專利名稱：電光學裝置及其制造方法、以及電子儀器的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及例如有機EL裝置等電光學裝置及其制造方法、以及具備這種電光學裝置的各種電子儀器。
背景技術：
在由有機EL元件或硅發(fā)光元件等固體薄膜構成、并用TFT等有源元件驅動·控制的電光學裝置中，電光學元件的電極或電源配線由薄膜構成。因此，即使采用低電阻的金屬材料來形成這些電極或電源配線，隨著電光學裝置大型化或高輸出(亮度)化，電極或電源配線的電阻也會使電源電壓降低，對電光學元件的動作特性造成影響。在電光學裝置為對從圖像顯示區(qū)域的端部開始、在整個區(qū)域內排列為矩陣狀的多個像素進行電源供給的有源驅動型顯示裝置的情況下，在圖像顯示區(qū)域的中央附近等、距電源端子的距離遠的地方，電壓降變大。結果是，在圖像顯示區(qū)域內容易發(fā)生亮度不均。
在圖6中例示現有構成的全白顯示時的圖像整體的亮度降低率，在圖7中例示亮度不均的發(fā)生例。在大型化HDTV這樣的高分辨率的自發(fā)光顯示裝置、以實現高圖像質量的顯示的情況下，希望畫面中央與畫面邊緣的亮度差為3～2％以下。例如，即使各像素的發(fā)光元件電流在15μA以下，由于在對角40英寸以上的顯示裝置中，電源電流也會成為安培指令(ampere order)，故謀求向各列像素供給電力的電源配線的電阻為11Ω以下、電源電壓降為0.2V以下。另外，如圖7所示，在圖像顯示區(qū)域的整個區(qū)域中，在以紅色為背景、在中央顯示白色的四角的情況下，因為上述的亮度不均，白色四角的左右產生明亮的紅色區(qū)域，并且在白色四角的上下產生昏暗的紅色區(qū)域。
因此，在想要適用于有機EL裝置這樣的有源驅動型的薄膜自發(fā)光裝置并大型化的情況下，無法單純地加厚(電源)配線。能夠由能經濟地平坦化的階差的制約而形成的膜厚最多不過200～300nm。進而，在想要實現全彩色的情況下，各列像素電源配線的寬度需要設為像素寬度的1/3以下。因此，在現有的有源型自發(fā)光裝置中，由于電源配線的厚度與寬度、配線材料的電阻率的制約，在有源驅動型顯示裝置中，圖7所例示的高亮度圖案與其周邊的顯示圖案的亮度差變?yōu)?～10％，顯示質量顯著惡化，大型化、高分辨率化、高亮度化變得困難。
因此，一直以來，提出各種用于謀求電源配線的低電阻化的技術(專利文獻1、2、3及4)。
專利文獻1特開平11-329743號公報專利文獻2特開平5-307997號公報專利文獻3特開2002-40961號公報專利文獻4特開2004-178839號公報然而，根據上述現有的各種技術，電源配線相關的低電阻化存在界限，或由于層疊有源驅動元件與有機EL元件時的平坦化技術或損傷(damage)的制約，電極電阻的降低承擔合成性的難度。另外，其實現方法并不是解決與電光學裝置所要求的亮度與驅動電流那樣的要求相反的要求的方法。

發(fā)明內容
本發(fā)明鑒于上述問題點而做成的，其目的在于，提供一種能夠降低電光學變換區(qū)域的光學不均、可靠性高且能夠進行高質量的變換的電光學裝置及其制造方法、以及具備這種電光學裝置的各種電子儀器。
為了解決上述問題，本發(fā)明的電光學裝置具備一對第一和第二基板，在所述第一基板上形成電光學元件，其是在與所述第二基板對向的一側，在第一及第二電極之間夾持電光學物質而形成的；電子元件，其用于驅動該電光學元件；電源配線，其向所述電光學元件及所述電子元件之中至少一方的元件供給電源；在所述第二基板上，在與所述第一基板對向的一側，向所述至少一方的元件輔助性地供給所述電源的一條輔助配線對應于所述電光學元件的非開口區(qū)域而形成為面狀。
根據本發(fā)明的電光學裝置，在其動作時，電源經由電源配線而被供給到電光學元件及電子元件之中的至少一方元件。這樣，通過向該至少一方的元件供給電力，從而在電極間夾持了電光學物質的結構的電光學元件中，進行電光學動作。此時，由于經由低電阻的一條輔助配線，電源被輔助性地供給，故即使電源配線的電阻高，也能夠降低電源配線導致的電壓降。在此，本發(fā)明涉及的“電光學物質”是將電信號變換為光、或進行其逆變換的物質，舉例示出有機發(fā)光物質。本發(fā)明涉及的“電子元件”舉例示出薄膜晶體管(TFT)等有源元件，但也可以包含存儲電容等無源元件。在有源矩陣方式的有機EL裝置中，按每個單位電路形成有機EL元件，并被驅動·控制。
在此，在本發(fā)明中，其特征在于，可以將以往想要形成在第一基板上的部件一部分移到第二基板上，可以分別以不同的工序來形成。例如，若在第二基板上形成電源配線的輔助配線，則不會被對環(huán)境條件敏感的有機EL元件或其外周部分的元件特性或層疊結構造成的制約條件所左右，或者幾乎不會對有機EL元件或其外周部分的元件特性造成影響，能夠形成形狀復雜且由低電阻的厚膜構成輔助配線。
結果，可以降低電源串擾(cross talk)所造成的亮度不均，可以實現大畫面且高品質的圖像顯示裝置。
根據本發(fā)明的電光學裝置的一種形態(tài)，所述第二電極配置在比所述第一電極還靠近所述第二基板的一側，并且與所述電光學元件鄰接、并規(guī)定所述第一基板與所述第二基板的間隔的隔離物形成在所述第一基板或所述第二基板上，從所述一條輔助配線向所述第二電極供給所述電源的連接部形成于所述隔離物面上。
根據該形態(tài)，第二電極一直延伸設置到第一基板上形成的隔離物與第二基板對向的頂面，在該頂面上形成與形成于第二基板上的輔助配線的連接部。在此，隔離物與電光學元件鄰接形成，是確定第一基板與第二基板的間隔的部件。在此，“延伸設置”是指第二電極超過作為電光學元件的電極本來需要的范圍，在同一層形成或用與電導通的第二電極不同的導體形成。通過在與這種有機EL元件鄰接的區(qū)域內形成與輔助配線的連接部，從而即使第二電極的片電阻高，也由于一個有機EL元件的動作電流最多不過十幾μA左右，故對顯示特性沒有影響。第二電極的片電阻可以高是指第二電極的膜厚可以薄。由此，可以得到透明度高的第二電極，對提高頂部發(fā)射(top emission)型有機EL的光取出效率有幫助。此外，由于高熱傳導的輔助配線鄰接于電光學元件，故可以提高電光學裝置中存在發(fā)熱時的第二基板側的放熱性。
在本發(fā)明的電光學裝置中的電光學物質的形成區(qū)域涉及的形態(tài)中，所述電光學物質，也可以不形成在平行于形成了所述連接部的隔離物面且與所述隔離物重疊的部分上。
根據這種結構，電光學物質不形成于隔離物的頂面或底面。一般，作為電光學物質的有機膜與電極或絕緣膜的密接性低。若施加熱膨脹應力或機械應力的隔離部上存在密接性低的界面，則容易從該處剝離。此問題是使電光學裝置的可靠性顯著下降的主要原因。
與此相對，根據本發(fā)明，由于在與隔離物的部分，有機膜不存在，故可以使第一基板與第二基板牢固地粘合。
在本發(fā)明的電光學裝置的基板間的連接部的形態(tài)中，在所述第一基板與所述一條輔助配線電連接著的所述連接部上，形成有金屬接合或金屬交聯(lián)。
如果這樣構成，則由于第二電極的延伸設置部分與輔助配線的連接部分利用金屬遷移(migration)或超聲波、電場感應巨大電阻變化效應，相互形成金屬接合或金屬交聯(lián)(導通溝道)，故與采用導電性粘接劑的情況相比，可以提高結合性，得到mΩ指令以下的非常低電阻的連接。
在上述的形成了本發(fā)明的電光學裝置的金屬結或金屬交聯(lián)的形態(tài)中，至少在所述連接部中，在所述第二電極層上形成有包含促進所述金屬接合或金屬交聯(lián)的規(guī)定種類的金屬的薄膜層。
如果這樣構成，則可以低電壓、低能量地在連接部形成金屬接合部或金屬交聯(lián)，在接合形成時可以不會對形成于第一基板上的元件造成損傷。作為促進金屬交聯(lián)的物質，相對于Cu配線可以舉例示出硫化銅CuS等固體電解質。另外，作為促進金屬接合的物質，可以舉例示出作為低熔點金屬的In。
在本發(fā)明的電光學裝置的基板間的連接部的形態(tài)中，在連接部中，優(yōu)選所述一條輔助配線與所述第二電極對向的面積比所述第二電極的對向面積還大。
如果這樣構成，則由于連接部中的一條輔助配線的對向面積比隔離物頂部的面積大，故基板粘貼時的對位變得容易。另外，即使電光學裝置變?yōu)楦呔?，輔助配線的體積可以取很大，容易地確保金屬遷移。
在本發(fā)明的電光學裝置的基板間的連接部的形態(tài)中，所述電光學元件按照每個形成在所述第一基板上的單位電路來形成，所述連接部在每個所述電光學元件的非開口區(qū)域上相互連接。
