專利名稱：具有嵌入到塑料殼體中的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件的半導(dǎo)體構(gòu)件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種具有嵌入到塑料殼體中的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件，其中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件的表面至少部分地具有一個(gè)緩沖層。此外，本發(fā)明還涉及一種制造半導(dǎo)體構(gòu)件、系統(tǒng)支架和這樣一種類(lèi)型的緩沖層的方法。
背景技術(shù)：
按照這種制造方法檢測(cè)構(gòu)件的功能性以及可靠性。由于提高了溫度，這種方法會(huì)導(dǎo)致形成裂紋，甚至在半導(dǎo)體構(gòu)件的不同的材料之間的邊界上導(dǎo)致脫層。特別是在電路支架和塑料殼體之間形成裂紋是一個(gè)問(wèn)題。
在系統(tǒng)支架和塑料殼體之間缺乏粘合在半導(dǎo)體構(gòu)件中導(dǎo)致水氣聚集在系統(tǒng)支架和塑料殼體之間的邊界層中。當(dāng)將半導(dǎo)體構(gòu)件焊接到印刷電路板上時(shí)半導(dǎo)體構(gòu)件在最短的時(shí)間內(nèi)從室溫一直加熱到260℃時(shí)水氣突然膨脹。水分含量突然膨脹的結(jié)果是在半導(dǎo)體構(gòu)件的殼體中出現(xiàn)裂紋和/或破裂，這就叫做“爆玉米花效應(yīng)”。
為了防止這種爆玉米花效應(yīng)必須阻止水分在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件和塑料殼體之間的邊界層中的聚集。通過(guò)改進(jìn)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件表面和塑料殼體表面之間的粘合可減少水分的聚集。為了改進(jìn)這種粘合已公開(kāi)不同的方法。
US-5,554,569公開(kāi)了一種使扁平導(dǎo)線框架表面機(jī)械粗糙的方法。粗糙的表面可以使得與塑料殼體的嚙合，并且因此有更好的附著性。然而這種方法執(zhí)行起來(lái)困難，并且成本高。
也公開(kāi)了在安裝之前在系統(tǒng)支架上涂覆粘附劑。在US 5 122 858中在扁平導(dǎo)線框架上涂覆一層聚合物層。
DE 101 24 047公開(kāi)了一種具有半導(dǎo)體芯片和系統(tǒng)支架的電子構(gòu)件以及制造該構(gòu)件的方法，其中，金屬系統(tǒng)支架具有一個(gè)由金屬氧化物，特別是金屬鋅、鉻制成的，并且形成樹(shù)枝形態(tài)的電鍍沉積的附著層。
這種構(gòu)件和制造方法具有如下缺點(diǎn)，即通過(guò)電鍍沉積只能在金屬表面上產(chǎn)生這類(lèi)樹(shù)枝形態(tài)，這樣就在沒(méi)有前面的具有短路的、但是金屬能導(dǎo)電的層的情況下不能為半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件，如由陶瓷或者印刷電路板材料制成的系統(tǒng)支架制造出這種粘附劑層。
也需要改進(jìn)必須滿足環(huán)保法律的未來(lái)要求的“綠色”構(gòu)件的可靠性。特別是希望使用無(wú)鉛的焊料。然而無(wú)鉛焊料有下述缺點(diǎn)，即需要更高的焊接溫度260℃。所以在“綠色”構(gòu)件中形成裂紋是一個(gè)特別的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的任務(wù)是提供一種具有半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件的半導(dǎo)體構(gòu)件，其中，這些半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件具有一種與包圍它們的塑料殼體的可靠的粘合。
這個(gè)任務(wù)通過(guò)獨(dú)立權(quán)利要求的主題得以完成。由從屬權(quán)利要求中得到本發(fā)明的有利的其它改進(jìn)方案。
根據(jù)本發(fā)明提供一種具有嵌入到塑料殼體中的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件的半導(dǎo)體構(gòu)件。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件的表面至少部分地具有一個(gè)緩沖層，該緩沖層設(shè)置在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件和塑料殼體之間。緩沖層至少部分地由一種熱塑性材料制成。
根據(jù)本發(fā)明的具有熱塑性材料的緩沖層具有下述優(yōu)點(diǎn)，即它富有彈性且為粘彈性的。當(dāng)溫度超過(guò)它的玻璃轉(zhuǎn)變溫度時(shí)該緩沖層的熱塑性材料會(huì)軟化和重復(fù)流動(dòng)。因此熱塑性材料可以流入在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件和塑料殼體之間出現(xiàn)的裂紋和氣泡之中。這種功能沒(méi)有在已公開(kāi)的粘附劑層中顯示出來(lái)，本發(fā)明規(guī)定的是完全另一種方案。因此根據(jù)本發(fā)明的緩沖層的作用和根據(jù)已改進(jìn)的機(jī)械錨接，或者已改進(jìn)的化合物而設(shè)計(jì)的粘附劑層不同。
在已嵌入的結(jié)構(gòu)組件上涂覆粘附劑層的半導(dǎo)體構(gòu)件中出現(xiàn)裂紋以后，這些裂紋不能進(jìn)行修復(fù)。因此人們通常試圖借助改進(jìn)的粘附劑層來(lái)改進(jìn)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件和塑料殼體之間的粘合。這例如通過(guò)一種多孔的層達(dá)到，以改進(jìn)機(jī)械錨接。這可以替代地可借助一些聚合物辦到，這些聚合物具有確定的化學(xué)端基，這些化學(xué)端基對(duì)于結(jié)構(gòu)組件的材料具有一種特別的親合力。
與此相反的是本發(fā)明規(guī)定的是一種具有自我修復(fù)機(jī)制的半導(dǎo)體構(gòu)件。當(dāng)提高溫度時(shí)由于構(gòu)件的材料的不同的膨脹系數(shù)而形成裂紋。熱塑性材料具有這樣的特性，即當(dāng)溫度超過(guò)它的玻璃轉(zhuǎn)變溫度時(shí)它會(huì)重復(fù)地流動(dòng)。例如在測(cè)試過(guò)程中當(dāng)在扁平導(dǎo)線框架的芯片島和塑料殼體之間的邊界上出現(xiàn)裂紋時(shí)這些裂紋可通過(guò)緩沖層的已軟化的熱塑性材料的流動(dòng)填平。因此，在根據(jù)本發(fā)明的構(gòu)件中在測(cè)試過(guò)程中會(huì)發(fā)生形成裂紋并且修復(fù)這些裂紋。在根據(jù)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)組件中不僅能制造無(wú)裂紋的構(gòu)件，而且也能給顧客提供一種能自動(dòng)修復(fù)以后產(chǎn)生的裂紋的構(gòu)件。
