專(zhuān)利名稱(chēng)：半導(dǎo)體器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件及其制造方法。
背景技術(shù)：
眾所周知，閃存和鐵電存儲(chǔ)器是非易失性存儲(chǔ)器，即使在切斷電源之后也能夠存儲(chǔ)信息。
在非易失性存儲(chǔ)器中，閃存包括嵌入絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(IGFET)的柵極絕緣膜中的浮動(dòng)?xùn)艠O，并通過(guò)在該浮動(dòng)?xùn)艠O中積累指示記錄信息的電荷而存儲(chǔ)信息。但是，這種閃存的缺點(diǎn)在于，在寫(xiě)入和擦除信息時(shí)，需要較高的電壓使隧道電流流至柵極絕緣膜。
另一方面，鐵電存儲(chǔ)器，也稱(chēng)為FeRAM(鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)，通過(guò)利用設(shè)置于鐵電電容器中的鐵電膜的磁滯特性存儲(chǔ)信息。鐵電膜響應(yīng)電容器的上下電極之間施加的電壓產(chǎn)生極化，并且即使在電壓消除之后也會(huì)保持自發(fā)極化。當(dāng)施加的電壓的極性反轉(zhuǎn)時(shí)，自發(fā)極化的極性也反轉(zhuǎn)。通過(guò)使極性的方向?qū)?yīng)于″1″和″0″，將信息寫(xiě)入鐵電膜。FeRAM執(zhí)行寫(xiě)入所需的電壓小于閃存執(zhí)行寫(xiě)入所需的電壓。此外，F(xiàn)eRAM還有一個(gè)優(yōu)點(diǎn)，即能夠以高于閃存的速率寫(xiě)入。
根據(jù)結(jié)構(gòu)，F(xiàn)eRAM大體可分為兩類(lèi)堆疊式和平面式。在平面式FeRAM中，電容器的平面形狀趨向于較大，因?yàn)樾纬捎诎雽?dǎo)體襯底上的MOS(金屬氧化物半導(dǎo)體)晶體管與電容器的下電極經(jīng)由電容器上側(cè)的金屬互連部件電連接。
相比之下，在堆疊式FeRAM中，電容器的下電極直接形成于連接至MOS晶體管的源極/漏極區(qū)的導(dǎo)電塞上，下電極與MOS晶體管經(jīng)由導(dǎo)電塞電連接。利用這種結(jié)構(gòu)，能夠使得電容器的平面形狀與平面式FeRAM相比較小，從而實(shí)現(xiàn)未來(lái)所需的FeRAM的微型化。
需要為堆疊式FeRAM設(shè)置電容器介電膜，該電容器介電膜即便在FeRAM微型化時(shí)結(jié)晶性也不會(huì)退化，并可提供優(yōu)異的鐵電特性。
應(yīng)該注意，日本未審查專(zhuān)利申請(qǐng)公告No.2004-146772，No.Hei11-330411，Hei10-340871，和Hei7-22578中公開(kāi)了上述相關(guān)技術(shù)。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方案提供的半導(dǎo)體器件包括半導(dǎo)體襯底；雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)，形成于該半導(dǎo)體器件的表面層中；絕緣膜，形成于該半導(dǎo)體襯底上，并在該雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)上方具有孔；導(dǎo)電塞，形成于該孔中，并電連接至該雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)；底層導(dǎo)電膜，形成于該導(dǎo)電塞和該導(dǎo)電塞周?chē)慕^緣膜上，并具有平坦表面；結(jié)晶導(dǎo)電膜，形成于該底層導(dǎo)電膜上；以及電容器，通過(guò)在該結(jié)晶導(dǎo)電膜上依次疊置下電極、電容器介電膜和上電極而形成，其中該電容器介電膜由鐵電材料制成。
根據(jù)本發(fā)明的另一方案，提供一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括如下步驟在半導(dǎo)體襯底的表面層形成雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)；在該半導(dǎo)體襯底上形成絕緣膜；在該雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)上方的絕緣膜中形成孔；在該絕緣膜的上表面上和該孔中形成用以制作塞的導(dǎo)電膜；通過(guò)拋光處理僅在該孔中保留用以制作塞的導(dǎo)電膜，并將該孔中的用以制作塞的導(dǎo)電膜制成電連接至該雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)的導(dǎo)電塞；在該絕緣膜和該導(dǎo)電塞的各自上表面上形成底層導(dǎo)電膜；拋光該底層導(dǎo)電膜的上表面，以平坦化該上表面；在該底層導(dǎo)電膜上形成結(jié)晶導(dǎo)電膜；以及通過(guò)在該結(jié)晶導(dǎo)電膜上依次疊置下電極、電容器介電膜和上電極形成電容器，其中該電容器介電膜由鐵電材料制成。
根據(jù)本發(fā)明，在通過(guò)拋光用以制作塞的導(dǎo)電膜在孔中形成導(dǎo)電塞時(shí)，由于形成于絕緣膜上的底層導(dǎo)電膜被拋光從而使其上表面平坦化，因此即使當(dāng)由于過(guò)度拋光在孔周邊的絕緣膜中產(chǎn)生凹陷時(shí)，也能夠防止凹陷導(dǎo)致的下電極的結(jié)晶無(wú)序。
