專利名稱：安裝電子零部件用封裝體及封裝體集中基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具有多個陶瓷層的層疊結(jié)構(gòu)的安裝電子零部件用封裝體(package)及其制造方法，以及作為其中間產(chǎn)品的封裝體集中基板。
背景技術(shù)：
以往，如圖15及圖16所示，公知由多個陶瓷層層疊形成的安裝電子零部件用封裝體4(參照專利文獻1)。
在封裝體4的中央部，凹陷設(shè)置用于收納LED等發(fā)光元件的空腔(cavity)43，在與空腔43深度方向平行的背面上，形成有安裝在母板(mother board)上時成為接合面的安裝面44。另外，在封裝體4的安裝面44和垂直于該安裝面44的側(cè)面交叉的角部，在空腔43深度方向的全長形成一對凹部，在各個凹部表面上將導(dǎo)電材料成膜，從而形成一對外部電極40、40。
在這里，構(gòu)成封裝體4的多個陶瓷層，在空腔43的深度方向?qū)盈B，上述一對外部電極40、40，開設(shè)了貫通全部陶瓷層的貫通孔(through hole)后，在該貫通孔的內(nèi)面將銀等導(dǎo)電性材料成膜。
上述封裝體4，如圖17乃至圖19所示，以使封裝體4的安裝面44與母板30表面對向的狀態(tài)、即以封裝體4的空腔43的開口方向與母板30表面平行的狀態(tài)，將一對外部電極40、40焊接在母板30表面上。
如圖18及圖19所示，在封裝體4的各外部電極40與母板30表面之間形成錫焊部31，該錫焊部31由母板30的表面和露出到安裝面44的外部電極40表面之間的基臺部32、從母板30表面向露出到垂直于安裝面44的側(cè)面的外部電極40表面延伸的焊腳部(fillet)33而構(gòu)成。
然而，在封裝體4的安裝結(jié)構(gòu)中，由于露出到安裝面44的外部電極40的面積極小，不能確保錫焊部31的基臺部32的結(jié)合面積、即安裝面積，因此存在封裝體4和母板30不能得到充分的結(jié)合強度的問題。
所以，為解決這個問題，提出如圖20及圖21所示的封裝體5的方案。在該封裝體5的中央部凹陷設(shè)置空腔53，在與空腔53的深度方向平行的背面上，形成有在往母板上安裝時成為接合面的安裝面54。另外，在封裝體5的安裝面54和垂直于該安裝面54的側(cè)面交叉的角部上，形成伸到空腔43的深度方向中途位置的一對凹部，通過在各凹部中填充導(dǎo)體膏，從而形成露出到安裝面54及垂直于該安裝面54的側(cè)面上的一對外部電極50、50。
該一對外部電極50、50，是在構(gòu)成封裝體5的多個陶瓷層內(nèi)，從構(gòu)成安裝面54的陶瓷層直到層疊方向的中途位置的陶瓷層為止的、互相接觸的多個陶瓷層上開設(shè)貫通孔后，在該貫通孔內(nèi)填充銀膏而形成的。
上述封裝體5，如圖22所示，是通過將具有由成為一個封裝體5的長方形封裝體部排列為矩陣狀的集中結(jié)構(gòu)的集中基板6，沿互相正交的規(guī)定切斷線切斷而制造出來的。在圖22中，用陰影線表示由切割刀(dicingblade)切斷的切斷區(qū)域。
在構(gòu)成集中基板6的多張生片內(nèi)、應(yīng)構(gòu)成上述一對外部電極50、50的生片上，以互相正交的兩根切斷線的交叉位置為中心，開設(shè)矩形的貫通孔61，并且在該貫通孔61內(nèi)填充銀膏，形成導(dǎo)體填充部62。