如果這樣構成，則可以有效地使用電光學元件間的空間來形成輔助配線或連接部，可以實現高精細或高開口率的電光學裝置。在此，本發(fā)明涉及的“非開口區(qū)域”是指除了開口區(qū)域以外的區(qū)域，涉及的“開口區(qū)域”是指電光學元件實際上射出光或接收光的區(qū)域。
該情況下，進一步所述一條輔助配線上也可以形成為將與所述單位電路對應形成的每個所述電光學元件的開口區(qū)域包圍。
如果這樣構成，則一條輔助配線可以以包圍電光學元件周圍的方式平面地形成，變得容易低電阻化。此外，在低反射化一條輔助配線的情況下，在顯示裝置中，可以將輔助配線作為黑底(black matrix)而用于提高對比度。
在本發(fā)明的電光學裝置的其他形態(tài)中，所述隔離物包含彈性部件，比所述電光學元件的厚度還厚。
根據該形態(tài)，由于隔離物比電光學元件還厚，故即使使第一基板與第二基板粘貼，基板間的間隔也可以保持恒定，電光學元件與第二基板不會接觸。由此，可以防止來自第二基板的應力或損傷而引起的電光學元件的劣化。進而，由于隔離物包含彈性部件，故在粘貼時產生回彈力。由此，能夠進行穩(wěn)定的粘貼。
該情況下，所述一條輔助配線可以進一步包含低反射性的材料，構成為具有規(guī)定的平面圖案，該平面圖案至少部分地覆蓋所述每個單位電路的非開口區(qū)域。
如果這樣構成，則可以利用一條輔助配線，經濟地構成黑掩模或黑底。結果，能夠顯示對比度或清晰度(sharpness)良好的高品質的圖像。
或者，該情況下，所述一條輔助配線也可以進一步形成為以與所述平面圖案的最小寬度同等或其以下的線寬度的圖案，將所述開口區(qū)域分割為多個。
如果這樣構成，則通過設置在開口區(qū)域的水平方向的微細的一條輔助配線，可以抑制垂直方向的外來光入射到開口區(qū)域后反射的光量。由此，可以降低頂棚照明所導致的顯示的難見度。再有，由于限制相對于第二基板向斜方向出射的光的傳播，故可以抑制斜方向的色移。另外，由于形成于開口區(qū)域的微細的一條輔助配線可以以能夠加工的最小配線寬度進行加工，故對光的取出效率不會有大影響。另一方面，非開口區(qū)域中的一條輔助配線的線寬度盡可能地寬，以減小配線電阻。結果，能夠顯示對比度或清晰度良好的高品質的圖像。
在本發(fā)明的電光學裝置的一條輔助配線涉及的其他形態(tài)中，所述一條輔助配線包含Cr、Cu、Au、Ag、Ni、Ti、W及Mo中的至少兩種金屬。
根據該形態(tài)，在一條輔助配線在Cu的基礎上以Cr、Ni為基底層的情況下，提高與由玻璃構成的第二基板的密接性的同時，可以抑制外光反射。此外，在包含Mo的情況下，可以用單層的合金形成，可以提高生產率。還有，一條輔助配線可以是層疊了這些金屬的單體的結構，也可以包含這些金屬的氧化物或Sn、Ta、焊錫等。另外，一條輔助配線在其表面中含有Au、Ni、Ag或Cu的情況下，可以良好地確保與第二電極的連接。
在本發(fā)明的電光學裝置的其他形態(tài)中，電光學元件在所述第一基板上按每個單位電路形成，在所述第二基板上進一步與所述每個電光學元件的開口區(qū)域對向地形成有光散射層。
根據該形態(tài)，通過在每個電光學元件的開口區(qū)域形成的光散射層，可以有效地取出從電光學元件產生的光。即，由光散射層使從電光學元件產生的光散射，可以增加相對于第二基板的表面向垂直方向出射的光成分。由此，與未形成光散射層的情況相比，可以將從電光學元件產生的光取出到的電光學裝置外部的效率改善2到3倍以上。而且，本發(fā)明的光散射層例如包含通過蝕刻或聚合物的自組織化，在第二基板的與第一基板對向一側的表面上形成微細的光學帶(photonics band)結構，或者通過將表面粗糙化來實現的方法。
在該形態(tài)中，所述光散射層也可以在該光散射層內含有多個微小的泡或粒子，該泡或粒子的平均粒徑為所述電光學元件的發(fā)光波長的1/2到10倍。
如果這樣構成，則由于微小的泡或粒子的存在，光散射層的透明介質與泡或微小粒子的折射率的大差別導致光的全反射與衍射容易發(fā)生，能夠使從電光學元件取出光的效率進一步提高。該情況下，微小的泡或粒子的平均粒徑優(yōu)選為電光學元件的發(fā)光波長的1/2到10倍。
在上述形成了光散射層的形態(tài)中，優(yōu)選構成為所述光散射層的層厚比所述一條輔助配線的層厚薄。
如果這樣構成，則在粘貼第一基板與第二基板時，一條輔助配線與第一基板最初接觸，比一條輔助配線的厚度薄的光散射層與電光學元件不接觸。由此，可以防止由來自光散射層的應力導致的電光學元件的劣化。
在上述形成了光散射層的形態(tài)中，所述光散射層形成為透鏡狀。
根據該形態(tài)，由于從電光學元件產生的光由形成為透鏡狀的光散射層聚光，故能夠使光的取出效率進一步提高。
在本發(fā)明的電光學裝置的其他形態(tài)中，由形成于所述第一基板上的單位電路控制的多個所述電光學元件構成有效區(qū)域，所述連接部進一步配置在包圍所述有效區(qū)域的整個周圍的區(qū)域中。
根據該形態(tài)，第二電極與一條輔助配線是以包圍有效區(qū)域的整個周圍的方式電連接著的。由此，可以使作為共用電極的第二電極與一條輔助配線的電導通均勻，同時可以形成在第一基板與第二基板之間的有效區(qū)域內形成的空間相對的密封結構。結果，可以防止來自電光學裝置外部的水分或氧流入內部而導致的第二電極或電光學元件的劣化。
在本發(fā)明的電光學裝置的其他形態(tài)中，在第一基板上形成了用于向第二電極供給電源的第二輔助電源端子與連接在該第二輔助電源端子上的第二電極用配線，所述第二電極與所述第二電極用配線的連接場所比包圍所述有效區(qū)域的整個周圍的所述連接部還位于內側。
根據該形態(tài)，包含活性金屬的第二電極與第二電極用配線的連接場所，比上述包圍有效區(qū)域的密封結構部還位于內側。結果，相對于來自外部的水分或氧等有害物質的侵入，可以防止第二電極的劣化。
在上述的第二電極與一條輔助配線的電連接場所位于外周側的形態(tài)中，優(yōu)選所述第二電極用配線，在所述第一基板上通過所述隔離物的下側并連接到所述第二輔助電源端子上。
如果這樣構成，則不會妨礙上述的包圍有效區(qū)域的密封結構部的密封效果，能夠電連接第二電極與第二電極用配線。
在上述的第二電極與一條輔助配線的電連接場所位于外周側的形態(tài)中，也可以所述薄膜層由與所述電光學元件的第二電極相比化學上為惰性的材料構成，覆蓋位于包圍所述有效區(qū)域的所述連接部內的隔離物，同時至少連續(xù)覆蓋到位于其內側的所述連接部為止的所述第一基板表面。
如果這樣構成，則由于包括最外周部的隔離物表面在內，用惰性金屬或無機物覆蓋上述的包圍有效區(qū)域的密封部，故可以實現更進一步腐蝕或阻氣性(氣體阻擋性)高的密封結構。
在本發(fā)明的電光學裝置的其他形態(tài)中，在所述第一基板上，向所述至少一方的元件輔助性地供給所述電源的其他輔助配線，比形成所述至少一方的元件的層更在所述第一基板側形成。
根據該形態(tài)，在第一基板上，其他輔助配線進一步形成在形成至少一方元件的電光學元件或晶體管形成層等的下層。而且，與從一條輔助配線供電的電源成對的極性的電源，從其他輔助配線輔助性地供給到至少一方元件。由此，可以謀求電光學裝置整體的電源配線系統(tǒng)的低電阻化，可以實現更進一層的高圖像質量、大畫面的顯示裝置。另外，同時可以提高從電光學裝置的第一基板的遮光性及放熱性。
在該第一基板上形成其他輔助配線的形態(tài)中，也可以構成為所述第二電極配置在比所述第一電極還靠近所述第二基板一側，所述一條輔助配線向所述第二電極供給所述電源，所述其他輔助配線向所述第一電極供給所述電源。
如果這樣構成，則第二電極通過一條輔助配線，另外第一電極通過其他輔助配線都能夠進行低電阻的供電。由此，越是大型的電光學裝置，因第一電極及第二電極兩方的電阻大而引起的電源串擾的抑制效果就越大，可以實現均勻且高亮度的大型電光學裝置。
在該第一基板上形成其他輔助配線的形態(tài)中，也可以構成為電光學元件與形成于所述第一基板上多個單位電路對應地形成，所述電源配線、所述一條輔助配線及其他輔助配線到所述各單位電路附近為止延伸為面狀。
如果這樣構成，則由于電源配線、一條輔助配線及其他輔助配線延伸到各單位電路附近為止，故與未延伸到各單位電路附近為止的情況相比，能夠實現更有效的電源配線的低電阻化。例如，其他輔助配線在第一基板的有效區(qū)域的整個面上(全面)形成為平面狀或條紋(stripe)狀。結果，雖然擴大了現有的電源配線寬度，使電光學元件的開口率降低，但在本發(fā)明的電光學裝置中，由于電源配線的寬度可以變窄，故能夠實現更進一步的高精細化。
