專(zhuān)利名稱(chēng)：高壓電容器、高壓電容器裝置及磁控管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及高壓電容器、高壓電容器裝置以及使用該高壓電容器裝置的磁控管。
背景技術(shù)：
這種高壓電容器裝置，例如作為對(duì)磁控管振蕩動(dòng)作時(shí)產(chǎn)生的不需要的輻射波進(jìn)行清除的濾波器，組裝在磁控管內(nèi)，其一般的結(jié)構(gòu)包括高壓電容器、棒狀導(dǎo)體(中心導(dǎo)體)和接地部件(參見(jiàn)專(zhuān)利文獻(xiàn)1)。
高壓電容器包括留有間隔形成了2個(gè)穿通孔的介質(zhì)陶資體、在介質(zhì)陶瓷素體的一個(gè)面?zhèn)染哂械?個(gè)單獨(dú)電極、以及在介質(zhì)陶瓷素體的另一個(gè)面?zhèn)染哂械墓搽姌O。各個(gè)棒狀導(dǎo)體穿過(guò)介質(zhì)陶瓷素體的穿通孔，與各個(gè)單獨(dú)電極進(jìn)行電氣、機(jī)械性連接。接地部件與公共電極進(jìn)行電氣、機(jī)械性連接，與棒狀導(dǎo)體相絕緣。
但是，這種高壓電容器裝置，介質(zhì)陶瓷素體的成本在其總成本中所占的比例很大。介質(zhì)陶瓷素體的成本與其體積成正比。因此，為了降低總成本，必須減小介質(zhì)陶瓷素體體積，進(jìn)行小型化。
但是，這種高壓電容器裝置，從結(jié)構(gòu)上在介質(zhì)陶瓷素體中形成2個(gè)穿通孔，其間隔著間隔，使棒狀導(dǎo)體穿過(guò)該穿通孔內(nèi)，所以，為了確保棒狀導(dǎo)體之間的耐電壓，必須使穿通孔之間保持足夠大的距離，這就限制了小型化。具體來(lái)說(shuō)，從穿通孔的布置方向來(lái)看的介質(zhì)陶瓷素體的尺寸，不能夠小于穿通孔之間的距離與從穿通孔到兩個(gè)外側(cè)的外徑之和。因此，介質(zhì)陶瓷素體的形狀要小型化，進(jìn)一步降低成本，受到了限制。
而且，因?yàn)椴捎昧烁糁g隔而形成2個(gè)穿通孔的比較復(fù)雜的形狀的介質(zhì)陶瓷素體，所以與該介質(zhì)陶瓷素體相組合的其他部件，例如使棒狀導(dǎo)體與單獨(dú)電極進(jìn)行電氣性機(jī)械性連接用的電極連接部件、與高壓電容器的公共電極進(jìn)行電氣性機(jī)械性連接的接地部件、以及作為外裝的絕緣蓋和絕緣外殼等的結(jié)構(gòu)也出現(xiàn)復(fù)雜化的趨勢(shì)。
(日本)特開(kāi)平8-78154號(hào)公報(bào)發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是提供能夠?qū)崿F(xiàn)產(chǎn)品小型化的高壓電容器、高壓電容器裝置和磁控管。
本發(fā)明的另一目的是提供能夠?qū)崿F(xiàn)產(chǎn)品低成本的高壓電容器、高壓電容器裝置和磁控管。
本發(fā)明涉及的高壓電容器，用于至少包含2個(gè)棒狀導(dǎo)體的高壓電容器裝置，其中包括介質(zhì)陶瓷素體、單獨(dú)電極和公共電極。單獨(dú)電極至少是2個(gè)，各個(gè)單獨(dú)電極互相隔著間隔，位于介質(zhì)陶瓷素體的一個(gè)面?zhèn)?，與通過(guò)介質(zhì)陶瓷素體外部的各個(gè)棒狀導(dǎo)體相連接，公共電極位于介質(zhì)陶瓷素體的另一個(gè)面?zhèn)取?br> 本發(fā)明涉及的高壓電容器，與棒狀導(dǎo)體和接地部件相組合，形成高壓電容器裝置。各個(gè)棒狀導(dǎo)體位于介質(zhì)陶瓷素體的外部，與單獨(dú)電極電連接。接地部件也與公共電極電連接。
