專利名稱：使用兩塊掩模版實(shí)現(xiàn)連續(xù)掃描對(duì)兩圖形曝光的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及集成電路制造工藝的光刻曝光技術(shù)，特別涉及一種使用兩塊掩模版進(jìn)行掃描運(yùn)動(dòng)實(shí)現(xiàn)連續(xù)掃描對(duì)兩圖形曝光的方法。
背景技術(shù)：
隨著集成電路制造工藝的不斷發(fā)展，晶體管的最小線寬不斷縮小，特征線寬的不斷縮小導(dǎo)致了芯片集成度的大幅度提高，但也給光學(xué)光刻工藝帶來(lái)了巨大的挑戰(zhàn)。
為了適應(yīng)線寬的縮小和集成度的提高，光學(xué)光刻技術(shù)不斷進(jìn)步從接觸式曝光發(fā)展到接近式曝光，再到縮小投影曝光；曝光光源波長(zhǎng)從G線的430nm到I線的365nm，再到KrF的248nm和ArF的193nm，目前還在試驗(yàn)F2的157nm；從全片曝光到全片掃描，到分步投影，到最近的分步掃描。光刻設(shè)備和工藝一直是集成電路生產(chǎn)工藝中最昂貴的設(shè)備和重要的步驟。
為了得到更小的線寬，人們也在嘗試采用電子束光刻、X光光刻和離子束光刻等其他光學(xué)光刻的替代方法，但因成本、速度及掩模版制造上的困難，目前還都難于和光學(xué)光刻方法相抗衡，在所有的實(shí)際大生產(chǎn)中都仍然繼續(xù)在使用光學(xué)光刻的方法。
為了擴(kuò)展光學(xué)光刻技術(shù)的最小線寬、延長(zhǎng)現(xiàn)有光刻設(shè)備的技術(shù)使用壽命，在關(guān)鍵層次采用兩次曝光技術(shù)是非常有吸引力的。兩次曝光有多種方式，例如一次強(qiáng)交替式移相掩模(altPSM-alternative phase shift mask)以得到細(xì)線條，再加一次多余線條修剪曝光(Trimming)；或者用兩極照明方式(Diple)分別對(duì)X方向的線條和Y方向的線條曝光；或者將一層掩模版分解為周期(Pitch)更大的兩個(gè)掩模版以減小分辨率上的難度；或用兩個(gè)不同的聚焦位置(FOCUS)分別用一半的曝光能量曝光以增加焦深(DOF-depth of focus)。所有這些兩次曝光技術(shù)均可提高光刻工藝的能力，因此得到了廣泛的研究。
但是兩次曝光技術(shù)的缺點(diǎn)是必須用兩塊掩模版分別對(duì)同一層曝光兩次，使曝光時(shí)間加倍，機(jī)器效率減半，因此會(huì)大大降低產(chǎn)量并提高成本，這是生產(chǎn)所不希望的；此外還有兩次曝光導(dǎo)致的對(duì)準(zhǔn)問(wèn)題也另人擔(dān)心。由于這些原因，兩次曝光技術(shù)仍然沒(méi)有成為實(shí)際大生產(chǎn)所采用的技術(shù)，而一直停留在實(shí)驗(yàn)室階段。
與本發(fā)明相關(guān)的技術(shù)可參閱申請(qǐng)?zhí)?00310122903.9的中國(guó)專利申請(qǐng)“一次掃描兩個(gè)普通曝光區(qū)域的曝光方法”，該專利申請(qǐng)經(jīng)提出了一種提高兩次曝光效率的新方法，通過(guò)在一次掃描曝光中完成普通曝光時(shí)要兩次掃描加一次曝光臺(tái)運(yùn)動(dòng)才能完成的兩個(gè)區(qū)域的曝光，大大減少了兩次曝光技術(shù)所需要的時(shí)間，降低了兩次曝光技術(shù)進(jìn)入大生產(chǎn)的困難。運(yùn)用該技術(shù)需要使用特制的包含兩塊曝光圖形的長(zhǎng)掩模版。該方法的優(yōu)點(diǎn)是光刻機(jī)系統(tǒng)中除掩模版夾持需要稍做修改外，不需要其他的改動(dòng)；缺點(diǎn)是掩模版制造從設(shè)備到工藝都必須做相應(yīng)的調(diào)整。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種使用兩塊掩模版進(jìn)行掃描運(yùn)動(dòng)實(shí)現(xiàn)連續(xù)掃描對(duì)兩圖形曝光的方法。