該情況下，進而可以構成為所述其他輔助配線，以所述電光學元件的特性，使相互絕緣的所述多層導電膜中的至少一層對應，向所述電光學元件及所述電子元件中的至少一方元件供給電源。
如果這樣構成，則其他輔助配線按照電光學元件的特性·種類，分配其他輔助配線的導電膜。例如，在RGB全彩色顯示裝置中，按照發(fā)光顏色類別，分配多層導電膜中對應的一層，使多層導電膜相互絕緣，分別供給獨立的電源。由此，可以設定電光學元件的、根據發(fā)光顏色而最佳的驅動電壓，可以自由地進行電源接通·斷開等的控制。結果，能夠進行最佳值根據裝置的規(guī)格而不同的電光學裝置的低消耗電力化和最佳圖像質量設定。
該情況下，所述其他輔助配線可以構成為包括所述多層導電膜，這些導電膜經由開孔在所述層間絕緣膜上的接觸孔而相互電連接。
根據該形態(tài)，由于其他輔助配線由經由開孔在層間絕緣膜上的接觸孔而相互電連接的多層導電膜構成，故與由單層膜構成的情況相比，配線的實際橫截面積變寬，可以進一步低電阻化。此外，提高輔助配線的冗余性，可以得到抗斷線的配線結構。
在上述的在第一基板上形成有其他輔助配線的形態(tài)中，優(yōu)選其他輔助配線在與所述隔離物重疊的部分上設入狹縫。
如果這樣構成，則在粘貼第一基板與第二基板時等產生的對其他輔助配線的應力，被設入在該配線的部分上的狹縫吸收·緩和。由于在與隔離物重疊的部分上施加更大的應力，故引起導電膜圖案的變形，結果是容易發(fā)生導電膜的短路或者絕緣膜的微觀裂紋或破壞。通過在導電膜中適度地設入狹縫來形成絕緣膜部分，從而可以有效地緩和應力，抑制微觀裂紋或者膜破壞、基板的翹曲等的發(fā)生。
為了解決上述問題，本發(fā)明的電光學裝置的制造方法是一種具備一對第一和第二基板的電光學裝置的制造方法，其中包括第一基板形成工序，其在所述第一基板上形成在第一及第二電極間夾持電光學物質而成的電光學元件、用于驅動該電光學元件的電子元件、和向所述電光學元件及所述電子元件中的至少一方的元件供給電源的電源配線；第二基板形成工序，其在所述第二基板上，將向所述至少一方的元件輔助性地供給所述電源的一條輔助配線、對應于所述電光學元件的非開口區(qū)域而形成為面狀；和粘貼工序，其粘貼并密封所述第一與第二基板，以便所述一條輔助配線可以向所述第一基板供給電源。
根據本發(fā)明的電光學裝置的制造方法，通過與第一基板形成工序獨立的第二基板形成工序，可以進行由低電阻的厚膜構成的輔助配線的形成或復雜形狀的圖案化。另一方面，第二基板形成工序的條件對第一基板的元件特性沒有影響。由此，可以對電光學裝置的制造方法付與大的自由度，能夠進行高品質、高生產率的電光學裝置的制造。
在本發(fā)明的電光學裝置的制造方法的一種形態(tài)中，所述第一基板形成工序包括在所述第一基板上形成隔離物的工序，其中所述隔離物與所述電光學元件鄰接并規(guī)定所述第一基板與所述第二基板的間隔；在所述隔離物面上形成連接部的工序，所述連接部從所述一條輔助配線向所述第二電極供給所述電源；防止所述電光學物質形成在與形成了所述連接部的隔離物面平行的、與所述隔離物重疊的部分上的工序。
根據該形態(tài)，設置規(guī)定第一基板與所述第二基板的間隔的隔離物，并在其頂面設置基板間的連接部。另外，在與隔離物重疊的部分上，沒有形成密接性低的有機電光學物質。由此，可以回避由粘貼而對電光學元件造成的損傷或壞影響，可以實現連接可靠性高的電光學裝置。
在本發(fā)明的電光學裝置的其他形態(tài)中，所述粘貼工序包括在減壓環(huán)境下，以所述連接部使所述第二電極與所述一條輔助配線密接的工序；包圍由形成在所述第一基板上的單位電路所控制的多個所述電光學元件構成的有效區(qū)域，使位于最外周的所述連接部金屬接合的工序；用密封材料至少密封位于所述最外周的連接部的外側的工序。
根據該形態(tài)，由于所述第二電極延伸設置的部分與一條輔助配線在減壓環(huán)境下被對位并被粘接·密封，故可以抑制將附著·含有在密封材料或基板上的形成物內的雜質氣體或微粒(particle)封入電光學裝置內。進而，由于使最外周部的連接部金屬接合，可以實現高機密性與牢固的粘接性，故在長時間內將電光學裝置內部保持負壓狀態(tài)，可以得到有效區(qū)域內的連接部的接合穩(wěn)定性。此外，通過使最外周部的連接部金屬接合，從而可以提高輔助配線的導通均勻性，能夠進行均勻性高的電光學變換。
在本發(fā)明的電光學裝置的制造方法的其他形態(tài)中，所述粘貼工序包括在所述第二電極與所述一條輔助配線間施加所定的電壓，通過在所述連接部形成由金屬遷移或電場感應巨大電阻變化效應而引起的金屬交聯(lián)(導通溝道)，從而得到相互的電導通的工序。
根據該形態(tài)，由于利用金屬遷移來連接第二電極與一條輔助配線，故例如與單純地壓接的方法或將導電性粒子混合到粘接劑中進行涂敷并粘接的方法相比，在兩者間能夠確保牢固的接合與可靠的導通。另外，由于不包含粘接劑的涂敷，故在伴隨高精細化而使連接部分微細化的情況下產生的導電性粒子溢出到電光學元件的有效顯示區(qū)域的問題不會產生，生產穩(wěn)定性優(yōu)越。進而，即使在電光學裝置的完成后金屬交聯(lián)被破壞、電連接被切斷的情況下，通過再度對連接部施加電壓而使金屬遷移發(fā)生，從而可以使金屬交聯(lián)復原。
再有，若在電光學裝置的功能或特性的調整電路中采用利用了金屬遷移法或電場感應巨大電阻變化效應的所述連接部，則在制造上可以同時將可編程的功能集成到電光學裝置中。
為了解決上述問題，本發(fā)明的電子儀器具備上述本發(fā)明的電光學裝置(其中包括其各種形態(tài))。
由于本發(fā)明的電子儀器具備上述的能夠顯示高品質圖像的本發(fā)明的電光學裝置，故除了電視機、移動電話機、游戲機、電子記事本、取景器(viewer)、工作站、個人計算機、電視電話、POS終端、可編程控制器、具備觸摸式面板等的顯示裝置的儀器以外，還可以實現將本發(fā)明的電光學裝置作為曝光用頭使用的打印機、復印機、傳真機、電子紙張記錄器等圖像形成裝置等各種電子儀器。
另外，作為本發(fā)明的應用領域，除了有機EL裝置以外，可以適當地列舉硅發(fā)光裝置、采用了彈道電子發(fā)射元件(BSD)、發(fā)光二極管(LED)等固體自發(fā)光元件或者有機或無機半導體光電變換元件的電光學裝置。
本發(fā)明的這種作用及其他優(yōu)點，可以從以下說明的實施方式中理解。


圖1是表示本發(fā)明的第一實施方式涉及的有機EL裝置的整體構成的框圖；圖2是表示本發(fā)明的第一實施方式涉及的有機EL裝置所包含的像素部的構成的框圖；圖3是表示本發(fā)明的第一實施方式涉及的有機EL裝置所包含的任意兩個鄰接的像素部的平面圖；圖4是圖3的C-C’剖面圖；圖5是圖3的E-E’剖面圖；圖6是表示亮度降低率的特性圖；圖7是圖像顯示區(qū)域內的亮度的面內分布的示意性平面圖；圖8是按照順序表示第二基板上的層疊結構的工序圖；圖9是表示第一實施方式涉及的端子配置的平面圖；圖10是圖9的G-G’剖面圖；圖11是第二實施方式的與第一實施方式的圖4相同主旨的剖面圖；圖12是表示第三實施方式涉及的第二輔助配線的平面形狀的平面圖；圖13是第三實施方式涉及的像素部的圖12的A-A’剖面圖；圖14是表示第四實施方式涉及的有機EL裝置的制造方法的流程圖；圖15是表示第五實施方式涉及的有機EL裝置的制造方法的流程圖；圖16是表示屬于適用了電光學裝置的電子儀器的一例的個人計算機的構成的立體圖。
圖中1-有機EL裝置，2-金屬污染防止層，3-半導體層，3a-柵電極，7-空間，10-第一基板，11、11a、11b、11c-接觸孔，13-狹縫，20-第二基板，41、42、43-層間絕緣膜，44-晶體管形成層，45-保護層，50-有機EL層，51-第一電極，52-第二電極，53、54-第二電極延伸設置部，61、61a、61b、61c-第一輔助配線，62-第二輔助配線，63-第一輔助電源端子，64-Cr薄膜，66-硫化銅膜，68-第二輔助電源端子，70-像素部，72-有機EL元件，74-驅動用晶體管，76-開關用晶體管，78-保持電容，80-光散射層，90、91-隔離物，99-抗蝕劑，100-有機EL面板，110-圖像顯示區(qū)域，112-掃描線，114-數據線，117-電源供給配線，120-信號線端子，130-數據線驅動電路，150-掃描線驅動電路，155-密封材料，155a-虛線，155b-線，163-主要部分，164-細線，170-遷移電源供給端子，190-開口區(qū)域，200-密封部，210-空間，300-圖像處理電路，400-定時產生電路，402-漏電極，500-電源電路，501、502-接觸孔，LCOM-共同電極電位，LR、LG、LB-主電源線，Vddr、Vddg、Vddb-電源電壓。
