專利名稱：雙鑲嵌結(jié)構(gòu)的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種雙鑲嵌結(jié)構(gòu)(dual damascene structure )的制造方法。
背景技術(shù)：
當(dāng)今半導(dǎo)體器件制造技術(shù)飛速發(fā)展，半導(dǎo)體器件已經(jīng)具有深亞微米結(jié)構(gòu)， 集成電路中包含巨大數(shù)量的半導(dǎo)體元件。在如此大規(guī)模集成電路中，元件之 間的高性能、高密度的連接不僅在單個(gè)互連層中互連，而且要在多層之間進(jìn) 行互連。因此，通常提供多層互連結(jié)構(gòu)，其中多個(gè)互連層互相堆疊，并且層 間絕緣膜置于其間，用于連接半導(dǎo)體元件。特別是利用雙鑲嵌 (dual-damascene)工藝形成的多層互連結(jié)構(gòu)，其預(yù)先在層間絕緣膜中形成溝 槽(trench)和連接孔(via)，然后用導(dǎo)電材料例如銅(Cu)填充所述溝槽和連 接孔。這種互連結(jié)構(gòu)已經(jīng)在集成電路制造中得到廣泛應(yīng)用。
雙鑲嵌工藝的技術(shù)重點(diǎn)在于蝕刻填充導(dǎo)體金屬用的溝槽刻蝕技術(shù)。在雙 鑲嵌工藝的前段蝕刻工藝中，目前存在兩種方法制作雙鑲嵌構(gòu)造的溝槽，第 一種方法是先在介電層的上部定義出導(dǎo)線溝槽，之后利用另一光刻膠層定義
開口，然后利用另一光刻膠層定義導(dǎo)線溝槽。但無(wú)論是哪種方法，都需要在 襯底表面和層間介電層(ILD)之間形成一層含氮的覆蓋層。
隨著器件的特征尺寸不斷縮小，襯底中器件的密集程度越來(lái)越高，對(duì)集 成電路的性能尤其是射頻條件下的高速處理信號(hào)的性能提出了更高的要求。 為了降低射頻信號(hào)在電路中的延遲，目前普遍采用低介電常數(shù)(low k)材料 作為層間介電層(ILD)，以降低電路中的RC延遲。然而，由于lowk材料的 密度較低，低密度介電材料的大量使用對(duì)制造雙鑲嵌結(jié)構(gòu)會(huì)帶來(lái)一些負(fù)面問(wèn) 題。例如，申請(qǐng)?zhí)枮?00510056297.4的中國(guó)專利申請(qǐng)中描述了一種雙鑲嵌結(jié)構(gòu) 的制造方法。圖1至圖5為說(shuō)明該現(xiàn)有制造雙鑲嵌結(jié)構(gòu)方法的剖面示意圖。如 圖1至圖5所示，圖l中，在形成雙鑲嵌結(jié)構(gòu)時(shí)，通常要在具有互連線12a和12b 的襯底10表面和ILD層14之間形成由SiCN或Si3N4組成的覆蓋層13 。該覆蓋層 可防止襯底中互連線12a和12b中的金屬銅擴(kuò)散到ILD層14中，亦可防止刻蝕過(guò)
程中互連線12a和12b不被刻蝕。圖2中，在ILD層14中利用光刻、刻蝕等工藝 形成連接孔15a和15b,之后，在圖3中，于ILD層上表面覆蓋底部抗反射層 (BARC) 16。然后，如圖4所示，在BARC層16表面涂布光致抗蝕劑，并通 過(guò)曝光、顯影，形成圖案化的光致抗蝕劑17a和17b。在這個(gè)過(guò)程中，尤其是 在后續(xù)刻蝕BARC層16以形成溝槽的過(guò)程中，如圖5所示，覆蓋層13中的氮離 子會(huì)穿過(guò)低密度的ILD層14和BARC層16與光致抗蝕劑17a和17b發(fā)生反應(yīng)，在 光致抗蝕劑側(cè)壁上形成難溶的高分子聚合物"腫塊"18a和18b,本文將這種 現(xiàn)象稱為"光致抗蝕劑中毒(resist poisoning)"。光致抗蝕劑中毒現(xiàn)象會(huì)導(dǎo) 致溝槽圖形出現(xiàn)缺陷。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的在于提供一種雙鑲嵌結(jié)構(gòu)的制造方法，能夠消除光 致抗蝕劑中毒現(xiàn)象的發(fā)生。
