
MMT裝置形成了處理室201，該處理室20 1由作為第2容器的下方容器211和覆蓋在該下方容器211上的作為第1容器的上方容器210構(gòu)成。上方容器210由拱形的氧化鋁或石英形成，下方容器211由鋁形成。另外，通過用氮化鋁或陶瓷或石英構(gòu)成作為下述加熱器型基板保持裝置的基座217，可以在處理時降低進(jìn)入膜中的金屬污染。
在上方容器210的上部設(shè)置了形成作為氣體分散空間的緩沖室237的噴頭(showerhead)236，在噴頭上壁設(shè)置了作為氣體導(dǎo)入用導(dǎo)入口的氣體導(dǎo)入口234，下壁由噴射板240構(gòu)成，該噴射板240具有作為噴出氣體的噴出孔的氣體噴出孔234a，上述氣體導(dǎo)入口234，通過作為供給氣體的供給管的氣體供給管232，經(jīng)作為開閉閥的閥門243a流量控制裝置的流量控制器241，與圖中省略的反應(yīng)氣體230的儲氣鋼瓶相連。從噴頭236向處理室201內(nèi)供給反應(yīng)氣體230，另外，在下方容器211的側(cè)壁設(shè)置作為排出氣體的排氣口的氣體排氣口235，使基板處理后的氣體從基座217的周圍流向處理室201的底部。氣體排氣口235通過作為排出氣體的排氣管的氣體排氣管231，再經(jīng)過作為壓力調(diào)節(jié)器的APC242、作為開閉閥的閥門243b與作為排氣裝置的真空泵246相連。
作為激發(fā)被供給的反應(yīng)氣體230的放電裝置，設(shè)置有剖面為筒狀、優(yōu)選為圓筒狀的作為第1電極的筒狀電極215。筒狀電極215設(shè)置在處理室201的外周，包圍處理室201內(nèi)的等離子體生成區(qū)域224。筒狀電極215通過進(jìn)行阻抗匹配的匹配器272與施加高頻電力的高頻電源273連接。
另外，在筒狀電極215的外表面配置筒狀磁場形成裝置216。由此，沿著筒狀電極215內(nèi)周面在筒軸方向形成磁力線。
在處理室201的底部中央配置了基座217作為用于保持作為基板的晶片200的基板保持裝置?；?17能夠加熱晶片200?；?17例如可由氮化鋁構(gòu)成，在內(nèi)部一體性地嵌入作為加熱裝置的加熱器(圖中省略)。加熱器被施加電力以便將晶片200加熱至約500℃。
另外，在基座217的內(nèi)部還裝備了作為用于改變阻抗的電極的第2電極，此第2電極通過可變阻抗裝置274接地。可變阻抗裝置274由線圈或可變電容器構(gòu)成，可以通過控制線圈的匝數(shù)或可變電容器的容量值，經(jīng)上述電極及基座217，控制晶片200的電位。
處理爐202通過磁控管型等離子體源的磁控放電對晶片200進(jìn)行處理，所述處理爐202至少由上述處理室201、基座217、筒狀電極215、筒狀磁鐵216、噴頭236、及排氣口235構(gòu)成，可以在處理室201中，對晶片200進(jìn)行等離子體處理。
在筒狀電極215及筒狀磁場形成裝置216的周圍，設(shè)置能夠有效地屏蔽電場或磁場的屏蔽板223，使由此筒狀電極215及筒狀磁場形成裝置216形成的電場或磁場不對外部環(huán)境或其他處理爐等裝置產(chǎn)生不良影響。
基座217與下方容器211絕緣，設(shè)置了作為使基座217升降的升降裝置的基座升降裝置268。另外，基座217中具有貫通孔217a，在下方容器211底面上至少3處設(shè)置了作為用于頂出晶片200的基板頂出裝置的晶片頂出栓266。然后，按照下述位置關(guān)系設(shè)置貫通孔217a及晶片頂出栓266，即在通過基座升降裝置268使基座217降低時，在晶片頂出栓266與基座217不接觸的狀態(tài)下，晶片頂出栓266能夠穿過貫通孔217a。
另外，在下方容器211的側(cè)壁設(shè)置作為隔離閥的閘閥244，將其打開時，通過圖中省略的搬運(yùn)裝置將晶片200搬入或搬出處理室201，關(guān)閉時，能夠關(guān)閉處理室201使其保持氣密狀態(tài)。
