專利名稱：半導(dǎo)體激光裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體激光裝置及其制造方法。更具體地，本發(fā)明涉及一種具有互不相同的振蕩波長的兩個(gè)半導(dǎo)體激光器的單片雙波長半導(dǎo)體激光裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
最近幾年，用于記錄和播放光學(xué)信息的大容量DVD驅(qū)動器在各個(gè)領(lǐng)域迅速變得常見了，在視頻播放器領(lǐng)域尤其顯著。非常希望DVD驅(qū)動器能夠讀取傳統(tǒng)記錄媒體，比如CD、CD-R和CD-RW。為了滿足該需求，DVD驅(qū)動器具有用于光學(xué)拾波器的兩個(gè)光源以記錄和播放DVD和CD。用于DVD的那個(gè)是發(fā)射大約650nm波長光的紅色半導(dǎo)體激光器。用于CD的那個(gè)是發(fā)射大約780nm波長光的紅外半導(dǎo)體激光器。
隨著更小的信息處理設(shè)備，比如PC的趨勢，也要求用于DVD和其它記錄媒體的記錄/播放裝置變得更加緊湊和細(xì)長。為此，關(guān)鍵是使得光學(xué)拾波器更小更薄。通過減少光學(xué)部件數(shù)以簡化結(jié)構(gòu)可使得光學(xué)拾波器更小更薄。幫助減少光學(xué)部件數(shù)的一個(gè)方案是將紅色半導(dǎo)體激光器和紅外半導(dǎo)體激光器集成到單個(gè)片中。
作為一個(gè)常規(guī)的已知例子，日本專利申請公開No.11-186651(此后，“專利文獻(xiàn)1”)提出了一種單片半導(dǎo)體激光裝置，其具有集成在單個(gè)半導(dǎo)體襯底上的紅色和紅外半導(dǎo)體激光器。除了兩個(gè)半導(dǎo)體激光器集成到單個(gè)片中的優(yōu)點(diǎn)外，所公開的結(jié)構(gòu)允許諸如準(zhǔn)直透鏡和束分裂器的光學(xué)部件在紅色和紅外半導(dǎo)體激光器之間共享。因此，所公開的結(jié)構(gòu)幫助降低了裝置的尺寸和厚度。
對于這種單片半導(dǎo)體激光裝置，希望在提高光輸出的同時(shí)確保裝置在高輸出功率工作的穩(wěn)定性和可靠性。為此，越來越多的裝置已經(jīng)開始應(yīng)用在激光器端面上形成的實(shí)折射率導(dǎo)引結(jié)構(gòu)和窗口結(jié)構(gòu)。在窗口結(jié)構(gòu)中，該激光器端面附近的帶隙大于激光束發(fā)射的帶隙。為了提高激光器輸出，需要供應(yīng)更大量的電流。隨著供應(yīng)電流的增加，激光器端面的附近容易受到通過非輻射復(fù)合產(chǎn)生的熱量的影響，該非輻射復(fù)合是由端面涂覆膜和激光端面之間存在的接口狀態(tài)所引起的。因?yàn)樵摕崃浚す馄鞲菀讗夯?。然而通過應(yīng)用激光器端面窗口結(jié)構(gòu)，抑制了由熱量引起的激光器惡化。
因?yàn)槠谕t外和紅色激光器都在高的功率上工作，所以這兩個(gè)激光器都必須具有端面窗口結(jié)構(gòu)。
在例如日本專利申請公開No.2001-210907、2002-026447和2001-345514(此后，以所述順序稱為“專利文獻(xiàn)2、3和4”)中公開了本領(lǐng)域中已知的一些制造方法。
圖7說明了具有端面窗口結(jié)構(gòu)的紅色激光裝置，其公開在專利文獻(xiàn)2中。
如圖7A所示，下面這些層在由GaAs構(gòu)成的n型半導(dǎo)體襯底401上以所述的順序外延地增長由GaAs構(gòu)成的n型緩沖層402；由AlGaInP構(gòu)成的n型披覆層403；活性層(具有660nm的振蕩波長的多量子阱結(jié)構(gòu))404；由AlGaInP構(gòu)成的p型第一披覆層405；由GaInP構(gòu)成的蝕刻終止層406；由AlGaInP構(gòu)成的p型第二披覆層407；由GaInP構(gòu)成的p型中間層408；和由GaAs構(gòu)成的p型接觸層409。
接著，利用形成諸如濺射裝置的裝置的薄膜，ZnO沉積在整個(gè)晶片表面上以形成ZnO薄膜410(未示出)。接著使用光致抗蝕劑來使ZnO薄膜410形成圖案，以便只在后形成的激光器端面的附近留下ZnO薄膜(ZnO薄膜的剩余區(qū)域由附圖標(biāo)記410a表示)。
接著，絕緣薄膜411沉積在整個(gè)晶片表面上。通過熱處理，Zn從每個(gè)ZnO薄膜410擴(kuò)散到層壓的半導(dǎo)體層中。所述熱處理用適合于Zn的到達(dá)活性層(圖7B)的溫度和時(shí)間來實(shí)施。
在Zn所擴(kuò)散的區(qū)域中，活性層404經(jīng)受了結(jié)構(gòu)上的擾亂。結(jié)果，形成了具有比活性層404的帶隙更大的帶隙的窗口結(jié)構(gòu)412。最后，移除每個(gè)ZnO薄膜410a(圖7C)。
眾所周知，GaAs材料的Zn擴(kuò)散系數(shù)小于AlGaInP材料。利用這個(gè)屬性，GaAs接觸層409作為Zn擴(kuò)散過程中的Zn擴(kuò)散控制層，使得在每個(gè)端面上穩(wěn)定地形成窗口結(jié)構(gòu)。此外，抑制了窗口結(jié)構(gòu)412中多余的Zn擴(kuò)散。這在將p型第二披覆層407處理成條紋圖案的后續(xù)步驟中是有利的，因?yàn)榉乐沽藢⒋嬖谟趐型第二披覆層407之下的GaInP蝕刻終止層406弄碎。結(jié)果，可形成在形狀上符合激光增益區(qū)域的條紋圖案。
