專利名稱：通過(guò)在分割期間或之后進(jìn)行蝕刻來(lái)增強(qiáng)晶片強(qiáng)度的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及通過(guò)在分割半導(dǎo)體晶圓(wafer)期間或之后進(jìn)行蝕刻來(lái)增強(qiáng)晶片(die)強(qiáng)度。
已知用自發(fā)性反應(yīng)蝕刻劑對(duì)諸如硅的半導(dǎo)體進(jìn)行蝕刻，對(duì)于半導(dǎo)體工業(yè)中使用的大部分覆蓋層或封裝層具有很高的蝕刻選擇性。自發(fā)性反應(yīng)蝕刻劑應(yīng)被理解成，無(wú)需諸如電能、動(dòng)能或熱激發(fā)等的外部能源就能進(jìn)行蝕刻的蝕刻劑。這樣的蝕刻是放熱的，使得在反應(yīng)期間釋放的能量比打開(kāi)和重組反應(yīng)物的原子間的鍵所用的能量更多。US9,498,074公開(kāi)了一種分割半導(dǎo)體晶圓部分路線的方法，該方法通過(guò)利用從晶圓上側(cè)面進(jìn)行的鋸刀(saw)、激光或掩蔽蝕刻，以形成至少與希望的晶片厚度一樣深的槽，以從晶圓分開(kāi)(singulate)。與上側(cè)面相反的晶圓的背面被干蝕刻，例如，利用CF4的氣壓等離子蝕刻，經(jīng)過(guò)露出各槽處的點(diǎn)，以從晶片的側(cè)壁和底邊和各角處去除損傷和合成應(yīng)力，從而形成圓形的邊緣和角。優(yōu)選地，在挖槽之后使用諸如聚酰亞胺的保護(hù)層，以在晶片分開(kāi)之后將晶片保持在一起，并且在蝕刻期間保護(hù)晶圓頂面上的電路避開(kāi)流經(jīng)各槽的蝕刻劑。
然而，為了從晶圓背面進(jìn)行蝕刻，有必要在上表面挖槽之后將晶圓重新固定在例如渦流非接觸卡盤(vortex non-contact chuck)中，以便能從已被挖槽的晶圓的背面蝕刻晶圓。
本發(fā)明的目的是至少改善現(xiàn)有技術(shù)中的上述缺點(diǎn)。
根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供了一種對(duì)具有有源層(active layer)的半導(dǎo)體晶圓進(jìn)行分割的方法，包括以下步驟在半導(dǎo)體晶圓的有源層遠(yuǎn)離載體的狀態(tài)下，將半導(dǎo)體晶圓固定在載體上；從半導(dǎo)體晶圓主表面開(kāi)始，至少部分地分割載體上的半導(dǎo)體晶圓，以形成至少部分被分割的半導(dǎo)體晶圓；和，從該主表面開(kāi)始，用自發(fā)性反應(yīng)蝕刻劑來(lái)蝕刻載體上的至少部分被分割的半導(dǎo)體晶圓，以從由至少部分地被分割的半導(dǎo)體晶圓產(chǎn)生的晶片上去除足夠的半導(dǎo)體材料，以改善晶片的抗撓抗彎強(qiáng)度。
便利地，至少部分地分割半導(dǎo)體晶圓的步驟包括，完全貫穿半導(dǎo)體晶圓地對(duì)半導(dǎo)體晶圓進(jìn)行分割；并且蝕刻半導(dǎo)體晶圓的步驟包括，蝕刻晶片的側(cè)壁，而晶片的剩余部分由于晶片上的有源層部分的遮蔽而不受自發(fā)性反應(yīng)蝕刻劑作用。