具體實施例方式
以下，參照附圖對本發(fā)明的實施方式進行說明。在以下的實施方式中，以作為本發(fā)明的電光學裝置的一例的TFT有源矩陣驅動型的有機EL裝置為例。
(第一實施方式)首先，參照圖1到圖10，對本實施方式涉及的有機EL裝置的整體構成及像素部的構成進行說明。
(有機EL裝置的整體構成)圖1是表示本實施方式涉及的有機EL裝置的整體構成的框圖，圖2是表示任意一個像素部的構成的電路圖。
在圖1中，作為本發(fā)明涉及的電光學裝置的一例的有機EL裝置1，作為主要部分，包括有機EL面板100、電源電路500、掃描線驅動電路150、數據線驅動電路130、圖像處理電路300及定時產生電路400。
有機EL面板100在占據其元件基板的中央的圖像顯示區(qū)域110上具備沿X方向平行配線的m根(其中m為2以上的自然數)掃描線112及沿與X方向垂直的Y方向平行配線的n根(其中n為2以上的自然數)數據線114。對應于這些的交點，各像素部70排列為矩陣狀。像素部70包含著有機EL元件。圖1所示的“R(紅色)”、“G(綠色)”及“B(藍色)”的標記表示有機EL元件的發(fā)光顏色。在本實施方式中，沿數據線114排列有各顏色的像素部70。各像素部70中、與R色對應的像素部70經由電源供給線117而與主電源線LR連接，與G色對應的像素部70經由電源供給線117而與主電源線LG連接，與B色對應的像素部70經由電源供給線117而與主電源線LB連接。
電源電路500生成電源電壓Vddr、Vddg及Vddb，經由主電源線LR、LG及LB以及電源供給線117，向RGB各顏色對應的像素部117供給。
在位于圖像顯示區(qū)域110周邊的周邊區(qū)域中，設置有掃描線驅動電路150及數據線驅動電路130。掃描線驅動電路150經由掃描線112，將掃描信號向排列為矩陣狀的像素部70的每行供給。數據線驅動電路130向各數據線114順次供給從圖像處理電路300供給的圖像信號。
若從外部輸入輸入圖像數據，則圖像處理電路300根據該輸入圖像數據生成圖像信號。圖像信號被輸出到數據線驅動電路130，在數據線驅動電路130所包含的鎖存電路等被鎖存或采樣后，供給到有機EL面板100。
定時產生電路400生成有機EL面板100的各部分中使用的各種定時信號。各種定時信號被輸出到數據線驅動電路130及掃描線驅動電路150。
在圖2中，任一個像素部70具備作為顯示元件的有機EL元件72；用于向該有機EL元件72供給驅動電流的驅動用晶體管74；用于將控制該驅動用晶體管74的動作的圖像信號從數據線114選擇性地輸入的開關用晶體管76。
在開關用晶體管76的源電極上電連接著由數據線驅動電路130供給圖像信號的數據線114，另一方面，在開關用晶體管76的柵電極上電連接后述的供給掃描信號的掃描線112。開關用晶體管76的漏電極上連接著保持電容78。
掃描線112電連接在開關用晶體管76的柵電極上，數據線114電連接在開關用晶體管76的源電極上。電源供給線117連接著驅動用晶體管74的源電極及保持電容78。
驅動用晶體管74的源電極上電連接著電源供給線117。利用施加在驅動用晶體管74的柵電極上的電壓來控制驅動用晶體管74的動作，結果該驅動用晶體管74將驅動電流從電源供給線117供給到有機EL元件72。
而且，除了圖1及圖2所例示的像素電路的構成以外，例如也可以采用包含4個等多個TFT、多個電容等的、電流編程方式的像素電路、電壓編程型的像素電路、電壓比較方式的像素電路、子幀方式的像素電路等各種方式的像素電路。
(像素部的構成)接著，參照圖3、圖4及圖5，對像素部的更詳細的構成進行說明。圖3是任意兩個鄰接的像素部的平面圖，圖4是圖3的C-C’剖面圖，圖5是圖3的E-E’剖面圖。并且，在圖3、圖4及圖5中，為了使各層·各部件為在圖面上能夠識別程度的大小，按各層·各部件的每一個，縮小比例不同。
如圖4所示，在本實施方式中，第一基板10與第二基板20的間隔由隔離物90及一條輔助配線62的厚度來規(guī)定。
在第一基板10上，作為本發(fā)明涉及的“其他輔助配線”的一例的第一輔助配線61與層間絕緣膜41、42、43交替地層疊而形成。構成第一輔助配線61a、61b及61c的各導電膜經由接觸孔11c或/和11b而與電源供給線117電連接著。在金屬污染防止層2上形成有晶體管形成層44，該晶體管形成層44上形成有開關用晶體管76或驅動用晶體管74。晶體管形成層44例如采用低溫聚硅技術來形成。
由W、Mo、Ta、Ti、Ni、Al或Cu中的至少一種以上的金屬、高濃度雜質摻雜劑(dope)(聚)硅或者有機半導體組成的第一輔助配線60層疊在第一基板10上，片電阻為0.3Ω/□以下，而且優(yōu)選為200到300nm以下的膜厚。
在圖3中，掃描線112的一部分作為開關用晶體管76的柵電極而形成。柵電極3及掃描線112采用包含Al(鋁)、W(鎢)、Ta(鉭)、Mo(鉬)、Ti(鈦)、Cu(銅)等之中的至少一種的金屬材料形成的。
在圖4中，在將表層作為層間絕緣膜的晶體管形成層44上，形成有例如由包含鋁(Al)、鉭(Ta)、鉬(Mo)或ITO(Indium Tin Oxide)的導電材料構成的第一電極51，該第一電極51與數據線114及電源供給線117、甚至驅動用晶體管74(參照圖3)的漏電極402(參照圖3)連接。在晶體管形成層44中形成有從晶體管形成層44的表面到晶體管形成層44中的驅動用晶體管74的源極、漏極為止的接觸孔501及502。電源供給線117及構成漏電極402(參照圖3)的導電膜以沿接觸孔501及502各自的內壁抵達晶體管形成層44的表面的方式連續(xù)地形成著。
在晶體管形成層44上，以覆蓋數據線114、電源供給線117及與漏電極402(參照圖3)一體的第一電極51的方式，例如二氧化硅膜(SiO2)作為保護層45而形成。
在保護層45上，形成有例如由丙烯類或酰亞胺類、環(huán)狀烯烴類的樹脂或者形狀記憶合金組成的隔離物90。通過隔離物90來規(guī)定像素部70中的有機EL層50的形成區(qū)域。
在有機EL層50的形成區(qū)域內，在晶體管形成層44上形成有第一電極51，以使其表面露出。第一電極51從有機EL層50的形成區(qū)域開始延伸，作為驅動用晶體管74(參照圖3)的漏電極402(參照圖3)而形成。
在有機EL層50的形成區(qū)域中，在第一電極51上形成著有機EL層50。有機EL層50相當于本發(fā)明涉及的“電光學物質”的一例。有機EL層50例如包含發(fā)光層、空穴注入層或空穴輸送層(以下適當地稱為空穴注入/輸送層)及電子注入層或電子輸送層(以下適當地稱為電子注入/輸送層)、發(fā)光保護層。在有機EL層50中，例如按照空穴注入/輸送層、第一發(fā)光保護層、發(fā)光層、第二發(fā)光保護層、電子注入/輸送層的順序依次層疊在第一基板上。而且，有機EL層50也可以是已經公知的任何層構成。
有機EL元件72包括第一電極51及第二電極52、和被夾持在第一電極51及第二電極52之間的有機EL層50。第二電極52例如作為碳酸銫膜與MgAg膜的組合及ITO膜、In-Zn-O系膜(IZO膜)等透明導電膜的層疊膜而形成，或者在ITO、IZO膜等的基礎上或取代其，形成了作為由Au、Ni、Ag、Cu、Pt、Si或其合金或化合物構成的10nm左右厚的層疊膜。
在圖5中，保持電容78的下部電極78a在與掃描線112相同的層內，例如采用同樣的材料形成，電源供給線117的一部分作為保持電容78的上部電極而形成。晶體管形成層44中的絕緣膜用作電介質膜，晶體管形成層44中的絕緣膜被夾持在下部電極及上部電極之間。進而，也可以通過將第一輔助配線61a作為對向電極來夾持下部電極，從而使保持電容增加。
如圖4所示，在本實施方式中尤其第二電極52延伸設置在隔離物90的表面上，形成有第二電極延伸設置部53和54。第二電極延伸設置部53位于隔離物90的傾斜面上，第二電極延伸設置部54位于隔離物90頂部的平坦面上。在第二電極延伸設置部54上，利用掩模蒸鍍進一步形成有薄膜59，該薄膜59包含例如Au、Ag、Cu、Ti、Ni、Al等抗氧化比較強的金屬中的至少一種。