另一優(yōu)點(diǎn)是熱塑性材料也可以阻止裂紋的蔓延，這樣就提高了在繼續(xù)測(cè)試過(guò)程中和運(yùn)行中的結(jié)構(gòu)組件的可靠性。因此表明了該結(jié)構(gòu)組件的穩(wěn)定性和可靠性。
這種半導(dǎo)體構(gòu)件的另一優(yōu)點(diǎn)是，可以在由不同材料制成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件的所有表面上設(shè)置緩沖層，這樣就在半導(dǎo)體構(gòu)件的金屬表面、陶瓷表面和/或其它塑料表面和例如由一種環(huán)氧樹(shù)脂制成的塑料殼體之間形成一個(gè)防水和防腐蝕的邊界層。此外也可在具有相應(yīng)結(jié)構(gòu)化的金屬涂層的陶瓷板或者印刷電路板的系統(tǒng)支架上涂覆緩沖層。
在一種實(shí)施方式中熱塑性材料具有低于150℃的玻璃轉(zhuǎn)變溫度(Tg)。這種熱塑性材料軟化，并且在低于150℃溫度時(shí)流動(dòng)，并且適合最高測(cè)試溫度為150℃時(shí)的應(yīng)用。這可使得熱塑性材料軟化，并且在測(cè)試過(guò)程期間出現(xiàn)的裂紋可以填平?？蔀轭櫩吞峁o(wú)裂紋的構(gòu)件。
在另一實(shí)施方式中熱塑性材料具有低于120℃的玻璃轉(zhuǎn)變溫度(Tg)。這種材料具有當(dāng)達(dá)到典型的壓熱器溫度121℃時(shí)可以流動(dòng)的優(yōu)點(diǎn)。
熱塑性材料有利地具有高于260℃的熔化溫度(Tm)。260℃是無(wú)鉛釬焊所使用的最高釬焊溫度，并且典型地是給構(gòu)件加載的最高溫度和構(gòu)件應(yīng)承受的最高溫度。因此具有高于260°的熔化溫度的緩沖層的熱塑性材料在將構(gòu)件釬焊在其上的印刷電路板上時(shí)是穩(wěn)定的。
熱塑性材料可以是聚酰胺66、聚酰胺46、硫化聚苯醚、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚芳基醚酮、聚醚醚酮，或者聚碳酸酯，或者由這些物質(zhì)構(gòu)成的共聚物。
緩沖層可以具有2nm≤D≤10μm，優(yōu)選2nm≤D≤300nm，優(yōu)選2nm≤D≤50nm之間的平均厚度D?？梢匀绱说剡x擇厚度，即可蓋住確定材料的表面，并且涂覆技術(shù)可最佳化。這導(dǎo)致緩沖層的更加可靠的效果。
在另一實(shí)施方式中緩沖層具有一種粘附劑。這種實(shí)施方式具有下述優(yōu)點(diǎn)，即既改進(jìn)與塑料殼體以及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件的粘合性，同時(shí)又能實(shí)現(xiàn)上述應(yīng)力補(bǔ)償和裂紋修復(fù)效果的優(yōu)點(diǎn)。
在一種實(shí)施方式中粘附劑容納在熱塑性材料的結(jié)構(gòu)中。這種做法的優(yōu)點(diǎn)是在待嵌入的半導(dǎo)體構(gòu)件的表面上僅涂覆一層。這種做法減化了制造方法，并且減少了制造成本。
在另一實(shí)施方式中粘附劑以涂層的形式涂覆在熱塑性材料上。這種做法的好處是可以不規(guī)定熱塑性材料和粘附劑的結(jié)構(gòu)兼容的組合。
粘附劑可以是環(huán)氧化物、聚酰亞胺、聚丙烯酸酯、金屬氧化物或者半導(dǎo)體氧化物。也可設(shè)想將這些物質(zhì)的混合物用作粘附劑。這些材料具有下述優(yōu)點(diǎn)，即它們具有在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件中用作粘附劑層適合的特性。
在本發(fā)明的另一實(shí)施方式中，緩沖層的孔隙率逐漸地從半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件表面上的無(wú)孔涂層增加到塑料殼體的過(guò)渡區(qū)域中的微孔形態(tài)。通過(guò)從開(kāi)始封閉的緩沖層到表面的微孔形態(tài)的孔隙率的逐漸增加使半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件的表面在金屬-塑料結(jié)合處的邊界表面免于腐蝕，而隨著緩沖層厚度的增加孔隙率的逐漸增加強(qiáng)化了與塑料殼體的嚙合。在這種情況中粘附劑的材料與聚合的塑料殼體整體結(jié)合。通過(guò)粘附劑的這種內(nèi)部結(jié)構(gòu)也進(jìn)一步地減小了邊界表面中的應(yīng)力。
在根據(jù)本發(fā)明的另一優(yōu)選的實(shí)施方式中，作為半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件的半導(dǎo)體構(gòu)件具有帶有結(jié)構(gòu)化的金屬涂層的布線基質(zhì)。這種布線基質(zhì)采用到目前為止已公開(kāi)的工藝只能在結(jié)構(gòu)化的金屬涂層的區(qū)域中涂覆緩沖層，而采用常規(guī)的方法不能給絕緣的表面區(qū)域電鍍涂層，除非人們冒險(xiǎn)將整個(gè)的布線基質(zhì)進(jìn)行薄的、短路的金屬涂層。但是這與這種類(lèi)型的布線基質(zhì)的目的和任務(wù)相矛盾，即借助結(jié)構(gòu)化的金屬涂層應(yīng)在半導(dǎo)體構(gòu)件的不同元件之間建立接合線和導(dǎo)體電路。在根據(jù)本發(fā)明的緩沖層中既給不導(dǎo)電的布線基質(zhì)的區(qū)域，也給具有結(jié)構(gòu)化的金屬涂層的基質(zhì)區(qū)域完全地和始終不變地設(shè)置一個(gè)緩沖層。
在本發(fā)明的另一實(shí)施方式中，作為半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件的半導(dǎo)體構(gòu)件具有帶有結(jié)構(gòu)化金屬層的陶瓷基質(zhì)。這種類(lèi)型的多層陶瓷基質(zhì)用于制造高頻技術(shù)的半導(dǎo)體構(gòu)件。在此也能通過(guò)根據(jù)本發(fā)明的緩沖層將半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件的陶瓷表面完全地設(shè)置一個(gè)緩沖層。
