專利名稱：一種晶體元器件的生產(chǎn)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種石英晶體元器件，特別是一種晶體元器件的生產(chǎn)方法。
背景技術(shù)：
石英晶體元器件最早應(yīng)用是從軍事通訊設(shè)備開始，20世紀(jì)60年代末向鐘表、彩電等民用領(lǐng)域推廣。經(jīng)過半個(gè)多世紀(jì)的發(fā)展，石英晶體已與我們?nèi)粘Ｉ钕⑾⑾嚓P(guān)，進(jìn)入各家每戶。據(jù)日本NDK公司估計(jì)，當(dāng)前全球石英晶體元器件產(chǎn)量突破100億只，其應(yīng)用范圍為電腦、游戲機(jī)15％，固定通信設(shè)備15％，移動(dòng)通信45％，汽車用設(shè)備5％，視聽設(shè)備15％，其它5％。
我國石英晶體元器件起步晚，但發(fā)展速度快，質(zhì)量也不斷提高，品種不斷增多，但總體來說，中低檔產(chǎn)品出口，高檔產(chǎn)品仍需進(jìn)口，從2004年統(tǒng)計(jì)數(shù)字，出口總額6.33億美元，而進(jìn)口則達(dá)到12.61億美元，外貿(mào)逆差6.28億美元。國內(nèi)石英晶體元件生產(chǎn)廠家目前已達(dá)3600個(gè)，但大部分是生產(chǎn)毛片或加工低檔產(chǎn)品，目前主要品種是49U和UM系列，49S和SMD系列屬高檔產(chǎn)品，只有為數(shù)不多廠家研究開發(fā)。由于手提電腦流動(dòng)性大，因而對元件要求適應(yīng)范圍廣，抗干擾性強(qiáng)，所以指標(biāo)極為嚴(yán)格，頻差、溫度范圍、防震性能、電阻及靜態(tài)電容要求都相當(dāng)高，因而，手提電腦用49S晶體元器件主要是依賴進(jìn)口。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種新的晶體元器件的生產(chǎn)方法。
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是通過以下的技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的。本發(fā)明是一種晶體元器件的生產(chǎn)方法，其特點(diǎn)是，其步驟如下，(1)用磨床將原料壓電晶體進(jìn)行粗磨，磨成平行度不大于2絲、角度不大于8′的晶體棒材；(2)然后用多刀機(jī)按COS35°15′±2′將晶體棒材切割成多個(gè)長方晶片；(3)用研磨機(jī)對長方晶片進(jìn)行細(xì)磨，使其厚度小于15絲，再按需要將其切成小條的頻率片，用酸液將頻率片進(jìn)行拋光處理，以減小其電阻，然后再用酸性清洗液清洗其表面雜質(zhì)；(4)在清洗后的頻率片上噴上銀涂層，然后上架點(diǎn)膠，將頻率片粘在支架上，測頻率，再補(bǔ)噴銀涂層使頻率片達(dá)到要求頻率后，封焊上外殼，殼內(nèi)抽真空后充上氮?dú)?，即得成品?br>
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題還可以通過以下的技術(shù)方案來進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。以上所述的生產(chǎn)方法，其特點(diǎn)是，在步驟(3)中，將長方晶片切成小條的頻率片時(shí)，先將多片長方晶片重疊粘成晶片砣，再按要求切成小條頻率片砣，然后經(jīng)磨砣和化砣工序?qū)㈩l率片砣分開成小條單片頻率片。
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題還可以通過以下的技術(shù)方案來進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。以上所述的生產(chǎn)方法，其特點(diǎn)是，步驟(1)所得的晶體棒材的長寬為9×20.5mm；步驟(2)所得的長方晶片長寬為9×24.5mm；步驟(3)所得的頻率片長寬為2×8mm；其公差均不大于±0.2mm。
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題還可以通過以下的技術(shù)方案來進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。以上所述的生產(chǎn)方法，其特點(diǎn)是，所生產(chǎn)的晶體元器件成品的頻差在±5ppm之內(nèi)。
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題還可以通過以下的技術(shù)方案來進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。以上所述的生產(chǎn)方法，其特點(diǎn)是，所生產(chǎn)的晶體元器件成品的適應(yīng)溫差范圍為-40℃一80℃。