但是，如上所述，GaAs材料的Zn擴(kuò)散系數(shù)相當(dāng)小。因?yàn)榧t外激光器具有基于GaAs的活性層，所以比在具有基于AlGaInP的活性層的紅色激光器中更加難以形成窗口結(jié)構(gòu)。這個(gè)限制可通過分別使紅外和紅色激光器遭受不同的熱處理以達(dá)到基本上相等級別的Zn擴(kuò)散來解決。然而，通過分別執(zhí)行熱處理，為了窗口結(jié)構(gòu)形成而首先處理的激光器在為另一個(gè)激光器實(shí)施熱處理時(shí)遭受了不必要的熱量。多余的熱量引入了半導(dǎo)體中缺陷的出現(xiàn)。此外，Zn過多的擴(kuò)散致使減小了在激光增益區(qū)域的活性層的可靠性。
現(xiàn)在轉(zhuǎn)到專利文獻(xiàn)3，它公開了替代GaAs，AlGaAs被用于p型接觸層以便于Zn擴(kuò)散。結(jié)果，即使在使用GaAs材料的紅外激光器中，也形成了具有良好可控性和高再現(xiàn)性的窗口結(jié)構(gòu)。
現(xiàn)在轉(zhuǎn)到專利文獻(xiàn)4，它公開了紅外和紅色激光器的活性層各自在厚度上得到優(yōu)化。這些每個(gè)都具有最佳厚度的活性層允許Zn通過單次熱處理就被不適當(dāng)擴(kuò)散，以在兩個(gè)激光器中形成窗口結(jié)構(gòu)。

發(fā)明內(nèi)容
然而不幸的是，即使利用了專利文獻(xiàn)3和4中公開的技術(shù)，仍然存在與具有集成在單個(gè)襯底上的紅外激光器單元和紅色激光單元的單片雙波長半導(dǎo)體激光裝置有關(guān)的下列缺點(diǎn)。即是，仍然難以同時(shí)為這兩個(gè)激光器單元形成窗口結(jié)構(gòu)，同時(shí)又優(yōu)化這兩個(gè)激光器單元的性能。
更具體地，根據(jù)專利文獻(xiàn)3中公開的方法，AlGaAs接觸層需要以相對高的組成率包含Al，以便達(dá)到基本上與在AlGaInP材料中相等的Zn擴(kuò)散。然而，隨著AlGaAs中Al含量的增加，電阻率增加了。結(jié)果，紅外激光器單元的整體電阻率增加了，這對于高功率輸出是不利的。
然而，專利文獻(xiàn)4中公開的方法也具有下列的缺點(diǎn)?；钚詫訉τ赯n擴(kuò)散的最佳厚度可能不是對于激光器單元性能的最佳厚度。因此，難以確定滿足最佳Zn擴(kuò)散和各個(gè)激光器單元的最佳性能的要求的活性層厚度。
此外，在制造單片雙波長激光裝置中，相同的材料被用于紅色和紅外激光器單元的披覆層，以減少制造步驟數(shù)。通常，披覆層由AlGaInP材料構(gòu)成。在該情況下，可為最佳性能調(diào)整各個(gè)披覆層的成分。結(jié)果，紅色和紅外激光器單元的披覆層在Zn擴(kuò)散系數(shù)上互不相同。只通過鏈接活性層的厚度是不能調(diào)節(jié)該差異的。
本發(fā)明涉及一種具有單結(jié)構(gòu)的單片雙波長半導(dǎo)體激光裝置的制造方法，并旨在允許紅外和紅色激光器單元的活性層通過一起熱擴(kuò)散Zn而被擾亂，同時(shí)保證該裝置的高可靠性。
力圖滿足上述目標(biāo)，單片半導(dǎo)體激光裝置包括放置在單個(gè)襯底上的第一半導(dǎo)體激光器單元和第二半導(dǎo)體激光器單元。第一半導(dǎo)體激光器單元可操作用來發(fā)射第一波長的光。第二半導(dǎo)體激光器單元可操作用來發(fā)射第二波長的光。第一半和第二半導(dǎo)體激光器單元的每個(gè)都包括雙雜型結(jié)構(gòu)。該雙雜型結(jié)構(gòu)由以所述的順序?qū)訅旱牡谝粋鲗?dǎo)率類型的披覆層、活性層、第二傳導(dǎo)率類型的披覆層和接觸層組成。第一和第二半導(dǎo)體激光器單元各自接觸層的厚度互不相同。
利用上面的根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體激光裝置，第一和第二激光器單元的接觸層在薄膜厚度上互不相同。薄膜厚度的差異用來抑制在第一和第二激光器單元之間雜質(zhì)分布的不平衡的趨勢，該不平衡是由各個(gè)激光裝置中使用的材料的差異所引起的。結(jié)果，可同時(shí)優(yōu)化這兩個(gè)激光器單元的活性層和披覆層。
更具體地，假設(shè)兩個(gè)激光器單元的每一個(gè)都具有相同厚度的接觸層。在該情況下，在具有由允許更少的雜質(zhì)被擴(kuò)散的材料構(gòu)成的接觸層的激光器單元之一中，在形成窗口結(jié)構(gòu)的階段更少的雜質(zhì)被擴(kuò)散。
另一方面，在第一和第二半導(dǎo)體激光器單元的接觸層彼此不同的情況下，在形成窗口結(jié)構(gòu)的階段，在具有較厚接觸層的激光器單元中更少的雜質(zhì)被擴(kuò)散。
即是，在第一激光器單元的活性層由具有比第二激光器單元的材料更小的雜質(zhì)擴(kuò)散系數(shù)的材料構(gòu)成的情況下，使第一激光器單元的接觸層比第二激光器單元的接觸層更薄。結(jié)果，為了形成窗口結(jié)構(gòu)，通過一起處理這兩個(gè)激光器單元，第一和第二激光器單元經(jīng)受了相同級別的雜質(zhì)擴(kuò)散。
如上所述，由允許較少雜質(zhì)擴(kuò)散的材料構(gòu)成的第一和第二半導(dǎo)體激光器單元中的一個(gè)具有比另一個(gè)半導(dǎo)體激光器單元接觸層更薄的接觸層。利用這種安排，通過實(shí)施形成窗口結(jié)構(gòu)的過程來獲得均勻雜質(zhì)擴(kuò)散的兩個(gè)激光器單元。即是，因?yàn)榭赏瑫r(shí)為第一和第二半導(dǎo)體激光器單元形成窗口結(jié)構(gòu)，因此在整個(gè)制造過程中只要求執(zhí)行窗口結(jié)構(gòu)形成步驟一次。因此，可減少處理步驟數(shù)并由此降低制造成本。此外，因?yàn)檫@些半導(dǎo)體激光器單元都不需要冗余地經(jīng)受熱處理步驟。因此，防止了由這種過多的熱處理引起的雜質(zhì)到活性層的過多的擴(kuò)散，這導(dǎo)致了提高半導(dǎo)體激光單元的可靠性。