在此，本發(fā)明涉及的高壓電容器，各個(gè)單獨(dú)電極連接在通過(guò)介質(zhì)陶瓷素體外部的各個(gè)棒狀導(dǎo)體上。與過(guò)去不同，介質(zhì)陶瓷素體沒(méi)有穿通孔。也就是說(shuō)，和過(guò)去的介質(zhì)陶瓷素體相比，僅僅剩下了從穿通孔布置方向來(lái)看的介質(zhì)陶瓷素體的尺寸，而從穿通孔向兩個(gè)外側(cè)的外徑部分被去掉了。所以，能夠使介質(zhì)陶瓷素體的形狀小型化，從而能夠降低成本。
而且，本發(fā)明因?yàn)槭褂脹](méi)有穿通孔的單純形狀的介質(zhì)陶瓷素體，所以，與該介質(zhì)陶瓷素體相組合的其他部件，例如，使棒狀導(dǎo)體與單獨(dú)電極進(jìn)行電氣性機(jī)械性連接用的電極連接部件以及與高壓電容器的公共電極進(jìn)行電氣性機(jī)械性連接的接地部件等的結(jié)構(gòu)也變得很簡(jiǎn)單。
并且，因?yàn)椴恍枰诮橘|(zhì)陶瓷素體上形成穿通孔的工序，所以，能夠簡(jiǎn)化制造工序，提高產(chǎn)品合格率，降低產(chǎn)品成本。
再者，本發(fā)明涉及的高壓電容器裝置，各個(gè)棒狀導(dǎo)體與單獨(dú)電極電連接，接地部件與公共電極電連接，所以，能夠獲得與過(guò)去的高壓電容器裝置相同的頻率特性，例如無(wú)用輻射波的吸收特性，能夠作為磁控管的濾波器使用。
過(guò)去，若使棒狀導(dǎo)體穿過(guò)介質(zhì)陶瓷素體，則由于從棒狀導(dǎo)體兩側(cè)漏泄輻射雜波這一固有觀念，所以使用了設(shè)置穿通孔的介質(zhì)陶瓷素體。若按這種過(guò)去的觀點(diǎn)，則本發(fā)明涉及的高壓電容器裝置，各個(gè)棒狀導(dǎo)體位于介質(zhì)陶瓷素體的外部，所以，也可以認(rèn)為會(huì)產(chǎn)生輻射雜波的泄漏。但是，實(shí)際上，已經(jīng)證明，不會(huì)產(chǎn)生輻射雜波，能夠獲得的特性不亞于采用過(guò)去的穿通式高壓電容器時(shí)的特性。
本發(fā)明的其他特征及其作用效果，參見(jiàn)附圖，由實(shí)施例進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。


圖1是表示本發(fā)明涉及的高壓電容器的一實(shí)施例的斜視圖。
圖2是圖1所示的高壓電容器的平面圖。
圖3是沿圖2的3-3線的剖面圖。
圖4是表示本發(fā)明涉及的高壓電容器裝置的一實(shí)施例的正面剖面圖。
圖5是表示本發(fā)明涉及的高壓電容器裝置的一實(shí)施例的正面剖面圖。
圖6是沿圖5的6-6線的剖面圖。
圖7是表示本發(fā)明涉及的高壓電容器的另一實(shí)施例的平面圖。
圖8是沿圖7的8-8線的剖面圖。
圖9是表示本發(fā)明涉及的高壓電容器裝置的再另一實(shí)施例的正面剖面圖。
圖10是沿圖9的10-10線的剖面圖。
圖11是表示本發(fā)明涉及的磁控管的一實(shí)施例的局部斷裂面圖。
圖12是圖11所示的磁控管的電路圖。
具體實(shí)施例方式
