專利名稱：薄膜晶體管陣列面板及其方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管(TFT)陣列面板及其方法，更具體地講，本發(fā)明涉及這樣一種TFT陣列面板及方法，所述TFT陣列面板能夠防止閃爍并能提高含有所述TFT陣列面板的顯示器的畫面質(zhì)量，所述方法用于減小顯示面板中的閃爍。
背景技術(shù)：
TFT陣列面板用作單獨驅(qū)動液晶顯示器(LCD)或有機發(fā)光顯示器(OLED)中的各像素的電路基底。在TFT陣列面板中，傳輸掃描信號的柵極線和傳輸圖像信號的數(shù)據(jù)線彼此交叉，從而限定相鄰的柵極線和數(shù)據(jù)線對之間的像素，在像素處形成連接到柵極線和數(shù)據(jù)線的TFT以及連接到TFT的像素電極。
TFT包括柵極線的一部分，即柵電極；形成溝道的半導(dǎo)體層；數(shù)據(jù)線的一部分，即源電極和漏電極；柵極絕緣層。TFT是根據(jù)通過柵極線傳輸?shù)膾呙栊盘杹韨鬏敾蛑袛嗤ㄟ^數(shù)據(jù)線向像素電極傳輸?shù)膱D像信號的開關(guān)元件。
當(dāng)LCD的面積和分辨率增加時，用于LCD的元件趨于變得輕、薄、小和簡單。為了實現(xiàn)高分辨率，有必要延長數(shù)據(jù)線和柵極線。在這種情況下，當(dāng)在制造TFT陣列面板的過程中層之間的疊置不同時，單個像素的電特性會不同。
通常，由于用來將圖案從光掩模轉(zhuǎn)移到沉積在表面上的抗蝕劑層的光刻工藝的工藝余量，這里光掩模在選定的區(qū)域阻擋抗蝕劑暴露于UV射線，所以有必要在TFT陣列面板中將包括在TFT中的柵電極和漏電極彼此疊置。通常，柵電極和漏電極彼此疊置大約1-2μm。因此，在這樣的TFT中，總存在寄生電容。
當(dāng)在傳統(tǒng)的TFT陣列面板中基于柵極線來垂直或水平排列的數(shù)據(jù)線之間出現(xiàn)疊置誤差時，像素之間柵電極和漏電極之間的疊置量不同。結(jié)果，像素之間寄生電容不一致。當(dāng)整個TFT陣列面板中各像素的寄生電容變化很大時，反沖電壓不同且閃爍增加，從而降低了含有該TFT陣列面板的顯示器的畫面質(zhì)量。
此外，由于像素之間開關(guān)元件的寬/長(W/L)特性不同，所以由于開關(guān)元件之間的電特性不同而會導(dǎo)致TFT陣列面板的可視性降低。
此外，當(dāng)柵極線或數(shù)據(jù)線和像素電極之間出現(xiàn)疊置誤差時，像素之間柵極線或數(shù)據(jù)線和像素電極之間的寄生電容不一致。在這種情況下，閃爍也增加，因而，含有該TFT陣列面板的顯示器的可視性會降低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種用于保持在單個像素中出現(xiàn)均勻的寄生電容的薄膜晶體管(TFT)陣列面板。
通過下面的描述，本發(fā)明的這個和其它特征及優(yōu)點對本領(lǐng)域技術(shù)人員將變得清楚。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例，提供了一種TFT陣列面板，該TFT陣列面板包括柵極線、半導(dǎo)體層、數(shù)據(jù)線、漏電極和像素電極。柵極線設(shè)置在絕緣基底上，并在行方向上延伸且具有柵電極。半導(dǎo)體層設(shè)置在柵電極的上方且與柵電極絕緣。數(shù)據(jù)線具有源電極，源電極與半導(dǎo)體層至少部分疊置，數(shù)據(jù)線還在列方向上延伸以與柵極線交叉并與柵極線絕緣。漏電極與環(huán)繞柵電極的源電極相對，漏電極與半導(dǎo)體層至少部分疊置，并且跨過柵電極。像素電極設(shè)置在所得的包括柵極線、半導(dǎo)體層和數(shù)據(jù)線的結(jié)構(gòu)的上方并與所述所得的結(jié)構(gòu)絕緣，像素電極電連接到漏電極，并被區(qū)域分隔物劃分成多個小區(qū)域。
根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實施例，提供了一種薄膜晶體管陣列面板，該薄膜晶體管陣列面板包括柵極線，設(shè)置在絕緣基底上，并在行方向上延伸且具有柵電極；半導(dǎo)體層，設(shè)置在柵電極的上方且與柵電極絕緣；數(shù)據(jù)線，具有源電極，源電極與半導(dǎo)體層至少部分疊置，數(shù)據(jù)線在列方向上延伸以與柵極線交叉并與柵極線絕緣；漏電極，與環(huán)繞柵電極的源電極相對，并與半導(dǎo)體層至少部分疊置；像素電極，設(shè)置在所得的結(jié)構(gòu)的上方并與所得的結(jié)構(gòu)絕緣，像素電極電連接到漏電極，并被區(qū)域分隔物劃分成多個小區(qū)域；浮置電極，設(shè)置在柵極線的上方并與柵極線絕緣，且與柵極線至少部分疊置。
根據(jù)本發(fā)明的又一示例性實施例，提供了一種薄膜晶體管陣列面板，該薄膜晶體管陣列面板包括柵極線，設(shè)置在絕緣基底上，并在行方向上延伸且具有柵電極；半導(dǎo)體層，設(shè)置在柵電極的上方且與柵電極絕緣；數(shù)據(jù)線，具有源電極，源電極與半導(dǎo)體層至少部分疊置，數(shù)據(jù)線在列方向上延伸以與柵極線交叉并與柵極線絕緣；漏電極，漏電極與環(huán)繞柵電極的源電極相對，并與半導(dǎo)體層至少部分疊置；像素電極，設(shè)置在所得的包括柵極線、半導(dǎo)體層和數(shù)據(jù)線的結(jié)構(gòu)的上方并與所述所得的結(jié)構(gòu)絕緣，像素電極電連接到漏電極，并被區(qū)域分隔物劃分成多個小區(qū)域；浮置電極，設(shè)置在數(shù)據(jù)線的上方并與數(shù)據(jù)線絕緣，且與數(shù)據(jù)線至少部分疊置。
根據(jù)本發(fā)明的再一示例性實施例，提供了一種減小顯示面板中閃爍的方法，該方法包括即使相鄰的像素電極和置于所述像素電極之間的數(shù)據(jù)線或柵極線之間的距離不恒定，在顯示面板的薄膜晶體管陣列面板中也保持均勻的寄生電容。


通過參照附圖詳細描述本發(fā)明的優(yōu)選實施例，本發(fā)明的上述和其它特征及優(yōu)點將變得更加清楚，附圖中圖1是包括根據(jù)本發(fā)明的薄膜晶體管(TFT)陣列面板的液晶顯示器(LCD)的示例性實施例的框圖；圖2是在圖1中示出的LCD中的兩個示例性像素的等效電路圖；圖3是在圖1中示出的示例性TFT陣列面板的等效電路圖；圖4A是根據(jù)本發(fā)明的TFT陣列面板的第一示例性實施例的布局圖；圖4B是沿圖4A中示出的線IVb-IVb′截取的示例性TFT陣列面板的剖視圖；圖4C是設(shè)置在圖4A中示出的示例性TFT陣列面板的上方的示例性濾色器面板的布局圖；圖4D是示出當(dāng)將圖4C中示出的示例性濾色器面板疊加在圖4A中示出的示例性TFT陣列面板上的布局圖；圖5A至圖5D是在制造圖4A中示出的示例性TFT陣列面板的方法的示例性實施例中的順序步驟的剖視圖；圖6A是根據(jù)本發(fā)明的TFT陣列面板的第二示例性實施例的布局圖；圖6B是沿圖6A中示出的線VIb-VIb′截取的示例性TFT陣列面板的剖視圖；
圖6C是示出包括在圖6A中示出的示例性TFT陣列面板中的像素電極、浮置電極和柵極線之間的寄生電容的等效電路圖；圖6D示出了圖6A中示出的示例性TFT陣列面板的改進的示例；圖7A是根據(jù)本發(fā)明的TFT陣列面板的第三示例性實施例的布局圖；圖7B是沿圖7A中示出的線VIIb-VIIb′截取的示例性TFT陣列面板的剖視圖；圖8A是根據(jù)本發(fā)明的TFT陣列面板的第四示例性實施例的布局圖；圖8B是沿圖8A中示出的線VIIIb-VIIIb′截取的示例性TFT陣列面板的剖視圖；圖9A是根據(jù)本發(fā)明的TFT陣列面板的第五示例性實施例的布局圖；圖9B是沿圖9A中示出的線IXb-IXb′截取的示例性TFT陣列面板的剖視圖；圖10A是根據(jù)本發(fā)明的TFT陣列面板的第六示例性實施例的布局圖；圖10B是沿圖10A中示出的線Xb-Xb′截取的示例性TFT陣列面板的剖視圖；圖11A是根據(jù)本發(fā)明的TFT陣列面板的第七示例性實施例的布局圖；圖11B是沿圖11A中示出的線XIb-XIb′截取的示例性TFT陣列面板的剖視圖；圖12A是根據(jù)本發(fā)明的TFT陣列面板的第八示例性實施例的布局圖；圖12B是沿圖12A中示出的線XIIb-XIIb′截取的示例性TFT陣列面板的剖視圖。
具體實施例方式
通過參照下面對優(yōu)選實施例和附圖的詳細描述，本發(fā)明的優(yōu)點和特征及實現(xiàn)其的方法可更易于理解。然而，本發(fā)明可以以多種不同的方式實施，不應(yīng)被解釋為限于這里提出的實施例。此外，提供這些實施例，以使本公開是徹底的和完全的，并將本發(fā)明的構(gòu)思完全傳達給本領(lǐng)域技術(shù)人員，本發(fā)明僅由權(quán)利要求限定。整個說明書中，相同的標(biāo)號表示相同的元件。