本發(fā)明是通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的一種使用兩塊掩模版實(shí)現(xiàn)連續(xù)掃描對(duì)兩圖形曝光的方法，固定具有第一曝光圖形的第一掩模版，調(diào)節(jié)具有第二曝光圖形的第二掩模版，使兩掩模版連接成一體，兩塊掩模版作為整體做長(zhǎng)程掃描運(yùn)動(dòng)，完成第一曝光圖形的曝光后，在掃描第一曝光圖形與第二曝光圖形的間距時(shí)掩模版進(jìn)行變速運(yùn)動(dòng)實(shí)現(xiàn)在硅片上的兩掃描圖形間的正確距離，最后完成第二曝光圖形的曝光。
所述方法包括如下步驟載入第一掩模版，并放入固定位置；載入第二掩模版，調(diào)節(jié)其X、Y、Z三個(gè)軸方向位置，并固定第二塊掩模版；使兩掩模版連接成一體，作為一個(gè)剛體做長(zhǎng)程掃描運(yùn)動(dòng)；掃描第一曝光圖形，并根據(jù)探測(cè)到的預(yù)測(cè)指示信號(hào)準(zhǔn)備開始第一次變速運(yùn)動(dòng)；完成第一曝光圖形的曝光后，開始第一次變速運(yùn)動(dòng)，加速掩模版的掃描速度，同時(shí)減速硅片的掃描速度，用此速度掃描第一曝光圖形與第二曝光圖形的間距；探測(cè)到預(yù)測(cè)指示信號(hào)后，準(zhǔn)備開始第二次變速運(yùn)動(dòng)；完成第一曝光圖形與第二曝光圖形的間距掃描后，開始第二次變速運(yùn)動(dòng)，減速掩模版掃描速度，同時(shí)提高硅片掃描速度；以正常速度完成第二塊曝光圖形的曝光。
其中，所述第二掩模版是可調(diào)掩模版，能夠相對(duì)第一掩模版做X、Y和Z三個(gè)軸方向的位置調(diào)節(jié)和定位，第二掩模版的定位誤差范圍是0.01um-0.1um
第二掩模版的調(diào)節(jié)方法包括如下步驟調(diào)節(jié)Y軸方向使第二掩模版和第一掩模版接觸；調(diào)節(jié)X軸方向使第二掩模版和第一掩模版上的曝光圖形左右對(duì)齊；根據(jù)要求的第二掩模版的聚焦位置調(diào)節(jié)Z軸方向的位置。
當(dāng)?shù)诙谀０婧偷谝谎谀０鎆軸方向的位置調(diào)節(jié)至不同時(shí)，實(shí)現(xiàn)對(duì)兩個(gè)不同聚焦位置的曝光圖形的曝光。
所述預(yù)測(cè)指示記號(hào)設(shè)置在第一曝光圖形與第二曝光圖形間距間的起始位置和結(jié)束位置。
反饋系統(tǒng)檢測(cè)到預(yù)測(cè)指示記號(hào)開始準(zhǔn)備變速運(yùn)動(dòng)。
第一次變速運(yùn)動(dòng)時(shí)，掩模版掃描運(yùn)動(dòng)速度比正常曝光時(shí)提高5-25倍，硅片掃描運(yùn)動(dòng)速度比正常曝光時(shí)降低4-20倍。
第二次變速運(yùn)動(dòng)時(shí)，掩模版掃描運(yùn)動(dòng)速度比正常曝光時(shí)降低5-25倍，硅片掃描運(yùn)動(dòng)速度比正常曝光時(shí)提高4-20倍。
本發(fā)明使用兩塊掩模版，其中一塊固定、一塊可在三個(gè)軸向調(diào)節(jié)，兩塊掩模版固定后作為整體做長(zhǎng)程掃描運(yùn)動(dòng)，在掃描時(shí)從一個(gè)曝光圖形到另一個(gè)曝光圖形之間進(jìn)行變速運(yùn)動(dòng)實(shí)現(xiàn)在硅片上的兩掃描圖形間的正確距離，通過(guò)上述方式實(shí)現(xiàn)連續(xù)掃描對(duì)兩圖形曝光的曝光。利用上述方法不需要對(duì)掩模版制造做任何改動(dòng)，可以直接使用普通的掩模版，同時(shí)也減少了兩次曝光技術(shù)所需要的時(shí)間。