在切斷集中基板6時，首先如圖23及圖24所示，通過切割刀3，從集中基板6的表面方向刻到層疊方向的中途位置。在此狀態(tài)下，由于各封裝體部在集中基板6的背面?zhèn)然ハ噙B接，所以可在維持集中基板6的狀態(tài)的同時，使導(dǎo)體填充部62完全被切斷，在其切斷面上，如圖21所示外部電極50的表面就會露出。然后，為了提高焊錫的濕潤性，對露出的外部電極50表面實施鍍金。
接著，如圖25及圖26所示，用切割刀3，通過從集中基板6的背面劃刻痕，而將集中基板6完全切斷，從而獲得多個封裝體5(參照專利文獻2)。
上述封裝體5，如圖27乃至圖29所示，以使封裝體5的安裝面54與母板30表面對向的狀態(tài)、即封裝體5的空腔53的開口方向與母板30表面平行的狀態(tài)，將一對外部電極50、50焊接在母板30表面上。
如圖28所示，在封裝體5的各外部電極50的表面和母板30表面之間形成錫焊部31，該錫焊部31由母板30表面與露出到安裝面54的外部電極50表面之間的基臺部32、從母板30表面向露出到垂直于安裝面44的側(cè)面的外部電極50表面延伸的焊腳部33構(gòu)成。
在封裝體5的安裝結(jié)構(gòu)中，由于露出到安裝面54的外部電極50的面積，與圖18及圖19所示露出到封裝體4的安裝面44的外部電極40的面積相比要大，所以在露出到該安裝面44的外部電極40與母板30表面之間，可確保錫焊部31的基臺部32的結(jié)合面積、即安裝面積。因此，封裝體5與母板30的結(jié)合強度比封裝體4與母板30的結(jié)合強度大。
專利文獻1特開2002-232017號公報專利文獻2特開平6-96992號公報然而，即使采用了根據(jù)上述封裝體5的安裝結(jié)構(gòu)，如圖29所示，在沒有形成封裝體5的外部電極50的區(qū)域中，由于無法將封裝體5結(jié)合到母板30表面上，封裝體5呈浮在母板30表面的狀態(tài)，所以封裝體5與母板30的結(jié)合強度并不充分。
所以，作為增加與母板30的結(jié)合強度的方法，可以考慮在開設(shè)貫通構(gòu)成封裝體5的全部陶瓷層的貫通孔后，通過在該貫通孔內(nèi)填充銀膏，從而在封裝體5的安裝面54的整個兩端部上形成一對外部電極50、50的方法。
然而，在對外部電極50實施鍍金時，需要使外部電極50的整個表面露出，根據(jù)上述方法，如果不是將集中基板6切斷而成單個的狀態(tài)之后，就不能對外部電極50的表面實施鍍金。因此，與能以集中基板6的狀態(tài)在外部電極50上實施鍍金的以往的方法相比，由于會導(dǎo)致鍍金工序的繁雜化，所以不能采用上述方法。因此，封裝體5與母板30的結(jié)合強度依然不充分。

發(fā)明內(nèi)容
所以，本發(fā)明的目的是提供一種不會導(dǎo)致制造工序繁雜化，并可加大與母板的結(jié)合強度的安裝電子零部件用封裝體及其制造方法，以及作為其中間產(chǎn)品的封裝體集中基板。
本發(fā)明的安裝電子零部件用封裝體1具有多個陶瓷層的層疊結(jié)構(gòu)，并將在往基板上安裝時成為接合面的安裝面14與層疊方向平行地形成。