現(xiàn)將參照附圖更加全面地描述本發(fā)明，附圖中示出本發(fā)明的優(yōu)選實施例。在附圖中，為清晰起見，夸大了層、膜和區(qū)域的厚度?？梢岳斫猓?dāng)元件諸如層、膜、區(qū)域或基底被稱為在另一元件“上”時，該元件可直接在另一元件上或者也可存在中間元件。
圖1是包括根據(jù)本發(fā)明的薄膜晶體管(TFT)陣列面板的液晶顯示器(LCD)的示例性實施例的框圖，圖2是在圖1中示出的LCD中的兩個示例性像素的等效電路圖，圖3是在圖1中示出的示例性TFT陣列面板的等效電路圖。
參照圖1至圖3，LCD包括TFT陣列面板1、連接到TFT陣列面板1的柵極驅(qū)動器4和數(shù)據(jù)驅(qū)動器5、連接到數(shù)據(jù)驅(qū)動器5的灰度電壓發(fā)生器8、控制其它元件的時序控制器6。
根據(jù)等效電路，TFT陣列面板1包括多條顯示信號線G1(奇)，G1(偶)，...，Gn(奇)，Gn(偶)，D1，...，Dm和連接到顯示信號線G1(奇)至Dm并基本以矩陣方式排列的多個像素Px。
顯示信號線G1(奇)至Dm包括多條柵極線G1(奇)至Gn(偶)和多條數(shù)據(jù)線D1至Dm，其中，柵極線G1(奇)至Gn(偶)中的每條傳輸柵極信號，柵極信號也稱為掃描信號，數(shù)據(jù)線D1至Dm中的每條傳輸數(shù)據(jù)信號。
柵極線G1(奇)至Gn(偶)大致在行方向上延伸并基本彼此平行。柵極線G1(奇)至Gn(偶)成對劃分，每對包括奇信號線和偶信號線。數(shù)據(jù)線D1至Dm大致在列方向上延伸并基本彼此平行，且基本垂直于柵極線G1(奇)至Gn(偶)。
例如，包括在TFT陣列面板1中的多條柵極線Gj-1(奇)、Gj-1(偶)、Gj(奇)、Gj(偶)、Gj+1(奇)和Gj+1(偶)彼此鄰近并成對劃分，各對包括在行方向上延伸的奇柵極線和偶柵極線。
各像素包括開關(guān)元件Q1或Q2及液晶電容器C1c和存儲電容器Cst，其中，開關(guān)元件Q1或Q2連接到顯示信號線，例如連接到顯示信號線Gj-1(奇)或Gj-1(偶)和Di，液晶電容器C1c和存儲電容器Cst連接到開關(guān)元件Q1或Q2。
在另一實施例中，可省略存儲電容器Cst。
開關(guān)元件Q1和Q2包括在TFT陣列面板1中，并且是具有柵電極的三接線端元件，其中，開關(guān)元件Q1和Q2的柵電極分別連接到一對奇柵極線和偶柵極線，例如，開關(guān)元件Q1的柵電極連接到柵極線Gj-1(奇)，開關(guān)元件Q2的柵電極連接到柵極線Gj-1(偶)。開關(guān)元件Q1和Q2還包括源電極，源電極共接到在開關(guān)元件Q1和Q2之間延伸的數(shù)據(jù)線，例如共接到數(shù)據(jù)線Di。各開關(guān)元件Q1和Q2的漏電極通過像素電極1a連接到液晶電容器C1c和存儲電容器Cst。
開關(guān)元件Q1和Q2分別位于數(shù)據(jù)線例如Di的右側(cè)和左側(cè)，例如位于第一側(cè)和第二側(cè)。位于數(shù)據(jù)線Di的左側(cè)的開關(guān)元件Q2的柵電極連接到一對奇、偶柵極線中的奇柵極線，例如連接到Gj-1(奇)。位于數(shù)據(jù)線Di的右側(cè)的開關(guān)元件Q1的柵電極連接到一對奇、偶柵極線中的偶柵極線，例如連接到Gj-1(偶)。以這樣的排列形成單個像素行。然而，應(yīng)該理解，本發(fā)明不限于上述的排列。例如，本發(fā)明還可用于包括這樣的數(shù)據(jù)線的TFT陣列面板，即當(dāng)柵極線在行方向上延伸時，該數(shù)據(jù)線延伸以向在行方向上排列的一對像素電極提供一對源電極。例如，本發(fā)明可用于具有這樣的結(jié)構(gòu)的TFT陣列面板，在該結(jié)構(gòu)中，數(shù)據(jù)線延伸至在行方向上位于數(shù)據(jù)線旁邊的一對開關(guān)元件，從而形成各開關(guān)元件的源電極。這里，奇柵極線G1(奇)至Gn(奇)與偶柵極線G1(偶)至Gn(偶)分別成對。每對奇、偶柵極線向一對源電極傳輸柵極信號。
此外，位于單條數(shù)據(jù)線右側(cè)和左側(cè)的各開關(guān)元件Q1和Q2的源電極彼此連接，從而形成單個像素列。
TFT陣列面板1的像素電極1a作為液晶電容器C1c的第一接線端，濾色器面板2的共電極2a作為液晶電容器C1c的第二接線端。設(shè)置在兩個電極1a、2a之間的液晶層3用作電介質(zhì)。像素電極1a連接到開關(guān)元件Q1或Q2的漏電極。共電極2a形成在濾色器面板2的整個表面或基本整個表面上，并供有共電壓Vcom。在另一實施例中，共電極2a可包括在TFT陣列面板1中，兩個電極1a、2a中的至少一個以線形或條形形成在TFT陣列面板1中。
當(dāng)TFT陣列面板1的分離的信號線(未示出)與像素電極1a疊置時可形成存儲電容器Cst，疊置的部分為存儲電容器Cst。分離的信號線可供有固定電壓諸如共電壓Vcom。可選擇地，當(dāng)像素電極1a與柵極線諸如前面的柵極線疊置并在它們之間設(shè)置有絕緣體時可形成存儲電容器Cst。
在各個開關(guān)元件Q1和Q2的漏電極與柵電極之間可形成另外的電容器Cgd。
同時，為了實現(xiàn)彩色顯示，需要通過在與像素電極1a對應(yīng)的區(qū)域中提供紅、綠或藍濾色器2b來使各像素顯示彩色。在其它實施例中，可以以其它的顏色組合來提供濾色器2b。參照圖2，在濾色器面板2上的對應(yīng)區(qū)域中形成濾色器2b?？蛇x擇地，濾色器2b可形成在TFT陣列面板1上的像素電極1a的上方或下方。
使光偏振的偏振器(未示出)附于TFT陣列面板1和濾色器面板2中的至少一個的外部。當(dāng)?shù)谝黄衲ず偷诙衲し謩e設(shè)置在TFT陣列面板1和濾色器面板2上時，第一偏振膜和第二偏振膜根據(jù)液晶層3的排列方向來分別調(diào)節(jié)外部提供到TFT陣列面板1和濾色器面板2中的光的傳播方向。第一偏振膜和第二偏振膜具有基本彼此垂直的第一偏振軸和第二偏振軸。
灰度電壓發(fā)生器8產(chǎn)生兩對灰度電壓，灰度電壓與LCD的明度有關(guān)，且與像素的透射率有關(guān)。一對電壓相對于共電壓Vcom具有正值，另一對電壓相對于共電壓Vcom具有負值。灰度電壓發(fā)生器8向數(shù)據(jù)驅(qū)動器5提供灰度電壓。數(shù)據(jù)驅(qū)動器5通過時序控制器6的控制將為各數(shù)據(jù)線選擇的灰度電壓分別施加到數(shù)據(jù)線作為數(shù)據(jù)信號。
柵極驅(qū)動器4連接到TFT陣列面板1的柵極線G1(奇)至Gn(偶)，并將通過組合外部柵導(dǎo)通電壓Von和外部柵截止電壓Voff而形成的柵極信號供到柵極線G1(奇)至Gn(偶)。
數(shù)據(jù)驅(qū)動器5連接到TFT陣列面板1的數(shù)據(jù)線D1至Dm。數(shù)據(jù)驅(qū)動器5選擇從灰度電壓發(fā)生器8接收的灰度電壓，并通過數(shù)據(jù)線D1至Dm將該灰度電壓作為數(shù)據(jù)信號供到像素。數(shù)據(jù)驅(qū)動器5通常用多個集成電路來實現(xiàn)。
時序控制器6產(chǎn)生用于控制柵極驅(qū)動器4和數(shù)據(jù)驅(qū)動器5的操作的控制信號，并將所述控制信號供到柵極驅(qū)動器4和數(shù)據(jù)驅(qū)動器5。
下面詳細描述具有上述結(jié)構(gòu)的LCD的顯示操作。
時序控制器6從外部圖形控制器(未示出)接收紅、綠、藍視頻信號R、G、B和用于控制視頻信號R、G、B的顯示的輸入控制信號，例如豎直同步信號Vsync、水平同步信號Hsync、主時鐘信號MCLK、數(shù)據(jù)使能信號DE。時序控制器6基于輸入控制信號產(chǎn)生柵極控制信號CONT1和數(shù)據(jù)控制信號CONT2，將視頻信號R、G、B處理成適于TFT陣列面板1的操作條件，并向柵極驅(qū)動器4傳輸柵極控制信號CONT1，向數(shù)據(jù)驅(qū)動器5傳輸數(shù)據(jù)控制信號CONT2和處理后的視頻數(shù)據(jù)R′、G′、B′。
柵極控制信號CONT1包括豎直同步開始信號(STV)，作為掃描開始信號，用于通知幀的開始并指示開始輸出柵導(dǎo)通脈沖(即，柵導(dǎo)通電壓)；至少一個柵極時鐘信號(CPV)，控制柵導(dǎo)通脈沖的輸出時間；輸出使能信號(OE)，用于限定持續(xù)時間并限制柵導(dǎo)通脈沖的寬度。
數(shù)據(jù)控制信號CONT2包括水平同步開始信號(STH)，指示開始輸入視頻數(shù)據(jù)R′、G′、B′；加載信號(LOAD)，指示將對應(yīng)的數(shù)據(jù)電壓加載到數(shù)據(jù)線D1至Dm；反轉(zhuǎn)信號(RVS)，將數(shù)據(jù)電壓相對于共電壓Vcom的極性(下面，稱為“數(shù)據(jù)電壓的極性”)反轉(zhuǎn)；數(shù)據(jù)時鐘信號(HCLK)。
