專利名稱：半導(dǎo)體裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于提高半導(dǎo)體裝置的成品率及可靠性的技術(shù)。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，作為封裝技術(shù)，CSP(Chip Size Package芯片尺寸封裝)正在受到人們關(guān)注。所謂CSP是指，具有與半導(dǎo)體芯片的外形尺寸大致相同大小的小型封裝件。目前，作為CSP之一種，公知有BGA(Ball Grid Array球柵陣列)型半導(dǎo)體裝置。該BGA型半導(dǎo)體裝置在封裝件的一主面上格子狀排列多個(gè)由焊錫等金屬部件構(gòu)成的球狀導(dǎo)電端子，并且將其與形成于封裝件的另一面上的半導(dǎo)體芯片電連接。
而且，在將該BGA型半導(dǎo)體裝置組裝到電子設(shè)備中時(shí)，通過(guò)將各導(dǎo)電端子壓裝在印刷線路板的配線圖案上，將半導(dǎo)體芯片和搭載于印刷線路板上的外部電路電連接。
這樣的BGA型半導(dǎo)體裝置與具有向側(cè)部突出的引腳的SOP(SmallOutline Package小外形封裝)及QFP(Quad Flat Package四方扁平封裝)等其它CSP型半導(dǎo)體裝置相比，具有可設(shè)置多個(gè)導(dǎo)電端子且可小型化的優(yōu)點(diǎn)。該BGA型半導(dǎo)體裝置具有作為例如在手機(jī)中搭載的數(shù)碼相機(jī)的圖像傳感器芯片的用途。
圖10是構(gòu)成現(xiàn)有的BGA型半導(dǎo)體裝置的概略結(jié)構(gòu)的圖，圖10(a)是該BGA型半導(dǎo)體裝置表面?zhèn)鹊牧Ⅲw圖。另外，圖10(b)是該BGA型半導(dǎo)體裝置背面?zhèn)鹊牧Ⅲw圖。
BGA型半導(dǎo)體裝置100中，在第一及第二玻璃襯底104a、104b之間，夾著樹(shù)脂105a、105b而密封有半導(dǎo)體芯片101。在第二玻璃襯底104b的一主面上，即BGA型半導(dǎo)體裝置100的背面上格子狀配置有多個(gè)球狀端子(以下稱為導(dǎo)電端子111)。該導(dǎo)電端子111通過(guò)第二配線109向半導(dǎo)體芯片1連接。在多個(gè)第二配線109上分別連接有從半導(dǎo)體芯片101內(nèi)部引出的鋁配線，進(jìn)行各導(dǎo)電端子111和半導(dǎo)體芯片101的電連接。
參照?qǐng)D11進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明該BGA型半導(dǎo)體裝置100的剖面結(jié)構(gòu)。圖11表示沿分界(也稱作劃線或切割線)分割成各個(gè)芯片的BGA型半導(dǎo)體裝置100的剖面圖。
如圖11所示，在配置于上述半導(dǎo)體芯片101表面的絕緣膜102上設(shè)有第一配線103。該半導(dǎo)體芯片101通過(guò)樹(shù)脂105a與第一玻璃襯底104a粘接。另外，該半導(dǎo)體芯片101的背面通過(guò)樹(shù)脂105b與第二玻璃襯底104b粘接。而且，第一配線103的一端與第二配線109連接。該第二配線109從第一配線103的一端延伸到第二玻璃襯底104b的表面。而且，在延伸到第二玻璃襯底104b上的第二配線109上形成有球狀的導(dǎo)電端子111。
上述的技術(shù)被記載于下面的專利文獻(xiàn)1中。
另外，不使用半導(dǎo)體晶圓背面?zhèn)鹊牡诙Ａбr底的技術(shù)已被記載于本申請(qǐng)人在先發(fā)明的如下專利文獻(xiàn)2中。
特別是關(guān)于在半導(dǎo)體芯片上粘接有一個(gè)支承體時(shí)的BGA型半導(dǎo)體裝置的制造方法，參照附圖進(jìn)行說(shuō)明。
圖12～圖14是表示可適用于圖像傳感器芯片的現(xiàn)有例的BGA型半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖面圖。
首先，如圖12所示，在半導(dǎo)體襯底30上的表面上，隔著由氧化硅膜或氮化硅膜構(gòu)成的第一絕緣膜31形成由鋁層或鋁合金層構(gòu)成的第一配線32。而且，在包含第一配線32的半導(dǎo)體襯底30上，通過(guò)由環(huán)氧樹(shù)脂構(gòu)成的粘接劑33粘接例如玻璃襯底34。