在上述多個陶瓷層內(nèi)的至少一個陶瓷層上，在上述安裝面14與垂直于該安裝面14的兩個側(cè)面交叉形成的兩個角部上，分別形成凹部，并且向各凹部填充導(dǎo)體膏，形成露出到安裝面14及垂直于該安裝面14的側(cè)面上的一對充填電極部11、11，在除了形成該充填電極部11、11的陶瓷層以外的其他陶瓷層內(nèi)的至少一個陶瓷層上，在上述安裝面14與垂直于該安裝面14的兩個側(cè)面交叉形成的兩個角部上分別形成凹部的同時，在各凹部表面上成膜導(dǎo)電材料，以形成一對覆蓋電極部12、12，在安裝時，將上述充填電極部11、11及覆蓋電極部12、12焊接在上述基板表面上。
上述本發(fā)明的安裝電子零部件用封裝體1，使安裝面14以與母板表面對向的狀態(tài)，安裝在母板上。
在該狀態(tài)下，在充填電極部11的形成區(qū)域中，在露出到安裝面14的充填電極部11的表面和與此相對的母板表面之間可確保寬闊的安裝面積，由此可使封裝體1與母板牢固地結(jié)合。
另外，露出到安裝面14的覆蓋電極部12的面積，即安裝面積雖小，但即使在封裝體1的覆蓋電極部12的形成區(qū)域中也可以使封裝體1與母板結(jié)合。
在這里，在綿延整個安裝面的兩端部開設(shè)貫通孔，在該貫通孔表面形成外部電極的以往的封裝體中，由于露出到安裝面的外部電極的面積、即安裝面積極小，所以有封裝體與母板的結(jié)合強度不充分的問題。
與此相對，根據(jù)本發(fā)明的封裝體1，在充填電極部11的形成區(qū)域中，由于能確保寬闊的安裝面積，所以與上述以往的封裝體相比加大了與母板的結(jié)合強度。
另外，為了增大與母板的結(jié)合強度，在將具有露出到安裝面的表面的外部電極形成于安裝面的兩端部的一部分上的以往的封裝體中，在沒有外部電極的形成區(qū)域中，由于封裝體呈從母板表面浮起的狀態(tài)，所以有封裝體與母板的結(jié)合強度不充分的問題。
與此相對，根據(jù)本發(fā)明的封裝體1的安裝結(jié)構(gòu)，在上述以往的封裝體中未形成外部電極的區(qū)域，形成覆蓋電極部12，由于即使在該覆蓋電極部12形成的區(qū)域中，封裝體1也可以與母板結(jié)合，所以與上述以往的封裝體相比加大了與母板的結(jié)合強度。
因此，根據(jù)上述本發(fā)明的封裝體1，與上述以往的任何封裝體相比都加大了與母板的結(jié)合強度。
另外，本發(fā)明的安裝電子零部件用封裝體的制造方法，其中具有層疊成為上述多個陶瓷層的多張生片，以制作具有集中結(jié)構(gòu)的封裝體集中基板2的集中基板制作工序，該集中結(jié)構(gòu)將成為一個安裝電子零部件用封裝體1的長方形封裝體部排列為矩陣狀；將經(jīng)過集中基板制作工序所得到的封裝體集中基板2按每個封裝體部沿著規(guī)定的切斷線切斷的切斷工序；在上述集中基板制作工序中，在將多張生片層疊制作出第一層疊體21及第二層疊體22的同時，將第一層疊體21與第二層疊體22疊加而制作出封裝體集中基板2，在制作上述第一層疊體21的工序中，在構(gòu)成該第一層疊體21的多張生片內(nèi)的至少1張生片上，以互相正交的兩根切斷線的交叉位置為中心開設(shè)第一貫通孔，并且向該第一貫通孔內(nèi)部填充導(dǎo)體膏，以形成導(dǎo)體填充部26，在制造上述第二層疊體22的工序中，在構(gòu)成該第二層疊體22的多張生片內(nèi)的至少1張生片上，以上述交叉位置為中心開設(shè)第二貫通孔，并且在該第二貫通孔內(nèi)面形成導(dǎo)電材料膜，從而形成導(dǎo)電膜27。