在第二基板20上的與第一基板10對向的面上，形成有作為本發(fā)明涉及的“一條輔助配線”的一例的第二輔助配線62。第一基板10與第二基板20利用導電性或絕緣性的粘接劑而被粘貼，以便第二電極延伸設置部54與第二輔助配線62接觸，來確保電導通，但進一步通過減壓像素部70的空間并密封，從而利用大氣壓可以穩(wěn)定地維持上述的接觸狀態(tài)。或者如后所述，優(yōu)選實現不使用粘接劑而利用金屬遷移或超聲波的金屬接合。
本實施方式的有機EL裝置1在其動作時，通過經由掃描線112來供給掃描信號，從而開關用晶體管76變?yōu)閷顟B(tài)。若開關用晶體管76變?yōu)閷顟B(tài)，則圖像信號由數據線114寫入保持電容78內。根據寫入到該保持電容78內的圖像信號的電流，電力經由電源供給線117而被供給到驅動用晶體管74。這樣，通過從驅動用晶體管74向有機EL元件72供給對應于圖像信號的電流，從而有機EL元件72的發(fā)光層發(fā)光。此時，由于經由第二輔助配線62輔助性地供給電源，故即使第二電極52或電源供給線117等的片電阻高，也可以供給足夠的電力。在本實施方式中，如在圖4中用箭頭X表示，作為使來自有機EL元件72的發(fā)光從第二基板20側射出的頂部發(fā)射型，構成有機EL裝置1。另外，在本實施方式中，也可以將有機EL裝置1構成為使有機EL元件72的發(fā)光作為顯示光從第一基板10側射出的底部發(fā)射型。
(第一輔助配線)
接著，參照圖3到圖5，對第一輔助配線61進行詳細說明。
第一輔助配線61延伸存在于圖像顯示區(qū)域110中。即，第一輔助配線61在圖像顯示區(qū)域110的除去像素開口部的幾乎整個面上，對應于像素延伸為面狀地形成。因此，可以大大確保第一電極51側的低電阻化所需的第一輔助配線61的面積。由此，與以往的僅有電源供給線的情況相比，能夠進行更有效的電源供給線117及第一電極51側的低電阻化。在第一輔助配線61的形成之際，可以避開與形成了開關用晶體管76及驅動用晶體管74的區(qū)域對向的區(qū)域來配線。由此，開關用晶體管76或驅動用晶體管74等電子元件通過排除第一輔助配線61自身的寄生電容，從而可以防止上述電子元件的電特性劣化。
在圖4中，第一輔助配線61中的多層導電膜61a、61b及61c經由開孔在層間絕緣膜41、42、43上的接觸孔11a、11b及11c，相互或獨立地電連接在電源供給線117上。
由此，第一輔助配線61作為最大構成，可以經由設入在層間絕緣膜上的接觸孔11a、11b及11c，將多層導電膜61a、61b及61c作為一條輔助配線來使用，與由單層膜構成的情況相比，可以擴大實際的橫截面積，可以進一步低電阻化電源供給線117。進而，由于可以提高第一輔助配線61的冗余型，故可以得到抗斷線的配線結構。
在圖3及圖4中，在第一基板10上平面地觀察，第一輔助配線包含形成在與所述隔離物90重合的區(qū)域內的重合部分，同時狹縫13進入該重合部分。
根據該形態(tài)，粘貼第一基板10與第二基板20時或熱膨脹等造成的對第一輔助配線61的應力通過進入該配線部分的狹縫13而被緩和。特別是，由于在與隔離物90重合的區(qū)域上施加更大的應力，故因該應力，在隔離物90的下部中第一輔助配線變形，可以抑制微觀裂紋或配線間短路、基板的翹曲等發(fā)生。
(第二輔助配線)接下來，在圖3到圖5的基礎上，參照圖6及圖7，對第二輔助配線62加以詳細的說明。
在圖4及圖5中，第二電極52配置在比第一電極51還靠近第二基板20的一側，并且延伸設置在隔離物90的與第二基板20面對一側的表面上。換言之，本實施方式在隔離物90中的與第二基板20面對一側的表面上進一步形成了導電膜，第二輔助配線62經由該導電膜而輔助性地供給電力。因此，第一基板10與第二基板20通過采用粘接劑等粘貼，以使隔離物90與第二輔助配線62對向，從而第二輔助配線62與第二電極延伸設置部54電連接，第二電極52被低電阻化。而且，作為粘接劑，可以采用例如以環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂或氰酸酯樹脂中的一種以上為主要成分的光固化性粘接劑或者以丙烯酸酯化合物、環(huán)氧樹脂或氧雜環(huán)丁烷化合物中的一種以上為主要成分的熱固化性粘接劑。
有機EL層50被夾持在第一電極51與第二電極52中、除去第二電極延伸設置部53及54的部分之間。由于這樣構成，故有機EL層50并沒有延伸設置在隔離物90中的從第二基板20向第一基板10方向施加應力的部分上。由于有機EL層50與其他層的密接性低，故由于第一基板10與第二基板20粘貼時的機械應力或熱應力，與有機EL層的界面變得容易剝離。該問題成為有機EL裝置的可靠性顯著下降的主要原因。
與此相對，在本實施方式中，由于在應力最容易施加的隔離物90上沒有形成與有機EL層50的界面，故這種問題不會產生，可以提高可靠性高的有機EL裝置。
在圖3到圖5中，第二輔助配線62形成為包圍像素部70中的開口區(qū)域(參照圖3)，第二電極延伸設置部54與第二輔助配線62，在作為每個像素部70的非開口區(qū)域的隔離物90上相互連接著。由此，第二輔助配線62對從開口區(qū)域190的出射光的透過沒有影響，保持開口率不變，能夠進行電源供給線117及第二電極52的低電阻化。
(隔離物)接著，參照圖4及圖5，對隔離物90加以詳細說明。
在圖4及圖5中，隔離物90在第一基板10上包含比有機EL元件72還厚的、彈性或剛性或者形狀記憶部件。
隔離物90由于比有機EL元件72的厚度還厚，故在粘貼第一基板10與第二基板20時，由隔離物90來規(guī)定所定間隔。該所定間隔可以通過改變隔離物90的厚度而容易地調整。另外，由于有機EL元件72與第二基板20不接觸，故即使在粘貼第一基板10與第二基板20時，也不會產生相對于有機EL元件72的應力或損傷。由此，也可以防止應力所引起的有機EL元件72的損傷。進而，由于隔離物90含有彈性部件，故在粘貼時產生回彈力。由此，可以保持第二電極延伸設置部54與第二輔助配線62的穩(wěn)定的連接。
(光散射層)接下來，參照圖4到圖5，對光散射層80加以詳細說明。
在圖4及圖5中，進一步在本實施方式中，特別在第二基板20上，在像素部70的開口區(qū)域190內形成有光散射層80。因此，通過光散射層80，可以有效取出從形成在像素部70的有機EL元件72產生的光。即，通過光散射層80使從有機EL元件72產生的光散射，可以增加相對于第二基板20的表面以全反射以下的角度入射的光成分。由此，從有機EL元件72產生的光向有機EL裝置1外部的取出效率，與沒有光散射層80的情況相比，可以改善2到3倍以上。
光散射層80的層厚比第二輔助配線62的層厚薄。因此，在粘貼第一基板10與第二基板20時，由于第二輔助配線62與第一基板10接觸并支撐，故厚度比第二輔助配線62薄的光散射層80與有機EL元件72不接觸。由此，可以防止來自光散射層80的應力所引起的有機EL元件72的劣化。
(第二輔助配線及光散射層的制造工序)接著，參照圖8，對形成于第二基板上的第二輔助配線及光散射層的制造工序進行說明。圖8是按照順序表示第二輔助配線及光散射層的制造工序中的第二基板上的層疊結構的工序圖。
首先，在圖8(a)的工序中，采用可見光透過率高的PET、PEN、環(huán)狀烯烴等樹脂或者SiO2或玻璃等無機材料，在第二基板20上的整個面上形成光散射層80。在光散射層中采用樹脂的情況下，通過在干燥惰性氣體中，在第二基板20上涂敷光或熱固化性的透明樹脂，然后加光或熱，使其固化而形成。在本實施方式中，尤其在加光或熱而使其固化前使第二基板20置于適當的減壓狀態(tài)。這樣，成為光散射層80中產生幾μ以下的微小的泡。通過使其光或熱固化，從而可以得到含有多個微小的泡的光散射層。由此，與單純地加光或熱而使其固化的情況相比，可以形成來自有機EL元件72的光的取出效率高的光散射層80。
此外，光散射層80也可以在微小的泡的基礎上或取代其，在透明介質內分散多個微粒來形成。作為這種微粒，雖然由使光容易全反射的幾μm到200nm的平均粒徑的高折射率多孔可見光透明材料構成的微粒是適宜的，但也可以是金屬微粒。作為高折射率多孔可見光透明材料，可以利用例如以SiO2、氟化鎂(MgF2)、氧化鋁(Al2O3)、Y2O3、CeF3、SiO、鈦酸鋇為主要成分的材料或中空聚合物。作為形成微?；蛲该鞫嗫讓拥姆椒ǎ缬薪饘訇枠O氧化法、陰極析出法、網板印刷法、溶膠-凝膠法、熱氧化法、真空蒸鍍法、DC及Rf濺射法、化學氣相沉積法、分子射線沉積法。
另外，光散射層80可以通過利用蝕刻在第二基板20的與第一基板10對向的一側的表面上形成微細的凹凸或通過使表面粗糙來形成。