可替代地，至少部分地分割半導(dǎo)體晶圓的步驟包括，沿分割路線部分地分割半導(dǎo)體晶圓，以留下部分半導(dǎo)體材料跨接該分割路線；并且蝕刻半導(dǎo)體晶圓的步驟包括，對(duì)分割路線的側(cè)壁進(jìn)行蝕刻，并且將跨接分割路線的半導(dǎo)體材料部分蝕刻掉，以將晶片分離出來(lái)。
有利地，半導(dǎo)體晶圓是硅晶圓。
便利地，用自發(fā)性反應(yīng)蝕刻劑進(jìn)行蝕刻的步驟包括，用二氟化氙進(jìn)行蝕刻。
優(yōu)選地，用自發(fā)性反應(yīng)蝕刻劑進(jìn)行蝕刻的步驟包括，提供蝕刻腔和在蝕刻腔內(nèi)蝕刻半導(dǎo)體晶圓。
有利地，在蝕刻腔內(nèi)用自發(fā)性反應(yīng)蝕刻劑進(jìn)行蝕刻的步驟包括，周期性地向蝕刻腔供應(yīng)自發(fā)性反應(yīng)蝕刻劑，并在多個(gè)周期內(nèi)將自發(fā)性反應(yīng)蝕刻劑清除出蝕刻腔。
根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供了一種用于對(duì)具有有源層的半導(dǎo)體晶圓進(jìn)行分割的分割設(shè)備，該分割設(shè)備包括載體裝置、激光或機(jī)械鋸刀裝置和蝕刻裝置，其中載體裝置上可固定半導(dǎo)體晶圓，半導(dǎo)體晶圓的固定狀態(tài)是有源層遠(yuǎn)離載體；激光或機(jī)械鋸刀裝置被設(shè)置成，用于從半導(dǎo)體晶圓的主表面開(kāi)始，至少部分地分割載體上的半導(dǎo)體晶圓；蝕刻裝置被設(shè)置成，用自發(fā)性反應(yīng)蝕刻劑，從該主表面開(kāi)始，對(duì)載體上的至少部分被分割的半導(dǎo)體晶圓進(jìn)行蝕刻，以從至少部分被分割的半導(dǎo)體晶圓所產(chǎn)生的晶片上去除足夠的半導(dǎo)體材料，以改善晶片的抗撓抗彎強(qiáng)度。
便利地，分割設(shè)備被設(shè)置成用于分割硅晶圓。
有利地，蝕刻裝置被設(shè)置成用二氟化氙來(lái)進(jìn)行蝕刻。
優(yōu)選地，分割設(shè)備進(jìn)一步包括蝕刻腔，該蝕刻腔被設(shè)置成用于在蝕刻腔內(nèi)蝕刻被固定在載體裝置上的半導(dǎo)體晶圓。
優(yōu)選地，蝕刻腔被設(shè)置成用于周期地向蝕刻腔供應(yīng)自發(fā)性反應(yīng)蝕刻劑，和在多個(gè)周期內(nèi)清除蝕刻腔的自發(fā)性反應(yīng)蝕刻劑。
以下將通過(guò)參考附圖以舉例的方式來(lái)描述本發(fā)明，在附圖中

圖1是本發(fā)明第一實(shí)施例的示意性流程圖，該實(shí)施例包括有源側(cè)向上分割，之后進(jìn)行自發(fā)性反應(yīng)蝕刻；圖2是本發(fā)明第二實(shí)施例的示意性流程圖，該實(shí)施例包括有源面向上的部分分割，之后進(jìn)行通過(guò)自發(fā)性反應(yīng)蝕刻來(lái)進(jìn)行晶片釋放；圖3是以成功率為縱坐標(biāo)，而以晶片強(qiáng)度作為橫坐標(biāo)的曲線圖，該曲線圖是通過(guò)3點(diǎn)測(cè)試測(cè)量得到的關(guān)于根據(jù)本發(fā)明的激光切割控制晶圓和被蝕刻到各種程度的晶圓。
圖4是以成功率為縱坐標(biāo)，而以晶片強(qiáng)度作為橫坐標(biāo)的曲線圖，該曲線圖是通過(guò)3點(diǎn)測(cè)試測(cè)量得到的關(guān)于根據(jù)本發(fā)明的鋸刀切割控制晶圓和被蝕刻到各種程度的晶圓。
