專利名稱：有機(jī)薄膜晶體管陣列板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有機(jī)薄膜晶體管陣列板及其制造方法。
背景技術(shù)：
一般地，平板顯示器如液晶顯示器(LCD)、有機(jī)發(fā)光二極管顯示器(OLED顯示器)和電泳顯示器包括多個成對的場產(chǎn)生電極和設(shè)置在其間的電光激發(fā)層(activating layer)。LCD采用液晶層且OLED采用有機(jī)發(fā)射層作為電光激發(fā)層。成對的場產(chǎn)生電極中的一個電極通常連接到被施加電信號的開關(guān)元件。電光激發(fā)層通過將電信號變成光信號來顯示圖像。在平板顯示器中，把具有三個端子的薄膜晶體管(TFT)用作開關(guān)元件。傳輸掃描信號的柵極線控制TFT，傳輸圖象信號的數(shù)據(jù)線經(jīng)選通的開關(guān)元件施加到像素電極。
采用有機(jī)半導(dǎo)體代替無機(jī)半導(dǎo)體如Si的有機(jī)薄膜晶體管(OTFT)被使用，因?yàn)樗梢酝ㄟ^低溫下的溶液工藝(solution process)形成。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的一個方面，一種有機(jī)薄膜晶體管陣列板包括襯底；形成在襯底上的數(shù)據(jù)線；連接到數(shù)據(jù)線的源極電極；包含部分面對源極電極的漏極電極；與源極電極和漏極電極部分交疊的第一有機(jī)半導(dǎo)體；形成在第一有機(jī)半導(dǎo)體上的第一柵極絕緣件；形成在第一柵極絕緣件上的阻擋件；與阻擋件形成在相同層上并連接到漏極電極的像素電極；和包含柵極電極的柵極線，其與數(shù)據(jù)線相交叉并形成在阻擋件上。
阻擋件和像素電極可以包含ITO。
數(shù)據(jù)線和源極電極可以由不同的材料制成。
源極電極和漏極電極可以包括ITO或IZO。
OTFT陣列板還可以包括暴露部分源極電極和漏極電極的開口以及包含暴露部分漏極電極的第一接觸孔的隔離部。
OTFT陣列板還可以包括形成在第一接觸孔中的第二有機(jī)半導(dǎo)體和第二柵極絕緣件，其中像素電極設(shè)置在第二柵極絕緣件上，并且其中第二有機(jī)半導(dǎo)體、第二柵極絕緣件和像素電極具有小于第一接觸孔的第二孔。
OTFT陣列板還可以包括通過第二接觸孔將像素電極連接到漏極電極的連接件。連接件可以與柵極線形成在相同層上。柵極電極可以完全覆蓋阻擋件。OTFT陣列板還可以包括設(shè)置在與數(shù)據(jù)線相同層上的存儲電極。
漏極電極可以包括至少一些部分，所述一些部分與部分交疊存儲電極的部分部分地集成。
可以在漏極電極和存儲電極之間形成層間絕緣層。
OTFT陣列板還可以包括設(shè)置在有機(jī)半導(dǎo)體之下且形成在與數(shù)據(jù)線相同層上的光阻擋膜。柵極絕緣件可以包括有機(jī)材料。
OTFT陣列板還可以包括覆蓋柵極電極的第一鈍化件。
OTFT陣列板還可以包括覆蓋柵極線端部的第二鈍化件。
一種制造有機(jī)薄膜晶體管陣列板的方法包括在襯底上形成數(shù)據(jù)線；在數(shù)據(jù)線上形成層間絕緣層；形成連接到數(shù)據(jù)線的源極電極以及面對源極電極的漏極電極；形成包括源極電極上的開口以及漏極電極上的接觸孔的隔離部；在開口和接觸孔中形成有機(jī)半導(dǎo)體；在有機(jī)半導(dǎo)體上形成柵極絕緣層；在柵極絕緣層上形成阻擋件和像素電極；利用阻擋件和像素電極作為掩模蝕刻柵極絕緣層和有機(jī)半導(dǎo)體；以及在阻擋件、隔離部及像素電極上形成包括柵極線的柵極導(dǎo)體和連接件。