此外，即便當(dāng)由于拋光底層導(dǎo)電膜而使底層導(dǎo)電膜的晶體變形時(shí)，由于形成結(jié)晶金屬膜，上述變形也難以影響下電極，結(jié)晶金屬膜的作用可以令人滿(mǎn)意地保持該結(jié)晶金屬膜上的下電極的取向。
因此，在本發(fā)明中，由于具有良好結(jié)晶性的下電極的作用，可改進(jìn)電容器介電膜的結(jié)晶性，從而能夠改進(jìn)例如電容器介電膜的鐵電特性、極化電荷的剩余量。
此外，通過(guò)在平坦化底層導(dǎo)電膜的上表面之后將底層導(dǎo)電膜的上表面暴露在含氮等離子體中，可以消除底層導(dǎo)電膜中由極化導(dǎo)致的晶體變形。
此外，通過(guò)將結(jié)晶導(dǎo)電膜的上表面暴露在含氮等離子體中，可進(jìn)一步改進(jìn)結(jié)晶導(dǎo)電膜的結(jié)晶性。
應(yīng)該注意，當(dāng)使用在含氮?dú)夥罩械拟伳ぷ鳛榻Y(jié)晶導(dǎo)電膜時(shí)，在不執(zhí)行上述兩種等離子體處理的情況下也可保持結(jié)晶導(dǎo)電膜的結(jié)晶性。
此外，可在結(jié)晶導(dǎo)電膜上形成氧阻擋金屬，并在該氧阻擋金屬上形成電容器。盡管對(duì)構(gòu)成電容器的鐵電膜執(zhí)行FeRAM特別所需的多種類(lèi)型的退火，例如含氧氣氛中的恢復(fù)退火，但是通過(guò)上述氧阻擋金屬膜能夠防止氧到達(dá)導(dǎo)電塞。因此，可以抑制由導(dǎo)電塞的氧化導(dǎo)致發(fā)生接觸不良。
當(dāng)形成所述氧阻擋金屬膜時(shí)，優(yōu)選地，在執(zhí)行上述退火之后，回蝕刻在氧阻擋金屬膜、結(jié)晶導(dǎo)電膜和底層導(dǎo)電膜中未被電容器覆蓋的部分，從而在電容器下面保留島狀的上述膜。


圖1A至1F為制造過(guò)程中的虛擬半導(dǎo)體器件的剖視圖；圖2為由于形成于絕緣膜上的凹陷使得絕緣膜上的膜的結(jié)晶無(wú)序的視圖；圖3A至3N為制造過(guò)程中根據(jù)本發(fā)明提供的半導(dǎo)體器件的剖視圖；圖4是指示形成于氮化鈦膜上的銥?zāi)ぴ诜较?111)和方向(200)上的取向強(qiáng)度的搖擺曲線(xiàn)(rocking curve)；以及圖5是指示形成于氮化鈦膜上的銥?zāi)ぴ诜较?222)上的取向強(qiáng)度的搖擺曲線(xiàn)。
具體實(shí)施例方式
下面將參照附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例。
(1)初步說(shuō)明在詳細(xì)說(shuō)明本實(shí)施例之前，將給出本發(fā)明的初步說(shuō)明。
圖1A至1F為制造過(guò)程中的虛擬半導(dǎo)體器件的剖視圖。該半導(dǎo)體器件為堆疊式FeRAM，其形成方法如下。
首先說(shuō)明直至獲得圖1A所示的剖面結(jié)構(gòu)所需的步驟。
首先，在n型或p型硅(半導(dǎo)體)襯底10的上表面上，形成限定晶體管有源區(qū)的STI(淺溝槽隔離)凹槽，并在該凹槽中嵌入絕緣膜(例如二氧化硅)，該絕緣膜用作器件隔離絕緣膜11。應(yīng)該注意，器件隔離結(jié)構(gòu)并不限于STI，也可以通過(guò)LOCOS(硅的局部氧化)方法形成器件隔離膜。
接著，通過(guò)將p型雜質(zhì)引入硅襯底10的有源區(qū)形成p阱12，通過(guò)熱氧化硅襯底10的有源區(qū)的表面形成熱氧化膜，該熱氧化膜將作為柵極絕緣膜13。
接著，在硅襯底10的整個(gè)上表面上形成非晶或多晶硅膜，并通過(guò)光刻將該硅膜圖案化，以形成兩個(gè)柵極14。
上述兩個(gè)柵極14在p阱12上彼此間隔且平行設(shè)置，這些柵極14構(gòu)成字線(xiàn)的一部分。
接著，利用柵極14作為掩模，通過(guò)離子注入將n型雜質(zhì)引入鄰近柵極14的硅襯底10中，形成第一和第二源極/漏極延伸區(qū)15a和15b。
然后，在硅襯底10的整個(gè)上表面上形成絕緣膜，并通過(guò)回蝕刻該絕緣膜，形成鄰接?xùn)艠O14的絕緣側(cè)壁16。例如，可通過(guò)CVD方法形成二氧化硅膜作為上述絕緣膜。
接著，通過(guò)使用絕緣側(cè)壁16和柵極14作為掩模，再次向硅襯底10執(zhí)行n型雜質(zhì)的離子注入，在鄰近兩個(gè)柵極14的硅襯底10的表面層中形成第一和第二源極/漏極區(qū)17a和17b(雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū))。
通過(guò)上述步驟，在硅襯底10的有源區(qū)中形成第一和第二MOS晶體管TR1和TR2，第一和第二MOS晶體管TR1和TR2由柵極絕緣膜13、柵極14以及第一和第二源極/漏極區(qū)17a和17b構(gòu)成。
接著，通過(guò)濺射方法在硅襯底10的整個(gè)上表面上形成難熔金屬層(例如鈷層)，然后加熱該難熔金屬層，使其與硅反應(yīng)，從而在硅襯底10上形成難熔金屬硅化物層18。該難熔金屬硅化物層18也形成于柵極14的表面部分上，從而使柵極14的電阻較低。
之后，通過(guò)濕蝕刻去除器件隔離絕緣膜11上未反應(yīng)的難熔金屬層等。
接著，通過(guò)等離子體CVD方法，在硅襯底10的整個(gè)上表面上形成厚度約為80nm的氮化硅(SiN)膜，該氮化硅膜用作覆蓋絕緣膜19。接著，在該覆蓋絕緣膜19上，通過(guò)使用TEOS氣體執(zhí)行等離子體CVD方法，形成厚度約為11000nm的二氧化硅膜作為第一絕緣膜20。之后，通過(guò)CMP(化學(xué)機(jī)械拋光)方法拋光第一絕緣膜20的上表面，以使其平坦化。經(jīng)過(guò)該CMP，第一絕緣膜20在硅襯底10的平坦表面上的厚度變?yōu)榧s800nm。
