專利名稱：增加溝槽表面區(qū)域的選擇性蝕刻的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置，尤其是一種具有溝槽結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體裝置被用于許多用途。用于存儲設(shè)備中的半導(dǎo)體裝置的重要類型是動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(“DRAM”)。例如，該DRAM廣泛用于計算機(jī)中的存儲器?；綝RAM單元典型地包括半導(dǎo)體襯底上形成的電容器和晶體管。電容器儲存代表數(shù)據(jù)值的電荷，且晶體管使數(shù)據(jù)值能被更新，從電容器讀出，或?qū)懙诫娙萜鳌?br> 減小也被稱為覆蓋區(qū)的電容器和/或晶體管的表面區(qū)域，，使更多的DRAM單元安裝在芯片上。增加的DRAM單元的數(shù)目產(chǎn)生更大的芯片存儲容量。
一種最小化DRAM單元的表面區(qū)域或其他存儲器單元的已知方法，是垂直地配置元件以使得該元件沿著兩層或更多層布置。垂直的存儲器單元比平面存儲器單元或者對角線存儲器單元覆蓋更少的表面區(qū)域，在平面存儲器單元中晶體管和電容器并排配置，在對角線存儲器單元中電容器在溝槽中形成且晶體管與溝槽的表面相鄰。因此，和平面或?qū)蔷€單元相比，垂直的存儲器單元可以設(shè)置得更靠近在一起。
一種實現(xiàn)這種垂直結(jié)構(gòu)的已知方式是提供一種在半導(dǎo)體襯底中形成的深溝槽。該電容器和/或晶體管沿著溝槽壁形成。作為深溝槽制造工序的實施例，襯墊氧化層和襯墊氮化層首先沉積在硅襯底上，然后硬膜層沉積在氮化層頂上。接著使用光刻步驟來圖型化和蝕刻硬膜層和襯墊氮化層，且硬膜層接著被用于掩模深溝槽的蝕刻。
接著，除去硬膜層，沿著溝槽的壁和底部以及在氮化層的頂部沉積摻雜的玻璃層。接著，執(zhí)行進(jìn)一步的圖型化步驟并從氮化層的頂部和溝槽的上部的壁中除去摻雜的玻璃。接著在摻雜的玻璃的剩余部分上同時也在溝槽的剩余壁上和氮化層的頂部沉積氧化帽，且執(zhí)行退火步驟以使摻雜劑從摻雜的玻璃進(jìn)入硅襯底并且形成埋置板。接著，除去氧化帽和摻雜的玻璃，且沿著溝槽的側(cè)面沉積薄介質(zhì)層。
溝槽的下部填充有多晶硅以形成節(jié)點(diǎn)導(dǎo)體。對該裝置的頂部表面進(jìn)行平面化以除去在氮化層頂部的多晶硅的任何部分，且多晶硅凹入套圈(collar)的預(yù)期深度。從溝槽的暴露的上部除去介質(zhì)薄膜，且接著沉積溝槽套圈氧化層并定向回蝕刻以除去在氮化層頂部和節(jié)點(diǎn)多晶硅頂部的溝槽套圈氧化層的任何部分。接著，沉積多晶硅層的余下部分，且再次對裝置平面化以除去氮化層頂部的任何多晶硅。該氮化層保護(hù)多晶硅蝕刻步驟期間的周圍的硅。
接著優(yōu)選使用濕法蝕刻步驟使該溝槽套圈氧化物反向凹進(jìn)。該氧化物凹陷在多晶硅填充水平面之下除去套圈氧化物的位置形成草皮層(divot)。接著用多晶硅再次填充溝槽來填充該草皮層，然后將多晶硅凹至預(yù)期的水平面。隨后，在高溫加工步驟用以前沉積的多晶硅摻雜多晶硅區(qū)域，且隨后將摻雜劑向外擴(kuò)散進(jìn)入襯底以形成埋置的帶狀區(qū)域。