圖1是表示本發(fā)明涉及的高壓電容器的一實(shí)施例的斜視圖。圖2是圖1所示的高壓電容器的平面圖。圖3是沿圖2的3-3線的剖面圖。在圖1中，本發(fā)明涉及的高壓電容器1包括介質(zhì)陶瓷素體21、單獨(dú)電極31、32和公共電極33。
介質(zhì)陶瓷素體21的成分是任意的。例如，能夠以BaTiO3-BaZrO3-CaTiO3為主要成分，能夠采用包含一種或多種添加劑的成分。介質(zhì)陶瓷素體21為了避免機(jī)械性、電氣性應(yīng)力的集中，希望整體上形成適當(dāng)?shù)腞(圓角)。
單獨(dú)電極31、32用于連接棒狀導(dǎo)體61、62(參見(jiàn)圖4)。單獨(dú)電極31、32至少有2個(gè)，位于介質(zhì)陶瓷素體21的一面?zhèn)?。各個(gè)單獨(dú)電極31、32利用凹部22來(lái)隔開(kāi)間隔。
公共電極33用于連接接地部件51(參見(jiàn)圖4)，它位于介質(zhì)陶瓷素體21的另一面?zhèn)取?br> 介質(zhì)陶瓷素體21包括凹部22和導(dǎo)體引導(dǎo)用凹部231、232。凹部22設(shè)置在單獨(dú)電極31-32之間，使兩者之間的沿表面距離增大。也可以采用凸部來(lái)代替凹部22，其圖示從略。凹部22用于增大單獨(dú)電極31-32之間的沿表面距離，所以，其寬度和深度選定為能夠確保必要的沿表面距離。
導(dǎo)體引導(dǎo)用凹部231、232用于對(duì)各個(gè)棒狀導(dǎo)體61、62進(jìn)行引導(dǎo)。各個(gè)導(dǎo)體引導(dǎo)用凹部231、232位于介質(zhì)陶瓷素體21側(cè)面中隔著凹部22互相對(duì)置的側(cè)面上。
各個(gè)導(dǎo)體引導(dǎo)用凹部231、232，希望以單獨(dú)電極31、32的邊界線(凹部22)為中心線，形成對(duì)稱(chēng)。導(dǎo)體引導(dǎo)用凹部231、232例如能夠采用半圓形狀。
圖4是表示本發(fā)明涉及的高壓電容器裝置的一實(shí)施例的正面剖面圖。圖示的高壓電容器裝置包括高壓電容器1、棒狀導(dǎo)體61、62、接地部件51、絕緣樹(shù)脂71、絕緣外殼72、絕緣蓋73和絕緣管75、76。
在圖4中接地部件51在使用狀態(tài)下是地電位，例如由鐵、銅、黃銅等導(dǎo)電性金屬材料構(gòu)成。接地部件51在其一個(gè)面?zhèn)染哂猩细〔?11。上浮部511具有從一個(gè)面?zhèn)认蛄硪粋€(gè)面?zhèn)却┩ǖ拇┩?12。
高壓電容器1如圖1所示，被支承在接地部件51的上浮部511上。公共電極33利用焊接等方法來(lái)與上浮部511進(jìn)行電氣性機(jī)械性連接。
棒狀導(dǎo)體61、62有2個(gè)以上，它包括穿通部611、621和電極連接體612、622。例如，由鐵、銅、黃銅等導(dǎo)電性金屬材料構(gòu)成。穿通部611、621不穿通介質(zhì)陶瓷素體21。也就是說(shuō)穿通部611、621位于介質(zhì)陶瓷素體21的外部，把高壓電容器1夾在穿通部611、621之間。
穿通部611、621通過(guò)與介質(zhì)陶瓷素體21的側(cè)面相接近的部分，穿通接地部件51的穿通孔512，利用鉚接等方法來(lái)與電極連接體612、622進(jìn)行電氣性機(jī)械性連接。
