專利名稱：判定半導(dǎo)體工藝條件的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種判斷半導(dǎo)體工藝參數(shù)的方法，尤其涉及一種藉由散射臨界尺寸量測法來判斷晶片曝光時的各工藝參數(shù)的設(shè)定值的方法。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體工藝技術(shù)的進步，先進光刻技術(shù)已使得線寬尺寸突破至100納米以下的半導(dǎo)體元件量產(chǎn)。然而當半導(dǎo)體元件的尺寸不斷的縮小，例如以場效應(yīng)晶體管而言，其溝道長度、結(jié)深度和柵極隔離層厚度等關(guān)鍵尺寸(critical dimension)都會隨工藝而縮?。欢@些關(guān)鍵尺寸在半導(dǎo)體制造過程中必須精確的控制，因為這些關(guān)鍵尺寸的些微變化，將可能造成整個半導(dǎo)體元件的特性改變許多。因此，未來先進工藝里關(guān)鍵尺寸的量測更加重要，快速且高重覆性的量測方法將會大量用于工藝線上檢測，而量測的準確性將直接影響產(chǎn)品元件的良率和可靠性。
近幾年在半導(dǎo)體工藝控制具有潛力的檢測技術(shù)包括先進亮場顯微術(shù)(Bright-field Microscopy)，掃描式電子顯微術(shù)(SEM，Scanning ElectronMicroscopy)，散射術(shù)(Scatterometry)，及原子力顯微術(shù)(Atomic ForceMicroscopy，AFM)等。其中散射儀技術(shù)不管在關(guān)鍵尺寸量測或者輪廓解析的應(yīng)用上都獲致快速的進步。這項技術(shù)還可以提供其他技術(shù)所無法提供的資訊，除了線寬的關(guān)鍵尺寸量測之外，這項技術(shù)也能提供間距(pitch)、側(cè)壁角度(sidewall angles)、高度、以及底層薄膜厚度等結(jié)構(gòu)細節(jié)。因此近來光學(xué)關(guān)鍵尺寸量測已經(jīng)被應(yīng)用于光掩模的制造，用以提供關(guān)鍵尺寸量測與復(fù)雜輪廓分析的方法。在光掩模制造過程中藉由光學(xué)方法測定重要關(guān)鍵尺寸的優(yōu)點在于對光致抗蝕劑不具破壞性，且可以量測小至約40納米的光柵結(jié)構(gòu)關(guān)鍵尺寸，此外裝設(shè)時的廠務(wù)端設(shè)備需求低。
散射儀的量測原理是光束入射于等距式光柵(Periodic gratings)，其散射光的亮度(Intensity)隨光束入射角度變化或波長變化而被記錄為不同的特性圖譜(Signature)，即亮度對角度或波長變化圖(Reflectance vs.angle/wavelength)。散射術(shù)量測法的觀念分成兩部分，包括正向量測和逆向分析。正向量測是指散射儀硬體量測激光被周期性光柵散射的圖譜，而逆向分析是指以理論建立的模型軟件對圖譜的分析比對以提供量測結(jié)構(gòu)的數(shù)據(jù)。逆向分析比對部分通常有兩種方法，第一種是用數(shù)據(jù)庫比對法，是以一繞射理論建立的數(shù)據(jù)庫，當實驗量測得到一散射數(shù)據(jù)，即把它與數(shù)據(jù)庫的數(shù)據(jù)進行比對，找出最接近的模型數(shù)據(jù)。此模型數(shù)據(jù)所代表的結(jié)構(gòu)參數(shù)即為散射儀所測得的結(jié)構(gòu)參數(shù)。第二種是用回歸分析法，是將由散射儀機臺量測出的散射圖譜數(shù)據(jù)與及時輸入結(jié)構(gòu)參數(shù)所計算出的理論圖譜以最佳化搜尋演算法即時進行曲線比對，而根據(jù)量測圖譜與理論推算圖譜之間的差異再逐次修改輸入的結(jié)構(gòu)參數(shù)直到差異降至允許范圍內(nèi)。