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題還可以通過以下的技術(shù)方案來進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。以上所述的生產(chǎn)方法，其特點(diǎn)是，所生產(chǎn)的晶體元器件成品的電阻小于10Ω。
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題還可以通過以下的技術(shù)方案來進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。以上所述的生產(chǎn)方法，其特點(diǎn)是，所生產(chǎn)的晶體元器件成品的防震性能系數(shù)大于98％。
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題還可以通過以下的技術(shù)方案來進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。以上所述的生產(chǎn)方法，其特點(diǎn)是，所生產(chǎn)的晶體元器件成品的靜態(tài)電容為3.2PF。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明生產(chǎn)工藝簡單、先進(jìn)，操作性強(qiáng)，其生產(chǎn)過程中毛片合格率可達(dá)到98.5％，效率高、生產(chǎn)成本低，所生產(chǎn)的產(chǎn)品精確度度高，性能好，所生產(chǎn)的產(chǎn)品頻差小、電阻小，所適應(yīng)的溫差范圍大，防震性能好；本發(fā)明工藝生產(chǎn)的產(chǎn)品適應(yīng)范圍廣，特別適用于手提電腦使用，其抗干擾性強(qiáng)、使用壽命長、性能更穩(wěn)定。
具體實(shí)施例方式
實(shí)施例1。一種晶體元器件的生產(chǎn)方法，其步驟如下，(1)用磨床將原料壓電晶體進(jìn)行粗磨，磨成平行度為2絲、角度為8′的晶體棒材；(2)然后用多刀機(jī)按COS35°15′將晶體棒材切割成多個(gè)長方晶片；(3)用研磨機(jī)對長方晶片進(jìn)行細(xì)磨，使其厚度小于15絲，再按需要將其切成小條的頻率片，用酸液將頻率片進(jìn)行拋光處理，以減小其電阻，然后再用酸性清洗液清洗其表面雜質(zhì)；(4)在清洗后的頻率片上噴上銀涂層，然后上架點(diǎn)膠，將頻率片粘在支架上，測頻率，再補(bǔ)噴銀涂層使頻率片達(dá)到要求頻率后，封焊上外殼，殼內(nèi)抽真空后充上氮?dú)?，即得成品?br>
實(shí)施例2。一種晶體元器件的生產(chǎn)方法，其步驟如下，(1)用磨床將原料壓電晶體進(jìn)行粗磨，磨成平行度不大于2絲、角度不大于8′的晶體棒材；(2)然后用多刀機(jī)按COS35°17′將晶體棒材切割成多個(gè)長方晶片；(3)用研磨機(jī)對長方晶片進(jìn)行細(xì)磨，使其厚度小于15絲，再按需要將其切成小條的頻率片，用酸液將頻率片進(jìn)行拋光處理，以減小其電阻，然后再用酸性清洗液清洗其表面雜質(zhì)；(4)在清洗后的頻率片上噴上銀涂層，然后上架點(diǎn)膠，將頻率片粘在支架上，測頻率，再補(bǔ)噴銀涂層使頻率片達(dá)到要求頻率后，封焊上外殼，殼內(nèi)抽真空后充上氮?dú)猓吹贸善贰?br>
實(shí)施例3。一種晶體元器件的生產(chǎn)方法，其步驟如下，(1)用磨床將原料壓電晶體進(jìn)行粗磨，磨成平行度不大于2絲、角度不大于8′的晶體棒材；(2)然后用多刀機(jī)按C0S35°13′將晶體棒材切割成多個(gè)長方晶片；(3)用研磨機(jī)對長方晶片進(jìn)行細(xì)磨，使其厚度小于15絲，再按需要將其切成小條的頻率片，用酸液將頻率片進(jìn)行拋光處理，以減小其電阻，然后再用酸性清洗液清洗其表面雜質(zhì)；(4)在清洗后的頻率片上噴上銀涂層，然后上架點(diǎn)膠，將頻率片粘在支架上，測頻率，再補(bǔ)噴銀涂層使頻率片達(dá)到要求頻率后，封焊上外殼，殼內(nèi)抽真空后充上氮?dú)?，即得成品?br>
其中，在步驟(3)中，將長方晶片切成小條的頻率片時(shí)，先將多片長方晶片重疊粘成晶片砣，再按要求切成小條頻率片砣，然后經(jīng)磨砣和化砣工序?qū)㈩l率片砣分開成小條單片頻率片。
實(shí)施例4。一種晶體元器件的生產(chǎn)方法，其步驟如下，(1)用磨床將原料壓電晶體進(jìn)行粗磨，磨成平行度不大于2絲、角度不大于8′的晶體棒材；(2)然后用多刀機(jī)按COS35°16′將晶體棒材切割成多個(gè)長方晶片；(3)用研磨機(jī)對長方晶片進(jìn)行細(xì)磨，使其厚度小于15絲，再按需要將其切成小條的頻率片，用酸液將頻率片進(jìn)行拋光處理，以減小其電阻，然后再用酸性清洗液清洗其表面雜質(zhì)；(4)在清洗后的頻率片上噴上銀涂層，然后上架點(diǎn)膠，將頻率片粘在支架上，測頻率，再補(bǔ)噴銀涂層使頻率片達(dá)到要求頻率后，封焊上外殼，殼內(nèi)抽真空后充上氮?dú)?，即得成品?br>