接著，如圖1B所示，通過(guò)光刻將覆蓋絕緣膜19和第一絕緣膜20圖案化，從而在第一源極/漏極區(qū)17a上形成第一接觸孔20a。
接著，如圖1C所示，在第一絕緣膜20的上表而和接觸孔20a的內(nèi)表面上，通過(guò)濺射方法依次形成厚度分別為30nm和20nm的鈦膜和氮化鈦膜，并將它們作為膠膜23。
進(jìn)而，在該膠膜23上，通過(guò)使用六氟化鎢氣體執(zhí)行CVD方法，形成鎢膜作為用以制作塞的導(dǎo)電膜24，接觸孔20a被該用以制作塞的導(dǎo)電膜24完全嵌入。該用以制作塞的導(dǎo)電膜24在第一絕緣膜20的平坦化表面上的厚度約為300nm。
接著，如圖1D所示，利用CMP方法進(jìn)行拋光，去除第一絕緣膜20上多余的膠膜23和用以制作塞的導(dǎo)電膜24。因此，僅在第一接觸孔20a中留下膠膜23和用以制作塞的導(dǎo)電膜24，并將其作為電連接至第一源極/漏極區(qū)17a的第一導(dǎo)電塞25。
在該CMP方法中，使用一種研磨漿料，使得作為拋光對(duì)象的膠膜23和用以制作塞的導(dǎo)電膜24的拋光速度快于底層第一絕緣膜20的拋光速度。這種研磨漿料例如包括Cabot微電子公司制造的SSW2000。此外，為不在第一絕緣膜20上留下拋光殘留物，將拋光厚度設(shè)定為大于膜23和24的總厚度，因而該CMP方法將執(zhí)行過(guò)度拋光。
結(jié)果，如圖所示，第一導(dǎo)電塞25的上表面的高度低于第一絕緣膜20的高度，從而在第一導(dǎo)電塞25周?chē)牡谝唤^緣膜20中形成凹陷20b。
接著，如圖1E所示，通過(guò)濺射方法依次形成結(jié)晶導(dǎo)電膜31(例如氮化鈦膜)和氧阻擋金屬膜32，該氧阻擋金屬膜32可防止第一導(dǎo)電塞25氧化。該氧阻擋金屬膜32例如為氮鋁化鈦(TiAlN)膜。
然后，通過(guò)濺射方法形成第一導(dǎo)電膜33(例如銥?zāi)?，進(jìn)而通過(guò)MOCVD(金屬有機(jī)CVD)方法在該第一導(dǎo)電膜33上形成鐵電膜34，例如PZT(鉛鋯鈦酸鹽PbZrTiO3)，然后通過(guò)濺射方法形成氧化銥?zāi)ぷ鳛榈诙?dǎo)電膜35。
之后，如圖1F所示，通過(guò)從第二導(dǎo)電膜35至結(jié)晶導(dǎo)電膜31進(jìn)行圖案化，形成電容器Q，在該電容器Q中依次疊置下電極33a、電容器介電膜34a和上電極35a。
通過(guò)上述步驟，完成堆疊式FeRAM的基本結(jié)構(gòu)。
在FeRAM的結(jié)構(gòu)中，電容器Q的下電極33a電連接至位于其正下方的第一導(dǎo)電塞25。
在形成第一導(dǎo)電塞25的步驟中，如參照?qǐng)D1D所述的，對(duì)膠膜23和用以制作塞的導(dǎo)電膜24執(zhí)行CMP方法，以使其過(guò)度拋光，從而在接觸孔20a周?chē)牡谝唤^緣膜20中形成凹陷20b。
但是，當(dāng)存在這種凹陷20b時(shí)，凹陷20b上的下電極33a的結(jié)晶將被無(wú)序化，這導(dǎo)致電容器介電膜34a的結(jié)晶無(wú)序。因此，電容器介電膜34a的鐵電特性，例如極化電荷的剩余量將下降。
以下將參照?qǐng)D2說(shuō)明這種結(jié)晶無(wú)序。
圖2的上部示圖為在上述半導(dǎo)體器件的制造過(guò)程中通過(guò)利用TEM(透射電子顯微鏡)觀測(cè)半導(dǎo)體器件的剖面所獲得的圖像。此外，圖2的下部圖像為上述剖面從點(diǎn)A至E的衍射圖像。
由圖2的衍射圖像明顯可以看出，在第一絕緣膜20的平坦化表面上的點(diǎn)C處，構(gòu)成氧阻擋金屬膜32的氮鋁化鈦膜的取向?yàn)榉较?111)，氧阻擋金屬膜32上的第一導(dǎo)電膜33的取向優(yōu)選為方向(111)。
相比之下，在第一導(dǎo)電塞25上方的點(diǎn)A和B處，氧阻擋金屬膜32和第一導(dǎo)電膜33的方向(111)上的衍射線(xiàn)與點(diǎn)C相比較弱，還觀測(cè)到除方向(111)之外的衍射圖像。因此，可以理解，在第一導(dǎo)電塞25上方，與其它部分相比，膜32和33的結(jié)晶被無(wú)序化。
此外，聚焦于鐵電膜34上，在遠(yuǎn)離第一導(dǎo)電塞25的點(diǎn)D處，可清楚觀測(cè)到構(gòu)成鐵電膜34的PZT在方向(200)和(111)上的衍射線(xiàn)。與此相反，可以理解在靠近第一導(dǎo)電塞25的點(diǎn)E處，衍射線(xiàn)與點(diǎn)D相比較弱，因而PZT的結(jié)晶無(wú)序。
圖2的結(jié)果進(jìn)一步證明在第一導(dǎo)電塞25周?chē)牡谝唤^緣膜20中形成的凹陷20b會(huì)導(dǎo)致第一導(dǎo)電膜33和其上的鐵電膜34的結(jié)晶性的惡化。
在形成電容器Q(參見(jiàn)圖1F)之后，為了修復(fù)電容器介電膜34a在被處理時(shí)所受到的損害，在含氧氣氛中對(duì)電容器介電膜34a執(zhí)行退火，稱(chēng)為恢復(fù)退火。
氧阻擋金屬膜32保護(hù)容易氧化的、主要由鎢制成的第一導(dǎo)電塞25，并起到防止產(chǎn)生由第一導(dǎo)電塞25的氧化導(dǎo)致的接觸不良的作用。