為了進(jìn)一步增加DRAM的集成密度，減少了垂直DRAM單元的表面區(qū)域或覆蓋區(qū)域。然而，減少的DRAM單元的表面區(qū)域還減少了DRAM單元溝槽的內(nèi)部表面區(qū)域，并由此減少了溝槽電容器的電容量。因為溝槽的側(cè)壁通常是平面的并且限制了溝槽的表面區(qū)域，所以可以執(zhí)行作為“瓶蝕刻”的已知工藝來增加溝槽下部的表面區(qū)域。典型地使用濕法蝕刻來執(zhí)行瓶蝕刻，以各向同性的方式蝕刻溝槽的壁和底部。作為形成瓶子蝕刻溝槽的工藝的實施例，以上述方式蝕刻深溝槽。接著用例如抗蝕劑材料來填充溝槽的下部，且溝槽套圈氧化層沿著溝槽壁的暴露的上部生長。接著除去溝槽下部中的材料，然后蝕刻溝槽下部和溝槽底部的現(xiàn)在暴露的壁，用例如濕蝕刻劑，沿著壁的下部和沿著溝槽的底部蝕刻襯底的暴露表面，但是不蝕刻套圈氧化物。該蝕刻以各向同性的方式加寬和加深溝槽的下部，以使溝槽通常保持矩形形狀。當(dāng)從橫截面視圖看去時，溝槽的最終結(jié)構(gòu)具有通常所說的“瓶形”形狀。這種瓶蝕刻工序的實施例在美國專利號No.6,426,254 B2中有描述，其于2002年7月30日授予Kudelka等人，標(biāo)題為“以各相異性濕法蝕刻擴(kuò)展溝槽的方法”，該申請的全部內(nèi)容被包括在此作為參考。
盡管已知的瓶蝕刻工藝增加了溝槽的內(nèi)部表面區(qū)域，并由此增加了溝槽電容器的電容量，但是電容量獲得的增加不足以使DRAM的集成密度進(jìn)一步增加，這是因為相鄰溝槽和其它結(jié)構(gòu)之間的間隔減少，并可以阻止溝槽被充分加寬。
因此，希望提供一種深溝槽結(jié)構(gòu)，該溝槽壁的表面區(qū)域以更有效的方式進(jìn)一步增加。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的方法，增加了襯底上形成的溝槽壁的表面區(qū)域。溝槽具有多個角，每個角形成于溝槽的兩個給定壁的相交處。阻擋層，例如氧化層，形成于溝槽壁上，以使氧化層在靠近溝槽的角處更薄，并在溝槽的角之間更厚。通過氧化層將摻雜劑引入襯底以形成靠近溝槽的角的更高摻雜區(qū)域和在溝槽的角之間的更低摻雜區(qū)域。接著除去氧化層。以比襯底的更高摻雜區(qū)域更高的速率蝕刻襯底的更低摻雜區(qū)域的方式蝕刻溝槽壁，將溝槽加寬和加長并在溝槽壁的相交處形成圓角。
根據(jù)該方法，在形成氧化層之前在溝槽的每個壁的第一部分上可以形成套圈層，以使氧化層僅僅形成在溝槽的每個壁的剩余部分，可以僅在溝槽壁的剩余部分執(zhí)行上述剩下的步驟。溝槽壁的第一部分可以是靠近襯底表面的溝槽的每個壁的上部，且溝槽壁的剩余部分可以是溝槽壁的下部?？梢栽趯诫s劑引入襯底之前蝕刻氧化層，以使氧化層在靠近溝槽的角處進(jìn)一步變薄?？梢允褂脷浞?HF)濕法蝕刻來執(zhí)行該蝕刻。
可以使用熱氧化工藝將氧化層形成在溝槽壁上。該熱氧化工藝可以在700℃到900℃的溫度下執(zhí)行。通過將氣相摻雜劑類引入襯底的方式可以將摻雜劑引入襯底。可選擇地，可以沉積摻雜層，接著摻雜劑類可以從沉積層擴(kuò)散進(jìn)入襯底?？梢允褂酶飨蛲缘奈g刻工藝來蝕刻溝槽壁。各向同性的蝕刻工藝可以包括濕法蝕刻。
本發(fā)明的另一方面包括使用上述方法形成的溝槽結(jié)構(gòu)。根據(jù)本發(fā)明的另一實施例，提供一種溝槽結(jié)構(gòu)，其包括在半導(dǎo)體襯底上形成的溝槽。該溝槽具有多個壁和在多個壁的其中兩個的相交處形成的凹槽，其中該壁的中點(diǎn)處的第一寬度比該壁的其中兩個的相交處的第二寬度更寬。