本發(fā)明的上述半導(dǎo)體激光器單元可更優(yōu)選地具有下列構(gòu)造。
第一和第二半導(dǎo)體激光器單元的每一個(gè)都可包括具有脊的波導(dǎo)。第一和第二半導(dǎo)體激光器單元可包括覆蓋每個(gè)波導(dǎo)脊的側(cè)表面的電流阻塞層。
第一和第二半導(dǎo)體激光器單元各自的接觸層的厚度彼此相差至少0.01μm。第一和第二半導(dǎo)體激光器單元的每一個(gè)的接觸層厚度可至少為0.05μm。
第一波長可以是780nm的紅外波段，并且第二波長可以是660nm的紅色波段。
第一和第二半導(dǎo)體激光器單元的每一個(gè)的接觸層可由AlxGa1-XAs構(gòu)成，其中0≤x≤0.4。
第一和第二半導(dǎo)體激光器單元的每一個(gè)的接觸層可具有5×1017cm-3或更高的載流子密度。
電流阻塞層可覆蓋至少在對應(yīng)于形成窗口結(jié)構(gòu)處的區(qū)域上的每個(gè)波導(dǎo)脊的上表面。通常，到窗口結(jié)構(gòu)區(qū)域的電流注入引起每個(gè)諧振器端面上的熱生成。然而，因?yàn)殡娏髯枞麑痈采w了每個(gè)窗口結(jié)構(gòu)區(qū)域的上表面，所以抑制了這種熱生成。
第一和第二半導(dǎo)體激光器單元可由一個(gè)隔離槽分開，該隔離槽的內(nèi)表面涂有絕緣薄膜。
力圖滿足上述目標(biāo)，本發(fā)明的另一個(gè)方面提供了一種制造半導(dǎo)體激光裝置的方法。該方法包括第一分層形成步驟，形成第一半導(dǎo)體分層，該第一半導(dǎo)體分層由以所述的順序在半導(dǎo)體襯底上層壓的第一傳導(dǎo)率類型的第一披覆層、第一活性層、第二傳導(dǎo)率類型的第一披覆層和第二傳導(dǎo)率類型的第一接觸層所組成；第一分層移除步驟，移除在對應(yīng)于所述襯底的預(yù)定區(qū)域的部分上的第一半導(dǎo)體分層；第二分層形成步驟，形成第二半導(dǎo)體分層，該第二半導(dǎo)體分層由以所述的順序在所述襯底的預(yù)定區(qū)域上層壓的第一傳導(dǎo)率類型的第二披覆層、第二活性層、第二傳導(dǎo)率類型的第二披覆層和第二傳導(dǎo)率類型的第二接觸層所組成，第二接觸層在厚度上不同于第一接觸層；第二分層移除步驟，移除在對應(yīng)于所述襯底的預(yù)定區(qū)域以外區(qū)域的部分上的第二分層；以及電極形成步驟，在各自的半導(dǎo)體分層上都形成電極對，以形成半導(dǎo)體激光器單元，每個(gè)電極對由在所述襯底的后表面上形成的電極和在各自的半導(dǎo)體分層的波導(dǎo)脊的上表面上形成的電極組成。
利用根據(jù)本發(fā)明的制造方法，第二傳導(dǎo)率類型的第一接觸層又具有與第二傳導(dǎo)率類型的第二接觸層不同的薄膜厚度。因此，對于使用允許較少雜質(zhì)擴(kuò)散的材料的半導(dǎo)體激光器單元中的一個(gè)，使該接觸層比另一個(gè)半導(dǎo)體激光器單元的接觸層更薄。利用這種安排，這兩個(gè)激光器單元在窗口結(jié)構(gòu)形成時(shí)經(jīng)受基本上相同級別的雜質(zhì)擴(kuò)散。
本發(fā)明的上述制造方法可更優(yōu)選的具有下列構(gòu)造。
該制造方法可進(jìn)一步包括雜質(zhì)施加步驟，將雜質(zhì)的源施加到第一和第二半導(dǎo)體分層表面的預(yù)定區(qū)域；和窗口結(jié)構(gòu)形成步驟，熱處理襯底以將雜質(zhì)擴(kuò)散到第一和第二半導(dǎo)體分層中，由此形成窗口結(jié)構(gòu)。
從由Zn和Si組成的組中選擇的一個(gè)可用作為雜質(zhì)。
所述制造方法可進(jìn)一步包括脊形波導(dǎo)形成步驟，通過使第二傳導(dǎo)率類型的第一披覆層和第二傳導(dǎo)率類型的第一接觸層形成圖案，并通過使第二傳導(dǎo)率類型的第二披覆層和第二傳導(dǎo)率類型的第二接觸層形成圖案，來形成兩個(gè)都具有脊的波導(dǎo)。
所述制造方法可進(jìn)一步包括電流阻塞層形成步驟，形成覆蓋兩個(gè)波導(dǎo)每一個(gè)的脊的側(cè)表面的電流阻塞層。
在電流阻塞層形成步驟中，形成電流阻塞層以覆蓋在對應(yīng)于形成窗口結(jié)構(gòu)處的區(qū)域上的每個(gè)波導(dǎo)脊的上表面。
所述制造方法可進(jìn)一步包括接觸層移除步驟，移除在對應(yīng)于各自半導(dǎo)體激光器單元的諧振器的一個(gè)或兩個(gè)端面附近的區(qū)域上的第一和第二接觸層的每一個(gè)。
在接觸層移除步驟中，可在朝著激光增益區(qū)域的方向上從各自諧振器的端面算起相距至少5μm的區(qū)域上移除第一和第二接觸層的每一個(gè)。


結(jié)合說明本發(fā)明的特定實(shí)施例的附圖，根據(jù)下列的描述，本發(fā)明的這些和其它目的、優(yōu)點(diǎn)和特征將更加清楚。
在附圖中圖1A和圖1B分別是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例1的半導(dǎo)體激光裝置的斜視圖和截面圖；圖2A-2D是說明根據(jù)實(shí)施例1的半導(dǎo)體激光裝置的制造方法的步驟的視圖；圖3A和3B是說明接著圖2的制造方法的步驟的視圖；圖4A-4C是說明接著圖3的制造方法的步驟的視圖；圖5A和5B是說明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例2的半導(dǎo)體激光裝置的制造方法的步驟的視圖；圖6A是根據(jù)實(shí)施例2的半導(dǎo)體激光裝置的斜視圖，圖6B和6C是其截面圖；并且圖7A-7C是說明根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的具有端面窗口結(jié)構(gòu)的紅色激光裝置的制造方法的視圖。