但是，如上所述，當(dāng)在第一絕緣膜20中形成凹陷20b時(shí)，在氧阻擋金屬膜32中形成反映出凹陷20b的凹部。氧阻擋金屬膜32通過(guò)臺(tái)階覆蓋(stepcoverage)特性較差的濺射方法形成。因此，如虛線(xiàn)圓所示，上述凹部的側(cè)表面的膜厚小于其它部分的膜厚。這導(dǎo)致氧阻擋金屬膜32在側(cè)表面的防氧滲透能力下降，從而使得氧易于經(jīng)由圖1F中箭頭所示的通路到達(dá)第一導(dǎo)電塞25。結(jié)果第一導(dǎo)電塞25被氧化，從而導(dǎo)致接觸不良，進(jìn)而降低半導(dǎo)體器件的產(chǎn)量。
考慮到前述問(wèn)題，本發(fā)明人實(shí)施了本發(fā)明的以下實(shí)施例。
(2)本發(fā)明的實(shí)施例圖3A至3N為制造過(guò)程中根據(jù)本發(fā)明提供的半導(dǎo)體器件的剖視圖。
為了制造半導(dǎo)體器件，首先執(zhí)行圖1A至1D所示的步驟。接著，如圖3A所示，通過(guò)濺射方法分別在第一絕緣膜20和第一導(dǎo)電塞25的上表面上形成氮化鈦膜，并將其作為底層導(dǎo)電膜30，該底層導(dǎo)電膜30嵌入凹陷20b。為了能夠執(zhí)行所述嵌入，在本發(fā)明中，所形成的底層導(dǎo)電膜30的厚度大于凹陷20b的深度D。通常，凹陷20b的深度D約為50nm，底層導(dǎo)電膜30的厚度設(shè)定為100-300nm，例如約100nm。
此外，底層導(dǎo)電膜30并不限于氮化鈦膜，它可以由鎢膜、硅膜和銅膜中的任何一種制成。
如上所述，在底層導(dǎo)電膜30的上表面上形成凹部30b，以反映出在第一導(dǎo)電塞25周?chē)牡谝唤^緣膜20中形成的凹陷20b于。但是，當(dāng)形成這種凹部30b時(shí)，如參照?qǐng)D2所述的，可能會(huì)導(dǎo)致后來(lái)在底層導(dǎo)電膜30上方形成的鐵電膜的結(jié)晶性惡化。
因此，在本實(shí)施例中，通過(guò)CMP方法拋光底層導(dǎo)電膜30的上表面，以使其平坦化，從而去除凹部30b。該CMP方法所用的研磨漿料不受特別限制，但是在本實(shí)施例中使用的是Cabot微電子公司生產(chǎn)的SSW2000。
由于拋光誤差，底層導(dǎo)電膜30在CMP之后的厚度會(huì)在單個(gè)硅襯底內(nèi)，或不同硅襯底之間變化?？紤]到上述變化，在本實(shí)施例中，將CMP之后的底層導(dǎo)電膜30的目標(biāo)厚度設(shè)定為從50至100nm，更優(yōu)選為50nm。
如上所述，在對(duì)底層導(dǎo)電膜30執(zhí)行CMP之后，底層導(dǎo)電膜30的上表面附近的晶體由于拋光而變形。但是，當(dāng)在其中產(chǎn)生所述晶體變形的底層導(dǎo)電膜30上方形成電容器的下電極時(shí)，下電極會(huì)受到所述變形的影響，從而導(dǎo)致下電極的結(jié)晶性的惡化。結(jié)果導(dǎo)致下電極上的鐵電膜的鐵電特性的惡化。
為了避免上述問(wèn)題，在接下來(lái)的步驟中，如圖3B所示，通過(guò)將底層導(dǎo)電膜30的上表面暴露至含氮等離子體例如N2O等離子體中，防止底層導(dǎo)電膜30的晶體變形影響該底層導(dǎo)電膜30上的膜。
該N2O等離子體處理的條件不受特別限制，但是在本實(shí)施例中，等離子體處理室的氣壓、襯底溫度、N2O氣體的流速、N2氣體的流速分別設(shè)定為3.0托、350℃、700sccm和200sccm，并對(duì)處理室中的氣氛施加頻率為13.56MHz、功率為300W的高頻功率。此外，處理時(shí)間約為4分鐘。
接著，如圖3C所示，通過(guò)濺射方法在底層導(dǎo)電膜30上形成厚度約為20nm的氮化鈦膜，并將其作為結(jié)晶導(dǎo)電膜31，其中已經(jīng)通過(guò)上述N2O等離子體處理消除了底層導(dǎo)電膜30中的晶體變形。
由于其取向作用，結(jié)晶導(dǎo)電膜31具有能夠增強(qiáng)后來(lái)形成于其上的膜的取向的功能，以及具有粘合膜的功能。
該結(jié)晶導(dǎo)電膜31的沉積方法并不限于上述濺射方法。
舉例說(shuō)來(lái)，可在含氮?dú)夥罩惺雇ㄟ^(guò)濺射方法形成的鈦膜退火，該氮化鈦膜可用作結(jié)晶導(dǎo)電膜31。該退火為RTA(快速熱退火)，退火條件例如為675℃的襯底溫度和60秒的處理時(shí)間。應(yīng)該注意，當(dāng)通過(guò)退火形成被氮化的鈦膜作為結(jié)晶導(dǎo)電膜31時(shí)，可省略圖3B所示的N2O等離子體處理。
接著，如圖3D所示，通過(guò)將結(jié)晶導(dǎo)電膜31的上表而暴露至含氮等離子體例如N2O等離子體中，進(jìn)一步改進(jìn)結(jié)晶導(dǎo)電膜31的結(jié)晶性。由于該N2O等離子體處理的條件與對(duì)如圖3B所示的底層導(dǎo)電膜30進(jìn)行的N2O等離子體處理的條件相同，此處省略其說(shuō)明。
應(yīng)該注意，當(dāng)通過(guò)RTA被氮化的鈦膜用作結(jié)晶導(dǎo)電膜31時(shí)，由于結(jié)晶導(dǎo)電膜31的結(jié)晶性較佳，因此可省略N2O等離子體處理。
接著，如圖3E所示，利用含氬氣及氮?dú)獾臍怏w混合物作為濺射氣體以及利用由鋁制成的濺射靶材執(zhí)行濺射方法，在結(jié)晶導(dǎo)電膜31上形成厚度約為100nm的氮鋁化鈦膜，該氮鋁化鈦膜用作氧阻擋金屬膜32。
氧阻擋金屬膜32具有優(yōu)異的防氧滲透功能，從而起到抑制由第一導(dǎo)電塞25的氧化導(dǎo)致發(fā)生接觸不良的作用，第一導(dǎo)電塞25主要由易于被外部氧氧化的鎢制成。作為具有這種功能的膜，除上述氮鋁化鈦膜之外，還可包括氮化鈦膜、銥?zāi)?、氧化銥?zāi)ぁK膜、釕膜和SRO(SrRuO3)膜，可形成這些膜中的任何一種作為氧阻擋金屬膜32。