電極連接體612、622由導(dǎo)體材料構(gòu)成，具有片狀(tab)接頭(供電端子)的功能。電極連接體612和單獨(dú)電極31，以及電極連接體622和單獨(dú)電極32利用焊接等方法進(jìn)行電氣性機(jī)械性連接。
絕緣管75、76覆蓋棒狀導(dǎo)體61、62，穿過(guò)穿通孔512。利用絕緣管75、76來(lái)確保棒狀導(dǎo)體61、62和接地部件51的絕緣。絕緣管75、76例如能夠，由PET、PBT、硅樹(shù)脂等構(gòu)成。
絕緣外殼72位于接地部件51的一個(gè)面?zhèn)龋欢瞬逖b在上浮部511的外周側(cè)。絕緣蓋73位于接地部件51的另一面?zhèn)龋欢瞬逖b在上浮部511的內(nèi)周側(cè)。絕緣外殼72和絕緣蓋73，例如能夠由聚丁烯對(duì)苯二甲酸酯(PBT)、聚乙烯對(duì)苯二甲酸酯或變性三聚氰胺等構(gòu)成。
絕緣樹(shù)脂71被充填到絕緣外殼72的內(nèi)部和絕緣蓋73的內(nèi)部，對(duì)高壓電容器1的周?chē)M(jìn)行覆蓋。這樣，即使在高溫環(huán)境和高濕環(huán)境中也能夠保持裝置的可靠性。絕緣樹(shù)脂71可以采用例如氨基甲酸酯樹(shù)脂、環(huán)氧樹(shù)脂等熱固性樹(shù)脂或酚醛樹(shù)脂、硅樹(shù)脂等。
如上述那樣，本發(fā)明涉及的高壓電容器1，各個(gè)單獨(dú)電極31、32分別連接到通過(guò)介質(zhì)陶瓷素體21外部的棒狀導(dǎo)體61、62上。與過(guò)去不同，介質(zhì)陶瓷素體21沒(méi)有穿通孔。也就是說(shuō)，與過(guò)去的介質(zhì)陶瓷素體21相比，僅剩下從穿通孔的布置方向來(lái)看的介質(zhì)陶瓷素體21的尺寸，消除了從穿通孔起到兩個(gè)外側(cè)的外徑部分。因此，能夠使介質(zhì)陶瓷素體21的形狀小型化，進(jìn)而使其成本降低。
而且，本發(fā)明因?yàn)椴捎脹](méi)有穿通孔的單純形狀的介質(zhì)陶瓷素體21，所以，與該介質(zhì)陶瓷素體21相組合的其他部件，例如把棒狀導(dǎo)體61、62與單獨(dú)電極31、32進(jìn)行電氣性機(jī)械性連接用的電極連接部件、以及與高壓電容器的公共電極33進(jìn)行電氣性機(jī)械性連接用的接地部件51等的結(jié)構(gòu)也能夠簡(jiǎn)化，也能夠降低產(chǎn)品成本。
并且，因?yàn)椴恍枰诮橘|(zhì)陶瓷素體21上形成穿通孔的工序，所以能夠簡(jiǎn)化制造工序，提高產(chǎn)品合格率和降低產(chǎn)品成本。
再者，本發(fā)明涉及的高壓電容器裝置，因?yàn)楦靼魻顚?dǎo)體61、62與單獨(dú)電極31、32進(jìn)行電連接，接地部件51與公共電極33電連接，所以，能夠獲得與過(guò)去的高壓電容器裝置相同的頻率的特性，例如無(wú)用輻射波吸收特性，能夠作為磁控管的濾波器使用。
過(guò)去，認(rèn)為如果把棒狀導(dǎo)體61、62穿過(guò)介質(zhì)陶瓷素體21，那么，就會(huì)產(chǎn)生輻射雜波，基于這種固有的觀念，使用了設(shè)置有穿通孔的介質(zhì)陶瓷素體21。按照過(guò)去的這種觀點(diǎn)也可以認(rèn)為，本發(fā)明涉及的高壓電容器裝置，各個(gè)棒狀導(dǎo)體61、62位于介質(zhì)陶瓷素體21的外部，所以，會(huì)產(chǎn)生輻射雜波。但是，實(shí)際上已經(jīng)證明，不會(huì)發(fā)生輻射雜波，能夠獲得良好的特性，不亞于采用過(guò)去的普通型的高壓電容器時(shí)的特性。