然而，在先前技術(shù)中，僅以控制曝光能量來調(diào)整光致抗蝕劑圖案上的關(guān)鍵尺寸，而分析聚焦在工藝中對關(guān)鍵尺寸所造成的影響。而其他工藝中的變數(shù)，例如曝光后烘烤溫度和曝光能量所造成的照亮狀況等因素，所造成的影響則難以從中區(qū)隔。

發(fā)明內(nèi)容
判斷半導(dǎo)體曝光條件的方法，包括提供一具有多個圖形區(qū)的光掩模，各該圖形區(qū)具有多個線條，該多個圖形區(qū)的線條間距是相異；依據(jù)多組設(shè)定值相異的工藝參數(shù)經(jīng)由該光掩模對多個晶片曝光，以于各該晶片上形成多個線條間距相異的圖形區(qū)；量測各該晶片上的各個圖形區(qū)的一臨界尺寸；建立該多個晶片上的多個圖形區(qū)的線條間距與相對應(yīng)的多個臨界尺寸的多組對應(yīng)關(guān)系，各該晶片上的多個圖形區(qū)的線條間距與相對應(yīng)的多個臨界尺寸是建立有一組對應(yīng)關(guān)系；經(jīng)由該光掩模對一預(yù)測晶片曝光，以于該預(yù)測晶片上形成多個線條間距相異的圖形區(qū)；量測該預(yù)測晶片上的各該圖形區(qū)的一臨界尺寸；建立該預(yù)測晶片上的該多個圖形區(qū)的線條間距與相對應(yīng)的多個臨界尺寸的一組對應(yīng)關(guān)系；由所建立的該多組對應(yīng)關(guān)系中，找出一組對應(yīng)關(guān)系，其是最近似于該預(yù)測晶片所建立的該組對應(yīng)關(guān)系；以及依據(jù)找出的該組對應(yīng)關(guān)系，判斷當該預(yù)測晶片進行曝光時所使用的該多個工藝參數(shù)的設(shè)定值。


圖1為本發(fā)明中用于量測關(guān)鍵尺寸的晶片的示意圖；圖2為本發(fā)明中使用散射關(guān)鍵尺寸量測法量測的示意圖；圖3為圖1的晶片上用于量測關(guān)鍵尺寸的柵欄圖案；圖4為依據(jù)圖2量測出的數(shù)值所得的鄰近輪廓曲線；圖5為依據(jù)鄰近輪廓曲線的差值所制的鄰近輪廓誤差標記曲線；圖6為將待測鄰近輪廓誤差標記與數(shù)據(jù)庫中的鄰近輪廓誤差標記比對的示意圖；圖7為晶片曝光的示意圖；圖8為待測晶片曝光的示意圖；圖9為利用鄰近輪廓誤差標記偵測工藝變動的流程圖；圖10為將待測頻譜鄰近誤差標記與數(shù)據(jù)庫中的頻譜鄰近誤差標記比對的示意圖；圖11為利用頻譜鄰近誤差標記偵測工藝變動的流程圖。
主要元件符號說明31 晶片36 薄膜層37 校準凹槽38 光致抗蝕劑層38A 光致抗蝕劑結(jié)構(gòu)42 管芯42A 切割線52 光致抗蝕劑結(jié)構(gòu)間的間隔60、60A-60I 晶片上的柵欄圖案61 圖案陣列62 側(cè)壁63 側(cè)壁角度64 光致抗蝕劑結(jié)構(gòu)間的間距65 厚度73 光源74 散射儀75 偵測器
110 待測的鄰近輪廓誤差標記120 鄰近輪廓誤差標記的數(shù)據(jù)庫132、134、136、138 鄰近輪廓曲線142、144 鄰近輪廓誤差標記210 待測的頻譜鄰近誤差標記220 頻譜鄰近誤差標記的數(shù)據(jù)庫500 光掩模560A-560I 光掩模上的柵欄圖案570 光源580 曝光系統(tǒng)631 待測晶片660A-660I 晶片上的柵欄圖案具體實施方式