有機(jī)半導(dǎo)體的形成可以包括重整隔離部的表面；在隔離部的表面上涂覆有機(jī)半導(dǎo)體層；和在不存在隔離部的部分內(nèi)設(shè)置有機(jī)半導(dǎo)體。隔離部表面的重整可以在存在隔離部的部分和不存在隔離部的部分之間提供不同的親水性。存在隔離部的部分可以比不存在隔離部的部分有更小的親水性。隔離部表面的重整可以包括在隔離部的表面上施加氟，從而氟化物處理隔離部的表面。
制造有機(jī)薄膜晶體管陣列板的方法還可以包括在形成柵極導(dǎo)體之后形成覆蓋柵極電極的鈍化件。


通過閱讀下面結(jié)合附圖的描述，本發(fā)明的前述及其它目的、特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)將變得更加清晰，其中
圖1是根據(jù)本發(fā)明的示例性的實(shí)施例的有機(jī)薄膜晶體管陣列板的布局圖；圖2是圖1中所示的薄膜晶體管陣列板沿II-II線的截面圖；圖3、圖5、圖7、圖9、圖12和圖15是根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的圖1和圖2中所示的有機(jī)薄膜晶體管陣列板在其制造方法的中間步驟的布局圖；圖4是圖3所示有機(jī)薄膜晶體管陣列板沿IV-IV線的截面圖；圖6是圖5所示有機(jī)薄膜晶體管陣列板沿VI-VI線的截面圖；圖8是圖7所示有機(jī)薄膜晶體管陣列板沿VIII-VIII線的截面圖；圖10是圖9所示有機(jī)薄膜晶體管陣列板沿X-X線的截面圖；圖11是圖10所示有機(jī)薄膜晶體管陣列板在其制造的后續(xù)步驟中的截面圖；圖13是圖12所示有機(jī)薄膜晶體管陣列板沿XIII-XIII線的截面圖；圖14是圖13所示有機(jī)薄膜晶體管陣列板在其制造的后續(xù)步驟的截面圖；圖16是圖15所示有機(jī)薄膜晶體管陣列板沿XVI-XVI線的截面圖。
具體實(shí)施例方式
下面將參考附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性的實(shí)施例。
下面將參考展示了本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的附圖更全面地描述本發(fā)明。但本發(fā)明可以以很多不同的形式實(shí)施，且不應(yīng)局限于在此給出的實(shí)施例。
附圖中，為了清楚起見，放大了層、膜、板和區(qū)域等的厚度。在說明書全文中相同的標(biāo)號表示相同的元件。應(yīng)該理解，當(dāng)稱一個元件如層、區(qū)域或襯底位于另一個元件“上”時，可以是直接地處于另一個元件上，也可以是中間有間隔元件。相反，當(dāng)稱一個元件“直接在”另一個元件上時，則不存在中間間隔元件。
圖1是根據(jù)本發(fā)明的示例性的實(shí)施例的有機(jī)TFT陣列板的布局圖；圖2是圖1中所示的TFT陣列板沿II-II線的截面圖。
在由透明絕緣材料如玻璃、硅樹脂或塑料制成的絕緣襯底110上形成多條數(shù)據(jù)線171、多條存儲電極線172和多個光阻擋件174。
數(shù)據(jù)線171傳遞數(shù)據(jù)信號且基本上在縱向上延伸。每條數(shù)據(jù)線171包括多個向側(cè)向凸出的突出部173和用于與另一層或外部驅(qū)動電路連接的寬的端部179。產(chǎn)生數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路(未示出)可以安裝在連接到襯底110的柔性印刷電路膜(未示出)上、直接安置在襯底110上或與襯底110集成。當(dāng)電路集成在襯底110上時，數(shù)據(jù)線171可延伸到并直接連接到數(shù)據(jù)驅(qū)動電路。
存儲電極線172基本上平行于數(shù)據(jù)線171延伸且接收預(yù)定的電壓。每條存儲電極線172設(shè)置在兩條數(shù)據(jù)線171之間并更接近相鄰數(shù)據(jù)線中的右手側(cè)的一條。存儲電極線172具有從直的干線(stem)分叉出且與直的干線形成矩形的存儲電極177。但存儲電極線172可以有各種其它的形狀和布置。