圖5是以成功率為縱坐標(biāo)，而以晶片強(qiáng)度作為橫坐標(biāo)的曲線圖，該曲線圖是通過(guò)4點(diǎn)測(cè)試測(cè)量得到的關(guān)于根據(jù)本發(fā)明的激光切割控制晶圓和被蝕刻到各種程度的晶圓。
圖6是以成功率為縱坐標(biāo)，而以晶片強(qiáng)度作為橫坐標(biāo)的曲線圖，該曲線圖是通過(guò)4點(diǎn)測(cè)試測(cè)量得到的關(guān)于根據(jù)本發(fā)明的鋸刀切割控制晶圓和被蝕刻到各種程度的晶圓。
圖7示出了根據(jù)本發(fā)明的激光切割控制晶圓和被蝕刻到各種程度的激光切割晶圓的側(cè)壁的顯微照片；圖8是根據(jù)本發(fā)明的鋸刀切割控制晶圓和被蝕刻到各種程度的鋸刀切割晶圓的側(cè)壁的顯微照片。
在各附圖中，相同的附圖標(biāo)記表示相同的部分。
參考圖1和圖2，標(biāo)準(zhǔn)分割帶12和帶框13上的硅晶圓11被固定在載體(未示出)上。使用激光或機(jī)械鋸在載體上分割晶圓，以產(chǎn)生分割后的晶圓111。激光可以是二極管泵浦的固態(tài)激光、模式鎖定激光或適合于機(jī)械加工半導(dǎo)體和其它材料的晶圓的任何其它激光。適合的激光波長(zhǎng)可以在從紅外到紫外的波長(zhǎng)范圍內(nèi)選擇。
分割后的晶圓111被放置在腔14中的載體上，腔14具有入口141和出口142。多次循環(huán)的二氟化氙(XeF2)或硅的任意其它自發(fā)性反應(yīng)蝕刻劑，通過(guò)入口141被輸入并通過(guò)出口142被清除，這種過(guò)程重復(fù)預(yù)定次循環(huán)并分別持續(xù)預(yù)定的時(shí)間?？商娲?，蝕刻可以作為連續(xù)的處理被執(zhí)行，但這已經(jīng)被發(fā)現(xiàn)會(huì)在蝕刻速率和蝕刻劑的使用方面效率較低。然后，將晶片從帶12上釋放，并將晶片固定到晶片墊板15上或另一個(gè)晶片上，以形成固定后的晶片16。
參考圖1，在本發(fā)明的第一實(shí)施例中，晶圓11的最上面具有有源層，分割晶圓11，隨后對(duì)其進(jìn)行自發(fā)性反應(yīng)蝕刻。晶圓11被有源層面向上地固定到帶12和帶框13上的晶圓載體上，即，以有源層遠(yuǎn)離載體的狀態(tài)。用載體上的機(jī)械分割鋸或激光切割鋸來(lái)分割晶圓，以形成有源側(cè)向上的分割后的晶圓111。分割后的晶圓111被面向上地放置在蝕刻腔14中，并且硅的自發(fā)性反應(yīng)蝕刻劑140通過(guò)入口141被輸入到腔14中，以持續(xù)接觸分割后的晶圓111預(yù)定長(zhǎng)的時(shí)間段。蝕刻劑可以是，但不限于XeF2，或者可以是氣體或者可以是液體。分割后的晶圓111被晶圓載體(未示出)保持在腔14中的位置，該晶圓載體可以由任意的彈性或非彈性材料制成，或者通過(guò)使用粘結(jié)層或者通過(guò)使用諸如物理的、電子的或真空夾具的機(jī)械裝置，將晶圓保持在適當(dāng)位置。晶圓載體可以是不透明的或是透光的。在蝕刻后，分離開(kāi)的蝕刻后的晶片16從載體被取下，并被固定到晶片墊板15或另一個(gè)晶片上。在該實(shí)施例中，有源層起到了對(duì)自發(fā)性反應(yīng)蝕刻劑的遮蔽作用，并且只有晶片的側(cè)壁被蝕刻以去除一層硅。對(duì)側(cè)壁的蝕刻改變了側(cè)壁的物理特性，從而增強(qiáng)了平均晶片強(qiáng)度，如用三點(diǎn)或四點(diǎn)測(cè)試對(duì)破壞性進(jìn)行的測(cè)量一樣。