隨著半導(dǎo)體工藝的進步，半導(dǎo)體元件的尺寸不斷的縮小，使鄰近效應(yīng)(proximity effect)越來越重要，而鄰近效應(yīng)可由光刻過程中的某些參數(shù)所影響，例如照明設(shè)定、離焦(defocus)、曝光后烘烤狀態(tài)及光致抗蝕劑的特性等，這些參數(shù)對鄰近效應(yīng)有著不同的影響，本發(fā)明將分別分析這些參數(shù)對鄰近效應(yīng)的影響，而能在半導(dǎo)體制造過程中更精確的發(fā)現(xiàn)及修正問題。
請參照圖1，圖1為本發(fā)明中用于散射關(guān)鍵尺寸量測法(scatterometrycritical dimension metrology)的一晶片31，晶片31包括用以制造集成電路的多個管芯(die)42，而多個切割線42A是用以區(qū)隔多個管芯42，并在制造程序完成后沿著切割線42A將各個管芯42分離；一校準凹槽37是用以在制造過程中初步的校準晶片31的位置；此外，一圖案陣列61包括九柵欄圖案60A-60I，其中柵欄圖案的尺寸、形狀、數(shù)目、在管芯上的位置和柵欄圖形的方向等，皆可因設(shè)計而改變而不限于圖1所示。請同時參照圖2和圖3，圖2為本發(fā)明中使用散射關(guān)鍵尺寸量測法量測的裝置示意圖，其中一散射儀74包括一光源73及一偵測器75；圖中的柵欄圖案60可為任一圖1中柵欄圖案60A-60I；一光致抗蝕劑層38形成于一薄膜層36之上，而多個光致抗蝕劑結(jié)構(gòu)38A構(gòu)成了柵欄圖案60，光致抗蝕劑結(jié)構(gòu)38A有一厚度65、一側(cè)壁62及一側(cè)壁角度63；而光致抗蝕劑結(jié)構(gòu)38A間的間隔52則決定了柵欄圖案60的關(guān)鍵尺寸。在本圖中光致抗蝕劑圖案的厚度65、側(cè)壁角度63、間距64、及間隔52皆可因設(shè)計考量而有所不同。此為量測裝置的設(shè)定，而散射儀的量測原理為本領(lǐng)域者熟知，故不多做贅述。散射關(guān)鍵尺寸量測法的量測雜訊值非常低，其量測雜訊的三個標準差約為1-2納米，因此非常適合本發(fā)明的方法。然而本發(fā)明的方法不僅限于使用散射關(guān)鍵尺寸量測法，任何量測雜訊值相當于此量測雜訊值的關(guān)鍵尺寸量測法皆適用于本發(fā)明的方法。
為分析光刻過程中的參數(shù)的影響，在本發(fā)明的一實施例中使用一個鄰近輪廓誤差標記(Proximity Profile Error Signature，PPES)量化這些參數(shù)的影響，鄰近輪廓誤差標記定義為基準鄰近輪廓與偏移后的鄰近輪廓的差值，而這些鄰近輪廓可由如圖2的散射關(guān)鍵尺寸量測法所量測而推算所得，如圖4所示，圖4為分析某一變數(shù)而使用不同間距對關(guān)鍵尺寸做圖，其包括一量測光致抗蝕劑結(jié)構(gòu)頂部的基準鄰近輪廓曲線134、一量測光致抗蝕劑結(jié)構(gòu)底部的基準鄰近輪廓曲線132、一量測光致抗蝕劑結(jié)構(gòu)頂部的偏移后的鄰近輪廓曲線138及一量測光致抗蝕劑結(jié)構(gòu)底部的偏移后的鄰近輪廓曲線136。而將圖4中量測光致抗蝕劑結(jié)構(gòu)頂部的基準鄰近輪廓曲線134和量測光致抗蝕劑結(jié)構(gòu)頂部的偏移后的鄰近輪廓曲線138的差值，以及量測光致抗蝕劑結(jié)構(gòu)底部的基準鄰近輪廓曲線132和一量測光致抗蝕劑結(jié)構(gòu)底部的偏移后的鄰近輪廓曲線136的差值做圖，即可產(chǎn)生如圖5的一量測光致抗蝕劑結(jié)構(gòu)頂部的鄰近輪廓誤差標記144及一量測光致抗蝕劑結(jié)構(gòu)底部的鄰近輪廓誤差標記142。