另外，作為控制裝置的控制器121與高頻電源273、匹配器272、閥門243a、流量控制器241、APC242、閥門243b、真空泵246、基座升降裝置268、閘閥244、向嵌入基座中的加熱器施加高頻電力的高頻電源連接，對其分別進(jìn)行控制。
對在上述的結(jié)構(gòu)中向晶片200表面或在晶片200上形成的基底膜的表面實施規(guī)定的等離子體處理的方法進(jìn)行說明。
從構(gòu)成處理爐202的處理室201的外部通過圖中省略的搬運(yùn)晶片的搬運(yùn)裝置，將晶片200搬入處理室201中，搬運(yùn)到基座217上。此搬運(yùn)操作的詳細(xì)情況為，首先基座217處于下落狀態(tài)，晶片頂出栓266的前端穿過基座217的貫通孔217a，在比基座217表面僅突出規(guī)定高度的狀態(tài)下，打開設(shè)置在下方容器211中的閘閥244，通過圖中省略的搬運(yùn)裝置將晶片200放置在晶片頂出栓的前端，搬運(yùn)裝置退回到處理室201外時，閘閥244關(guān)閉，通過基座升降裝置268抬升基座217，可以將晶片200放置在基座217上面，并且抬升至處理晶片200的位置。
預(yù)先加熱嵌入基座217中的加熱器，將搬入的晶片200加熱至規(guī)定的晶片處理溫度。使用真空泵246、及APC242將處理室201的壓力維持在規(guī)定的壓力范圍內(nèi)。
將晶片200加熱至處理溫度后，從氣體導(dǎo)入口234通過噴射板240的氣體噴出孔234a，向配置在處理室201中的晶片200的上面(處理面)以噴射狀導(dǎo)入反應(yīng)氣體。同時從高頻電源273通過匹配器272向筒狀電極215施加高頻電力。此時，預(yù)先將可變阻抗裝置274控制在所期望的阻抗值。
受到筒狀磁場形成裝置216的磁場的影響，引發(fā)磁控放電，在晶片200的上方空間聚集電荷，在等離子體生成區(qū)域224生成高密度的等離子體。然后，通過生成的高密度等離子體，對基座217上的晶片200的表面進(jìn)行等離子體處理。采用圖示省略的搬運(yùn)裝置，按照與基板搬入相反的順序，將表面處理結(jié)束的晶片200搬運(yùn)到處理室201外。
此外，通過控制器121分別控制高頻電源273的電力開·關(guān)、匹配器272的調(diào)整、閥門243a的開閉、流量控制器241的流量、APC242的閥開度、閥門243b的開閉、真空泵246的啟動·停止、基座升降裝置268的升降操作、閘閥244的開閉、對嵌入基座中的加熱器施加高頻電力的高頻電源的電力開·關(guān)。
圖2是用于說明在本發(fā)明優(yōu)選實施例的半導(dǎo)體裝置制造方法中使用的熱氮化爐的縱剖面簡圖。
在熱氮化爐10中，向反應(yīng)管11的內(nèi)部裝入以水平狀態(tài)多級式裝填了晶片200的舟皿18，通過舟皿載置臺19，將舟皿18設(shè)置在氣密性地閉塞反應(yīng)管11的下端的密封帽15上。通過反應(yīng)管11及密封帽15形成處理室12。在反應(yīng)管11的頂面設(shè)置多個氣體導(dǎo)入口16，氣體導(dǎo)入管17與氣體導(dǎo)入口16相連，排氣管13與反應(yīng)管11的側(cè)壁下端相通。在排氣管13上設(shè)置了用于開閉及調(diào)整壓力的閥門14。在反應(yīng)管11的外部的周圍設(shè)置加熱器20。
通過加熱器20將反應(yīng)管11內(nèi)加熱至規(guī)定的溫度，在此狀態(tài)下，從氣體導(dǎo)入管17導(dǎo)入用于氮化處理的氣體，調(diào)整閥門14從排氣管13排氣的同時，在保持處理室12內(nèi)為規(guī)定壓力的狀態(tài)下，對晶片200進(jìn)行熱氮化處理。
接下來，對使用圖1所示的等離子體處理裝置202及圖2所示的熱氮化爐10的閃存裝置的制造方法的優(yōu)選例進(jìn)行說明。
在作為基底的硅基板或外延生長形成的硅膜上形成作為隧道氧化膜的氧化硅(SiO2)膜，利用被等離子體活化的氮氣對此氧化硅膜進(jìn)行等離子體氮化處理，然后，通過在氮氣或含有氮氣的氣體的氛圍中的熱處理進(jìn)行熱氮化處理。