其次，如圖13所示，在與第一配線32對(duì)應(yīng)的半導(dǎo)體襯底30的背面形成具有開(kāi)口部的抗蝕膜(未圖示)，以該抗蝕膜為掩模對(duì)半導(dǎo)體襯底30進(jìn)行干式蝕刻，進(jìn)而蝕刻絕緣膜31，形成從半導(dǎo)體襯底30的背面到達(dá)第一配線32的開(kāi)口35。
而且，在包含開(kāi)口35在內(nèi)的半導(dǎo)體襯底30的背面形成第二絕緣膜36，蝕刻該第二絕緣膜36，使上述第一配線32的表面露出，然后，如圖14所示，隔著該第二絕緣膜36形成與上述第一配線32連接的配線層37。進(jìn)而，在配線層37上形成保護(hù)層(未圖示)，在保護(hù)層的規(guī)定位置設(shè)置開(kāi)口，形成與配線層接觸的球狀端子38。
然后，圖中未圖示，將半導(dǎo)體襯底及層積于其上的上述各層切斷，分離成各個(gè)半導(dǎo)體芯片。這樣，形成將第一配線32和球狀端子38電連接的BGA型半導(dǎo)體裝置。
專利文獻(xiàn)1專利公表2002-512436號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2特開(kāi)2004-80006號(hào)公報(bào)但是，在上述半導(dǎo)體裝置的制造過(guò)程中，由于上述第二絕緣膜36成膜時(shí)的狀態(tài)，及在該第二絕緣膜36成膜后為使第一配線32表面露出而進(jìn)行的蝕刻第二絕緣膜36時(shí)的狀態(tài)，而存在如下問(wèn)題，即，例如圖14所示，通過(guò)將第二絕緣膜36的膜厚減薄而使絕緣耐壓性降低，或通過(guò)使處理藥劑等經(jīng)由上述開(kāi)口35從硅端部浸入半導(dǎo)體裝置內(nèi)部而在上述第一配線32上產(chǎn)生腐蝕。特別是如圖14所示，由于向開(kāi)口35的底部及側(cè)壁部形成絕緣膜的成膜膜厚比半導(dǎo)體襯底30的背面薄，故存在有包覆不良的位置A。
因此，可能會(huì)對(duì)制造后侵入水分等的耐性降低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置，包括第一配線，其隔著第一絕緣膜形成于半導(dǎo)體芯片的第一主面上；第一開(kāi)口部，其使所述第一絕緣膜從所述半導(dǎo)體芯片的第二主面露出；第二開(kāi)口部，其使所述第一配線的表面從所述半導(dǎo)體芯片的第二主面露出，并且具有比所述第一開(kāi)口部的開(kāi)口直徑小的開(kāi)口直徑；第二絕緣膜，其形成于所述第一及第二開(kāi)口部的表面；第二配線，其通過(guò)所述第一及第二開(kāi)口部，與所述第一配線電連接。
另外，還具有粘接在所述半導(dǎo)體芯片的第一主面上的支承體。
另外，所述第二絕緣膜為無(wú)機(jī)或有機(jī)絕緣膜，或者為將它們層積形成的結(jié)構(gòu)。
另外，還具有與所述第二配線連接的球狀端子。
本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其包括如下工序準(zhǔn)備介由第一絕緣膜形成有第一配線的半導(dǎo)體襯底，從所述半導(dǎo)體襯底背面蝕刻該半導(dǎo)體襯底，形成使所述第一絕緣膜露出的第一開(kāi)口；對(duì)從所述第一開(kāi)口露出的所述第一絕緣膜進(jìn)行蝕刻，形成使所述第一配線露出的第二開(kāi)口；蝕刻所述半導(dǎo)體襯底，形成具有比所述第一開(kāi)口的開(kāi)口直徑寬的開(kāi)口直徑的第三開(kāi)口；介由所述第二及第三開(kāi)口在包含所述第一配線的半導(dǎo)體襯底背面形成第二絕緣膜；對(duì)包覆所述第一配線的第二絕緣膜進(jìn)行蝕刻；介由所述第二絕緣膜在第二及第三開(kāi)口內(nèi)形成與所述第一配線連接的第二配線。
另外，具有在所述半導(dǎo)體襯底上粘接支承體，以將所述第一配線之上包覆的工序。
另外，形成所述第二絕緣膜的工序?yàn)樾纬蔁o(wú)機(jī)或有機(jī)絕緣膜的工序、或?qū)⑺鼈儗臃e形成的工序。
蝕刻所述第二絕緣膜的工序是以抗蝕膜為掩模進(jìn)行蝕刻的工序。