為達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供了一種雙鑲嵌結(jié)構(gòu)的制造方法，包括 提供一表面具有第 一介質(zhì)層的半導(dǎo)體襯底； 在所述第一介質(zhì)層中形成金屬互連線； 在所述第一介質(zhì)層和所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)層表面形成覆蓋層； 在所述覆蓋層上形成第二介質(zhì)層并在所述第二介質(zhì)層中形成連接孔； 在所述第二介質(zhì)層上形成三層結(jié)構(gòu)； 刻蝕所述三層結(jié)構(gòu)和所述覆蓋層直至露出所述金屬互連線； 填充金屬材料形成雙鑲嵌結(jié)構(gòu)。
所述三層結(jié)構(gòu)包括底部抗反射層、遮擋層和光致抗蝕劑層，所述底部抗 反射層覆蓋所述第二介質(zhì)層的表面，所述遮擋層形成于所述抗反射層表面， 所述光致抗蝕劑層構(gòu)圖于所述遮擋層表面。
所述遮擋層為利用等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積工藝在15(TC 30(TC的溫度
范圍內(nèi)淀積形成。
所述遮擋層為富硅聚合物，利用旋涂(spin-on)工藝形成，厚度為 500A 4000A。
所述遮擋層為氧化硅，厚度為300A 3000A。
所述第二介質(zhì)層為碳氧化硅(SiCO)，氧化硅或氟化硅玻璃，厚度為 1000A 20000A。
所述覆蓋層為氮化硅或氮氧化硅或氮碳氧化硅，厚度為200A 1200A。 位于所述第二介質(zhì)層表面上的所述底部抗反射層的厚度為 1000A 8000A。
所述光致抗蝕劑層的厚度為1000A 2000oA。
本發(fā)明具有相同或相應(yīng)技術(shù)特征的另一種雙鑲嵌結(jié)構(gòu)的制造方法，包括
提供一表面具有介質(zhì)層的半導(dǎo)體襯底，在所述介質(zhì)層中形成金屬互連線；
平坦化所述介質(zhì)層和所述金屬互連線；
在所述介質(zhì)層和所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)層表面形成覆蓋層；
在所述覆蓋層上形成層間介電層，在所述層間介電層中形成連接孔；
在具有連接孔的層間介電層上覆蓋底部抗反射層；
在所述底部抗反射層表面形成遮擋層；
在所述遮擋層表面涂覆光致抗蝕劑并圖案化所述光至抗蝕劑以定義溝槽 開口；
刻蝕所述光至抗蝕劑和所述遮擋層； 刻蝕所述遮擋層、底部抗反射層和層間介電層； 去除剩余的底部抗反射層和溝槽底部對(duì)應(yīng)所述互連線位置的覆蓋層； 然后向連接孔和溝槽中填充金屬便形成了雙鑲嵌結(jié)構(gòu)。 所述遮擋層利用等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積工藝在150。C 30(TC的溫度范 圍內(nèi)形成。
所述遮擋層為信越(Shinetzu)公司商標(biāo)為SHB的富硅聚合物利用旋涂 (spin-on)工藝形成，厚度為500A 4000A。 所述遮擋層為氧化硅，厚度為300A 3000A。
所述層間介質(zhì)層為應(yīng)用材料(Applied Materials)公司商標(biāo)為黑鉆石的 碳氧化硅(SiCO)、氧化硅或氟化硅玻璃，厚度為1000A M000A。
所述覆蓋層為氮化硅或氮氧化硅或氮碳氧化硅，厚度為200A 1200 A。
位于所述第二介質(zhì)層表面上的所述底部抗反射層的厚度為 誦A 8000A。
所述光致抗蝕劑的厚度為1000A 20000A。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)
本發(fā)明的雙鑲嵌結(jié)構(gòu)的制造方法在ILD上覆蓋的BARC層表面淀積一層 致密的遮擋層。這層遮擋層能夠阻止覆蓋層中的氮離子與光致抗蝕劑接觸， 從而防止了光致抗蝕劑中毒現(xiàn)象的發(fā)生。同時(shí)，該遮擋層還可作為溝槽刻蝕
過(guò)程中的硬掩膜層，在利用BARC層作為刻蝕犧牲層時(shí)，結(jié)合硬掩膜層的作 用，可以一次刻蝕形成雙鑲嵌結(jié)構(gòu)。而且，光致抗蝕劑在刻蝕過(guò)程中已被去 除，刻蝕后僅需去除剩余的BARC，簡(jiǎn)化了制造工藝。此外，由于上述遮擋 層的硬掩膜作用，光致抗蝕劑無(wú)需涂布的很厚，有利于進(jìn)一步提高刻蝕分辨率。