將每一工藝變數(shù)依此方法產(chǎn)生獨特的鄰近輪廓誤差標記，然后將這些鄰近輪廓誤差標記建立為一數(shù)據(jù)庫，如圖6所示，當欲追蹤造成工藝偏移的原因時，可將此時的鄰近輪廓誤差標記110與數(shù)據(jù)庫中各種工藝變數(shù)的鄰近輪廓誤差標記120做比對，而找出造成工藝偏移的參數(shù)。此外，鄰近輪廓曲線也可以一二元方程式表示，故鄰近輪廓誤差標記也可用代表基準鄰近輪廓的二元方程式與代表偏移后的鄰近輪廓的二元方程式的差值來表示。同時參照圖7、圖8及圖9，本發(fā)明的步驟可歸納如下步驟901開始；步驟902提供一具有多個圖形區(qū)560A-560I的光掩模500，圖形區(qū)560A-560I具有多個線條且線條間距是相異，并對晶片31曝光，以于晶片31上形成多個線條間距相異的圖形區(qū)60A-60I；
步驟903使用散射關(guān)鍵尺寸量測法量測圖形區(qū)60A-60I的臨界尺寸，并依據(jù)圖形區(qū)560A-560I的線條間距與相對應(yīng)的臨界尺寸制作一鄰近輪廓曲線；步驟904若改變工藝參數(shù)則重復(fù)步驟902，否則繼續(xù)步驟905；步驟905將各種工藝參數(shù)的鄰近輪廓曲線與基準鄰近輪廓曲線的差值制作成鄰近輪廓誤差標記數(shù)據(jù)庫；步驟906若欲分析一待測的工藝則至步驟907，否則繼續(xù)步驟911；步驟907經(jīng)由光掩模500對一預(yù)測晶片631曝光，以于預(yù)測晶片631上形成多個線條間距相異的圖形區(qū)660A-660I；步驟908使用散射關(guān)鍵尺寸量測法量測預(yù)測晶片631上的圖形區(qū)660A-660I的臨界尺寸，并依據(jù)圖形區(qū)560A-560I的線條間距與相對應(yīng)的臨界尺寸制作一鄰近輪廓曲線；步驟909將預(yù)測晶片631的鄰近輪廓曲線與基準鄰近輪廓曲線的差值制作成鄰近輪廓誤差標記；步驟910將預(yù)測晶片631的鄰近輪廓誤差標記與鄰近輪廓誤差標記數(shù)據(jù)庫相比對，以分析出預(yù)測晶片631進行曝光時所使用的工藝參數(shù)的設(shè)定值；步驟911結(jié)束。
在本實施例中，步驟901-步驟905的數(shù)據(jù)庫建立可事先制作并儲存，而不需每次比對皆需要重復(fù)建立，此外此方式也可以應(yīng)用于線上作業(yè)時作即時的分析。而在圖7和圖8中的曝光程序僅為示意圖，實際曝光程序可能包括使用光源570對多個光掩模及曝光系統(tǒng)580對晶片曝光及蝕刻等過程來產(chǎn)生晶片31和631上的圖形。
在本發(fā)明的另一實施例中直接采用散射關(guān)鍵尺寸量測法所量測得的頻譜來量化這些參數(shù)，此時頻譜鄰近誤差標記(Spectra Proximity Error Signature)定義為基準頻譜與偏移后的頻譜的差值，而這些頻譜可由如圖2的散射關(guān)鍵尺寸量測法所量測。將基準頻譜與偏移后的頻譜的差值做圖，即可產(chǎn)生如頻譜鄰近誤差標記。然后，將每一工藝變數(shù)依散射關(guān)鍵尺寸量測法所量測得的頻譜建立為一頻譜鄰近誤差標記數(shù)據(jù)庫，如圖10所示，當欲追蹤造成工藝偏移的原因時，可將此時的頻譜鄰近誤差標記210與數(shù)據(jù)庫中各種工藝變數(shù)的頻譜鄰近誤差標記220做比對，而找出造成工藝偏移的參數(shù)。