此外還規(guī)定，作為半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件的半導(dǎo)體構(gòu)件具有帶有結(jié)構(gòu)化金屬涂層的印刷電路板。在這種情況中絕緣板的區(qū)域也可如印刷電路板上的結(jié)構(gòu)化的金屬涂層一樣涂上一層根據(jù)本發(fā)明的緩沖層，這樣，就可與蓋住印刷電路板的塑料殼體有緊湊連接。
本發(fā)明的另一方面涉及一種具有多個(gè)并排地和/或依次地按橫列和/或縱列地設(shè)置的半導(dǎo)體構(gòu)件位置的系統(tǒng)支架。這種類(lèi)型的系統(tǒng)支架用于將半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件容納到具有用于與半導(dǎo)體芯片電連接的內(nèi)接觸表面的立體布線結(jié)構(gòu)中。根據(jù)本發(fā)明的系統(tǒng)支架表面有選擇地具有一個(gè)緩沖層，該緩沖層至少部分地具有熱塑性材料。在這種情況中系統(tǒng)支架的內(nèi)接觸表面沒(méi)有粘附劑層。
緩沖層本身在它的組成上和它的形態(tài)上和已經(jīng)在上面用于涂覆在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件上的那種詳細(xì)敘述的緩沖層相同。因此，系統(tǒng)支架可以具有一種帶有結(jié)構(gòu)化金屬涂層的陶瓷基質(zhì)或者布線基質(zhì)，或者具有帶有結(jié)構(gòu)化涂層的印刷電路板。在所有的情況中系統(tǒng)支架可以在制造半導(dǎo)體構(gòu)件時(shí)與塑料殼體接觸的表面上有選擇地涂覆一層根據(jù)本發(fā)明的緩沖層。
若系統(tǒng)支架具有帶內(nèi)接觸連接表面的內(nèi)扁平導(dǎo)線則特別是這樣。這些內(nèi)扁平導(dǎo)線轉(zhuǎn)變?yōu)橥獗馄綄?dǎo)線，并且被系統(tǒng)支架的一個(gè)系統(tǒng)支架框支承。在這種情況中扁平導(dǎo)線框架可以具有一個(gè)帶有許多依次設(shè)置的半導(dǎo)體構(gòu)件位置的扁平導(dǎo)線帶。
內(nèi)扁平導(dǎo)線在它們的表面上具有緩沖層，該緩沖層的成分和結(jié)構(gòu)上面已經(jīng)詳細(xì)敘述過(guò)。然而內(nèi)接觸表面、外扁平導(dǎo)線和系統(tǒng)支架框架仍然沒(méi)有緩沖層。這種系統(tǒng)支架是制造半導(dǎo)體構(gòu)件的半成品，可由半導(dǎo)體工業(yè)的提供廠家作為半成品生產(chǎn)。
在具有可選擇地設(shè)置緩沖層的系統(tǒng)支架的另一有利的實(shí)施方式中這個(gè)系統(tǒng)支架為了它在安裝機(jī)中的定位沿系統(tǒng)支架框架具有孔隙。這種做法具有下述優(yōu)點(diǎn)，即在一個(gè)這種類(lèi)型的帶式系統(tǒng)支架上可自動(dòng)地制造出許多半導(dǎo)體構(gòu)件。
此外，系統(tǒng)支架優(yōu)選地在內(nèi)接觸表面可以具有一個(gè)由銀和/或焊料-合金構(gòu)成的金屬-合金電鍍層。在這種情況中，接觸連接表面不僅沒(méi)有粘附劑層，而是甚至還用一個(gè)促進(jìn)釬焊或者連接過(guò)程的涂層覆蓋。
在本發(fā)明的另一優(yōu)選的實(shí)施方式中系統(tǒng)支架的基準(zhǔn)材料由高純銅和/或銅合金構(gòu)成，這些材料由于它們高的導(dǎo)電能力而有利。
用于制造半導(dǎo)體構(gòu)件的系統(tǒng)支架的方法具有如下的方法步驟首先將具有至少一個(gè)金屬表面的基質(zhì)板設(shè)計(jì)成一個(gè)系統(tǒng)支架。在結(jié)構(gòu)化過(guò)程中產(chǎn)生用于將半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件容納在半導(dǎo)體構(gòu)件位置中的許多連續(xù)的模型。然后給系統(tǒng)支架的表面-這些表面在制造半導(dǎo)體構(gòu)件時(shí)和塑料殼體形成邊界面-涂覆一層緩沖層。根據(jù)本發(fā)明，該緩沖層至少部分地由一種熱塑性材料構(gòu)成。
在繼續(xù)優(yōu)選地實(shí)施該方法時(shí)，在給系統(tǒng)支架涂覆緩沖層之前用保護(hù)層將應(yīng)外露的表面區(qū)域蓋住。在涂層之后可以以有利的方式使這個(gè)保護(hù)層膨脹，這樣就可將它從重疊在待外露的表面區(qū)域中揭下來(lái)。
在繼續(xù)優(yōu)選地實(shí)施本方法時(shí)，待外露的表面區(qū)域是在給系統(tǒng)支架的表面涂覆緩沖層以后才重新外露的。在這種方法中在外露之前可對(duì)應(yīng)保留緩沖層的表面區(qū)域進(jìn)行保護(hù)。外露可用激光去除法或者借助等離子腐蝕法進(jìn)行。
用于采用具有多個(gè)半導(dǎo)體構(gòu)件位置的系統(tǒng)支架制造多個(gè)半導(dǎo)體構(gòu)件的方法附加地具有下述方法步驟。首先提供在它的表面上有選擇地涂覆有緩沖層的系統(tǒng)支架。選擇是指用緩沖層僅蓋住系統(tǒng)支架的與塑料殼體應(yīng)形成邊界層的表面區(qū)域。用于電連接的接觸連接表面和/或用于與半導(dǎo)體芯片接觸的芯片連接表面則不涂覆粘附劑層。
現(xiàn)在將在半導(dǎo)體構(gòu)件位置中的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件，如半導(dǎo)體芯片，安裝到這種類(lèi)型的系統(tǒng)支架上，其中，通過(guò)電連接元件將半導(dǎo)體芯片和系統(tǒng)支架的接觸連接表面連接。在將整個(gè)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件安裝到系統(tǒng)支架以后將這些半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件嵌入到塑料殼體中。然后可將該系統(tǒng)支架拆開(kāi)成單個(gè)的半導(dǎo)體構(gòu)件。
在這個(gè)方法中，系統(tǒng)支架本身可以是一個(gè)具有金屬結(jié)構(gòu)的印刷電路板，或者是一個(gè)多層的陶瓷板，或者是一個(gè)金屬的扁平導(dǎo)線框架。這種方法的優(yōu)點(diǎn)是涂覆緩沖層與半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件的材料無(wú)關(guān)。這樣，金屬倒裝接觸點(diǎn)還有金屬接合線可像半導(dǎo)體芯片的表面和系統(tǒng)支架的表面一樣也設(shè)置一個(gè)緩沖層。當(dāng)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件未嵌入到塑料殼體中之前半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件的還未涂層的表面也應(yīng)涂覆緩沖層時(shí)特別使用緩沖層的這一特性。