圖1至圖5為說(shuō)明現(xiàn)有制造雙鑲嵌結(jié)構(gòu)方法的剖面示意圖； 圖6至圖IO為才艮據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的雙鑲嵌結(jié)構(gòu)制造方法的剖面示意圖； 圖11為本發(fā)明雙鑲嵌結(jié)構(gòu)制造方法的流程圖。
具體實(shí)施例方式
為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖 對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說(shuō)明。
本發(fā)明的雙鑲嵌結(jié)構(gòu)的制造方法在層間介質(zhì)層上覆蓋的底部抗反射層表 面淀積了 一層致密的遮擋層，以阻止覆蓋層中的氮離子與光致抗蝕劑接觸， 從而防止了光致抗蝕劑中毒現(xiàn)象的發(fā)生。
圖6至圖IO為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的雙鑲嵌結(jié)構(gòu)制造方法的剖面示意圖。 首先，如圖6所示，并參照?qǐng)D1、圖2和圖3，所述示意圖只是實(shí)例，其在此 不應(yīng)過(guò)度限制本發(fā)明保護(hù)的范圍。在半導(dǎo)體村底10表面利用化學(xué)汽相淀積 (CVD)方法形成第一介質(zhì)層，也就是金屬間介電層11。介電層的材料可為 氧化硅。在介電層ll中通過(guò)光刻、刻蝕工藝形成例如銅導(dǎo)線構(gòu)成的導(dǎo)電連線 12a和12b。利用化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)工藝將介電層11和銅導(dǎo)電連線12a 和12b表面磨平；然后，利用CVD工藝，在上述介電層11和銅導(dǎo)電連線12a 和12b表面淀積由氮化硅組成的覆蓋層13,覆蓋層13可為氮化硅(Si3N4)或 氮氧化硅(SiON)，或氮碳氧化硅(SiOCN)厚度為200A-1200A。上述覆蓋層 13 —方面作為導(dǎo)電連線12a和12b中銅的擴(kuò)散覆蓋層，另一方面在后續(xù)刻蝕 連接孔的步驟中被當(dāng)作蝕刻停止層。接著，在上述覆蓋層13表面淀積形成厚 度1000A-20000A的第二介質(zhì)層，也就是層間介電層14,如圖1所示。上述 沉積的層間介電層14是由化學(xué)氣相淀積法沉積的低介電常數(shù)的無(wú)機(jī)硅基質(zhì)層
(Inorganic silicon based layer), 例如應(yīng)用材料(Applied Materials)公司商 標(biāo)為黑鉆石(black diamond)的二氧化硅(Si02 )、碳氧化硅(SiCO)或氟化硅 玻璃(FSG)。
利用光刻、刻蝕等工藝在層間介電層14中形成連接孔15a和15b,如圖 2所示。然后，在層間介電層14表面涂覆BARC層16，也就是底部抗反射層。 該BARC層16填充進(jìn)連接孔15a和15b中，所述BARC層在層間介電層14 表面上的厚度為1000A 8000A ，本實(shí)施例優(yōu)選為3500 A,如圖3所示。
隨后，本發(fā)明方法在BARC層16表面淀積一層致密的遮擋層19,其厚 度在300 A-3000 A之間，如圖6所示。所述遮擋層19是利用等離子增強(qiáng)化 學(xué)氣相淀積(PECVD )工藝，在低溫條件下進(jìn)行淀積的低溫淀積氧化硅(LTO )。 上述淀積低溫淀積氧化物遮擋層19的工藝溫度范圍需控制在15(TC-30(TC之 間，本實(shí)施例優(yōu)選為200°C。此外，遮擋層19也可以由富硅聚合物材料，例 如信越公司(Shinetzu)的商標(biāo)為SHB的富硅聚合物材料，在BARC層16 表面旋涂(spin on)工藝形成，厚度為500 A 4000 A。