接下來(lái)，將說(shuō)明直至獲得圖3F所示的剖面結(jié)構(gòu)所需的步驟。
首先，通過(guò)濺射方法在氧阻擋金屬膜32上形成厚度約為50-200nm的銥?zāi)ぃ鳛榈谝粚?dǎo)電膜33。應(yīng)該注意，代替銥?zāi)ぃ尚纬蓮挠摄K膜、釕膜、銠膜、錸膜、鋨膜和鈀膜構(gòu)成的集合中選擇的任何一種膜作為第一導(dǎo)電膜33。
接著，在第一導(dǎo)電膜33上，通過(guò)MOCVD方法形成厚度約為120nm的PZT膜，該P(yáng)ZT膜用作鐵電膜34。在該MOCVD方法中，分別將Pb(DPM2)、Zr(dmhd)4和Ti(O-iPr)2(DPM)2作為Pb、Zr和Ti的原材料以0.32毫升/分鐘、0.2毫升/分鐘和0.2毫升/分鐘的流速提供至MOCVD室，并將襯底溫度設(shè)定為約580℃。此外，將氧引入沉積氣氛中，并將氧在該氣氛中的分壓設(shè)定為約5托。
應(yīng)該注意，作為鐵電膜34的沉積方法，除MOCVD方法之外，還包括濺射方法和溶膠-凝膠(Sol-Gel)方法。當(dāng)與本實(shí)施例中一樣使用MOCVD方法時(shí)，鐵電膜34在沉積時(shí)結(jié)晶。但是，當(dāng)使用濺射方法時(shí)，鐵電膜34在沉積時(shí)不結(jié)晶。因此，當(dāng)通過(guò)濺射方法形成膜34時(shí)，在氧氣氛中執(zhí)行結(jié)晶退火，以使鐵電膜34結(jié)晶。所述結(jié)晶退火為兩步RTA，例如包括第一步驟，執(zhí)行條件為在含氬和氧的氣體混合物氣氛中、襯底溫度為600℃、處理時(shí)間為90秒；第二步驟，執(zhí)行條件為在氧氣氛中、襯底溫度為750℃、處理時(shí)間為60秒。
此外，鐵電膜34的材料并不限于上述PZT，它可以由除PZT之外的介電材料構(gòu)成，該介電材料具有由通式ABO3代表的鈣鈦礦結(jié)構(gòu)，例如BLT(鈦酸鉍鑭(Bi，La)4Ti3O12)，或Bi分層結(jié)構(gòu)化合物，例如SrBi2Ta2O9和SrBi2(Ta，Nb)2O9。此外，在上述PZT中可摻雜由鑭、鈣、鍶和硅構(gòu)成的集合中的任何一種材料。
之后，通過(guò)濺射方法在鐵電膜34上形成厚度約為200nm的氧化銥(IrO2)膜，并將該氧化銥?zāi)び米鞯诙?dǎo)電膜35。作為能夠形成為第二導(dǎo)電膜35的膜，除上述氧化銥?zāi)ぶ猓墒褂脧挠摄K膜、釕膜、銠膜、錸膜、鋨膜、鈀膜和SRO膜構(gòu)成的集合中選擇的任何一種膜。
如上所述，由于底層導(dǎo)電膜30的上表面被平坦化，上述第一導(dǎo)電膜33、鐵電膜34和第二導(dǎo)電膜35的平坦度良好。
接下來(lái)，將說(shuō)明直至獲得圖3G所示的剖面結(jié)構(gòu)所需的步驟。
首先，通過(guò)濺射方法在第二導(dǎo)電膜35上形成氮化鈦膜，作為第一掩模材料層36。此外，通過(guò)使用TEOS氣體執(zhí)行CVD方法，在第一掩模材料層36上進(jìn)一步形成二氧化硅膜，該氧化硅膜用作第二掩模材料層37。
接著，在將第二掩模材料層37圖案化以使其為島狀之后，通過(guò)使用該第二掩模材料層37作為掩模，蝕刻第一掩模材料層36，從而形成由島狀的第一掩模材料層36和第二掩模材料層37構(gòu)成的硬掩模38。
接著，如圖3H所示，通過(guò)將包含HBr、O2、Ar和C4F8的氣體混合物作為蝕刻氣體，干蝕刻第一導(dǎo)電膜33、鐵電膜34和第二導(dǎo)電膜35中未被硬掩模38覆蓋的部分，從而形成由下電極33a、電容器介電膜34a和上電極35a構(gòu)成的電容器Q。
上述蝕刻停止于氧阻擋金屬膜32上，硅襯底10的整個(gè)上表面即使在蝕刻完成之后也處于被氧阻擋金屬膜32覆蓋的狀態(tài)。
接著，如圖3I所示，在通過(guò)干蝕刻或濕蝕刻去除第二掩模材料層37之后，通過(guò)濺射方法在硅襯底10的整個(gè)上表面上形成厚度為20-50nm的氧化鋁膜，作為第一電容器保護(hù)絕緣膜40。第一電容器保護(hù)絕緣膜40的沉積方法除濺射方法之外，還可包括MOCVD方法和ALD(原子層沉積)方法。
構(gòu)成第一電容器保護(hù)絕緣膜40的氧化鋁膜具有優(yōu)異的防還原劑(例如氫和水)滲透的功能。因此，該氧化鋁膜起到防止由電容器介電膜34a被還原劑還原導(dǎo)致的鐵電特性惡化的作用。
應(yīng)該注意，在形成第一電容器保護(hù)絕緣膜40之前可執(zhí)行退火，以防止第一電容器保護(hù)絕緣膜40的脫落。所述退火的執(zhí)行條件例如為350℃的襯底溫度和1小時(shí)的處理時(shí)間。
由于在濺射和圖案化電容器Q時(shí)所受到的損害，電容器介電膜34a缺氧。因此，電容器介電膜34a的鐵電特性被惡化。
為了修復(fù)電容器介電膜34a所受到的損害，在含氧氣氛中對(duì)電容器介電膜34a執(zhí)行恢復(fù)退火。所述退火的條件不受特別限制，但是在本實(shí)施例中，在熔爐中襯底溫度為550-650℃的條件下執(zhí)行所述退火。
即使在含氧氣氛中執(zhí)行恢復(fù)退火之后，也在硅襯底10的整個(gè)上表面上留下氧阻擋金屬膜32。因此，退火氣氛中的氧被氧阻擋金屬膜32阻擋，不能到達(dá)第一導(dǎo)電塞25。因而，能夠防止由第一導(dǎo)電塞25(其主要由極易氧化的鎢制成)的氧化所導(dǎo)致的接觸不良，從而提高半導(dǎo)體器件的制造產(chǎn)量。