具體實(shí)施例方式
下面參考附圖描述本發(fā)明的實(shí)施例。
實(shí)施例1雙波長半導(dǎo)體激光裝置圖1A是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例1的半導(dǎo)體激光裝置的示意性的斜視圖。圖1B是圖1A的沿著線A-A′的截面圖。
根據(jù)本實(shí)施例，該單片雙波長半導(dǎo)體激光裝置由n型GaAs襯底101以及在襯底101上裝配的紅外激光器單元110和紅色激光器單元120組成。每個(gè)激光器單元都具有下列構(gòu)造。
所述紅外激光器單元110具有下列以所述的順序在n型GaAs襯底101上層壓的層n型GaAs緩沖層102；n型(AlxGa1-x)yIn1-yP披覆層103；基于GaAs/AlGaAs的活性層104；p型(AlxGa1-x)yIn1-yP第一披覆層105；p型GaInP蝕刻終止層106；具有脊形的p型(AlxGa1-x)yIn1-yP第二披覆層107；p型GaInP中間層108；和p型GaAs接觸層109。
另一方面，紅色激光器單元120具有下列以所述的順序在n型GaAs襯底101上層壓的層n型GaAs緩沖層112；n型(AlxGa1-x)yIn1-yP披覆層113；基于GaInP/AlGaInP的活性層114；p型(AlxGa1-x)yIn1-yP第一披覆層115；p型GaInP蝕刻終止層116；具有脊形的p型(AlxGa1-x)yIn1-yP第二披覆層117；p型GaInP中間層118；和p型GaAs接觸層119。
此外，形成電流阻塞層132以覆蓋脊形第二披覆層107和117的側(cè)表面以及蝕刻終止層106和116的上表面。在各自激光器單元的端面附近的每個(gè)區(qū)域中形成窗口結(jié)構(gòu)131。
這里，GaAs接觸層109和119已經(jīng)被蝕刻，以移除其存在于窗口結(jié)構(gòu)131之上的區(qū)域。
紅外激光器單元110和紅色激光器單元120由通過蝕刻所形成的隔離槽130電絕緣，以暴露n型襯底101的區(qū)域。隔離槽130的內(nèi)表面涂有絕緣薄膜。通過有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積(Metal-OrganicChemical Vapor Deposition，MOCVD)來形成紅外和紅色激光器單元110和120的這些層。
本實(shí)施例的特征在于，紅外激光器單元110的p型GaAs接觸層109薄于紅色激光器單元120的p型GaAs接觸層119。更具體地，紅外激光器單元的接觸層109測量的厚度為0.1μm，而紅色激光器單元的接觸層119測量的厚度為0.2μm。
另一個(gè)特征在于，GaAs接觸層109和119已經(jīng)被蝕刻，以移除其存在于窗口結(jié)構(gòu)131之上的區(qū)域。在下面關(guān)于雙波長半導(dǎo)體激光裝置的制造方法的描述中，將對于提供不同厚度的接觸層以及移除存在于窗口結(jié)構(gòu)之上的接觸層的區(qū)域的效果給出解釋。
雙波長半導(dǎo)體激光裝置的制造方法下面描述了具有上述結(jié)構(gòu)的雙波長半導(dǎo)體激光裝置的制造方法。在該描述中，參考了圖2、3和4，這些圖中的每一個(gè)都是說明該制造方法步驟的橫截圖。
首先如圖2A所示，在n型GaAs襯底201上利用MOCVD順序地形成了下列層n型GaAs緩沖層202；n型(AlxGa1-x)yIn1-yP披覆層203；基于GaAs/AlGaAs的活性層204；p型(AlxGa1-x)yIn1-yP第一披覆層205；p型GaInP蝕刻終止層206；p型(AlxGa1-x)yIn1-yP第二披覆層207；p型GaInP中間層208；和p型GaAs接觸層209。
在該實(shí)施例中，每個(gè)披覆層由(AlxGa1-x)yIn1-yP構(gòu)成，其中x＝0.7并且y＝0.5。
接著如圖2B所示，利用光刻法和濕蝕刻技術(shù)來移除上述層壓的體部的一部分。這里，所移除的部分對應(yīng)于要在其上形成紅色激光器單元120的襯底的區(qū)域。也就是說，在對應(yīng)于紅外激光器區(qū)域210的部分上的層壓的體部保持未移除。
執(zhí)行圖2B中所示蝕刻，以移除n型GaAs緩沖層202之上每一層的對應(yīng)部分，使得n型GaAs襯底201的表面被部分暴露。為了精確執(zhí)行選擇性蝕刻，用鹽酸作為蝕刻劑來蝕刻包含P的半導(dǎo)體層，并且用硫酸作為蝕刻劑來蝕刻包含As的半導(dǎo)體層。
接著如圖2C所示，在包括其暴露表面的襯底201的區(qū)域上利用MOCVD順序地形成了下列層n型GaAs緩沖層212；n型(AlxGa1-x)yIn1-yP披覆層213；基于GaInP/AlGaInP的活性層214；p型(AlxGa1-x)yIn1-yP第一披覆層215；p型GaInP蝕刻終止層216；和p型(AlxGa1-x)yIn1-yP第二披覆層217；p型GaInP中間層218；和p型GaAs接觸層219。
在該實(shí)施例中，每個(gè)披覆層由(AlxGa1-x)yIn1-yP構(gòu)成，其中x＝0.7并且y＝0.5。
如圖2C所示，作為該步驟的結(jié)果，還在紅外激光器區(qū)域210上層壓上述的層。
接著如圖2D所示，從紅外激光器區(qū)域210移除為形成紅色激光器單元而層壓的層。結(jié)果，只在紅色激光器區(qū)域220中保留了紅色激光器單元的層。此外，利用光刻法和濕蝕刻技術(shù)形成隔離槽230，使得紅外激光器單元110和紅色激光器單元120相分離。
因?yàn)榻M成紅色激光器單元120的每一層都是包含P的半導(dǎo)體層，所以鹽酸被用作為蝕刻劑。