數(shù)據(jù)驅(qū)動器5根據(jù)數(shù)據(jù)控制信號CONT2從時序控制器6順序地接收與一行像素對應(yīng)的視頻數(shù)據(jù)R′、G′、B′，從接收自灰度電壓發(fā)生器8的灰度電壓中選擇與視頻數(shù)據(jù)R′、G′、B′對應(yīng)的灰度電壓，并將視頻數(shù)據(jù)R′、G′、B′轉(zhuǎn)換成數(shù)據(jù)電壓，然后將所述數(shù)據(jù)電壓施加到數(shù)據(jù)線D1至Dm。
柵極驅(qū)動器4根據(jù)從時序控制器6接收的豎直同步開始信號(STV)和柵極時鐘信號(CPV)將具有(1/2)H時長的柵導(dǎo)通電壓Von供到柵極線G1(奇)至Gn(偶)，從而使連接到柵極線G1(奇)至Gn(偶)的開關(guān)元件Q1和Q2導(dǎo)通。單位“1H”等于水平同步信號Hsync、數(shù)據(jù)使能信號DE和柵極時鐘信號(CPV)的一個時間段。
當(dāng)開關(guān)元件Q1和Q2被施加到柵極線G1(奇)至Gn(偶)繼而施加到柵電極的柵導(dǎo)通電壓Von導(dǎo)通時，數(shù)據(jù)驅(qū)動器5將數(shù)據(jù)電壓分別供到數(shù)據(jù)線D1至Dm。供到數(shù)據(jù)線D1至Dm的數(shù)據(jù)電壓分別經(jīng)過導(dǎo)通了的開關(guān)元件Q1和Q2的源電極和漏電極供到像素。
LC層3中的液晶分子的排列根據(jù)由像素電極1a和共電極2a產(chǎn)生的電場的變化而變化，從而改變LC層3所透射的光的偏振。由于附于TFT陣列面板1和濾色器面板2中的至少一個的偏振器，這樣的偏振變化導(dǎo)致光透射率的變化。施加到像素的數(shù)據(jù)電壓和共電壓Vcom之差表示為LC電容器C1c所充的電壓，即像素電壓。LC層3中的LC分子的取向取決于像素電壓的幅度。
以這樣的操作，柵導(dǎo)通電壓Von在單幀時間段期間順序地供到所有的柵極線G1(奇)至Gn(偶)，從而數(shù)據(jù)電壓被供給所有的像素。在一幀結(jié)束后，后幀開始，并且控制施加到數(shù)據(jù)驅(qū)動器5的為數(shù)據(jù)控制信號CONT2的部分的反轉(zhuǎn)信號(RVS)，以使供到各像素的數(shù)據(jù)電壓的極性相對于前幀的數(shù)據(jù)電壓的極性反轉(zhuǎn)(稱為幀反轉(zhuǎn))。這里，在單幀中，根據(jù)反轉(zhuǎn)信號(RVS)的特性，通過一條數(shù)據(jù)線供給的數(shù)據(jù)電壓的極性可變化(稱為線反轉(zhuǎn))，或者供到單行像素的數(shù)據(jù)電壓的極性可彼此不同(稱為點反轉(zhuǎn))。
在排列在根據(jù)本發(fā)明的TFT陣列面板1上的像素中，由于數(shù)據(jù)電壓通過單條數(shù)據(jù)線供到一對像素，所以數(shù)據(jù)線的數(shù)目減半。然而，同時柵極線的數(shù)目加倍。這里，可通過將向柵極線G1(奇)至Gn(偶)供給柵極信號的柵極驅(qū)動器4集成到TFT陣列面板1的一側(cè)或兩側(cè)中來防止TFT陣列面板1的尺寸增加。
因此，本發(fā)明在相同的屏幕尺寸中使像素的數(shù)目加倍，從而實現(xiàn)為傳統(tǒng)技術(shù)的分辨率的兩倍的分辨率。
下面，將描述用于圖1至圖3中示出的LCD的TFT陣列面板的各個實施例。
下面將參照圖4A至圖4D來描述根據(jù)本發(fā)明的TFT陣列面板的結(jié)構(gòu)的第一示例性實施例。
圖4A是根據(jù)本發(fā)明的TFT陣列面板的第一示例性實施例的布局圖，圖4B是沿圖4A中示出的線IVb-IVb′截取的示例性TFT陣列面板的剖視圖，圖4C是設(shè)置在圖4A中示出的示例性TFT陣列面板的上方的示例性濾色器面板的布局圖，圖4D是示出當(dāng)將圖4C中示出的示例性濾色器面板疊加在圖4A中示出的示例性TFT陣列面板上的布局圖。
存儲電容布線28和柵布線設(shè)置在絕緣基底10上?？墒褂糜葾l(或A1合金)形成的單層或者使用具有Al(或Al合金)層和鉬(Mo)(或Mo合金)層的雙層來制作存儲電容布線28和柵布線。
柵布線包括柵極線22，在橫向(例如行方向)上延伸；柵極線接線端24，連接到柵極線22的端部，以從外部接收柵極信號并將該柵極信號傳輸?shù)綎艠O線22；連接到柵極線22的TFT的柵電極26。
使用硅氮化物(SiNx)形成的柵極絕緣層30設(shè)置在基底10上，使得存儲電容布線28和包括柵極線22、柵極線接線端24、柵電極26的柵布線也覆蓋有柵極絕緣層30。
使用半導(dǎo)體材料諸如非晶硅a-Si形成的半導(dǎo)體層40以島形設(shè)置在柵極絕緣層30的與柵電極26對應(yīng)的部分上。由通過以硅化物或高濃度的n型雜質(zhì)對半導(dǎo)體層40摻雜而形成在半導(dǎo)體層40上的材料來形成歐姆接觸層55和56，例如由n+非晶硅a-Si氫化物形成歐姆接觸層55和56。
數(shù)據(jù)布線形成在歐姆接觸層55、56和柵極絕緣層30上。數(shù)據(jù)布線包括數(shù)據(jù)線62，在縱向上(諸如，列方向上)延伸，與柵極線22交叉以限定像素；源電極65，從數(shù)據(jù)線62分支并延伸至歐姆接觸層55的頂部；數(shù)據(jù)線接線端68，連接到數(shù)據(jù)線62的端部并從外部接收圖像信號；漏電極66，與源電極65分開，并在柵電極26的與源電極65相對的一側(cè)設(shè)置在歐姆接觸層56的頂上。為了與外部電路連接，數(shù)據(jù)線接線端68比數(shù)據(jù)線62寬。包括數(shù)據(jù)線62、源電極65、漏電極66和數(shù)據(jù)線接線端68的數(shù)據(jù)布線可具有使用導(dǎo)電膜諸如Al(或Al合金)膜或Mo(或Mo合金)膜形成的單層結(jié)構(gòu)或者使用至少兩層導(dǎo)電膜形成的多層結(jié)構(gòu)。
包括源電極65、漏電極66和柵電極26的開關(guān)元件分別位于數(shù)據(jù)線62的第一側(cè)和第二側(cè)。例如，在數(shù)據(jù)線62左側(cè)的開關(guān)元件連接到從奇柵極線22延伸的柵電極26，在數(shù)據(jù)線62右側(cè)的開關(guān)元件連接到從偶柵極線22延伸的柵電極26，但是本發(fā)明不限于此。左、右開關(guān)元件的排列可改變。此外，本發(fā)明還可用于具有這樣結(jié)構(gòu)的TFT陣列面板，即在所述結(jié)構(gòu)中，單條數(shù)據(jù)線分支以分別為沿柵極線彼此相鄰的一對開關(guān)元件提供源電極，例如，這種結(jié)構(gòu)，在該結(jié)構(gòu)中從單條數(shù)據(jù)線延伸的一對源電極分別用作排在一側(cè)的兩個開關(guān)元件的輸入接線端，所述一側(cè)即數(shù)據(jù)線的左側(cè)或右側(cè)。
如圖4A所示，源電極65與半導(dǎo)體層40的至少一部分疊置。漏電極66與環(huán)繞柵電極26的源電極65相對，并也與半導(dǎo)體層40的至少一部分疊置。源電極65與漏電極66可在半導(dǎo)體層40上彼此平行。
漏電極66跨過柵電極26。如圖4A所示，漏電極66從柵電極26的一側(cè)延伸到柵電極26的相對側(cè)，從而完全跨過柵電極26的寬度。在圖4A中示出的漏電極66基本平行于數(shù)據(jù)線62的縱向延伸部分延伸。在這種情況下，當(dāng)漏電極66在柵電極26形成之后形成時，即使考慮光刻余量和疊置誤差，柵電極26也總與漏電極66疊置。于是，不同像素間柵電極26和漏電極66之間的疊置量總相同。結(jié)果，對于所有的像素，柵電極26和漏電極66之間出現(xiàn)的寄生電容總具有相同值。因為像素間的寄生電容是均勻的，所以保證了含有TFT陣列面板1的顯示器的畫面質(zhì)量。
