專利名稱：突波吸收裝置的制作方法
技朮領域本發(fā)明是有關于一種突波吸收裝置，特別是指一種通過若干層絕緣套管層層套置于壓敏電阻而形成的突波吸收裝置。
背景技朮參閱圖1、2，一般正常狀況之下，輸入電子裝置的電源電壓應為一定的額定電壓，但是在某些狀況下，如遭遇雷擊或供電系統(tǒng)故障等因素發(fā)生時，亦或電子裝置的電源開關動作的瞬間。皆會造成此電子裝置的輸入電壓會在瞬間，出現(xiàn)高過額定電壓值的突波。這些不正常的突波，雖然都只在瞬間發(fā)生，但其于往往高過額定值甚多，嚴重時足以破壞此電子裝置。一般防制方式，是于電子裝置的電路中布設有一具有突波吸收器2(Varistor)的回路。如圖1所示，為一簡易的布設有突波吸收器的電路，其中，突波吸收器2的電氣特性是于一般正常狀況時，其奧姆值約為兆歐級，當突波吸收器2的端電壓超過其崩潰電壓時，其奧姆值將急速下降到甚至小于1奧姆的極小值。如此，依據(jù)電流分流法則，輸入電流Iin將大半通過突波吸收器2，并進而融斷保險絲(Fuse)，達到保護電子裝置的目的。但由于有時因突波電壓過大而擊穿突波吸收器2時，將造成突波吸收器2爆裂且四處飛散的狀況，這將造成由突波吸收器2形成的回路呈現(xiàn)開路，而無法流通電流，因此，無法達到保護電子裝置的狀況。面對此種情況，一般防制措施是于突波吸收器2外，另包裹一層熱縮套管3，但于實際使用時，仍近有五成機率，無法有效防止突波吸收器2炸裂散逸。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的，即在提供一種可有效確保吸收突波功效的突波吸收裝置。
于是，本發(fā)明一種突波吸收裝置，包含一壓敏電阻，及若干絕緣套管。壓敏電阻是具有一本體及二突伸于本體的接腳；若干絕緣套管層層地包裹于本體上。


圖1是一電路圖，說明習知應用突波吸收器的基本電路。
圖2是一示意圖，說明習知防止突波吸收器爆裂的防制手段。
圖3是一示意圖，說明本發(fā)明突波吸收裝置的一較佳實施例。
圖4是一示意圖，說明一壓敏電阻。
具體實施例方式
有關本發(fā)明之前述及其它技術內(nèi)容、特點與功效，在以下配合參考圖式的較佳實施例的詳細說明中，將可清楚的呈現(xiàn)。
參閱圖3、4，本發(fā)明突波吸收裝置1，包含一壓敏電阻11及若干絕緣套管12。壓敏電阻11亦可稱的為突波吸收器(varistor)，是一種伏安特性呈非線性的壓敏屬性電阻器。在正常電壓條件下，相當于一電容器。其電氣特性是當壓敏電阻11的端電壓超過其崩潰電壓預定值時，其內(nèi)阻將急劇下降并迅速導通，有效地將裝設有此突波吸收裝置1的電路上的電流分流，從而保護了電路上的其它組件不致因過壓而損壞。
其中，壓敏電阻11具有一本體111及二突伸于本體111的接腳112，其內(nèi)部微觀結(jié)構如圖4所示。本體111由內(nèi)而外是可概分為晶界層114，極板113，包裹層115。其中，極板113是為兩接腳112于本體111內(nèi)的一端是所形成的扁平狀金屬片，彼此相對應并平行間隔地放置，于兩極板113間是為一具有氧化鋅晶粒以及包裹此等晶粒的介質(zhì)所形成的晶界層114。包裹層115則用以包裹此極板113及晶界層114。
氧化鋅晶粒的電阻值很低，而介質(zhì)的電阻值卻很高，相接觸的兩個晶粒之間形成了一個相當于齊納二極管的障壁電勢，這就形成一壓敏電阻單元。而晶界層114即是由若干個壓敏電阻單元彼此串、并聯(lián)所形成，串聯(lián)的單元越多，壓敏電阻11崩潰電壓就愈高，晶界層114的橫截面積越大，其并聯(lián)路徑也愈多，相對地此壓敏電阻11的額定電流值也越大。壓敏電阻11在工作時，每個壓敏電阻單元都在承受突波電能量，這就是壓敏電阻11能承受能量極大的突波的原因。
但當壓敏電阻11承受一超過其崩潰電壓值的突波電壓，或承受突波電壓的能量超過其額定焦耳值時，則其產(chǎn)生的高熱將使得晶界層114因熱脹冷縮的效應而急速膨脹，當其超過包裹層115所提供的應力時，將使得壓敏電阻11爆開散裂。而使得壓敏電阻11呈現(xiàn)一斷路的特性，這與原本壓敏電阻11于接收突波時，而呈現(xiàn)低電阻值的電氣特性完全相異，故將喪失保護電路的效果。
為防止上述狀況發(fā)生，此突波吸收裝置1更于壓敏電阻11的本體111上層層地包裹了若干層絕緣套管12。在本實施例中，是包裹有兩層，且絕緣套管12是為一柔軟、具耐燃性的材質(zhì)所形成，其可為一熱縮套管。其中，由于熱縮套管是可緊密的收縮并包裹于被包裹物上，因此當于壓敏電阻11的本體111上包裹了若干的絕緣套管12時，當壓敏電阻11承受了一超過額定值的突波時，將由于此兩層的絕緣套管12所提供一極大的應力包裹住該本體111，而使得本體111不會有爆開散裂的情事發(fā)生，連帶地，維持了本體111的基本結(jié)構，而有效地讓壓敏電阻11的內(nèi)阻急劇下降，而維持了壓敏電阻11的電氣特性，并因此確實地保護了應用此突波吸收裝置1的電子產(chǎn)品免于遭受到突波的影響。
歸納上述，本發(fā)明突波吸收裝置1是于壓敏電阻11的本體111上包裹有若干絕緣套管12，而避免了壓敏電阻11的本體111因承受一高于其崩潰電壓額定值的突波而有炸裂散逸的情事發(fā)生，連帶地大略維持了本體111的內(nèi)部結(jié)構，而維持了壓敏電阻11原本的電氣特性，故確實能達到本發(fā)明的目的。
權利要求
1.一種突波吸收裝置，其特征在于一壓敏電阻，具有一本體及二突伸于本體的接腳；及若干絕緣套管，層層地包裹于本體上。
2.根據(jù)權利要求1所述的突波吸收裝置，其特征在于該壓敏電阻的本體上以包裹有兩層絕緣套管為最佳。
3.根據(jù)權利要求1和2所述的突波吸收裝置，其特征在于該等絕緣套管為熱縮套管。
4.根據(jù)權利要求1所述的突波吸收裝置，其特征在于該壓敏電阻的本體為具有氧化鋅晶粒的材質(zhì)所形成。
全文摘要
本發(fā)明揭示了一種突波吸收裝置，包含一壓敏電阻，及若干絕緣套管。壓敏電阻是具有一本體及二突伸于本體的接腳；若干絕緣套管層層地包裹于本體上。
文檔編號H01C7/105GK101042953SQ200610034409
公開日2007年9月26日 申請日期2006年3月20日 優(yōu)先權日2006年3月20日
發(fā)明者李吉泰 申請人:佛山市順德區(qū)順達電腦廠有限公司, 神達電腦股份有限公司