在采用系統(tǒng)支架制造半導(dǎo)體構(gòu)件的一種替代方法中也可使用一種剛開(kāi)始沒(méi)有任何緩沖層的系統(tǒng)支架。在第一步驟中將在半導(dǎo)體構(gòu)件位置中的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件如半導(dǎo)體芯片裝入到該系統(tǒng)支架上，其中，為了進(jìn)行電連接將半導(dǎo)體芯片和系統(tǒng)支架的接觸連接表面連接起來(lái)。在此之后將由熱塑性材料構(gòu)成的緩沖層涂覆到半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件的整個(gè)表面上，而這些半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件是應(yīng)該嵌入到塑料殼體之中的。然后將這些設(shè)置有緩沖層的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件嵌入到塑料殼體中。
然后可將該系統(tǒng)支架拆開(kāi)成單個(gè)的半導(dǎo)體構(gòu)件。在該方法中半導(dǎo)體生產(chǎn)廠家的任務(wù)是首先將所有的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件都安裝在常規(guī)的載體上，然后將緩沖層涂覆到這些半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件的表面上。這種替代方法的優(yōu)點(diǎn)是用塑料殼體覆蓋的表面無(wú)一不涂上緩沖層。


下面借助附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明圖1是根據(jù)本發(fā)明的一種第一實(shí)施方式的有選擇地涂有緩沖層的半導(dǎo)體構(gòu)件的橫截面圖，圖2是根據(jù)本發(fā)明的一種第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體構(gòu)件的橫截面圖，在該半導(dǎo)體構(gòu)件中已嵌入的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件的表面全部涂有緩沖層，圖3是根據(jù)本發(fā)明的一種第三實(shí)施方式的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件的截面圖，此外，在該半導(dǎo)體構(gòu)件中緩沖層還具有一種粘附劑。
具體實(shí)施例方式
圖1表示一個(gè)具有一個(gè)半導(dǎo)體芯片2和一個(gè)扁平導(dǎo)線框架3的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件1的截面圖。扁平導(dǎo)線框架3的嵌入到塑料殼體中4的區(qū)域涂覆有一個(gè)緩沖層5。緩沖層5由一種熱塑性材料6制成，在該實(shí)施方式中該材料為聚酰胺66。
扁平導(dǎo)線框加3具有一個(gè)芯片島7和包圍該芯片島7的多個(gè)扁平導(dǎo)線8。每個(gè)扁平導(dǎo)線具有一個(gè)嵌入構(gòu)件1的塑料殼體4的內(nèi)部的內(nèi)部區(qū)域9和一個(gè)位于塑料殼體4的外部的外部區(qū)域10。扁平導(dǎo)線8的外部區(qū)域10規(guī)定半導(dǎo)體構(gòu)件的外觸點(diǎn)，用這些外觸點(diǎn)可將半導(dǎo)體構(gòu)件1安裝在其上的印刷電路板上。每個(gè)扁平導(dǎo)線8的內(nèi)部區(qū)域9具有一個(gè)內(nèi)接觸表面11。扁平導(dǎo)線框架3具有Cu，內(nèi)接觸表面11具有一個(gè)Ni/NiP層。
半導(dǎo)體芯片2的惰性的背面通過(guò)粘合劑層12安裝在芯片島7上。半導(dǎo)體芯片2的活性的上表面具有在圖1中未示出的集成電路和芯片接觸表面13。芯片接觸表面13通過(guò)接合線14與扁平導(dǎo)線8電連接。接合線14分別在芯片接觸表面13和一個(gè)內(nèi)接觸表11之間延伸。
半導(dǎo)體芯片2、接合線14、芯片島7和扁平導(dǎo)線8的內(nèi)部區(qū)域9嵌入到塑料殼體中4中。塑料殼體4具有環(huán)氧樹(shù)脂15。
扁平導(dǎo)線框架8的在塑料殼體4內(nèi)部嵌入的內(nèi)部區(qū)域9涂覆有一層由熱塑性材料6構(gòu)成的緩沖層5。內(nèi)接觸表面11以及芯片島7的中心區(qū)域-半導(dǎo)體芯片2安裝在其上-不涂緩沖層5。
在這種實(shí)施方式中設(shè)置了一個(gè)有選擇地涂覆有緩沖層5的扁平導(dǎo)線框架3。半導(dǎo)體芯片2安裝在芯片島7上，并且接合線14設(shè)置在芯片接觸表面13和扁平導(dǎo)線8的內(nèi)接觸表面之間。半導(dǎo)體芯片2、接合線14和扁平導(dǎo)線框架3的涂有緩沖層5的區(qū)域嵌入在塑料殼體4中，以制造半導(dǎo)體構(gòu)件1。
緩沖層5是在構(gòu)件安裝前借助浸漬涂覆在扁平導(dǎo)線框架3上的。在前，用保護(hù)層將內(nèi)接觸表面11以及扁平導(dǎo)線8的外區(qū)域10蓋住，以便使這些區(qū)域免于涂上緩沖層5的熱塑性材料6。
由于金屬扁平導(dǎo)線框架和塑料殼體具有不同的膨脹系數(shù)所以會(huì)形成裂紋。因此當(dāng)提高溫度時(shí)，例如在制造廠家做測(cè)試過(guò)程中，或者當(dāng)釬焊時(shí)形成裂紋。由熱塑性材料制成的緩沖層具有在溫度升高時(shí)熱塑性材料會(huì)軟化并且能流動(dòng)的優(yōu)點(diǎn)。因此，在根據(jù)本發(fā)明的構(gòu)件中這些在測(cè)試過(guò)程中出現(xiàn)的裂紋也會(huì)在測(cè)試過(guò)程中被填平并且得到修復(fù)。
由一種熱塑性材料6構(gòu)成的緩沖層5具有下述優(yōu)點(diǎn)，即當(dāng)溫度超過(guò)熱塑性材料6的玻璃轉(zhuǎn)變溫度時(shí)該熱塑性材料會(huì)重復(fù)地軟化和流動(dòng)。聚酰胺66的玻璃轉(zhuǎn)變溫度大約為80℃，它比在測(cè)試過(guò)程中所達(dá)到的最高溫度低。當(dāng)在測(cè)試過(guò)程中在金屬扁平導(dǎo)線框架8和塑料殼體15之間出現(xiàn)裂紋或者間隙時(shí)熱塑性材料6可將該裂紋或者間隙填滿。
表1表示適用于根據(jù)本發(fā)明的緩沖層5的不同的熱塑性材料。每種材料有低于150℃的玻璃轉(zhuǎn)變溫度和至少為260℃的熔化溫度。
低于150℃的玻璃轉(zhuǎn)變溫度(Tg)有如下優(yōu)點(diǎn)，即在典型的最高測(cè)試溫度時(shí)熱塑性材料軟化和流動(dòng)。高于260℃的熔化溫度具有下述優(yōu)點(diǎn)，即在釬焊構(gòu)件時(shí)熱塑性材料保持穩(wěn)定。