此外，由于在本實(shí)施例中形成底層導(dǎo)電膜30，因此在氧阻擋金屬膜32中不形成由凹陷20b導(dǎo)致的凹部。因而，在硅襯底10的整個(gè)上表面上形成厚度均勻的氧阻擋金屬膜32。因此，可在氧阻擋金屬膜32的整個(gè)部分上有效地阻擋氧，從而可執(zhí)行充分的恢復(fù)退火，并防止第一導(dǎo)電塞25的氧化。
在完成恢復(fù)退火之后，就不再需要氧阻擋金屬膜32。
因此，如圖3J所示，在接下來(lái)的步驟中，通過(guò)從硅襯底10的上側(cè)執(zhí)行整體回蝕刻，去除氧阻擋金屬膜32、結(jié)晶導(dǎo)電膜31和底層導(dǎo)電膜30中未被電容器Q覆蓋的部分，從而僅在電容器Q下方留下島狀的上述膜。
上述回蝕刻的執(zhí)行條件例如為將含CF4氣體和O2氣體的氣體混合物作為蝕刻氣體，分別以5％和95％的流速提供至下流式等離子體蝕刻室，以及將頻率為2.45GHz、功率為1400W的高頻功率施加至該蝕刻室的上電極。也可以在200℃的襯底溫度的條件下執(zhí)行上述回蝕刻。
替代地，可通過(guò)使用包含H2O2、NH3OH和純水的混合液作為蝕刻液進(jìn)行濕蝕刻來(lái)執(zhí)行上述回蝕刻。
應(yīng)該注意，在上述回蝕刻中，也可以去除電容器Q的上表面上保留的第一掩模材料層36。此外，可各向異性地執(zhí)行回蝕刻，并且保留電容器Q側(cè)表面上的第一電容器保護(hù)絕緣膜40。因此，能夠防止由蝕刻導(dǎo)致的損害從電容器Q的側(cè)表面延伸到電容器介電膜34a。
接下來(lái)，將說(shuō)明直至獲得圖3K所示的剖面結(jié)構(gòu)所需的步驟。
首先，在硅襯底10的整個(gè)上表面上，通過(guò)濺射方法形成厚度約為20-100nm的氧化鋁膜，作為第二電容器保護(hù)絕緣膜42。應(yīng)該注意，代替濺射方法，可使用MOCVD方法和ALD方法形成第二電容器保護(hù)絕緣膜42。
此外，為了防止第二電容器保護(hù)絕緣膜42的脫落，可在形成第二電容器保護(hù)絕緣膜42之前，在含氧氣氛中執(zhí)行退火。所述退火的執(zhí)行條件例如為在含氧熔爐中、襯底溫度為350℃和處理時(shí)間為1小時(shí)。
接著，使用硅烷作為還原氣體執(zhí)行HDPCVD(高密度等離子體化學(xué)氣相沉積)方法，在第二電容器保護(hù)絕緣膜42上形成第二絕緣膜43，從而使相鄰兩個(gè)電容器Q之間的空間被第二絕緣膜43嵌入。之后，通過(guò)CMP方法拋光第二絕緣膜43的上表面，以使其平坦化。第二絕緣膜43在硅襯底10的平坦化表面上的厚度在平坦化之后變?yōu)榧s2000nm。
接下來(lái)，將說(shuō)明直至獲得圖3L所示的剖面結(jié)構(gòu)所需的步驟。
首先，利用光刻和蝕刻工藝從第二絕緣膜43至覆蓋絕緣膜19進(jìn)行圖案化，從而在第二源極/漏極區(qū)17b上的這些絕緣膜上形成第二接觸孔20b。
然后，通過(guò)濺射方法，在該第二接觸孔20b的內(nèi)表面和第二絕緣膜43的上表面上形成氮化鈦膜作為膠膜，并通過(guò)CVD方法在該膠膜上進(jìn)一步形成鎢膜，從而使第二接觸孔20b完全被該鎢膜嵌入。之后，將第二絕緣膜43上多余的膠膜和鎢膜拋光以將其去除，僅保留第二接觸孔20b中的膠膜和鎢膜，并將其作為第二導(dǎo)電塞45。
接著，通過(guò)CVD方法分別在該第二接觸孔20b的上表面和第二絕緣膜43的上表面上形成厚度約為100nm的氮氧化硅(SiON)膜，將該氮氧化硅膜設(shè)定為抗氧化絕緣膜46。
接著，如圖3M所示，通過(guò)圖案化抗氧化絕緣膜46、第二絕緣膜43和第二電容器保護(hù)絕緣膜42，在這些膜中形成孔43a。
在形成孔43a之后，為了修復(fù)電容器介電膜34a在上述步驟中所受的損害，可在含氧氣氛中執(zhí)行恢復(fù)退火。在該恢復(fù)退火時(shí)，第二導(dǎo)電塞45的上表面由抗氧化絕緣膜46覆蓋。因此，可以抑制由第二導(dǎo)電塞45的氧化導(dǎo)致發(fā)生接觸不良。
接下來(lái)，將說(shuō)明直至獲得圖3N所示的剖面結(jié)構(gòu)所需的步驟。
首先，蝕刻上述抗氧化絕緣膜46，以將其去除。
接著，通過(guò)濺射方法在第二絕緣膜43的上表面和孔43a的內(nèi)表面上形成金屬疊置膜。例如通過(guò)依次疊置下述膜形成該金屬疊置膜厚度約為50nm的氮化鈦膜、厚度約為360nm的含銅鋁膜和厚度約為70nm的氮化鈦膜。
之后，通過(guò)光刻和蝕刻工藝將該金屬疊置膜圖案化，以形成電連接至上電極35a的第一層金屬互連結(jié)構(gòu)47a，并在第二導(dǎo)電塞45上形成用于位線(xiàn)的金屬焊盤(pán)47b。
之后，執(zhí)行在第一層金屬互連結(jié)構(gòu)47a和金屬焊盤(pán)47b上形成第三絕緣膜的步驟，此處省略該步驟的詳細(xì)說(shuō)明。
到上述步驟為止，已經(jīng)完成根據(jù)本實(shí)施例提供的半導(dǎo)體器件的基本結(jié)構(gòu)。
根據(jù)上述本實(shí)施例，如參照?qǐng)D3A所述的，在第一導(dǎo)電塞25和第一絕緣膜20上形成底層導(dǎo)電膜30，通過(guò)CMP將底層導(dǎo)電膜30的上表面拋光以使其平坦化。因此，在底層導(dǎo)電膜30的上表面上不會(huì)形成反映出凹陷20b的凹部，該凹槽20b在第一導(dǎo)電塞25周?chē)牡谝唤^緣膜20中產(chǎn)生。
因此，如圖3N所示，由于底層導(dǎo)電膜30上方形成的下電極33a也為平坦表面，因此下電極33a的結(jié)晶性得到改進(jìn)，并且構(gòu)成下電極33a的銥?zāi)ぴ诜较?111)上的取向性被增強(qiáng)。這樣，由于下電極33a的良好取向性的作用，下電極33a上的電容器介電膜34a高度取向于其方向(111)上的極化方向。因此，改進(jìn)了電容器介電膜34a的鐵電特性，從而向/從電容器Q寫(xiě)入/檢索信息變得容易。