再參照圖3，來自柵極線的柵極電壓Vg被供到開關(guān)元件Q1的柵電極，來自數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)電壓Vd被供到開關(guān)元件Q1的源電極。液晶電容器C1c和存儲電容器Cst的每個的第一接線端連接到開關(guān)元件Q1的漏電極。存儲電壓Vcs供到存儲電容器Cst的第二接線端，共電壓Vcom供到液晶電容器C1c的第二接線端。當(dāng)施加?xùn)艠O電壓Vg時，開關(guān)元件Q1通過開關(guān)元件Q1的柵電極而導(dǎo)通，數(shù)據(jù)電壓Vd經(jīng)過開關(guān)元件Q1的源電極供到與開關(guān)元件Q1的漏電極連接的像素電極1a，使液晶電容器C1c和存儲電容器Cst充電。像素電極1a的電壓稱為像素電壓Vp，且是實際充在液晶電容器C1c中的電壓。數(shù)據(jù)電壓Vd的極性基于共電壓Vcom周期性反轉(zhuǎn)。然而，當(dāng)開關(guān)元件Q1從導(dǎo)通變?yōu)榻刂箷r，柵極電壓Vg迅速下降，由于柵電極和漏電極之間的寄生電容Cgd而出現(xiàn)的耦合效應(yīng)導(dǎo)致實際充在液晶電容器C1c中的電壓降低反沖電壓Vk。當(dāng)由于反沖電壓Vk而導(dǎo)致充在液晶電容器C1c中的正電荷量與負電荷量不完全相等時，出現(xiàn)耦合效應(yīng)。利用柵極電壓Vg表示反沖電壓Vk，如下式Vk＝{Cgd/(C1c+Cst+Cgd)}×Vg。
反沖電壓Vk受柵電極和漏電極之間的寄生電容Cgd影響。當(dāng)像素間寄生電容Cgd不同(諸如當(dāng)在傳統(tǒng)的TFT陣列面板中出現(xiàn)疊置誤差時導(dǎo)致發(fā)生像素間寄生電容Cgd不同)時，像素間反沖電壓Vk也不同，從而增加了耦合效應(yīng)。結(jié)果，TFT陣列面板的畫面質(zhì)量整體上降低。
然而，在根據(jù)本發(fā)明的TFT陣列面板中，即使出現(xiàn)疊置誤差，所有像素中柵電極26和漏電極66之間的寄生電容實際也具有相同值，因此，防止了耦合效應(yīng)，畫面質(zhì)量在所有像素中是均勻的。具體地講，當(dāng)TFT陣列面板中開關(guān)元件的位置對于像素不同時，由于漏電極66跨過柵電極26，在柵電極26上方延伸并超過柵電極26的相對側(cè)，所以即使柵布線和數(shù)據(jù)布線之間出現(xiàn)疊置誤差，在各像素中寄生電容也幾乎不改變。此外，由于像素間源電極65和漏電極66彼此相對的區(qū)域是規(guī)則的，所以可將開關(guān)元件制成具有相同的W/L。
漏電極66也可形成為完全跨過半導(dǎo)體層40。
保護層70設(shè)置在數(shù)據(jù)布線(62、65、66、68)和通過數(shù)據(jù)布線暴露的半導(dǎo)體層40上。保護層70可使用例如丙烯酸有機絕緣層和利用等離子體增強CVD(PECVD)形成的SiNx層、a-Si:C:O層或a-Si:O:F層(即，低介電常數(shù)化學(xué)氣相沉積(CVD)層)等制成。利用PECVD形成的a-Si:C:O層和a-Si:O:F層具有小于4(具體地講，在2到4之間的值)的介電常數(shù)，因此，即使a-Si:C:O層和a-Si:O:F層薄，也不會出現(xiàn)寄生電容問題。此外，a-Si:C:O層和a-Si:O:F層具有高附著力和臺階覆蓋。此外，由于a-Si:C:O層和a-Si:O:F層是無機CVD層，所以它們的熱阻比有機絕緣層高。由于a-Si:C:O層和a-Si:O:F層具有比SiNx層快4-10倍的沉積速度或蝕刻速度，所以a-Si:C:O層和a-Si:O:F層在制程時間方面占優(yōu)勢。
通過保護層70形成接觸孔76、78，以分別暴露漏電極66和數(shù)據(jù)線接線端68。通過保護層70和柵極絕緣層30形成接觸孔74，以暴露柵極線接線端24。分別暴露柵極線接線端24和數(shù)據(jù)線接線端68的接觸孔74和78可以以各種形狀(諸如但不限于多邊形和圓形)形成。
像素電極82設(shè)置在保護層70上且在像素區(qū)域中，以通過接觸孔76電連接到漏電極66。此外，輔助柵極線接線端86和輔助數(shù)據(jù)線接線端88設(shè)置在保護層70上，以分別通過接觸孔74連接到柵極線接線端24和通過接觸孔78連接到數(shù)據(jù)線接線端68。像素電極82和輔助柵極線接線端86及輔助數(shù)據(jù)線接線端88使用透明導(dǎo)電層諸如氧化銦錫(ITO)層或氧化銦鋅(IZO)層制成。切口圖案可形成在像素電極82中。切口圖案包括水平切口圖案82a，在將像素電極82劃分成上一半和下一半的位置被形成為在水平方向(諸如平行于柵極線22的方向)上延伸；斜切口圖案82b，在斜方向上形成于被劃分的像素電極82的上部分和下部分中。這里，在上部分中的斜切口圖案82b和在下部分中的斜切口圖案82b可形成為彼此垂直，以在四個方向上均勻地分散邊緣場。斜切口圖案82b的部分可如示出的那樣從水平切口圖案82a延伸。雖然示出了在像素電極82中的特定的切口圖案，但是應(yīng)該明白，切口的交錯圖案和數(shù)量可根據(jù)顯示面板的尺寸和各種其它特征而改變。
在可選擇的實施例中，不是在與柵布線(22、24、26)相同的平面上形成存儲電容布線28，取而代之的是像素電極82可形成為與柵極線22疊置，從而形成存儲電容器。
將參照圖4A和圖4B及圖5A至圖5D來詳細描述制造根據(jù)本發(fā)明的TFT陣列面板第一實施例的方法的示例性實施例。圖5A至圖5D是在制造圖4A中示出的示例性TFT陣列面板的示例性方法中的順序步驟的剖視圖。
參照圖5A，用于柵布線的金屬膜(未示出)(諸如多層金屬膜)形成在絕緣基底10的整個表面上，然后被圖案化，從而在水平方向上形成包括柵極線22、柵電極26和柵極線接線端24的柵布線及存儲電容布線28。這里，柵布線(22、24、26)和存儲電容布線28可使用單Al(或Al合金)層或者具有Al(或Al合金)層和Mo(或Mo合金)層的雙層來制成。
接著，參照圖5B，順序堆疊硅氮化物的柵極絕緣層30、用于半導(dǎo)體層的a-Si層(未示出)、摻雜的a-Si層。然后，利用光刻來蝕刻摻雜的a-Si層和用于半導(dǎo)體層的a-Si層，從而以島形形成半導(dǎo)體層40并且在柵電極26上形成摻雜的a-Si層圖案50。
參照圖5C，數(shù)據(jù)金屬層(未示出)形成在圖5B中示出的結(jié)構(gòu)上，并利用使用掩模的光刻來圖案化，從而形成數(shù)據(jù)布線，數(shù)據(jù)布線包括數(shù)據(jù)線62，與柵極線22交叉；源電極65，連接到數(shù)據(jù)線62并延伸到柵電極26的頂部；數(shù)據(jù)線接線端68，連接到數(shù)據(jù)線62的端部；漏電極66，與源電極65分開并與環(huán)繞柵電極26的源電極65相對。
接著，蝕刻通過數(shù)據(jù)布線(62、65、66、68)暴露的摻雜非晶硅層圖案50，從而在柵電極26的相對側(cè)分離地形成歐姆接觸層55、56，并通過歐姆接觸層55、56暴露半導(dǎo)體層40。隨后，可執(zhí)行氧等離子體處理，以使暴露的半導(dǎo)體層40的表面穩(wěn)定。
接下來，參照圖5D，通過沉積有機絕緣材料或者使用CVD生成硅氮化物層、a-Si:C:O層或a-Si:O:F層來形成保護層70。隨后，利用光刻使保護層70和柵極絕緣層30圖案化，從而形成分別暴露柵極線接線端24、漏電極66和數(shù)據(jù)線接線端68的接觸孔74、76和78。僅作為示例，接觸孔74、76和78可被形成為具有多邊形或圓形形狀。
如圖4A和圖4B所示，沉積ITO或IZO，并利用光刻蝕刻，從而形成通過接觸孔76連接到漏電極66的像素電極82、通過接觸孔74連接到柵極線接線端24的輔助柵極線接線端86、通過接觸孔78連接到數(shù)據(jù)線接線端68的輔助數(shù)據(jù)線接線端88。在沉積ITO或IZO之前的預(yù)熱工藝中，可使用氮氣來防止在通過接觸孔74、76和78暴露的金屬層24、66和68的頂部形成金屬氧化層。
圖4C是濾色器面板的布局圖。在濾色器面板的整個表面或基本整個表面上，使用材料諸如ITO或IZO形成共電極99。在共電極99中形成切口圖案。切口圖案包括水平切口圖案99a，一些水平切口圖案99a以水平方向形成在將共電極99劃分成上半部分和下半部分的位置處；斜切口圖案99b，以斜方向形成在上半部分和下半部分中。在上半部分中的斜切口圖案99b可被形成為與在下半部分中的斜切口圖案99b相垂直，以在四個方向上均勻地分散邊緣場。也可提供在縱向上延伸的豎直切口圖案，并且可如示出的那樣連接到斜切口圖案。雖然沒有示出，但是紅、綠或藍過濾器和用于防止光泄漏的黑矩陣形成在濾色器面板的與各像素區(qū)域的周圍相對應(yīng)的區(qū)域中。雖然示出了特定的切口圖案，但是應(yīng)該明白，也可根據(jù)顯示面板的尺寸及其所期望的效果來改變切口的數(shù)量和切口的圖案。
圖4D是示出當(dāng)將圖4C中示出的示例性濾色器面板疊加在圖4A中示出的示例性TFT陣列面板上的布局圖。在疊加的布局圖中，像素電極82的每個斜切口圖案82b位于共電極99的相鄰的斜切口圖案99b之間。