另外，上述切斷工序具有通過從上述封裝體集中基板2的第一層疊體21側(cè)的表面，沿著上述規(guī)定切斷線劃刻痕，從而在該封裝體集中基板2的第二層疊體22側(cè)剩下至少1張生片，將形成了導(dǎo)體填充部26的全部生片切斷的第一切斷工序；在該第一切斷工序之后，對露出到切斷面的導(dǎo)體填充部26的表面及導(dǎo)電膜27的表面實施鍍金的鍍金工序；通過沿著上述規(guī)定的切斷線在封裝體集中基板2上劃刻痕，而將上述第一切斷工序切剩下的全部生片切斷的第二切斷工序。
根據(jù)上述本發(fā)明的封裝體1的制造方法，在上述第一切斷工序之后，封裝體1的充填電極部11及覆蓋電極部12的表面就露出到集中基板2的切斷面上，從而可以對露出的充填電極部11及覆蓋電極部12，以集中基板2的狀態(tài)實施鍍金。由此，不會導(dǎo)致封裝體1的制造工序的繁雜化。
本發(fā)明的封裝體集中基板2，具有多個陶瓷層的層疊結(jié)構(gòu)，并且具有將成為一個安裝電子零部件用封裝體的長方形封裝體部排列為矩陣狀的集中結(jié)構(gòu)，通過沿著在互相鄰接的兩個封裝體部之間延伸的規(guī)定切斷線進行切斷，從而可以切出多個安裝電子零部件用封裝體1。
在構(gòu)成以互相正交的兩根切斷線的交叉位置為中心集中的四個封裝體部的多個陶瓷層內(nèi)，在至少一個陶瓷層上，在以上述交叉位置為中心開設(shè)第一貫通孔的同時，向該第一貫通孔填充導(dǎo)體膏，從而形成導(dǎo)體填充部26，在除了形成該導(dǎo)體填充部26的陶瓷層以外的陶瓷層內(nèi)，在至少一個陶瓷層上，在以上述交叉位置為中心開設(shè)第二貫通孔的同時，在該第二貫通孔的內(nèi)面成膜導(dǎo)電材料，從而形成導(dǎo)電膜27。
根據(jù)上述本發(fā)明的封裝體集中基板2，通過沿著互相正交的兩根切斷線，切斷封裝體集中基板2，從而將導(dǎo)體填充部26與導(dǎo)電膜27分割成4份，由此就形成了以上述兩根切斷線的交叉位置為中心集中的四個封裝體部的充填電極部11及充填電極部12。
根據(jù)本發(fā)明的安裝電子零部件用封裝體及其制造方法，以及作為其中間產(chǎn)品的封裝體集中基板，不會導(dǎo)致制造工序的繁雜化，并可加大與母板的結(jié)合強度。


圖1是表示本發(fā)明的發(fā)光元件用封裝體的安裝狀態(tài)的立體圖。
圖2是表示該封裝體的層疊狀態(tài)的立體圖。
圖3是作為該封裝體中間產(chǎn)品的集中基板的分解立體圖。
圖4是說明該集中基板的第一切斷工序的立體圖。
圖5是說明該集中基板的第二切斷工序的立體圖。
圖6是表示該集中基板的切斷位置的平面圖。
圖7是第一切斷工序時的圖6的A-A剖面圖。
圖8是第一切斷工序時的圖6的B-B剖面圖。
圖9是表示第一切斷工序后的集中基板的狀態(tài)的立體圖。
圖10是第二切斷工序時的圖6的A-A剖面圖。
圖11是第二切斷工序時的圖6的B-B剖面圖。
圖12是表示封裝體的安裝狀態(tài)的側(cè)視圖。
圖13是從空腔的開口方向觀察封裝體安裝狀態(tài)的主視圖。
圖14是從空腔的開口方向相反的一側(cè)觀察封裝體安裝狀態(tài)的后視圖。
圖15是表示以往的發(fā)光元件用封裝體的構(gòu)成的立體圖。