接下來(lái)，如圖7所示，在遮擋層19涂布光致抗蝕劑，并利用光刻工藝， 例如曝光、顯影等在光致抗蝕劑的表面形成具有溝槽開口圖案的光致抗蝕劑 層17a和17b。本實(shí)施例中，光致抗蝕劑層17a和17b的厚度為1000A-20000A。
上述光致抗蝕劑層17a和17b、遮擋層19和BARC層16組成三層結(jié)構(gòu)。 遮擋層19能夠防止覆蓋層13中的氮離子與光致抗蝕劑17a和17b接觸，從 而防止了光致抗蝕劑中毒現(xiàn)象的發(fā)生。同時(shí)，該遮擋層19還可作為溝槽刻蝕 過(guò)程中的硬掩膜層，在利用BARC層16作為刻蝕犧牲層時(shí)，結(jié)合遮擋層19 的掩膜作用，可以一次刻蝕形成雙鑲嵌結(jié)構(gòu)。而且，光致抗蝕劑17a和17b 在刻蝕過(guò)程中已被去除，刻蝕后僅需去除剩余的BARC,簡(jiǎn)化了制造工藝。 此外，由于上述遮擋層的硬掩膜作用，光致抗蝕劑無(wú)需涂布的很厚，有利于 進(jìn)一步提高刻蝕分辨率。
繼續(xù)參照?qǐng)D8，接下來(lái)，利用反應(yīng)離子刻蝕工藝(reactive ion etching; RIE ),利用光致抗蝕劑17a和17b和遮擋層19作為掩膜，經(jīng)由光致抗蝕劑 17a和17b限定的開口圖形進(jìn)行刻蝕。由于遮擋層19的硬掩膜作用，光致抗 蝕劑無(wú)需涂布得^f艮厚，有利于進(jìn)一步提高刻蝕分辨率。在刻蝕過(guò)程中，刻蝕 劑包括氯氣Cl2、氧氣02、氮?dú)釴2、氦氣He和氧氣02的混合氣體，或者氦
氣一氧氣He-02，以及惰性氣體或其混合氣體(比如氫氣Ar、氖氣Ne、氦氣 He等等)，或其組合。流量為40-80sccm，等離子源輸出功率200-2000W，襯 底溫度控制在2(TC和8(TC之間，腔體壓力為5-50mTorr。利用光致抗蝕劑17a 和17b為掩膜刻蝕遮擋層19和BARC層16。同時(shí)RIE也刻蝕光致抗蝕劑17a 和17b。當(dāng)然，RIE在遮擋層19和BARC層16中的刻蝕速率，與光致抗蝕劑 17a和17b中的刻蝕速率稍有差異。當(dāng)光致抗蝕劑17a和17b被刻蝕到遮擋層 19的表面，也就是光致抗蝕劑17a和17b被刻蝕掉時(shí)，RIE經(jīng)開口圖形已經(jīng) 將遮擋層19和BARC層16刻蝕到層間介電層14的表面。
接著，如圖9所示，同時(shí)刻蝕遮擋層19和BARC層16，遮擋層19兼具 掩膜的作用。利用遮擋層19的掩膜作用開始刻蝕層間介電層14。由于遮擋層 19是高致密膜，RIE刻蝕對(duì)遮擋層19的刻蝕速率較低，而BARC層16為低 密度材料，層間介電層14為low k材料，密度較低且質(zhì)地比較軟，RIE對(duì)這 兩種材料的刻蝕速率較高。因此，同時(shí)刻蝕遮擋層19、 BARC層16和層間介 電層14時(shí)，BARC層16和層間介電層14被刻蝕的量遠(yuǎn)大于遮擋層19被刻 蝕的量，遮擋層19被完全刻蝕掉后BARC層16和層間介電層14已被刻蝕掉 層間介電層14深接近度一半的高度。
在接下來(lái)的工藝步驟中，如圖IO所示，利用濕法腐蝕工藝或氧氣等離子 灰化工藝(ashing)去除層間介電層14表面和溝槽中剩余的BARC層16，以 露出溝槽底部的覆蓋層13。最后，利用PECVD工藝，將襯底10的介電層11 中導(dǎo)電連線12a和12b對(duì)應(yīng)的覆蓋層13的部分移除，以便露出導(dǎo)電連線12a 和12b，然后向連接孔和溝槽中填充金屬便形成了雙鑲嵌結(jié)構(gòu)。
圖11為本發(fā)明雙鑲嵌結(jié)構(gòu)制造方法的流程圖。如圖11所示，本發(fā)明的 雙鑲嵌結(jié)構(gòu)的制造方法包括提供一表面具有介質(zhì)層的半導(dǎo)體襯底，在所述 介質(zhì)層中形成金屬互連線(S101);平坦化所述介質(zhì)層和所述金屬互連線
(S102 );在所述介質(zhì)層和所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)層表面形成由氮化硅(Si3N4)或氮氧 化硅(SiON)或氮碳化硅(SiCN)組成的覆蓋層(S103)，厚度為200A-U00A; 在所述覆蓋層上形成層間介電層(S104),層間介電層可由應(yīng)用材料(Applied Materials)公司商標(biāo)為黑鉆石的碳氧化硅(SiCO)，氧化硅或氟化硅玻璃(FSG) 組成，層間介電層的厚度為1000-20000A。在所述層間介電層中形成連接孔