注意到，在形成接觸層的步驟中，紅外激光器單元的p型GaAs接觸層209薄于紅色激光器單元的p型GaAs接觸層219。由于厚度上的差異，在形成端面窗口結(jié)構(gòu)231的后續(xù)步驟中確保Zn的均勻熱擴(kuò)散。
此外，在電極形成之前，每個(gè)接觸層都隨后經(jīng)歷了從該接觸層的表面移除氧化薄膜的步驟或者蝕刻該接觸層的步驟?？紤]到以上內(nèi)容，每個(gè)接觸層在形成該層之時(shí)測量的厚度為0.05μm是所期望的。
在本實(shí)施例中，形成厚度為0.2μm的p型GaAs接觸層219，而形成厚度為0.1μm的p型GaAs接觸層209。
接著，通過下列步驟來形成端面窗口結(jié)構(gòu)231。
如圖3A所示，通過濺射在n型襯底201的整個(gè)表面上沉積ZnO(未示出)。然后，對ZnO的沉積形成圖案，以使ZnO層只存留于距離激光器解理面向內(nèi)伸展大約20μm的區(qū)域中(在圖中區(qū)域213顯示為對角陰影區(qū))。此外，SiO2薄膜(未示出)作為帽薄膜沉積在包括ZnO層表面的襯底201的整個(gè)表面上。
接著，通過熱處理，在半導(dǎo)體層的緊接ZnO層之下存在的區(qū)域上，Zn被熱擴(kuò)散到半導(dǎo)體層中。結(jié)果，擾亂了活性層的ZnO擴(kuò)散的區(qū)域并因此形成了窗口結(jié)構(gòu)231。
根據(jù)本實(shí)施例的方法，形成了具有厚度互不相同的紅外激光器單元的p型GaAs接觸層209和紅色激光器單元的p型GaAs接觸層219。由于厚度差異，這兩個(gè)激光器單元的活性層和披覆層中的雜質(zhì)擴(kuò)散一起被優(yōu)化。也就是說，防止了一個(gè)或另一個(gè)激光器單元的活性層和披覆層中不足或過多的Zn擴(kuò)散。
為給出進(jìn)一步的解釋，紅外激光器單元的p型GaAs接觸層209的厚度不同于紅色激光器單元的p型GaAs接觸層219的厚度。在來自在各自的接觸層上沉積的相同擴(kuò)散源的相同熱條件下對Zn進(jìn)行熱擴(kuò)散。自然地，紅外和紅色激光器單元展現(xiàn)出通過各自接觸層的不同擴(kuò)散輪廓。較薄的紅外激光器單元的接觸層允許更多的Zn經(jīng)過它被擴(kuò)散。
在另一方面，應(yīng)當(dāng)注意到，紅外激光器單元的活性層是包含As的半導(dǎo)體層，而紅色激光器單元的活性層是包含P的半導(dǎo)體層。通常，包含As的半導(dǎo)體層的Zn的熱擴(kuò)散系數(shù)小于包含P的半導(dǎo)體層。
考慮這兩個(gè)因素，紅色激光器單元具有Zn熱擴(kuò)散系數(shù)較小的活性層，并具有較薄的接觸層，從而允許擴(kuò)散更多的Zn。利用這種安排，基本上在這兩個(gè)激光器單元各自的活性層之間平衡了Zn的擴(kuò)散程度。
接著，在紅外和紅色激光器區(qū)域210和220的每一個(gè)上形成SiO2薄膜(未示出)。接著，利用光刻法和濕蝕刻技術(shù)，將該SiO2薄膜處理成條紋掩模圖案(未示出)。利用該條紋掩模圖案，如圖3B所示的蝕刻紅外激光器單元的第二披覆層207和紅色激光器單元的第二披覆層217，而到達(dá)到蝕刻終止層206和216的深度。結(jié)果，披覆層207和217的每一個(gè)都形成脊。
通過聯(lián)合使用濕和干蝕刻來執(zhí)行如圖3B所示的蝕刻，濕和干蝕刻利用了電感耦合的等離子區(qū)或電抗性等離子區(qū)。
接著，利用氧化氟作為蝕刻劑來移除掩模圖案。此外，利用光刻法和濕蝕刻技術(shù)，移除在其區(qū)域上(未示出)的p型GaAs接觸層209和219，所述每個(gè)區(qū)域朝著各自的激光增益區(qū)域在相應(yīng)的窗口結(jié)構(gòu)231之外擴(kuò)展了25μm。這里，硫酸被用作蝕刻劑來蝕刻接觸層。
接著，如圖4A所示，通過在整個(gè)晶片表面上沉積絕緣薄膜來形成電流阻塞層232。接著，利用光刻法和濕蝕刻技術(shù)來部分地移除該絕緣薄膜，以便暴露除了對應(yīng)于Zn擴(kuò)散區(qū)域的上表面區(qū)域之外的脊形披覆層207和217的每一個(gè)的上表面，在該Zn擴(kuò)散區(qū)域中接觸層209和219已經(jīng)通過蝕刻被移除。
圖4B是圖4A沿著線A-A′的截面圖，并示出了激光增益區(qū)域的橫截面。圖4C是圖4A沿著線B-B′的截面圖，并示出了窗口結(jié)構(gòu)的橫截面。
如圖4C所示，在窗口結(jié)構(gòu)231的區(qū)域上已經(jīng)移除了接觸層209和219。電流阻塞層232覆蓋了由于接觸層的移除而暴露的脊的上表面區(qū)域。利用這種排列。在驅(qū)動激光器單元時(shí)，沒有電流注入到窗口結(jié)構(gòu)231的區(qū)域中。因此，抑制了由于響應(yīng)注入電流在諧振器端面上生成的熱量引起的惡化，這導(dǎo)致對驅(qū)動可靠性的保證。
為了適當(dāng)?shù)胤乐闺娏髯⑷氲酱翱诮Y(jié)構(gòu)231的區(qū)域中，在朝著各自增益區(qū)域的方向上，移除接觸層209和219超過每個(gè)窗口結(jié)構(gòu)231的區(qū)域至少5μm，并且電流阻塞層232需要覆蓋由于接觸層的移除而暴露的脊的上表面區(qū)域。然而，如果接觸層被移除得過多，將存在不期望的由于電阻增加而引起的性質(zhì)波動的可能性。例如，激光器單元的電流-光輸出性質(zhì)的閾值可能波動。為了抑制該波動，將每個(gè)移除的區(qū)域保持在距離激光器端面8μm內(nèi)是所期望的。
最后，在n型襯底201上層壓的最上層的表面上形成p電極(未示出)，并且在襯底201的后表面形成n電極(未示出)。