圖1是掩模版連接俯視圖。
圖2是掩模版連接的立體圖。
圖3是對(duì)掩模版三方向調(diào)節(jié)的示意圖。
圖4是在兩曝光圖形間的掩模版掃描運(yùn)動(dòng)的速度時(shí)間關(guān)系曲線示意圖。
圖5是在兩曝光圖形間的硅片掃描運(yùn)動(dòng)的速度時(shí)間關(guān)系曲線示意圖。
圖6是預(yù)測(cè)指示記號(hào)的位置。
標(biāo)號(hào)說(shuō)明1是第一掩模版 2是第二掩模版3是兩塊掩模版的固定和調(diào)節(jié)系統(tǒng)4是在兩曝光圖形間的掩模版掃描運(yùn)動(dòng)時(shí)的較高的掃描速度5是通常曝光時(shí)的掩模版掃描速度6是完成前一個(gè)曝光圖形后的變速時(shí)間7是開始后一個(gè)曝光圖形前的變速時(shí)間8是通常曝光時(shí)的硅片掃描速度9是在兩曝光圖形間的硅片掃描運(yùn)動(dòng)時(shí)的較低的掃描速度10是第一曝光圖形11是第二曝光圖形12是預(yù)測(cè)指示記號(hào)13是光刻機(jī)鏡頭相對(duì)于掩模版的運(yùn)動(dòng)方向具體實(shí)施方式
現(xiàn)結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明使用兩塊普通掩模版構(gòu)成新的掩模版系統(tǒng)。
請(qǐng)參閱圖1，圖1是所述的新掩模版系統(tǒng)俯視圖，包括第一掩模版1、第二掩模版2和固定和調(diào)節(jié)系統(tǒng)3。第一掩模版1是一個(gè)固定位置的普通掩模版，第二掩模版2是一個(gè)可調(diào)節(jié)位置的普通掩模版，第一掩模版1和第二掩模版2被掩模版固定和調(diào)節(jié)系統(tǒng)3所夾持，第一掩模版1和第二掩模版2的一邊互相接觸。
請(qǐng)參閱圖2，圖2是新掩模版系統(tǒng)的立體圖。第二掩模版2的水平位置可以和第一掩模版1不同，第二掩模版2可以高于、等于或低于第一掩模版1，這樣可以實(shí)現(xiàn)對(duì)第一掩模版1和第二掩模版2上第一曝光圖形(未圖示)和第二曝光圖形(未圖示)的不同聚焦位置設(shè)置而不需要再改變硅片臺(tái)的高度。
在固定位置安裝好第一掩模版1后，根據(jù)要求調(diào)節(jié)第二掩模版2，如附圖3所示，調(diào)節(jié)X方向?qū)善毓鈭D形的左右對(duì)齊，調(diào)節(jié)Y方向?qū)⒌谝谎谀０?和第二掩模版2的接觸邊對(duì)齊，調(diào)節(jié)Z方向確定第二掩模版2相對(duì)于第一掩模版1的聚焦位置偏移，調(diào)節(jié)到預(yù)定值后，將第二掩模版2固定，定位誤差范圍為0.01um-0.1um。
第一掩模版1和第二掩模版2固定后，它們作為一個(gè)整體進(jìn)行掃描運(yùn)動(dòng)，在掃描曝光中兩個(gè)掩模版的相對(duì)關(guān)系不再有任何變化，作為一個(gè)剛體用同樣的速度沿同樣的方向運(yùn)動(dòng)。
由于硅片上的兩個(gè)曝光圖形間距很小，而兩普通掩模版接觸后的曝光圖形的間距很大，所以如果仍以圖形曝光時(shí)的運(yùn)動(dòng)速度掃描，將不能保證硅片上曝光圖形間的正常間距。為了解決該問(wèn)題，需要在掃描時(shí)從前一圖形(第一曝光圖形)到后一圖形(第一曝光圖形)之間進(jìn)行變速運(yùn)動(dòng)實(shí)現(xiàn)在硅片上的兩掃描圖形間的正確距離，具體如圖4和圖5所示。