需要說明的是，作為隧道氧化膜的氧化硅膜，優(yōu)選通過高溫的熱處理氧化形成，特別優(yōu)選通過使用水蒸氣發(fā)生器(Water VaperGenerator)的濕式氧化形成。
上述等離子體氮化處理的處理條件如下所示，對導(dǎo)入圖1所示的處理室201中的氮氣(N2)施加高頻電場，進(jìn)行等離子體放電，在被等離子體放電活化的氮氣的作用下，對例如膜厚為40～100的氧化硅(SiO2)膜進(jìn)行等離子體氮化處理。在此等離子體氮化處理中，通過在氧化硅膜的表面附近(從氧化硅膜表面至30以下處)混入氮形成硅和氮的鍵(Si-N鍵)，可以抑制由電氣應(yīng)力產(chǎn)生的結(jié)晶缺陷的發(fā)生。
優(yōu)選的等離子體氮化處理條件的范圍如下所示，從此范圍中適當(dāng)選擇使用的值。
硅基板溫度 室溫～700℃處理室內(nèi)壓力1～100Pa氣體種類氮氣(N2)氣體流量100～1000cc/min高頻電力200～500W高頻頻率13.56MHz
處理時間10～180秒上述熱氮化處理的處理條件如下所示，向在圖2所示的處理室12內(nèi)被加熱的硅基板200導(dǎo)入氮氣(N2)及一氧化氮(NO)氣體，或氮氣(N2)及二氧化氮(N2O)氣體，對通過等離子體氮化形成的氧氮化硅膜進(jìn)行熱氮化處理。利用此熱氮化處理，可以在由等離子體氮化形成的氧氮化硅膜與基底的界面附近(從界面至30以下處)混入氮(N2)。另外，能夠使在上述等離子體氮化處理中形成的硅和氮的鍵(Si-N鍵)穩(wěn)定。
優(yōu)選的熱氮化處理條件如下所示。
硅基板溫度 700～1000℃壓力1000Pa～大氣壓(大約10萬Pa)氣體種類氮氣(N2)及一氧化氮(NO)氣體，或氮氣(N2)及二氧化氮(N2O)氣體氣體流量N21～10L/minNO或N2O 1～10L/min處理時間15～150分鐘此外，處理時間優(yōu)選為15～60分鐘。在60分鐘以內(nèi)時，處理時間縮短，從生產(chǎn)率方面考慮優(yōu)選，另外具有能夠減少晶體管的受熱過程的效果。需要說明的是，也可以在相同的處理條件下，采用圖1的等離子體處理裝置繼先前進(jìn)行的等離子體氮化處理之后進(jìn)行。
如上所述，通過對氧化硅膜進(jìn)行等離子體氮化處理及熱氮化處理，形成氧氮化硅膜，得到在該氧氮化硅膜的表面附近，即從表面至30以下的深度范圍內(nèi)形成氮濃度峰的氮濃度曲線。另外，得到在氧氮化硅膜與基底的界面附近，即從界面至30以下的區(qū)域形成氮濃度峰的氮濃度曲線。
此處所謂氮濃度，是用氧氮化硅膜中每單位體積的總原子數(shù)(為硅、氧、氮的總原子數(shù)，約為6.6×1022個)除氧氮化硅膜中的每單位體積的氮原子數(shù)所得的值。
接下來，所謂氮濃度峰是指在隨著從氧氮化硅膜表面向深度方向氮濃度增加，達(dá)峰后隨著從氧氮化硅膜的表面向深度方向氮濃度減少的氮濃度曲線中，氮濃度的峰。
接下來，本發(fā)明優(yōu)選實施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，在氧氮化硅膜的表面附近及氧化硅膜與硅基板的界面附近形成的2個氮濃度峰中，氮濃度分別為3～20％。
然后，圖3是表示由本發(fā)明優(yōu)選實施例的半導(dǎo)體裝置制造方法得到的耐SILC性效果例。橫軸表示電氣形成的膜厚(EOT...等效氧化層厚度)、縱軸表示施加6MV/cm的電場時產(chǎn)生的泄漏電流密度。絕緣膜的膜厚越厚泄漏電流越低，圖中的點劃線表示單純使用SiO2的特征曲線。根據(jù)此結(jié)果可以判斷，在相同的EOT下進(jìn)行比較時，等離子體氮化后進(jìn)行熱氮化的樣品(圖中用MMT氮化→熱氮化的框包圍的樣品)比單純的SiO2(圖中的pure-Ox)降低半個數(shù)量級以上。另外，在相同的EOT下，上述的樣品與未進(jìn)行等離子體氮化處理的樣品(圖中用空白三角表示的熱氮化)或進(jìn)行熱氮化后進(jìn)行等離子體氮化處理的樣品(圖中用涂黑三角表示的熱氮化→MMT氮化)相比，顯示泄漏電流降低的傾向，耐SILC性高。
