專利名稱：：一種應(yīng)用反散射帶的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造工藝中的光學(xué)近似修正方法，尤其涉及在基于規(guī)則的光學(xué)近似修正中使用反散射帶的方法。
背景技術(shù)：
：散射帶(ScatteringBar)是一種可靠并且有效的光學(xué)鄰近修正(OPC，OpticalProximityCorrection)技術(shù)，其為一種次分辨率結(jié)構(gòu)，通常被設(shè)置在光掩膜上靠近隔離導(dǎo)線或者半隔離導(dǎo)線的位置，使它們的圖像和密集導(dǎo)線相類似。反散射帶(Anti-ScatteringBar)則是散射帶的逆轉(zhuǎn)(inverse)結(jié)構(gòu)，這兩者可以改變隔離導(dǎo)線和半隔離導(dǎo)線的強(qiáng)光度影像斜率，協(xié)助維持不同間距的適當(dāng)焦距深度，減少像差效果和微距色散。散射帶和反散射帶是基于規(guī)則的光學(xué)鄰近修正中的一種技術(shù)。在半導(dǎo)體制造工藝中，下至90nm或者更先進(jìn)的技術(shù)節(jié)點(diǎn)，散射帶的應(yīng)用漸漸成為一種至關(guān)重要的方法，用來保證整個(gè)圖案化制程。特別對(duì)于隔離溝道特征來說，即使早已應(yīng)用了散射帶的策略，其印刷方法仍然需要改進(jìn)。傳統(tǒng)的逆轉(zhuǎn)散射帶插入方法過于復(fù)雜，它同時(shí)涉及到隔離溝道經(jīng)過光學(xué)近似修正后的尺寸以及其與主要特征間的距離，這樣的方法不容易被實(shí)施，需要進(jìn)行比較復(fù)雜的運(yùn)算，花費(fèi)比較多的時(shí)間完成插入。如圖1所示，特征圖案同時(shí)具有隔離線的形狀和隔離溝道的形狀，散射帶的插入會(huì)很復(fù)雜，比較難于操作。另一方面，對(duì)于如圖1所示的完全隔離溝道圖案來說，使用傳統(tǒng)的逆轉(zhuǎn)散射帶插入方法將由于掩膜制作過程本身固有的特征，影響到制程窗口范圍。
發(fā)明內(nèi)容為了克服傳統(tǒng)的反散射帶插入方法不容易應(yīng)用的缺點(diǎn)，提出本發(fā)明。本發(fā)明的目的在于，為反散射帶的應(yīng)用過程提供一種獨(dú)特的步驟，得到一個(gè)優(yōu)選的方案，不僅能使整個(gè)散射帶的應(yīng)用更加簡單，并且有利于提升制程中平版印刷的工藝性余地。根據(jù)本發(fā)明的方法，在進(jìn)行光學(xué)近似修正的時(shí)候，如圖2所示，先按照傳統(tǒng)的方法用標(biāo)準(zhǔn)的散射帶規(guī)則對(duì)圖案中的隔離線狀圖案形成散射帶層B，作為參照層，此步驟僅對(duì)線狀圖案形成散射帶。以層B為參照層，對(duì)特征圖案層A進(jìn)行修正，如圖3所示。這樣隔離線形圖案將作為密集環(huán)境被修正，但是特征圖案中的隔離溝道結(jié)構(gòu)仍然作為單獨(dú)區(qū)域被修正。另外形成一層散射帶層C，其僅作為隔離溝道的環(huán)境，修正規(guī)則和形成層A的規(guī)則一致。然后用層C對(duì)層B以外的部分進(jìn)行布爾運(yùn)算和修正。，如圖4所示。經(jīng)過這樣操作，將仍然可以印刷出按照密集區(qū)域修正的隔離溝道圖案。由于溝道的關(guān)鍵尺寸(CD)比原始目標(biāo)大，制程窗口可以同時(shí)被擴(kuò)大。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于應(yīng)用這樣的方法可以很容易地進(jìn)行反散射帶的插入；在合適的顯影后檢查(ADI，AfterDevelopInspection)關(guān)鍵尺寸容許范圍內(nèi)，制程窗口范圍可以提高50％以上，實(shí)際操作結(jié)果顯示，ADICD變化范圍在3～5％之間時(shí)，DOF(DepthofField，多重境深)可提高55％以上；更寬的制程范圍可以帶來更好的晶片容許測(cè)試(WAT，waferacceptabletesting)或者良率的性能。為了更容易理解本發(fā)明的目的、特征以及其優(yōu)點(diǎn)，下面將配合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明加以詳細(xì)說明。本申請(qǐng)中包括的附圖是說明書的一個(gè)構(gòu)成部分，附圖與說明書和權(quán)利要求書一起用于說明本發(fā)明的實(shí)質(zhì)內(nèi)容，用于更好地理解本發(fā)明。