圖2表示按照本發(fā)明的第二實(shí)施方式的一個(gè)半導(dǎo)體構(gòu)件16。在該實(shí)施方式中半導(dǎo)體構(gòu)件16具有一個(gè)環(huán)繞布線基質(zhì)17。該基質(zhì)17在它的上表面具有內(nèi)接觸表面11，該內(nèi)接觸表面有銅，該基質(zhì)17在它的下表面18上具有外接觸表面19。內(nèi)接觸表面11通過(guò)導(dǎo)軌20和貫通觸點(diǎn)21與外接觸表面19電連接。導(dǎo)軌20和貫通觸點(diǎn)21形成基質(zhì)17的環(huán)繞布線結(jié)構(gòu)。在這個(gè)實(shí)施例中基質(zhì)17具有一個(gè)電介質(zhì)層22。導(dǎo)軌設(shè)置在電介質(zhì)層22的上側(cè)以及下側(cè)。
半導(dǎo)體芯片2的背面借助一個(gè)固定層12固定在基質(zhì)17的上側(cè)。芯片接觸表面13通過(guò)接合線14與內(nèi)接觸表面11電連接。芯片接觸表面13具有鋁，接合線14具有金。
在圖2中所看到的實(shí)施例中半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件28的所有已嵌入的表面都涂有緩沖層5。
在這方面半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件28就是指嵌入在塑料殼體中的那些半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件。在圖2的實(shí)施方式中半導(dǎo)體芯片2、接合線14和環(huán)繞布線基質(zhì)17的上側(cè)就是半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件。因此接合線、半導(dǎo)體芯片2以及環(huán)繞布線基質(zhì)17的上側(cè)的表面都用緩沖層5覆蓋。
在這個(gè)實(shí)施例中緩沖層5具有一種熱塑性材料，此外還具有粘附劑部件23。粘附劑部件容納在熱塑性材料的結(jié)構(gòu)中。粘附劑部件23改進(jìn)熱塑性材料6和塑料殼體4之間以及已嵌入的半導(dǎo)體部件和塑料殼體4之間的粘合。在這個(gè)實(shí)施例中粘附劑是聚酰亞胺。接合線14、半導(dǎo)體芯片2和環(huán)繞布線基質(zhì)17的上側(cè)的表面都涂覆有緩沖層5。這可借助噴射或者浸漬進(jìn)行。
通過(guò)下述方法制造根據(jù)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)組件16。借助一個(gè)固定層12將半導(dǎo)體芯片2安裝在基質(zhì)17的上側(cè)面。在芯片接觸表面13和基質(zhì)17的內(nèi)接觸表面11之間產(chǎn)生接合線14連接，因此半導(dǎo)體芯片2與基質(zhì)17電連接。將緩沖層5涂覆在接合線、半導(dǎo)體芯片2以及環(huán)繞布線基質(zhì)17的上側(cè)的表面上，這樣表面完全用緩沖層5覆蓋。
然后將涂層的半導(dǎo)體芯片2、涂層的接合線14以及基質(zhì)17的涂層的上側(cè)面嵌入在塑料殼體4中。然后可將外觸點(diǎn)安裝在外觸點(diǎn)表面上，這樣就可將構(gòu)件16安裝在一個(gè)印刷電路板上。然后可對(duì)該結(jié)構(gòu)組件16進(jìn)行檢測(cè)。
圖3表示一個(gè)具有扁平導(dǎo)線框架3的半導(dǎo)體構(gòu)件24的橫截面簡(jiǎn)圖，在該圖中嵌入的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件的表面全部涂上一層緩沖層5。在這種實(shí)施方式中緩沖層5具有一個(gè)由一種熱塑性材料6構(gòu)成的第一層和一個(gè)由帶有粘附劑27的第二層26。因此該粘附劑27設(shè)置在熱塑性材料6上。
在圖3的實(shí)施方式中半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件28是半導(dǎo)體芯片2、接合線14、芯片島7和扁平導(dǎo)線8的內(nèi)區(qū)域9。
粘附劑層27具有一種金屬氧化物，粘附劑層在該實(shí)施方式中設(shè)有多孔的粗糙表面。粗糙表面改進(jìn)嵌入半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件28和塑料殼體4之間的機(jī)械錨接。
附加的粘附劑層26有如下優(yōu)點(diǎn)，即改進(jìn)塑料殼體4和塑性材料6之間以及塑料殼體4和扁平導(dǎo)線框架3和其它嵌入的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件之間的附著。由于這種粘附劑27，這種設(shè)計(jì)進(jìn)一步降低了形成裂紋的危險(xiǎn)，并且同時(shí)設(shè)置了一個(gè)在出現(xiàn)裂紋時(shí)用熱塑性材料填平這些裂紋的機(jī)構(gòu)。
在這種半導(dǎo)體構(gòu)件中，為了改進(jìn)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件3和塑料殼體4的表面之間的表面附著在它們安裝到扁平導(dǎo)線框架3之后整個(gè)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件3都涂覆緩沖層5。首先是將表面涂覆由熱塑性材料6構(gòu)成的層25。然后在熱塑性材料層25上再涂上一層粘附劑層26。
附圖標(biāo)記列表1第一半導(dǎo)體構(gòu)件2半導(dǎo)體芯片3扁平導(dǎo)線框架4塑料殼體5緩沖層6熱塑性材料7芯片島8扁平導(dǎo)線9扁平導(dǎo)線的內(nèi)區(qū)域10扁平導(dǎo)線的外區(qū)域11內(nèi)接觸表面12膠粘劑13芯片接觸表面14接合線15環(huán)氧樹(shù)脂16第二半導(dǎo)體構(gòu)件17環(huán)繞布線基質(zhì)18下側(cè)面19外接觸表面20導(dǎo)軌21貫通觸點(diǎn)22介電材料23粘附劑24第三半導(dǎo)體構(gòu)件25第一層26第二層27金屬氧化物28半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件
權(quán)利要求
1.具有嵌入到塑料殼體中(4)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件(28)的半導(dǎo)體構(gòu)件(1；16；24)，其中，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件(28)的表面至少部分地具有一個(gè)緩沖層(5)，該緩沖層設(shè)置在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件(28)和塑料殼體(4)之間，并且其中該緩沖層(5)至少部分地由一種熱塑性材料(6)制成。