光阻擋件174與數(shù)據(jù)線171和存儲電極線172分開。
數(shù)據(jù)線171、存儲電極線172和光阻擋件174可以由鋁基金屬如鋁(Al)或鋁合金、銀基金屬如銀(Ag)或銀合金、銅基金屬如銅(Cu)或銅合金、鉬基金屬如鉬(Mo)或鉬合金、鉻(Cr)、鉭(Ta)或鈦(Ti)制成。但它們可以具有包括兩層有不同物理特性的導(dǎo)電膜(未示出)的多層結(jié)構(gòu)。其中一個導(dǎo)電膜由低阻金屬如鋁基、銀基和銅基金屬構(gòu)成以減少信號延遲或電壓降。另一個膜優(yōu)選地由材料如鉬基金屬、鉻(Cr)、鉭(Ta)或鈦(Ti)制成，其具有與其它材料尤其是氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)的良好的物理、化學(xué)以及電接觸特性，或者與襯底110具有良好的粘接性。下鉻層和上鋁(合金)層的組合、下鋁(合金)層和上鉬(合金)層的組合都是很好的例子。但數(shù)據(jù)線171和存儲電極線172可以由各種其它的金屬或?qū)w制成。
數(shù)據(jù)線171、存儲電極線172和光阻擋件174的側(cè)面相對于襯底110的表面傾斜，傾角范圍大約在30°～80°。
在數(shù)據(jù)線171、存儲電極線172和光阻擋件上形成層間絕緣層160。層間絕緣層160可以由無機(jī)絕緣材料如氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiO2)制成，厚度可從約2000到約5000。
層間絕緣層160包括多個分別暴露數(shù)據(jù)線171的突出部173和數(shù)據(jù)線171的端部179的接觸孔163和162。在層間絕緣層160上形成多個源極電極133、多個漏極電極135和多個接觸輔助部82。每個源極電極133為島狀并經(jīng)接觸孔163連接到數(shù)據(jù)線171。
每個漏極電極135包括光阻擋件174上面對源極電極133的部分136(以下稱作電極部分)和至少與存儲電極線172的一部分交疊的部分137(以下稱作電容部分)。電極部分136通過面對源極電極133形成TFT的一部分，并且電容部分137與存儲電極線172形成存儲電容器，以增強(qiáng)保持電壓的能力。
接觸輔助部82經(jīng)接觸孔162連接到數(shù)據(jù)線171的端部179，以保護(hù)端部179并增強(qiáng)端部179與外部裝置的連接。
因?yàn)樵礃O電極133和漏極電極135必須直接接觸有機(jī)半導(dǎo)體，所以源極電極1 33由與無機(jī)半導(dǎo)體具有類似的功函數(shù)的導(dǎo)體材料制成。因此，有機(jī)半導(dǎo)體和漏極電極之間的肖特基勢壘低。這使得載流子易于注入和運(yùn)動。這種導(dǎo)體材料的例子有ITO和IZO。源極電極133和漏極電極135的厚度可以約為300～1000。
在包含源極電極133、漏極電極135和層間絕緣層160的襯底的整個表面上形成隔離部(partition)140。優(yōu)選地隔離部140由可以以液態(tài)涂覆的光敏有機(jī)材料制成。隔離部140的厚度可以約為5000～4μm。
隔離部140包括多個開口147和多個接觸孔145。開口147暴露源極電極133、漏極電極135和它們之間的層間絕緣層160。接觸孔145暴露漏極電極135。
在隔離部140的開口147和接觸孔145中形成多個半導(dǎo)體島154和154a。
形成在開口147中的有機(jī)半導(dǎo)體島154接觸源極電極133和漏極電極135。有機(jī)半導(dǎo)體島全部被隔離部140包圍，因?yàn)樗鼈兊母叨鹊陀陂_口147的深度。因?yàn)橛袡C(jī)半導(dǎo)體島154完全被隔離部140包圍，所以保護(hù)有機(jī)半導(dǎo)體島154免受后續(xù)制造工藝步驟中使用的化學(xué)物質(zhì)的損壞。