蝕刻所述第二絕緣膜的工序是不使用抗蝕膜為掩模的蝕刻工序。
另外，還具有形成與所述第二配線連接的球狀端子的工序。
而且，具有將所述半導(dǎo)體襯底分割成多個(gè)半導(dǎo)體芯片的工序。
根據(jù)本發(fā)明，在對(duì)半導(dǎo)體襯底和第一絕緣膜進(jìn)行蝕刻而形成使第一配線露出的第一及第二開(kāi)口后，蝕刻所述半導(dǎo)體襯底，形成具有比該第一開(kāi)口的開(kāi)口直徑寬的開(kāi)口直徑的第三開(kāi)口，由此，在之后的對(duì)第二絕緣膜進(jìn)行構(gòu)圖的工序中，已被構(gòu)圖了的第二絕緣膜的蝕刻端部存在于第一絕緣膜上，使絕緣耐性提高，同時(shí)，可抑止制造過(guò)程中藥劑等從硅端部浸入以及制造后的水分等的浸入，并且可抑止對(duì)第一配線的腐蝕的產(chǎn)生。


圖1是表示本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖面圖；圖2是表示本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖面圖；圖3是表示本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖面圖；圖4是表示本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖面圖；圖5是表示本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖面圖；圖6是表示本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖面圖；圖7是表示本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖面圖；圖8是表示本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖面圖；圖8(a)是表示本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖面圖；圖9是表示本發(fā)明其它實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖面圖；圖10(a)、(b)是表示現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置的立體圖；圖11是表示現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖面圖；圖12是表示現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖面圖；圖13是表示現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖面圖；圖14是表示現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖面圖。
符號(hào)說(shuō)明1半導(dǎo)體襯底2第一絕緣膜3第一配線4粘接劑5支承體6第一抗蝕膜7第一開(kāi)口8第二開(kāi)口9第三開(kāi)口10第二絕緣膜10a無(wú)機(jī)絕緣膜10b有機(jī)絕緣膜11第二抗蝕膜12第二配線13保護(hù)膜14球狀端子具體實(shí)施方式
下面，參照?qǐng)D1～圖9說(shuō)明采用本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。
圖1～圖9是表示可適用于圖像傳感器芯片的BGA型半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖面圖。
首先，如圖1所示，準(zhǔn)備例如由硅等半導(dǎo)體晶圓構(gòu)成的半導(dǎo)體襯底1。該半導(dǎo)體襯底1是利用半導(dǎo)體工藝形成例如CCD的圖像傳感器及半導(dǎo)體存儲(chǔ)器等器件的襯底。在該半導(dǎo)體襯底1的表面，隔著例如由氧化硅膜及氮化硅膜等構(gòu)成的第一絕緣膜2而形成由鋁、鋁合金或銅等構(gòu)成的第一配線3。在此，上述第一配線3是外部連接用的焊盤電極，其與半導(dǎo)體裝置的未圖示的電路電連接。另外，包含上述第一配線3的半導(dǎo)體襯底1之上被例如由氧化硅膜及氮化硅膜等構(gòu)成的鈍化膜包覆。