當(dāng)布置并結(jié)合具有上述結(jié)構(gòu)的TFT陣列面板和具有上述結(jié)構(gòu)的濾色器面板，然后以液晶層將液晶材料注到TFT陣列面板和濾色器面板之間并豎直排列時，制成了LCD的基本結(jié)構(gòu)。當(dāng)布置TFT陣列面板1和濾色器面板時，像素電極82的切口圖案82a、82b和共電極99的切口圖案99a、99b將像素區(qū)域劃分成多個小區(qū)域，根據(jù)各小區(qū)域內(nèi)的液晶分子的長軸的一般方向?qū)⑿^(qū)域分成四種類型。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的TFT陣列面板的示例性實施例采用圖案豎直排列(PVA)，在PVA中，切口圖案形成在電極中作為用于實現(xiàn)寬視角的方法。然而，本發(fā)明不限于此，可通過形成電介質(zhì)突出來使用多區(qū)域豎直排列實現(xiàn)寬視角，這將被進一步描述。
下面將參照圖6A至圖6D來詳細描述根據(jù)本發(fā)明的TFT陣列面板的第二示例性實施例的結(jié)構(gòu)。
圖6A是根據(jù)本發(fā)明的TFT陣列面板的第二示例性實施例的布局圖，圖6B是沿圖6A中示出的線VIb-VIb′截取的示例性TFT陣列面板的剖視圖，圖6C是示出包括在圖6A中示出的示例性TFT陣列面板中的像素電極、浮置電極和柵極線之間的寄生電容的等效電路圖，圖6D示出了圖6A中示出的示例性TFT陣列面板的改進的示例。為了描述的清晰，與在圖4A至圖5D中示出的本發(fā)明的第一示例性實施例中的元件具有相同功能的元件以相同的標(biāo)號表示，并將省略對其描述。除了下面描述的特征，在圖6A至圖6D中示出的根據(jù)本發(fā)明的TFT陣列面板的第二示例性實施例與在圖4A至圖5D中示出的根據(jù)本發(fā)明的TFT陣列面板的第一示例性實施例具有基本相同的結(jié)構(gòu)。
參照圖6A至圖6D，第一浮置電極90形成在保護層70上，并且在柵極線22的上方，以與其它的布線絕緣。第一浮置電極90可與像素電極82形成在相同層的相同平面上。
此外，第一浮置電極90可使用與像素電極82相同的材料(例如，透明導(dǎo)電層諸如ITO或IZO層)制成。即，第一浮置電極90可在與像素電極82相同的制造步驟中形成。
通常，在柵極線22和鄰近柵極線22的像素電極82之間出現(xiàn)寄生電容。因此，當(dāng)柵極線22和像素電極82之間出現(xiàn)疊置誤差時，例如，當(dāng)像素電極82從柵極線22上移或下移時，在鄰近于柵極線22的兩個像素之間像素電極82和柵極線22之間的寄生電容不同。具體地講，在像素間開關(guān)元件的位置不同的TFT陣列面板中，像素電極82和柵極線22之間的寄生電容根據(jù)在各像素中柵極線22是位于像素82之上還是位于像素82之下而不同。這個寄生電容的差異會導(dǎo)致反沖電壓的差異。結(jié)果，會劣化LCD的可視性。
然而，在根據(jù)本發(fā)明的TFT陣列面板的第二示例性實施例中，在柵極線22和形成在柵極線22上的第一浮置電極90之間出現(xiàn)寄生電容，該寄生電容用來抑制由于疊置誤差而可能出現(xiàn)的柵極線22和像素電極82之間的寄生電容的改變，使得寄生電容的變化對每個像素的影響減小。
因此，具有本發(fā)明的結(jié)構(gòu)的TFT陣列面板能顯著減小閃爍。
此外，第一浮置電極90可被形成為比柵極線22寬。而且，第一浮置電極90可被形成為在柵極線22的寬度方向上與柵極線22疊置。因此，疊置誤差不影響第一浮置電極90和柵極線22之間的寄生電容。
圖6C是示出包括在圖6A中示出的示例性TFT陣列面板中的像素電極、浮置電極和柵極線之間的寄生電容的等效電路圖。
參照圖6C，第一像素電極82′和第二像素電極82″設(shè)置在柵極線22的相對側(cè)。第一浮置電極90設(shè)置在與柵極線22之上的第一像素電極82′和第二像素電極82″相同層中的相同平面上。柵極線22和第一像素電極82′之間的寄生電容以C1表示。柵極線22和第二像素電極82″之間的寄生電容以C2表示。柵極線22和第一浮置電極90之間的寄生電容以Ca表示。第一浮置電極90和第一像素電極82′之間的寄生電容以Cb表示。第一浮置電極90和第二像素電極82″之間的寄生電容以Cc表示。當(dāng)?shù)谝桓≈秒姌O90在柵極線22的寬度方向上與柵極線22完全疊置時，即使出現(xiàn)疊置誤差，第一浮置電極90和柵極線22彼此相對的區(qū)域也幾乎沒有變化，因此，寄生電容Ca幾乎恒定。此外，因為第一像素電極82′、第一浮置電極90和第二像素電極82″可在同一制造步驟中形成，所以形成在同一平面上的第一像素電極82′、第一浮置電極90和第二像素電極82″之間的距離可總保持恒定，因此，寄生電容Cb和寄生電容Cc幾乎恒定。
在傳統(tǒng)的不包括第一浮置電極90的TFT陣列面板中，當(dāng)柵極線22和像素電極82′、82″之間出現(xiàn)疊置誤差時，柵極線22和第一像素電極82′之間的距離與柵極線22和第二像素電極82″之間的距離不相等，因而寄生電容C1不等于寄生電容C2。因此，布置在柵極線22之上、之下的像素電極82′、82″的反沖電壓彼此不同，從而導(dǎo)致閃爍。
然而，在根據(jù)本發(fā)明的在柵極線22上方具有第一浮置電極90的TFT陣列面板的第二示例性實施例中，柵極線22和第一像素電極82′之間的寄生電容通過寄生電容Ca、Cb、Cc的組合與寄生電容C1之間的并聯(lián)表示。如上所述，由于寄生電容Ca、Cb、Cc總恒定，所以即使寄生電容C1改變，柵極線22和第一像素電極82′之間的寄生電容也幾乎不變并且被最小化。此外，柵極線22和第二像素電極82″之間的寄生電容通過寄生電容Ca、Cb、Cc的組合與寄生電容C2之間的并聯(lián)表示，柵極線22和第二像素電極82″之間的寄生電容幾乎不變并且被最小化。因此，即使柵極線22和像素電極82′、82″之間出現(xiàn)疊置誤差，柵極線22和像素電極82′、82″之間出現(xiàn)的寄生電容也幾乎不變并且被最小化。
在本發(fā)明的第二示例性實施例中，由于漏電極66也被形成為跨過柵電極26，所以第二示例性實施例的TFT陣列面板可實現(xiàn)與第一示例性實施例的TFT陣列面板相同的功能和效果。然而，本發(fā)明不限于此，在可選擇的實施例中漏電極66可具有一般的結(jié)構(gòu)。
圖6D示出了圖6A中示出的示例性TFT陣列面板的改進的示例。參照圖6D，如圖6D的中心部分所示，第一浮置電極90′與在列方向上鄰近的兩個像素電極82的兩條柵極線22疊置。在這樣的結(jié)構(gòu)中，即使柵極線22和像素電極82之間出現(xiàn)疊置誤差，柵極線22和像素電極82之間的寄生電容也幾乎不改變并且被最小化。
下面將參照圖7A和圖7B詳細描述根據(jù)本發(fā)明的TFT陣列面板的第三示例性實施例的結(jié)構(gòu)。
圖7A是根據(jù)本發(fā)明的TFT陣列面板的第三示例性實施例的布局圖，圖7B是沿圖7A中示出的線VIIb-VIIb′截取的示例性TFT陣列面板的剖視圖。為了描述的清晰，與在圖4A至圖5D中示出的本發(fā)明的第一示例性實施例中的元件具有相同功能的元件以相同的標(biāo)號表示，并將省略對其描述。除了下面描述的特征，在圖7A和圖7B中示出的根據(jù)本發(fā)明的TFT陣列面板的第三示例性實施例與在圖4A至圖5D中示出的根據(jù)本發(fā)明的TFT陣列面板的第一示例性實施例具有基本相同的結(jié)構(gòu)。
參照圖7A和圖7B，第二浮置電極92形成在柵極線22之上的柵極絕緣層30上，以與其它布線絕緣。第二浮置電極92可與數(shù)據(jù)線62形成在相同的層內(nèi)且在相同的平面上。
此外，第二浮置電極92可使用與數(shù)據(jù)線62相同的材料制成，例如可使用由Al(或Al合金)形成的單層或者具有Al(或Al合金)層和Mo(或Mo合金)層的雙層來制成。因此，第二浮置電極92可在形成數(shù)據(jù)線62的同一制造步驟中形成。
通常，在柵極線22和鄰近柵極線22的像素電極82之間出現(xiàn)寄生電容。因此，當(dāng)柵極線22和像素電極82之間出現(xiàn)疊置誤差時，例如，當(dāng)像素電極82從柵極線22上移或下移時，在鄰近于柵極線22的兩個像素之間像素電極82和柵極線22之間的寄生電容不同。具體地講，在像素間開關(guān)元件的位置不同的TFT陣列面板中，像素電極82和柵極線22之間的寄生電容根據(jù)在各像素中柵極線22是位于像素82之上還是位于像素82之下而不同。這個寄生電容的差異會導(dǎo)致反沖電壓的差異。結(jié)果，會劣化LCD的可視性。
然而，與本發(fā)明的上述實施例相似，在根據(jù)本發(fā)明的TFT陣列面板的第三示例性實施例中，在柵極線22和形成在柵極線22上的第二浮置電極92之間出現(xiàn)寄生電容，該寄生電容用來抑制由于疊置誤差而可能出現(xiàn)的柵極線22和像素電極82之間的寄生電容的改變，使得寄生電容的變化對每個像素的影響減小。
因此，具有結(jié)合第二浮置電極92的結(jié)構(gòu)的TFT陣列面板能顯著減小閃爍。
此外，第二浮置電極92可被形成為比柵極線22寬。而且，第二浮置電極92可被形成為在柵極線22的寬度方向上與柵極線22完全疊置。因此，由于即使第二浮置電極92相對于柵極線22移位，第二浮置電極92和柵極線22之間的疊置量也保持不變，所以在TFT陣列面板的制造方法中會出現(xiàn)的疊置誤差不影響第二浮置電極92和柵極線22之間的寄生電容。