圖16是表示該封裝體的層疊狀態(tài)的立體圖。
圖17是表示該封裝體的安裝狀態(tài)的側(cè)視圖。
圖18是從空腔的開口方向觀察該封裝體安裝狀態(tài)的主視圖。
圖19是從空腔的開口方向相反一側(cè)觀察該封裝體安裝狀態(tài)的后視圖。
圖20是表示以往的發(fā)光元件用封裝體的其他構(gòu)成的立體圖。
圖21是表示該封裝體的層疊狀態(tài)的立體圖。
圖22是表示作為該封裝體中間產(chǎn)品的集中基板切斷位置的平面圖。
圖23是第一切斷工序時的圖22的C-C剖面圖。
圖24是第一切斷工序時的圖22的D-D剖面圖。
圖25是第二切斷工序時的圖22的C-C剖面圖。
圖26是第二切斷工序時的圖22的D-D剖面圖。
圖27是表示該封裝體的安裝狀態(tài)的側(cè)視圖。
圖28是從空腔的開口方向觀察該封裝體安裝狀態(tài)的主視圖。
圖29是從空腔的開口方向相反一側(cè)觀察該封裝體安裝狀態(tài)的后視圖。
圖中1-發(fā)光元件用封裝體，10-外部電極，11-充填電極部，12-覆蓋電極部，13-空腔，14-安裝面，2-集中基板，21-第一層疊體，22-第二層疊體，24-第一貫通孔，25-第二貫通孔，26-導(dǎo)體填充部，27-導(dǎo)電膜，3-切割刀，30-母板，31-錫焊部，32-基臺部，33-焊腳部。
具體實施例方式
以下，根據(jù)附圖，對在發(fā)光元件用封裝體上實施本發(fā)明的方式進行具體說明。
如圖1及圖2所示，本發(fā)明的發(fā)光元件用封裝體1，在中央部設(shè)有用于收納LED等發(fā)光元件的空腔13，與空腔13的深度方向平行的側(cè)面上，形成安裝在母板上時成為接合面的安裝面14。構(gòu)成封裝體1的多個陶瓷層，在空腔13的深度方向上層疊，在封裝體1的安裝面14與垂直于該安裝面14的兩個側(cè)面交叉形成的兩個角部上，由充填電極部11和覆蓋電極部12構(gòu)成的一對外部電極10、10綿延層疊方向的全長形成。
在上述兩個角部上，形成從安裝面14側(cè)的端部延伸到層疊方向的中途位置的一對第一凹部，和從該中途位置延伸到與安裝面14相反側(cè)的端部的一對第二凹部；一對充填電極部11、11，通過向上述第一凹部填充銀膏而形成，其表面露出到封裝體1的安裝面14及垂直于該安裝面14的側(cè)面上。
另外，一對覆蓋電極部12、12，通過在上述第二凹部表面上成膜導(dǎo)電材料而形成。
下面，對封裝體1的制作方法進行說明。
上述封裝體1，如圖3所示，通過將具有成為一個封裝體1的長方形封裝體部排列為矩陣狀的集中結(jié)構(gòu)的集中基板2沿著圖3中虛線所表示的互相正交的規(guī)定切斷線切斷而制作出來。
集中基板2，是將應(yīng)該構(gòu)成上述充填電極部11的多個陶瓷層形成的第一層疊體21、和應(yīng)該構(gòu)成上述覆蓋電極部12的多個陶瓷層形成的第二層疊體22疊加而構(gòu)成。
在第一層疊體21上，以互相正交的兩根切斷線的交叉位置為中心，開設(shè)多個矩形的第一貫通孔24～24，通過在各第一貫通孔24填充銀膏，而形成導(dǎo)體填充部26。
在第二層疊體21上，以上述兩根切斷線的交叉位置為中心，開設(shè)具有比上述第一貫通孔24稍微大一點的開口面積的多個矩形的第二貫通孔25～25，通過在各第二貫通孔25的內(nèi)面成膜導(dǎo)電材料而形成導(dǎo)電膜27。