其中，步驟(1)所得的晶體棒材的長寬為9×20.5mm；步驟(2)所得的長方晶片長寬為9×24.5mm；步驟(3)所得的頻率片長寬為2×8mm；其公差均不大于±0.2mm。
實(shí)施例5。一種晶體元器件的生產(chǎn)方法，其步驟如下，(1)用磨床將原料壓電晶體進(jìn)行粗磨，磨成平行度為2絲、角度為8′的晶體棒材；(2)然后用多刀機(jī)按COS35°14′將晶體棒材切割成多個(gè)長方晶片；(3)用研磨機(jī)對長方晶片進(jìn)行細(xì)磨，使其厚度小于15絲，再按需要將其切成小條的頻率片，用酸液將頻率片進(jìn)行拋光處理，以減小其電阻，然后再用酸性清洗液清洗其表面雜質(zhì)；(4)在清洗后的頻率片上噴上銀涂層，然后上架點(diǎn)膠，將頻率片粘在支架上，測頻率，再補(bǔ)噴銀涂層使頻率片達(dá)到要求頻率后，封焊上外殼，殼內(nèi)抽真空后充上氮?dú)?，即得成品?br>
本實(shí)施例所得晶體元器件成品的頻差在±5ppm之內(nèi)，其適應(yīng)溫差范圍為-40℃-80℃，其電阻小于10Ω，其防震性能系數(shù)大于98％，靜態(tài)電容為3.2PF。
權(quán)利要求
1.一種晶體元器件的生產(chǎn)方法，其特征在于，其步驟如下，(1)用磨床將原料壓電晶體進(jìn)行粗磨，磨成平行度不大于2絲、角度不大于8′的晶體棒材；(2)然后用多刀機(jī)按COS35°15′±2′將晶體棒材切割成多個(gè)長方晶片；(3)用研磨機(jī)對長方晶片進(jìn)行細(xì)磨，使其厚度小于15絲，再按需要將其切成小條的頻率片，用酸液將頻率片進(jìn)行拋光處理，以減小其電阻，然后再用酸性清洗液清洗其表面雜質(zhì)；(4)在清洗后的頻率片上噴上銀涂層，然后上架點(diǎn)膠，將頻率片粘在支架上，測頻率，再補(bǔ)噴銀涂層使頻率片達(dá)到要求頻率后，封焊上外殼，殼內(nèi)抽真空后充上氮?dú)?，即得成品?br>
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的生產(chǎn)方法，其特征在于，在步驟(3)中，將長方晶片切成小條的頻率片時(shí)，先將多片長方晶片重疊粘成晶片砣，再按要求切成小條頻率片砣，然后經(jīng)磨砣和化砣工序?qū)㈩l率片砣分開成小條單片頻率片。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的生產(chǎn)方法，其特征在于，步驟(1)所得的晶體棒材的長寬為9×20.5mm；步驟(2)所得的長方晶片長寬為9×24.5mm；步驟(3)所得的頻率片長寬為2×8mm；其公差均不大于±0.2mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的生產(chǎn)方法，其特征在于，所生產(chǎn)的晶體元器件成品的頻差在±5ppm之內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的生產(chǎn)方法，其特征在于，所生產(chǎn)的晶體元器件成品的適應(yīng)溫差范圍為-40℃-80℃。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的生產(chǎn)方法，其特征在于，所生產(chǎn)的晶體元器件成品的電阻小于10Ω。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的生產(chǎn)方法，其特征在于，所生產(chǎn)的晶體元器件成品的防震性能系數(shù)大于98％。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的生產(chǎn)方法，其特征在于，所生產(chǎn)的晶體元器件成品的靜態(tài)電容為3.2PF。
全文摘要
本發(fā)明是一種晶體元器件的生產(chǎn)方法，其特征在于，其步驟如下，用磨床將原料壓電晶體進(jìn)行粗磨，磨成平行度不大于2絲、角度不大于8′的晶體棒材；然后用多刀機(jī)將晶體棒材切割成多個(gè)長方晶片；用研磨機(jī)對長方晶片進(jìn)行細(xì)磨，使其厚度小于15絲，再按需要將其切成小條的頻率片，用酸液將頻率片進(jìn)行拋光處理，然后再用酸性清洗液清洗其表面雜質(zhì)；在清洗后的頻率片上噴上銀涂層，然后上架點(diǎn)膠，將頻率片粘在支架上，測頻率，再補(bǔ)噴銀涂層使頻率片達(dá)到要求頻率后，封焊上外殼，殼內(nèi)抽真空后充上氮?dú)猓吹贸善?。本發(fā)明生產(chǎn)工藝簡單、先進(jìn)，操作性強(qiáng)，其生產(chǎn)過程中毛片合格率可達(dá)到98.5％，效率高、生產(chǎn)成本低，所生產(chǎn)的產(chǎn)品精確度高，性能好。
文檔編號(hào)H01L41/22GK101026364SQ20061003846
公開日2007年8月29日 申請日期2006年2月23日 優(yōu)先權(quán)日2006年2月23日
發(fā)明者朱愛發(fā) 申請人:朱愛發(fā)