附圖中圖1是需要插入散射帶的特征圖案示意圖；圖2是按照本發(fā)明方法對(duì)圖案中的隔離線狀圖案形成散射帶示意圖；圖3是按照本發(fā)明方法對(duì)特征圖案層A進(jìn)行修正的示意圖；圖4是按照本發(fā)明的方法形成層C并利用其對(duì)特征圖案中的隔離溝道圖案進(jìn)行修正的示意圖；圖5和圖6是在不同條件下沒有插入散射帶進(jìn)行OPC后的特征圖案效果示意圖；對(duì)于圖5，其中特征圖案的原始尺寸＝120nm，經(jīng)過OPC修正的尺寸＝130nm，顯影后檢查尺寸＝119.5nm；對(duì)于圖6，其中特征圖案的原始尺寸＝140nm，經(jīng)過OPC修正的尺寸＝140nm，顯影后檢查尺寸＝139.5nm；圖7和圖8是在不同條件下插入一條散射帶進(jìn)行OPC后的特征圖案效果示意圖；對(duì)于圖7，其中特征圖案的原始尺寸＝120nm，經(jīng)過OPC修正的尺寸＝130nm，顯影后檢查尺寸＝127.5nm；對(duì)于圖8，其中特征圖案的原始尺寸＝140nm，經(jīng)過OPC修正的尺寸＝140nm，顯影后檢查尺寸＝143.5nm；圖9和圖10是在不同條件下插入兩條散射帶進(jìn)行OPC后的特征圖案效果示意圖；對(duì)于圖9，其中特征圖案的原始尺寸＝120nm，經(jīng)過OPC修正的尺寸＝130nm，顯影后檢查尺寸＝124.5nm；對(duì)于圖10，其中特征圖案的原始尺寸＝140nm，經(jīng)過OPC修正的尺寸＝140nm，顯影后檢查尺寸＝143.5nm；圖11是按照?qǐng)D5～10中顯示的不同條件得到的樣品進(jìn)行過焦檢查(Through-focusCheck)得到的曲線對(duì)比示意圖；圖12和圖13是在具有散射帶，一條散射帶以及兩條散射帶的情況下，分別對(duì)樣品進(jìn)行ADICD測(cè)試和DOF測(cè)試得到的曲線示意圖。具體實(shí)施例方式為了更好地理解本發(fā)明的內(nèi)容，下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說明，但這些實(shí)施例不對(duì)本發(fā)明構(gòu)成限制。在進(jìn)行光學(xué)近似修正的時(shí)候，如圖2所示，先按照傳統(tǒng)的方法用標(biāo)準(zhǔn)的散射帶規(guī)則形成層B(其用作散射帶)作為參照層，但是此步驟僅對(duì)線狀圖案形成散射帶。以層B為參照層，對(duì)特征圖案層A進(jìn)行修正，如圖3所示。這樣線形圖案將作為密集環(huán)境被修正，但是隔離溝道仍然作為單獨(dú)區(qū)域被修正。另外形成一層散射帶層C，其僅作為隔離溝道的環(huán)境，修正規(guī)則和形成層A的規(guī)則一致。然后對(duì)層C和層B以外的部分進(jìn)行布爾運(yùn)算，在主要特征近旁形成小的隔離溝道，即逆轉(zhuǎn)散射帶，如圖4所示。經(jīng)過這樣操作，將仍然可以印刷出按照密集區(qū)域修正的隔離溝道圖案。由于溝道的關(guān)鍵尺寸(CD)比原始目標(biāo)大，制程窗口可以同時(shí)被擴(kuò)大。以上顯示和描述了本發(fā)明的基本原理和主要特征和本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本發(fā)明不受上述實(shí)施例的限制，上述實(shí)施例和說明書中描述的只是說明本發(fā)明的原理，在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下本發(fā)明還會(huì)有各種變化和改進(jìn)，這些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本發(fā)明的范圍內(nèi)。本發(fā)明要求保護(hù)的范圍由所附的權(quán)利要求書及其等效物界定。權(quán)利要求1.一種應(yīng)用反散射帶的方法，其特征在于包括以下步驟先按照傳統(tǒng)的方法用標(biāo)準(zhǔn)的散射帶規(guī)則僅對(duì)圖案中的隔離線狀圖案形成散射帶層B，作為參照層；以層B為參照層，對(duì)特征圖案層A進(jìn)行修正，這樣隔離線狀圖案將作為密集環(huán)境被修正，但是特征圖案中的隔離溝道結(jié)構(gòu)仍然作為單獨(dú)區(qū)域被修正；另外形成一層散射帶層C，其僅作為隔離溝道的環(huán)境，修正規(guī)則和形成層A的規(guī)則一致，然后對(duì)層C和層B以外的部分進(jìn)行布爾運(yùn)算，在主要特征近旁形成小的隔離溝道，即逆轉(zhuǎn)散射帶。2.如權(quán)利要求1所述的應(yīng)用反散射帶的方法，其中形成散射帶層B或者C的時(shí)候，可以選擇形成一條或者一條以上散射帶。全文摘要本發(fā)明提供一種應(yīng)用反散射帶的方法，主要應(yīng)用在半導(dǎo)體制程中基于規(guī)則的光學(xué)近似修正中。按照本發(fā)明的方法，利用散射帶對(duì)半導(dǎo)體器件特征圖案進(jìn)行光學(xué)近似修正的時(shí)候，對(duì)其中的隔離線形圖案和隔離溝道圖案分別形成散射帶并進(jìn)行修正。通過這樣的方法，可以很容易地進(jìn)行反散射帶的插入，擴(kuò)大制程窗口，從而提高晶片容許測(cè)試或者良率性能。文檔編號(hào)H01L21/027GK101086622SQ20061002744公開日2007年12月12日申請(qǐng)日期2006年6月8日優(yōu)先權(quán)日2006年6月8日發(fā)明者洪齊元,王謹(jǐn)恒,張斌,鄧澤希申請(qǐng)人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司