在圖4中掩模版的掃描運(yùn)動(dòng)的速度——時(shí)間曲線在前一曝光圖形掃描結(jié)束后(時(shí)間6)，經(jīng)過(guò)加速運(yùn)動(dòng)，掩模版的掃描速度從圖形曝光時(shí)的速度5提高到間距掃描時(shí)的速度4，速度4是速度5的5-25倍，典型值12.5倍，當(dāng)接近掃描到后一曝光圖形時(shí)(時(shí)間7)，再經(jīng)過(guò)減速運(yùn)動(dòng)使掩模版掃描速度變回速度5。
與此同時(shí)，在圖5中硅片的掃描運(yùn)動(dòng)的速度——時(shí)間曲線在前一曝光圖形掃描結(jié)束后(時(shí)間6)，經(jīng)過(guò)減速運(yùn)動(dòng)，硅片的掃描速度從圖形曝光時(shí)的速度8下降到間距掃描時(shí)的速度9，速度9比速度8低4-20倍，典型值8倍，當(dāng)接近掃描到后一曝光圖形時(shí)(時(shí)間7)，再經(jīng)過(guò)加速運(yùn)動(dòng)使硅片的掃描速度變回速度8。
為了準(zhǔn)確預(yù)計(jì)加速、減速的開始時(shí)刻，可如圖6所示，沿光刻機(jī)鏡頭相對(duì)掩模版的運(yùn)動(dòng)方向13在掃描圖形兩側(cè)布置可為掃描傳感器感知的預(yù)測(cè)指示記號(hào)12，比如在前一曝光圖形10(第一曝光圖形)掃描結(jié)束前設(shè)置一對(duì)記號(hào)，作為掃描兩曝光圖形間距間的起始位置，在后一曝光圖形11(第二曝光圖形)掃描開始之前再放置一對(duì)記號(hào)，作為掃描兩曝光圖形間距間的結(jié)束位置，通過(guò)反饋系統(tǒng)檢測(cè)到預(yù)測(cè)指示記號(hào)12開始準(zhǔn)備變速運(yùn)動(dòng)，分別對(duì)應(yīng)時(shí)間點(diǎn)6和時(shí)間點(diǎn)7。反饋系統(tǒng)檢測(cè)為現(xiàn)有的常規(guī)測(cè)檢過(guò)程，在此不再詳述。
下面通過(guò)多個(gè)具體實(shí)施例說(shuō)明本發(fā)明的一種可能的實(shí)施過(guò)程，其目的是更好地解釋本發(fā)明的運(yùn)用，而不應(yīng)當(dāng)理解為對(duì)本發(fā)明的限制。
對(duì)單塊曝光圖形的曝光面積中等的兩塊掩模版步驟載入第一掩模版1并放入固定位置；載入第二掩模版2，先調(diào)節(jié)其Y方向使第二掩模版2和第一掩模版1接觸，然后調(diào)節(jié)X方向使第二掩模版2和第一掩模版1的曝光圖形左右對(duì)齊，最后根據(jù)要求的第二掩模版2的聚焦位置調(diào)節(jié)Z方向的位置；固定第二掩模版2；掃描第一曝光圖形10，當(dāng)探測(cè)到預(yù)測(cè)指示記號(hào)12時(shí)，準(zhǔn)備第一次變速運(yùn)動(dòng)；
完成第一塊曝光圖形10的曝光后，開始第一次變速運(yùn)動(dòng)，加速掩模版的掃描速度，使之提高12.5倍，同時(shí)減速硅片的掃描速度到1/8，用此速度掃描兩曝光圖形的間距；探測(cè)到預(yù)測(cè)指示記號(hào)12時(shí)，準(zhǔn)備第二次變速運(yùn)動(dòng)；完成兩曝光圖形的間距掃描后，開始第二次變速運(yùn)動(dòng)，減速掩模版掃描速度，降低12.5倍，同時(shí)提高硅片掃描速度8倍；以正常速度完成第二曝光圖形11的曝光；步進(jìn)，做下一區(qū)域的曝光并依次類推。