形成在開口147中的有機(jī)半導(dǎo)體島154設(shè)置在防止入射的背光直接照射有機(jī)半導(dǎo)體島154的光阻擋件174之上。結(jié)果，防止了有機(jī)半導(dǎo)體島154中的光泄漏電流。
形成在接觸孔145中的每個有機(jī)半導(dǎo)體島154a具有小于接觸孔145的接觸孔。有機(jī)半導(dǎo)體島154和154a可以包括高分子化合物或低分子化合物，其可溶于水溶液或有機(jī)溶劑中。
有機(jī)半導(dǎo)體島154和154a可以包括并四苯(tetracne)和并五苯(pentacene)的衍生物，并且可以由包含四至八個連結(jié)在噻吩環(huán)的2，5位置處的噻吩的低聚噻吩(oligothiophene)制成。
有機(jī)半導(dǎo)體島154和154a可以包括聚噻吩乙烯撐(polythienylenevinylene)、聚-3-己基噻吩(poly-3-hexylthiophene)、聚噻吩、酞氰染料(phthalocyanine)、金屬化酞氰(metallized phthalocyanine)、或它們的鹵代衍生物。有機(jī)半導(dǎo)體島154也可以包括二萘嵌苯四羧酸二酐(PTCDA)、萘四羧酸二酐(NTCDA)或它們的酰亞胺衍生物。有機(jī)半導(dǎo)體島154可以包括二萘嵌苯、六苯并苯(coronene)、或具有它們的取代基的衍生物。
有機(jī)半導(dǎo)體島154和154a的厚度可以在大約300～3000的范圍。
在柵極有機(jī)半導(dǎo)體島154和154a上形成多個柵極絕緣件146。柵極絕緣件146形成得比開口147和接觸孔145大。柵極絕緣件146包括多個具有與有機(jī)半導(dǎo)體島145a的大小基本相同的接觸孔。
柵極絕緣件146由具有相對高的介電常數(shù)的無機(jī)材料或有機(jī)材料形成。此有機(jī)材料的例子包括基于聚酰亞胺的化合物、基于聚乙烯醇的化合物、基于聚熒烷(polyfluorane-based)的化合物，或可溶的高分子化合物如基于聚對二甲苯(parylene-based)的化合物。無機(jī)材料的例子包括可具有有用十八烷基三氯代硅烷(OTS)等處理的表面的硅氧化物。
在柵極絕緣件146上形成多個阻擋件193和多個像素電極191。
阻擋件193保護(hù)柵極絕緣件146和有機(jī)半導(dǎo)體島154，并具有與柵極絕緣件146基本相同的傾斜角。
像素電極191包括設(shè)置在接觸孔145中且小于接觸孔145的另外多個接觸孔197。因此，漏極電極135經(jīng)接觸孔197暴露。
每個像素電極191可以與柵極線121或/和數(shù)據(jù)線171交疊，以增大開口率。
像素電極191接收來自薄膜晶體管的數(shù)據(jù)電壓，并與提供有公共電壓的公共電極(未示出)共同產(chǎn)生電場，該電場決定設(shè)置在兩電極之間的液晶層(未示出)的液晶分子取向。像素電極191和公共電極形成稱作“液晶電容器”的電容器，其在薄膜晶體管關(guān)斷后存儲施加的電壓。
在像素電極191和阻擋件193上形成多條柵極線121和連接件128。
柵極線121傳遞柵極信號且基本上在水平方向延伸，且與數(shù)據(jù)線171和存儲電極線172相交叉。每條柵極線121包括一個寬的端部129，用于與另一層或外部驅(qū)動電路相連接。用于產(chǎn)生柵極信號的柵極驅(qū)動電路(未示出)可以安置在連接到襯底110的柔性印刷電路(FPC)膜(未示出)上、直接安置在襯底110上，或集成到襯底110上。當(dāng)電路集成到襯底110上時柵極線121可以延伸并直接連接到柵極驅(qū)動電路。
柵極電極124與有機(jī)半導(dǎo)體島154交疊，柵極絕緣件146置于其間。柵極電極124大至足以完全覆蓋阻擋件193。阻擋件193增強(qiáng)柵極電極124與柵極絕緣件146之間的粘合性，從而防止柵極電極124升離。