接著，在圖8(b)的工序中，進行光散射層80的圖案化。在光散射層80上涂敷抗蝕劑99，以光刻法形成圖案后，通過用溶劑蝕刻光散射層，從而形成規(guī)定圖案的光散射層80。
在本實施方式中，尤其與各像素部70的開口區(qū)域190的形狀配合來對光散射層進行圖案化。
在圖8(c)的工序中，用真空蒸鍍法或濺射法在被開口的第二基板20上及抗蝕劑99上形成Cr薄膜64。通過形成Cr薄膜64，可以提高由玻璃構成的第二基板20與由Cu構成的第二輔助配線62之間的密接性，同時可以抑制外光反射。只要可以達到該目的，除了Cr以外，也可以是Ni或Cu等的單體或者含有物。
在圖8(d)的工序中，在Cr薄膜64上例如利用電解電鍍、網板印刷、噴射方法，層疊膜厚5～20μm的銅的膜，形成了第二輔助配線62。進而，在硫磺蒸氣中在300～450℃加熱第二基板20，在Cu的表面上形成硫化銅膜66。
而且，第二輔助配線62可以包含Cr、Cu、Au、Ag、Ni、Ti、W及Mo中的至少兩種以上的金屬。另外，第二輔助配線62可以是層疊了這些金屬的單體的結構，也可以包含這些金屬的氧化物等化合物。但是，第二輔助配線62在含有Au、Ni、Ag或Cu的情況下，可以良好地保持與第二電極52的接觸。此外，這些金屬并不是必須的，也可以含有Sn、Ta。
在圖8(e)的工序中，剝離抗蝕劑99，在減壓狀態(tài)下加熱并使其干燥。
如上所述，第二輔助配線62在第二基板20上以不同于第一基板10的工序形成。因此，第二輔助配線62，不會被第一基板10上的有機EL元件72及其周邊部分的平面結構或層疊結構的制約條件所左右，或者幾乎不會造成影響，就能夠形成。例如，無需考慮熱或紫外線、蝕刻液體、干蝕刻時的氯氣或氧氣、高能量濺射粒子等引起的對有機EL元件72的損傷等的影響。由此，與將第二輔助配線62形成在第一基板10上的情況相比，形成方法的限制少，可以以最佳的方法來形成第二輔助配線62。
以上的結果，與在第一基板上的第二電極52上形成輔助配線的情況相比，第二電極52的進一步低電阻化·厚膜化成為可能，可以降低圖像顯示區(qū)域110的亮度不均，能夠顯示高品質的圖像。
(密封結構)接下來，參照圖9及圖10，對本實施方式的第二電極與第二輔助配線的連接、及形成于第一基板與第二基板之間的密封結構進行說明。在此，圖9是表示本實施方式涉及的端子配置的平面圖，圖10是圖9的G-G’剖面圖。而且，在圖9及圖10中，對與圖1到圖8所示的本實施方式涉及的構成要素相同的構成要素付與相同的參照標記，并適當地省略這些的說明。
在圖9中，在第一基板10上的外周部形成有第一輔助電源端子63、第二輔助電源端子68及信號線端子120。另外，在圖像顯示區(qū)域110的外周側形成有密封部200。
第一輔助電源端子63是用于向第一輔助配線61供給電源的端子，經由第一輔助電源端子63，電連接電源電路500(參照圖1)與第一輔助配線61。與第一輔助配線61a、61b及61c的每一個對應的第一輔助電源端子63a、63b及63c配置為采用一個連接零件(連接器)就可以與外部電路連接。
第二輔助電源端子68是用于向第二輔助配線62(參照圖4)供給電源的端子，經由第二輔助電源端子68，電連接電源電路500(參照圖1)的共同電極電位(LCOM)與第二輔助配線62。由于第二輔助電源端子68配置在第一輔助電源端子63附近，故利用一個連接零件(連接器)就可以與外部電路連接，在成本及空間上是有利的。
信號線端子120是用于分別連接數據線驅動電路130、掃描線驅動電路150及電源電路500(參照圖1)與掃描線112、數據線114及主電源線LR、LG、LB的端子。
密封部200構成相對于第一基板10與第二基板20之間的圖像顯示區(qū)域的密封結構。
在圖9及圖10中，第二輔助配線62向第二電極輔助性地供給電源，也是第二電極52與第二輔助配線62的電連接場所的密封部200配置于包圍圖像顯示區(qū)域110的整個周圍的區(qū)域內。由此，第二電極52與第二輔助配線62在包圍有效區(qū)域的整個周圍的區(qū)域被金屬接合著。該接合優(yōu)選在10-7托(Torr)以下的減壓環(huán)境下進行。由此，可以使第二電極52與第二輔助配線62的電連接可靠，同時可以形成用以金屬為主體的無機物覆蓋圖像顯示區(qū)域110的密封結構。進而，在密封部200內側的空間210中，也可以將相對于水分或氧等有害物質的吸附劑設置在光散射層80上或者取代光散射層80而設置。通過該密封結構，可以防止第二電極52或有機EL元件72因來自內外部的水分或氧等的有害物質而劣化的現象。
(金屬接合或金屬交聯(lián))接著，參照圖10，對本實施方式的第二電極52與第二輔助配線62的接合進行說明。
在圖10中，在第二電極延伸設置部54、與第二輔助配線62的第二電極延伸設置部54連接的部分之間，形成有金屬接合或金屬交聯(lián)。
在本申請中，在金屬接合或金屬交聯(lián)的形成中利用金屬遷移、超聲波接合法或電場感應巨大電阻變化效應。在這些方法中，與單純地壓接的方法或利用導電性粘接劑來連接第二電極延伸設置部54與第二輔助電極62的情況相比，可以實現更牢固的、低電阻的連接。另外，由于不需要粘接劑的涂敷工序，不會產生粘接劑溢出到電光學元件的開口區(qū)域的問題，故有利于高精細化。再者，即使在金屬交聯(lián)壞掉、電導通被切斷的情況下，也可以再度引起金屬遷移，以使電導通復活。
此外，在超聲波接合法中，例如可以在接合面上利用銦等低熔點金屬，在100℃以下的低溫下使其接合。也可以采用僅密封部200超聲波接合，有效顯示區(qū)域110金屬遷移的接合方法。進而，也可以通過使有機EL元件72與第二基板20的空間7成為高真空，從而接合面因大氣壓而始終被加壓，以謀求接合的穩(wěn)定化。
再有，為了得到穩(wěn)定的接合狀態(tài)，優(yōu)選利用掩模蒸鍍法或濺射法，在第二電極延伸設置部54的表面上形成包含Au、Ag、Cu、Ti、Ni、Al等中的至少一種的薄膜59。
接下來，對金屬遷移的發(fā)生方法進行說明。
在圖10中，位于最外周側的第二輔助配線62中、從隔離物90上向外側露出較大地形成的部分，構成了遷移電源供給端子170。
第二輔助電源端子68經由第二電極用配線118，在位于最外周的隔離物91與鄰接的隔離物90之間，用連接部180而與第二電極62電連接。另外，第二電極用配線118通過隔離物91的下側。因此，不會妨礙第二電極52與第二輔助配線62的連接的密封效果，可以電連接第二電極52與第二輔助電源端子68。進而，隔離物91被由活性度低的金屬構成的薄膜59完全覆蓋，防止經由隔離物91的水分或氧的侵入。假設第二電極用配線118形成為從與第二電極52的電連接場所180通過隔離物90的上側后到達第二電極用端子120的情況下，由于利用金屬接合的密封部200不能連續(xù)地包圍顯示區(qū)域110，故阻礙密封效果。
在本實施方式中，通過在遷移電源供給端子170與第二輔助電源端子68之間施加電壓，從而可以在第二電極52與第二輔助配線62之間使金屬遷移產生。電壓施加是將圖9所示的遷移電源供給端子170及第二輔助電源端子68設置在第一基板10或第二基板20的至少兩個角落部，從處于接觸面各部幾乎為等電位的位置關系的端子施加幾伏～幾十伏左右的所定的電壓來進行。電壓施加，是在真空或減壓后的空間粘貼第一基板10與第二基板20后，在形成于第一基板10與第二基板20之間的空間內，到虛線155a為止，對密封材料155填充密封或暫時密封后進行。在使遷移發(fā)生后，進一步將密封材料155追加填充到線155b為止。由此，在之后的制造工序或產品完成后，可以防止遷移電源供給端子170的腐蝕。
為了在各連接部使遷移更均等地產生，也可以以所定的順序使像素驅動電路選擇性動作，在所選擇的像素中，經由有機EL元件，使第二輔助配線62、第二電極52及第一電極51、第一輔助配線61之間導通，以使在所定位置產生遷移。
第二電極延伸設置部54用Cu、Ag、In等易形成金屬接合或金屬交聯(lián)的金屬形成。進而，為了使金屬遷移容易，也可以使促進物質存在于接合界面間。例如，若輔助配線金屬為Cu，則優(yōu)選硫化銅CuS等固體電解質。另一方面，也可以是接合部以外的部分，用抑制金屬遷移的物質被覆周圍，以對電光學元件或半導體驅動元件等沒有影響。例如，如果輔助配線金屬為Cu，則優(yōu)選用Ta被覆，以防止銅的遷移。
另外，第二輔助配線62的與第二電極延伸設置部54對向的面積，可以比第二電極延伸設置部54的對向面積還大。在該形態(tài)中，即使可以連接第二電極延伸設置部54與第二輔助配線62之際的位置偏離存在，也可以可靠地確保連接面積。此外，由于使第二輔助配線62的體積增大，故可以充分確保成為金屬遷移源的銅(Cu)。還有，在為了使金屬接合或金屬交聯(lián)產生而使連接部的面積十分大的情況下，一條輔助配線的對向面積可以比第二電極的延伸設置部分的對向面積還大。