在本國際申請指定的指定國或選擇的選定國的國內(nèi)法律的許可范圍內(nèi)，直接引用包括說明書、權(quán)利要求書、附圖及摘要的2004年11月5日提出的日本專利申請2004-321439號及2005年5月10日提出的日本專利申請2005-137308號公開的全部內(nèi)容，并將其組合在本申請中。
雖給出并說明了多種典型的實施方案，但本發(fā)明并不僅限定于上述實施方案。所以，本發(fā)明的范圍僅由下面的權(quán)利要求進(jìn)行限定。產(chǎn)業(yè)上的可利用性如以上說明，本發(fā)明的優(yōu)選方案能夠制造耐SILC性得到提高、制造可靠性高的閃存裝置。
因此，本發(fā)明特別優(yōu)選用作閃存裝置等半導(dǎo)體裝置的制造方法。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，所述制造方法具備形成閃存裝置的隧道絕緣膜的工序，所述工序包括第1氮化工序，即通過等離子體氮化和熱氮化中的任一種方法，對在半導(dǎo)體硅基底上形成的氧化硅膜進(jìn)行氮化處理，形成第1氧氮化硅膜的工序，所述等離子體氮化是利用將第1氣體等離子體放電后活化的氣體進(jìn)行的氮化處理，所述第1氣體含有化學(xué)式中至少含有氮原子的第1化合物，所述熱氮化是使用第2氣體并利用熱進(jìn)行的氮化處理，所述第2氣體含有化學(xué)式中至少含有氮原子的第2化合物；第2氮化工序，即通過所述等離子體氮化及所述熱氮化中的另一種方法，對所述第1氧氮化硅膜進(jìn)行氮化處理，形成第2氧氮化硅膜。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，在從所述第2氧氮化硅膜與所述基底的界面向表面至3nm的深度方向的范圍內(nèi)，及在從所述第2氧氮化硅膜的表面向其與基底的界面至3nm的深度方向的范圍內(nèi)，分別形成氮濃度峰。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，所述第2化合物為NO或N2O。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，通過所述等離子體氮化形成所述第1氧氮化硅膜后，通過所述熱氮化形成所述第2氧氮化硅膜。
5.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，所述制造方法具有氮化在半導(dǎo)體硅基底上形成的氧化硅膜、形成氧氮化硅膜的工序，其中，通過氮化所述氧化硅膜，在從所述氧氮化硅膜與所述半導(dǎo)體硅基底的界面向表面至3nm的深度方向的范圍內(nèi)，及在從所述氧氮化硅膜的表面向其與所述基底的界面至3nm的深度方向的范圍內(nèi)，分別形成氮濃度峰。
6.如權(quán)利要求1至5中任一項所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，所述氧化硅膜的膜厚為4～8nm。
7.如權(quán)利要求1至5中任一項所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，所述氧化硅膜通過熱處理氧化而形成。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，在所述制造方法中，通過被等離子體活化的氮對在基底上形成的氧化硅膜進(jìn)行等離子體氮化處理后，在含有具有氮原子的化合物的氣體氛圍中進(jìn)行熱氮化處理，在氧化硅膜表面附近及氧化硅膜與基底的界面附近分別形成具有氮濃度峰的氧氮化硅膜。
文檔編號H01L29/792GK101023518SQ20058003184
公開日2007年8月22日 申請日期2005年10月31日 優(yōu)先權(quán)日2004年11月5日
發(fā)明者寺崎正, 平野晃人, 中山雅則, 小川云龍 申請人:株式會社日立國際電氣