參考圖2，在本發(fā)明的第二實(shí)施例中，最上面具有有源層的晶圓11的有源側(cè)向上地被固定在晶圓載體17上的帶12和帶框13上。晶圓載體17可以由任意的透光的彈性或非彈性材料制成，該材料適合通過(guò)使用粘結(jié)層或者通過(guò)諸如機(jī)械的、電子的或真空夾具的機(jī)械裝置，將晶圓保持在適當(dāng)位置。用機(jī)械分割鋸或激光切割鋸，沿著分割路線18，將晶圓11進(jìn)行部分地分割，以形成部分被分割的晶圓112。該部分被分割的晶圓112被面向上地放在蝕刻腔14中的載體17上，從而與硅的自發(fā)性反應(yīng)蝕刻劑140相接觸，直至蝕刻劑140已經(jīng)蝕刻掉分割路線中的硅的剩余部分為止。蝕刻劑可以是，但不限于是，XeF2，并且可以是氣體也可以是液體。同樣由于側(cè)壁的物理性質(zhì)的改變，晶片強(qiáng)度也被增強(qiáng)，因?yàn)楦骶笾峦瑫r(shí)被分割，避免了任何應(yīng)力的增加，而在傳統(tǒng)分割晶圓過(guò)程中可能會(huì)發(fā)生應(yīng)力增加。
本發(fā)明的處理提供了優(yōu)于諸如化學(xué)或等離子蝕刻的其它蝕刻處理的優(yōu)點(diǎn)，由于本發(fā)明的處理完全是一體的、干的、可控制的氣體處理，使得不需要專門的化學(xué)濕處理，并且在封閉的處理系統(tǒng)中使用了干凈、安全并且用戶友好的材料，這使得本發(fā)明非常適于自動(dòng)化。此外，由于自發(fā)性反應(yīng)蝕刻可以與分割并行地執(zhí)行，所以循環(huán)時(shí)間大約與分割處理時(shí)間量級(jí)相同，使得生產(chǎn)量不會(huì)受到限制。此外，本發(fā)明使用可兼容帶的蝕刻處理，該處理同樣兼容將來(lái)的晶圓固定，諸如，玻璃。另外，沒(méi)有如現(xiàn)有技術(shù)中那樣使用等離子，否則等離子的使用可能對(duì)敏感的電氣設(shè)備帶來(lái)電氣損害。最后，本發(fā)明提供了價(jià)廉的處理，該處理由于利用激光切割而提供了成本比傳統(tǒng)的分割處理更低的分割處理。
實(shí)例十個(gè)直徑為125mm厚度為180μm的硅晶圓被涂上標(biāo)準(zhǔn)的光刻膠。這些晶圓被分成如表1所示的兩組，其中五個(gè)晶圓經(jīng)過(guò)激光切割，五個(gè)晶圓經(jīng)過(guò)機(jī)械鋸的分割。
表1晶圓說(shuō)明
在分割之后，將各晶圓放置在腔中，并用XeF2蝕刻晶圓預(yù)定長(zhǎng)的時(shí)間。在這段時(shí)間之后，將腔抽空并凈化。這種蝕刻、抽空和凈化循環(huán)被重復(fù)設(shè)定的次數(shù)，以去除預(yù)定厚度的硅。表2中給出了所使用的循環(huán)的數(shù)目。
表2蝕刻參數(shù)