對(duì)單塊曝光圖形的曝光面積較小的兩塊掩模版載入第一掩模版1并放入固定位置；載入第二掩模版2，先調(diào)節(jié)其Y方向使第二掩模版2和第一掩模版1接觸，然后調(diào)節(jié)X方向使第二掩模版2和第一掩模版1的曝光圖形左右對(duì)齊，最后根據(jù)要求的第二掩模版2的聚焦位置調(diào)節(jié)Z方向的位置；固定第二掩模版2；掃描第一曝光圖形10，當(dāng)探測(cè)到預(yù)測(cè)指示記號(hào)12時(shí)，準(zhǔn)備第一次變速運(yùn)動(dòng)；完成第一塊曝光圖形10的曝光后，開始第一次變速運(yùn)動(dòng)，加速掩模版的掃描速度，使之提高25倍，同時(shí)減速硅片的掃描速度到1/4，用此速度掃描兩曝光圖形的間距；探測(cè)到預(yù)測(cè)指示記號(hào)12時(shí)，準(zhǔn)備第二次變速運(yùn)動(dòng)；完成兩曝光圖形的間距掃描后，開始第二次變速運(yùn)動(dòng)，減速掩模版掃描速度，降低25倍，同時(shí)提高硅片掃描速度4倍；以正常速度完成第二曝光圖形11的曝光；
步進(jìn)，做下一區(qū)域的曝光并依次類推。
單塊曝光圖形的曝光面積較大的兩塊掩模版載入第一掩模版1并放入固定位置；載入第二掩模版2，先調(diào)節(jié)其Y方向使第二掩模版2和第一掩模版1接觸，然后調(diào)節(jié)X方向使第二掩模版2和第一掩模版1的曝光圖形左右對(duì)齊，最后根據(jù)要求的第二掩模版2的聚焦位置調(diào)節(jié)Z方向的位置；固定第二掩模版2；掃描第一曝光圖形10，當(dāng)探測(cè)到預(yù)測(cè)指示記號(hào)12時(shí)，準(zhǔn)備第一次變速運(yùn)動(dòng)；完成第一塊曝光圖形10的曝光后，開始第一次變速運(yùn)動(dòng)，加速掩模版的掃描速度，使之提高5倍，同時(shí)減速硅片的掃描速度到1/20，用此速度掃描兩曝光圖形的間距；探測(cè)到預(yù)測(cè)指示記號(hào)12時(shí)，準(zhǔn)備第二次變速運(yùn)動(dòng)；完成兩曝光圖形的間距掃描后，開始第二次變速運(yùn)動(dòng)，減速掩模版掃描速度，降低5倍，同時(shí)提高硅片掃描速度20倍；以正常速度完成第二曝光圖形11的曝光；步進(jìn)，做下一區(qū)域的曝光并依次類推。
雖然已公開了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，但本領(lǐng)域技術(shù)人員將會(huì)意識(shí)到，在不背離本發(fā)明權(quán)利要求書中公開范圍的情況下，任何各種修改、添加和替換均屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種使用兩塊掩模版實(shí)現(xiàn)連續(xù)掃描對(duì)兩圖形曝光的方法，其特征在于固定具有第一曝光圖形的第一掩模版，調(diào)節(jié)具有第二曝光圖形的第二掩模版，使兩掩模版連接成一體，兩塊掩模版作為整體做長(zhǎng)程掃描運(yùn)動(dòng)，完成第一曝光圖形的曝光后，在掃描第一曝光圖形與第二曝光圖形的間距時(shí)掩模版進(jìn)行變速運(yùn)動(dòng)實(shí)現(xiàn)在硅片上的兩掃描圖形間的正確距離，最后完成第二曝光圖形的曝光。
2.如權(quán)利要求1所述的一種使用兩塊掩模版實(shí)現(xiàn)連續(xù)掃描對(duì)兩圖形曝光的方法，其特征在于所述方法包括如下步驟載入第一掩模版，并放入固定位置；載入第二掩模版，調(diào)節(jié)其X、Y、Z三個(gè)軸方向位置，并固定第二塊掩模版；使兩掩模版連接成一體，作為一個(gè)剛體做長(zhǎng)程掃描運(yùn)動(dòng)；掃描第一曝光圖形，并根據(jù)探測(cè)到的預(yù)測(cè)指示記號(hào)準(zhǔn)備開始第一次變速運(yùn)動(dòng)；完成第一曝光圖形的曝光后，開始第一次變速運(yùn)動(dòng)，加速掩模版的掃描速度，同時(shí)減速硅片的掃描速度，用此速度掃描第一曝光圖形與第二曝光圖形的間距；探測(cè)到預(yù)測(cè)指示記號(hào)后，準(zhǔn)備開始第二次變速運(yùn)動(dòng)；完成第一曝光圖形與第二曝光圖形的間距掃描后，開始第二次變速運(yùn)動(dòng)，減速掩模版掃描速度，同時(shí)提高硅片掃描速度；以正常速度完成第二塊曝光圖形的曝光。