上述封裝體1，是經(jīng)過如圖4所示，從集中基板2的上述第一層疊體21側(cè)的表面(以下，稱集中基板2的表面)側(cè)，直到可完全切斷導(dǎo)體填充部26的集中基板2的層疊方向中途位置為止，在集中基板2上劃刻痕的第一切斷工序；和在該第一切斷工序之后，如圖5所示，從集中基板2的上述第二層疊體22側(cè)表面(以下，稱集中基板2的背面)，在集中基板2上劃刻痕，從而完全割斷集中基板2的第二切斷工序，而制造出來的。
在上述第一及第二切斷工序中，將集中基板2用切割刀切斷。圖6中的陰影線表示切割刀的切斷區(qū)域。
在上述第一切斷工序中，如圖7及圖8所示，用切割刀3，通過從集中基板2的表面?zhèn)瓤痰綄盈B方向的中途位置，而將填充部26完全切斷。
圖9表示第一切斷工序后的集中基板2的狀態(tài)，在這個狀態(tài)下，由于各封裝體部在集中基板2的背面相互連接，故在維持集中基板2的狀態(tài)的同時，在集中基板2的切斷面上露出封裝體1的充填電極部11及覆蓋電極部12的表面。然后，將集中基板2實施燒成后，為了提高對焊錫的潤濕性，對露出的充填電極部11及覆蓋電極部12表面實施鍍金。
之后，如圖10及圖11所示，在第二切斷工序中，用切割刀3，通過從集中基板2的背面?zhèn)葎澘毯?，而將集中基?完全割斷，完成圖1及圖2所示的封裝體1。
再者，本實施方式在第一切斷工序與電鍍工序之間進行燒成，但可不受此限，例如在層疊工序與第一切斷工序之間進行燒成也可以。
上述封裝體1，如圖12乃至圖14所示，使封裝體1的安裝面14以對向于母板30表面的狀態(tài)，即封裝體5的空腔13的開口方向與母板30表面呈平行的狀態(tài)，將一對外部電極10、10焊接在母板30表面上。
在封裝體1的充填電極部11的形成區(qū)域中，如圖13所示，在封裝體1的各充填電極部11表面與母板30表面之間形成錫焊部31，該錫焊部31由母板30表面和露出到安裝面14的充填電極部11的表面之間的基臺部32、和從母板30表面向露出到垂直于安裝面14的側(cè)面上的充填電極部11表面延伸的焊腳部33構(gòu)成。
在充填電極部11的形成區(qū)域中，在露出到安裝面14的充填電極部11表面與母板30表面之間，由于可確保錫焊部31的基臺部32的結(jié)合面積，即安裝面積，所以可使封裝體1與母板30牢固地結(jié)合。
另外，在封裝體1的覆蓋電極部12的形成區(qū)域中，如圖14所示，在封裝體1的各覆蓋電極部12表面與母板30表面之間，形成錫焊部31，該錫焊部31由母板30表面和露出到安裝面14上僅僅一點的覆蓋電極部12的端面之間的基臺部32、從母板30表面向露出到垂直于安裝面14的側(cè)面上的覆蓋電極部12的表面延伸的焊腳部33構(gòu)成。
在覆蓋電極部12的形成區(qū)域中，由于露出到安裝面14的覆蓋電極部12的面積極小，所以在該覆蓋電極部12的安裝面14側(cè)的露出面與母板30表面之間，雖然不能充分確保錫焊部31的基臺部32的結(jié)合面積，即安裝面積，但利用錫焊部31的基臺部32及焊腳部33，也可以使封裝體1與母板30結(jié)合。
在這里，在圖15及圖16所示的以往的封裝體4中，如圖18及圖19所示，由于露出到安裝面44的外部電極40的面積、即安裝面極小，所以有不能充分獲得封裝體4與母板30的結(jié)合強度的問題。