在各晶圓已被蝕刻之后，使用3點(diǎn)和4點(diǎn)抗撓抗彎強(qiáng)度測(cè)試來(lái)測(cè)量每個(gè)晶圓的晶片強(qiáng)度。
表3中列出了激光切割的晶圓的3點(diǎn)晶片強(qiáng)度測(cè)試的結(jié)果，表4列出了鋸切切割的晶圓而言的3點(diǎn)晶片強(qiáng)度測(cè)試的結(jié)果。圖3中示出了激光切割晶圓的具有四個(gè)不同蝕刻深度的控制晶圓的成功率進(jìn)行比較的相應(yīng)曲線圖，其中線31是關(guān)于未蝕刻的晶圓，線32是關(guān)于蝕刻深度為2μm的晶圓，線33是關(guān)于蝕刻深度為3μm的晶圓，線34是關(guān)于蝕刻深度為4μm的晶圓，線35是關(guān)于蝕刻深度為25μm的晶圓，并且，圖4示出了鋸刀切割晶圓的各相應(yīng)曲線圖，其中線41是關(guān)于未經(jīng)蝕刻的晶圓，線42是關(guān)于蝕刻深度為2μm的晶圓，線43是關(guān)于蝕刻深度為3μm的晶圓，線44是關(guān)于蝕刻深度為4μm的晶圓，線45是關(guān)于蝕刻深度為25μm的晶圓?？梢钥吹剑瑢?duì)于激光切割和鋸刀切割的晶圓而言，通過(guò)3點(diǎn)測(cè)試測(cè)量出的抗撓強(qiáng)度都通常隨著蝕刻深度而增加。
表3激光切割晶圓3點(diǎn)晶片強(qiáng)度測(cè)試
表4鋸刀切割晶圓3點(diǎn)晶片強(qiáng)度測(cè)試
表5和表6列出了4點(diǎn)晶片強(qiáng)度測(cè)試的結(jié)果。圖5中示出了激光切割的晶圓的控制晶圓的成功率和四種不同蝕刻測(cè)試進(jìn)行比較的相應(yīng)曲線圖，其中線51是關(guān)于未經(jīng)蝕刻的晶圓，線52是關(guān)于蝕刻深度為2μm的晶圓，線53是關(guān)于蝕刻深度為3μm的晶圓，線54是關(guān)于蝕刻深度為4μm的晶圓，線55是關(guān)于蝕刻深度為25μm的晶圓，并且，圖6示出了鋸刀切割的晶圓的相應(yīng)曲線圖，其中線61是關(guān)于未蝕刻的晶圓，線62是關(guān)于蝕刻深度為2μm的晶圓，線63是關(guān)于蝕刻深度為3μm的晶圓，線64是關(guān)于蝕刻深度為4μm的晶圓?？梢钥吹剑瑢?duì)于激光切割和鋸刀切割的晶圓而言，通過(guò)4點(diǎn)測(cè)試測(cè)量出的抗撓強(qiáng)度通常都隨著蝕刻深度而增加。
表5激光切割晶圓4點(diǎn)晶片強(qiáng)度測(cè)試
表6鋸刀切割晶圓 4點(diǎn)晶片強(qiáng)度測(cè)試
圖7和圖8分別示出了激光切割和鋸刀切割的晶圓的SEM圖像。圖7(a)示出了x200放大倍數(shù)的激光切割的未蝕刻的晶片角，圖7(b)示出了x800放大倍數(shù)的激光切割的未蝕刻的晶片側(cè)壁，圖7(c)示出了x250放大倍數(shù)的激光切割的并被蝕刻4μm的晶片角，圖7(d)示出了x600放大倍數(shù)的激光切割的并被蝕刻4μm的晶片側(cè)壁，圖7(e)示出了x250放大倍數(shù)的激光切割的并被蝕刻25μm的晶片角，圖7(f)示出了x700放大倍數(shù)的激光切割的并被蝕刻25μm的晶片側(cè)壁。圖8(a)示出了x400放大倍數(shù)的鋸刀切割的未蝕刻的晶片角，圖8(b)示出了x300放大倍數(shù)的鋸刀切割的未蝕刻的側(cè)壁，圖8(c)示出了x300放大倍數(shù)的鋸刀切割的并被蝕刻4μm的晶片角，圖8(d)示出了x300放大倍數(shù)的被無(wú)抗蝕劑地蝕刻4μm的鋸刀切割的側(cè)壁，圖8(e)示出了x500放大倍數(shù)的鋸刀切割的并被蝕刻25μm的晶片角，圖8(f)示出了x300放大倍數(shù)的鋸刀切割的并被蝕刻25μm的晶片側(cè)壁。