(S105);在具有連接孔的層間介電層上覆蓋底部抗反射層(S106);在所述
底部抗反射層表面淀積形成遮擋層(S107),所述遮擋層為利用等離于增強(qiáng)化 學(xué)氣相淀積工藝在15(TC 30(TC的溫度范圍內(nèi)淀積形成，或?yàn)樾旁?Shinetzu ) 公司商標(biāo)為SHB的富硅聚合物利用旋涂(spin-on)工藝形成，厚度為 500A 4000A;涂覆光致抗蝕劑并圖案化所述光致抗蝕劑以定義溝槽開口 (S108);刻蝕所述光致抗蝕劑和所述遮擋層(S109);刻蝕所述遮擋層、底 部抗反射層和層間介電層(S110);去除剩余的底部抗反射層和溝槽底部對(duì)應(yīng) 所述互連線位置的覆蓋層(Slll)，然后向連接孔和溝槽中填充金屬便形成了 雙鑲嵌結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明的雙鑲嵌結(jié)構(gòu)的制造方法通過(guò)在ILD上覆蓋的BARC層表面淀積 一層致密的遮擋層，能夠阻止覆蓋層中的氮離子與光致抗蝕劑接觸，從而防 止了光致抗蝕劑中毒現(xiàn)象的發(fā)生。同時(shí)，該遮擋層還可作為溝槽刻蝕過(guò)程中 的硬掩膜層，在利用BARC層作為刻蝕犧牲層時(shí)，結(jié)合硬掩膜層的作用，可 以 一次刻蝕形成雙鑲嵌結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明雖然以較佳實(shí)施例公開如上，但其并不是用來(lái)限定本發(fā)明，任何 本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以做出可能的變動(dòng)和 修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以本發(fā)明權(quán)利要求所界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1、 一種雙鑲嵌結(jié)構(gòu)的制造方法，包括 提供一表面具有第一介質(zhì)層的半導(dǎo)體襯底； 在所述第一介質(zhì)層中形成金屬互連線； 在所述第一介質(zhì)層和所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)層表面形成覆蓋層； 在所述覆蓋層上形成第二介質(zhì)層并在所述第二介質(zhì)層中形成連接孔； 在所述第二介質(zhì)層上形成三層結(jié)構(gòu)；刻蝕所述三層結(jié)構(gòu)和所述覆蓋層直至露出所述金屬互連線； 填充金屬材料形成雙鑲嵌結(jié)構(gòu)。
2、 如權(quán)利要求l所述的方法，其特征在于所述三層結(jié)構(gòu)包括底部抗反 射層、遮擋層和光致抗蝕劑層，所述底部抗反射層覆蓋所述第二介質(zhì)層的表 面，所述遮擋層形成于所述抗反射層表面，所述光致抗蝕劑層構(gòu)圖于所述遮 擋層表面。
3、 如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于所述遮擋層為利用等離子增 強(qiáng)化學(xué)氣相淀積工藝在15(TC 30(TC的溫度范圍內(nèi)淀積形成。
4、 如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于所述遮擋層為富硅聚合物， 利用旋涂(spin-on)工藝形成，厚度為500A"000A。
5、 如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于所述遮擋層為氧化硅，厚度 為300A 3000A。
6、 如權(quán)利要求l所述的方法，其特征在于所述第二介質(zhì)層為碳氧化硅 (SiCO)，氧化硅或氟化硅玻璃，厚度為1000A 20000A。
7、 如權(quán)利要求l所述的方法，其特征在于所述覆蓋層為氮化硅或氮氧 化硅或氮碳氧化硅，厚度為200A 1200A。