而且，在包含上述第一配線3的半導(dǎo)體襯底1之上，通過(guò)由環(huán)氧樹(shù)脂等構(gòu)成的透明粘接劑4粘接支承體5。支承體5可以是例如薄膜狀的保護(hù)帶，也可以是玻璃、石英、陶瓷、塑料、金屬、樹(shù)脂等。另外，作為所述粘接劑4，如果不是所述圖像傳感器用途，則沒(méi)有透明的必要，無(wú)論是透明還是不透明，都可以使用抗蝕樹(shù)脂及丙稀樹(shù)脂等。
其次，在與第一配線3對(duì)應(yīng)的半導(dǎo)體襯底1的背面形成具有開(kāi)口部的第一抗蝕膜6，如圖2所示，以該抗蝕膜6為掩模，對(duì)上述半導(dǎo)體襯底1進(jìn)行干式蝕刻，形成使上述第一絕緣膜2從半導(dǎo)體襯底1的背面露出的第一開(kāi)口7。
然后，如圖3所示，在除去上述抗蝕膜6后，對(duì)從上述第一開(kāi)口7露出的上述絕緣膜2進(jìn)行蝕刻，形成使上述第一配線3的表面露出的第二開(kāi)口8。另外，也可以在形成上述第二開(kāi)口8后，將該抗蝕膜6除去。
之后，如圖4所示，蝕刻上述半導(dǎo)體襯底1，形成具有比上述第一開(kāi)口7的開(kāi)口直徑寬的開(kāi)口直徑的第三開(kāi)口9。在此，在本實(shí)施例中，第三開(kāi)口9的上部開(kāi)口直徑約為150μm，底部開(kāi)口直徑約為60μm，而且，第二開(kāi)口8的開(kāi)口直徑約為30μm。
接下來(lái)，如圖5所示，介由上述第二及第三開(kāi)口8、9，在包含上述第一配線3的半導(dǎo)體襯底1的背面形成第二絕緣膜10。在此，在本實(shí)施例中，將無(wú)機(jī)絕緣膜形成為該第二絕緣膜10。作為該無(wú)機(jī)絕緣膜，形成例如由低溫CVD(Chemical Vapor Deposition化學(xué)氣相淀積法)法得到的TEOS膜。在此，無(wú)機(jī)絕緣膜通常其包覆性好，且可實(shí)現(xiàn)在三維結(jié)構(gòu)下也穩(wěn)定的包覆形狀。另外，在本工序中形成的絕緣膜不限于無(wú)機(jī)絕緣膜，也可以為例如環(huán)氧類樹(shù)脂的有機(jī)絕緣膜。在此，有機(jī)絕緣膜通常其表面光滑，對(duì)提高在其上成膜的金屬膜(后述的第二配線12)的包覆性是有效的。
其次，如圖6所示，以形成于上述半導(dǎo)體襯底1背面的第二抗蝕膜11為掩模，對(duì)包覆上述第一配線3的第二絕緣膜10進(jìn)行蝕刻，使該第一配線3露出。
另外，在形成上述第二絕緣膜10的工序中，也可以如圖9所示形成無(wú)機(jī)絕緣膜10a，然后形成有機(jī)絕緣膜10b，對(duì)它們的層積膜進(jìn)行蝕刻而使上述第一配線3露出。由此，兼有上述的無(wú)機(jī)絕緣膜和有機(jī)絕緣膜的各自的優(yōu)點(diǎn)，且通過(guò)采用層積結(jié)構(gòu)可謀求耐壓的提高。
在此，在上述第二絕緣膜10、無(wú)機(jī)絕緣膜10a及有機(jī)絕緣膜10b的蝕刻工序中，在本實(shí)施例中使用抗蝕膜11進(jìn)行構(gòu)圖，但本發(fā)明不限于此，也可以通過(guò)利用例如在上述第二、第三開(kāi)口8、9的底部、側(cè)壁部、半導(dǎo)體襯底1表面成膜的該絕緣膜10、10a、10b的膜厚之差進(jìn)行，而不使用抗蝕膜為掩模。即，上述絕緣膜10、10a、10b的膜厚中，半導(dǎo)體襯底1的表面最厚，隨著從該半導(dǎo)體襯底1向側(cè)壁部、從側(cè)壁部向底部而逐漸變薄，利用這樣的趨勢(shì)，即使將在底部成膜的上述絕緣膜10、10a、10b去除而使第一配線3露出，也可以使在上述側(cè)壁部及半導(dǎo)體襯底1表面上成膜的該絕緣膜10、10a、10b殘留，由此，可以無(wú)掩模地進(jìn)行蝕刻，謀求工藝的合理化。