對(duì)于3點(diǎn)和4點(diǎn)測(cè)試這二者而言，都可以看到，對(duì)于鋸刀切割和激光切割的晶片，平均看來(lái)蝕刻后的晶片具有比未蝕刻的晶片更高的抗撓強(qiáng)度，并且抗撓強(qiáng)度隨著蝕刻(蝕刻范圍為2μm到25μm)的深度的而增強(qiáng)。
盡管本發(fā)明已被描述為與硅和二氟化氙有關(guān)，但可以理解，可以對(duì)硅或另一種半導(dǎo)體使用如鹵化物或氫化物等的任意一種適當(dāng)?shù)囊后w或氣體自發(fā)性反應(yīng)蝕刻劑，例如，F(xiàn)2，Cl2，HCl或HBr。
權(quán)利要求
1.一種對(duì)具有有源層的半導(dǎo)體晶圓(11)進(jìn)行分割的方法，包括以下步驟a.將所述半導(dǎo)體晶圓固定在載體(13)上，使所述有源層遠(yuǎn)離所述載體；b.從所述半導(dǎo)體晶圓的主表面開(kāi)始，至少部分地分割所述載體上的所述半導(dǎo)體晶圓，以形成至少部分被分割的半導(dǎo)體晶圓(111)；和c.用自發(fā)性反應(yīng)蝕刻劑(140)，從所述主表面開(kāi)始，對(duì)所述載體上的所述至少部分被分割的半導(dǎo)體晶圓進(jìn)行蝕刻，以從所述至少部分地被分割的半導(dǎo)體晶圓所生成的晶片(16)上去除足夠的半導(dǎo)體材料，以改善所述晶片的抗撓抗彎強(qiáng)度。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述至少部分地分割所述半導(dǎo)體晶圓的步驟包括，完全貫穿所述半導(dǎo)體晶圓地分割所述半導(dǎo)體晶圓；并且，所述蝕刻所述半導(dǎo)體晶圓的步驟包括，蝕刻所述晶片的側(cè)壁，所述晶片的剩余部分由所述晶片上的所述有源層部分遮蔽，從而不受到所述自發(fā)性反應(yīng)蝕刻劑的作用。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述至少部分地分割所述半導(dǎo)體晶圓的步驟包括，沿分割路線(18)部分地分割所述半導(dǎo)體晶圓，留下跨接所述分割路線的半導(dǎo)體材料部分；并且，所述蝕刻所述半導(dǎo)體晶圓的步驟包括，蝕刻所述分割路線的側(cè)壁并蝕刻掉跨接所述分割路線的所述半導(dǎo)體材料部分，以分離出所述晶片。
4.如以上權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述半導(dǎo)體晶圓是硅晶圓。
5.如以上權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述用自發(fā)性反應(yīng)蝕刻劑進(jìn)行蝕刻的步驟包括，用二氟化氙進(jìn)行蝕刻。