如上所述，根據(jù)本實(shí)施例，為了控制為形成窗口結(jié)構(gòu)而實(shí)行的Zn擴(kuò)散，使各自激光器單元的GaAs接觸層在厚度上彼此不同。因此，各自激光器單元的活性層在相同的退火條件下被均勻地?cái)_動，以得到均勻的成分。
此外，因?yàn)樵谙嗤耐嘶饤l件下一起實(shí)行這兩個(gè)激光器單元的Zn擴(kuò)散，所以減少了制造步驟數(shù)。此外，提高了裝置的可靠性。更具體地，當(dāng)通過在不同的條件下的多個(gè)熱處理來形成每個(gè)激光器單元的窗口結(jié)構(gòu)時(shí)，激光器單元肯定會經(jīng)受不必要的受熱歷程，這很可能降低激光器單元的可靠性。然而，根據(jù)本實(shí)施例，在相同的條件下實(shí)行Zn擴(kuò)散，使得激光器單元都不經(jīng)受不必要的受熱歷程。結(jié)果，提高了激光裝置的制造產(chǎn)量和可靠性。
注意，濕式清理GaAs接觸層209和219的表面是優(yōu)選的，以便降低與電極的接觸電阻并抑制接口狀態(tài)。為此，優(yōu)選的是，接觸層209和219的每一個(gè)測量的厚度至少為0.05μm。即是，紅外激光器單元210的p型GaAs接觸層209測量的厚度至少為0.05μm是優(yōu)選的。
此外，基于活性層204和214之間的Zn擴(kuò)散系數(shù)(描述Zn擴(kuò)散到各自活性層中的速率的系數(shù))的差異，來確定紅外激光器單元210的接觸層209和紅色激光器單元220的接觸層219之間的薄膜厚度的差異(厚度差)。在Zn擴(kuò)散系數(shù)之間的差異較大的情況下，相應(yīng)地將厚度差設(shè)置得較大。
每個(gè)Zn擴(kuò)散系數(shù)取決于GaAS接觸層和p型披覆層的載流子密度?？紤]到本實(shí)施例的紅外和紅色激光器單元210和220的擴(kuò)散系數(shù)之間的差異，厚度差必須至少為0.01μm，優(yōu)選的至少為0.05μm。
此外，為了降低接觸層和電極之間的接觸電阻，適當(dāng)?shù)卦O(shè)置每個(gè)接觸層的載流子密度也是重要的。
簡單地講，為了將接觸層和電極之間的接觸電阻降低到10-5Ω·cm2的量級，接觸層的載流子密度必須為1×1018cm-3或更高。
然而實(shí)際上，激光器單元的電阻不僅由接觸層的接觸電阻來確定，還由脊的寬度來確定。為此，為了將接觸電阻保持在5Ω之內(nèi)，載流子密度必須為5×1017cm-3或更高。
在本實(shí)施例中，p型GaAs接觸層209和219的載流子密度都被設(shè)置為1×1019cm-1。
關(guān)于載流子密度的上限，在晶體成長期間摻雜是可能的并且對于活性層不影響Zn擴(kuò)散的范圍內(nèi)，摻雜濃度可能較高。在本實(shí)施例中，Zn被用作為摻雜劑。
此外，如上所述，通過使紅外激光器單元的GaAs接觸層209和紅色激光器單元的GaAs接觸層219之間的載流子密度有差別，可將由Zn擴(kuò)散所引起的活性層的擾動控制在某個(gè)程度。
因此，除了厚度差之外，還通過使接觸層209和219之間在載流子密度上有差別，用較小的厚度差來適當(dāng)?shù)卣{(diào)整Zn擴(kuò)散。
利用這個(gè)方法，即使當(dāng)這兩個(gè)激光器單元在各自活性層的結(jié)構(gòu)或各自披覆層的厚度和/或成分上有差異時(shí)，兩個(gè)接觸層之間的厚度差可保持相對得小。
通過將厚度差保持為最小值，可到達(dá)各種優(yōu)點(diǎn)。例如，當(dāng)將該單片半導(dǎo)體激光裝置安裝在例如粘著基臺(submount)上，可使激光器單元的光發(fā)射點(diǎn)與參考平面盡可能平行。結(jié)果，不存在影響應(yīng)用該激光裝置的光學(xué)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的限制。
具體地，例如通過將載流子密度大約從1×1019cm-3增加到3×1019cm-3，厚度增加了30％或更多的紅外激光器單元的p型GaAs接觸層209仍然展示了相同級別的Zn擴(kuò)散速率。由此，降低了與紅色激光器的接觸層219的厚度差。
在本實(shí)施例中，GaAs被用作為紅外和紅色激光器單元的p型接觸層。但是可替換地，AlxGa1-XAs(0＜x≤0.4)可用作為接觸層。
由于在每個(gè)接觸層中Al的存在，促進(jìn)了Zn擴(kuò)散到活性層中，尤其是在紅外激光器中。然而，Al的存在使得接觸層的表面更容易氧化并因此增加了由接口狀態(tài)所引起的接觸電阻。為此，將Al的含量x保持到0.4或更低是所期望的。
此外，根據(jù)本實(shí)施例，紅外和紅色激光器單元的披覆層的成分是相同的。然而，可使各自的披覆層的成分在Al、Ga和In的含量上不同。在這種情況下，在調(diào)整接觸層之間的厚度和/或載流子密度的差異時(shí)，需要附加地考慮披覆層的成分差異。
根據(jù)本實(shí)施例，每個(gè)披覆層由基于AlGaInP的材料構(gòu)成。然而，基于GaAs的材料也可用于披覆層。此外，電路阻塞層可由諸如AlInP的半導(dǎo)體材料構(gòu)成。
根據(jù)本實(shí)施例，通過擴(kuò)散Zn來形成窗口結(jié)構(gòu)。然而，可使用除了Zn之外的任何其它雜質(zhì)，一個(gè)例子是Si。
實(shí)施例2圖6A是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例2的半導(dǎo)體激光裝置的斜視圖。圖6B和6C是半導(dǎo)體激光裝置的截面圖。
實(shí)施例2的半導(dǎo)體激光裝置在結(jié)構(gòu)上基本類似于實(shí)施例1的半導(dǎo)體激光裝置。不同之處在于，電流阻塞層由AlInP構(gòu)成。此外，制造方法也與實(shí)施例1不同。下面參考圖5和6來描述第二制造方法。