在本發(fā)明的第三示例性實施例中，由于漏電極66也被形成為跨過柵電極26，所以第三示例性實施例的TFT陣列面板可實現(xiàn)與第一示例性實施例的TFT陣列面板相同的功能和效果。然而，本發(fā)明不限于此，在可選擇的實施例中漏電極66可具有一般的結(jié)構(gòu)。
下面將參照圖8A和圖8B詳細描述根據(jù)本發(fā)明的TFT陣列面板的第四示例性實施例的結(jié)構(gòu)。圖8A是根據(jù)本發(fā)明的TFT陣列面板的第四示例性實施例的布局圖，圖8B是沿圖8A中示出的線VIIIb-VIIIb′截取的示例性TFT陣列面板的剖視圖。為了描述的清晰，與在圖4A至圖5D中示出的本發(fā)明的第一示例性實施例中的元件具有相同功能的元件以相同的標(biāo)號表示，并將省略對其描述。除了下面描述的特征，在圖8A和圖8B中示出的根據(jù)本發(fā)明的TFT陣列面板的第四示例性實施例與在圖4A至圖5D中示出的根據(jù)本發(fā)明的TFT陣列面板的第一示例性實施例具有基本相同的結(jié)構(gòu)。
參照圖8A和圖8B，第三浮置電極94形成在保護層70上，并在數(shù)據(jù)線62之上，以與其它布線絕緣。第三浮置電極94可與像素電極82形成在相同的層內(nèi)且在相同的平面上。
此外，第三浮置電極94可使用與像素電極82相同的材料(例如，由ITO或IZO形成的透明導(dǎo)電層)制成。因此，第三浮置電極94可在與形成像素電極82的步驟相同的制造步驟中制成。
通常，在數(shù)據(jù)線62和鄰近數(shù)據(jù)線62的像素電極82之間出現(xiàn)寄生電容。因此，當(dāng)數(shù)據(jù)線62和像素電極82之間出現(xiàn)疊置誤差時，例如，當(dāng)像素電極82從數(shù)據(jù)線62左移或右移時，在鄰近于數(shù)據(jù)線62的兩個像素之間像素電極82和數(shù)據(jù)線62之間的寄生電容不同。具體地講，在像素間開關(guān)元件的位置不同的TFT陣列面板中，像素電極82和數(shù)據(jù)線62之間的寄生電容根據(jù)在各像素中數(shù)據(jù)線62是位于像素82的左邊還是位于像素82的右邊而不同。這個寄生電容的差異會導(dǎo)致反沖電壓的差異。結(jié)果，會劣化LCD的可視性。
然而，與本發(fā)明的上述實施例相似，在根據(jù)本發(fā)明的TFT陣列面板的第四示例性實施例中，在數(shù)據(jù)線62和形成在數(shù)據(jù)線62上的第三浮置電極94之間出現(xiàn)寄生電容，該寄生電容用來抑制由于疊置誤差而可能出現(xiàn)的數(shù)據(jù)線62和像素電極82之間的寄生電容的改變，使得寄生電容的變化對每個像素的影響減小。
因此，具有這種結(jié)構(gòu)的TFT陣列面板能顯著減小閃爍。
此外，第三浮置電極94可被形成為比數(shù)據(jù)線62寬。而且，第三浮置電極94可被形成為在數(shù)據(jù)線62的寬度方向上與數(shù)據(jù)線62完全疊置。因此，由于即使第三浮置電極94相對于數(shù)據(jù)線62移位，第三浮置電極94和數(shù)據(jù)線62之間的疊置量也保持不變，所以在TFT陣列面板的制造方法中會出現(xiàn)的疊置誤差不影響第三浮置電極94和數(shù)據(jù)線62之間的寄生電容。
在本發(fā)明的第四示例性實施例中，由于漏電極66也被形成為跨過柵電極26，所以第四示例性實施例的TFT陣列面板可實現(xiàn)與第一示例性實施例的TFT陣列面板相同的功能和效果。然而，本發(fā)明不限于此，在可選擇的實施例中漏電極66可具有一般的結(jié)構(gòu)。
為了實現(xiàn)高分辨率LCD，本發(fā)明的上述實施例提供了這樣的TFT陣列面板，即，所述TFT陣列面板能夠通過使柵極線的數(shù)目翻倍且使數(shù)據(jù)線的數(shù)目減半來確保數(shù)據(jù)線之間的節(jié)距。然而，本發(fā)明不限于此，本發(fā)明還提供了采用圖案豎直排列(PVA)的TFT陣列面板和采用多區(qū)域豎直排列(MVA)的TFT陣列面板，其中，在PVA中，切口圖案形成在電極中作為用于通過使用狹縫來控制液晶的傾斜方向而實現(xiàn)寬視角的方法，在MVA中，使用突出或狹縫來控制液晶的傾斜方向以確保寬視角。
下面，將參照圖9A至圖12B描述根據(jù)本發(fā)明的各種實施例的采用PVA或MVA的TFT陣列面板。
下面將參照圖9A和圖9B詳細描述根據(jù)本發(fā)明的TFT陣列面板的第五示例性實施例的結(jié)構(gòu)。圖9A是根據(jù)本發(fā)明的TFT陣列面板的第五示例性實施例的布局圖，圖9B是沿圖9A中示出的線IXb-IXb′截取的示例性TFT陣列面板的剖視圖。為了描述的清晰，與在圖4A至圖5D中示出的本發(fā)明的第一示例性實施例中的元件具有相同功能的元件以相同的標(biāo)號表示，并將省略對其描述。除了下面描述的特征，在圖9A和圖9B中示出的根據(jù)本發(fā)明的TFT陣列面板的第五示例性實施例與在圖4A至圖5D中示出的根據(jù)本發(fā)明的TFT陣列面板的第一示例性實施例具有基本相同的結(jié)構(gòu)。
第五示例性實施例的TFT陣列面板包括單像素區(qū)域的單數(shù)據(jù)線和單柵極線。與第一示例性實施例的TFT陣列面板相似，由于第五示例性實施例的TFT陣列面板包括跨過柵電極26形成的漏電極66，所以第五示例性實施例的TFT陣列面板可實現(xiàn)與第一示例性實施例的TFT陣列面板相同的功能和效果。與在第一示例性實施例中的漏電極66基本垂直于柵極線22延伸相反，在該實施例中的漏電極66基本平行于柵極線22延伸。然而，在任一實施例中，由于漏電極66跨過柵電極26，在柵電極26上方延伸且超過柵電極26的相對側(cè)，所以即使柵布線和數(shù)據(jù)布線之間出現(xiàn)疊置誤差，各像素中的寄生電容也幾乎不變。
本發(fā)明的上述實施例提供了通過采用使用狹縫來控制液晶的傾斜方向的PVA而能夠確保寬視角的TFT陣列面板。然而，本發(fā)明不限于此，本發(fā)明還提供了一種通過采用使用電介質(zhì)突出或狹縫來控制液晶的傾斜方向的多區(qū)域豎直排列(MVA)以確保寬視角的TFT陣列面板。
下面將參照圖10A和圖10B詳細描述根據(jù)本發(fā)明的TFT陣列面板的第六示例性實施例的結(jié)構(gòu)。圖10A是根據(jù)本發(fā)明的TFT陣列面板的第六示例性實施例的布局圖，圖10B是沿圖10A中示出的線Xb-Xb′截取的示例性TFT陣列面板的剖視圖。除了第六示例性實施例的TFT陣列面板包括單像素區(qū)域的單數(shù)據(jù)線和單柵極線，在圖10A和圖10B中示出的根據(jù)本發(fā)明的第六示例性實施例的TFT陣列面板與在圖6A至圖6D中示出的根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實施例的TFT陣列面板具有基本相同的結(jié)構(gòu)。為了描述的清晰，與在圖4A至圖5D中示出的本發(fā)明的第一示例性實施例中的元件具有相同功能的元件以相同的標(biāo)號表示，并將省略對其描述。
與第二示例性實施例的示例性TFT陣列面板相似，第六示例性實施例的TFT陣列面板包括第一浮置電極90，第一浮置電極90形成在保護層70上且在柵極線22的上方，以與其它布線絕緣，因而增加了可視性。這里，第一浮置電極90可與像素電極82形成在相同的層中且在相同的平面上。此外，由于第六示例性實施例的示例性TFT陣列面板包括跨過柵電極26形成的漏電極66，所以第六示例性實施例的示例性TFT陣列面板可實現(xiàn)與第一示例性實施例的TFT陣列面板相同的功能和效果。然而，本發(fā)明不限于此，在可選擇的實施例中，漏電極66可具有一般的結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明的上述實施例提供了通過采用使用狹縫來控制液晶的傾斜方向的PVA而能夠確保寬視角的TFT陣列面板。然而，本發(fā)明不限于此，本發(fā)明還提供了一種通過采用使用電介質(zhì)突出或狹縫來控制液晶的傾斜方向的多區(qū)域豎直排列(MVA)以確保寬視角的TFT陣列面板。
下面將參照圖11A和圖11B詳細描述根據(jù)本發(fā)明的TFT陣列面板的第七示例性實施例的結(jié)構(gòu)。圖11A是根據(jù)本發(fā)明的TFT陣列面板的第七示例性實施例的布局圖，圖11B是沿圖11A中示出的線XIb-XIb′截取的示例性TFT陣列面板的剖視圖。為了描述的清晰，與在圖7A和圖7B中示出的本發(fā)明的第三示例性實施例中的元件具有相同功能的元件以相同的標(biāo)號表示，并將省略對其描述。