當(dāng)參照下列優(yōu)選實施例和附圖的描述來考慮時，本發(fā)明的上述方面、特征和優(yōu)勢將得到進(jìn)一步的評價。


參照附圖，本發(fā)明的目的和其它優(yōu)勢將在優(yōu)選實施例中得以更好地描述，其附圖包括圖1A和1B是示出以已知的方式形成在半導(dǎo)體襯底上的溝槽結(jié)構(gòu)的橫截面視圖的簡圖；圖2是示出沿著圖1B的2-2線的溝槽的橫截面頂部視圖的簡圖；圖3是示出根據(jù)本發(fā)明工藝在熱氧化后溝槽的橫截面頂部視圖的簡圖；圖4是示出在引入摻雜劑后圖3的溝槽的橫截面頂部視圖的簡圖；圖5是示出在除去氧化物后圖4的溝槽的橫截面頂部視圖的簡圖；圖6是示出在瓶蝕刻后圖5的溝槽的橫截面頂部視圖的簡圖；且圖7是示出具有圖6所示的多個深溝槽的襯底的一部分的橫截面頂部視圖的簡圖。
具體實施例方式
本發(fā)明改變溝槽表面的外形，以使得溝槽表面區(qū)域增加，并由此增加了溝槽容量以提高DRAM的電存儲容量。
圖1A是使用已知工藝形成在半導(dǎo)體襯底102上的溝槽100的橫截面視圖。典型地，襯墊層104形成在襯底102的表面上并可以是氧化層和/或氮化層。襯墊層用于在隨后的蝕刻步驟期間保護(hù)襯底表面。接著，硬膜層(未示出)沉積在襯墊層104上，且使用已知光刻步驟將硬膜層和襯墊層圖型化和蝕刻，用以在硬膜層中形成一個或更多的開口。接下來，使用硬膜層來掩模襯底102的蝕刻以形成溝槽100，接著除去硬膜層。典型地，使用各相異性的蝕刻工藝?yán)绶磻?yīng)離子蝕刻(RIE)工藝來執(zhí)行溝槽蝕刻，以形成具有基本垂直的壁106的基本矩形的開口。
接著，以已知方式沿著溝槽壁的上部形成套圈108。例如，可以用抗蝕劑或其它材料(未示出)填充溝槽100的下部，這留下暴露的溝槽壁的上部。接著，沿著溝槽壁的暴露部分和襯底102的頂部表面上形成一個或更多的介質(zhì)層，從襯底的頂部表面除去介質(zhì)層，接著除去抗蝕劑材料。套圈優(yōu)選為氧化物、氮化物、一種或多種氧化物和一種或多種氮化物的組合物，或其它材料。可選擇地，在沉積抗蝕劑或其它材料之前沿著溝槽壁可以形成氧化物、氮化物和/或多晶硅的一個或多個襯墊層來保護(hù)溝槽壁，接著從溝槽的下部除去抗蝕劑或其它材料后，將一個或多個襯墊層從溝槽的下部壁除去。
作為形成套圈的可選工藝，沿著溝槽100的壁106形成一個或多個氧化物、氮化物或多晶硅襯墊層，并執(zhí)行各向同性的蝕刻步驟從溝槽壁的上部除去襯墊材料。接著，在溝槽壁的上部形成套圈108，并采用一個或更多的濕法蝕刻步驟將襯墊材料從溝槽壁的下部除去。
接著，如圖1B所示，采用各向同性的蝕刻例如濕法蝕刻步驟將溝槽100壁的下部進(jìn)行反向蝕刻，有選擇性地蝕刻溝槽壁并保留套圈基本完好。所得到的溝槽具有“瓶形”，即，溝槽的下部比溝槽的上部寬。溝槽下部的壁116比原壁106更進(jìn)一步地分開，卻維持了原溝槽的基本矩形的形狀。蝕刻的壁116增加的表面區(qū)域允許具有更大表面區(qū)域的溝槽電容器的形成。
圖2示出沿著圖1B的2-2線的溝槽的瓶蝕刻部分的橫截面頂部視圖，并示出瓶蝕刻的壁的基本矩形形狀。例如，當(dāng)襯底102為具有[100]表面定向的硅片，壁106和116是沿著晶面[110]定向的。
隨著DRAM和使用溝槽的其它設(shè)備的表面尺寸減小，通過最初的溝槽蝕刻形成的溝槽壁的尺寸也減小，需要增加瓶蝕刻來形成更大的區(qū)域壁以保持所需的溝槽容量。然而，隨著該表面尺寸的減小，溝槽之間的間距也減小，并由此限制了瓶蝕刻的量，該瓶蝕刻可在相鄰溝槽的電容器的摻雜區(qū)域充分鄰近而產(chǎn)生相鄰溝槽之間的漏電和/或短路之前進(jìn)行。