在本發(fā)明中，通過(guò)在蝕刻半導(dǎo)體襯底1和第一絕緣膜2，形成使第一配線3露出的第一及第二開(kāi)口7、8后，蝕刻上述半導(dǎo)體襯底1，形成具有比該第一開(kāi)口7的開(kāi)口直徑寬的開(kāi)口直徑的第三開(kāi)口9，從而如圖6所示，對(duì)形成于上述第二、第三開(kāi)口8、9上的第二絕緣膜10、10a、10b進(jìn)行構(gòu)圖時(shí)的第二絕緣膜的構(gòu)圖端部至少存在于第一絕緣膜2上，故能夠抑制由于現(xiàn)有這樣的絕緣膜的包覆不充分而使絕緣耐性降低的問(wèn)題，還可抑止制造過(guò)程中藥劑等從硅端部浸入或制造后水分等侵入，將第一配線3等腐蝕的問(wèn)題。
其次，在除去上述抗蝕膜11后，如圖7所示，形成隔著上述第二絕緣膜10在第二及第三開(kāi)口8、9內(nèi)與上述第一配線3電連接的第二配線12。另外，在本實(shí)施例中，作為第二配線12，使用例如濺射法形成鋁、鋁合金等，或使用鍍敷法形成銅等。換言之，省略圖示的說(shuō)明，但在第二配線12下形成有由氮化鈦(TiN)膜構(gòu)成的勢(shì)壘膜。另外，上述勢(shì)壘膜也可以為鈦(Ti) 膜及鉭(Ta)膜等高熔點(diǎn)金屬和作為其化合物的鈦鎢(TiW)膜、氮化鉭(TaN)膜、以及上述各種膜的層積膜。另外，在形成由銅構(gòu)成的鍍敷膜的情況下，在上述勢(shì)壘膜上形成鍍敷用的籽晶膜(例如銅)，并在該籽晶膜上進(jìn)行鍍敷處理，形成由銅構(gòu)成的配線層。另外，既可以對(duì)該配線層進(jìn)行構(gòu)圖，也可以不對(duì)其進(jìn)行構(gòu)圖。
其次，如圖8所示，在上述第二配線12上形成保護(hù)膜13，在該保護(hù)膜13的規(guī)定位置設(shè)置開(kāi)口，形成與該第二配線12接觸的球狀端子14。在此，也可以為如下結(jié)構(gòu)，即，上述第二配線12僅在第二及第三開(kāi)口8、9內(nèi)形成，而沒(méi)有延伸到半導(dǎo)體襯底1的背面，且在該第二及第三開(kāi)口8、9上將第二配線12和球狀端子14連接。
然后，省略圖示的說(shuō)明，將半導(dǎo)體襯底及層積于其上的上述各層切斷，分離成各個(gè)半導(dǎo)體芯片。這樣，形成將第一配線3和球狀端子14電連接的BGA型半導(dǎo)體裝置。
另外，本實(shí)施例對(duì)適用于形成有球狀端子14的半導(dǎo)體裝置的情況進(jìn)行了說(shuō)明，但本發(fā)明不限于此，例如若形成貫通半導(dǎo)體襯底的開(kāi)口部的結(jié)構(gòu)，則也可以適用于未形成球狀端子的半導(dǎo)體裝置，例如也適用于LGA(LandGrid Array焊盤陣列)型半導(dǎo)體裝置。另外，以上的實(shí)施例中關(guān)于在半導(dǎo)體1的表面粘貼有支承體5的實(shí)施方式進(jìn)行了說(shuō)明，但也可以適用于圖8(a)所示地不使用支承體5的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。圖8(a)中，具有所述第一配線3的半導(dǎo)體襯底1之上被由絕緣體構(gòu)成的保護(hù)膜15(例如鈍化膜或?qū)⑩g化膜與聚酰亞胺樹(shù)脂膜層積的膜)包覆。另外，在圖8(a)中，保護(hù)膜15完全包覆第一配線3，但該保護(hù)膜15也可以包覆第一配線3的一部分之上，使第一配線3局部露出。并且，在該露出的第一配線3之上進(jìn)行引線接合、形成突起電極(バンプ電極)或者使該半導(dǎo)體裝置與其他半導(dǎo)體裝置層積的用途下使用時(shí)，也可以將所述第一配線3與其他半導(dǎo)體裝置的導(dǎo)電端子連接。換言之，即使是圖9所示的實(shí)施例，也同樣適用于不使用支承體5的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具有第一配線，其隔著第一絕緣膜形成在半導(dǎo)體芯片的第一主面上；第一開(kāi)口部，其使所述第一絕緣膜從所述半導(dǎo)體芯片的第二主面露出；第二開(kāi)口部，其使所述第一配線的表面從所述半導(dǎo)體芯片的第二主面露出，并且具有比所述第一開(kāi)口部的開(kāi)口直徑小的開(kāi)口直徑；第二絕緣膜，其形成于所述第一及第二開(kāi)口部的表面；第二配線，其通過(guò)所述第一及第二開(kāi)口部，與所述第一配線電連接。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具有粘接在所述半導(dǎo)體芯片的第一主面上的支承體。