在圖示的實(shí)施例中，例如，在從頻帶300MHz～1000MHz范圍內(nèi)，有害雜波QP值(國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)CISPR-11)為37(dBμV/m)以下，獲得了和過(guò)去產(chǎn)品同等的良好特性。
并且，在圖示的實(shí)施例中，設(shè)置了導(dǎo)體引導(dǎo)用凹部231、232，所以，從平面方向來(lái)看，棒狀導(dǎo)體61、62布置在接近單獨(dú)電極31、32中心的部分上。利用這樣的結(jié)構(gòu)，使棒狀導(dǎo)體61、62布置在由單獨(dú)電極31、32和公共電極33形成的電容器的接近中心的部分上，能夠獲得良好的濾波特性。
圖5是表示本發(fā)明涉及的高壓電容器裝置的另一實(shí)施例的正面剖面圖，圖6是沿圖5的6-6線的剖面圖。在以下的圖中，對(duì)相當(dāng)于圖1～圖4所示的結(jié)構(gòu)部分的部分，標(biāo)注相同的參考符號(hào)。各個(gè)實(shí)施例均利用共同的結(jié)構(gòu)部分來(lái)取得同樣的作用效果，其重復(fù)說(shuō)明從略。
圖5、圖6所示的高壓電容器裝置包括高壓電容器1、棒狀導(dǎo)體61、62、接地部件51、絕緣樹(shù)脂71、絕緣外殼72和引線導(dǎo)體613、623。
引線導(dǎo)體613與電極連接體612和單獨(dú)電極31進(jìn)行電氣性機(jī)械性連接，引線導(dǎo)體623與電極連接體622和單獨(dú)電極32進(jìn)行電氣性機(jī)械性連接。電氣性機(jī)械性連接方法可以采用焊接、鉚接等。
高壓電容器1由接地部件51中未上浮部分513進(jìn)行支承。公共電極33利用焊接等方法來(lái)與未上浮部分513進(jìn)行電氣性機(jī)械性連接。
在圖示的高壓電容器裝置中，由于無(wú)穿通孔的介質(zhì)陶瓷素體21的結(jié)構(gòu)，所以能夠減少高壓電容器裝置整體的部件數(shù)量，由于減少了部件數(shù)量，所以不僅降低了成本，而且也提高了可靠性。
圖7是表示本發(fā)明涉及的高壓電容器的另一實(shí)施例的平面圖，圖8是沿圖7的8-8線的剖面圖。
圖7、圖8所示的高壓電容器1包括介質(zhì)陶瓷素體21、單獨(dú)電極31、32、和公共電極33。介質(zhì)陶瓷素體21包括介質(zhì)陶瓷素體21和凹部22，未設(shè)置導(dǎo)體引導(dǎo)用凹部231、232(參見(jiàn)圖1)。
圖9是表示本發(fā)明涉及的高壓電容器裝置的再另一實(shí)施例的正面剖面圖。圖10是沿圖9的10-10線的剖面圖。
圖9、圖10所示的高壓電容器裝置包括高壓電容器1、棒狀導(dǎo)體61、62、接地部件51、絕緣樹(shù)脂71、絕緣外殼72、引線導(dǎo)體613、623。
高壓電容器1被支承在接地部件51的上浮部511上。公共電極33利用焊接等方法來(lái)與上浮部511進(jìn)行電氣性機(jī)械性連接。
圖11是表示本發(fā)明涉及的磁控管的一實(shí)施例的局部斷裂面圖，圖12是圖11所示的磁控管的電路圖。