3.如權(quán)利要求1或2所述的一種使用兩塊掩模版實(shí)現(xiàn)連續(xù)掃描對(duì)兩圖形曝光的方法，其特征在于所述第二掩模版是可調(diào)掩模版，能夠相對(duì)第一掩模版做X、Y和Z三個(gè)軸方向的位置調(diào)節(jié)和定位。
4.如權(quán)利要求3所述的一種使用兩塊掩模版實(shí)現(xiàn)連續(xù)掃描對(duì)兩圖形曝光的方法，其特征在于第二掩模版的定位誤差范圍是0.01um-0.1um
5.如權(quán)利要求3所述的一種使用兩塊掩模版實(shí)現(xiàn)連續(xù)掃描對(duì)兩圖形曝光的方法，其特征在于第二掩模版的調(diào)節(jié)方法包括如下步驟調(diào)節(jié)Y軸方向使第二掩模版和第一掩模版接觸；調(diào)節(jié)X軸方向使第二掩模版和第一掩模版上的曝光圖形左右對(duì)齊；根據(jù)要求的第二掩模版的聚焦位置調(diào)節(jié)Z軸方向的位置。
6.如權(quán)利要求5所述的一種使用兩塊掩模版實(shí)現(xiàn)連續(xù)掃描對(duì)兩圖形曝光的方法，其特征在于當(dāng)?shù)诙谀０婧偷谝谎谀０鎆軸方向的位置調(diào)節(jié)至不同時(shí)，實(shí)現(xiàn)對(duì)兩個(gè)不同聚焦位置的曝光圖形的曝光。
7.如權(quán)利要求2所述的一種使用兩塊掩模版實(shí)現(xiàn)連續(xù)掃描對(duì)兩圖形曝光的方法，其特征在于所述預(yù)測(cè)指示記號(hào)設(shè)置在第一曝光圖形與第二曝光圖形間距間的起始位置和結(jié)束位置。
8.如權(quán)利要求2所述的一種使用兩塊掩模版實(shí)現(xiàn)連續(xù)掃描對(duì)兩圖形曝光的方法，其特征在于反饋系統(tǒng)檢測(cè)到預(yù)測(cè)指示記號(hào)開始準(zhǔn)備變速運(yùn)動(dòng)。
9.如權(quán)利要求2所述的一種使用兩塊掩模版實(shí)現(xiàn)連續(xù)掃描對(duì)兩圖形曝光的方法，其特征在于第一次變速運(yùn)動(dòng)時(shí)，掩模版掃描運(yùn)動(dòng)速度比正常曝光時(shí)提高5-25倍，硅片掃描運(yùn)動(dòng)速度比正常曝光時(shí)降低4-20倍。
10.如權(quán)利要求2所述的一種使用兩塊掩模版實(shí)現(xiàn)連續(xù)掃描對(duì)兩圖形曝光的方法，其特征在于第二次變速運(yùn)動(dòng)時(shí)，掩模版掃描運(yùn)動(dòng)速度比正常曝光時(shí)降低5-25倍，硅片掃描運(yùn)動(dòng)速度比正常曝光時(shí)提高4-20倍。
全文摘要
一種使用兩塊掩模版實(shí)現(xiàn)連續(xù)掃描對(duì)兩圖形曝光的方法，固定具有第一曝光圖形的第一掩模版，調(diào)節(jié)具有第二曝光圖形的第二掩模版，使兩掩模版連接成一體，兩塊掩模版作為整體做長(zhǎng)程掃描運(yùn)動(dòng)，完成第一曝光圖形的曝光后，在掃描第一曝光圖形與第二曝光圖形的間距時(shí)掩模版進(jìn)行變速運(yùn)動(dòng)實(shí)現(xiàn)在硅片上的兩掃描圖形間的正確距離，最后完成第二曝光圖形的曝光。使用本發(fā)明的方法不需要對(duì)掩模版制造做任何改動(dòng)，可以直接使用普通的掩模版，同時(shí)也減少了兩次曝光技術(shù)所需要的時(shí)間。
文檔編號(hào)H01L21/027GK1834788SQ200610025629
公開日2006年9月20日 申請(qǐng)日期2006年4月12日 優(yōu)先權(quán)日2006年4月12日
發(fā)明者姚峰英 申請(qǐng)人:上海集成電路研發(fā)中心有限公司, 上海華虹(集團(tuán))有限公司