在本實(shí)施例中，在通過(guò)CMP平坦化的底層導(dǎo)電膜30上形成結(jié)晶導(dǎo)電膜31，并在結(jié)晶導(dǎo)電膜31上方形成下電極33a。替代地，可省略結(jié)晶導(dǎo)電膜31，而在底層導(dǎo)電膜30上形成與底層導(dǎo)電膜30接觸的下電極33a。
但是，在經(jīng)過(guò)CMP處理的底層導(dǎo)電膜30的表面上，CMP會(huì)使得構(gòu)成底層導(dǎo)電膜30的氮化鈦發(fā)生晶體變形。因此，如果在底層導(dǎo)電膜30上形成與底層導(dǎo)電膜30接觸的下電極33a，氮化鈦晶體的變形將影響下電極33a，從而也損害下電極33a的結(jié)晶性。
圖4和圖5示出本發(fā)明人為了證實(shí)上述事實(shí)所做實(shí)驗(yàn)的結(jié)果。
在這些實(shí)驗(yàn)中，通過(guò)XRD(X射線(xiàn)衍射)分析研究在以下兩種情況下銥的取向強(qiáng)度在未經(jīng)過(guò)CMP處理的平坦氮化鈦膜上直接形成銥?zāi)さ那闆r和在經(jīng)過(guò)CMP處理之后的氮化鈦膜上形成銥?zāi)さ那闆r。
具體地，通過(guò)研究銥在方向(111)和(200)的取向強(qiáng)度獲得圖4所示的結(jié)果，通過(guò)研究銥在方向(222)的取向強(qiáng)度獲得圖5所示的結(jié)果。應(yīng)該注意，圖4和圖5中的橫軸上的θ示出X射線(xiàn)的衍射方向，縱軸示出X射線(xiàn)的計(jì)數(shù)。
由圖4可以明顯看出，當(dāng)執(zhí)行CMP時(shí)，與不執(zhí)行CMP的情況相比，銥在方向(111)的取向強(qiáng)度下降。
此外，圖5證實(shí)了當(dāng)不執(zhí)行CMP時(shí)在搖擺曲線(xiàn)中基本上僅出現(xiàn)一個(gè)峰值，這表明銥優(yōu)選在方向(222)取向。相比之下，當(dāng)執(zhí)行CMP時(shí)，可以理解可觀測(cè)到搖擺曲線(xiàn)的兩個(gè)峰值，這表明在銥中多個(gè)取向共存，因此銥的結(jié)晶性被無(wú)序化。
根據(jù)這些結(jié)果可以明顯得出，當(dāng)在其上執(zhí)行CMP的氮化鈦膜上形成銥?zāi)r(shí)，銥?zāi)さ娜∠虮粺o(wú)序化。
考慮到上述問(wèn)題，在本實(shí)施例中，在如上所述執(zhí)行了CMP的底層導(dǎo)電膜30上形成結(jié)晶導(dǎo)電膜31，并在結(jié)晶導(dǎo)電膜31上形成下電極33a。因此，由CMP導(dǎo)致的底層導(dǎo)電膜30的結(jié)晶無(wú)序不會(huì)影響下電極33a，從而改進(jìn)下電極33a的結(jié)晶性。
此外，由于在形成上述結(jié)晶導(dǎo)電膜31之前和之后執(zhí)行N2O處理，結(jié)晶導(dǎo)電膜31的結(jié)晶性良好。因此，由于結(jié)晶導(dǎo)電膜31的作用，能夠進(jìn)一步改進(jìn)下電極33a的結(jié)晶性。
此外，在本實(shí)施例中，使用鎢作為第一導(dǎo)電塞25的構(gòu)成材料，而鎢廣泛應(yīng)用于邏輯半導(dǎo)體器件之類(lèi)，因此不需要改變材料。因而，可利用已經(jīng)積累的半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)特點(diǎn)設(shè)計(jì)第一導(dǎo)電塞25，從而能夠減少重新設(shè)計(jì)第一導(dǎo)電塞25所需的人力和費(fèi)用。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，底層導(dǎo)電膜被平坦化，因此可改進(jìn)在底層導(dǎo)電膜上形成的下電極的結(jié)晶性。此外，即使當(dāng)由于平坦化處理導(dǎo)致底層導(dǎo)電膜的晶體變形時(shí)，也可以通過(guò)結(jié)晶導(dǎo)電膜防止該變形影響下電極，并且由于結(jié)晶導(dǎo)電膜的作用，下電極的結(jié)晶性良好。因此，也改進(jìn)了形成于下電極上的電容器介電膜的結(jié)晶性，從而可改進(jìn)電容器介電膜的鐵電特性。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件，包括半導(dǎo)體襯底；雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)，形成于該半導(dǎo)體器件的表面層中；絕緣膜，形成于該半導(dǎo)體襯底上，并在該雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)上方具有孔；導(dǎo)電塞，形成于該孔中，并電連接至該雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)；底層導(dǎo)電膜，形成于該導(dǎo)電塞和該導(dǎo)電塞周?chē)慕^緣膜上，并具有平坦表面；結(jié)晶導(dǎo)電膜，形成于該底層導(dǎo)電膜上；以及電容器，通過(guò)在該結(jié)晶導(dǎo)電膜上依次疊置下電極、電容器介電膜和上電極而形成，其中該電容器介電膜由鐵電材料制成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中該底層導(dǎo)電膜為鎢膜、硅膜、鈦膜和銅膜中的任何一種膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中該結(jié)晶導(dǎo)電膜為氮化鈦膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中該導(dǎo)電塞的上表面高度低于該絕緣膜的上表面高度。