圖11所示的磁控管，例如是微波爐用的磁控管。圖示的磁控管包括濾波箱(filter box)84、陰極芯柱85和高壓電容器裝置2。
濾波箱84布置成覆蓋陰極芯柱85的狀態(tài)，與地電極GND(參見(jiàn)圖12)相連接。在濾波箱84上具有冷卻風(fēng)扇842、襯墊843、RF輸出端844和磁鐵845。
高壓電容器裝置2被設(shè)置成穿過(guò)濾波箱84的側(cè)面板841上設(shè)置的穿通孔，接地部件51與側(cè)面板841進(jìn)行電氣性機(jī)械性連接。
電感器81、82在濾波箱84的內(nèi)部，與陰極芯柱85的陰極端子和高壓電容器裝置2進(jìn)行連接。
在圖12中，高壓電容器裝置2與電感器81、82一起構(gòu)成濾波器。各電感器81、82，一端引出到振蕩器83，另一端側(cè)引出到各個(gè)單獨(dú)電極31、32。
對(duì)磁控管，在棒狀導(dǎo)體61、62的電極連接體612、622上施加例如商用頻率或者20kHz～40kHz左右頻率的4kVo-p的高電壓，使其進(jìn)行振蕩動(dòng)作，產(chǎn)生雜波。
這時(shí)，利用高壓電容器裝置的濾波作用來(lái)減少對(duì)外部的雜波。
以上參照好的實(shí)施例，具體地說(shuō)明了本發(fā)明的內(nèi)容，但是很明顯，根據(jù)本發(fā)明的基本技術(shù)思想和具體示范，專(zhuān)業(yè)人員能夠采取各種變形方式。
權(quán)利要求
1.一種高壓電容器，在至少包含2個(gè)棒狀導(dǎo)體的高壓電容器裝置中使用，其特征在于包括介質(zhì)陶瓷素體、單獨(dú)電極和公共電極，上述單獨(dú)電極至少是2個(gè)，各個(gè)單獨(dú)電極互相隔著間隔而位于上述介質(zhì)陶瓷素體的一個(gè)面?zhèn)?，與通過(guò)上述介質(zhì)陶瓷素體的外部的各個(gè)棒狀導(dǎo)體相連接，上述公共電極位于上述介質(zhì)陶瓷素體的另一個(gè)面?zhèn)取?br> 2.如權(quán)利要求1所述的高壓電容器，其特征在于上述介質(zhì)陶瓷素體在上述單獨(dú)電極之間具有使兩者之間的沿表面距離增大的凹部或凸部。
3.如權(quán)利要求1所述的高壓電容器，其特征在于上述介質(zhì)陶瓷素體在從上述單獨(dú)電極的布置方向來(lái)看相對(duì)置的側(cè)面，具有導(dǎo)體引導(dǎo)用凹部。
4.如權(quán)利要求2所述的高壓電容器，其特征在于上述介質(zhì)陶瓷素體在從上述單獨(dú)電極的布置方向來(lái)看相對(duì)置的側(cè)面，具有導(dǎo)體引導(dǎo)用凹部。
5.如權(quán)利要求3所述的高壓電容器，其特征在于上述導(dǎo)體引導(dǎo)用凹部是半圓形狀。
6.一種高壓電容器裝置，包括高壓電容器、棒狀導(dǎo)體和接地部件，其特征在于上述高壓電容器包括介質(zhì)陶瓷素體、單獨(dú)電極和公共電極，上述單獨(dú)電極至少是2個(gè)，各個(gè)單獨(dú)電極互相隔著間隔而位于上述介質(zhì)陶瓷素體的一個(gè)面?zhèn)?，上述公共電極位于上述介質(zhì)陶瓷素體的另一個(gè)面?zhèn)?。上述各棒狀?dǎo)體位于上述介質(zhì)陶瓷素體的外部，與上述單獨(dú)電極電連接，上述接地部件在一個(gè)面?zhèn)葘?duì)上述高壓電容器進(jìn)行支承，與上述公用電極電連接。