3.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第二絕緣膜為無(wú)機(jī)或有機(jī)絕緣膜、或者是將它們層積形成的結(jié)構(gòu)。
4.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具有與所述第二配線連接的球狀端子。
5.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，具有準(zhǔn)備介由第一絕緣膜而形成有第一配線的半導(dǎo)體襯底，從所述半導(dǎo)體襯底背面蝕刻該半導(dǎo)體襯底，形成使所述第一絕緣膜露出的第一開(kāi)口的工序；對(duì)從所述第一開(kāi)口露出的所述第一絕緣膜進(jìn)行蝕刻，形成使所述第一配線露出的第二開(kāi)口的工序；蝕刻所述半導(dǎo)體襯底，形成具有比所述第一開(kāi)口的開(kāi)口直徑寬的開(kāi)口直徑的第三開(kāi)口的工序；介由所述第二及第三開(kāi)口在包含所述第一配線的半導(dǎo)體襯底背面形成第二絕緣膜的工序；對(duì)包覆所述第一配線的第二絕緣膜進(jìn)行蝕刻的工序；介由所述第二絕緣膜在第二及第三開(kāi)口內(nèi)形成與所述第一配線連接的第二配線的工序。
6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，具有在所述半導(dǎo)體襯底上粘接支承體，以將所述第一配線之上包覆的工序。
7.如權(quán)利要求5或6所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，形成所述第二絕緣膜的工序?yàn)樾纬蔁o(wú)機(jī)或有機(jī)絕緣膜的工序，或者是將它們層積形成的工序。
8.如權(quán)利要求5或6所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，蝕刻所述第二絕緣膜的工序是以抗蝕膜為掩模進(jìn)行蝕刻的工序。
9.如權(quán)利要求5或6所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，蝕刻所述第二絕緣膜的工序是不使用抗蝕膜為掩模的蝕刻工序。
10.如權(quán)利要求5或6所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，具有形成與所述第二配線連接的球狀端子的工序。
11.如權(quán)利要求5或6所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，具有將所述半導(dǎo)體襯底分割成多個(gè)半導(dǎo)體芯片的工序。
全文摘要
一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，抑止半導(dǎo)體裝置的腐蝕。本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法具有如下工序，相對(duì)隔著第一絕緣膜(2)形成于半導(dǎo)體襯底(1)上的第一配線3，從上述半導(dǎo)體襯底背面蝕刻該半導(dǎo)體襯底(1)，形成使上述絕緣膜(2)露出的第一開(kāi)口部(7)。其次，在對(duì)從上述第一開(kāi)口(7)露出的上述絕緣膜(2)進(jìn)行蝕刻而形成使上述第一配線(3)露出的第二開(kāi)口(8)后，對(duì)上述半導(dǎo)體襯底(1)進(jìn)行蝕刻，形成具有比上述第一開(kāi)口(7)的開(kāi)口直徑寬的開(kāi)口直徑的第三開(kāi)口(9)。然后，在介由上述第二及第三開(kāi)口(8、9)在包含上述第一配線(3)的半導(dǎo)體襯底背面形成第二絕緣膜(10)后，對(duì)包覆上述第一配線(3)的第二絕緣膜(10)進(jìn)行蝕刻。
文檔編號(hào)H01L21/60GK1828883SQ20061000420
公開(kāi)日2006年9月6日 申請(qǐng)日期2006年1月28日 優(yōu)先權(quán)日2005年1月31日
發(fā)明者金森寬, 大塚茂樹(shù), 森田佑一, 鈴木彰 申請(qǐng)人:三洋電機(jī)株式會(huì)社