本發(fā)明通過擴(kuò)大溝槽下部壁的表面區(qū)域來解決這個問題，并由此增加了溝槽電容器的電容量，同時減少了相鄰溝槽電容器之間漏電和/或短路的可能性。
根據(jù)本發(fā)明，沿著溝槽壁的上部形成具有套圈的溝槽，例如以上述方式形成，接著執(zhí)行熱氧化步驟從而在溝槽壁的暴露下部生長氧化物。優(yōu)選地，在比標(biāo)準(zhǔn)熱氧化更低的溫度例如700℃到900℃之間的溫度執(zhí)行氧化步驟。通常，不執(zhí)行這種更低溫度的熱氧化，因為所得到的熱生長氧化物的厚度不均勻，并根據(jù)深溝槽壁的機(jī)械應(yīng)力而變化。然而，在本發(fā)明中，更低溫度熱氧化的不均勻被希望形成深溝槽壁上的氧化物，該氧化物在靠近該溝槽的角處比靠近溝槽壁的中心更薄。
圖3示出執(zhí)行了本發(fā)明的熱氧化步驟后溝槽300的橫截面頂部視圖。阻擋層例如氧化層形成于溝槽側(cè)壁304的每一個的下部上，并具有跨越溝槽壁長度的不均勻厚度。特別地，氧化層301靠近遠(yuǎn)離溝槽的角的壁的中心處更厚，而靠近溝槽的角302處更薄?？蛇x擇地，可隨后執(zhí)行氫氟酸(HF)濕法蝕刻以使溝槽的角處的氧化層301進(jìn)一步變薄。
接著，通過氧化層301引入摻雜劑。該摻雜劑可包括砷、磷、硼或其它合適的摻雜劑種類?？梢酝ㄟ^熱處理提供摻雜劑，在該熱處理中引入氣相摻雜劑?？蛇x擇地，摻雜層例如砷摻雜的玻璃(ASG)或硼磷硅酸鹽玻璃(BPSG)可以沉積在氧化層上，并接著被熱擴(kuò)散進(jìn)入壁中。在氧化層最薄處的溝槽的角中引入摻雜劑以形成摻雜區(qū)域。圖4示出在角402處引入摻雜劑形成摻雜區(qū)域404后的溝槽400的橫截面頂部視圖。
通常地，例如在埋置板摻雜期間，由于所得到的摻雜劑滲透進(jìn)入溝槽套圈周圍的半導(dǎo)體區(qū)域，因此在溝槽的角處避免了氧化物厚度的減少。然而，根據(jù)本發(fā)明，希望在溝槽的角402處得到更薄的熱氧化物以及所得到的摻雜劑在該角處滲透。實際上，如上所述，選擇熱氧化溫度以使在溝槽的角處的氧化物401的厚度最大化。
接下來，以一種已知方式除去熱生成氧化物。圖5示出在除去氧化物后的溝槽500的橫截面頂部視圖，并示出在溝槽的角處存在的高摻雜區(qū)域504。
接著，執(zhí)行瓶蝕刻工藝。瓶蝕刻期間的溝槽壁的蝕刻速率取決于襯底的摻雜水平，即，高摻雜區(qū)域的蝕刻更慢，而低摻雜區(qū)域的蝕刻更快。因此，在高摻雜區(qū)域504之間的區(qū)域中比在溝槽的角處更快地蝕刻溝槽壁。
圖6示出在瓶蝕刻后的溝槽600的橫截面頂部視圖。所得到的溝槽側(cè)壁601不再是平坦的，而是具有形成于溝槽的角處的更高摻雜區(qū)域處的突起602。結(jié)果，溝槽側(cè)壁具有的表面區(qū)域比傳統(tǒng)瓶蝕刻所提供的表面區(qū)域更大。
圖7示出半導(dǎo)體襯底的部分，圖6中的多個溝槽形成在該襯底中。沿著跨越深溝槽的瓶蝕刻部分在襯底下截取的橫截面頂部視圖顯示該溝槽。每個溝槽700包括具有圓角702的側(cè)壁701。有利地，雖然襯底表面的開口對于圖2中的溝槽和圖7中的溝槽可以是相同的尺寸，但是圓角702為溝槽700提供了比圖2所示的傳統(tǒng)瓶蝕刻的溝槽下部更寬且更長的下部。此外，該圓角使溝槽彼此更加靠近，而不會在相鄰的溝槽之間出現(xiàn)漏電或短路。