請同時參照圖7、圖8及圖11，本發(fā)明的步驟可歸納如下步驟1101開始；步驟1102提供一具有多個圖形560A-560I的光掩模500，圖形區(qū)560A-560I具有多個線條，線條間距是相異，并對晶片31曝光，以于晶片31上形成多個線條間距相異的圖形區(qū)60A-60I；步驟1103使用散射關(guān)鍵尺寸量測法量測圖形區(qū)60A-60I的臨界尺寸，并依據(jù)圖形區(qū)560A-560I的線條間距與相對應(yīng)的臨界尺寸制作一頻譜曲線；步驟1104若改變工藝參數(shù)則重復(fù)步驟1102，否則繼續(xù)步驟1105；步驟1105將各種工藝參數(shù)的頻譜曲線與基準頻譜曲線的差值制作成頻譜鄰近誤差標記數(shù)據(jù)庫；步驟1106若欲分析一待測的工藝則至步驟1107，否則繼續(xù)步驟1111；步驟1107經(jīng)由光掩模500對一預(yù)測晶片631曝光，以于預(yù)測晶片631上形成多個線條間距相異的圖形區(qū)660A-660I；步驟1108使用散射關(guān)鍵尺寸量測法量測預(yù)測晶片631上的圖形區(qū)660A-660I的臨界尺寸，并依據(jù)圖形區(qū)560A-560I的線條間距與相對應(yīng)的臨界尺寸制作一頻譜曲線；步驟1109將預(yù)測晶片631的頻譜曲線與基準頻譜曲線的差值制作成頻譜鄰近誤差標記；步驟1110將預(yù)測晶片631的頻譜鄰近誤差標記與頻譜鄰近誤差標記數(shù)據(jù)庫相比對，以分析出預(yù)測晶片631進行曝光時所使用的工藝參數(shù)的設(shè)定值；步驟1111結(jié)束。
在本實施例中，步驟1101-步驟1105的數(shù)據(jù)庫建立可事先制作并儲存，而不需每次比對皆需要重復(fù)建立，此外此方式也可以應(yīng)用于線上作業(yè)時作即時的分析。在此實施例中，直接以量測得的頻譜比對，而不需將頻譜轉(zhuǎn)換成關(guān)鍵尺寸的輪廓。
本發(fā)明的方法能在半導(dǎo)體制造過程中分析各種不同參數(shù)對工藝的影響，而能偵測出工藝參數(shù)的改變，而使用輪廓分析及頻譜分析的方法，在使用不同的關(guān)鍵尺寸量測法比對時將更有彈性。
以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例，凡依本發(fā)明權(quán)利要求所做的均等變化與修飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
權(quán)利要求
1.一種判斷半導(dǎo)體曝光條件的方法，包括(a)提供一具有多個圖形區(qū)的光掩模，各該圖形區(qū)具有多個線條，該多個圖形區(qū)的線條間距相異；(b)依據(jù)多組設(shè)定值相異的工藝參數(shù)經(jīng)由該光掩模對多個晶片曝光，以于各該晶片上形成多個線條間距相異的圖形區(qū)；(c)量測各該晶片上的各個圖形區(qū)的一臨界尺寸；(d)建立該多個晶片上的多個圖形區(qū)的線條間距與相對應(yīng)的多個臨界尺寸的多組對應(yīng)關(guān)系，各該晶片上的多個圖形區(qū)的線條間距與相對應(yīng)的多個臨界尺寸是建立有一組對應(yīng)關(guān)系；(e)經(jīng)由該光掩模對一預(yù)測晶片曝光，以于該預(yù)測晶片上形成多個線條間距相異的圖形區(qū)；(f)量測該預(yù)測晶片上的各該圖形區(qū)的一臨界尺寸；(g)建立該預(yù)測晶片上的該多個圖形區(qū)的線條間距與相對應(yīng)的多個臨界尺寸的一組對應(yīng)關(guān)系；(h)由步驟(d)所建立的該多組對應(yīng)關(guān)系中，找出一組對應(yīng)關(guān)系，其是最近似于步驟(g)所建立的該組對應(yīng)關(guān)系；以及(i)依據(jù)步驟(h)所找出的該組對應(yīng)關(guān)系，判斷當該預(yù)測晶片進行曝光時所使用的該多個工藝參數(shù)的設(shè)定值。