6.如以上權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述用自發(fā)性反應(yīng)蝕刻劑進(jìn)行蝕刻的步驟包括，提供蝕刻腔(14)，并在所述蝕刻腔內(nèi)蝕刻所述半導(dǎo)體晶圓。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述在所述蝕刻腔內(nèi)用自發(fā)性反應(yīng)蝕刻劑進(jìn)行蝕刻的步驟包括，周期性地向所述蝕刻腔供應(yīng)自發(fā)性反應(yīng)蝕刻劑，和在多個(gè)周期內(nèi)清除所述蝕刻腔中的自發(fā)性反應(yīng)蝕刻劑。
8.一種用于對(duì)具有有源層的半導(dǎo)體晶圓(11)進(jìn)行分割的分割設(shè)備，包括a.載體裝置(13)，所述半導(dǎo)體晶圓在所述有源層遠(yuǎn)離所述載體的狀態(tài)下固定到所述載體裝置上；b.激光或機(jī)械鋸刀裝置，其被設(shè)置成用于從所述半導(dǎo)體晶圓的主表面開(kāi)始，至少部分地分割所述載體上的所述半導(dǎo)體晶圓，以形成至少部分地被分割的半導(dǎo)體晶圓；和c.蝕刻裝置，其被設(shè)置成用自發(fā)性反應(yīng)蝕刻劑(140)從所述主表面開(kāi)始對(duì)所述載體上的所述至少部分地被分割的半導(dǎo)體晶圓進(jìn)行蝕刻，以從所述至少部分地被分割的半導(dǎo)體晶圓所生成的晶片(16)上去除足夠的半導(dǎo)體材料，從而改善所述晶片的抗撓抗彎強(qiáng)度。
9.如權(quán)利要求8所述的分割設(shè)備，其中，所述分割設(shè)備被設(shè)置成分割硅晶圓。
10.如權(quán)利要求8或9所述的分割設(shè)備，其中，所述蝕刻裝置被設(shè)置成用二氟化氙進(jìn)行蝕刻。
11.如權(quán)利要求8至10中任一項(xiàng)所述的分割設(shè)備，其中，所述分割設(shè)備進(jìn)一步包括蝕刻腔(14)，所述蝕刻腔被設(shè)置成用于在所述蝕刻腔內(nèi)對(duì)固定在所述載體裝置上的所述半導(dǎo)體晶圓進(jìn)行蝕刻。
12.如權(quán)利要求8至10中任一項(xiàng)所述的分割設(shè)備，其中，所述蝕刻腔被設(shè)置成周期性地向所述蝕刻腔供應(yīng)自發(fā)性反應(yīng)蝕刻劑，并在多個(gè)周期內(nèi)清除所述蝕刻腔中的自發(fā)性反應(yīng)蝕刻劑。
全文摘要
將具有有源層的半導(dǎo)體晶圓11在有源層遠(yuǎn)離載體13的狀態(tài)下固定到載體上，并從半導(dǎo)體晶圓的主表面開(kāi)始，在載體上至少部分地分割該半導(dǎo)體晶圓。用自發(fā)性反應(yīng)蝕刻劑140從該主表面開(kāi)始在載體上蝕刻至少部分地被分割的半導(dǎo)體晶圓，以從由至少部分地被分割的半導(dǎo)體晶圓生成的晶片上去除足夠的半導(dǎo)體材料，通過(guò)消除至少一些由于分割而造成的缺陷來(lái)改善晶片的抗撓抗彎強(qiáng)度。
文檔編號(hào)H01L21/3065GK101088157SQ200580044175
公開(kāi)日2007年12月12日 申請(qǐng)日期2005年11月1日 優(yōu)先權(quán)日2004年11月1日
發(fā)明者A·博伊爾, D·吉倫, K·鄧恩, E·費(fèi)爾南德斯戈麥斯, R·托夫尼斯 申請(qǐng)人:Xsil技術(shù)有限公司