有利地，可以控制摻雜劑的選擇性蝕刻來獲得所希望的溝槽表面區(qū)域，并因而通過調(diào)節(jié)摻雜劑水平和瓶蝕刻時間來獲得所希望的溝槽容量。作為進(jìn)一步的優(yōu)勢，溝槽電容器的容量隨著覆蓋區(qū)域的尺寸改變而增加。可選擇地，可以減小溝槽的印覆蓋區(qū)域尺寸，而同時保持相同的溝槽的容量。
盡管已參照特定實施例描述了本發(fā)明，可以理解的是，這些實施例僅僅是本發(fā)明的解釋性的原理和應(yīng)用。因此，可以理解的是，不偏離附屬的權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍，可以對解釋性的實施例作出許多修改并可以設(shè)計出其它的配置。
權(quán)利要求
1.一種增加在襯底中形成的溝槽的壁的表面區(qū)域的方法，該溝槽具有多個角，每個角形成在溝槽的兩個給定壁的相交處，所述方法包括在溝槽壁上形成阻擋層，以使阻擋層在靠近溝槽的角處更薄，并在溝槽的角之間更厚；通過阻擋層將摻雜劑引入襯底以形成靠近溝槽的角的更高摻雜區(qū)域和在溝槽的角之間的更低摻雜區(qū)域；除去阻擋層；和以比襯底的更高摻雜區(qū)域更高的速率蝕刻襯底的更低摻雜區(qū)域的方式蝕刻溝槽壁，以將該溝槽加寬和加長。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括在形成阻擋層的所述步驟之前在溝槽的每個壁的第一部分上形成套圈層，以使阻擋層僅僅形成在溝槽的每個壁的剩余部分上，并且僅在溝槽壁的剩余部分上執(zhí)行所述引入、除去和蝕刻步驟。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中溝槽壁的第一部分是靠近襯底表面的溝槽的每個壁的上部，溝槽壁的剩余部分是溝槽的每個壁的下部。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括在將摻雜劑引入襯底的所述步驟之前蝕刻形成在溝槽壁上的阻擋層，以使阻擋層在靠近溝槽的角處進(jìn)一步變薄。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其中使用氫氟酸(HF)濕法蝕刻來執(zhí)行所述蝕刻阻擋層的步驟。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中使用熱氧化工藝執(zhí)行所述將阻擋層形成在溝槽壁上的步驟。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中該熱氧化工藝在700℃到900℃的溫度下執(zhí)行。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述將摻雜劑引入襯底的步驟包括將氣相摻雜劑類引入襯底。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述將摻雜劑引入襯底的步驟包括沉積摻雜層，接著將摻雜劑類從沉積層熱擴(kuò)散進(jìn)入襯底。
10.如權(quán)利要求1所述的方法，其中使用各向同性的蝕刻工藝來執(zhí)行蝕刻溝槽壁的所述步驟。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中各向同性的蝕刻工藝包括濕法蝕刻。