連接件128大至足以覆蓋接觸孔145并連接到像素電極191和漏極電極135。
柵極線121和連接件128可以由與數(shù)據(jù)線171和存儲電極線172相同的材料形成。
柵極線121和連接件128的側(cè)面也相對于襯底110的表面傾斜，并且優(yōu)選其傾斜角約在30°～80°的范圍。
柵極電極124、源極電極133和漏極電極135與有機(jī)半導(dǎo)體島154一起形成薄膜晶體管。在設(shè)置于源極電極133和漏極電極135之間的有機(jī)半導(dǎo)體島上形成薄膜晶體管的溝道。
在柵極線121和連接件128上形成多個鈍化件180和81。
鈍化件180用于保護(hù)有機(jī)薄膜晶體管，且可以形成在襯底的某些部位或整個表面上。但也可以省去鈍化件180。
在柵極線121的端部129上形成鈍化件81，并且該鈍化件81具有多個接觸孔181以能夠與外部電路連接。此外，鈍化件81防止柵極線121的端部129間彼此短路。
現(xiàn)在將參考圖3～16詳細(xì)描述圖1和2所示的有機(jī)TFT陣列板的制造方法。
圖3、5、7、9、12和15是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖1和圖2所示的有機(jī)TFT陣列板的制造方法的中間步驟的布局圖，圖4是圖3所示有機(jī)TFT陣列板沿IV-IV線的截面圖，圖6是圖5所示有機(jī)TFT陣列板沿VI-VI線的截面圖，圖8是圖7所示有機(jī)TFT陣列板沿VIII-VIII線的截面圖，圖10是圖9所示有機(jī)TFT陣列板沿X-X線的截面圖，圖11是圖10所示有機(jī)TFT陣列板在圖10所示步驟的后續(xù)步驟的截面圖，圖13是圖12所示有機(jī)TFT陣列板沿XIII-XIII線的截面圖，圖14是圖13所示有機(jī)TFT在圖13所示步驟的后續(xù)步驟的截面圖，圖16是圖15所示有機(jī)TFT陣列板沿XVI-XVI線的截面圖。
參見圖3和圖4，通過濺射等在襯底110上沉積金屬層，并通過光刻使其圖案化，且蝕刻以形成包含突出部173和端部179的多條數(shù)據(jù)線171、多個光阻擋件174、以及包含多個存儲電極177的多條存儲電極線172。
參見圖5和圖6，層間絕緣層160可以由無機(jī)材料制成，并通過化學(xué)氣相沉積(CVD)等法沉積。層間絕緣層160通過光-蝕刻使其圖案化，以形成多個接觸孔162和163。
參見圖7和圖8，通過濺射形成ITO或IZO層，并通過光-蝕刻使其圖案化以形成多個源極電極133、多個漏極電極135和多個接觸輔助部82。
參見圖9和圖10，在襯底的整個表面上涂覆光敏有機(jī)層并對其顯影以形成具有多個開口147和多個接觸孔145的隔離部140。
隨后在隔離部140上形成多個有機(jī)半導(dǎo)體島。
有機(jī)半導(dǎo)體島154可以通過表面重整(surface reform)來形成。表面重整是一種通過利用等離子體將材料的表面改變成親水性或疏水性的方法。首先，重整隔離部140的表面。根據(jù)本示例性的實(shí)施例，用等離子態(tài)的氟處理隔離部140的表面?？梢栽诟晌g刻腔內(nèi)供給氟化氣體如CF4、C2F6或SF6及氧氣和/或惰性氣體。在此情況下，由有機(jī)材料制成的隔離部140的表面通過碳和氟的鍵合進(jìn)行氟化物處理。但是，即使源極電極133、漏極電極135和層間絕緣層160通過開口147和接觸孔145暴露，它們也沒有被氟化物處理，因?yàn)樗鼈冇蔁o機(jī)材料制成。由于隔離部140的表面被氟化物處理，隔離部140的表面被重整為疏水性。相反，通過開口147和接觸孔145暴露的部分相對具有親水性。
接下來，用溶于溶劑中的有機(jī)半導(dǎo)體材料旋涂或狹縫涂覆襯底的整個表面。如上所述，隔離部140的表面是疏水性的，開口147和接觸孔145是親水性的，有機(jī)半導(dǎo)體液體趨于積累到開口147和接觸孔145中。