通過實(shí)施例1的圖2A-3B中所示的相同步驟，形成組成部分波導(dǎo)的脊。
接著，如圖5A所示，利用光刻法來蝕刻SiO2薄膜(未示出)和接觸層309和319，以移除其存在于窗口結(jié)構(gòu)331之上的區(qū)域。
接著，如圖5B所示，有選擇地生長AlInP，以形成電流阻塞層332，而不會移除在接觸層309和319上存在的SiO2掩模圖案。該SiO2掩模圖案已經(jīng)被用來形成脊。由AlInP構(gòu)成的電流阻塞層332在驅(qū)動時(shí)防止電流注入到在端面上形成的窗口結(jié)構(gòu)區(qū)域。
接著，利用光刻法和濕蝕刻技術(shù)，蝕刻電流阻塞層332以移除其生長在隔離槽330上的區(qū)域。利用作為蝕刻劑的鹽酸，有選擇地移除AlInP電流阻塞層332，同時(shí)留下GaAs襯底301和IGaInP披覆層307和317。
接著，如圖6A所示，絕緣材料被沉積，并接著利用光刻法和濕蝕刻技術(shù)來形成圖案，以在隔離槽330的表面上留下絕緣薄膜333。
由于上述的從隔離槽330的表面蝕刻AlInP電流阻塞層332，GaAs襯底301的對應(yīng)區(qū)域變得暴露。將半導(dǎo)體激光裝置與部分暴露的襯底裝配可引起不期望的可能性。例如，芯片焊接材料諸如焊料可突然作用到所述槽。結(jié)果，在紅外激光器單元310和紅色激光器單元320之間可引起短路。然而如上所述，隔離槽330的內(nèi)表面被涂上了絕緣薄膜333。因此，抑制了在裝配時(shí)短路的發(fā)生。
最后，在n型襯底301上層壓的最上層的表面上形成p電極(未示出)，并且在襯底301的后表面形成n電極(未示出)。
實(shí)施例2實(shí)現(xiàn)了針對實(shí)施例1所描述的相同優(yōu)點(diǎn)。此外，防止了裝配時(shí)在激光器單元之間短路的發(fā)生。此外，用AlInP的半導(dǎo)體層組成電流阻塞層，AlInP不吸收由各自激光器單元發(fā)射的光。這對于高的光輸出是有利的。此外，由AlInP構(gòu)成的電流阻塞層具有更高的熱傳導(dǎo)率，并因此具有比諸如SiO2的電介質(zhì)層具有更好的熱耗散。這對于高的光輸出也是有利的。此外，與使用諸如SiO2的電介質(zhì)層的情況比較，利用由AlInP構(gòu)成的電流阻塞層，使構(gòu)成各個(gè)激光器單元的半導(dǎo)體層的折射率之間的差異更小。這對于高的光輸出也是有利的。
盡管根據(jù)實(shí)施例2的電流阻塞層由AlInP構(gòu)成，但是這還適用于使用具有較高Al含量的AlGaInP。這種電流阻塞層具有不吸收由各自激光器單元發(fā)射的光的類似優(yōu)點(diǎn)。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，半導(dǎo)體激光裝置具有單片裝配的紅外激光器單元和紅色激光器單元，并且通過使紅外和紅色激光器單元都經(jīng)受同一個(gè)熱處理來適當(dāng)實(shí)現(xiàn)各自的活性層的擾亂以在每個(gè)端面形成窗口結(jié)構(gòu)。因?yàn)檫@兩個(gè)激光器單元的窗口結(jié)構(gòu)通過一個(gè)熱處理一起形成，所以減少了處理步驟數(shù)，并且激光器單元都不會遭受多余的熱處理。因此，所得到的激光裝置確保高的光輸出和高可靠性。這種激光裝置特別適合于光盤記錄裝置等等。
盡管已經(jīng)通過參考附圖舉例的方式完整地描述了本發(fā)明，應(yīng)當(dāng)注意，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說各種變化和修改是明顯的。因此，除非這種變化和修改偏離了本發(fā)明的范圍，它們就應(yīng)當(dāng)被認(rèn)為包括在其中。
權(quán)利要求
1.一種單片半導(dǎo)體激光裝置，包括放置在單個(gè)襯底上的第一半導(dǎo)體激光器單元和第二半導(dǎo)體激光器單元，第一半導(dǎo)體激光器單元可操作用來發(fā)射第一波長的光，并且第二半導(dǎo)體激光器單元可操作用來發(fā)射第二波長的光，其中，第一和第二半導(dǎo)體激光器單元的每一個(gè)都包括雙雜型結(jié)構(gòu)，該雙雜型結(jié)構(gòu)由以所述的順序?qū)訅旱牡谝粋鲗?dǎo)率類型的披覆層、活性層、第二傳導(dǎo)率類型的披覆層和接觸層構(gòu)成，并且第一和第二半導(dǎo)體激光器單元各自接觸層的厚度互不相同。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的單片半導(dǎo)體激光裝置，其中，第一半導(dǎo)體激光器單元的活性層的材料在雜質(zhì)擴(kuò)散系數(shù)上小于第二半導(dǎo)體激光器單元的活性層的材料，并且第一半導(dǎo)體激光器單元的接觸層比第二半導(dǎo)體激光器單元的接觸層更薄。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的單片半導(dǎo)體激光裝置，其中，第一和第二半導(dǎo)體激光器單元的每一個(gè)都具有因?yàn)橐腚s質(zhì)而在諧振器的一個(gè)或兩個(gè)端面上形成的窗口結(jié)構(gòu)區(qū)域。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的單片半導(dǎo)體激光裝置，其中，第一和第二半導(dǎo)體激光器單元的每一個(gè)都包括具有脊的波導(dǎo)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的單片半導(dǎo)體激光裝置，其中，第一和第二半導(dǎo)體激光器單元包括覆蓋每個(gè)波導(dǎo)脊的側(cè)表面的電流阻塞層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的單片半導(dǎo)體激光裝置，其中，第一和第二半導(dǎo)體激光器單元各自接觸層的厚度彼此相差至少0.01μm。