8、 如權(quán)利要求2或6所述的方法，其特征在于位于所述第二介質(zhì)層表 面上的所述底部抗反射層的厚度為1000A 8000A。
9、 如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于所述光致抗蝕劑層的厚度為 1000A 20000A。
10、 一種雙鑲嵌結(jié)構(gòu)的制造方法，包括提供一表面具有介質(zhì)層的半導(dǎo)體襯底，在所述介質(zhì)層中形成金屬互連線；平坦化所述介質(zhì)層和所述金屬互連線；在所述介質(zhì)層和所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)層表面形成覆蓋層； 在所述覆蓋層上形成層間介電層，在所述層間介電層中形成連接孔；在具有連接孔的層間介電層上覆蓋底部抗反射層；在所述底部抗反射層表面形成遮擋層；在所述遮擋層表面涂覆光致抗蝕劑并圖案化所述光至抗蝕劑以定義溝槽 開口；刻蝕所述光至抗蝕劑和所述遮擋層； 刻蝕所述遮擋層、底部抗反射層和層間介電層； 去除剩余的底部抗反射層和溝槽底部對(duì)應(yīng)所述互連線位置的覆蓋層； 然后向連接孔和溝槽中填充金屬便形成了雙鑲嵌結(jié)構(gòu)。
11、 如權(quán)利要求IO所述的方法，其特征在于所述遮擋層利用等離子增 強(qiáng)化學(xué)氣相淀積工藝在15(TC 30(TC的溫度范圍內(nèi)形成。
12、 如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于所述遮擋層為信越 (Shinetzu)公司商標(biāo)為SHB的富硅聚合物利用旋涂(spin-on)工藝形成，厚度為500A 4000A。
13、 如權(quán)利要求ll所述的方法，其特征在于所述遮擋層為氧化硅，厚 度為300A 3000A。
14、 如權(quán)利要求IO所述的方法，其特征在于所述層間介質(zhì)層為應(yīng)用材 料(Applied Materials)公司商標(biāo)為黑鉆石的碳氧化硅(SiCO)、氧化硅或氟 化硅玻璃，厚度為1000A 20000A。
15、 如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于所述覆蓋層為氮化硅或氮 氧化硅或氮碳氧化硅，厚度為200A~1200 A。
16、 如權(quán)利要求10或14所述的方法，其特征在于位于所述第二介質(zhì) 層表面上的所述底部抗反射層的厚度為1000 A ~8000 A。
17、 如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于所述光致抗蝕劑的厚度為 1000人 20000人。
全文摘要
一種雙鑲嵌結(jié)構(gòu)的制造方法，包括提供一表面具有第一介質(zhì)層的半導(dǎo)體襯底；在所述第一介質(zhì)層中形成金屬互連線；在所述第一介質(zhì)層和所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)層表面形成覆蓋層；在所述覆蓋層上形成第二介質(zhì)層并在所述第二介質(zhì)層中形成連接孔；在所述第二介質(zhì)層上形成底部抗反射層、遮擋層和光致抗蝕劑層；刻蝕所述底部抗反射層、遮擋層和光致抗蝕劑層，以及所述覆蓋層直至露出所述金屬互連線；填充金屬材料形成雙鑲嵌結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的方法在第二介質(zhì)層上覆蓋的底部抗反射層表面淀積一層致密的遮擋層，這層遮擋層能夠阻止覆蓋層中的氮離子與光致抗蝕劑接觸，從而避免了光致抗蝕劑中毒現(xiàn)象的發(fā)生。
文檔編號(hào)H01L21/768GK101123243SQ200610029908
公開日2008年2月13日 申請(qǐng)日期2006年8月10日 優(yōu)先權(quán)日2006年8月10日
發(fā)明者寧先捷 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司