2.按照權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體構(gòu)件(1；16；24)，其特征在于，所述熱塑性材料(6)具有低于150℃的玻璃轉(zhuǎn)變溫度(Tg)。
3.按照權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體構(gòu)件(1；16；24)，其特征在于，所述熱塑性材料(6)具有低于120℃的玻璃轉(zhuǎn)變溫度(Tg)。
4.按照前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體構(gòu)件(1；16；24)，其特征在于，所述熱塑性材料(6)具有高于260℃的熔化溫度(Tm)。
5.按照前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體構(gòu)件(1；16；24)，其特征在于，所述熱塑性材料(6)具有聚酰胺66、聚酰胺46、硫化聚苯醚、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚芳基醚酮、聚醚醚酮或者聚碳酸酯，或者這些聚合物的共聚物。
6.按照前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體構(gòu)件(1；16；24)，其特征在于，所述緩沖層(5)具有一種在2nm≤D≤10μm之間的平均厚度D。
7.按照權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體構(gòu)件(1；16；24)，其特征在于，所述緩沖層(5)具有一種在2≤D≤300nm之間的平均厚度D。
8.按照權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體構(gòu)件(1；16；24)，其特征在于，所述緩沖層(5)具有一種在2nm≤D≤50nm之間的平均厚度D。
9.按照前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件(1；16；24)，其特征在于，此外，所述緩沖層(5)還具有一種粘附劑(23)。
10.按照權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體構(gòu)件(1；16；24)，其特征在于，所述粘附劑(23)容納在熱塑性材料(6)的結(jié)構(gòu)中。
11.按照權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體構(gòu)件(1；16；24)，其特征在于，所述粘附劑(23)作為涂層(26)設(shè)置在熱塑性材料(6)上。
12.按照權(quán)利要求9至11中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件(1；16；24)，其特征在于，所述粘附劑(23；27)具有環(huán)氧化物、聚酰亞胺、聚丙烯酸酯、金屬氧化物或半導(dǎo)體氧化物或者這些物質(zhì)的混合物。
13.按照前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件(1；16；24)，其特征在于，所述緩沖層(5)的孔隙率逐漸地從半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件(28)的表面上的無(wú)孔隙涂層增加到塑料殼體(4)的過(guò)渡區(qū)域中的微孔形態(tài)。
14.按照前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體構(gòu)件(1；16；24)，其特征在于，作為半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件(28)的半導(dǎo)體構(gòu)件(16)具有帶有結(jié)構(gòu)化的金屬涂層(11、19、20)的布線基質(zhì)(17)。
15.按照前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體構(gòu)件(1；16；24)，其特征在于，作為半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件(28)的半導(dǎo)體構(gòu)件(16)具有一個(gè)帶有結(jié)構(gòu)化的金屬層的陶瓷基質(zhì)。
16.按照權(quán)利要求1至13中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體構(gòu)件(1；16；24)，其特征在于，作為半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件(28)的半導(dǎo)體構(gòu)件(1；24)具有一個(gè)扁平導(dǎo)線框架(3)，該導(dǎo)電框架具有一個(gè)芯片島(7)和內(nèi)部扁平導(dǎo)線(9)，它們?cè)谒芰蠚んw(4)的外部過(guò)渡到作為外觸點(diǎn)的外扁平導(dǎo)線(10)。
17.按照前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體構(gòu)件(1；16；24)，其特征在于，作為半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件(28)的半導(dǎo)體構(gòu)件(1)具有一個(gè)半導(dǎo)體芯片(2)。
18.按照前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體構(gòu)件(1；16；24)，其特征在于，作為半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件(28)的半導(dǎo)體構(gòu)件(1)具有接合線(14)。
19.具有多個(gè)并排和/或依次地按橫列和/或按縱列設(shè)置的半導(dǎo)體構(gòu)件位置的系統(tǒng)支架(3；17)，為了容納半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件(28)這些半導(dǎo)體構(gòu)件位置具有一種帶有用于與半導(dǎo)體芯片(2)電連接的內(nèi)接觸表面(11)的立體的布線結(jié)構(gòu)(15)，其中，系統(tǒng)支架(3、17)的表面(19)有選擇地具有一個(gè)緩沖層(5)，該緩沖層至少部分地由一種熱塑性材料(6)制成，并且其中所述內(nèi)接觸表面(11)沒(méi)有緩沖層(5)。
20.按照權(quán)利要求19所述的系統(tǒng)支架，其特征在于，所述熱塑性材料(6)具有低于150℃的玻璃轉(zhuǎn)變溫度(Tg).