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括步驟(j)依據(jù)步驟(d)所建立的各組對應(yīng)關(guān)系，建立對應(yīng)于該組對應(yīng)關(guān)系的線條間距與臨界尺寸的一二元方程式。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中步驟(h)是由步驟(j)所建立的該多個二元方程式中，找出一二元方程式，其是最吻合于步驟(g)所建立的該組對應(yīng)關(guān)系。
4.如權(quán)利要求2所述的方法，還包括步驟(k)依據(jù)步驟(g)所建立的該組對應(yīng)關(guān)系，建立對應(yīng)于該組對應(yīng)關(guān)系的線條間距與臨界尺寸的一二元方程式。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其中步驟(h)是由步驟(j)所建立的該多個二元方程式中，找出一二元方程式，其是最吻合于步驟(k)所建立的該二元方程式。
6.如權(quán)利要求4所述的方法，還包括下列步驟(l)根據(jù)于步驟(j)建立的各該二元方程式與一標準二元方程式的差產(chǎn)生一臨近輪廓誤差標記曲線；(m)根據(jù)于步驟(k)建立的該二元方程式與該標準二元方程式的差產(chǎn)生一臨近輪廓誤差標記曲線；以及(n)由步驟(l)所產(chǎn)生的該多個臨近輪廓誤差標記曲線中，找出一臨近輪廓誤差標記曲線，其是最吻合于步驟(m)所產(chǎn)生的該臨近輪廓誤差標記曲線。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中步驟(c)是量測各該晶片上的各個圖形區(qū)中的凸起結(jié)構(gòu)的頂部的臨界尺寸；步驟(f)是量測該預(yù)測晶片上的各個圖形區(qū)中的凸起結(jié)構(gòu)的頂部的臨界尺寸。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中步驟(c)是量測各該晶片上的各個圖形區(qū)中的凸起結(jié)構(gòu)的底部的臨界尺寸；步驟(f)是量測該預(yù)測晶片上的各個圖形區(qū)中的凸起結(jié)構(gòu)的底部的臨界尺寸。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中步驟(c)是量測各該晶片上的各個圖形區(qū)中的凸起結(jié)構(gòu)的頂部及底部的臨界尺寸；步驟(f)是量測該預(yù)測晶片上的各個圖形區(qū)中的凸起結(jié)構(gòu)的頂部及底部的臨界尺寸。
10.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括步驟(o)依據(jù)步驟(i)所判斷出的該多個工藝參數(shù)的設(shè)定值與一組標準設(shè)定值，調(diào)整該多個工藝參數(shù)的設(shè)定值。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，還包括步驟(p)依據(jù)步驟(o)調(diào)整后的該多個工藝參數(shù)的設(shè)定值，經(jīng)由該光掩模對一晶片進行曝光。