與此相對，根據(jù)本發(fā)明的封裝體1，由于可在形成了充填電極部11的區(qū)域中確保寬闊的安裝面積，所以和以往的封裝體4相比加大了與母板30的結(jié)合強度。
另外，在圖20及圖21所示的以往的封裝體5中，由于外部電極50露出到安裝面54，在該外部電極50的形成區(qū)域中，雖然可確保圖28所示的那樣寬闊的安裝面積，但是在沒有形成外部電極50的區(qū)域中，如圖29所示，封裝體5呈浮起的狀態(tài)，所以就有了封裝體5與母板30的結(jié)合強度不充分的問題。
與此相對，根據(jù)本發(fā)明的封裝體1，在以往的封裝體5中沒有形成外部電極50的區(qū)域中形成覆蓋電極部12，由于即使在該覆蓋電極部12的形成區(qū)域中，也可以使封裝體1與母板30結(jié)合，所以與以往的封裝體5相比，加大了與母板30的結(jié)合強度。
而且，根據(jù)本發(fā)明的封裝體1的制造方法，如圖9所示，在上述第一切斷工序后，封裝體1的充填電極部11及覆蓋電極部12的表面就露出到集中基板2的切斷面，由于對露出的充填電極部11及覆蓋電極部12的表面，以集中基板2的狀態(tài)實施鍍金，所以不會導(dǎo)致封裝體1的制造工序的繁雜化。
再者，本發(fā)明的各部分構(gòu)成不局限于上述實施方式，在發(fā)明技術(shù)方案范圍所記載的技術(shù)范圍內(nèi)可進行各種變形。例如，在本實施方式中，在構(gòu)成封裝體1的所有陶瓷層上，形成充填電極部11及覆蓋電極部12內(nèi)的任何一方，但不受此限，例如，可采用在構(gòu)成封裝體1的多個陶瓷層內(nèi)，在一部分的陶瓷層上形成充填電極部11的同時，在除了形成該充填電極部11的陶瓷層外的其他陶瓷層上，在一部分陶瓷層上形成覆蓋電極部12的構(gòu)成。
權(quán)利要求
1.一種安裝電子零部件用封裝體，其具有多個陶瓷層的層疊結(jié)構(gòu)，并將安裝到基板上時成為接合面的安裝面(14)與層疊方向平行形成，其中，在所述多個陶瓷層內(nèi)的至少一個陶瓷層上，在所述安裝面(14)與垂直于該安裝面(14)的兩個側(cè)面交叉形成的兩個角部上分別形成凹部的同時，向各凹部填充導(dǎo)體膏，以形成露出到安裝面(14)及垂直于該安裝面(14)的側(cè)面上的一對充填電極部(11、11)，在除了形成該充填電極部(11、11)的陶瓷層外的其他陶瓷層內(nèi)的至少一個陶瓷層上，在所述安裝面(14)與垂直于該安裝面(14)的兩個側(cè)面交叉形成的兩個角部上分別形成凹部的同時，在各凹部表面上成膜導(dǎo)電材料，以形成一對覆蓋電極部(12、12)，在安裝時，將所述充填電極部(11、11)及覆蓋電極部(12、12)焊接在所述基板表面上。
2.一種安裝電子零部件用封裝體的制造方法，其是具有多個陶瓷層的層疊結(jié)構(gòu)，并將在往基板上安裝時成為接合面的安裝面(14)與層疊方向平行形成的安裝電子零部件用封裝體的制造方法中，其中具有層疊成為所述多個陶瓷層的多張生片，以制作出具有集中結(jié)構(gòu)的封裝體集中基板(2)的集中基板制作工序，該集中結(jié)構(gòu)將成為一個安裝電子零部件用封裝體(1)的長方體狀的封裝體部排列為矩陣狀；將經(jīng)過集中基板制作工序所得到的封裝體集中基板(2)按每個封