除了第七示例性實施例的TFT陣列面板包括單像素區(qū)域的單數(shù)據(jù)線和單柵極線，在圖11A和圖11B中示出的根據(jù)本發(fā)明的TFT陣列面板的第七示例性實施例與在圖7A和圖7B中示出的根據(jù)本發(fā)明的TFT陣列面板的第三示例性實施例具有基本相同的結(jié)構(gòu)。
與第三示例性實施例的TFT陣列面板相似，第七示例性實施例的TFT陣列面板包括第二浮置電極92，第二浮置電極92形成在柵極絕緣層30上且在柵極線22的上方，以與其它布線絕緣，因而增加了可視性。這里，第二浮置電極92可與數(shù)據(jù)線62形成在相同的層中且在相同的平面上。此外，由于第七示例性實施例的TFT陣列面板包括跨過柵電極26形成的漏電極66，所以第七示例性實施例的TFT陣列面板可實現(xiàn)與第三示例性實施例的TFT陣列面板相同的功能和效果。然而，本發(fā)明不限于此，在可選擇的實施例中，漏電極66可具有一般的結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明的上述實施例提供了通過采用使用狹縫來控制液晶的傾斜方向的PVA而能夠確保寬視角的TFT陣列面板。然而，本發(fā)明不限于此，本發(fā)明還提供了一種通過采用使用電介質(zhì)突出或狹縫來控制液晶的傾斜方向的多區(qū)域豎直排列(MVA)以確保寬視角的TFT陣列面板。
下面將參照圖12A和圖12B詳細描述根據(jù)本發(fā)明的TFT陣列面板的第八示例性實施例的結(jié)構(gòu)。圖12A是根據(jù)本發(fā)明的TFT陣列面板的第八示例性實施例的布局圖，圖12B是沿圖12A中示出的線XIIb-XIIb′截取的示例性TFT陣列面板的剖視圖。除了第八示例性實施例的TFT陣列面板包括單像素區(qū)域的單數(shù)據(jù)線和單柵極線，在圖12A和圖12B中示出的根據(jù)本發(fā)明的TFT陣列面板的第八示例性實施例與在圖8A和圖8B中示出的根據(jù)本發(fā)明的TFT陣列面板的第四示例性實施例具有基本相同的結(jié)構(gòu)。
與第四示例性實施例的TFT陣列面板相似，第八示例性實施例的TFT陣列面板包括第三浮置電極94，第三浮置電極94形成在保護層70上且在數(shù)據(jù)線62的上方，以與其它布線絕緣，因而增加了可視性。這里，第三浮置電極94可與像素電極82形成在相同的層中且在相同的平面上。此外，由于第八示例性實施例的TFT陣列面板包括跨過柵電極26形成的漏電極66，所以第八示例性實施例的TFT陣列面板可實現(xiàn)與第四示例性實施例的TFT陣列面板相同的功能和效果。然而，本發(fā)明不限于此，在可選擇的實施例中，漏電極66可具有一般的結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明的上述實施例提供了通過采用使用狹縫來控制液晶的傾斜方向的PVA而能夠確保寬視角的TFT陣列面板。然而，本發(fā)明不限于此，本發(fā)明還提供了一種通過采用使用電介質(zhì)突出或狹縫來控制液晶的傾斜方向的多區(qū)域豎直排列(MVA)以確保寬視角的TFT陣列面板。
因此，通過在顯示面板的薄膜晶體管陣列面板中保持均勻的寄生電容使得一種當(dāng)相鄰的像素電極和置于所述像素電極之間的數(shù)據(jù)線或柵極線之間的距離不恒定時(諸如當(dāng)TFT陣列面板的制造期間出現(xiàn)疊置誤差時)減小顯示面板中的閃爍的方法成為可能。在一些示例性實施例中，保持均勻的寄生電容包括將薄膜晶體管陣列面板中的漏電極完全超過柵極線的柵電極的第一、第二相對側(cè)疊置。在其它示例性實施例中，保持均勻的寄生電容包括在柵極線上設(shè)置與柵極線絕緣的浮置電極，浮置電極在柵極線的寬度方向上與柵極線完全疊置。在另外的示例性實施例中，保持均勻的寄生電容包括在數(shù)據(jù)線上設(shè)置與數(shù)據(jù)線絕緣的浮置電極，浮置電極在數(shù)據(jù)線的寬度方向上與數(shù)據(jù)線完全疊置。
雖然已經(jīng)分別描述了本發(fā)明的示例性實施例，但是本發(fā)明不限于此，一個或多個實施例的組合可用來實施TFT陣列面板。
根據(jù)上述TFT陣列面板，像素間寄生電容被保持相同，或者寄生電容的變化被最小化，因而防止了閃爍并提高了畫面質(zhì)量。
總結(jié)上述詳細的描述，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，在實質(zhì)上不脫離本發(fā)明的原理的情況下，可對優(yōu)選實施例作出多種變化和修改。因此，所公開的本發(fā)明的優(yōu)選實施例僅用于一般意義和描述意義，并不是為了限制本發(fā)明。此外，第一、第二等術(shù)語的使用不表示任何的次序或重要性，而是用來區(qū)分一個元件和其它元件。另外，單數(shù)形式的術(shù)語的使用不表示對數(shù)量的限制，而表示存在之少一個所指代的對象。
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管陣列面板，包括柵極線，設(shè)置在絕緣基底上，并在行方向上延伸，所述柵極線具有柵電極；半導(dǎo)體層，設(shè)置在所述柵電極的上方且與所述柵電極絕緣；數(shù)據(jù)線，具有源電極，所述源電極與所述半導(dǎo)體層至少部分疊置，所述數(shù)據(jù)線在列方向上延伸，所述數(shù)據(jù)線與所述柵極線交叉并與所述柵極線絕緣；漏電極，與環(huán)繞所述柵電極的所述源電極相對，所述漏電極與所述半導(dǎo)體層至少部分疊置，所述漏電極跨過所述柵電極；像素電極，設(shè)置在所述柵極線、所述半導(dǎo)體層和所述數(shù)據(jù)線的上方并與所述柵極線、所述半導(dǎo)體層和所述數(shù)據(jù)線絕緣，所述像素電極電連接到所述漏電極，所述像素電極被區(qū)域分隔物劃分成多個小區(qū)域。
2.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列面板，其中，即使當(dāng)兩個相鄰的像素電極和置于所述兩個相鄰的像素電極之間的數(shù)據(jù)線或柵極線之間的寄生電容變化時，所述漏電極和所述柵電極之間的寄生電容也保持恒定。
3.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列面板，其中，為了調(diào)節(jié)所述薄膜晶體管陣列面板的制造期間出現(xiàn)的疊置誤差，所述漏電極延伸超過所述柵電極的第一、第二相對側(cè)。
4.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列面板，其中，所述漏電極和所述柵電極之間出現(xiàn)的寄生電容抑制由于疊置誤差而導(dǎo)致的所述柵極線和所述像素電極之間的寄生電容的改變。
5.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列面板，其中，所述數(shù)據(jù)線分支成至少兩個像素電極的源電極，所述至少兩個像素電極分別排列在行方向上，所述柵極線包括分別向與所述源電極對應(yīng)的柵電極提供柵極信號的一對奇柵極線和偶柵極線。
6.如權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管陣列面板，其中，第一像素的源電極位于所述數(shù)據(jù)線的第一側(cè)，第二像素的源電極位于所述數(shù)據(jù)線的第二側(cè)。
7.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列面板，還包括設(shè)置在所述柵極線的上方并與所述柵極線絕緣的浮置電極，所述浮置電極與所述柵極線至少部分疊置。
8.如權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管陣列面板，其中，當(dāng)所述薄膜晶體管陣列面板的制造期間出現(xiàn)疊置誤差時，所述浮置電極和所述柵極線之間的寄生電容保持恒定。
9.如權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管陣列面板，其中，所述浮置電極與所述像素電極設(shè)置在所述薄膜晶體管陣列面板內(nèi)的相同平面上，所述浮置電極使用與所述像素電極相同的材料制成。
10.如權(quán)利要求9所述的薄膜晶體管陣列面板，其中，所述數(shù)據(jù)線分支成至少兩個像素電極的源電極，所述至少兩個像素電極分別排列在行方向上；所述柵極線包括分別向與所述源電極對應(yīng)的柵電極提供柵極信號的一對奇柵極線和偶柵極線；所述浮置電極與在列方向上鄰近的各像素電極的兩條柵極線疊置。