12.如權(quán)利要求1所述的方法，其中步驟(c)是藉由一散射臨界尺寸量測法量測各該晶片上的各個圖形區(qū)的一臨界尺寸。
13.如權(quán)利要求1所述的方法，其中步驟(f)是藉由一散射臨界尺寸量測法量測該預(yù)測晶片上的各個圖形區(qū)的一臨界尺寸。
14.一種判斷半導(dǎo)體曝光條件的方法，包括(a)提供一具有多個圖形區(qū)的光掩模，各該圖形區(qū)具有多個線條，該多個圖形區(qū)的線條間距相異；(b)依據(jù)多組設(shè)定值相異的工藝參數(shù)經(jīng)由該光掩模對多個晶片曝光，以于各該晶片上形成多個線條間距相異的圖形區(qū)；(c)量測各該晶片的該多個圖形區(qū)，并據(jù)以產(chǎn)生該晶片的該多個圖形區(qū)的一組頻譜圖；(d)經(jīng)由該光掩模對一預(yù)測晶片曝光，以于該預(yù)測晶片上形成多個線條間距相異的圖形區(qū)；(e)量測該預(yù)測晶片的該多個圖形區(qū)，并據(jù)以產(chǎn)生該預(yù)測晶片的該多個圖形區(qū)的一組頻譜圖；(f)由步驟(c)所產(chǎn)生的該多組頻譜圖中，找出一組頻譜圖，其是最近似于步驟(e)所產(chǎn)生的該組頻譜圖；以及(g)依據(jù)步驟(f)所找出的該組頻譜圖，判斷當該預(yù)測晶片進行曝光時所使用的該多個工藝參數(shù)的設(shè)定值。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，還包括步驟(h)依據(jù)步驟(g)所判斷出的該多個工藝參數(shù)的設(shè)定值與一組標準設(shè)定值，調(diào)整該多個工藝參數(shù)的設(shè)定值。
16.如權(quán)利要求15所述的方法，還包括步驟(i)依據(jù)步驟(h)調(diào)整后產(chǎn)生的該多個工藝參數(shù)的設(shè)定值，經(jīng)由該光掩模對一晶片進行曝光。
17.如權(quán)利要求14所述的方法，其中步驟(c)是藉由一散射臨界尺寸量測法量測各該晶片的該多個圖形區(qū)，并據(jù)以產(chǎn)生該晶片的該多個圖形區(qū)的該多個頻譜圖。
18.如權(quán)利要求14所述的方法，其中步驟(e)是藉由一散射臨界尺寸量測法量測該預(yù)測晶片的該多個圖形區(qū)，并據(jù)以產(chǎn)生該預(yù)測晶片的該多個圖形區(qū)的該多個頻譜圖。
全文摘要
判斷半導(dǎo)體曝光條件的方法，包括提供一具有多個相異線條間距的圖形區(qū)的光掩模，依據(jù)多組設(shè)定值相異的工藝參數(shù)經(jīng)由該光掩模對多個晶片曝光，量測各該晶片上的各個圖形區(qū)的一臨界尺寸，并建立該多個圖形區(qū)的線條間距與相對應(yīng)的多個臨界尺寸的對應(yīng)關(guān)系數(shù)據(jù)庫；經(jīng)由該光掩模對一預(yù)測晶片曝光，以同樣方法建立該預(yù)測晶片上的一組對應(yīng)關(guān)系；由所建立的該對應(yīng)關(guān)系數(shù)據(jù)庫中，找出一組最近似于該預(yù)測晶片所建立的該組對應(yīng)關(guān)系，并依此判斷當該預(yù)測晶片進行曝光時所使用的該多個工藝參數(shù)的設(shè)定值。
文檔編號H01L21/027GK101046636SQ20061007158
公開日2007年10月3日 申請日期2006年3月30日 優(yōu)先權(quán)日2006年3月30日
發(fā)明者周文湛, 于勁, 施繼雄 申請人:聯(lián)華電子股份有限公司