再有，在利用電場感應巨大電阻變化效應來形成接合型的低電阻導通溝道時，與金屬遷移同樣，在薄膜層部或上述的固體電解質層部上形成包含可以產生電場感應巨大電阻變化(CER)效果的NiO或YBaCuO、PrBaCuO等遷移金屬的氧化物的物質層，通過施加所定的電壓脈沖或電流脈沖而可以實現。
(第二實施方式)參照圖11，對第二實施方式涉及的有機EL裝置進行說明。在此，圖11是本實施方式的與第一實施方式的圖4相同主旨的剖面圖。而且，在圖11中，對與圖4所示的第一實施方式涉及的構成要素相同的構成要素付與相同的參照標記，并適當省略這些的說明。
在圖11中，第二實施方式的光散射層80形成為透鏡狀。因此，由于從有機EL元件72產生的光，通過形成為透鏡狀的光散射層80而進一步在相對第二基板垂直方向上聚光，故可以進一步提高光的取出效率。通過將透鏡狀光散射層配置在第一基板10與第二基板20之間，從而與位于第二基板的外側的情況相比，可以提高光取出效率。這是用與第一基板不同的其他工序形成微小透鏡的本申請的方法而首先實現的。
而且，上述微小透鏡也可以不具有光擴散功能。
在圖11中，第一輔助配線61按照有機EL元件72的種類，包含多層導電膜61a、61b及61c中對應的一層，多層導電膜61a、61b及61c相互絕緣。
例如，在RGB全彩色顯示裝置中，由于發(fā)光顏色不同，最佳驅動電壓及消耗電力根據顯示畫面的規(guī)格而不同。因此，如果對應于顯示畫面的規(guī)格，以3層、2層或1層來形成第一輔助配線61，則輔助配線的自由度提高，可以更有效地使電源串擾容易降低。例如，供給電力多，也可以分為必要的顏色與除此以外的顏色，以2層來形成，在經濟上容易最佳化特性。
(第三實施方式)參照圖12及圖13，說明第三實施方式涉及的有機EL裝置。在此，圖12是表示第三實施方式涉及的第二輔助配線的平面形狀的平面圖。圖13是第三實施方式涉及的像素部的圖12的A-A’剖面圖。而且，在圖12及圖13中，對與圖1到圖10所示的第一實施方式涉及的構成要素同樣的構成要素付與相同的參照標記，并適當地省略這些的說明。
在圖12中，在第三實施方式涉及的有機EL裝置中，微細的第二輔助配線62延伸存在于有機EL元件72的開口區(qū)域190內。
第二輔助配線62包含低反射性的材料，構成為具有至少將像素部70的非開口區(qū)域部分覆蓋的所定的平面圖案。由此，第二輔助配線62也起到作為黑掩模或黑底的功能。進而，如圖12、圖13所示，在開口區(qū)域190上以盡可能不使開口率下降的方式，形成有與第二輔助配線同時形成的微細的線寬度的細線164。通過細線164，光散射層80在開口區(qū)域190內分割為多個。通過分割光散射層80，從而使形成為透鏡狀時的折射角增大，可以進一步使前方出射光量增加。
在作為顯示裝置觀察的情況下，通過在水平方向形成細線164，從而降低從頂棚照明等的來自上方的外光入射到開口區(qū)域190的光量。另外，通過細線164限制出射光中的斜方向的出射光，可以抑制顯示色的角度依存性。結果，能夠顯示對比度或清晰度良好的高品質的圖像。
(第四實施方式)接著，參照圖3、圖4及圖14，對第四實施方式涉及的有機EL裝置的制造方法進行說明。圖14是表示本實施方式的有機EL裝置的制造方法的流程圖。
首先，用絕緣層(41、42及43)分離并形成第一基板10上的1層或多層第一輔助配線61及連接器11b、11c等(S1)。接著，在形成了用于防止金屬污染的金屬污染防止層2的基礎上，形成用于驅動有機EL元件72的開關用晶體管76、驅動用晶體管74及保持電容78(S2)。接下來，用濺射法成膜第二電極用配線及第一電極51、電源供給配線117后，以光刻法一并進行圖案化，然后用絕緣性的保護層45覆蓋。進而，利用光刻法在保護層45上形成隔離物90、91(S3)。接著，除去有機EL元件72的開口部及連接場所180部的保護層45，通過在露出的第一電極51上形成有機層50及第二電極52，從而構成有機EL元件72。進而，在隔離物頂部及密封部200中，在第二電極52上形成由活性低的金屬構成的薄膜59(S4)。之后，也可以至少在圖像顯示區(qū)域110的表面上形成防止水分或氧的透過的鈍化(passivation)膜82。鈍化膜82可以是無機物單獨或SiNxOy類的無機物與有機膜的層疊結構。以上，經過S1到S4的形成工序，第一基板形成工序完成(S10)。
以不同于第一基板形成工序的其他工序，進行在第二基板20上形成第二輔助配線62的第二基板形成工序(S20)。接著，利用CCD照相機或激光對準裝置，對第一基板10及第二基板20進行對位后，進行使其加壓密接并固定密封的粘貼工序(S30)。
在本實施方式的有機EL裝置的制造方法中，由于第二基板形成工序獨立于第一基板形成工序，故可以進行由低電阻的厚膜構成的第二輔助配線62的形成或復雜形狀的圖案化。另一方面，通過獨立于第二基板形成工序的第一基板形成工序，電源供給配線117及第二電極52的低電阻化成為可能。根據本發(fā)明，如用本發(fā)明的第一實施方式涉及的有機EL裝置所說明的，能夠容易地制造大幅度降低了電源串擾導致的亮度不均的、可以顯示高品質圖像的有機EL裝置。
在本實施方式涉及的S4的工序中，包括有機EL層50以延伸存在于與第二輔助配線62對向的部分內的方式，按每個像素部70分離形成，使有機EL層50不會延伸存在于隔離物90的重合部分的工序。
粘貼工序包括工序(S31)，其在高精度地對位第二電極52的延伸設置部分與第二輔助配線62之后，在減壓環(huán)境下使其加壓密接，用密封材料固定密封至少構成密封部200的隔離物901的外周側。而且，即使在圖像顯示區(qū)域110中，也可以以用粘接劑掩埋空間7的形式粘接基板之間。
根據該形態(tài)，由于第二電極52的延伸設置了的部分與第二輔助配線62在減壓環(huán)境下，用密封材料密封第一基板10與第二基板20之間，故在有機EL裝置出現在大氣中的情況下，圖像顯示區(qū)域110內部成為負壓。因此，由于始終以大氣壓對接觸面加壓，故可以保持穩(wěn)定的連接。
(第五實施方式)接著，參照圖10及圖15，對第五實施方式涉及的有機EL裝置的制造方法進行說明。圖15是表示本實施方式的有機EL裝置的制造方法的流程圖。而且，在圖15中，對與圖14所示的制造方法的第四實施方式涉及的構成要素同樣的構成要素付與相同的參照標記，并適當地省略這些的說明。
在本實施方式中，在第四實施方式的制造方法的基礎上，在粘貼工序后還包括利用金屬遷移法或超聲波接合法，對第二電極延伸設置部54與第二輔助配線62的連接部分進行金屬接合的工序(S32)。在金屬遷移法中，通過在遷移電源供給端子170與第二輔助電源端子68之間施加所定的電壓，從而在第二電極52與第二輔助配線62之間流過電流，使金屬遷移發(fā)生。在發(fā)生了金屬遷移的部分上形成1Ω以下的低電阻的金屬交聯(lián)。電壓施加是將圖9所示的遷移電源供給端子170及第二輔助電源端子68設置在第一基板10或第二基板20的至少兩個角落部，從處于接觸面各部幾乎為等電位的位置關系的端子施加幾伏～幾十伏左右的所定電壓來進行的。進而，在使遷移在各連接部更均勻地產生時，也可以以所定的順序使像素驅動電路順次選擇動作，在所選擇的像素中，經由有機EL元件，導通第二輔助配線62、第二電極52及第一電極51、第一輔助配線61之間，在所定位置使遷移發(fā)生。
另外，在采用超聲波接合法的情況下，一邊適當地加熱基板，一邊用超聲波探針(probe)在第二基板上描繪，對接合面提供局部的高振動，以實現金屬結合。由此，接合部可以實現牢固且低電阻的連接狀態(tài)。而且，超聲波接合可以僅在密封部200進行。
(電子儀器)接下來，對搭載了利用上述制造裝置制造出的有機EL裝置的各種電子儀器進行說明。
(A移動型計算機)參照圖16，對將作為上述有機EL裝置的一例的有機EL顯示裝置適用于移動型個人計算機的例子進行說明。圖16是表示計算機1200的構成的立體圖。
在圖16中，計算機1200備有具備了鍵盤1202的主體部1204；具有采用本申請的有機EL顯示裝置而構成的顯示部1005的顯示單元1206。該有機EL顯示裝置通過采用本申請的構成與制造方法，從而可以長時間顯示全彩色的高品質圖像。