裝體部沿著規(guī)定的切斷線切斷的切斷工序，在所述集中基板制作工序中，在將多張生片層疊制作出第一層疊體(21)及第二層疊體(22)的同時，將第一層疊體(21)與第二層疊體(22)疊加而制作出封裝體集中基板(2)，在所述制作第一層疊體(21)的工序中，在構(gòu)成該第一層疊體(21)的多張生片內(nèi)的至少1張生片上，以互相正交的兩根切斷線的交叉位置為中心開設(shè)第一貫通孔，并且向該第一貫通孔內(nèi)部填充導(dǎo)體膏，以形成導(dǎo)體填充部(26)，在所述制造第二層疊體(22)的工序中，在構(gòu)成該第二層疊體(22)的多張生片內(nèi)的至少1張生片上，在以所述交叉位置為中心開設(shè)第二貫通孔的同時，在該第二貫通孔內(nèi)面成膜導(dǎo)電材料，從而形成導(dǎo)電膜(27)，所述切斷工序具有通過從所述封裝體集中基板(2)的第一層疊體(21)側(cè)的表面，沿著所述規(guī)定切斷線劃刻痕，從而在該封裝體集中基板(2)的第二層疊體(22)側(cè)剩下至少1張生片，將導(dǎo)體填充部(26)形成的全部生片切斷的第一切斷工序；在該第一切斷工序之后，對露出到切斷面的導(dǎo)體填充部(26)的表面及導(dǎo)電膜(27)的表面實施鍍金的鍍金工序；和通過沿著所述規(guī)定的切斷線在封裝體集中基板(2)上劃刻痕，從而將所述第一切斷工序切剩下的全部生片切斷的第二切斷工序。
3.一種封裝體集中基板，其具有多個陶瓷層的層疊結(jié)構(gòu)，并且具有將成為一個安裝電子零部件用封裝體的長方形封裝體部排列為矩陣狀的集中結(jié)構(gòu)，通過沿著在互相鄰接的兩個封裝體部之間延伸的規(guī)定切斷線進行切斷，從而切出多個安裝電子零部件用封裝體(1)，其中，在構(gòu)成以互相正交的兩根切斷線的交叉位置為中心集中的四個封裝體部的多個陶瓷層內(nèi)，在至少一個陶瓷層上，以所述交叉位置為中心開設(shè)第一貫通孔，并且向該第一貫通孔填充導(dǎo)體膏，從而形成導(dǎo)體填充部(26)，在除了形成該導(dǎo)體填充部(26)的陶瓷層以外的陶瓷層內(nèi)，在至少一個陶瓷層上，以所述交叉位置為中心開設(shè)第二貫通孔，并且在該第二貫通孔的內(nèi)面成膜導(dǎo)電材料，從而形成導(dǎo)電膜(27)。
全文摘要
本發(fā)明提供一種安裝電子零部件用封裝體。本發(fā)明的封裝體(1)，具有多個陶瓷層的層疊結(jié)構(gòu)，和用于收納發(fā)光元件的空腔(13)，在與空腔(13)的深度方向平行的側(cè)面上形成安裝面(14)的同時，在該安裝面(14)和垂直于該安裝面(14)的兩個側(cè)面交叉形成的兩個角部上，綿延層疊方向的全長形成由充填電極部(11)和覆蓋電極部(12)組成的一對外部電極(10、10)。在安裝時，將一對充填電極部(11、11)及一對覆蓋電極部(12、12)焊接在基板表面上。因此，不會導(dǎo)致制造工序的繁雜化，可加大與母板的結(jié)合強度。
文檔編號H01L23/498GK1841722SQ20061006837
公開日2006年10月4日 申請日期2006年3月30日 優(yōu)先權(quán)日2005年3月31日
發(fā)明者伊藤秀樹, 本鄉(xiāng)政紀(jì), 福山正美, 田口博幸, 高木秀樹 申請人:三洋電機株式會社