11.如權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管陣列面板，其中，所述浮置電極與所述數(shù)據(jù)線設(shè)置在所述薄膜晶體管陣列面板內(nèi)的相同平面上，所述浮置電極使用與所述數(shù)據(jù)線相同的材料制成。
12.如權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管陣列面板，其中，所述浮置電極在所述柵極線的寬度方向上與所述柵極線完全疊置。
13.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列面板，還包括設(shè)置在所述數(shù)據(jù)線的上方并與所述數(shù)據(jù)線絕緣的浮置電極，所述浮置電極與所述數(shù)據(jù)線至少部分疊置。
14.如權(quán)利要求13所述的薄膜晶體管陣列面板，其中，當(dāng)所述薄膜晶體管陣列面板的制造期間出現(xiàn)疊置誤差時，所述浮置電極和所述數(shù)據(jù)線之間的寄生電容保持恒定。
15.如權(quán)利要求13所述的薄膜晶體管陣列面板，其中，所述浮置電極與所述像素電極設(shè)置在所述薄膜晶體管陣列面板內(nèi)的相同平面上，所述浮置電極使用與所述像素電極相同的材料制成。
16.如權(quán)利要求13所述的薄膜晶體管陣列面板，其中，所述浮置電極在所述數(shù)據(jù)線的寬度方向上與所述數(shù)據(jù)線完全疊置。
17.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列面板，其中，所述區(qū)域分隔物是形成在所述像素電極中的切口圖案。
18.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列面板，其中，所述區(qū)域分隔物是形成在所述像素電極上的電介質(zhì)突出。
19.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列面板，其中，當(dāng)相鄰像素電極和置于所述像素電極之間的數(shù)據(jù)線或柵極線之間的距離不恒定時，在所述薄膜晶體管陣列面板內(nèi)的像素的寄生電容至少保持基本不變。
20.一種薄膜晶體管陣列面板，包括柵極線，設(shè)置在絕緣基底上，并在行方向上延伸，所述柵極線具有柵電極；半導(dǎo)體層，設(shè)置在所述柵電極的上方且與所述柵電極絕緣；數(shù)據(jù)線，具有源電極，所述源電極與所述半導(dǎo)體層至少部分疊置，所述數(shù)據(jù)線在列方向上延伸，所述數(shù)據(jù)線與所述柵極線交叉并與所述柵極線絕緣；漏電極，與環(huán)繞所述柵電極的所述源電極相對，所述漏電極與所述半導(dǎo)體層至少部分疊置；像素電極，設(shè)置在所述柵極線、所述半導(dǎo)體層和所述數(shù)據(jù)線的上方并與所述柵極線、所述半導(dǎo)體層和所述數(shù)據(jù)線絕緣，所述像素電極電連接到所述漏電極，所述像素電極被區(qū)域分隔物劃分成多個小區(qū)域；浮置電極，設(shè)置在所述柵極線的上方并與所述柵極線絕緣，所述浮置電極與所述柵極線至少部分疊置。
21.如權(quán)利要求20所述的薄膜晶體管陣列面板，其中，所述浮置電極與所述像素電極設(shè)置在相同的平面上，所述浮置電極使用與所述像素電極相同的材料制成。
22.如權(quán)利要求21所述的薄膜晶體管陣列面板，其中，所述數(shù)據(jù)線分支成至少兩個像素電極的源電極，所述至少兩個像素電極分別排列在行方向上；所述柵極線包括分別向與所述源電極對應(yīng)的柵電極提供柵極信號的一對奇柵極線和偶柵極線；所述浮置電極與在列方向上鄰近的各像素電極的兩條柵極線疊置。
23.如權(quán)利要求20所述的薄膜晶體管陣列面板，其中，所述浮置電極與所述數(shù)據(jù)線設(shè)置在相同的平面上，所述浮置電極使用與所述數(shù)據(jù)線相同的材料制成。
24.如權(quán)利要求20所述的薄膜晶體管陣列面板，其中，所述浮置電極在所述柵極線的寬度方向上與所述柵極線完全疊置。
25.如權(quán)利要求20所述的薄膜晶體管陣列面板，其中，所述漏電極跨過所述柵電極。
26.如權(quán)利要求20所述的薄膜晶體管陣列面板，其中，所述數(shù)據(jù)線分支成至少兩個像素電極的源電極，所述至少兩個像素電極分別排列在行方向上；所述柵極線包括分別向與所述源電極對應(yīng)的柵電極提供柵極信號的一對奇柵極線和偶柵極線。
27.如權(quán)利要求20所述的薄膜晶體管陣列面板，其中，所述區(qū)域分隔物是形成在所述像素電極中的切口圖案。
28.如權(quán)利要求20所述的薄膜晶體管陣列面板，其中，所述區(qū)域分隔物是形成在所述像素電極上的電介質(zhì)突出。
29.一種薄膜晶體管陣列面板，包括柵極線，設(shè)置在絕緣基底上，并在行方向上延伸，所述柵極線具有柵電極；半導(dǎo)體層，設(shè)置在所述柵電極的上方且與所述柵電極絕緣；數(shù)據(jù)線，具有源電極，所述源電極與所述半導(dǎo)體層至少部分疊置，所述數(shù)據(jù)線在列方向上延伸，所述數(shù)據(jù)線與所述柵極線交叉并與所述柵極線絕緣；漏電極，與環(huán)繞所述柵電極的所述源電極相對，所述漏電極與所述半導(dǎo)體層至少部分疊置；像素電極，設(shè)置在所述柵極線、所述半導(dǎo)體層和所述數(shù)據(jù)線的上方并與所述柵極線、所述半導(dǎo)體層和所述數(shù)據(jù)線絕緣，所述像素電極電連接到所述漏電極，所述像素電極被區(qū)域分隔物劃分成多個小區(qū)域；浮置電極，設(shè)置在所述數(shù)據(jù)線的上方并與所述數(shù)據(jù)線絕緣，所述浮置電極與所述數(shù)據(jù)線至少部分疊置。
30.如權(quán)利要求29所述的薄膜晶體管陣列面板，其中，所述浮置電極與所述像素電極設(shè)置在相同的平面上，所述浮置電極使用與所述像素電極相同的材料制成。
31.如權(quán)利要求29所述的薄膜晶體管陣列面板，其中，所述浮置電極在所述數(shù)據(jù)極線的寬度方向上與所述數(shù)據(jù)線完全疊置。
32.如權(quán)利要求29所述的薄膜晶體管陣列面板，其中，所述漏電極跨過所述柵電極。
33.如權(quán)利要求29所述的薄膜晶體管陣列面板，其中，所述數(shù)據(jù)線分支成至少兩個像素電極的源電極，所述至少兩個像素電極分別排列在行方向上；所述柵極線包括分別向與所述源電極對應(yīng)的柵電極提供柵極信號的一對奇柵極線和偶柵極線。
34.如權(quán)利要求29所述的薄膜晶體管陣列面板，其中，所述區(qū)域分隔物是形成在所述像素電極中的切口圖案。
35.如權(quán)利要求29所述的薄膜晶體管陣列面板，其中，所述區(qū)域分隔物是形成在所述像素電極上的電介質(zhì)突出。
36.一種當(dāng)相鄰的像素電極和置于所述像素電極之間的數(shù)據(jù)線或柵極線之間的距離不恒定時減小顯示面板中的閃爍的方法，所述方法包括在所述顯示面板的薄膜晶體管陣列面板中保持均勻的寄生電容。
37.如權(quán)利要求36所述的方法，其中，保持均勻的寄生電容包括將所述薄膜晶體管陣列面板中的漏電極超過所述柵極線的柵電極的第一、第二相對側(cè)完全疊置。
38.如權(quán)利要求36所述的方法，其中，保持均勻的寄生電容包括在所述柵極線上設(shè)置與所述柵極線絕緣的浮置電極，所述浮置電極在所述柵極線的寬度方向上與所述柵極線完全疊置。
39.如權(quán)利要求36所述的方法，其中，保持均勻的寄生電容包括在所述數(shù)據(jù)線上設(shè)置與所述柵極線絕緣的浮置電極，所述浮置電極在所述數(shù)據(jù)線的寬度方向上與所述數(shù)據(jù)線完全疊置。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種用于保持在單個像素中出現(xiàn)均勻的寄生電容的薄膜晶體管(TFT)陣列面板。該薄膜晶體管陣列面板包括柵極線，設(shè)置在絕緣基底上，并在行方向上延伸且具有柵電極；半導(dǎo)體層，設(shè)置在柵電極的上方且與柵電極絕緣；數(shù)據(jù)線，具有源電極，源電極與半導(dǎo)體層至少部分疊置，數(shù)據(jù)線在列方向上延伸，與柵極線交叉并與柵極線絕緣；漏電極，與環(huán)繞柵電極的源電極相對，并與半導(dǎo)體層至少部分疊置且跨過柵電極；像素電極，設(shè)置在所得的結(jié)構(gòu)的上方并與所得的結(jié)構(gòu)絕緣，像素電極電連接到漏電極，并被區(qū)域分隔物劃分成多個小區(qū)域。
文檔編號H01L21/84GK1866527SQ20061007248
公開日2006年11月22日 申請日期2006年4月17日 優(yōu)先權(quán)日2005年5月16日
發(fā)明者白承洙, 金東奎, 申愛 申請人:三星電子株式會社