(B圖像形成裝置)本發(fā)明涉及的電光學裝置也可以適用于將對應于圖像數據的光照射到感光磁鼓(drum)等感光體上用的裝置。即，該情況下的電光學裝置具備分別向感光體照射光的發(fā)光元件(電光學元件)；和分別驅動各發(fā)光元件的驅動電路。在更期望的形態(tài)中，采用配合A4尺寸或A3尺寸等的各種記錄材料的寬度而能夠進行行曝光的構成。根據本發(fā)明涉及的電光學裝置，可以實現高性能且薄型的印刷裝置或復合復印裝置。
此外，本發(fā)明并未限于上述實施例，在不違反從技術方案范圍及說明書整體讀取的發(fā)明的要旨或者思想的范圍內能夠適當進行變更，伴隨這種變更的有機EL裝置及其制造方法以及電光學裝置及電子儀器也包含在本發(fā)明的技術范圍內。
權利要求
1.一種電光學裝置，其特征在于，包括一對第一和第二基板，在所述第一基板上形成電光學元件，其是在與所述第二基板對向的一側，在第一及第二電極之間夾持電光學物質而形成的；電子元件，其用于驅動該電光學元件；電源配線，其向所述電光學元件及所述電子元件之中至少一方的元件供給電源；在所述第二基板上，在與所述第一基板對向的一側，向所述至少一方的元件輔助性供給所述電源的一條輔助配線、對應于所述電光學元件的非開口區(qū)域而形成為面狀。
2.根據權利要求1所述的電光學裝置，其特征在于，所述第二電極配置在比所述第一電極還靠近所述第二基板的一側，并且與所述電光學元件鄰接、并規(guī)定所述第一基板與所述第二基板的間隔的隔離物形成在所述第一基板或所述第二基板上，從所述一條輔助配線向所述第二電極供給所述電源的連接部形成于所述隔離物面上。
3.根據權利要求2所述的電光學裝置，其特征在于，所述電光學物質不形成在與形成了所述連接部的隔離物面平行且與所述隔離物重疊的部分上。
4.根據權利要求2或3所述的電光學裝置，其特征在于，在所述第一基板與所述一條輔助配線電連接著的所述連接部上，形成有金屬接合或金屬交聯(lián)。
5.根據權利要求4所述的電光學裝置，其特征在于，至少在所述連接部中，在所述第二電極層上形成有包含促進所述金屬接合或金屬交聯(lián)的規(guī)定種類的金屬的薄膜層。
6.根據權利要求4或5所述的電光學裝置，其特征在于，在連接部中，所述一條輔助配線與所述第二電極對向的面積比所述第二電極的對向面積還大。
7.根據權利要求2～5中任一項所述的電光學裝置，其特征在于，所述電光學元件，按照每個形成在所述第一基板上的單位電路來形成，所述連接部，在每個所述電光學元件的非開口區(qū)域上相互連接著。
8.根據權利要求7所述的電光學裝置，其特征在于，所述一條輔助配線形成得將與所述單位電路對應形成的每個所述電光學元件的開口區(qū)域包圍。
9.根據權利要求1～8中任一項所述的電光學裝置，其特征在于，所述隔離物包含彈性部件，比所述電光學元件的厚度還厚。
10.根據權利要求9所述的電光學裝置，其特征在于，所述一條輔助配線包含低反射性的材料，具有規(guī)定的平面圖案，該平面圖案至少部分地覆蓋所述每個單位電路的非開口區(qū)域。
11.根據權利要求10所述的電光學裝置，其特征在于，所述一條輔助配線形成為以與所述平面圖案的最小寬度同等或其以下的線寬度的圖案，將所述開口區(qū)域分割為多個。
12.根據權利要求1～11中任一項所述的電光學裝置，其特征在于，所述一條輔助配線包含Cr、Cu、Au、Ag、Ni、Ti、W及Mo中的至少兩種金屬。
13.根據權利要求1～12中任一項所述的電光學裝置，其特征在于，所述電光學元件在所述第一基板上按每個單位電路形成，在所述第二基板上，進一步與所述每個電光學元件的開口區(qū)域對向地形成有光散射層。
14.根據權利要求13所述的電光學裝置，其特征在于，所述光散射層在該光散射層內含有多個微小的泡或粒子，該泡或粒子的平均粒徑為所述電光學元件的發(fā)光波長的1/2到10倍。
15.根據權利要求13或14所述的電光學裝置，其特征在于，所述光散射層的層厚比所述一條輔助配線的層厚薄。
16.根據權利要求13～15中任一項所述的電光學裝置，其特征在于，所述光散射層形成為透鏡狀。
17.根據權利要求2所述的電光學裝置，其特征在于，由形成于所述第一基板上的單位電路控制的多個所述電光學元件構成有效區(qū)域，所述連接部進一步配置在包圍所述有效區(qū)域的整個周圍的區(qū)域中。
18.根據權利要求17所述的電光學裝置，其特征在于，在所述第一基板上形成了用于向第二電極供給電源的第二輔助電源端子與連接在該第二輔助電源端子上的第二電極用配線，所述第二電極與所述第二電極用配線的連接場所比包圍所述有效區(qū)域的整個周圍的所述連接部還位于內側。
19.根據權利要求18所述的電光學裝置，其特征在于，所述第二電極用配線在所述第一基板上通過所述隔離物的下側，連接到所述第二輔助電源端子上。
20.根據權利要求18或19所述的電光學裝置，其特征在于，所述薄膜層由與所述電光學元件的第二電極相比化學上為惰性的材料構成，覆蓋位于包圍所述有效區(qū)域的所述連接部內的隔離物，同時至少連續(xù)覆蓋到位于其內側的所述連接部為止的所述第一基板表面。
21.根據權利要求1～20中任一項所述的電光學裝置，其特征在于，在所述第一基板上，向所述至少一方元件輔助地供給所述電源的其他輔助配線，比形成所述至少一方元件的層更在所述第一基板側形成。
22.根據權利要求21所述的電光學裝置，其特征在于，所述第二電極配置在比所述第一電極還靠近所述第二基板的一側，所述一條輔助配線向所述第二電極供給所述電源，所述其他輔助配線向所述第一電極供給所述電源。
23.根據權利要求20或21所述的電光學裝置，其特征在于，所述電光學元件與形成于所述第一基板上的多個單位電路對應地形成，所述電源配線、所述一條輔助配線及其他輔助配線，到所述各單位電路附近為止延伸為面狀。
24.根據權利要求23所述的電光學裝置，其特征在于，所述其他輔助配線按照所述電光學元件的特性，使相互絕緣的所述多層導電膜中的至少一層對應，向所述電光學元件及所述電子元件中的至少一方元件供給電源。
25.根據權利要求23所述的電光學裝置，其特征在于，所述其他輔助配線包括所述多層導電膜，這些導電膜經由開孔在所述層間絕緣膜上的接觸孔而相互電連接。
26.根據權利要求21～25中任一項所述的電光學裝置，其特征在于，所述其他輔助配線在與所述隔離物重疊的部分上設入狹縫。
27.一種電光學裝置的制造方法，該電光學裝置具備一對第一和第二基板，其特征在于，包括第一基板形成工序，其在所述第一基板上形成在第一及第二電極間夾持電光學物質而成的電光學元件、用于驅動該電光學元件的電子元件、和向所述電光學元件及所述電子元件中的至少一方元件供給電源的電源配線；第二基板形成工序，其在所述第二基板上，將向所述至少一方元件輔助性地供給所述電源的一條輔助配線對應于所述電光學元件的非開口區(qū)域而形成為面狀；和粘貼工序，其粘貼并密封所述第一基板與所述第二基板，以便所述一條輔助配線可以向所述第一基板供給電源。
28.根據權利要求27所述的電光學裝置的制造方法，其特征在于，所述第一基板形成工序包括在所述第一基板上形成隔離物的工序，其中所述隔離物與所述電光學元件鄰接并規(guī)定所述第一基板與所述第二基板的間隔；在所述隔離物面上形成連接部的工序，所述連接部從所述一條輔助配線向所述第二電極供給所述電源；和在與形成了所述連接部的隔離物面平行且與所述隔離物重疊的部分上防止所述電光學物質的形成的工序。
29.根據權利要求27所述的電光學裝置的制造方法，其特征在于，所述粘貼工序包括在減壓環(huán)境下，以所述連接部使所述第二電極與所述一條輔助配線密接的工序；包圍由形成在所述第一基板上的單位電路所控制的多個所述電光學元件構成的有效區(qū)域，使位于最外周的所述連接部金屬接合的工序；用密封材料至少密封位于所述最外周的連接部的外側的工序。
30.根據權利要求28所述的電光學裝置的制造方法，其特征在于，所述粘貼工序包括在所述第二電極與所述一條輔助配線間施加所定的電壓，通過在所述連接部上形成由金屬遷移導致的金屬交聯(lián)，從而得到相互的電導通的工序。
31.一種電子儀器，其特征在于，具備權利要求1～26中任一項所述的電光學裝置。
全文摘要
本發(fā)明提供一種電光學裝置，其中具備一對第一基板和第二基板。在第一基板側形成有電光學元件、電子元件、電源配線及隔離物。在第二基板側形成有向至少一方元件輔助性地供給電源的一條輔助配線。由此，能夠進行電源配線及第二電極的進一步低電阻化。因此，可以得到降低顯示的亮度不均，謀求高對比度化、高亮度化的高輸出品質的電光學裝置。
文檔編號H01L27/15GK1822738SQ20061000614
公開日2006年8月23日 申請日期2006年1月19日 優(yōu)先權日2005年1月20日
發(fā)明者今村陽一 申請人:精工愛普生株式會社