12.通過一種方法形成在襯底上的溝槽結(jié)構(gòu)，包括在襯底表面中圖型化和蝕刻開口以形成具有多個壁和多個角的溝槽，每個角形成在溝槽的給定兩個壁的相交處；在溝槽靠近襯底表面的每個壁的上部上形成套圈層；在溝槽壁的剩余下部上形成阻擋層，以使阻擋層在靠近溝槽的角處更薄，并在溝槽的角之間更厚；通過阻擋層將摻雜劑引入襯底以形成靠近溝槽的角的更高摻雜區(qū)域和在溝槽的角之間的更低摻雜區(qū)域；除去阻擋層；并且以比襯底的更高摻雜區(qū)域更高的速率蝕刻襯底的更低摻雜區(qū)域的方式蝕刻溝槽壁，以將溝槽加寬和加長，并在溝槽壁的每個相交處形成圓角。
13.如權(quán)利要求12所述的溝槽結(jié)構(gòu)，其中所述方法進(jìn)一步包括在將摻雜劑引入襯底的所述步驟之前蝕刻形成在溝槽壁上的阻擋層，以使阻擋層在靠近溝槽的角處進(jìn)一步變薄。
14.如權(quán)利要求13所述的溝槽結(jié)構(gòu)，其中使用氫氟酸(HF)濕法蝕刻執(zhí)行所述蝕刻步驟。
15.如權(quán)利要求12所述的溝槽結(jié)構(gòu)，其中使用熱氧化工藝執(zhí)行將所述將阻擋層形成在溝槽壁上的步驟。
16.如權(quán)利要求15所述的溝槽結(jié)構(gòu)，其中該熱氧化工藝在700℃到900℃的溫度下執(zhí)行。
17.如權(quán)利要求12所述的溝槽結(jié)構(gòu)，其中所述將摻雜劑引入襯底的步驟包括將氣相摻雜劑類引入襯底。
18.如權(quán)利要求12所述的溝槽結(jié)構(gòu)，其中所述將摻雜劑引入襯底的步驟包括沉積摻雜層，接著將摻雜劑類從沉積層熱擴(kuò)散進(jìn)入襯底。
19.如權(quán)利要求12所述的溝槽結(jié)構(gòu)，其中使用各向同性的蝕刻工藝來執(zhí)行蝕刻溝槽壁的所述步驟。
20.如權(quán)利要求19所述的溝槽結(jié)構(gòu)，其中各向同性的蝕刻工藝包括濕法蝕刻。
21.一種形成在襯底上的溝槽結(jié)構(gòu)，該溝槽結(jié)構(gòu)包括在半導(dǎo)體襯底上形成的溝槽，該溝槽具有多個壁；和在多個基本平坦的壁的其中兩個的相交處形成的凹槽，其中該壁的中點(diǎn)處的第一寬度比該壁的其中兩個的相交處的第二寬度更寬。
22.如權(quán)利要求21所述的溝槽結(jié)構(gòu)，其中該溝槽具有上部和下部，該上部靠近襯底的表面，在上部的溝槽比在下部的溝槽更窄。
23.如權(quán)利要求22所述的溝槽結(jié)構(gòu)，其中該溝槽具有沿著該壁的上部形成的套圈層。
24.如權(quán)利要求21所述的溝槽結(jié)構(gòu)，其中該凹槽具有向內(nèi)圓角的形狀。
25.如權(quán)利要求21所述的溝槽結(jié)構(gòu)，其中該凹槽具有比在兩壁之間的中點(diǎn)附近的區(qū)域更高的摻雜濃度。
全文摘要
襯底中形成的溝槽壁的表面區(qū)域增加了。阻擋層形成于溝槽壁上，以使阻擋層在靠近溝槽的角處更薄，并在溝槽的角之間更厚。通過阻擋層將摻雜劑引入襯底以形成靠近溝槽的角處的襯底中更高摻雜區(qū)域和在溝槽的角之間的更低摻雜區(qū)域。除去阻擋層，并以比襯底的更高摻雜區(qū)域更高的速率蝕刻襯底的更低摻雜區(qū)域的方式蝕刻溝槽壁，將溝槽加寬和加長并在溝槽壁的相交處形成圓角。
文檔編號H01L27/108GK1841672SQ200610008990
公開日2006年10月4日 申請日期2006年1月28日 優(yōu)先權(quán)日2005年1月31日
發(fā)明者S·庫德爾卡, H·圖斯, K·塞特爾邁爾 申請人:因芬尼昂技術(shù)股份公司, 國際商業(yè)機(jī)器公司