21.按照權(quán)利要求20所述的系統(tǒng)支架，其特征在于，所述熱塑性材料(6)具有低于120℃的玻璃轉(zhuǎn)變溫度(Tg)。
22.按照權(quán)利要求19至21中任一項(xiàng)所述的系統(tǒng)支架，其特征在于，所述熱塑性材料(6)具有高于260℃的玻璃轉(zhuǎn)變溫度(Tm)。
23.按照權(quán)利要求19至22中任一項(xiàng)所述的系統(tǒng)支架，其特征在于，所述熱塑性材料(6)具有聚酰胺66、聚酰胺46、硫化聚苯醚、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚芳基醚酮、聚醚醚酮或者聚碳酸酯，或者這些聚合物的共聚物。
24.按照權(quán)利要求19至23中任一項(xiàng)所述的系統(tǒng)支架，其特征在于，所述緩沖層(5)具有一種在2nm≤D≤10μm之間的平均厚度D。
25.按照權(quán)利要求24所述的系統(tǒng)支架，其特征在于，所述緩沖層(5)具有一種在2nm≤D≤300nm之間的平均厚度D。
26.按照權(quán)利要求25所述的系統(tǒng)支架，其特征在于，所述緩沖層(5)具有一種在2nm≤D≤50nm之間的平均厚度D。
27.按照權(quán)利要求19至26中任一項(xiàng)所述的系統(tǒng)支架，其特征在于，所述緩沖層(5)還具有一種粘附劑(23、27)。
28.按照權(quán)利要求27所述的系統(tǒng)支架，其特征在于，所述粘附劑(23)容納在熱塑性材料(6)的結(jié)構(gòu)中。
29.按照權(quán)利要求27所述的系統(tǒng)支架，其特征在于，所述粘附劑(23)作為涂層(26)設(shè)置在熱塑性材料(6)上。
30.按照權(quán)利要求27至29中任一項(xiàng)所述的系統(tǒng)支架，其特征在于，所述粘附劑(23；27)具有環(huán)氧化物、聚酰亞胺、聚丙烯酸酯、金屬氧化物或半導(dǎo)體氧化物、或者這些物質(zhì)的混合物。
31.按照權(quán)利要求19至30中任一項(xiàng)所述的系統(tǒng)支架，其特征在于，所述緩沖層(5)的孔隙率逐漸從半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件(28)的表面上的無(wú)孔隙涂層增加到塑料殼體(4)的過(guò)渡區(qū)域中的微孔形態(tài)。
32.按照權(quán)利要求19至31中任一項(xiàng)所述的系統(tǒng)支架，其特征在于，作為半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件(28)的半導(dǎo)體構(gòu)件(17)具有一種帶有結(jié)構(gòu)化的金屬涂層(11、19、20)的布線基質(zhì)(17)。
33.按照權(quán)利要求19至32中任一項(xiàng)所述的系統(tǒng)支架，其特征在于，作為半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件(28)的半導(dǎo)體構(gòu)件(17)具有一種帶有結(jié)構(gòu)化的金屬層(11、19、20)的陶瓷基質(zhì)。
34.按照權(quán)利要求19至33中任一項(xiàng)所述的系統(tǒng)支架，其特征在于，作為半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件(28)的半導(dǎo)體構(gòu)件(1；24)具有一個(gè)扁平導(dǎo)線框架(3)，該扁平導(dǎo)線框架具有一個(gè)芯片島(7)和一個(gè)內(nèi)扁平導(dǎo)線(9)，它們?cè)谒芰蠚んw(4)的外部轉(zhuǎn)變?yōu)樽鳛橥庥|點(diǎn)的外扁平導(dǎo)線(10)。
35.按照權(quán)利要求34所述的系統(tǒng)支架，其特征在于，所述系統(tǒng)支架(3)具有帶有內(nèi)接觸表面(11)的內(nèi)扁平導(dǎo)線(9)，這些內(nèi)接觸表面轉(zhuǎn)變?yōu)橥獗馄綄?dǎo)線(11)并且由一個(gè)系統(tǒng)支架框支承，其中，扁平導(dǎo)線框架具有一個(gè)帶有許多依次設(shè)置的半導(dǎo)體構(gòu)件位置的扁平導(dǎo)線帶，其中，內(nèi)扁平導(dǎo)線(9)在它們的表面上具有緩沖層(5)，并且其中接觸連接表面(11)、外扁平導(dǎo)線(10)和系統(tǒng)支架框架沒(méi)有緩沖層(5)。
36.按照權(quán)利要求19至35中任一項(xiàng)所述的系統(tǒng)支架，其特征在于，具有有選擇地設(shè)置的緩沖層(5)的系統(tǒng)支架(3)為了它在安裝機(jī)械中的定位沿系統(tǒng)支架框具有孔隙。
37.按照權(quán)利要求19至36中任一項(xiàng)所述的系統(tǒng)支架，其特征在于，所述系統(tǒng)支架(3)在接觸連接表面(11)上具有優(yōu)選由銀和/或焊料合金制成的金屬—合金—電鍍層。
38.按照權(quán)利要求19至37中任一項(xiàng)所述的系統(tǒng)支架，其特征在于，所述系統(tǒng)支架(3)具有高純銅和/或銅合金作為基礎(chǔ)材料。
39.制造用于半導(dǎo)體構(gòu)件(1)的系統(tǒng)支架(3)的方法，該方法具有下述方法步驟-對(duì)于具有至少一個(gè)金屬表面的基質(zhì)板進(jìn)行結(jié)構(gòu)化，使其成為一個(gè)具有多個(gè)連續(xù)的模型的系統(tǒng)支架(3；17)，該模型用于將半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件(28)容納在系統(tǒng)支架(3；17)的半導(dǎo)體構(gòu)件位置中；-給系統(tǒng)支架(3；17)的表面涂上一層緩沖層(5)，該系統(tǒng)支架的表面在制造半導(dǎo)體構(gòu)件(1)時(shí)與塑料殼體(4)構(gòu)成一個(gè)界面，其中，該緩沖層(5)至少部分地由一種熱塑性材料(6)制成。