最后，在通過烘干工藝去除溶劑之后，在開口147中形成多個有機(jī)半導(dǎo)體島147，并且在接觸孔145中也形成多個有機(jī)半導(dǎo)體殘留部154a。
通過表面重整，定義疏水區(qū)和親水區(qū)以在襯底上形成有機(jī)半導(dǎo)體島154。此方法比利用圓點(diǎn)掩模(shadow mask)的方法簡單。因此減少了制造時間和成本。
但是，有機(jī)半導(dǎo)體島154可以通過噴墨印刷法形成，而不利用表面重整法。接下來，參見圖11，在襯底的整個表面上形成柵極絕緣層146。
隨后，如圖12和圖13所示，濺射ITO層并通過光-蝕刻使其圖案化，從而形成多個阻擋件193和多個像素電極191。此時，使像素電極191圖案化，從而形成小于接觸孔145且設(shè)置在接觸孔145中的多個接觸孔197。
阻擋件193和由ITO制成的像素電極191幾乎沒有受到用在后處理中的蝕刻化學(xué)物的損壞，以致于它們可以同時形成。因此，因?yàn)椴恍枰糜趩为?dú)形成阻擋件193的掩模，所以使用了較少數(shù)量的制造薄膜晶體管陣列板所用的掩模。
參見圖14，利用阻擋件193和像素電極191作為掩模，柵極絕緣層146和剩余在接觸孔197中的有機(jī)半導(dǎo)體殘留部154a被蝕刻。
之后，參見圖14和圖15，通過濺射沉積金屬層并通過光-蝕刻使其圖案化，從而形成包含多個柵極電極124和多個端部129的多條柵極線121以及多個連接件128。柵極電極124形成為大小完全覆蓋阻擋件。
最后，參見圖1和圖2，形成分別覆蓋有機(jī)薄膜晶體管和柵極線121的端部129的多個鈍化件180和81，并且對這些鈍化件曝光和顯影，以在鈍化件81中形成多個接觸孔181。
如上所述，在隔離部內(nèi)形成有機(jī)半導(dǎo)體島并用阻擋件覆蓋，由此防止有機(jī)半導(dǎo)體島在后處理期間受影響。此外，因?yàn)橛门c有機(jī)半導(dǎo)體島具有良好的接觸特性的材料形成源極電極和漏極電極，有機(jī)TFT的質(zhì)量得以提高。因?yàn)樽钃跫c像素電極一起形成，所以需要較少的掩模和處理工序。通過表面重整法簡化了形成半導(dǎo)體島的方法。
雖然以上結(jié)合實(shí)用的示例性的實(shí)施例描述了本發(fā)明，但對于本領(lǐng)域技術(shù)人員顯然，在不脫離本發(fā)明實(shí)質(zhì)和范圍的前提下可以對本發(fā)明做各種改型和等同替換。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)薄膜晶體管陣列板，包括襯底；形成在所述襯底上的數(shù)據(jù)線；連接到所述數(shù)據(jù)線的源極電極；包含面對所述源極電極的部分的漏極電極；與所述源極電極和所述漏極電極部分交疊的第一有機(jī)半導(dǎo)體；形成在所述第一有機(jī)半導(dǎo)體上的第一柵極絕緣件；形成在所述第一柵極絕緣件上的阻擋件；與所述阻擋件形成在相同層上并連接到所述漏極電極的像素電極；及包含柵極電極的柵極線，其與所述數(shù)據(jù)線相交叉并形成在所述絕緣件上。
2.如權(quán)利要求1的有機(jī)薄膜晶體管陣列板，其中所述阻擋件和所述像素電極包含ITO。
3.如權(quán)利要求1的有機(jī)薄膜晶體管陣列板，其中所述數(shù)據(jù)線和所述源極電極由不同的材料制成。
4.如權(quán)利要求1的有機(jī)薄膜晶體管陣列板，其中所述源極電極和所述漏極電極包括ITO或IZO。
5.如權(quán)利要求1的有機(jī)薄膜晶體管陣列板，還包括暴露部分所述源極電極和所述漏極電極的開口；包含暴露部分所述漏極電極的第一接觸孔的隔離部。
6.如權(quán)利要求5的有機(jī)薄膜晶體管陣列板，還包括形成在所述第一接觸孔中的第二有機(jī)半導(dǎo)體和第二柵極絕緣件，其中所述像素電極設(shè)置在所述第二柵極絕緣件上，并且所述第二有機(jī)半導(dǎo)體、所述第二柵極絕緣件和所述像素電極具有小于所述第一接觸孔的第二孔。