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的單片半導(dǎo)體激光裝置，其中，第一和第二半導(dǎo)體激光器單元的每一個(gè)的接觸層的厚度至少為0.05μm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的單片半導(dǎo)體激光裝置，其中，第一波長是780nm的紅外波段，并且第二波長是660nm的紅色波段。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的單片半導(dǎo)體激光裝置，其中，第一和第二半導(dǎo)體激光器單元的每一個(gè)的接觸層由AlxGa1-XAs構(gòu)成，其中0≤x≤0.4。
10.根據(jù)權(quán)利要求1的單片半導(dǎo)體激光裝置，其中，第一和第二半導(dǎo)體激光器單元的每一個(gè)的接觸層具有5×1017cm-3或更高的載流子密度。
11.根據(jù)權(quán)利要求5的單片半導(dǎo)體激光裝置，其中，電流阻塞層覆蓋至少在對應(yīng)于形成窗口結(jié)構(gòu)之處的區(qū)域上的每個(gè)波導(dǎo)脊的上表面。
12.根據(jù)權(quán)利要求1的單片半導(dǎo)體激光裝置，其中，第一和第二半導(dǎo)體激光器單元由一個(gè)隔離槽分開，該隔離槽的內(nèi)表面涂有絕緣薄膜。
13.一種制造半導(dǎo)體激光裝置的制造方法，包括第一分層形成步驟，形成第一半導(dǎo)體分層，該第一半導(dǎo)體分層由以所述的順序在半導(dǎo)體襯底上層壓的第一傳導(dǎo)率類型的第一披覆層、第一活性層、第二傳導(dǎo)率類型的第一披覆層和第二傳導(dǎo)率類型的第一接觸層所構(gòu)成；第一分層移除步驟，移除在對應(yīng)于所述襯底的預(yù)定區(qū)域的部分上的第一半導(dǎo)體分層；第二分層形成步驟，形成第二半導(dǎo)體分層，該第二半導(dǎo)體分層由以所述的順序在所述襯底的預(yù)定區(qū)域上層壓的第一傳導(dǎo)率類型的第二披覆層、第二活性層、第二傳導(dǎo)率類型的第二披覆層和第二傳導(dǎo)率類型的第二接觸層所構(gòu)成，第二接觸層在厚度上不同于第一接觸層；第二分層移除步驟，移除在對應(yīng)于所述襯底的預(yù)定區(qū)域以外區(qū)域的部分上的第二分層；以及電極形成步驟，在各自的半導(dǎo)體分層上都形成電極對，以形成半導(dǎo)體激光器單元，每個(gè)電極對由在襯底的后表面上形成的電極和在各自半導(dǎo)體分層的波導(dǎo)脊的上表面上形成的電極構(gòu)成。
14.根據(jù)權(quán)利要求13的制造方法，進(jìn)一步包括雜質(zhì)施加步驟，將雜質(zhì)的源施加到第一和第二半導(dǎo)體分層的表面的預(yù)定區(qū)域；和窗口結(jié)構(gòu)形成步驟，熱處理襯底以將雜質(zhì)擴(kuò)散到第一和第二半導(dǎo)體分層中，由此形成窗口結(jié)構(gòu)。
15.根據(jù)權(quán)利要求14的制造方法，其中，從由Zn和Si組成的組中選擇的一個(gè)用作為雜質(zhì)。
16.根據(jù)權(quán)利要求13的制造方法，還包括脊形波導(dǎo)形成步驟，通過使第二傳導(dǎo)率類型的第一披覆層和第二傳導(dǎo)率類型的第一接觸層形成圖案，并通過使第二傳導(dǎo)率類型的第二披覆層和第二傳導(dǎo)率類型的第二接觸層形成圖案，來形成兩個(gè)都具有脊的波導(dǎo)。
17.根據(jù)權(quán)利要求16的制造方法，還包括電流阻塞層形成步驟，形成覆蓋所述兩個(gè)波導(dǎo)每一個(gè)的脊的側(cè)表面的電流阻塞層。
18.根據(jù)權(quán)利要求17的制造方法，其中，在電流阻塞層形成步驟中，形成電流阻塞層以覆蓋在對應(yīng)于形成窗口結(jié)構(gòu)之處的區(qū)域上的每個(gè)波導(dǎo)脊的上表面。
19.根據(jù)權(quán)利要求13的制造方法，還包括接觸層移除步驟，移除在與各自半導(dǎo)體激光器單元的諧振器的一個(gè)或兩個(gè)端面附近相對應(yīng)的區(qū)域上的第一和第二接觸層的每一個(gè)。
20.根據(jù)權(quán)利要求19的制造方法，其中，在接觸層移除步驟中，在朝著激光增益區(qū)域的方向上從各自諧振器的端面算起相距至少5μm的區(qū)域上移除第一和第二接觸層的每一個(gè)。
全文摘要
在一種能高功率輸出的單片雙波長半導(dǎo)體激光裝置中，通過共同的步驟為每個(gè)激光器單元形成窗口結(jié)構(gòu)，由此提高了該裝置的可靠性。該半導(dǎo)體激光裝置具有單片集成在n型半導(dǎo)體襯底101上的紅外激光器單元110和紅色激光器單元120。紅外和紅色激光器單元110和120的每一個(gè)都具有在每個(gè)諧振器端面上由Zn擴(kuò)散形成的脊形波導(dǎo)和窗口結(jié)構(gòu)。紅外和紅色激光器單元110和120包括在各自波導(dǎo)脊上的p型接觸層109和119。p型接觸層109薄于p型接觸層119。
文檔編號H01S5/10GK101047302SQ200610071540
公開日2007年10月3日 申請日期2006年3月28日 優(yōu)先權(quán)日2006年3月28日
發(fā)明者鹿島孝之, 牧田幸治, 吉川兼司 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社