5.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括如下步驟在半導(dǎo)體襯底的表面層中形成雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)；在該半導(dǎo)體襯底上形成絕緣膜；在該雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)上方的絕緣膜中形成孔；在該絕緣膜的上表面上和在該孔中形成用以制作塞的導(dǎo)電膜；通過(guò)拋光處理僅在該孔中保留所述用以制作塞的導(dǎo)電膜，并將該孔中的用以制作塞的導(dǎo)電膜制成電連接至該雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)的導(dǎo)電塞；在該絕緣膜和該導(dǎo)電塞的各自上表面上形成底層導(dǎo)電膜；拋光該底層導(dǎo)電膜的上表面，以將該上表面平坦化；在該底層導(dǎo)電膜上形成結(jié)晶導(dǎo)電膜；以及通過(guò)在該結(jié)晶導(dǎo)電膜上依次疊置下電極、電容器介電膜和上電極形成電容器，其中該電容器介電膜由鐵電材料制成。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，在將該底層導(dǎo)電膜的上表面平坦化之后，執(zhí)行將該底層導(dǎo)電膜的上表面暴露至含氮等離子體中的步驟，或執(zhí)行將該結(jié)晶導(dǎo)電膜的上表面暴露至含氮等離子體中的步驟。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中該含氮等離子體為N2O等離子體。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中形成該結(jié)晶導(dǎo)電膜的步驟包括如下步驟在該底層導(dǎo)電膜上形成鈦膜，并在含氮?dú)夥罩屑訜嵩撯伳?，以將該鈦膜氮化?br> 9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，在形成該結(jié)晶導(dǎo)電膜之后還包括在該結(jié)晶導(dǎo)電膜上形成氧阻擋金屬膜的步驟，其中在形成該電容器的步驟中該電容器形成于該氧阻擋金屬膜上。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，在形成該電容器之后還包括在含氧氣氛中對(duì)該電容器介電膜執(zhí)行退火的步驟。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，還包括如下步驟回蝕刻該氧阻擋金屬膜、結(jié)晶導(dǎo)電膜和底層導(dǎo)電膜中未被該電容器覆蓋的部分，以在該電容器下方將這些膜保留為島狀。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，在形成該電容器之后，還包括在該電容器和該氧阻擋金屬膜上形成電容器保護(hù)絕緣膜的步驟，并且在回蝕刻該氧阻擋金屬膜的步驟中，還對(duì)該電容器保護(hù)絕緣膜執(zhí)行回蝕刻，以?xún)H在該電容器側(cè)表面上保留該電容器保護(hù)絕緣膜。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中形成氧化鋁膜作為該電容器保護(hù)絕緣膜。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中通過(guò)以下蝕刻處理的其中之一執(zhí)行該回蝕刻，即，使用含CF4氣體和O2氣體的氣體混合物進(jìn)行的干蝕刻，和使用含H2O2、NH3OH和水的混合液作為蝕刻液進(jìn)行的濕蝕刻。
15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中該氧阻擋金屬膜為氮鋁化鈦膜、氮化鈦膜、銥?zāi)ぁ⒀趸災(zāi)?、鉑膜、釕膜和SRO(SrRuO3)膜中的任何一種膜。
16.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中形成鎢膜、硅膜、氮化鈦膜和銅膜中的任何一種膜作為該底層導(dǎo)電膜。
17.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中形成氮化鈦膜作為該結(jié)晶導(dǎo)電膜。
全文摘要
提供一種半導(dǎo)體器件及其制造方法，該半導(dǎo)體器件包括硅襯底；第絕緣膜，形成于硅襯底上；第一導(dǎo)電塞，形成于第一絕緣膜的第一接觸孔內(nèi)部；具有平坦表面的底層導(dǎo)電膜，形成于第一導(dǎo)電塞上及其周?chē)?；結(jié)晶導(dǎo)電膜，形成于底層導(dǎo)電膜上；以及電容器，通過(guò)在該結(jié)晶導(dǎo)電膜上依次疊置下電極、由鐵電材料制成的介電膜和上電極而形成。
文檔編號(hào)H01L21/8247GK1953184SQ200610009208
公開(kāi)日2007年4月25日 申請(qǐng)日期2006年2月15日 優(yōu)先權(quán)日2005年10月21日
發(fā)明者三浦壽良 申請(qǐng)人:富士通株式會(huì)社