7.如權(quán)利要求6所述的高壓電容器裝置，其特征在于上述接地部件在一個(gè)面?zhèn)染哂猩细〔糠郑鲜錾细〔糠职◤囊粋€(gè)面?zhèn)认蛄硪粋€(gè)面?zhèn)却┩ǖ拇┩?，上述高壓電容器由上述上浮部支承，上述棒狀?dǎo)體穿通上述穿通孔。
8.如權(quán)利要求6所述的高壓電容器裝置，其特征在于上述介質(zhì)陶瓷素體在上述單獨(dú)電極之間具有使兩者之間的沿表面距離增大的凹部或凸部。
9.如權(quán)利要求7所述的高壓電容器裝置，其特征在于上述介質(zhì)陶瓷素體在上述單獨(dú)電極之間具有使兩者之間的沿表面距離增大的凹部或凸部。
10.如權(quán)利要求6所述的高壓電容器裝置，其特征在于上述介質(zhì)陶瓷素體在從上述單獨(dú)電極的布置方向來(lái)看相對(duì)置的側(cè)面，具有導(dǎo)體引導(dǎo)用凹部。
11.如權(quán)利要求7所述的高壓電容器裝置，其特征在于上述介質(zhì)陶瓷素體在從上述單獨(dú)電極的布置方向來(lái)看相對(duì)置的側(cè)面，具有導(dǎo)體引導(dǎo)用凹部。
12.如權(quán)利要求8所述的高壓電容器裝置，其特征在于上述介質(zhì)陶瓷素體在從上述單獨(dú)電極的布置方向來(lái)看相對(duì)置的側(cè)面，具有導(dǎo)體引導(dǎo)用凹部。
13.如權(quán)利要求9所述的高壓電容器裝置，其特征在于上述介質(zhì)陶瓷素體在從上述單獨(dú)電極的布置方向來(lái)看相對(duì)置的側(cè)面，具有導(dǎo)體引導(dǎo)用凹部。
14.如權(quán)利要求10所述的高壓電容器裝置，其特征在于上述導(dǎo)體引導(dǎo)用凹部是半圓形狀。
15.一種磁控管，包括高壓電容器裝置，其特征在于上述高壓電容器裝置是權(quán)利要求6所述的高壓電容器裝置，作為濾波器被裝入。
16.一種磁控管，包括高壓電容器裝置，其特征在于上述高壓電容器裝置是權(quán)利要求7所述的高壓電容器裝置，作為濾波器被裝入。
17.一種磁控管，包括高壓電容器裝置，其特征在于上述高壓電容器裝置是權(quán)利要求8所述的高壓電容器裝置，作為濾波器被裝入。
18.一種磁控管，包括高壓電容器裝置，其特征在于上述高壓電容器裝置是權(quán)利要求10所述的高壓電容器裝置，作為濾波器被裝入。
19.一種磁控管，包括高壓電容器裝置，其特征在于上述高壓電容器裝置是權(quán)利要求14所述的高壓電容器裝置，作為濾波器被裝入。
全文摘要
本發(fā)明提供能夠達(dá)到產(chǎn)品小型化的高壓電容器、高壓電容器裝置和磁控管。具有介質(zhì)陶瓷素體(21)。單獨(dú)電極(31、32)至少是2個(gè)，各個(gè)單獨(dú)電極(31、32)互相間隔著間隔，位于介質(zhì)陶瓷素體(21)的一個(gè)面?zhèn)?，它們連接在通過(guò)介質(zhì)陶瓷素體(21)外部的各個(gè)棒狀導(dǎo)體(61、62)上。公共電極(33)位于介質(zhì)陶瓷素體(21)的另一個(gè)面?zhèn)取?br> 文檔編號(hào)H01G4/35GK1848321SQ20061007376
公開(kāi)日2006年10月18日 申請(qǐng)日期2006年4月10日 優(yōu)先權(quán)日2005年4月11日
發(fā)明者白川幸彥, 佐藤司, 藤原勛, 田中壽 申請(qǐng)人:Tdk株式會(huì)社