7.如權(quán)利要求6的有機(jī)薄膜晶體管陣列板，還包括經(jīng)所述第二接觸孔將所述像素電極連接到所述漏極電極的連接件。
8.如權(quán)利要求7的有機(jī)薄膜晶體管陣列板，其中所述連接件與所述柵極線形成在相同層上。
9.如權(quán)利要求1的有機(jī)薄膜晶體管陣列板，其中所述柵極電極完全覆蓋所述絕緣件。
10.如權(quán)利要求1的有機(jī)薄膜晶體管陣列板，還包括與所述數(shù)據(jù)線形成在相同層上的存儲電極。
11.如權(quán)利要求10的有機(jī)薄膜晶體管陣列板，其中所述漏極電極包括與所述存儲電極部分交疊的至少一部分。
12如權(quán)利要求11的有機(jī)薄膜晶體管陣列板，其中層間絕緣層形成在所述漏極電極和所述存儲電極之間。
13.如權(quán)利要求1的有機(jī)薄膜晶體管陣列板，還包括設(shè)置在所述有機(jī)半導(dǎo)體之下且與所述數(shù)據(jù)線形成在相同層上的光阻擋膜。
14.如權(quán)利要求1的有機(jī)薄膜晶體管陣列板，其中所述柵極絕緣件包括有機(jī)材料。
15.如權(quán)利要求1的有機(jī)薄膜晶體管陣列板，還包括覆蓋所述柵極電極的第一鈍化件。
16.如權(quán)利要求15的有機(jī)薄膜晶體管陣列板，還包括覆蓋所述柵極線的端部的第二鈍化件。
17.一種制造有機(jī)薄膜晶體管陣列板的方法，包括在襯底上形成數(shù)據(jù)線；在所述數(shù)據(jù)線上形成層間絕緣層；形成連接到所述數(shù)據(jù)線的源極電極和面對所述源極電極的漏極電極；形成包括所述源極電極上的開口以及所述漏極電極上的接觸孔的隔離部；在所述開口和所述接觸孔中形成有機(jī)半導(dǎo)體；在所述有機(jī)半導(dǎo)體上形成柵極絕緣層；在所述柵極絕緣層上形成阻擋件和像素電極；利用所述阻擋件和所述像素電極作為掩模蝕刻所述柵極絕緣層和所述有機(jī)半導(dǎo)體；及在所述阻擋件、所述隔離部和所述像素電極上形成包括柵極線的柵極導(dǎo)體和連接件。
18.如權(quán)利要求17的方法，其中所述有機(jī)半導(dǎo)體的形成包括重整所述隔離部的表面；在所述隔離部的所述表面上涂覆有機(jī)半導(dǎo)體層；及在不存在所述隔離部的部分中設(shè)置有機(jī)半導(dǎo)體。
19.如權(quán)利要求18的方法，其中所述隔離部表面的所述重整導(dǎo)致在設(shè)置有所述隔離部的部分和不存在所述隔離部的部分之間親水性不同。
20.如權(quán)利要求19的方法，其中設(shè)置所述隔離部的部分比不存在所述隔離部的部分有更小的親水性。
21.如權(quán)利要求18的方法，其中所述隔離部表面的所述重整包括在所述隔離部的表面上施加氟從而氟化物處理所述隔離部的表面。
22.如權(quán)利要求17的方法，還包括在形成所述柵極導(dǎo)體之后形成覆蓋所述柵極電極的鈍化件。
全文摘要
本發(fā)明提供一種有機(jī)薄膜晶體管陣列板及其制造方法，該陣列板包括襯底；形成在襯底上的數(shù)據(jù)線；連接到數(shù)據(jù)線的源極電極；包含面對源極電極的部分的漏極電極；與源極電極和漏極電極部分交疊的第一有機(jī)半導(dǎo)體；形成在第一有機(jī)半導(dǎo)體上的第一柵極絕緣件；形成在第一柵極絕緣件上的阻擋件；與阻擋件形成在相同層上并連接到漏極電極的像素電極；包含柵極電極的柵極線，其與數(shù)據(jù)線相交叉并形成在阻擋件上。
文檔編號H01L21/768GK101017840SQ200610064368
公開日2007年8月15日 申請日期2006年11月16日 優(yōu)先權(quán)日2005年11月16日
發(fā)明者宋根圭, 趙承奐 申請人:三星電子株式會社