40.按照權(quán)利要求39所述的方法，其特征在于，給系統(tǒng)支架(3；17)的表面所進(jìn)行的所述涂層借助于浸漬、噴射或者印刷方法來(lái)進(jìn)行。
41.按照權(quán)利要求39或者權(quán)利要求40所述的方法，其特征在于，所述緩沖層(5)全面地沉淀在系統(tǒng)支架(3)的外露的表面上。
42.按照權(quán)利要求39至41中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，在給系統(tǒng)支架(3)涂覆緩沖層(5)之前用一種保護(hù)層蓋住應(yīng)外露的表面區(qū)域。
43.按照權(quán)利要求39至42中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，在給系統(tǒng)支架(3)涂覆緩沖層(5)之后將應(yīng)外露的表面區(qū)域露出。
44.按照權(quán)利要求39至43中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，此外，所述緩沖層(5)還具有一種粘附劑(23；27)。
45.按照權(quán)利要求44所述的方法，其特征在于，在熱塑性材料(6)沉淀之后在熱塑性材料(6)的表面上涂覆粘附劑(27)。
46.按照權(quán)利要求39至44中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，利用一種在2nm≤D≤10μm之間、優(yōu)選在2nm≤D≤300nm之間，最好在2nm≤D≤50nm之間的平均厚度D來(lái)涂覆緩沖層(5)。
47.用于按照權(quán)利要求39至46中任一項(xiàng)制造多個(gè)半導(dǎo)體構(gòu)件(1)的方法，該方法具有下述附加的方法步驟- 制備在表面上有選擇地涂覆有緩沖層(5)的系統(tǒng)支架(3；17)，所述表面與塑料殼體(4)具有一個(gè)邊界層，其中，接觸連接表面(11)不涂層；-將半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件(28)、例如半導(dǎo)體芯片(2)安裝到半導(dǎo)體構(gòu)件位置中的系統(tǒng)支架(3；17)上，其中，通過(guò)電連接元件(14)將半導(dǎo)體芯片(2)與內(nèi)接觸表面(11)連接起來(lái)；-將半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件(28)嵌入到一個(gè)塑料殼體(4)中；-將系統(tǒng)支架(4；17)拆開(kāi)為單個(gè)的半導(dǎo)體構(gòu)件(1；16；24)。
48.按照權(quán)利要求47所述的方法，其特征在于，在將半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件(28)嵌入到塑料殼體(4)中之前，將半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件(28)的還未涂層的表面也用緩沖層(5)進(jìn)行涂覆。
49.采用首先未涂覆緩沖層(5)的系統(tǒng)支架(3；17)來(lái)制造多個(gè)半導(dǎo)體構(gòu)件(1)的方法-將半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件(28)、例如半導(dǎo)體芯片(2)安裝到在半導(dǎo)體構(gòu)件位置中的系統(tǒng)支架(3；17)上，其中，通過(guò)電連接元件(14)將半導(dǎo)體芯片(2)與系統(tǒng)支架(3；17)的接觸連接表面(11)連接起來(lái)；-將緩沖層(5)涂覆到應(yīng)嵌入到塑料殼體(4)中的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件(28)的表面上，其中緩沖層(5)至少部分地由一種熱塑性材料(6)制成；-將半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件(28)嵌入到塑料殼體(4)中；-將系統(tǒng)支架(3；17)拆開(kāi)為單個(gè)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件(1；16；24)。
50.按照權(quán)利要求49所述的方法，其特征在于，借助于浸漬、噴射或者印刷方法完成對(duì)于結(jié)構(gòu)組件(28)的表面的涂層。
51.按照權(quán)利要求49或50所述的方法，其特征在于，此外，所述緩沖層(5)還具有一種粘附劑(23；27)。
52.按照權(quán)利要求51所述的方法，其特征在于，在熱塑性材料(6)沉淀以后，在熱塑性材料(6)的表面上涂覆所述粘附劑(27)。
53.按照權(quán)利要求49至52中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，以一種在2nm≤D≤10μm之間、優(yōu)選在2nm≤D≤300nm之間、最好在2nm≤D≤50nm之間的平均厚度D來(lái)涂覆緩沖層(5)。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種具有嵌入到塑料殼體中的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件的半導(dǎo)體構(gòu)件(1)，其中，在半導(dǎo)體構(gòu)件(1)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組件的表面上設(shè)置一個(gè)緩沖層(5)。該緩沖層(5)具有一種熱塑性材料(6)。
文檔編號(hào)H01L21/56GK1996585SQ20061006412
公開(kāi)日2007年7月11日 申請(qǐng)日期2006年9月30日 優(yōu)先權(quán)日2005年10月5日
發(fā)明者J·馬勒, S·M·湯 申請(qǐng)人:英飛凌科技股份公司